TWI583807B - 透明基板之層系統以及用於生產層系統的方法 - Google Patents

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Description

透明基板之層系統以及用於生產層系統的方法
本發明係有關於如相應獨立項之前言所述的一種透明基板之反射紅外輻射的層系統以及一種用於在製備之透明基板上生產反射紅外線的層系統的方法。
特別是在建築物安裝玻璃的情況下，透明基板上之具有較低熱發射率的層系統(所謂Low-E系統)可以環保的方式顯著降低能源投入。為實現成功營銷，此類系統除低發射率外亦具有較高的可見光透射及較高的色彩中性度。此類系統的其他相關性能為：較小的散射光(霧度)，基板上之層系統具有較高的耐熱性、耐化學性及黏著性，以及具有競爭力的製造成本(主要因製造此等層所用之耗材)。當前，主要出於成本考慮而對Au、ITO、W、Ta、Zr及Hf等塗佈材料作為具有競爭力的系統的材料進行析出。
目前，先前技術中的常見Low-E層系統包含至少一較薄的金屬層(通常為矽層)作為紅外反射器，以及兩個或兩個以上介電層，該金屬層佈置在該等介電層之間。亦可採用更多的功能層，其對該Low-E層系統，特別是金屬層，進行保護。
除具有一個金屬層(單Low-E)的Low-E層系統外，亦存在具有兩個(雙Low-E)、三個(三Low-E)或三個以上(多重Low-E)金屬 層的Low-E層系統，通常係採用某種層結構，在該層結構中，在一玻璃基板上依次設有一金屬氧化物、又一金屬層、又一金屬氧化物、一金屬層、一金屬氧化物層，依此類推，其中，通常還採用用作針對金屬層之晶種層及阻斷劑層的中間層(Interface-Schicht)。
文獻US 5,110,662 A揭露一種厚度僅為5nm至13nm之ZnO 層的應用，該ZnO層位於用作晶種層的銀層及一作為阻斷劑層佈置於該銀層上之次氧化物TiOx層的下方，該案在實現較低的熱發射率的同時達到高透射。
為實現層系統的高色彩中性度，EP 0 332 177 B1提出一種層 系統，其中在一玻璃基板上依次佈置有一TiO2層、一ZnO層、一Ag層、一TiOx層、一SnO2層及一SiNxOy層，其中，氮氧化物層SiNxOy用作機械穩定的覆蓋層(Top Layer)。
對使用建築用玻璃或者就回火成形玻璃而言，重要之處在 於：鍍覆於待回火之基板的層系統在熱處理(回火)過程中針對對金屬層產生影響或加以破壞的物質(如環境空氣中的氧以及基板中的鈉)之效應的穩定性。為此，通常採用擴散障壁或抗遷移層來在溫度約為650℃-700℃且約10分鐘的熱處理過程中防止氧或鈉侵入銀層。
通常情況下，習知的可回火之層系統包含若干特定言之由 Si3N4、SixNyOz或ZnSnOx構成的含氮單個層。在採用矽的解決方案中，除氧及氬以外亦需採用氮作為處理氣體。在採用ZnSn的解決方案中，通常需要採用具有不同Zn：Sn比例的梯度層或多層，以免損害層組的附著性、穩定性及色彩中性度。DE 103 56 357 B4及DE 10 2006 037 909 A1揭露過此類層系統的實例及其缺點。
EP 0 822 996 B1描述了藉由濺鍍一陶瓷靶材，特別是透過中 頻濺鍍來鍍覆若干層的方法。US 5,338,442 A揭露過反應性DC濺鍍。
此外，EP 1 40 721 B1揭露過應用陶瓷靶材來塗佈金屬氧化 物層。特別是DE 10 2006 046 126 A1揭露過含氮陶瓷靶材例如在含氧之濺鍍氣氛中的應用。
本發明之目的在於提供如獨立項之前言所述的一種反射紅外輻射的層系統以及一種用於生產此種層系統的方法，該層系統不具SixNyOz單個層且不具ZnSnOx單個層，至少在3μm至約35μm的波長範圍內具有低發射率，且具有較高的透明度及色彩中性度。
本發明用以達成上述目的之解決方案為獨立項之特徵。
本發明的有利實施方式參閱附屬項。
闡述本發明時採用以下定義。
介電層係指片電阻1MΩ的層。
阻斷劑層係指用作針對源於基板、環境空氣或其他層(特別是障壁覆蓋層)之擴散物質的抗遷移層或緩衝層的層，其用於保護金屬層免受氧擴散或鈉擴散的作用。
晶種層係指對晶體銀層的生長進行優化，從而實現在紅外範圍內採用具有較高選擇性反射能力之相對較薄的金屬層的層。
障壁覆蓋層系統係指一定數目之具有較高機械耐受性及耐化學性的光學活性層，其中，該系統亦可僅由一(視情況)相對較厚的單個層構成。本發明的障壁覆蓋層系統亦可包含一色彩校正層，在其上佈置有一或多個介電子層。
下文中的AZO係指較佳以1at%至2at%之鋁摻雜的氧化鋅。
在本發明中，較佳用由ZnOx與AlOx構成之基本上被充分氧化之AZO靶材(摻雜1at%至2at%的Al)對該等AZO層進行濺鍍。
ZnOx：Al X%表示某種材料，其被一摻雜X at%Al的金屬 Zn：Al靶材以添加氧的方式進行反應濺鍍。若未註明摻雜度，則亦可採用另一Al摻雜值，其較佳為1at%至2at%的Al，除非另有說明。
該本發明之包含若干按以下順序佈置之單個層，包括- 一佈置在該透明基板上的第一介電層，在其上佈置有一第二介電層，- 一第一金屬層系統，按以下順序包括：- 一第一金屬層，由Ag構成或包括Ag，- 一第一阻斷劑層，- 一介電障壁覆蓋層系統，其特徵在於，該第一介電層由SiO2構成或包括SiO2且該第二介電層由TiO2或Al2O3構成或者包括上述元素，或者該第一介電層由Al2O3構成或包括Al2O3且該第二介電層由TiO2構成或包括TiO2。
該等層視情況較佳皆包括至少80wt%的SiO2、TiO2或Al2O3。除非另有明確說明，則下文中採用其他化學計量比的層，即SiOx、TiOx或AlxOy亦可用SiO2、TiO2或Al2O3表示。
該由Ag構成或包括Ag的金屬層較佳具有至少99.95at%的銀。
將SiO2應用於第一介電層且將TiO2或Al2O3應用於第二介電層之作用在於：阻止基板中的鈉朝金屬層系統擴散，提高層系統在基板上的黏著性，提高所鍍覆之層系統的色度座標設定，以及防止在回火過程中發生氧擴散。特別是在對經塗佈之基板進行回火完畢後減小層電阻。
透過將Al2O3應用為第一介電層且將TiO2應用為第二介電層亦能實現上述優點。
較佳可在應用上述層材料的情況下透過反應性中頻濺鍍或者透過濺鍍金屬靶材或陶瓷靶材來以較高的濺鍍速率製造該第一介電層或 該第二介電層。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第一金屬層佈置在位於該第二介電層與該第一金屬層之間的第一晶種層上，如此便能減輕/防止該第一金屬層的島生長，從而在金屬層的厚度相同的情況下減小片電阻。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第一晶種層由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成，或者包括上述元素。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第一阻斷劑層佈置在該第一金屬層上，以便在隨後之塗佈工藝或回火過程中發生氧擴散。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第一阻斷劑層由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti或AZO構成，或者包括上述元素。
該第一阻斷劑層亦可由ZnOx：Al構成或包括ZnOx：Al，此點係有利之舉，因為在該範圍內，該層的化學計量比可在較大的範圍內(即在100%金屬至100%氧之間)變化或者被改變。根據本發明，由ZnOx：Al構成或包括ZnOx：Al之阻斷劑層的厚度可為1.0nm至5.0nm。較佳採用厚度為1.3nm至4.8nm的此種阻斷劑層。本發明可藉由改變該ZnOx：Al層的化學計量比及/或厚度來調節在回火過程中所擴散之氧的吸收從而對阻斷效果(即防止該例如為Ag的金屬層發生氧化)加以優化。為此，藉由反應濺鍍以添加氧的方式用不同的化學計量比及/或厚度，沈積具有由ZnOx：Al構成或包括ZnOx：Al之阻斷劑層的不同的層系統，針對相應之層系統對透射、片電阻或發射率等參數進行量測，並根據化學計量比選出具有最佳參數值的層系統。
ZnOx：Al結合AZO後極佳地實現該阻斷劑層的功能。與具有NiCrOx阻斷劑層的層系統相比，具有ZnOx：Al阻斷劑層或ZnOx：Al-AZO雙層的層系統具有更小的吸收作用，即更高的透射。該阻斷劑效果亦強於僅應用AZO的情況。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統佈置在該第一阻斷劑層上，從而簡單地進一步提高色度座標設定並減輕回火過程中的氧擴散及其所造成的層系統老化。
另一本發明的層系統，其特徵在於，設有第二金屬層系統，按以下順序包括：- 一第三介電層，- 一第二晶種層，- 一第二金屬層，由Ag構成或包括Ag，- 一第二阻斷劑層，其中，該第二金屬層系統佈置在該第一金屬層系統的第一阻斷劑層與該介電障壁覆蓋層系統之間，如此便能提高可見與IR光譜範圍間的選擇性並在透射相同的情況下減小面電阻。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第二金屬層佈置在該第二晶種層上且該第二晶種層佈置在該第三介電層上。
另一本發明的層系統，其特徵在於，設有第三金屬層系統，按以下順序包括：- 一第四介電層，- 一第三晶種層，- 一第三金屬層，由Ag構成或包括Ag，- 一第三阻斷劑層，其中，該第三金屬層系統佈置在該第二阻斷劑層與該介電障壁覆蓋層系統之間，如此便能進一步提高可見與IR光譜範圍間的選擇性並在透射相同的情況下進一步減小面電阻。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第三金屬層佈置在該第三晶種層上且該第三晶種層佈置在該第四介電層上。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第三介電層或該第四介電層由TiO2或Al2O3構成或者具有上述元素。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第二晶種層或該第三晶種層由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成，或者具有上述元素。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該第二阻斷劑層或該第三阻斷劑層由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx：Al或AZO構成，或者具有上述元素。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統包括一由TiO2構成或具有TiO2的介電色彩校正子層，如此便能更好地調節色度座標。在雙重及多重Low-層系統上，在介電障壁覆蓋層系統中相對簡單地毋需設置TiO2來進行色彩調節。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該等單個層無氮或者具有小於5at%的氮。較佳不在製造過程中使用氮為處理氣體，遂能降低處理氣體成本及處理氣體供氣成本。此外還能減小層系統之製造設備的幾何長度，因為處理站之數目及需要佈置於各處理站之間的氣體分離裝置之數目有所減少。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統按以下順序包括：- 一第一介電子層，佈置在該介電色彩校正層上，由Al2O3構成或具有Al2O3，- 一第二介電子層，佈置在該第一介電子層上，由SiO2構成或具有SiO2，從而實現更佳的針對環境中之氧擴散的擴散障壁。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統按以下順序包括： - 一第一介電子層，佈置在該介電色彩校正層上，由Al2O3構成或具有Al2O3，- 一第二介電子層，佈置在該第一介電子層上，由AlN或AlOxNy構成或者具有上述元素。
製造該層系統時，若用具有氮的陶瓷靶材來製造含氮層AlN或AlOxNy，則較佳亦可不使用氮為處理氣體，遂能降低處理氣體成本及泵裝置成本。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該透明基板由玻璃材料構成或包含玻璃材料；通常指毛坯玻璃，特別是漂浮玻璃。
另一本發明的層系統，其特徵在於，該玻璃材料係可透過回火而固化。回火係指例如在溫度為650℃或約700℃的條件下進行約10分鐘的熱處理。
本發明之層系統，其特徵尤其在於以下色值：-5a*0；-12b*-2；在自薄膜側或玻璃層出發的反射情況下。
本發明的層系統，其特徵在於，鍍覆至該玻璃基板的該層系統係可被回火，或者該基板在鍍覆有層系統的情況下係可被回火，其中，該鍍覆之層系統的光學性能、熱性能及機械性能處於以下預設之公差範圍內△a*2；△b*2；△Rsq 2Ohm/sq
且具有以下之值
Rsq 5(單銀)；Rsq 4(雙銀)；Rsq 3(三銀)；Ty>80%(單銀層)；Ty>70%(雙銀層)；Ty>60%(三銀層)；散射Tvis<0,5%
厚度d之層在等向比電阻為ρ時的片電阻ρ□定義為ρ□=ρ/d。可藉由四點法或渦流法量測層的片電阻。下文為簡易起見 而以Ohm為單位列出相應片電阻。
根據用光譜儀記錄的反射譜及透射譜來算出色值。
其中，為對色彩印象進行定義而採用L*a*b*色系。例如，國際照明委員會所研發的用於心理物理學色刺激規範的標準L*a*b*色系(Commision Internationale de Leclairage,Publication CIE No.15.2,Colorimetry,2nd.,Central Bureau of the CIE,Vienna 1986)可參閱ASTM標號308-01(Standard Practice for Computing the Colors of Objects by Using the CIE System,November 2001)，該色系建立在人類感知之特性的基礎上。
形式為透射Tvis之散射(英語：霧度)係定義為依照ASTM D1003-95的一檢體的漫透射與總透射之比。
本發明之用於在製備之透明基板上生產反射紅外輻射的層系統的方法，按以下順序包括：- 鍍覆一佈置在該透明基板上的第一介電層，該第一介電層構建為擴散障壁層，- 鍍覆一第二介電層，- 鍍覆一第一金屬層系統，其按以下順序包括：- 一第一金屬層，由Ag構成或包括Ag，- 一第一阻斷劑層，- 鍍覆一介電障壁覆蓋層系統，且其特徵在於，該第一介電層由SiO2構成且該第二介電層由TiO2或Al2O3構成，或者該第一介電層由Al2O3構成且該第二介電層由TiO2構成。該第一阻斷劑層及該介電障壁覆蓋層系統與前述層系統的相應層相同。
該用於在製備之透明基板上生產反射紅外線的層系統的方法，另一特徵在於，本發明之層系統的該等鍍覆之單個層中的至少一個藉由濺鍍一陶瓷靶材、藉由反應性濺鍍一金屬靶材、藉由中頻濺鍍或者藉由 DC濺鍍而被鍍覆。
更多優點參閱下文結合附圖進行的相關描述。附圖示出本發明的實施例。附圖、發明內容及申請專利範圍包含無數特徵組合。相關領域通常知識者將視具體用途對該等特徵進行個別審視並歸納為合理的組合。
100‧‧‧透明基板
B1‧‧‧第一阻斷劑層
B2‧‧‧第二阻斷劑層
B3‧‧‧第三阻斷劑層
BD1‧‧‧介電子層
BD2‧‧‧介電子層
BDS‧‧‧介電障壁覆蓋層系統
D1‧‧‧第一介電層
D2‧‧‧第二介電層
D3‧‧‧第三介電層
D4‧‧‧第四介電層
DT‧‧‧介電中間層
FK‧‧‧色彩校正層
M1‧‧‧第一金屬層
M2‧‧‧第二金屬層
M3‧‧‧第三金屬層
MS1‧‧‧第一金屬層系統
MS2‧‧‧第二金屬層系統
MS3‧‧‧第三金屬層系統
RF‧‧‧層側反射係數
RG‧‧‧玻璃側反射係數
S1‧‧‧第一晶種層
S2‧‧‧第二晶種層
S3‧‧‧第三晶種層
圖1為透明基板之本發明之單Low-E層系統的示意圖；圖2為透明基板之本發明之雙Low-E層系統的示意圖；圖3為透明基板之本發明之三Low-E層系統的示意圖；圖4、4a為回火前及回火後的層側反射譜；圖5、5a為回火前及回火後的玻璃側反射譜；及圖6、6a為回火前及回火後的透射譜。
圖1示出一經塗佈之基板，包括例如由玻璃構成的基板100，以及包含層D1、D2、S1、金屬層系統MS1及障壁覆蓋層系統BDS的層系統，其中，金屬層系統MS1具有金屬層M1及阻斷劑層B1，該障壁覆蓋層系統具有單個層FK、BD1及BD2。
D1表示一由SiO2構成且厚度為1nm至30nm的介電層。D2表示一由TiO2或Al2O3構成且厚度為5nm至40nm的介電層。在另一實施方式中，介電層D1可由Al2O3構成且厚度為5nm至50nm，且介電層D2由TiO2構成且厚度為5nm至50nm。
金屬層M1佈置在厚度為3nm至30nm的可選晶種層S1上，該晶種層位於第二介電層D2與第一金屬層M1之間。金屬層M1由金屬的Ag構成或包括金屬的Ag。
厚度為1nm至20nm的該第一晶種層S1由AZO、NiCrOx或Ti構成，或者包括上述元素。
厚度為1nm至20nm的介電阻斷劑層B1佈置在第一金屬層M1上，其中該阻斷劑層B1由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx：Al或AZO構成，或者包括上述元素。
厚度為5nm至100nm的介電障壁覆蓋層系統BDS佈置在阻斷劑層B1上，該障壁覆蓋層系統包括厚度為5nm至100nm且由Al2O3構成或具有Al2O3的介電子層BD1，及厚度為5nm至100nm、佈置在該第一介電子層BD1上且由SiO2構成或具有SiO2的介電子層BD2。介電色彩校正層FK由TiO2構成或具有TiO2且其厚度為5nm至100nm。介電子層BD1佈置在色彩校正層FK上。
根據另一實施方式，厚度為5nm至100nm的介電子層BD1由AlN或AlOxNy構成或者具有上述元素。
在未繪示的另一實施方式中，未設置晶種層S1及/或色彩校正層FK。
障壁覆蓋層系統BDS亦可僅由一個介電子層構成，其由SiO2構成且厚度為5nm至100nm或者由Al2O3構成且厚度為5nm至100nm。
在圖2所示層系統中，除圖1中的該等層外還設有第二金屬層系統MS2，其包含第三介電層D3、第二晶種層S2、第二金屬層M2、第二阻斷劑層B2。其中，第二金屬層系統MS2佈置在第一金屬層系統MS1的第一阻斷劑層B1與該介電障壁覆蓋層系統BDS之間。厚度為5nm至100nm的介電層D3由TiO2、AlN或Al2O3構成或者包括上述元素。
第二金屬層M2由金屬的Ag構成或包括金屬的Ag且佈置在第二晶種層S2上，該第二晶種層S2佈置在第三介電層D3上。厚度為1nm至20nm的該晶種層由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成或者包括上述元素。
在圖3所示層系統中，除圖2中的該等層外還設有第三金屬層系統MS3，其包含第四介電層D4、第三晶種層S3、第三金屬層M3、第三阻斷劑層B3。其中，第三金屬層系統MS3佈置在第二阻斷劑層B2與介電障壁覆蓋層系統BDS之間。第三金屬層M3佈置在第三晶種層S3上，該第三晶種層S3佈置在第四介電層D4上，其中，厚度為5nm至100nm的第四介電層D4由TiO2、AlN或Al2O3構成或者包括上述元素。厚度為1nm至20nm的第三晶種層S3由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成或者包括上述元素。
在圖2及圖3之層系統中，層厚為1nm至20nm的第二阻斷劑層B2及第三阻斷劑層B3由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx：Al或AZO構成，或者具有上述元素。
下面以表格的形式展示較佳之無氮層系統以及包含一氮擴散障壁之較佳層系統的代表性結果。
下面亦以表格的形式展示其他較佳之無氮層系統在溫度為650℃且10分鐘的回火前及該回火後的整個代表性結果，展示的是單Low-E層系統、雙Low-E層系統及三Low-E層系統。RF及RG表示層系統之層側及玻璃側的反射係數。
在單Low-E層系統#3704中，厚度為1.3nm之介電阻斷劑層ZnOx：Al 2%佈置在14.2nm之銀層上。由厚度為46.0nm之AZO與厚度為24.0nm之Al2O3構成的雙層設置為介電障壁層。
Low-E層#3661上設有13.5nm之銀層、4.0nm之ZnOx：Al 層、37.2nm之AZO層及23.6nm之Al2O3層。
在雙Low-E層#3694中，在10.9nm之銀層上依次設有1.3nm之ZnOx：Al阻斷劑層、由AZO構成之95.0nm之晶種層、2.6nm之銀層，在該銀層上設有厚度為1.5nm之ZnOx：Al阻斷劑層及由一Al2O3層構成之厚度為45.0nm的介電障壁層系統。
在三Low-E層#3689中，在厚度為13.0nm之銀層上依次設有1.3nm之ZnOx：Al層、84.9nm之AZO層、14.5nm之銀層、由ZnOx：Al構成之厚度為1.3nm的阻斷劑層、厚度為86.0nm之AZO晶種層、15.5nm之銀層，在該銀層上設有厚度為1.5nm之ZnOx：Al阻斷劑層及由一Al2O3層構成之49.0nm的介電障壁層系統。
採用不同於表2所列參數值(如單個層的厚度或組成)的層系統，亦被本發明包含在內。此外，該介電障壁層系統亦可包括一Al2O3-SiO2層系統或由一Al2O3-SiO2層系統構成，而非Al2O3層。
較佳採用包含2at%Al的ZnOx：Al阻斷劑層，其中亦可採用其他摻雜方式。
表2之資料表明，該等層系統在回火完畢後皆具極小的色移。特別是在玻璃側RG上，色度座標較為穩定。層系統#3704的片電阻相對#3661、#3694及#3689有所減小，此點係期望之效應，因為如此便降低相應系統的發射率。
在所有層系統#3704、#3661、#3694及#3689上，在溫度為650℃且10分鐘的回火後，透射TY皆有所升高，此種升高源於在回火過程中ZnOx：Al層之引發的後氧化作用。該等ZnOx：Al層作為針對擴散氧之阻斷劑層鍍覆於銀上並阻止對氧特別敏感的銀層在回火過程中發生氧化作用及被破壞。
以下為在溫度為650℃且10分鐘的回火前及回火後，該等 層#3704、#3694、#3689之層側及玻璃側之波長相關反射以及透射的反射譜的圖表。
圖4為上述層系統之層側在回火前的波長相關反射(反射譜)，而圖4a為回火後的相應值。
圖5為上述層系統之玻璃側的波長相關反射(反射譜)，而圖5a為回火後的值。
圖6為回火前的波長相關透射，而圖6a為回火後的值。
圖4、4A、5、5A、6及6A的視圖有益地表明，對上述層進行回火僅在光譜的反射譜中以及在光譜的透射譜中僅造成細微變化。此外，應用多個銀層後，高透射之可視區域與低透射之區域間在紅外波長範圍內的邊沿的陡度顯著增大，故透射的選擇性有所提高。
本發明的層系統符合可回火之Low-E塗層的光學與電性要求，且能自在低層電阻的情況下之儘可能高的透射與色彩中性至藍色的反射獲得某種折衷。
下表列出針對各被測變量之所用量測儀及其量測精度：
100‧‧‧透明基板
B1‧‧‧第一阻斷劑層
BD1‧‧‧介電子層
BD2‧‧‧介電子層
BDS‧‧‧介電障壁覆蓋層系統
D1‧‧‧第一介電層
D2‧‧‧第二介電層
FK‧‧‧色彩校正層
M1‧‧‧第一金屬層
MS1‧‧‧第一金屬層系統
S1‧‧‧第一晶種層

Claims (33)

  1. 一種透明基板(100)之反射紅外輻射的低E層系統，包括按以下順序佈置之：一佈置在該透明基板(100)上的第一介電層(D1)，一佈置在該第一介電層(D1)上的第二介電層(D2)，一第一金屬層系統(MS1)，按以下順序包括：一第一金屬層(M1)，較佳由Ag構成或包括Ag，一第一阻斷劑層(B1)，一介電障壁覆蓋層系統(BDS)，其特徵在於，該第一介電層(D1)由SiO2構成且該第二介電層(D2)由TiO2或Al2O3構成或者包括上述元素氧化物，或者該第一介電層(D1)由Al2O3構成或包括Al2O3且該第二介電層(D2)由TiO2構成或包括TiO2。
  2. 如申請專利範圍第1項之層系統，其特徵在於，該第一金屬層(M1)佈置在位於該第二介電層(D2)與該第一金屬層(M1)之間的第一晶種層(S1)上。
  3. 如申請專利範圍第2項之層系統，其特徵在於，該第一晶種層(S1)由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成，或者包括上述元素。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該第一阻斷劑層(B1)佈置在該第一金屬層(M1)上。
  5. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該第一阻斷劑層(B1)由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx：Al或AZO構成，或者包括上述元素。
  6. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統(BDS)佈置在該第一阻斷劑層(B1)上。
  7. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，其特徵在於，設有一第二金屬層系統(MS2)，按以下順序包括：一第三介電層(D3)，一第二晶種層(S2)，一第二金屬層(M2)，較佳由Ag構成或包括Ag，一第二阻斷劑層(B2)，其中，該第二金屬層系統(MS2)佈置在該第一金屬層系統(MS1)的第一阻斷劑層(B1)與該介電障壁覆蓋層系統(BDS)之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之層系統，其特徵在於，該第二金屬層(M2)佈置在該第二晶種層(S2)上且該第二晶種層(S2)佈置在該第三介電層(D3)上。
  9. 如申請專利範圍第7項之層系統，其特徵在於，設有一第三金屬層系統(MS3)，按以下順序包括：一第四介電層(D4)，一第三晶種層(S3)，一第三金屬層(M3)，較佳由Ag構成或包括Ag，一第三阻斷劑層(B3)，其中，該第三金屬層系統(MS3)佈置在該第二阻斷劑層(B2)與該介電障壁覆蓋層系統(BDS)之間。
  10. 如申請專利範圍第9項之層系統，其特徵在於，該第三金屬層(M3)佈置在該第三晶種層(S3)上且該第三晶種層(S3)佈置在該第四介電層(D4)上。
  11. 如申請專利範圍第7項之層系統，其特徵在於，該第三介電層(D3)或該第四介電層(D4)由TiO2、AlN或Al2O3構成或者具有上述元素。
  12. 如申請專利範圍第7項之層系統，其特徵在於，該第二晶種層(S2) 或該第三晶種層(S3)由AZO、NiCrOx、TiOx或Ti構成，或者具有上述元素。
  13. 如申請專利範圍第7項之層系統，其特徵在於，該第二阻斷劑層(B2)或該第三阻斷劑層(B3)由NiCrOx、NiCr、TiOx、Ti、ZnOx：Al或AZO構成，或者具有上述元素。
  14. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統包括一由TiO2構成或具有TiO2的介電色彩校正子層(FK)。
  15. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該等單個層無氮或者具有小於5at%的氮。
  16. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統(BDS)按以下順序包括：一第一介電子層(BD1)，佈置在該介電色彩校正層上，由Al2O3構成或具有Al2O3，一第二介電子層(BD2)，佈置在該第一介電子層上，由SiO2構成或具有SiO2。
  17. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之層系統，其特徵在於，該介電障壁覆蓋層系統(BDS)按以下順序包括：一第一介電子層(BD1)，佈置在該介電色彩校正層上，由Al2O3構成或具有Al2O3，一第二介電子層(BD2)，佈置在該第一介電子層上，由AlN或AlON構成或者具有上述元素。
  18. 如申請專利範圍第1~3項中任一項之層系統，其特徵在於，該透明基板由玻璃材料，特別是漂浮玻璃構成。
  19. 如申請專利範圍第18項之層系統，其特徵在於，該玻璃材料係可透過 回火而固化。
  20. 如申請專利範圍第19項之層系統，其特徵在於，鍍覆至該玻璃基板的該層系統係可被回火。
  21. 一種用於在製備之透明基板(100)上生產如前述申請專利範圍中任一項之反射紅外線的層系統的方法，其特徵在於，該等鍍覆之單個層中的至少一個藉由濺鍍一陶瓷靶材而被鍍覆。
  22. 一種用於在製備之透明基板(100)上生產如申請專利範圍第1至20項中任一項之反射紅外線的層系統的方法，其特徵在於，該等鍍覆之單個層中的至少一個藉由反應性濺鍍而被鍍覆。
  23. 一種用於在製備之透明基板(100)上生產如申請專利範圍第1至20項中任一項之反射紅外線的層系統的方法，其特徵在於，該等鍍覆之單個層中的至少一個藉由中頻濺鍍而被鍍覆。
  24. 一種用於在製備之透明基板(100)上生產如申請專利範圍第1至20項中任一項之反射紅外輻射的層系統的方法，其特徵在於，該等鍍覆之單個層中的至少一個藉由DC濺鍍而被鍍覆。
  25. 如申請專利範圍第2項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而以無氮的方式實施該方法。
  26. 如申請專利範圍第22項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而以無氮的方式實施該方法。
  27. 如申請專利範圍第23項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而以無氮的方式實施該方法。
  28. 如申請專利範圍第24項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而以無氮的方式實施該方法。
  29. 如申請專利範圍第21項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而採用無氮之處理氣體來實施該方法。
  30. 如申請專利範圍第22項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而採用無氮之處理氣體來實施該方法。
  31. 如申請專利範圍第23項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而採用無氮之處理氣體來實施該方法。
  32. 如申請專利範圍第24項之方法，其特徵在於，為實現無氮之單個層而採用無氮之處理氣體來實施該方法。
  33. 如申請專利範圍第1項之方法，其特徵在於，該等鍍覆之層中的至少一個藉由濺鍍一具有氮的陶瓷靶材而被鍍覆。
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