TWI591210B - 電漿處理設備之內部構件以及其製造方法 - Google Patents

Description

電漿處理設備之內部構件以及其製造方法

本發明揭露內容關於一種電漿處理設備之內部構件，以及該內部構件的製造方法，且更特別的是，關於一種係包含在電漿處理設備之真空腔室之中的內部構件，該電漿處理設備利用電漿來處理導電薄膜，以於基板上形成電路圖案；以及所述內部構件之製造方法。

通常，半導體器件藉由形成電路圖案於半導體基板（如晶圓）上來製造。於此情形下，該電路圖案可藉由沉積製程以及電漿蝕刻製程來形成。沉積製程藉由層積諸如鋁（Al）、鈦（Ti）、鉬（Mo）與鎢（W）的導電薄膜或是如二矽化鉬（MoSi2）、氮化鈦（TiN）、氮化鉭（TaN）的金屬化合物，以形成導電線、電極等；電漿蝕刻製程藉由使用電漿來蝕刻所沉積的導電線或是電極的一部分。

所述電漿蝕刻藉由使用電漿處理裝置來實施，該電漿處理裝置包括：腔室，其用以提供處理空間；載置台，其配置於所述處理空間，用於放置半導體基板；以及電漿電極，其配置用以產生電漿，以便於真空腔室中面對所述載置台，以上作為基本構件。

於此情況下，內部構件形成於腔室中，其用於防護處理腔室內產生的電漿。所述內部構件包括：噴塗層，其藉由噴塗陶瓷材料而形成；表面熔融層，其藉由熔融所述噴塗層的所述表面的一部分而形成，並且由於粒子分佈的稠密化（densification）使其具有比噴塗層還高的強度，以增加耐電漿性。

為了形成所述表面熔融層，而熔融所述噴塗層的所述表面的一部分過程中，所述噴塗層中的孔隙消除，而增加所述噴塗層的密度。特別的是，隨著所述噴塗層的體積減少，微小的熱裂紋（thermal crack）會形成於其所述表面。因此，在所述電漿處理裝置中執行電漿蝕刻製程時，可能因所述熱裂紋處的侵蝕損傷而產生雜質，且可能會發生與載置臺上所放置的半導體基板的汙染有關的嚴重缺陷。 先行技術文獻 （專利文獻1）韓國公開公報第10-2009-0048114 （公開於2009年5月13日，Plasma etching chamber） （專利文獻2）韓國公開公報第10-2008-0102254 （公開於2008年11月24日，Method for manufacturing ceramic covering member for semiconductor processing apparatus）

本發明揭露內容提供一種電漿處理設備之內部構件的製造方法，以修補提供電漿處理空間的真空腔室的內部構件中細微地形成的熱裂紋。

本發明揭露內容亦提供電漿處理裝置之內部構件，其中細微地形成於提供電漿處理空間的真空腔室的內部構件中的熱裂紋得以被修補。

［技術方案］根據一實施例，一種用於電漿處理設備之內部構件的製造方法包含：於真空腔室的內部部件上使用第一陶瓷材料形成噴塗層，所述真空腔室提供電漿處理空間；藉由熔融製程以熔融所述噴塗層的表面部分，而形成粒子分佈比所述噴塗層密集的表面熔融層；使用包括第二陶瓷材料的修補材料來修補所述表面熔融層上，於熔融製程過程中所形成的熱裂紋。

根據一實施例，於所述表面熔融層上整個地施加所述修補材料，以於所述表面熔融層上形成修補材料層。然後，清洗所述表面熔融層的表面，以從所述表面熔融層移除所述修補材料層中，於所述熱裂紋中滲入部分以外的表面殘留。藉由固化所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分，以於所述熱裂紋中形成填料。

於形成所述修補材料層後，以約0.8至約1.2小時來執行所述修補材料層的自然固化。

於一實施例中，所述填料可依下述製程形成：以約80度至100度C之溫度，約0.8至1.2小時，來預處理所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分；以及以約140度至160度C之溫度，約0.8至1.2小時，來固化預處理後修補材料。

於一實施例中，於所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分，以約22至26小時室溫下自然固化。

於一實施例中，所述填料可由下述製程形成：以約80度至約100度，約0.8至約1.2小時，來預處理所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分；以及以低於所述第一陶瓷材料的熔點且高於所述第二陶瓷材料的熔點之溫度，來固化所述預處理後修補材料。

於一實施例中，所述修補材料進一步包括黏合劑樹脂以及溶劑。

於一實施例中，所述第二陶瓷材料包含至少一成分與所述第一陶瓷材料相同。

於一實施例中，所述第二陶瓷材料包含尺寸比所述熱裂紋還小的陶瓷粒子。

於一實施例中，於形成所述表面熔融層之前，進一步地執行拋光所述噴塗層的所述表面。

於一實施例中，執行所述拋光使得所述噴塗層的中央線之平均高度粗糙度控制為不大於約3微米，且十點平均粗糙度控制為不大於約20微米。

於一實施例中，所述表面熔融層形成為具有約10至30微米的厚度。

根據另一示範性實施例，一種電漿處理設備之內部構件，包括：噴塗層，其藉由使用第一陶瓷材料於真空腔室的內部部件而形成，所述真空腔室用以提供電漿處理空間；形成於所述噴塗層之上的表面熔融層，該表面熔融層具有比所述噴塗層還密集的粒子分佈，並包括因熱裂紋而形成於其表面的細溝槽；以及使用第二陶瓷材料，填入所述細溝槽的填料，其用以修補所述熱裂紋。

於一實施例中，所述第二陶瓷材料包含具有小於所述熱裂紋尺寸的陶瓷粒子。

根據本案之電漿處理設備之內部構件及其製造方法，形成有噴塗層，並且藉由熔融所述噴塗層的表面的一部分來形成表面熔融層，以保護提供電漿處理空間的真空腔室的內部部件隔離電漿， 且於形成所述表面熔融層時，因熱裂紋而形成於所述表面熔融層的表面上的細溝槽，可藉由使用包括陶瓷材料的修補材料而被填補，進而於根本上來防止電漿過程中因侵蝕損失而致的雜質產生。

因此，根據本案可令使用以電漿處理的基板的半導體晶片或是顯示器裝置的製造良率，而且其品質亦能得到改善。

於下文中，電漿處理設備之內部構件以及其製造方法之特定實施例將會配合圖示參考而敘述。然而本發明可以其他不同形式來實施而不受到此處的實施例之限制。更明確地說，提供此些實施例可使本案揭露內容徹底以及完整，並完整傳達本發明範疇予熟習本技術領域之技術者。通篇內容中相同的標註符號意指相同的的元件。於圖式中，為了明確說明，層或區域的尺寸被擴大。

將可理解的是，即使用諸如第一、第二等詞語來形容多個元件，此些元件也不被這些詞語所限制。此些詞語僅用來區分一元件與另一元件。因此，於下文中提到的第一元件亦可名為第二元件而不會脫離本發明概念之教導內容。

此處使用之專有名詞，僅用於形容特定示範性實施例，且並不意圖性地限制本案之發明概念。如此處所述，單數詞一（a, an）以及該、所述（the）意圖性地包括多種形態，除非上下文有另外地明確指出。另外尚能夠被理解的是，當詞語「包含」（comprises, comprising）用於說明書中時，並不排除一或多個其他於其中的特徵、整數、步驟、操作、元件、成分，以及／或群組。

除非有另行定義，此處使用所有的詞語（包括技術與科學詞與）具有與所屬技術領域中熟習技術者所週知理解的有同樣涵義。另外將被進一步理解的是，普遍使用的字典所定義的詞語，應當被解釋為具有與相關領域語境有一致涵義，而不該解釋為理想化或是過度制式的意思，除非本文中有另行表示。

圖1為說明根據一示範性實施例之形成有內部構件的電漿處理設備之斷面圖圖示。

參照圖1，根據一示範性實施例，內部構件500可包含於電漿處理設備100中，並且形成於真空腔室200之內部部件，真空腔室200以高階真空狀態提供電漿處理空間210。

於此情況下，於電漿處理設備100中對基板10執行電漿製程。電漿處理設備100包括：載置台300，其配置於電漿處理空間210中，用以放置基板10；以及電漿電極400，配置為面對置於載置台300上的基板10，以產生電漿。內部構件500可對應另一部件（如內壁、緩衝構造），該另一部件可位於真空腔室200中載置台300與電漿電極400以外的地方。基板10可包括製造半導體晶片用的半導體基板；或是製造顯示器裝置的玻璃基板。

內部構件500要求需要良好的耐電漿性，以於電漿處理空間210中令真空腔室200的內部部件防護電漿。下文參照圖2至圖7所示，將另外更詳細地敘述依據一示範性實施例而於內壁220上製造內部構件500的方法。

圖2至圖6為說明大體上形成圖1所示內部構件之方法的各個步驟之斷面圖圖示。圖7為圖6中A部分的放大圖圖示。

參照圖2，為了形成內部構件500，於作為真空腔室200的內部部件之一的內壁220上噴塗第一陶瓷材料以形成噴塗層600內壁腔室。所述第一陶瓷材料可為由氧化釔、釔鋁石榴石（YAG）、氧化鋁、氧化鋯、 以及包括週期表3a族一金屬的金屬氧化物所組成群組之單一材料或混和物。

噴塗層600較佳地可具有約為50至300微米（μm）的厚度（T1）。若噴塗層600的厚度（T1）小於約50微米，作為基材的內壁220在形成噴塗層600過程中可能受熱而損壞，且噴塗層600 在後續的表面熔融層700的形成製程過程中，因其過小的厚度可能容易由內壁220上分離。另一方面，若噴塗層600的厚度大於約300微米，則噴塗層600可能在後續的表面熔融層700的形成製程過程中，因其過大的厚度而極可能從內壁220上分離，且製程成本可能因過厚的厚度而增加。因此，噴塗層600的厚度（T1）可較佳地為約50至約150微米。

就此形成的噴塗層600的表面上，形成多個粗溝槽610，其具有約4至5微米的中心線平均高度粗糙度（Ra），以及約30至約40微米的十點平均粗糙度（Rz）。

參照圖3，噴塗層600的表面（包括形成於其上的粗溝槽610）可被拋光，以形成拋光表面620。噴塗層600的表面可被拋光成於幾乎整個噴塗層600的表面上形成後面詳述的表面熔融層700。其相關內容於下文中做說明。

此外，參照圖4，可熔融拋光表面620的一部分，以形成表面熔融層700，表面熔融層700具有比噴塗層600還要密集的粒子分佈。更明確地說，表面熔融層700藉由以高溫加熱拋光表面620而形成。例如，表面熔融層可由火焰加熱、弧光照射、雷射照射、電子束加熱等的其中一者或是其組合而形成。表面熔融層700可具有相較於噴塗層600還高許多的強度，因此令內壁220可實質上防護電漿處理空間210中的電漿。

表面熔融層700可具有約10至30微米的厚度（T2）。若表面熔融層700的厚度（T2）小於約10微米，則此厚度過小，要在拋光表面620的整個區域上形成穩定、均一的表面熔融層是困難的。另一方面，若表面熔融層700的厚度（T2）大於約30微米，則表面熔融層700太厚，容易從噴塗層600分離，且其形成的製程時間可能太長而並非所期望。表面熔融層700的厚度（T2）可藉由控制熔融溫度來達成，而控制熔融溫度藉由控制與用以高溫加熱之熱源的距離；或是藉由控制熱源的輸出功率來進行。

表面熔融層700的面積比可根據拋光表面620的表面粗糙度來決定，且關於其之敘述將附加地參照圖8至11以及表1來詳細說明。

圖8至圖10為掃描電子顯微鏡（SEM） 攝影照片，顯示藉拋光製程而具有受控制的表面粗糙度的表面熔融層。 [表1]

參照表1以及圖8，於此情況中執行拋光製程以使拋光表面620具有大於約4微米至不大於約5微米的中央線平均高度粗糙度（Ra）；或是大於約30微米而不大於約40微米的十點平均粗糙度（Rz），表面熔融層700的實質面積比為小於約60%而不小於約50%。因此，發現內部構件100不具有期望程度的耐電漿性特性。

參照表1以及圖9，當執行拋光製程以使拋光表面620（參照圖3）具有大於約3微米而不大於約4微米的中心線平均高度粗糙度（Ra）；或是大於約30微米至不大於35微米的十點平均粗糙度（Rz）時，表面熔融層700的實質的面積比小於約80%而不小於70%。因此，發現內部構件100不具有期望程度的耐電漿性特性。

另一方面，參照表1以及圖10、11，當執行拋光製程以使拋光表面620具有不大於約3微米的平均高度粗糙度（Ra）；或是不大於約20微米的十點平均粗糙度 （Rz）時，表面熔融層700的實質面積比不低於約90%，表面熔融層700形成於噴塗層600的幾乎整個區域。因此，內部構件100具有理想程度的耐電漿性特性，而內壁220可實質地防護阻隔電漿。

因此較佳地，可執行所述拋光製程，使得拋光表面620可具有不超過約3微米的中央線平均高度粗糙度（Ra），或是不大於約20微米的十點平均粗糙度（Rz）。此時，即使對根據圖4形成的表面熔融層700的厚度（T2）或是拋光後表面620的表面粗糙度進行控制，在高溫加熱固化過程中，由於所述噴塗層中出現的孔隙自然減少，據此體積縮減而密度增加，因而熱裂紋表面熔融層700的表面上伴隨著熱裂紋不可避免地形成細溝槽710。

參照圖5及圖7，為了修補缺陷，可執行一製程以填補伴隨熱裂紋而來的細溝槽710。該製程使用包括第二陶瓷材料並具有黏著性的修補材料。第二陶瓷材料可為由氧化釔、釔鋁石榴石（YAG）、氧化鋁、氧化鋯、 包括週期表3a族一金屬的金屬氧化物所組成群組之單一材料或混和物。

於此情形下，所述第二陶瓷材料可使用至少一種成分相同於噴塗層600中所述第一陶瓷材料來形成，由於噴塗層600為表面熔融層700的基底，因此於細溝槽710中對於表面熔融層700具有良好的黏著性。例如，當使用YAG形成所述第一陶瓷材料時，則所述第二陶瓷材料可以氧化釔或是氧化鋁形成。此外，所述第二陶瓷材料較佳地可包括具有小於因熱裂紋形成的細溝槽710的尺寸的陶瓷粒子，以填補細溝槽710。

以下將詳細敘述細溝槽710的填補製程。首先，施加所述修補材料於整個表面熔融層700，以形成修補材料層800。更明確地說，所述修補材料可藉由使用除塵刷（dusting wiper）來塗布在整個表面熔融層700上。於此情形下，可進一步地包括黏合劑樹脂以及溶劑，以使所述修補材料具有基本的黏著性與塗布性。黏合劑樹脂可包括：例如一種具商品名稱「永固（permabond）」的丙烯酸材料。

其後，所形成的修補材料層800可以約0.8至1.2小時自然固化。藉此確保使施加於表面熔融層700的所述修補材料充分地滲入細溝槽710中的所需時間。由約0.8至1.2小時的自然固化時間的分界如下。若固化時間少於約0.8小時，則所施加的修補材料滲入得不夠充分；若固化時間大於約1.2小時，則所施加的修補材料就不再進一步地滲入，而無謂地增加了製程時間。於此情況下，實質的自然固化時間理想上為約1小時。

其次，可清洗表面熔融層700的表面，以移除修補材料層800中，滲入細溝槽710裡的部分以外的剩餘暴露部分。更明確地說，可以具吸附性的清洗裝置（如海綿）來清洗表面熔融層710的表面，以移除修補材料層800的表面上的剩餘材料。

所述滲入清洗後表面熔融層700的細溝槽710的修補材料，經固化於細溝槽710中形成填料800。因此，因熱裂紋而成的細溝槽710可完全地由填料800修補，而下面將更為詳細地說明一種將滲入的修補材料做固化處理的方法的多樣實施例。

根據一實施例，為了要固化滲入細溝槽710的修補材料，可以約0.8至1.2小時、約80度C至100度C，來執行所述滲入的修補材料的預處理。執行該預處理以透過氣化來除去所述滲入的修補材料中的溶劑，以避免後續的固化製程過程中，自溶劑產生氣孔。

所述預處理的溫度可界定在約80度C至約100度C的溫度，因為溶劑在低於約80度C以下時並不會氣化，而所述滲入的修補材料的部分在高於100度C時會固化。

此外，所述預處理的時間可界定在約0.8至約1.2小時。若時間少於約0.8小時，溶劑可能不會完全由所述滲入的修補材料中移除；而若時間大於1.2小時，則要透過氣化來移除的溶劑已經不再存在於所述滲入的修補材料中，而無謂地增加了製程的時間。於此情形中，所述滲入的修補材料較佳地為以約90度C溫度、約1小時來進行預處理。

接著，預處理後修補材料可以約0.8至約1.2小時、約140度C至約160度C溫度來固化。於此情況下，若固化處理溫度低於140度C，加熱後修補材料不會固化，而如果固化處理溫度大於約160度C，則所述加熱後修補材料不會再有任何進一步的進展，因而造成不必要的能源消耗。

此外，固化處理時間界定為由約0.8至約1.2小時。若固化處理時間少於約0.8小時，所述加熱後修補材料不會完全固化，而若固化處理時間多於約1.2小時，要透過氣化來移除的溶劑不再存在於所述滲入的修補材料中，而處理時間則無謂地增加。

因此，理想地以約150度約1小時來固化所述預處理後修補材料。根據一實施例中基於對所述滲入的修補材料的固化方法，在考量能源以及製程處理情況下以在最有效溫度範圍以及時間期間內，所述滲入的修補材料得以穩定且完全地固化。

根據一實施例，為了固化處理細溝槽710中所述滲入的修補材料，所述滲入的修補材料可於室溫自然固化約由22至約26小時。於此情況下，所述滲入的修補料中的溶劑可自然固化且移除，使得所述滲入的修補材料緩慢地固化。

自然固化處理時間可界定在由約22至約26小時。如果時間少於約22小時，則所述滲入的修補材料的自然固化處理不會完全，若該時間多於約26小時，要固化處理的所述滲入的修補材料的部分不再存在，製程處理時間無謂地增加。所述滲入的修補材料的自然固化處理理想上執行於室溫約24小時，根據另一實施例的所述滲入的修補材料的固化方法，製程處理時間可略增，而在自然狀態下所述修補材料可不消耗額外的能源而穩定地固化。

根據再一實施例，為了要固化細溝槽710中所述滲入的修補材料，所述滲入修補材料可以由約0.8至約1.2小時，約80度C至約100度C的溫度來加熱，此實施例中的加熱製程實質上與根據上述第一個實施例的預處理加熱所述滲入修補材料相同，因而省略關於此的重複說明。

其次，立即將所述預處理後修補材料在低於作為表面熔融層700的基底的噴塗層600的所述第一陶瓷材料的熔點，且高於包括所述修補材料的所述第二陶瓷材料的熔點的溫度下固化。例如，若使用具有約1900度C熔點的YAG來形成所述第一陶瓷材料，並使用具有約1700度C熔點的氧化鋁來形成第二陶瓷材料，可立即地於約1700度C以及約1900度C之間來加熱所述加熱修補材料。

於此情況，所述加熱製程可藉由單個製程來執行，例如火焰加熱、弧光照射、雷射照射、電子束加熱，或者是其組合。所述加熱溫度可藉由於執行所述加熱製程期間，調整熱源以及所述加熱修補材料之間距離來控制。

根據再一實施例，包括於所述修補材料中的所述第二陶瓷材料可透過所述第二陶瓷材料的相變而立即融化並且強力地貼附至表面熔融層700。儘管考量到能量消耗使產生的高溫不低於約1500度C而存在有一些限制，但因熱裂紋而成的細溝槽710可以強力的黏著力而相當穩定地來填補。

因此，藉由於真空腔室200的內壁220上形成噴塗層600以及表面熔融層700以防護電漿，並且藉由填補細溝槽710（細溝槽710係以包括所述第二陶瓷材料的所述修補材料來形成表面熔融層700過程中因熱裂紋而成，其不可避免地且自然地形成於表面熔融層700上）形成填料800，使得電漿製程過程中，由因熱裂紋而成的細溝槽710處因侵蝕損傷而產生的雜質，可根本上地得以避免。

使用以電漿處理的基板10而製造的半導體晶片或顯示器裝置的良率可以提升，並且品質也能有所改善。

雖本發明已依特定實施例如上述般揭露，但並不受限於其內容。因此，熟習本技術領域技術者可容易理解到，在不脫離本案附錄專利範圍定義本案主旨以及範疇多樣的改型以及變更下，多樣的改型以及變更為可行的。

［產業利用性］如上所述，為了保護提供電漿處理空間的真空腔室的內部構件，在形成噴塗層以及藉由熔融噴塗層的一部分形成表面熔融層過程中，因熱裂紋使得細溝槽自然地且不可避免地形成於真空腔室的內部部件上的表面熔融層上，而藉著使用包括陶瓷材料的修補材料得以將細溝槽填補。此方法可積極應用於防止因電漿而起的熱裂紋導致的細溝槽而引發的雜質之產生。

10‧‧‧基板
100‧‧‧電漿處理設備
200‧‧‧真空腔室
210‧‧‧電漿處理空間
220‧‧‧內壁
300‧‧‧載置台
400‧‧‧電漿電極
500‧‧‧內部構件
600‧‧‧噴塗層
610‧‧‧粗溝槽
620‧‧‧拋光表面
700‧‧‧表面熔融層
710‧‧‧細溝槽
800‧‧‧修補材料層
A‧‧‧放大部分
T1‧‧‧（噴塗層）厚度
T2‧‧‧（表面熔融層）厚度

圖1為說明根據一示範性實施例之形成有內部構件的電漿處理設備之斷面圖圖示。

圖2至圖6為說明大體上形成圖1所示內部構件之方法的各個步驟之斷面圖圖示。

圖7為圖6中A部分的放大圖圖示。

圖8至圖11為掃描電子顯微鏡（SEM） 攝影照片，顯示藉拋光製程而具有受控制的表面粗糙度的表面熔融層。

220‧‧‧內壁

500‧‧‧內部構件

600‧‧‧噴塗層

710‧‧‧細溝槽

800‧‧‧表面修補層

A‧‧‧放大部分

Claims (12)

1. 一種電漿處理設備之內部構件的製造方法，其包含：於真空腔室的內部部件上使用第一陶瓷材料形成噴塗層，所述真空腔室提供電漿處理空間；藉由熔融製程以熔融所述噴塗層的表面，而形成粒子分佈比所述噴塗層還密集的表面熔融層；以及使用包括第二陶瓷材料的修補材料，於所述表面熔融層上填補熱裂紋，以修補於所述熔融製程中所形成的所述熱裂紋；於形成所述表面熔融層之前，拋光所述噴塗層的所述表面；其中執行拋光使得所述噴塗層的中央線平均高度粗糙度控制為不超過3微米，且十點平均粗糙度控制為不超過20微米。
2. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中填補所述熱裂紋包含：藉由於所述表面熔融層上整個地施加所述修補材料，以於所述表面熔融層上形成修補材料層；清洗所述表面熔融層的表面，以從所述表面熔融層移除所述修補材料層中所述熱裂紋中滲入部分以外的表面殘留；以及藉由固化所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分，以於所述熱裂紋中形成填料。
3. 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中填補所述熱裂紋包含： 於形成所述修補材料層之後，以約0.8小時至1.2小時來自然固化所述修補材料層。
4. 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中形成填料包含：以約80度至100度C之溫度，約0.8至1.2小時，來預處理所述熱裂紋中所述修補材料之所述滲入部分；以及以約140度至160度C之溫度，約0.8至1.2小時，來固化預處理後的修補材料。
5. 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中，於形成填料過程中，所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分，於室溫下以約22至約26小時自然固化。
6. 如申請專利範圍第2項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中形成填料包含：以約80度至約100度，約0.8至約1.2小時，來預處理所述熱裂紋中所述修補材料的所述滲入部分；以及以低於所述第一陶瓷材料的熔點且高於所述第二陶瓷材料的熔點之溫度，來固化預處理後所述修補材料。
7. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中所述修補材料進一步包括黏合劑樹脂以及溶劑。
8. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中所述第二陶瓷材料包含與所述第一陶瓷材料相同的至少一成分。
9. 如申請專利範圍第1項所述之用於電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中所述第二陶瓷材料包含尺寸比所述熱裂紋還小的陶瓷粒子。
10. 如申請專利範圍第1項所述之電漿處理設備之內部構件的製造方法，其中執行形成所述表面熔融層，使得所述表面熔融層形成為具有約10至約30微米的厚度。
11. 一種電漿處理設備之內部構件，包含：噴塗層，其使用第一陶瓷材料形成於真空腔室的內部部件，所述真空腔室用以提供電漿處理空間；表面熔融層，於所述噴塗層之上，所述表面熔融層具有比所述噴塗層還密集的粒子分佈，並包括因熱裂紋而形成於其表面的細溝槽；以及使用第二陶瓷材料而填入所述細溝槽的填料，用於修補所述熱裂紋；其中執行拋光使得所述噴塗層的中央線平均高度粗糙度控制為不超過3微米，且十點平均粗糙度控制為不超過20微米。
12. 如申請專利範圍第11項所述之電漿處理設備之內部構件，所述第二陶瓷材料包含具有小於所述熱裂紋尺寸的陶瓷粒子。