TWI586621B - 化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具 - Google Patents
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Description
本發明涉及化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具，更詳細地，涉及通過石英夾具原材料表面的最佳壓紋處理，並通過抑制借助長時間使用的石英夾具的表面的氣相沉積(CVD)前驅體來生長的薄膜的剝離，來降低粒子，並通過增加比表面積和最佳的表面粗糙度來賦予薄膜錨固(anchor)功能的化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具。
石英產品因具有高純度(99.999%)和化學穩定性、耐酸性、耐熱性(軟化點溫度1683℃)及優秀的光透過性，且因熱膨脹性小、電絕緣性優秀而廣泛適用於半導體、光通信、電器、電子等產業。
例如，通常在矽片的處理工序中，矽片通過氣相沉積(CVD)、蝕刻、灰化(ashing)等工序處理，而為了支撐或配置晶片，在這種工序中使用石英產品。
在此情況下，由於向這種工序施加1000℃以上的高溫，因而在上述晶片和石英表面相接觸的部分產生由石英和矽片之間的熱膨脹係數之差異引起的應力，並且可在上述接觸部分產生接觸標記。
而且，在矽片的處理工序中產生的物質附著於石英原材料產品的表面來形成薄膜(film)的情況下，當上述石英原材料產品在處理工序後冷卻時，可以因如上述所述的薄膜和玻璃之間的熱膨脹係數之差而在上
述石英原材料產品產生龜裂或損壞(breaking)。
並且，在上述石英原材料產品以如上所述的方式冷卻的情況下，若石英表面上的物質的附著狀態較弱，則上述物質會從石英表面脫離，但若石英表面的粗糙度(roughness)小，則附著狀態會變得更加堅固，上述薄膜會殘留至矽片的後續處理工序為止，且即使在石英原材料產品中不發生龜裂或破損，也可在上述薄膜從表面脫離之前生成粒子。
因此，為了避免發生上述接觸標記，並減少晶片上的接觸區域，在石英原材料產品的表面執行噴砂(sand blast)處理，使得石英原材料產品的表面變得粗糙，且形成不平坦的噴砂處理面。
並且，若形成噴砂處理面，則在得到噴砂的上述石英表面上，在處理矽片後的冷卻步驟中所產生的應力會向多個方向分散，從而可防止附著於上述石英表面的物質在進行冷卻時從上述表面脫離。
然而，噴砂處理後的上述石英表面反而在噴砂處理面與晶片相接觸時，使矽粒子從上述晶片脫離，或者在產品的噴砂處理面內保留粒子，並在石英原材料產品的成形步驟中通過噴砂處理來在表面區域內膨脹，從而使粒子在晶片處理工序過程中從上述表而浮起並掉落到形成有圖案的晶體表面上，由此可以導致圖案的缺陷。
換言之，通過現有的噴砂工序的石英表面處理存在如下問題：在石英原材料的特性上，脆性較高，從而可因噴砂處理時發生的應力而發生裂紋，且可在表面發生火花，微細間隔及形狀複雜的原材料在作業方面存在困難。
尤其，實際上需要謀求在化學氣相沉積中生長的薄膜引起的粒子的降低，並具有最佳的表面粗糙度的研究。
現有技術文獻
因此，本發明為了解決上述現有問題而提出，本發明的發明人員通過不斷的研究和實驗結果，謀求石英原材料表面的最佳壓紋處理，從而提供通過抑制借助長時間使用的石英夾具的表面的氣相沉積(CVD)
前驅體來生長的薄膜的剝離，來降低粒子，並通過增加比表面積和最佳的表面粗糙度來賦予薄膜錨固(anchor)功能的化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具。
本發明所要解決的問題並不局限於上述所提及的內容，本發明所屬技術領域的普通技術人員可從以下記載中容易地理解未提及的其他所要解決的問題。
根據用於實現上述目的的本發明的第一觀點，提供化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，用於在化學氣相沉積用石英夾具的表面形成壓紋，上述化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法包括：噴砂步驟，對所準備的石英夾具進行噴砂處理；表面預處理步驟，為了噴砂處理後的上述石英夾具的表面活化及去除有機物，對石英表面進行預處理；第一次清洗步驟，對預處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥，或者包括：預處理清洗步驟，對所準備的石英夾具進行清洗；預處理步驟，用於噴砂處理後的上述石英夾具的表面活化及去除有機物；第一次清洗步驟，對預處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥，或者包括：噴砂步驟，對所準備的石英夾具進行噴砂處理；第一次清洗步驟，對蝕刻處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步
驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥。
根據本發明的第一觀點，優選地，上述表面預處理步驟包括以HF(氫氟酸)稀釋液或緩衝氧化蝕刻劑(BOE，buffered-oxide-etchant)稀釋液或酒精單獨進行預處理的步驟，上述表面粗糙度調整步驟包括利用緩衝氧化蝕刻劑或HF(氫氟酸)5%稀釋液來對石英夾具的表面進行處理的步驟中的一個。
根據本發明的第一觀點，優選地，在上述表面粗糙度調整步驟中，將石英夾具的表面的平均粗糙度(Ra)調整在1.0~3μm範圍的方式進行調整。
根據本發明的第一觀點，優選地，上述壓紋蝕刻步驟包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟，上述壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液)、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)、甲酸(HCOOH)按規定比率混合而成。
根據本發明的第一觀點，優選地，上述壓紋蝕刻用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、20~40%的酸性氟化銨(NH4HF2)、50~70%的甲酸(HCOOH)及5~10%的去離子水(18MΩ以上)。
根據本發明的第一觀點，優選地，上上述壓紋蝕刻步驟包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟，上述壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液)、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)、甲酸(HCOOH)及檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)按規定比率混合而成。
根據本發明的第一觀點，優選地，上述壓紋蝕刻用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~60%的甲酸(HCOOH)、5~15%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)，或者包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶
液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~50%的甲酸(HCOOH)、15~20%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
根據本發明的第二觀點，提供化學氣相沉積用石英夾具表面的壓紋蝕刻處理用組合物，用於對石英夾具的表面進行壓紋處理，上述壓紋蝕刻處理用組合物包含氫氟酸(HF 50%溶液)、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)及甲酸(HCOOH)。
根據本發明的第二觀點，優選地，上述壓紋蝕刻處理用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、20~40%的酸性氟化銨(NH4HF2)、50~70%的甲酸(HCOOH)及5~10%的去離子水(18MΩ以上)。
根據本發明的第二觀點，優選地，上述壓紋蝕刻處理用組合物還包含檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)，並優選地，上述壓紋蝕刻處理用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~60%的甲酸(HCOOH)、5~15%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)，或者包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~50%的甲酸、15~20%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
根據本發明的第三觀點，提供化學氣相沉積用石英夾具，上述化學氣相沉積用石英夾具通過上述第一觀點的的化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法來製備。
根據本發明的化學氣相沉積用使用夾具的表面處理方法、石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英夾具，具有可在石英夾具的表面形成均勻且微細的最佳壓紋的效果。
並且，本發明具有在化學氣相沉積工序中通過抑制薄膜的剝離來降低粒子，從而防止由圖案缺陷引起的不良，並通過比表面積的增加和最佳的表面粗糙度來賦予薄膜錨固功能的效果。
本發明的效果並不局限於上述所述的內容，本發明所屬技術
領域的普通技術人員可從以下記載中容易地理解未提及的其他所要解決的問題。
S100‧‧‧噴砂步驟
S100A‧‧‧蝕刻清洗步驟
S200‧‧‧表面蝕刻步驟
S300、S500、S700‧‧‧清洗步驟
S400‧‧‧壓紋蝕刻步驟
S600‧‧‧表面粗糙度調整步驟
S800‧‧‧乾燥步驟
圖1為本發明第一實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖。
圖2為本發明第二實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖。
圖3為本發明第三實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖。
圖4為用於說明為了對本發明的實施例和比較例進行比較而通過石英夾具的表面處理來形成的壓紋(凹凸)的尺寸例示的例示圖。
圖5作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例1的表面狀態的圖。
圖6作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例2的表面狀態的圖。
圖7作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例3的表面狀態的圖。
圖8作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示比較例1的表面狀態的圖。
圖9作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示比較例1的表面狀態的圖。
可從以下的詳細說明及附圖更加明確本發明的其他目的、特徵及優點。
在詳細說明本發明之前，需要理解的是，本發明可謀求多種變更，並可具有多種實施例，以下所述的附圖所示的例示並不用於將本發明局限於特定的實施方式，而是包含本發明的思想及技術範圍所包含的所有變更、等同技術方案至替代技術方案。
當指出一個結構要素與另一結構要素“相連接”或者“相聯接”時，不僅可以應理解為可以直接與另一結構要素相連接或聯接，而且還可以理解為中間還存在其他結構要素。當指出一個結構要素與另一結構要素“直接相連接”或“直接相聯接”時，應理解為中間不存在其他結構要素。
本說明書所使用的術語僅是為了說明特定實施例而使用的，並非具有限定本發明的意圖。只要在文脈上沒有意味著明確的其他含義，單數的表示包括複數的表示。需要理解的是，本說明書中的“包括”或“具有”等的術語是為了指定存在說明書上記載的特徵、數字、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合，而不是預先排除一個或一個以上的其他特徵或數字、步驟、動作、結構要素、部件或它們的組合的存在或附加可能性。
並且，說明書所記載的“…部”、“…單元”、“…模組”等術語可意味著用於處理至少一個功能或動作的單位。
並且，在參照附圖進行說明的過程中，與附圖標記無關地對相同的結構要素賦予相同附圖標記，並省略對此的重複說明。在說明本發明的過程中，在判斷相關的公知技術的具體說明會不必要地模糊本發明的要旨的情況下，將省略對此的詳細說明。
以下，參照附圖詳細說明本發明優選實施例的石英原材料的表面處理方法，石英夾具的表面處理用組合物及由此製成的石英原材料。
首先，參照圖1對本發明的化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法進行說明。圖1為本發明第一實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖。
如圖1所示，本發明第一實施例的化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，對使用於化學氣相沉積工序的石英夾具的表面進行處理(即，壓紋處理)，上述化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法包括：噴砂步驟S100，對所準備的石英夾具進行噴砂處理；預處理步驟S200，用於噴砂處理後的上述石英夾具的表面活化及去除有機物；第一次清洗步驟S300，對蝕刻後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟S400，通
過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟S500，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟S600，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟S700，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟S800，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥。
噴砂步驟S100具有與通過通常在化學氣相沉積工序的石英夾具的表面實施的噴砂處理來獲得的形態相同的表面處理形態。其中，噴砂步驟S100可以以火拋光(fire polishing)處理來代替噴砂。
預處理步驟S200作為用於啟動噴砂處理後的石英夾具的表面，並去除有機物的步驟，包括單獨利用包含氫氟酸(HF)稀釋液或緩衝氧化蝕刻劑(BOE，buffer edoxide etchant)稀釋液或乙醇或甲醇異丙醇(Methanol isopropyl alcohol)的乙醇來進行預處理的步驟。
第一次清洗步驟S300、第二次清洗步驟S500及第三次清洗步驟S700用於在前步驟中對得到表面處理的石英夾具的表面進行清洗，因此，可利用去離子水(純水)進行清洗。
壓紋蝕刻步驟S400包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟。
為了調整壓紋形態的稠密度及表面的粗糙度，第一次清洗步驟S300、壓紋蝕刻步驟S400及第二次清洗步驟S500可反復進行多次。
其中，壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液)、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)，甲酸(HCOOH)和/或檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)按規定比率混合而成。
優選地，壓紋蝕刻用組合物以如下表1的比率組成。
其中，在氫氟酸小於5%的情況下，在作為後續工序的表面粗糙度調整步驟中，存在表面粗糙度調整現象降低的問題，在氫氟酸大於10%的情況下，發生過粗糙現象。並且，在酸性氟化銨小於20%的情況下，產生未調整區域，在酸性氟化銨大於40%的情況下，具有產生酸性氟化銨的問題。
並且，在甲酸小於50%的情況下，存在形成於石英夾具的表面的壓紋形態(陰刻形態)增加至100μm以上的問題，在甲酸大於70%的情況下，存在壓紋形態(陰刻形態)降低至10μm的問題。其中，形成於石英夾具的表面的壓紋形態的尺寸(粒子形態尺寸)優選為10~100μm，更優選為10~60μm，以便可以適當地使用於化學氣相沉積工序的石英夾具使用領域。
此時，在準備壓紋蝕刻用組合物的過程中，可以為了將形成於石英夾具的表面的壓紋形態稠密化及均勻化而按表1所示的比率包含檸檬酸。
通過以這種方式準備的壓紋蝕刻用組合物，並通過化學蝕刻方法(完全沉積或完全浸泡)來對石英夾具的表面進行壓紋蝕刻處理(步驟S400)。
然後，在進行壓紋蝕刻處理之後，通過第二次清洗S500來進行清洗。
為了調整壓紋形態的稠密度及表面粗糙度，第一次清洗步驟S300、壓紋蝕刻步驟S400及第二次清洗步驟S500可反復進行多次。
接著，如上述表面蝕刻步驟，對石英夾具的表面粗糙度進行調整的表面粗糙度調整步驟S600用於使石英夾具的表面具有規定粗糙度，因此，包括以緩衝氧化蝕刻劑稀釋液或HF5%(氫氟酸)稀釋液調整表面粗糙度的步驟中的一個。
經過這種表面粗糙度調整步驟S600的石英夾具將平均粗糙度(Ra)調整在1.0~3μm範圍，優選地，在1.5~2.5μm範圍的方式進行調整。
在進行表面粗糙度調整步驟之後對表面進行清洗的第三次
清洗步驟S700利用去離子水(純水)進行清洗。
最後，對結束第三次清洗的石英夾具進行乾燥的乾燥步驟S800用於去除清洗後的剩餘水分，因此，通過如乾燥空氣或烘烤箱進行乾燥。
在這種工序中，各工序的工序時間可適當考慮對表面粗糙度進行調整來以可變方式進行調整，而在溫度方面，在常溫氣氛(例如，15~20℃之間)中進行，且工序壓力在常壓條件下實現。
然後，圖2作為本發明第二實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖，在上述所述的第一實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的中實施預處理清洗之後(步驟S100A)，後續工序以與第一實施例相同方式執行，來代替執行作為初始步驟的噴砂步驟S100。
並且，圖3作為本發明第三實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法的流程圖，在上述所述的第一實施例的氣相沉積用石英夾具的表面處理方法中，省略預處理步驟S200來實施，之後，後續工序以與第一實施例相同方式執行。
本發明的發明人員確認了即使執行上述第二實施例及第三實施例的表面處理方法，也能導出與第一實施例相同或非常類似的結果。
具體地，本發明的發明人員通過上述實施例的石英夾具的表面處理方法來進行了實驗。
作為與本發明的實施例相比較的以下比較例，比較例1為經過噴砂、第一次清洗、表面蝕刻、第二次清洗、及乾燥過程的例，比較例2為經過預清洗、表面蝕刻、第一次清洗及乾燥過程的例。
如下表2為對通過本發明的石英夾具的表面處理方法來獲得的實施例和比較例的表面粗糙度的結果進行整理的表，表3為對圖4所示的例示中的實施例和比較例的形態進行整理的表。圖4是為了比較本發明的實施例和比較例而用於說明通過石英夾具的表面處理來形成的壓紋(凹凸)的尺寸例示的示例圖。
圖5作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例1的表面狀態的圖，圖6作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例2的表面狀態的圖，圖7作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示實施例3的表面狀態的圖，圖8作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示比較例1的表面狀態的圖，圖9作為通過本發明的表面處理方法來處理的石英夾具表面的光學顯微鏡照片，是表示比較例1的表面狀態的圖。
像這樣，通過本實驗，本發明的石英夾具的表面處理方法呈現出比表面積增加50%以上，並確認了在石英夾具的表面形成具有最佳粗糙度和尺寸的多個突起(壓紋形態)。
如上所述，本發明不僅具有在石英夾具的表面形成均勻且微細的最佳壓紋的優點，而且具有在化學氣相沉積工序中抑制薄膜的剝離來降低粒子，從而防止由圖案缺陷引起的不良，並通過比表面積的增加和最佳的的表面粗糙度來賦予薄膜錨固功能的優點。
本說明書所述的實施例和附圖僅以例示性的方式說明本發明所包含的技術思想的一部分。因此，本說明書所公開的實施例並不用於限定本發明的技術思想，而是用於說明本發明的技術思想，因此，本發明的技術思想的範圍並不局限於這種實施例。需要解釋的是，在本發明的說明及附圖所包含的技術思想的範圍內，由所屬領域技術人員人員可以容易
地類推的變形例和具體實施例均屬於本發明的發明要求保護範圍之內。
S100‧‧‧噴砂步驟
S200‧‧‧表面蝕刻步驟
S300、S500、S700‧‧‧清洗步驟
S400‧‧‧壓紋蝕刻步驟
S600‧‧‧表面粗糙度調整步驟
S800‧‧‧乾燥步驟
Claims (15)
- 一種化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，包括：噴砂步驟，對所準備的石英夾具進行噴砂(sand blasting)處理；表面預處理步驟，為了噴砂處理後的上述石英夾具的表面活化及去除有機物，對石英表面進行預處理；第一次清洗步驟，對預處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻(Embossed etching)步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥，其中，上述壓紋蝕刻步驟包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟，上述壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液(solution))、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)、甲酸(HCOOH)按規定比率混合而成。
- 一種化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，包括：預處理清洗步驟，對所準備的石英夾具進行清洗；預處理步驟，用於上述石英夾具的表面活化及去除有機物；第一次清洗步驟，對預處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的 表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥，其中，上述壓紋蝕刻步驟包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟，上述壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液(solution))、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)、甲酸(HCOOH)按規定比率混合而成。
- 一種化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，包括：噴砂步驟，對所準備的石英夾具進行噴砂處理；第一次清洗步驟，對蝕刻處理後的上述石英夾具進行第一次清洗；壓紋蝕刻步驟，通過壓紋蝕刻用組合物對第一次清洗後的上述石英夾具進行壓紋蝕刻；第二次清洗步驟，對壓紋蝕刻後的上述石英夾具進行第二次清洗；表面粗糙度調整步驟，對第二次清洗後的上述石英夾具的表面粗糙度進行調整；第三次清洗步驟，在進行上述表面粗糙度調整步驟之後，對石英夾具的表面進行清洗；以及乾燥步驟，對結束上述第三次清洗的石英夾具進行乾燥，其中，上述壓紋蝕刻步驟包括準備壓紋蝕刻用組合物，並利用所準備的壓紋蝕刻用組合物來進行壓紋蝕刻處理的步驟，上述壓紋蝕刻用組合物由氫氟酸(HF 50%溶液(solution))、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)、甲酸(HCOOH)按規定比率混合而成。
- 如請求項1或2之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述表面預處理步驟包括以HF(氫氟酸)稀釋液或緩衝氧化蝕刻劑(BOE，buffered-oxide-etchant)稀釋液或酒精單獨進行預處理的步驟，上述表面粗糙度調整步驟包括利用緩衝氧化蝕刻劑或HF(氫氟酸)5%稀釋液來對石英夾具的表面進行處理的步驟。
- 如請求項3之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述表 面粗糙度調整步驟包括利用緩衝氧化蝕刻劑或HF(氫氟酸)5%稀釋液來對石英夾具的表面進行處理的步驟。
- 如請求項1至3中任一項之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，在上述表面粗糙度調整步驟中，將石英夾具的表面的平均粗糙度(Ra)調整在1.0~3μm範圍。
- 如請求項1之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述壓紋蝕刻用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、20~40%的酸性氟化銨(NH4HF2)、50~70%的甲酸(HCOOH)及5~10%的去離子水(18MΩ以上)。
- 如請求項1至3中任一項之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述壓紋蝕刻用組合物還包含檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
- 如請求項8之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述壓紋蝕刻用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~60%的甲酸(HCOOH)、5~15%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)，或者包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~50%的甲酸(HCOOH)、15~20%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
- 如請求項1至3中任一項之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法，其中，上述第一次清洗步驟、壓紋蝕刻步驟及第二次清洗步驟反復進行多次。
- 一種化學氣相沉積用石英夾具表面的壓紋蝕刻處理用組合物，其中，包含氫氟酸(HF 50%溶液)、去離子水(18MΩ以上)、酸性氟化銨(NH4HF2)及甲酸(HCOOH)。
- 如請求項11之化學氣相沉積用石英夾具表面的壓紋蝕刻處理用組合物，其中，上述壓紋蝕刻處理用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、20~40%的酸性氟化銨(NH4HF2)、50~70%的甲酸(HCOOH)及5~10%的去離子水(18MΩ以上)。
- 如請求項11之化學氣相沉積用石英夾具表面的壓紋蝕刻處理用組合物，其中，上述壓紋蝕刻處理用組合物還包含檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
- 如請求項13之化學氣相沉積用石英夾具表面的壓紋蝕刻處理用組合物，其中，上述壓紋蝕刻處理用組合物包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~60%的甲酸(HCOOH)、5~15%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)，或者包含5~10%的氫氟酸(HF 50%溶液)、25~35%的酸性氟化銨(NH4HF2)、40~50%的甲酸、15~20%的去離子水(18MΩ以上)及0.1~5%的檸檬酸(HO2CCH=CHCO2H)。
- 一種化學氣相沉積用石英夾具，其中，通過請求項1至3中任一項之化學氣相沉積用石英夾具的表面處理方法來製備。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583149B (en) * | 1999-09-13 | 2004-04-11 | Heraeus Quarzglas | Quartz article having sand blast-treated surface and method for cleaning the same |
| US20080014754A1 (en) * | 2003-05-30 | 2008-01-17 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3274810B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2002-04-15 | 直江津電子工業株式会社 | サンドブラストを施した半導体ウエーハの洗浄方法およびこの方法で洗浄した半導体ウエーハ |
| TWI250133B (en) | 2002-01-31 | 2006-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Large-sized substrate and method of producing the same |
| US7045072B2 (en) * | 2003-07-24 | 2006-05-16 | Tan Samantha S H | Cleaning process and apparatus for silicate materials |
| JP2007005656A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | メタル材料用エッチング剤組成物及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
| KR20080098772A (ko) * | 2007-05-07 | 2008-11-12 | 조의수 | Ｐｄｐ, ｌｃｄ, ｏｌｅｄ 등의 실리콘 기판용 세정 및식각 조성물 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW583149B (en) * | 1999-09-13 | 2004-04-11 | Heraeus Quarzglas | Quartz article having sand blast-treated surface and method for cleaning the same |
| US20080014754A1 (en) * | 2003-05-30 | 2008-01-17 | Lam Research Corporation | Methods of finishing quartz glass surfaces and components made by the methods |
| CN103553350A (zh) * | 2013-10-17 | 2014-02-05 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种石英材料腐蚀液和腐蚀方法 |
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