TWI575108B - 製備芯殼結構奈米線之方法 - Google Patents

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Description

製備芯殼結構奈米線之方法
本發明係有關於一種製備芯殼結構(core-shell structure)奈米線(nanowire)之方法，特別是有關於製備當形成透明導電膜時具優異的電性質與高透光度之芯殼結構奈米線的方法，藉由利用反應物分布於有機相與水相中的相變化現象(phase transition phenomenon)而提供高導電性金屬殼(shell)至金屬奈米線芯(core)之上，此一金屬殼可防止芯金屬氧化。
大體而言，透明導電膜(transparent conductive film)已作為電性與電子裝置之必須元件，例如是顯示裝置中的電源、家電用品中的電磁波屏蔽膜、在不同種類之顯示器中的透明電極，這些不同種類之顯示器例如為液晶顯示器(Liquid Crystal Display,LCD)、有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)顯示器、場效發射顯示器(Field Emission Display,FED)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel,PDP)、可撓式顯示器、電子紙、或類似者。最近，主要是使用如氧化銦錫(Indium-Tin Oxide,ITO)、氧化銻錫(Antimony-Tin Oxide,ATO)、氧化銻鋅 (Antimony-Zinc Oxide,AZO)、或類似者的導電金屬氧化材料作為透明導電膜之材料。
此類透明導電膜的製備，典型上係藉由濺鍍法(sputtering method)、離子噴渡法(ion plating method)、離子束輔助沈積法(ion beam assist deposition method)、真空沉積法(vacuum deposition method)、濕塗層法(wet coating method)、或類似方法的方式，形成作為金屬薄膜的導電材料於透明樹脂膜之上，作為金屬薄膜的導電材料例如是銀、銅、鎳、銦等等。然而，此類傳統方法執行上相當複雜，導致高成本與低產率。
於此同時，為了同時地改善透明導電膜材料所需之導電性與透光度，導電金屬係縮小至奈米尺寸，並製造為奈米線之形式，因而當此導電金屬實現為電極時具有優異的導電性與高透光度。
然而，假如電極材料係利用銅(Cu)奈米線作為導電金屬奈米線而實現，當銅暴露於氧氣時，銅易於被氧化並形成氧化銅。因此，若無法以物理/化學的方式中完全地防止銅暴露於氧氣中，便不可能獲得導電性，因而無法使用銅奈米線作為透明電極。
塗佈有機材料殼以阻隔氧氣之方法作為防止銅氧化之方法係為眾所皆知的，然而，此種有機材料係表現為電阻，因而無法應用於電極。
同時，假如使用銀(Ag)奈米線作為導電金屬奈米 線，銀線之價位相對為高並且不可能自如地調整其厚度。
因此，發展低價且具有優異的導電性和高透光度之電極材料仍為高度需求的。
基於上述內容，發明人藉由利用相變化現象製備芯殼結構奈米線而完成本發明，在相變化現象中，反應物分布於有機相與水相中，芯殼結構奈米線包括作為芯的金屬奈米線以及作為殼的金屬，作為芯的金屬奈米線係相對低價且易於氧化，例如是銅奈米線，作為殼的金屬能夠防止芯金屬氧化且具有高導電性。由於殼係由高導電性之金屬所製造而成，而非使用表現為電阻之有機材料，故可製備出相對低價且具有優異的導電性與透光度之金屬奈米線。
本發明係關於製備芯殼結構金屬奈米線之方法，此方法是利用反應物分布於有機相以及水相當中的相變化現象，所製備的芯殼結構金屬奈米線包括作為芯的金屬奈米線芯，其相對低價且易於氧化，以及作為殼的金屬，其能夠防止芯金屬之氧化且具有高導電性。
基於上述內容，本發明提供一種製備芯殼結構(core-shell structure)奈米線(nanowire)之方法，該方法包括藉由在極性溶劑中分散金屬奈米線製備金屬奈米線分散液、藉由在非極性溶劑中溶解金屬前驅物製備金屬前驅物溶液、以及混合金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液。
在根據本發明之製備芯殼結構奈米線之方法中，較佳地，金屬奈米線分散在其中之極性溶劑可包括選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、二甲基亞碸(DMSO)、二氯甲烷(methylene chloride)、與四氫呋喃(THF)所組成的群組的一或多者。又，較佳地，金屬奈米線係可選自由銅、鋁、鋅、和鎳所組成的群組。
在根據本發明之製備芯殼結構奈米線之方法中，較佳地，金屬前驅物溶解於其中的非極性溶劑可包括選自由二甲苯(xylene)、甲苯(toluene)、苯(benzene)與己烷(hexane)所組成的群組的一或多者。
又，較佳地，金屬前驅物可具有如以下化學式1所示之結構：
在化學式1中，X代表氫(hydrogen)、具有1至6個碳原子之烷基(alkyl group)、或鹵素(halogen)，M選自由銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、銦(In)、和鉑(Pt)所組成的群組，且n係為0至23的整數。
較佳地，金屬奈米線分散液可包括一分散劑(dispersant)，由脂族胺(aliphatic amine)、羧酸(carboxylic acid)、硫醇(tiol)、聚乙烯四氫咯酮(PVP)和聚丙烯酸(PAA)所組成的群組。
金屬前驅物溶液更可包括胺類(amine)。較佳地，此 一胺類可包括具有線型或分支結構的烷基胺(alkylamine)。
又，較佳地，金屬奈米線可以相對於金屬奈米線分散液之總重為1至30重量百分比(wt%)的量分散，且較佳地，金屬前驅物可以相對於金屬前驅物溶液之總重量為1至10重量百分比(wt%)的量分散。
較佳地，金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液可以基於重量的10：1至1：1之比例相互混合。
藉由以下配合附圖對於本發明範例性的實施例所進行的詳細說明，本發明之上述及其他目標、特徵與優點，對於本領域中具有通常知識者而言將變得更為明確。
10‧‧‧極性溶劑
11‧‧‧銅奈米線
12‧‧‧銅銀芯殼結構奈米線
20‧‧‧非極性溶劑
21‧‧‧銀前驅物
22‧‧‧銀離子
S11、S12、S13‧‧‧步驟
第1圖為根據本發明的製備芯殼結構奈米線之製程的流程圖。
第2圖為繪示根據本發明之一範例的銅銀芯殼結構奈米線製備方法之示意圖。
第3圖顯示根據本發明之一範例製備的銅銀芯殼結構奈米線之掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
第4圖顯示用於與根據本發明的銅銀芯殼結構奈米線相互比較之銅奈米線之掃描式電子顯微鏡(SEM)照片。
以下將參照附圖，對於本發明範例性的實施例進行 詳細的描述。雖然本發明以其實施例進行揭露與描述，本發明所屬技術領域中具有通常知識者將能夠清楚的了解到，在不脫離本發明之精神和範圍內，可作各種之更動與潤飾。
第1圖為根據本發明的製備芯殼結構奈米線之製程的流程圖。
請參照第1圖，根據本發明的製備芯殼結構奈米線之方法包括：製備金屬奈米線分散液(metal nanowire dispersion solution)，其中金屬奈米線係分散於極性溶劑中(S11)；製備金屬前驅物溶液(metal precursor solution)，其中金屬前驅物係溶解於非極性溶劑中(S12)；以及混合金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液(S13)。
在製備其中金屬奈米線分散於極性溶劑中的金屬奈米線分散液的步驟(S11)，金屬奈米線可包括本發明所屬技術領域通常使用的類型，且易於氧化的金屬可能更有效。更確切地說，金屬奈米線可選自銅、鋁、鋅、鎳等等，且更佳地，金屬奈米線可為銅金屬奈米線。
金屬奈米線之直徑範圍可能為5至200奈米，且長度範圍可能為5至200微米，因而當實現為電極時，可獲得優異的電性質(electrical properties)與高透光度(transmittance)。
金屬奈米線分散於其中的極性溶劑可包括本發明所屬技術領域通常使用之極性溶劑，較佳地，極性溶劑可包括選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、二甲基亞碸(DMSO)、二氯甲烷 (methylene chloride)與四氫呋喃(THF)所組成的群組的一或多者。
在此例中，較佳地，金屬奈米線可以相對於金屬奈米線分散液之總重為1至30重量百分比(wt%)的量分散。可以依分散液之濃度調整殼形成之程度，並且，適當的濃度對於殼的正確形成相當重要。
再者，若金屬奈米線係分散於極性溶劑中，可相對於奈米線分散液之總重量含有0.001至10重量百分比(wt%)的量的分散劑(dispersant)，其中分散劑例如是脂族胺(aliphatic amine)、羧酸(carboxylic acid)、硫醇(tiol)、聚乙烯四氫咯酮(PVP)、或聚丙烯酸(PAA)。奈米線之均勻分散於在奈米線之表面上塗佈均勻之殼中扮演重要的角色。
在製備金屬前驅物溶解在非極性溶劑中的金屬前驅物溶液的步驟(S12)，金屬前驅物可由脂肪酸(fatty acid)所製備。
根據本發明之從脂肪酸合成金屬前驅物之製程可以以下反應式1表示：
在反應式1中，X代表氫(hydrogen)、具有1至6個碳原子之烷基(alkyl group)或鹵素(halogen)，M選自由銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、銦(In)和鉑(Pt)所組成的群組，且n係 為0至23的整數。
請參照反應式1，根據本發明之金屬前驅物之合成的進行，係藉由在有機溶劑與鹼(base)存在下使金屬鹽(metallic salt)與脂肪酸反應。
更確切地說，在本發明中，金屬前驅物之形成包括藉由在有機溶劑中溶解脂肪酸和加入鹼(base)來製備脂肪酸溶液、在脂肪酸溶液中滴入金屬鹽溶液以進行二者間之反應、以及從混合溶液中形成金屬前驅物析出物(precipitate)。
在藉由於有機溶劑中溶解脂肪酸來製備脂肪酸溶液的步驟中，脂肪酸可包括選自：己酸(hexanoic acid)、庚酸(heptanoic acid)、辛酸(octanoic acid)、壬酸(nonanoic acid)、癸酸(decanoic acid)、十一烷酸(undecanoic acid)、十二烷酸(dodecanoie acid)、十四烷酸(tetradecanoic acid)、二十烷酸(eicosanoic acid)、二十二烷酸(docosanoic acid)、2-乙基己酸(2-ethylhexanoic acid)、2-甲基己酸(2-methylhexanoic acid)、2-甲基庚酸(2-methylheptanoic acid)、2-乙基庚酸(2-ethylheptanoic acid)、2-乙基己酸(2-ethylhexanoic acid)、油酸(oleic acid)、亞麻油酸(linoleic acid)、次亞麻油酸(linolenic acid)等等的一或多者。
再者，較佳地，溶劑可包括選自由水(H2O)、甲基氰(CH2CN)、甲醇(CH3OH)、乙醇(CH3CH2OH)、四氫呋喃(THF)、二甲基亞碸(DMSO)、二甲基甲醯胺(DMF)、1-甲氧基-2-丙醇(1-methoxy-2-propanol)、2,2-二甲氧基丙烷(2,2-dimethoxy propane)、4-甲基-2-戊酮(4-methyl-2-pentanone)與二丁基醚(dibutyl ether)所組成的群組的一或多者。
較佳地，鹼(base)可包括選自由氫氧化鉀(KOH)、氫氧化鈉(NaOH)、氨(NH3)、甲胺(NH2CH3)、氫氧化銨(NH4OH)、二甲胺NH(CH3)2、三甲胺(N(CH3)3)、乙胺(NH2Et)、二乙胺(NH(Et)2)、三乙胺(NEt3)與氫氧化鈣(Ca(OH)2)所組成的群組的一或多者。
在脂肪酸溶液中滴入金屬鹽溶液以進行二者間之反應的步驟中，金屬鹽溶液係藉由在溶劑中分散金屬鹽來製備。
接著，在脂肪酸溶液中滴入金屬鹽溶液以進行二者間之反應。在此例中，較佳地，當滴入金屬鹽溶液時可進行劇烈攪拌。
金屬可包括本發明所屬技術領域通常使用之金屬，且較佳地，金屬可具有防止金屬奈米線之氧化的能力並可具有高導電性。更確切地說，金屬可選自由銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、銦(In)與鉑(Pt)所組成的群組。較佳地，從這些金屬中可選取如金(Au)與銀(Ag)的貴金屬，且最佳地是可選取銀(Ag)。金屬鹽可包括氮化物、氧化物、硫化物、和鹵化物，且較佳地，金屬鹽可使用氮化物類。
較佳地，金屬鹽溶液可以每小時500毫升至1000毫升之速率滴入脂肪酸溶液中。較佳地，脂肪酸溶液與金屬鹽溶液可在重量比值在1：1至1：5的範圍中相互混合。較佳地，反應 可在室溫下進行。
在從混合溶液形成金屬鹽前驅物析出物的步驟中，完成金屬鹽的滴入之後，進一步地攪拌混合溶液達1至30分鐘，以形成析出物。
欲分離析出物，可使用本發明所屬技術領域通常使用之分離方法以去除析出物。更確切地說，可使用過濾法(filtration method)以及再結晶法(recrystallization method)。
接著，分離出的析出物係以溶劑洗滌數次並使其乾燥。最後，可得到以化學式1所表示的金屬前驅物：
在化學式1中，X代表氫(hydrogen)、具有1至6個碳原子之烷基(alkyl group)或鹵素(halogen)，M選自由銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、銦(In)和鉑(Pt)所組成的群組，且n係為0至23的整數。
較佳地，溶解金屬前驅物之溶劑可以是非極性溶劑。更確切地說，溶劑可包括選自由二甲苯(xylene)、甲苯(toluene)、苯(benzene)與己烷(hexane)所組成的群組的一或多者。
在此例中，金屬前驅物可以相對於金屬前驅物溶液之總重量為1至10重量百分比(wt%)的量分散。若金屬前驅物之 濃度太低，可能便無法充足地塗佈(coated)殼。又，若金屬前驅物之濃度太高，可能會形成金屬粒子而非形成殼，因而無法形成芯殼結構。
再者，在金屬前驅物溶液中可更包含胺類(amine)，其含量相對於金屬前驅物溶液之總重量為0.1至10重量百分比(wt%)。胺類促進金屬前驅物之解離(dissociation)。因此，藉由調整胺類的含量，可調整反應速率以及殼之厚度。
胺類在非極性溶劑中離子化金屬前驅物，如以下反應式2所表示，其中金屬前驅物例如是銀前驅物：
在反應式2中，X代表氫、碳原子數為1至6的烷基(alkyl group)或鹵素(halogen)，且n係為0至23的整數。
胺類可包括具有線型或分支結構的烷基胺(alkylamine)。烷基胺之大小與結構並無特別限定。烷基胺可包括一級至三級胺、單胺(monoamine)、二胺(diamine)、三胺(triamine)、與多胺(polyamine)。例如，烷基胺可包括：一級胺，例如丁胺(butylamine)、己胺(hexylamine)、辛胺(octylamine)、壬胺(nonylamine)、癸胺(decylamine)、十二胺(dodecylamine)、十六胺(hexadecylamine)、十八胺(octadecylamine)、椰油胺 (cocoamine)、牛脂胺(tallow amine)、氫化牛脂胺(hydrogenated tallow amine)、油胺(oleylamine)、月桂胺(laurylamine)和硬脂胺(stearylamine)；二級胺，例如二椰油胺(dicocoamine)、氫化牛脂二胺(hydrogenated tallow diamine)和二硬脂基胺(distearylamine)；三級胺，例如十二烷基二甲基胺(dodecyldimethylamine)、十二烷基甲基胺(didodecylmonomethylamine)、十四烷基二甲基胺(tetradecyldimethylamine)、十八烷基二甲基胺(octadecyldimethylamine)、二甲基椰油胺(cocodimethylamine)、十二烷基十四烷基二甲基胺(dodecyltetradecyldimethylamine)、三乙胺(triethylamine)和三辛胺(trioctylamine)；與其他二胺(diamines)，例如萘二胺(naphthalenediamine)、硬脂酰丙二胺(stearylpropylenediamine)、辛二胺(octamethyldiamine)與壬二胺(nonandiamine)。在這些胺類當中，較佳地係可使用己胺(hexylamine)、庚胺(heptylamine)、辛胺(octylamine)、癸胺(decylamine)、十二胺(dodecylamine)、2-乙基己胺(2-ethylhexylamine)、1,3-二甲基正丁胺(1,3-dimethyl-n-butylamine)、1-氨基十一烷(1-aminoundecane)、1-氨基十三烷(1-aminotridecane)。
在混合金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液的步驟(S13)中，可藉由滴入銅奈米線分散液或簡單地藉由攪拌，將銅奈米線分散液與金屬前驅物溶液混合。
在混合的步驟(S13)中，金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液可基於重量的10：1至1：1之比例相互混合。金屬前驅物溶液與金屬奈米線分散液之比例係為塗佈均勻的殼中非常重要的因子。為了塗佈合適的殼，較佳地，金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液可在10：1至1：1的比例下相互混合。
根據當金屬奈米線分散液與金屬前驅物溶液彼此相互混合時，反應物係分佈於有機相以及水相之中的相變化現象(phase transition phenomenon)，芯殼結構奈米線係藉由金屬前驅物之分佈與還原來合成。再者，當反應物分佈與還原時，可以控制殼形成反應速率，因而可得到均勻的殼。
在芯殼結構奈米線中，殼之厚度可在5至50奈米的範圍中作調整。又，可依金屬奈米線與金屬前驅物之分散與溶解狀態、溶劑、濃度、和混合比例來控制殼之厚度。
第2圖為繪示根據本發明之一範例的銅銀芯殼結構奈米線製備方法之示意圖。
請參照第2圖，當銅奈米線11分散於極性溶劑10之中的分散液以及銀前驅物21溶解於非極性溶劑20中的銀前驅溶液混合，且加入胺類時，會發生相變化現象，其中反應物以有機相分佈於銀前驅溶液中，且以水相分佈於銅奈米線分散液中，於是形成芯殼結構。由於標準還原電位(standard reduction potential)的差異，當銅接觸到銀離子時，銅會還原銀離子。然而，這樣的氧化還原反應係在高反應速率之下進行，且並非是殼，而 是銀粒子形成於銅之表面上，並且不能形成芯殼結構。然而，如本發明所述，由銀前驅物生成的銀離子22係根據相變化現象在水相中分佈/還原，且在具有非極性表面卻由於密度差異而存在於水相之中的銅奈米線之上，銀離子造成氧化還原反應，如以下的反應式3中所示，因而形成銀奈米粒子(nanoparticle)。銀奈米粒子具有非極性的表面，且選擇性地吸附至銅奈米線之表面上，因而獲得銅銀芯殼結構奈米線12。
[反應式3]2Ag++Cuo → 2Ago+Cu2+
根據本發明之芯殼結構奈米線係由被防止氧化之芯金屬以及具有高導電性之金屬殼所組成，因此可製造出具有優異的電性質與高透光度之奈米線電極。
在下文中，將參照範例更詳細地解釋本發明，但本發明並不限定於此。
範例1 合成銅銀芯殼結構奈米線
在250毫升的燒瓶中，將50毫克之銅奈米線分散於100毫升之作為極性溶劑的水中，其中銅奈米線之平均直徑係為80奈米且平均長度係為80微米。然後，在另一個250毫升的燒瓶中，將20毫克之油酸銀(Ag oleate)溶解於50毫升之作為非極性溶劑的二甲苯(xylene)中，並在其中加入1毫克的三乙胺 (triethylamine)。將50毫升的銅奈米線分散液與10毫升的油酸銀溶液混合之後，輕輕地搖動該混合溶液。隨著時間的行進，銅奈米線的顏色從淡紅色改變為灰色，而可獲得20毫克的銅銀芯殼結構奈米線。
範例2 合成銅銀芯殼結構奈米線
在250毫升的燒瓶中，將50毫克之銅奈米線分散於100毫升之作為極性溶劑的水中，其中銅奈米線之平均直徑係為80奈米且平均長度係為80微米。然後，在另一個250毫升的燒瓶中，將20毫克之油酸銀(Ag oleate)溶解於50毫升之作為非極性溶劑的二甲苯(xylene)中，並在其中加入5毫克的三乙胺(triethylamine)。將50毫升的銅奈米線分散液與10毫升的油酸銀溶液混合之後，輕輕地搖動該混合溶液。隨著時間的行進，銅奈米線的顏色從淡紅色改變為灰色，而可獲得20毫克的銅銀芯殼結構奈米線。
測試範例1
從範例1所獲得的芯殼結構奈米線係以掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)拍攝其影像，以觀察其結構，且為了比較，以掃描式電子顯微鏡拍攝銅奈米線之影像，二者分別顯示於第3圖與第4圖中。可從第3圖與第4圖看 出，吸附於銅奈米線之表面上的銀奈米粒子形成完全覆蓋銅奈米線之殼，且完全地防止銅奈米線暴露於外。
測試範例2
由範例1與範例2所獲得之銅銀芯殼奈米線之殼厚度係以穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope,TEM)量測，並將其結果顯示於下列表1當中。
根據上列結果，三乙胺(triethylamine)之量有所增加的範例2，其奈米線具有較厚的殼。總結地說，當三乙胺(triethylamine)之量有所增加，殼形成反應的進行將更為快速，且由於形成殼之銀奈米粒子的尺寸有所增加，殼之厚度亦會增加。
測試範例3
為了與從範例1所獲得的銅銀芯殼結構奈米線比較，合成一銅奈米線。每個所得的奈米線係在2公分×2公分的玻璃基材上以3000的每分鐘轉速(rpm)旋塗(spin-coated)達30秒，且在200℃加熱10分鐘以乾燥與鍛燒(calcination)。由此獲得透 明電極。每個透明電極之表面電阻與透光度係藉由下述方法所量測，且其結果列於下列表2當中。
表面電阻：以BEGA公司所製造的四點探針(4 point probe)RS8-1G儀器測量。
透光度：利用JASCO公司所製造的紫外光譜儀(UV-spectrometer)V-600、在波長400至800奈米下測量並取平均值。
可從範例與測試範例看出，當以根據本發明之方法所製備的殼芯結構金屬奈米線實現為透明電極，可確定的是，透明電極具有優異的導電性與透光度，意味著根據本發明之方法所製備的芯殼結構金屬奈米線可作為透明電極材料。
在根據本發明之製備芯殼結構金屬奈米線的方法中，可利用反應物分散於有機相與水相中的相變化現象，藉由分散與還原能夠防止氧化並具有高導電性的金屬前驅物在易於氧化的金屬奈米線上，合成芯殼結構奈米線。
再者，在根據本發明之方法中，可依金屬奈米線表 面上之相對非極性金屬粒子的選擇性吸附而製備不同厚度的芯殼結構奈米線，其中金屬奈米線具有非極性表面卻由於密度差異而存在於水相中。
根據本發明之方法所製備的芯殼結構奈米線係由金屬奈米線芯與金屬粒子殼所組成，其中金屬粒子殼防止芯金屬之氧化、具有高導電性、且不表現為電阻。因此，可以防止金屬氧化並確保高導電性，以製造具有優異的電性質與高透光度之奈米線電極。
很明顯地，對於本發明所屬技術領域中具有通常知識者而言，顯然可在不脫離本發明之精神和範圍內，對前述的本發明範例性實施例作各種之更動與潤飾。因此，當此類更動與潤飾落在本發明申請專利範圍及其等價範圍內時，本發明涵蓋所有此類更動與潤飾。
S11、S12、S13‧‧‧步驟

Claims (11)

  1. 一種製備芯殼結構(core-shell structure)奈米線(nanowire)之方法，該方法包括：藉由在一極性溶劑中分散一金屬奈米線，製備一金屬奈米線分散液；藉由在一非極性溶劑中溶解一金屬前驅物，製備一金屬前驅物溶液；以及混合該金屬奈米線分散液與該金屬前驅物溶液。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該極性溶劑包括選自由水、甲醇、乙醇、異丙醇、二甲基亞碸(DMSO)、二氯甲烷(methylene chloride)與四氫呋喃(THF)所組成的群組的一或多者。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬奈米線包括選自由銅、鋁、鋅和鎳所組成的群組的一或多者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該非極性溶劑包括選自由二甲苯(xylene)、甲苯(toluene)、苯(benzene)與己烷(hexane)所組成的群組的一或多者。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬前驅物具有如以下化學式1所示之結構： 其中X代表氫(hydrogen)、具有1至6個碳原子之烷基(alkyl group)或鹵素(halogen)，M選自由銀(Ag)、金(Au)、鎳(Ni)、鋅(Zn)、銦(In)和鉑(Pt)所組成的群組，且n係為0至23的整數。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬奈米線分散液包括一分散劑，該分散劑選自由脂族胺(aliphatic amine)、羧酸(carboxylic acid)、硫醇(tiol)、聚乙烯四氫咯酮(PVP)和聚丙烯酸(PAA)所組成的群組。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬前驅物溶液更包括胺類(amine)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該胺類包括具有線型或分支結構的烷基胺(alkylamine)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬奈米線係以相對於該金屬奈米線分散液之總重為1至30重量百分比(wt%)的量分散。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬前驅物係以相對於該金屬前驅物溶液之總重量為1至10重量百分比(wt%)的量分散。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之製備芯殼結構奈米線之方法，其中該金屬奈米線分散液與該金屬前驅物溶液係以基於重量的10：1至1：1之比例相互混合。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101700207B1 (ko) * 2015-01-26 2017-01-26 덕산하이메탈(주) 메탈 나노와이어의 합성방법 및 이를 통해 제조된 메탈 나노와이어 및 이를 포함하는 투광성 전극 및 유기발광소자
KR101700212B1 (ko) * 2015-01-26 2017-01-26 덕산하이메탈(주) 메탈 나노와이어의 합성방법 및 이를 통해 제조된 메탈 나노와이어 및 이를 포함하는 투광성 전극 및 유기발광소자
CN106825604B (zh) * 2017-01-16 2019-05-31 北京化工大学常州先进材料研究院 一种铜纳米线负载银纳米颗粒的零维一维复合材料的制备方法
KR101987387B1 (ko) * 2017-09-27 2019-06-10 한국화학연구원 광소결 전도성 전극 및 이의 제조방법
KR102296951B1 (ko) * 2019-10-31 2021-09-02 마이크로컴퍼지트 주식회사 저융점 고전도성 구리 나노와이어, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 투명전극
EP4376024A1 (en) 2021-07-20 2024-05-29 Bioneer Corporation Metal nanowire having core-shell structure
KR20230014079A (ko) 2021-07-20 2023-01-27 (주)바이오니아 코어-쉘 구조의 금속 나노와이어

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030039860A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-27 Cheon Jin Woo Method for synthesis of core-shell type and solid solution alloy type metallic nanoparticles via transmetalation reactions and applications of same
US20090081461A1 (en) * 2006-01-06 2009-03-26 National University Of Singapore Method of Preparing Nano-Structured Material(s) and Uses Thereof
US20110315927A1 (en) * 2008-10-03 2011-12-29 Life Technologies Corporation Methods for preparation of nanocrystals using a weak electron transfer agent and mismatched shell precursors

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090321364A1 (en) * 2007-04-20 2009-12-31 Cambrios Technologies Corporation Systems and methods for filtering nanowires
US7923310B2 (en) * 2007-07-17 2011-04-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Core-shell-shell nanowire transistor and fabrication method
KR20090126825A (ko) * 2008-06-05 2009-12-09 고려대학교 산학협력단 코어쉘 나노선 및 그 제조 방법
KR101223659B1 (ko) * 2010-04-28 2013-01-17 광주과학기술원 신규한 펩타이드를 이용하여 금 코어-절연체 쉘 나노구조를 제조하는 방법
KR101324028B1 (ko) * 2010-05-20 2013-11-01 웅진케미칼 주식회사 전기전도도가 개선된 다층형 금속 나노와이어 및 그 제조방법
KR101262330B1 (ko) * 2012-10-10 2013-05-08 연세대학교 산학협력단 태양전지 또는 나노소자의 효율을 향상시키는 나노구조의 코어／쉘 나노선의 제조방법 및 이를 포함하는 태양전지 또는 나노소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030039860A1 (en) * 2001-08-16 2003-02-27 Cheon Jin Woo Method for synthesis of core-shell type and solid solution alloy type metallic nanoparticles via transmetalation reactions and applications of same
US20090081461A1 (en) * 2006-01-06 2009-03-26 National University Of Singapore Method of Preparing Nano-Structured Material(s) and Uses Thereof
US20110315927A1 (en) * 2008-10-03 2011-12-29 Life Technologies Corporation Methods for preparation of nanocrystals using a weak electron transfer agent and mismatched shell precursors

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