TWI568779B - 光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻 - Google Patents

光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻 Download PDF

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Description

光酸產生劑及含該光酸產生劑之光阻
本發明係關於光酸產生劑化合物(PAG)之合成方法、新光酸產生劑化合物及包含此等PAG化合物之光阻組成物。具體地，本發明係關於光酸產生劑，其係包含1)SO3 -部份；2)一個或多個氟化之碳；以及3)該氟化之碳的一個或多個係經酯酮基(ester keto group)直接或間接地取代。
光阻為用於將影像轉印至基板之光敏膜。他們形成負影像或正影像。將光阻塗佈於基板上後，該塗層係通過圖形化光罩曝光於活化能量源(如紫外光)，以在該光阻塗層中形成潛像。該光罩具有該活化輻射不可穿透之區域以及該活化輻射可穿透之區域，該等區域定義欲轉印至下方基板之影像。
已知之光阻可提供具有足以用於多數現存商業應用之解析度及尺寸的特徵。然而對於許多其他應用來說，對於能提供低於微米(submicrom)之維度之高解析度影像的新光阻存在需要。
業經作出多種嘗試來改變光阻組成物之組成，以改善官能性質的效能。尤其，業經報導多種光活性(photoactive)化合物用於光阻組成物中。參見美國專利第6,664,022號及第6,849,384號。
於一態樣中，吾人等現在提供包含磺酸(SO3 -)成份之新穎光酸產生劑化合物(PAG)，其係有用於正作用光阻組成物或負作用光阻組成物。
本發明之較佳之PAG係包含1)SO3 -部份；2)一個或多個氟化之碳(如，一個或多個-CF2-、-CHF-)；以及3)該氟化之碳的一個或多個係經酯酮基(如-C(=O)OR，其中，R係氫或較佳係非氫取代基)直接或間接地取代。氟化之碳係經酯酮基(如-C(=O)OR)間接地取代，其中，非氟化之碳及/或雜原子係插置於該氟化之碳與該酯酮基之間，而氟化之碳係經酯酮基(如-C(=O)OR)直接地取代，則其中，沒有插置於該氟化之碳與該酯酮基之間的非氟化之碳及/或雜原子。於許多態樣中，較佳係氟化之碳係經酯酮基間接地取代。亦較佳係包含一個或多個氟化之碳(包括二氟化碳類)(如-CHF2-、-CF2-)之PAG，特別是其中-CF2-部分係直接鍵結至SO3 -部份(亦即-CF2-SO3 -)之PAG。
特佳之本發明之光酸產生劑可包含下式(I)之結構：RO(C=O)(CXY)p(CF2)nSO3 -M+ (I)
其中，R係氫或較佳係非氫取代基，如視需要經取代之烷基，包括視需要經取代之C1-30烷基；視需要經取代之C3-30環烷基；視需要經取代之烷氧基，包括視需要經取代之C1-30烷氧基；視需要經取代之碳環(包括C6-30碳環基)；視需要經取代之雜脂環(包括含有1個、2個或3個N、O及/或S環原子之C3-30雜脂環)，等；X與Y係個別獨立為氫或非氫取代基，如鹵基(特別是 氟基)、氰基、硝基、或上文中詳述之用於R的非氫取代基；p係0或正整數，且較佳p係1、2或3；n係正整數，較佳係1、2或3，更佳係1或2；M+係相對離子，且較佳係有機鎓鹽成份，如硫鎓(sulfonium)或碘鎓(iodonium)陽離子成份，特別是經三取代之硫鎓陽離子或經二取代之碘鎓陽離子。
於某些態樣中，尤其較佳之本發明之光酸產生劑化合物可包含下式(II)之結構：RO(C=O)(CH2)p(CF2)nSO3 -M+ (II)
其中，R、p、n及M+之定義係與上述式(I)之說明者相同。
於某些態樣中，上式(I)及/或(II)之較佳R基係包括碳脂環，如視需要經取代之金剛烷基(如金剛烷基、羥基金剛烷基、氰基金剛烷基)；以及雜脂環基，如環狀內酯；等。
於較佳之態樣中，本發明之包含磺酸陰離子成份之PAG亦含有具至少4個飽和非環原子之鏈，該飽和非環原子典型係碳或雜原子N、O或S，更典型係碳或氧，再更典型，該飽和鏈之各鏈結成員為碳，該至少4個飽和非環原子係界於(i)磺酸部份(SO3 -)與(ii)(a)非飽和部份(如苯基或其他碳環芳基)、酮(羰基)、酯等；或(b)脂環基(如環己基等)之間。例示性陰離子成份可包括下式之彼等：RO(C=O)(CH2)n(CF2)mSO3 -，其中，n與m之和至少為4，且R係氫或如上文式(I)及(II)中說明之非氫取代基。
較佳地，本發明之PAG係有用於正作用或負作用化學增幅型光阻中，亦即，進行光酸促進之交聯反應以使得該阻劑塗層之經曝光區域於顯影劑中的溶解度小於未經曝光之區域之負作用阻劑組成物；以及進行光酸促進之一種或多種組成物成份之酸不穩定基的去保護反應，以使得該阻劑塗層之經曝光之區域於水性顯影劑中的溶解度大於未經曝光之區域之正作用阻劑組成物。含有共價鏈結至酯之羧基氧之三級非環狀烷基碳或三級脂環碳的酯基通常係本發明之光阻中所採用之樹脂之較佳光酸不穩定基。縮醛基亦係適當之光酸不穩定基。
本發明之光阻的較佳成像波長係包括低於300奈米(sub-300 nm)之波長，如248 nm，以及低於200 nm之波長，如193 nm及EUV。
本發明之特佳光阻係含有成像有效量之一種或多種本文所揭示之PAG以及選自下述群組之樹脂：1)含有酸不穩定基(acid-labile group)之酚系樹脂(phenolic resin)，其可提供特別適用於在248 nm成像之化學增幅型正阻劑。特佳之此類樹脂係包括：i)含有乙烯基酚及丙烯酸烷基酯之聚合單元的聚合物，其中該經聚合之丙烯酸烷基酯單元能於光酸之存在下進行去封阻反應(deblocking reaction)。能進行光酸誘導之去封阻反應的例示性丙烯酸烷基酯係包括諸如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他能進行光酸誘導反應之丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯，如藉由引用併入本文之美國專利案第6,042,997號及第5,492,793號中所揭示之聚合物；ii)含有下述聚合單元之聚合物：乙烯基酚、不含羥基或羧基環取代基之視需要經取代之乙烯基苯基(如苯乙烯)、以及丙烯酸烷基酯，如上揭聚合物i)所揭示之該等去封阻基，如藉由引用併入本文之美國專利案第6,042,997號所揭示之聚合物；以及iii)含有下述重複單元之聚合物：包含將與光酸反應之縮醛或縮酮部分的重複單元、以及視需要之芳族重複單元如苯基或酚基；2)能提供特別適用於在低於200 nm之波長如193 nm成像之化學增幅型正阻劑的實質上或完全不含苯基或其他芳族基之樹脂。特佳之此類樹脂係包括：i)含有非芳族環狀烯烴(內環雙鍵)(如視需要經取代之降莰烯)之聚合單元的聚合物，如藉由引用併入本文之美國專利案第5,843,624號中所揭示之聚合物；ii)含有丙烯酸烷基酯單元如丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、以及其他丙烯酸非環狀烷基酯及丙烯酸脂環族酯的聚合物；此等聚合物已經於美國專利案第6,057,083號中揭示之。
本發明之阻劑亦可包含截然不同(distinct)之PAG的混合物，典型係2種或3種不同PAG之混合物，更典型由總計2種截然不同之PAG所組成的混合物。
本發明亦提供形成本發明之光阻之浮雕影像的方法，包括形成低於0.25微米維度或更低，如低於0.2微米維度或低於0.1微米維度之高解析度圖案化光阻影像(如具有本質上豎直之側壁的圖案化線)的方法。
本發明進一步提供包含其上塗佈有本發明之光阻及浮雕影像之基板(如微電子晶圓或平板顯示器基板)之製造件。本發明之其他態樣係揭露如下。
如上所述，本發明之特佳之光酸產生劑化合物係包含下式(I)或(II)之一者或兩者的結構：
RO(C=O)(CXY)p(CF2)nSO3 -M+　(I)
RO(C=O)(CH2)p(CF2)nSO3 -M+　(II)
其中，R、X、Y、p、n及M+之定義係與上文式(I)及(II)中說明者相同。
於某些較佳之態樣中，該取代基R可包含金剛烷或式(III)表示之經取代之金剛烷結構：
其中，於式(III)中，X係H或OH。
於另外較佳之態樣中，R可含有包含內酯官能基之雙環或多環(如2個、3個、4個、5個或6個共價鏈結或稠合之環)結構，如可藉由下式(IV)及(V)表示者：
其中，於式(IV)及式(V)各者中，X係亞甲基(-CH2-)或氧原子(-O-)。
於又另外之較佳態樣中，R可含有包含碸官能基(特別是作為環成員)之雙環或多環(如2個、3個、4個、5個或6個共價鏈結或稠合之環)結構，如可藉由下式(VI)表示者：
其中，於式(VI)中，X係亞甲基(-CH2-)或氧原子(-O-)。
於再另外之較佳態樣中，R亦可為具有類固醇結構之烴。如本文中指代者，類固醇結構係表示具有藉由通式(VII)表示之稠合在一起之三個六員環與一個五員環之結構的化合物：
本發明之PAG之通常較佳之鎓鹽成份係包括硫鎓及碘鎓鹽光酸產生劑，如於歐洲申請案公開第0 708 368 A1中揭露之彼等化合物。此等鹽係包括藉由下式(VIII)及(IX)表示之彼等：
其中，於式(VIII)及式(IX)中，R1至R5係個別獨立表示烷基或經取代或未經取代之芳基。該芳基之較佳實例係包括C6-14單環或縮合環芳基。該芳基上之取代基之較佳實例係包括烷基、鹵烷基、環烷基、芳基、烷氧基、硝基、羧基、烷氧基羰基、羥基、巰基及鹵素原子。
本發明之特佳之陰離子(磺酸鹽)化合物係包括彼等包含下述結構之一的化合物：
本發明之特佳之陰離子(磺酸鹽)化合物係包括下述化合物：
如本文上揭設定者，本發明之PAG之各種取代基可視需要經取代。經取代之部份係適當地於一個或多個可用位置經諸如下列基取代：鹵素如F、Cl、Br及/或I；硝基；氰基；磺醯基(sulfono)；烷基，包括C1-16烷基，且C1-8烷基係較佳者；鹵烷基，如氟烷基(如三氟甲基)及全鹵烷基如全氟C1-4烷基；烷氧基，包括具有一個或多個氧鏈結之C1-16烷氧基，且C1-8烷氧基係較佳者；烯基，包括C2-12烯基，且C2-8烯基係較佳者；炔基，包括C2-12炔基，且C2-8炔基係較佳者；芳基，如苯基或萘基；以及經取代之芳基，如經鹵基、烷氧基、烯基、炔基及/或烷基取代之芳基，較佳係具有上揭相應基之碳原子數目者。較佳之經取代之芳基係包括經取代之苯基、經取代之蒽基及經取代之萘基。
如本文所使用者，本發明之PAG化合物的烷氧基係具有一個或多個氧鏈結，典型1個至約5或6個氧鏈結。如本文所使用者，碳環芳基係指代具有1個至3個分離或稠合之環以及6個至約18個碳環成員的非雜芳族基，且可包括，例如苯基、萘基、聯苯基、苊基(acenaphthyl)、菲基(phenanthracyl)等。苯基及萘基往往為較佳者。適當之雜芳族基或雜芳基將具有1個至3個環，每一環中具有3個至8個環成員，以及1個至約3個雜原子(N、O或S)。具體適當之雜芳族基或雜芳基係包括，例如香豆素基、喹啉基、吡啶基、吡基、嘧啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、噻唑基、唑基、咪唑基、吲哚基、苯并呋喃基及苯并噻唑基。
本發明之光酸產生劑化合物可容易地製備。例示性合成係於後文之實施例中詳述。例如，可將氟化酸(如HOC(=O)(CH2)p(CF2)mBr，其中，p係0至10，且m為1至10)酯化(以提供上述式(I)及式(II)中定義之R基(如，提供化合物HOC(=O)(CH2)p(CF2)mBr)，之後，藉由氧化以形成該磺酸，其可包括使用氧化劑如過氧化氫處理以及使用催化劑NaWO4‧2H2O。
如上所述，本發明之PAG可作為放射敏感性成份用於光阻組成物中，包括正作用及負作用化學增幅型阻劑組成物兩者。
本發明之光阻典型係包含樹脂黏合劑及上揭之本發明之光活性成份。較佳地，該樹脂黏合劑係具有官能基，該等官能基能賦予該阻劑組成物鹼性水性顯影性。舉例而言，較佳係包含極性官能基的樹脂黏合劑，該極性官能基如羥基或羧酸根(carboxylate)。較佳地，該樹脂黏合劑係以足以使得該阻劑可用鹼性水溶液顯影的量用於阻劑組成物中。
較佳地，本發明之光酸產生劑化合物係用於化學增幅型正作用阻劑中。業經揭示大量之此等阻劑組成物，如於美國專利第4,968,581號；第4,883,740號；第4,810,613號及第4,491,628號中以及加拿大專利申請案第2,001,384中揭露者，上述專利全部藉由引用其之有關製作及使用化學增幅型正作用阻劑之教示而併入本文。根據本發明，彼等先前技術之阻劑組成物係藉由以本發明之光活性成份取代作為輻射敏感性成份，而予以修飾。
本發明之PAG也較佳地與含有一個或多個光酸不穩定基且實質上、本質上或完全不含苯基或其他芳族基的聚合物合用。此等光阻組成物特別有用於以低於200nm之輻射，如193nm之輻射成像。
舉例而言，較佳之聚合物係含有低於約5莫耳%之芳族基，更佳低於約1或2莫耳%之芳族基，更佳低於約0.1、0.02、0.04及0.08莫耳%之芳族基，再更佳低於約0.01莫耳%之芳族基。特佳之聚合物係完全不含芳族基。芳族基可高度吸收低於200nm之輻射，並因此對於在此等短波長輻射下成像之光阻中的用途係非所欲者。
實質上或完全不含芳族基且可與本發明之PAG共同配製以提供用於在低於200nm成像之光阻的適當聚合物，係於Shipley公司之歐洲申請案第EP930542A1號中揭露。
實質上或完全不含芳族基之適當聚合物係適當地含有丙烯酸酯單元，如光酸不穩定丙烯酸酯單元，例如其可藉由丙烯酸甲基金剛烷基酯、甲基丙烯酸甲基金剛烷基酯、丙烯酸乙基葑基酯、甲基丙烯酸乙基葑基酯等之聚合反應所提供；稠合之非芳族脂環族基，例如可藉由降莰烯化合物或其他具有內環碳-碳雙鍵之脂環族化合物的聚合反應所提供；酸酐，例如可藉由馬來酸酐之聚合反應所提供；等。
本發明之較佳之負作用組成物係包含在暴露於酸後將固化、交聯或硬化之材料的混合物，以及本發明之光活性成份。
特佳之負作用組成物係包含樹脂黏合劑(如酚系樹脂)，交聯劑成份以及本發明之光活性成份。此等組成物及其用途業已於歐洲專利申請案第0164248號及第0232972號以及美國專利案第5,128,232號(Thackeray等人)中揭露。用作該樹脂黏合劑成份之較佳酚系樹脂係包括酚醛樹脂(novolak)及聚(乙烯基酚)，如彼等上揭者。較佳之交聯劑係包括胺系材料，包括三聚氰胺、乙炔脲(glycoluril)、苯胍胺(benzoguanamine)系材料及脲系材料。三聚氰胺-甲醛樹脂通常為最佳者。此等交聯劑為市售可得者，例如：美國氰胺公司(American Cyanamid)販售之商品名為Cymel 300、Cymel 301及Cymel 303之三聚氰胺樹脂。美國氰胺公司販售之商品名為Cymel 1170、Cymel 1171、Cymel 1172之乙炔脲樹脂；以商品名Beetle 60、Beetle 65及Beetle 80販售之脲系樹脂；以及以商品名Cymel 1123及Cymel 1125販售之苯胍胺樹脂。
本發明之光阻亦可含有其他材料。舉例而言，其他視需要之添加劑包括光化及對比染料、抗條紋劑(anti-striation agent)、塑化劑、加速劑及敏化劑等。除了填料及染料可以相對大濃度(例如，為阻劑乾燥成份之總重量的5至30重量%)存在外，此等視需要之添加劑典型將以較小濃度存在於光阻組成物中。
本發明之阻劑之較佳視需要添加劑係添加鹼(added base)。特別是氫氧化四丁基銨(TBAH)，其可提升經顯影之阻劑浮雕影像的解析度。該添加鹼係適當地以相對小量使用，例如，相對於該PAG，約1至10重量%，更典型1至約5重量%。其他較佳之鹼性添加劑係包括磺酸銨鹽，如對甲苯磺酸哌啶鎓(piperidinium p-toluenesulfonate)及對甲苯磺酸二環己基銨(dicyclohexylammonium p-toluenesulfonate)；烷基胺類如三丙胺及十二烷基胺；芳基胺類如二苯基胺、三苯基胺、胺基酚、2-(4-羥基苯基)丙烷；等。
本發明之阻劑的樹脂黏合劑成份典型係以足以用例如鹼性水溶液將經曝光之該阻劑塗層顯影的量使用。更特定言之，樹脂黏合劑將適宜地佔該阻劑總固體之50至約90重量%。該光活性成份應以足以於該阻劑之塗層中產生潛像(latent image)之量存在。更具體而言，該光活性成份將適宜地以阻劑之總固體的約1至40重量%的量存在。典型地，較少量之該光活性成份將適用於化學增幅型阻劑。
本發明之光阻通常係藉由下列已知方法製備，除了使用本發明之PAG替代此等光阻之配方中的先前光活性化合物。舉例而言，本發明之阻劑可藉由將光阻之成份溶解於適宜溶劑中而製備為塗佈組成物，該溶劑為諸如二醇醚如2-甲氧基乙醚(二甘二甲醚)、乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚；乳酸酯如乳酸乙酯或乳酸甲酯，其中乳酸乙酯為較佳者；丙酸酯，尤其是丙酸甲酯及丙酸乙酯；賽路蘇酯(Cellosolve ester)如乙酸甲基賽路蘇；芳族烴如甲苯或二甲苯；或酮如甲基乙基酮、環己酮及2-庚酮。該光阻之固體含量典型係於該光阻組成物之總重量的5至35重量%間變化。
可根據已知過程使用本發明之光阻。儘管本發明之光阻可作為乾燥膜施加，他們較佳係作為液體塗佈組成物施加於基板上，藉由加熱乾燥以移除溶劑，較佳直至該塗層無黏性，透過光罩曝光於活化輻射，視需要進行曝光後烘烤以創製或提升該阻劑塗層之經曝光區域與未經曝光區域之間的溶解度差異，隨後，顯影(較佳以水性鹼性顯影劑顯影)以形成浮雕影像。其上施加本發明之阻劑並經適當處理的基板可為用於涉及光阻之製程中的任何基板，如微電子晶圓。舉例而言，該基板可係矽、二氧化矽或鋁-氧化鋁微電子晶圓。也可使用砷化鎵、陶瓷、石英或銅基板。亦可適當地採用於液晶顯示器及其他平板顯示器使用之基板，如玻璃基板、塗覆氧化銦錫之基板等。藉由任何標準手段如旋塗、浸塗或輥塗將液體塗佈阻劑組成物施加至基板上。曝光能量應足以有效地活化該輻射敏感性系統之光活性成份，以於該阻劑塗層中產生圖形化影像。適當之曝光能量典型係約1至300毫焦耳(mJ)/平方公分(cm2)。如上所述，較佳之曝光波長係包括低於200nm者，如193nm。適當之曝光後烘烤溫度係約50℃或更高，更具體為約50℃至140℃。對於酸硬化負作用阻劑，若必要，可於約100℃至150℃之溫度進行幾分鐘或更長時間之顯影後烘烤，以進一步固化於顯影後所形成之浮雕影像。於顯影及任何顯影後固化之後，隨後可選擇性加工藉由顯影而裸露之基板表面，舉例而言，根據該技術領域中已知之過程化學地刻蝕或鍍覆未覆蓋光阻之基板區域。適當之刻蝕劑係包括氫氟酸溶液及電漿氣體刻蝕劑如氧電漿刻蝕劑。
下述非限制性實施例係例示性說明本發明。
[實施例1]　PAG之合成 TPS 3OH-AdTFBuS之合成
TPS 3OH-AdTFBuS之四步驟合成係於後文之反應式(1)及下文中揭示之。
1.　4-溴-3,3,4,4-四氟丁酸之合成
將溶解於100毫升(mL)水中之高錳酸鈉(26.5公克(g))溶液滴加入溶於150mL水中之4-溴-3,3,4,4-四氟丁醇(30g,133.35毫莫耳(mmol))與四乙基硫酸氫銨(20毫克(mg))之混合物中。完成該高錳酸鹽溶液之加入後，於65℃攪拌該反應混合物4小時。將該反應混合物冷卻至室溫，過濾沉澱物。以甲基第三丁基醚萃取該濾液(水溶液)兩次。以濃硫酸酸化該水溶液，直至pH為1。將該混合物轉移至分液漏斗中，分離出無色之下層(第一部份純產物)，以100mL之甲基第三丁基醚萃取該水相兩次。以硫酸鎂乾燥合併之甲基第三丁基醚溶液，過濾，減壓下完全移除甲基第三丁基醚，以製備第二部份純產物。整體產率為27g(85%)。
2.　3OH-AdTFBuSNa之合成
於氮氣(N2)吹掃下將15g之4-溴-3,3,4,4-四氟丁酸(63.1mmol)及150mL之無水四氫呋喃(THF)加入250mL之燒瓶中。於30分鐘區間內，分批次地向此混合物中加入1’,1’-羰基二咪唑(CDI,11.2g)。完成該加入之後，將該反應於室溫保持3小時。將該混合物加熱至回流，隨後，於5分鐘區間內加入3-羥甲基金剛烷-1-醇(11.5g)。將該混合物於回流下再保持15小時。將該反應冷卻至25℃，加入分液漏斗中，隨後加入4至5倍體積之水。收集底層，隨後，以300mL之乙酸乙酯洗滌頂層。合併琥珀色油及該乙酸乙酯溶液，隨後，以4×200mL去離子水洗滌。水洗液之pH自～9變為～6.5。以MgSO4乾燥乙酸乙酯，減壓下移除乙酸乙酯以產生油，該油可不經進一步純化而使用。
將上述油與26.6g連二亞硫酸鈉(sodium thiosulfite)、19.3g碳酸氫鈉、150mL乙腈以及150mL去離子水合併。將此混合物於60℃保存過夜(16小時)。將該混合物冷卻至室溫。收集乙腈層，將其置於另一個500mL之燒瓶中，並加入100mL去離子水，之後加入13g之30%過氧化氫及60mg催化劑(NaWO4‧2H2O)。將該溶液於室溫攪拌2至3小時。反應完成之後，緩慢加入13g亞硫酸氫鈉以中和任何殘餘之H2O2。將30g氯化鈉加入該淺黃色單相系統中，獲得兩相系統。收集上層，以MgSO4乾燥，隨後將之於攪拌下緩慢加入1.4公升(L)甲基第三丁基醚中，以獲得產物3OH-AdTFBuSNa。過濾並乾燥該產物，再用於第3步驟中。
3.TPS 3OH-AdTFBuSNa之合成
將由10g之3OH-AdTFBuSNa、溶解於50mL之二氯甲烷中的8g溴化三苯基硫鎓、以及50mL去離子水作成之混合物於室溫攪拌18小時。分層，並以10×500mL之去離子水洗滌底部有機層。以MgSO4乾燥該二氯甲烷，隨後將其體積濃縮約40%。將該二氯甲烷溶液緩慢加入10L之甲基第三丁基醚中，以製備產物TPS 3OH-AdTFBuS，其可經過濾及乾燥。
[實施例2]光阻製備及微影加工
藉由混合下述成份製備本發明之光阻，該等成份之量係以基於該阻劑組成物之總重的重量百分率表示之：
該樹脂黏合劑係三元聚合物(甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯/β-羥基-γ-丁內酯甲基丙烯酸酯/甲基丙烯酸氰基降莰基酯)。該光酸產生劑係如上述實施例1中製備之化合物TPS 3OH-AdTFBuS。彼等樹脂及PAG成份係混合於該乳酸乙酯溶劑中。
將所配製之阻劑組成物旋塗於HMDS蒸汽打底(vapor primed)之4吋矽晶圓上，通過真空熱板於90℃軟烘烤60秒。透過光罩將該阻劑塗層於193 nm曝光，隨後，於110℃對經曝光之塗層進行曝光後烘烤。隨後，以0.26N氫氧化四丁基銨水溶液處理經塗佈之晶圓，以將已成像阻劑層顯影。

Claims (4)

  1. 一種光酸產生劑化合物，係包含選自下列之結構：
  2. 如申請專利範圍第1項所述之光酸產生劑化合物，係包含選自下列之結構：
  3. 一種光阻組成物，係包含樹脂成份及申請專利範圍第1至2項中任一項所述之光酸產生劑化合物。
  4. 一種形成光阻浮雕影像之方法，係包含：a)將申請專利範圍第3項所述之光阻組成物之塗層施加至基板上；以及b)將該光阻塗層曝光於圖案化活化輻射，以及將經曝光之光阻層顯影，以提供浮雕影像。
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