TWI555995B - Hall sensor manufacturing method and Hall sensor and lens module - Google Patents

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Description

霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組
本發明係關於一種霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組。
作為檢測磁場之感測器，已知使用有霍爾元件之磁感測器。例如於專利文獻1中，記載有使用有片狀件(霍爾元件等磁感測器晶片)之無島構造之磁感測器及其製造方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2014/091714號
且說，伴隨近年來之電子機器之薄型化、小型化，要求更薄型且小型之霍爾感測器。為使上述專利文獻1之磁感測器更薄，有效的是降低將片狀件與引線端子連接之導線之高度。為降低導線之高度，有效的是使片狀件與引線端子中之位於高位置之構件更低。於專利文獻1之磁感測器之情形時，使片狀件更薄對於磁感測器整體之薄型化為有效。又，為使專利文獻1之磁感測器更小型，有效的是縮短片狀件與引線端子之距離。然而，使片狀件變薄且縮短片狀件與引線端子之距離會產生以下問題。
圖1係用以說明本發明之霍爾感測器之課題之剖面構成圖。圖1 係表示霍爾感測器之製造步驟之一部分之圖，其表示使用吸具600將霍爾元件510載置於由引線端子525、527所包圍之區域之步驟。引線端子525、527載置於基材530上，於霍爾元件510之背面形成有絕緣層540。霍爾元件510具備磁感應部512與電極部513a、513b。於霍爾元件510較薄、且載置霍爾元件510之位置與引線端子525、527之距離較小之情形時，在使用吸具600而載置霍爾元件510時，有吸具600與引線端子525、527接觸之虞。若吸具600與引線端子525、527接觸，則有將霍爾元件510載置於與通常載置之位置不同之位置之虞。霍爾元件510之位置不均導致磁感應部512之位置不均，最終導致霍爾感測器之磁性特性不均。再者，A表示吸具與引線端子之接觸部位。
本發明係鑒於此種問題而完成者，其目的在於提供一種薄型且小型、磁性特性之不均少之霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組。
根據本發明之一態樣，以如下事項作為特徵。
(1).一種霍爾感測器，其具備：霍爾元件，其具有複數個電極部；複數個外部端子，其等配置於上述霍爾元件之周圍；複數個導線，其等分別電性連接上述複數個電極部之各電極部與上述複數個外部端子之各外部端子；及密封構件，其密封上述霍爾元件、上述複數個導線、上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面；上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件之底面露出，上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時，於包圍上述霍爾元件之區域之周邊上具有階差，以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近上述霍爾元件之側具有第1部位，於遠離上述霍爾元件之側具有第2部位，以上述密封構件之底面為基準面，將至上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2 面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
(2).如(1)，其中上述霍爾元件係以上述密封構件之底面為基準面，將上述霍爾元件之最高點配置於較上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2面高、且較上述第2部位之上述第2面低的位置。
(3).如(1)或(2)，其中將自上述基準面至上述霍爾元件之最高點為止之高度設為T，且將自上述基準面起之上述第2部位之上述第2面之高度設為p2，上述霍爾元件係配置於p2<T<1.5×p2之位置。
(4).如(1)至(3)中任一項，其中上述複數個外部端子進而包含第2至第4外部端子，上述第1至第4外部端子配置成使連結上述第1外部端子與上述第3外部端子之假想直線、與連結上述第2外部端子與上述第4外部端子之假想直線於俯視時交叉，上述霍爾元件於俯視時為矩形狀，且於俯視時配置於使上述霍爾元件之4個頂點配置於上述第1外部端子與上述第2外部端子之間之區域、上述第2外部端子與上述第3外部端子之間之區域、上述第3外部端子與上述第4外部端子之間之區域、及上述第4外部端子與上述第1外部端子之間之區域的位置。
(5).如(1)至(4)中任一項，其具備絕緣層，該絕緣層配置於上述霍爾元件之與配置有上述複數個電極部之面相反側之面，上述絕緣層自上述密封構件之上述底面露出。
(6).如(1)至(5)中任一項，其中上述複數個外部端子之各外部端子於上述第2面上具有上述階差，以上述階差為邊界，上述各外部端子於靠近上述霍爾元件之側具有上述第1部位，於遠離上述霍爾元件之側具有上述第2部位，以上述密封構件之底面為基準面，將至上述各外部端子之上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
(7).如(6)，其中各外部端子於俯視時，於以上述霍爾元件為中心之圓形狀、多邊形狀、或其等組合之形狀之區域之周邊上，形成有上 述階差。
(8).一種霍爾感測器，其具備：霍爾元件，其具有複數個電極部；複數個外部端子，其等配置於上述霍爾元件之周圍；複數個導線，其等分別電性連接上述複數個電極部之各電極部與上述複數個外部端子之各外部端子；及密封構件，其密封上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面；上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件之底面露出，上述各外部端子自連接有上述複數個導線之第2部位朝較上述第2部位更靠近上述霍爾元件之第1部位，而形成有使以上述密封構件之底面為基準面之上述第2部位之第2面側之高度高於以上述密封構件之底面為基準面之上述第1部位之第2面側之高度的階差。
(9).如(8)，其中自上述密封構件之底面至上述霍爾元件之上述電極部與上述複數個導線接觸之接觸點為止之高度低於以上述密封構件之底面為基準面之上述第1部位之第2面側之高度。
(10).如(8)或(9)，其中上述階差於俯視時，具有斜面形狀或向密封構件之底面側凹陷之曲線形狀。
(11).如(8)至(10)中任一項，其中上述各外部端子於俯視時，於以上述霍爾元件為中心之圓形狀、多邊形狀、或其等組合之形狀之區域之周邊上，形成有上述階差。
(12).如(8)至(11)中任一項，其中上述霍爾元件具有基板、設置於上述基板上或基板內之磁感應、及與上述磁感應部連接之上述複數個電極部，具備絕緣層，其配置於上述霍爾元件之與配置有上述複數個電極部之面相反側之面，上述絕緣層自上述密封構件之上述底面露出。
(13).一種鏡頭模組，其具備：如(1)至(12)中任一項之霍爾感測器、安裝有磁鐵之鏡頭座、及根據來自上述霍爾感測器之上述外部端 子之輸出信號而使上述磁鐵移動之驅動線圈。
(14).一種霍爾感測器之製造方法，該霍爾感測器具備複數個外部端子、具有複數個電極部之霍爾元件、及分別電性連接上述複數個外部端子之各外部端子與上述複數個電極部之各電極部之複數個導線，該霍爾感測器之製造方法具備：外部端子配置步驟，將形成有上述複數個外部端子之金屬板配置於基材上；霍爾元件配置步驟，將上述霍爾元件配置於由上述複數個外部端子包圍之區域；導線連接步驟，利用上述複數個導線將上述複數個電極部與上述複數個外部端子電性連接；密封步驟，利用密封構件將上述霍爾元件、上述複數個導線、上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面進行密封；及露出步驟，去除上述基材，使上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件露出；上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時，於以載置上述霍爾元件之位置為中心之橢圓形狀或多邊形狀之區域之周邊上具有階差，以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有第2部位，上述第1外部端子於將上述金屬板配置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
(15).一種霍爾感測器之製造方法，該霍爾感測器具備複數個外部端子、具有複數個電極部之霍爾元件、及分別電性連接上述複數個外部端子之各外部端子與上述複數個電極部之各電極部之複數個導線，該霍爾感測器之製造方法具備：外部端子配置步驟，將形成有上述複數個外部端子之金屬板配置於基材上；霍爾元件配置步驟，將上述霍爾元件配置於由上述複數個外部端子包圍之區域；導線連接步驟，利 用上述複數個導線將上述複數個電極部與上述複數個外部端子電性連接；密封步驟，利用密封構件將上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面進行密封；及露出步驟，去除上述基材，使上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件露出；上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時，於與以載置上述霍爾元件之位置為中心之吸具之前端之形狀對應之位置具有階差，以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有第2部位，上述第1外部端子於將上述金屬板配置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
(16).如(14)或(15)，其中上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將上述霍爾元件配置於使上述霍爾元件之最高點較上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2面高、且較上述第2部位之上述第2面低的位置。
(17).如(14)至(16)中任一項，其中上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，將自上述基準面至上述霍爾元件之最高點為止之高度設為T，將自上述基準面起之上述第2部位之上述第2面之高度設為p2，將上述霍爾元件配置於p2<T<1.5×p2之位置。
(18).如(14)至(17)中任一項，其中上述複數個外部端子進而包含第2至第4外部端子，上述第1至第4外部端子配置成使連結上述第1外部端子與上述第3外部端子之假想直線、與連結上述第2外部端子與上述第4外部端子之假想直線於俯視時交叉，上述霍爾元件於俯視時為矩形狀，上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，將上述霍爾元件配置成於俯視時使上述霍爾元件之4個頂點配置於上述第1外部端子與 上述第2外部端子之間之區域、上述第2外部端子與上述第3外部端子之間之區域、上述第3外部端子與上述第4外部端子之間之區域、及上述第4外部端子與上述第1外部端子之間之區域。
(19).如(14)至(18)中任一項，其包含於上述基材與上述霍爾元件之間形成絕緣層之絕緣層形成步驟，上述露出步驟包含使上述絕緣層自上述密封構件露出之步驟。
(20).如(14)至(19)中任一項，其中上述複數個外部端子之各外部端子於上述第2面上具有上述階差，以上述階差為邊界，上述各外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有上述第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有上述第2部位，上述各外部端子於將上述金屬板配置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述各外部端子之上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
根據本發明之一態樣，可提供一種薄型且小型、磁性特性之不均少之霍爾感測器之製造方法及霍爾感測器與鏡頭模組。
10‧‧‧霍爾元件
11‧‧‧基板
12‧‧‧磁感應部
13a‧‧‧電極部
13b‧‧‧電極部
13c‧‧‧電極部
13d‧‧‧電極部
21a‧‧‧引線端子
21b‧‧‧引線端子
21c‧‧‧引線端子
21d‧‧‧引線端子
30‧‧‧基材
31a‧‧‧導線
31b‧‧‧導線
31c‧‧‧導線
31d‧‧‧導線
40‧‧‧絕緣層
50‧‧‧密封構件
60‧‧‧外裝鍍敷層
60a‧‧‧外裝鍍敷層
60b‧‧‧外裝鍍敷層
60c‧‧‧外裝鍍敷層
60d‧‧‧外裝鍍敷層
80‧‧‧耐熱性膜
90‧‧‧鑄模模具
91‧‧‧下模具
92‧‧‧上模具
93‧‧‧切割保護膠帶
100‧‧‧霍爾感測器
120‧‧‧金屬板
130‧‧‧黏著層
510‧‧‧霍爾元件
512‧‧‧磁感應部
513a‧‧‧電極部
513b‧‧‧電極部
525‧‧‧引線端子
527‧‧‧引線端子
530‧‧‧基材
540‧‧‧絕緣層
600‧‧‧吸具
A‧‧‧接觸部位
a‧‧‧第1連接點
B‧‧‧區域
b‧‧‧第2連接點
D‧‧‧階差
E‧‧‧底面
Ga‧‧‧表面實施半蝕刻後之部分
Gb‧‧‧背面實施半蝕刻後之部分
H‧‧‧孔部
h1‧‧‧高度
h2‧‧‧高度
M‧‧‧基準面
M1‧‧‧第1面
M2‧‧‧第2面
N1‧‧‧第1部位
N2‧‧‧第2部位
p1‧‧‧高度
p2‧‧‧高度
S‧‧‧側面
T‧‧‧最高點
t‧‧‧高度
圖1係用以說明本發明之霍爾感測器之課題之剖面構成圖。
圖2(a)至(c)係用以說明本發明之霍爾感測器之實施形態1之構成圖。
圖3係圖2(a)至(c)所示之霍爾感測器之整體立體圖。
圖4(a)及(b)係具體之霍爾元件之構成圖。
圖5係用以說明本發明之霍爾感測器之剖面構成圖。
圖6(a)及(b)係表示本實施形態1之霍爾感測器之製造中使用之金屬板之圖。
圖7(a)至(e)係表示霍爾感測器之製造方法之步驟之俯視圖。
圖8(a)至(d)係表示霍爾感測器之製造方法之步驟之剖視圖。
於以下詳細之說明中，係對諸多特定之細節進行記載以提供本發明之實施形態之完整之理解。然而可明確得知，即便無相關之特定之細節，亦可以1個以上之實施態樣而實施。此外，為簡化圖式，亦以略圖表示周知之構造及裝置。
以下，參照圖式對本發明之各實施形態進行說明。
<實施形態1>
(構成)
圖2(a)至(c)係用以說明本發明之霍爾感測器之實施形態1之構成圖，圖2(a)表示圖2(b)之A-A線剖視圖，圖2(b)表示圖2(a)之俯視圖，圖2(c)表示圖2(a)之仰視圖，圖3表示圖2(a)至(c)所示之霍爾感測器之整體立體圖。再者，Ga表示表面實施半蝕刻後之部分，Gb表示背面實施半蝕刻後之部分。
本實施形態1之霍爾感測器100具備霍爾元件10、複數個引線端子21a至21d(外部端子)、複數個導線31a至31d、及密封構件50。
霍爾元件10具有基板11、設置於該基板11上(或基板11內)之磁感應部12、及與該磁感應部12連接之複數個電極部13a至13d。再者，於圖2(a)中，對將磁感應部12設置於基板11上之情形以放大圖表示。
又，複數個引線端子21a至21d係沿霍爾元件10之周圍、即密封構件50之底面以包圍霍爾元件10之四角之方式配置。
又，複數個導線31a至31d電性連接複數個電極部13a至13d之各電極部13a至13d之各者與複數個引線端子21a至21d之各引線端子21a至21d之各者。
又，密封構件50覆蓋霍爾元件10、複數個引線端子21a至21d、及複數個導線31a至31d。作為密封構件50，較佳為鑄模樹脂等樹脂構 件。
又，各引線端子21a至21d具有與上述各導線31a至31d連接之第2面M2、及與該第2面M2相反側之第1面M1，該第1面M1自密封構件50之底面E露出。
又，對於複數個引線端子21a至21d中之至少1個引線端子21a至21d之任一者，於第2面M2具有階差D。即，引線端子帶有階差。較佳為對於引線端子21a至21d之所有引線端子，於第2面M2具有階差D。
又，以階差D為邊界，複數個引線端子21a至21d於具有階差D之各引線端子21a至21d之靠近霍爾元件10之側具有第1部位N1，於遠離霍爾元件10之側具有第2部位N2，且自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1構成為低於自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2。
即，自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、與自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2的關係具有p1<p2之關係。又，各導線31a至31d於具有階差D之各引線端子21a至21d之第2部位N2之第2面M2連接。
本實施形態中，外部端子21a至21d自連接有複數個導線之第2部位N2朝較第2部位N2更靠近霍爾元件之第1部位N1，而形成有使以密封構件之底面E為基準面之第2部位N2之第2面側之高度p2高於以密封構件之底面E為基準面之第1部位N1之第2面側之高度p1的階差。階差較佳為，於剖視時為具有斜面形狀或向密封構件之底面側凹陷之曲線形狀之形態。階差D具有平坦之上表面與下表面，上表面與下表面之間可為斜面形狀、曲線形狀、或其等組合，亦可自上表面以斜面形狀、曲線形狀、或其等組合而到達至外部端子之端部。
且說，一般而言，在將霍爾元件10載置於特定之位置時使用吸具。吸具之前端多為橢圓形狀或多邊形狀，為防止吸具與複數個引線 端子21a至21d之接觸，於俯視時，於以霍爾元件10為中心之橢圓形狀或多邊形狀之區域之周邊上設置有階差D。即，於俯視時，於與以霍爾元件10為中心且用於配置霍爾元件時之吸具之前端之形狀對應之位置設置有階差D。又，吸具之前端尤其多為圓形狀，故而為防止吸具之接觸，較佳為於以霍爾元件10為中心之圓周上設置階差D。再者，階差D形成於包圍霍爾元件10之區域之周邊上。亦可以霍爾元件10為中心而設置於俯視時為圓形狀、多邊形狀或其等組合之形狀之區域之周邊上。具體而言，可列舉正圓區域之周邊上、橢圓區域之周邊上、多邊形區域之周邊上、及將曲線與直線組合而成之形狀之區域之周邊上等。
又，複數個引線端子21a至21d中之至少1個引線端子具有階差D，且具有p1<p2之關係，藉此可抑制導線與引線端子之邊緣接觸而斷線。又，自霍爾感測器整體之強度之方面而言，較佳為將引線端子上之第1部位N1之面積設為儘可能小之面積。
於引線端子21a之第2面M2具有複數個階差之情形時，將最靠近霍爾元件10之階差設為階差D，以階差D為邊界，將靠近霍爾元件10之側設為第1部位N1，將遠離霍爾元件10之側設為第2部位N2。關於引線端子21b至21d亦相同。形成於引線端子21a至21d之第2面M2之階差D由密封構件50密封。
又，自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1構成為低於自密封構件50之底面E至霍爾元件10之最高點為止之高度h1。於本例之情形時，霍爾元件10之最高點為各電極部13a至13d，故而高度p1構成為低於自密封構件50之底面E至霍爾元件10之各電極部13a至13d為止之高度h1。
自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2、及自 密封構件50之底面E至霍爾元件10之最高點為止之高度h1具有p1<h1<p2之關係。即，自密封構件50之底面E至霍爾元件之電極部與複數個導線接觸之接觸點為止之高度h1高於以密封構件50之底面E為基準面之第1部位N1之第2面側之高度p1。
霍爾元件10較薄，於自密封構件50之底面E至霍爾元件10之最高點為止之高度構成為低於自底面E至引線端子21a至21d之最高點為止之高度之情形時，吸具之前端特別容易與引線端子21a至21d接觸，故而於此種構成之情形時階差D特別有效。
又，自密封構件50之底面E至各電極部13a至13d與各導線31a至31d之第1連接點a為止之高度h1構成為低於自密封構件50之底面E至各引線端子21a至21d與各導線31a至31d之第2連接點b為止之高度h2。
即，自密封構件50之底面E至第1連接點a為止之高度h1、與自密封構件50之底面E至第2連接點b為止之高度h2具有h1<h2之關係。
本實施形態1之霍爾感測器具有h1<h2之關係，故而導線31a至31d不易與霍爾元件之基板11之邊緣接觸，從而不易產生洩漏電流。藉此，可實現薄型且可正確地檢測出磁性之霍爾感測器。
再者，本實施形態1之霍爾感測器成為易產生引線端子之邊緣與導線之接觸之構造，但關於引線端子之邊緣接觸，僅成為於相同電位之引線端子之2個部位連接有導線之狀態，故而並無特別之問題。
又，各引線端子21a至21d自密封構件50之側面S露出。即，由於引線端子21a至21d自密封構件50之側面S露出，故而除使用露出於引線端子21a至21d之底面之部分(底面電極)之外，可使用露出於側面之部分(側面電極)進行安裝。尤其可提高整體厚度中之側面電極之比例，故而安裝變得容易。又，引線端子與焊料之接觸較差而無法取得導通之情形變少，安裝可靠性較高。進而，焊料安裝後之外觀檢查之視認性提高，從而可容易地確認是否無問題地進行焊接。
又，複數個導線31a至31d以使複數個電極部13a至13d為第1次接合、且複數個引線端子21a至21d之第2部位N2之第2面M2成為第2次接合之方式而打線接合。
如此，自較低側向較高側進行打線接合，故而金屬線難以與霍爾元件之邊緣接觸。藉此，即便縮短霍爾元件與引線端子之間之距離亦難以引起邊緣接觸。藉此，可縮短霍爾元件與引線端子之間之距離，從而可實現小型化。
或者，複數個導線31a至31d以使複數個引線端子21a至21d之第2部位N2之第2面M2為第1次接合、且複數個電極部13a至13d成為第2次接合之方式而打線接合。
如此，自較高側向較低側進行打線接合，故而可降低打線接合之頂點，從而可實現薄型化。
又，複數個導線31a至31d亦可以使複數個電極部13a至13d為第1次接合、且複數個引線端子21a至21d之第1部位N1之第2面M2成為第2次接合之方式而打線接合。
又，複數個導線31a至31d亦可以使複數個引線端子21a至21d之第1部位N1之第2面M2為第1次接合、且複數個電極部13a至13d成為第2次接合之方式而打線接合。
又，進而具備絕緣層40，其設置於基板11之與設置有複數個電極部13a至13d之面相反側之面。該絕緣層40自密封構件50之底面E露出。
於本實施形態1中，作為絕緣層40，可列舉絕緣樹脂層、絕緣片等。作為絕緣層40，只要為較霍爾元件之電阻高之電阻即可。例如較佳為，絕緣層40之體積電阻率為108~1020(Ω．cm)。更佳為，絕緣層40之體積電阻率為1010~1018(Ω．cm)。於絕緣層40為數mm見方且厚度為數μm之情形時，絕緣層40之電阻成為1010~1018(Ω)，霍爾元件之電阻 通常約為109Ω以下，故而具有充分之絕緣性。
絕緣層40中，更佳為包含例如環氧系之熱硬化型樹脂作為其成分、及包含氧化矽(SiO2)作為填料。絕緣層40與霍爾元件10之背面、即具有磁感應部12之面之相反側之面相接，藉由該絕緣層40而覆蓋霍爾元件10之背面。霍爾元件10之背面整體由絕緣層40覆蓋，其自抑制洩漏電流之產生之觀點而言較佳。絕緣層40中，覆蓋霍爾元件10之背面之部分之厚度由填料尺寸決定，例如為5μm以上。
霍爾元件10具有例如半絕緣性之砷化鎵(GaAs)基板11、形成於該GaAs基板11上之包含半導體薄膜之磁感應部(活性層)12、及與磁感應部12電性連接之電極部13a至13d。磁感應部12例如於俯視時為十字(交叉)型，於交叉之4個前端部上分別設置有電極13a至13d。於俯視時相面對之一對電極13a、13c係用以使電流流過磁感應部12之輸入端子，與連結電極13a、13c之線於俯視時正交之方向上相對面之另一對電極13b、13d係用以自磁感應部12輸出電壓之輸出端子。為使霍爾元件10之厚度減薄，研磨基板11之與設置有磁感應部(活性層)12之面相反側之面即可。霍爾元件10之尺寸例如長為0.1mm以上且0.4mm以下，寬為0.1mm以上且0.4mm以下，厚為0.05mm以上且0.20mm以下。
霍爾感測器100為無島構造，具有用以取得與外部之電性連接之複數個引線端子21a至21d。如圖2(b)所示，引線端子21a至21d配置於霍爾元件10之周圍、例如霍爾感測器100之四角附近。例如，將引線端子21a與引線端子21c以隔著霍爾元件10而對向之方式配置。又，將引線端子21b與引線端子21d以隔著霍爾元件10而對向之方式配置。進而，以使連結引線端子21a與引線端子21c之直線(假想線)、與連結引線端子21b與引線端子21d之直線(假想線)於俯視時交叉之方式分別配置引線端子21至21d。
即，複數個引線端子包含第1至第4引線端子，第1至第4引線端子係以使連結第1引線端子與第3引線端子之假想直線、與連結第2引線端子與第4引線端子之假想直線於俯視時交叉之方式而配置。
引線端子21a至21d例如包含銅(Cu)等金屬。又，亦可對引線端子21a至21d之面側或背面之一部分進行蝕刻(即半蝕刻)。
再者，雖未圖示，但於引線端子21a至21d之表面(圖2(a)之上面側)，對由導線31a至31d連接之引線端子21a至21d之表面實施鍍Ag，其自電性連接之觀點而言較佳。
又，於引線端子21a至21d之表面及背面，亦可代替外裝鍍敷層60而實施鍍鎳(Ni)-鈀(Pd)-金(Au)等。雖為霍爾感測器，但因無島而不易受到磁性體即鍍Ni膜之影響，故而可實施。
導線31a至31d係將霍爾元件10具有之電極部13a至13d、與引線端子21a至21d分別電性連接之導線，其包含例如金(Au)。如圖2(b)所示，導線31a將引線端子21a與電極部13a加以連接，導線31b將引線端子21b與電極部13b加以連接。又，導線31c將引線端子21c與電極部13c加以連接，導線31d將引線端子21d與電極13d加以連接。
密封構件50利用樹脂密封而覆蓋並保護霍爾元件10、引線端子21a至21d之至少表面側即與導線連接之側之面、及導線31a至31d。密封構件50包含例如環氧系之熱硬化型樹脂，且能對抗回焊時之高熱。再者，密封構件50與絕緣層40即便於例如相同之環氧系之熱硬化型樹脂之情形時，其材料亦互不相同。例如，含有之成分不同，或即便含有之成分相同，但含有比不同。
又，如圖2(c)所示，於霍爾感測器100之底面側即安裝於配線基板之側，各引線端子21a至21d之背面之至少一部分、與絕緣層40之至少一部分分別自密封構件50露出。
又，外裝鍍敷層60形成於自密封構件50露出之引線端子21a至21d 之背面。外裝鍍敷層60包含例如錫(Sn)等。
根據此種構成，於使用霍爾感測器100檢測磁性(磁場)之情形時，例如將引線端子21a連接於電源電位(+)，並且將引線端子21c連接於接地電位(GND)，使電流自引線端子21a流向引線端子21c。繼而，測定引線端子21b、21d間之電位差V1-V2(霍爾輸出電壓VH)。根據霍爾輸出電壓VH之大小而檢測磁場之大小，且根據霍爾輸出電壓VH之正負而檢測磁場之方向。
即，引線端子21a係對霍爾元件10供給特定電壓之電源用引線端子。引線端子21c係對霍爾元件10供給接地電位之接地用引線端子。引線端子21b、21d係取出霍爾元件10之霍爾電動勢信號之信號取出用引線端子。
圖4(a)及(b)係具體之霍爾元件之構成圖，圖4(a)表示剖視圖，圖4(b)表示俯視圖。但導線並未圖示。圖中，符號Ga表示表面實施半蝕刻後之部分，Gb表示背面實施半蝕刻後之部分。再者，圖2(a)之剖視圖表示圖2(b)之A-A線剖視圖，圖4(a)之剖視圖表示圖4(b)之B-B線剖視圖。
圖4(a)及(b)所示之霍爾感測器中，使用有以與吸具之接觸儘可能少之方式設計之引線端子，對引線端子之表面進行半蝕刻。即，對吸具干涉之區域進行半蝕刻。
圖4(b)所示之霍爾感測器之霍爾元件相對於圖2(b)所示之霍爾感測器之霍爾元件旋轉45度而配置。即，圖4(b)所示之霍爾感測器之霍爾元件於俯視時為矩形狀，且將霍爾元件配置成使該矩形之4個頂點於俯視時分別配置於引線端子21a與引線端子21b之間之區域、引線端子21b與引線端子21c之間之區域、引線端子21c與引線端子21d之間之區域、及引線端子21d與引線端子21a之間之區域。
藉由將霍爾元件配置於此種方向而可使霍爾感測器整體小型 化。然而，若如此配置霍爾元件，則於霍爾元件載置時吸具易與引線端子接觸，故而於如此配置霍爾元件之情形時，於引線端子21a至21d之第2面M2設置階差D對於防止吸具接觸特別有效。再者，上述矩形中包含正方形。
於本實施形態1中，以於霍爾元件10與密封構件50之底面E之間不存在用以載置霍爾元件10之金屬製之島之無島構造為中心進行了說明，但亦可於霍爾元件10與密封構件50之底面E之間設置島。又，該島亦可與接地用引線端子21c電性連接。然而，自薄型化之觀點而言，較佳為於霍爾元件10與密封構件50之底面E之間不設置島。
又，於本實施形態1中，以於複數個引線端子21a至21d上全部具有階差D之情形為例進行了說明，但引線端子21a至21d無需全部具有階差D，引線端子21a至21d中之至少一引線端子具有階差D即可。
又，於本實施形態1中，以自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2、及自密封構件50之底面E至霍爾元件10之最高點為止之高度h1之關係具有p1<h1<p2之關係之情形為中心進行了說明，但亦可p2<h1。即便為p2<h1，階差D對於防止吸具之接觸亦為有效。例如，於p2<h1<1.5×p2之情形、或p2<h1<1.3×p2之情形、p2<h1<1.1×p2之情形等p2與h1為並未過度變化之高度之情形時，階差D對於防止吸具之接觸特別有效。p2例如為0.05mm以上且0.20mm以下，h1例如為0.05mm以上且0.20mm以下，p1例如為0.02mm以上且0.15mm以下。
又，於本實施形態1中，以自密封構件50之底面E至第1連接點a為止之高度h1於各電極部13a至13d中全部相等之情形為例進行了說明，但自密封構件50之底面E至第1連接點a為止之高度h1於電極部13a至13d中亦可不同。又，同樣地，自密封構件50之底面E至第2連接點b 為止之高度h2於各引線端子21a至21d中亦可不同。在將與1根共通之導線連接之電極部與引線端子設為一個單元之情形時，至少於一個單元滿足高度h1<h2即可。但較佳為於所有單元滿足高度h1<h2。
圖5係用以說明本發明之霍爾感測器之剖面構成圖。由於為下述霍爾感測器之製造方法之霍爾元件配置步驟，故而記載有基材30，但該基材30於使引線端子21a至21d之第1面M1露出之露出步驟時被去除。
霍爾元件10係以密封構件50之底面為基準面M而配置於使霍爾元件10之最高點T較引線端子之第1部位N1之第2面M2高、且較第2部位N2之第2面M2低的位置。即，自密封構件50之底面E至霍爾元件10之最高點T為止之高度t、自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、及自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2具有p1<t<p2之關係。
又，複數個引線端子21a至21d包含第1至第4引線端子，第1至第4引線端子配置成使連結第1引線端子與第3引線端子之假想直線、與連結第2引線端子與第4引線端子之假想直線於俯視時交叉。霍爾元件10於俯視時為矩形狀，且該霍爾元件10配置於在俯視時使霍爾元件10之4個頂點配置於第1引線端子與第2引線端子之間之區域、第2引線端子與第3引線端子之間之區域、第3引線端子與第4引線端子之間之區域、及第4引線端子與第1引線端子之間之區域的位置。
又，具備絕緣層40，其配置於霍爾元件10之與配置有複數個電極部13a至13d之面相反側之面，且該絕緣層40自密封構件50之底面E露出。
又，各引線端子於第2面M2上具有階差D，以階差D為邊界，各引線端子於靠近霍爾元件10之側具有第1部位N1，於遠離霍爾元件10之側具有第2部位N2，以密封構件50之底面E為基準面M，將至各引 線端子之第1部位N1之第2面M2為止之高度p1形成為低於至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2。即，自密封構件50之底面E至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、與自密封構件50之底面E至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2具有p1<p2之關係。
霍爾感測器100之尺寸例如長為0.2mm以上且0.6mm以下，寬為0.4mm以上且1.2mm以下，厚為0.1mm以上且0.3mm以下。
(製造方法)
圖6(a)及(b)係表示用於本實施形態1之霍爾感測器之製造之金屬板之圖。圖6(a)為前視圖，圖6(b)為後視圖。金屬板120成為各霍爾感測器之成為引線端子之部分相連之構造。圖中符號H表示孔部，影線部分表示半蝕刻區域。由虛線包圍之區域為1個霍爾感測器中使用之區域，又，虛線與虛線之間之區域為切割時切割之齒通過之區域B(切口寬度)。
本實施形態1之霍爾感測器之製造方法中，該霍爾感測器具備複數個引線端子21a至21d、具有複數個電極部13a至13d之霍爾元件10、及分別電性連接複數個引線端子21a至21d之各引線端子與複數個電極部13a至13d之各電極部之複數個導線31a至31d，該霍爾感測器之製造方法包含：引線端子配置步驟，將形成有複數個引線端子21a至21d之金屬板120配置於基材上；霍爾元件配置步驟，將霍爾元件10配置於由複數個引線端子21a至21d包圍之區域；連接步驟，利用複數個導線31a至31d將複數個電極部13a至13d與複數個引線端子電性連接；密封步驟，利用密封構件將霍爾元件10、複數個導線31a至31d、及各引線端子之與導線連接之面即第2面M2進行密封；及露出步驟，去除基材，使各引線端子之與第2面M2相反側之第1面M1自密封構件50露出。
又，複數個引線端子至少包含第1引線端子，第1引線端子於2面 M2上，且於俯視時，於以載置霍爾元件10之位置為中心之橢圓形狀或多邊形狀之區域之周邊上具有階差D，以階差D為邊界，第1引線端子於靠近載置霍爾元件10之位置之側具有第1部位N1，於遠離載置霍爾元件10之位置之側具有第2部位N2，第1引線端子於將金屬板配置於基材上時，以基材之配置有金屬板120之面為基準面M，使至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1低於至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2。即，至第1部位N1之第2面M2為止之高度p1、與至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2具有p1<p2之關係。
又，第1引線端子於俯視時，於以載置霍爾元件10之位置為中心之橢圓形狀之區域之周邊上具有階差D。又，引線端子於俯視時，以載置霍爾元件10之位置為中心之圓周上具有階差D。
第1引線端子於第2面M2上，且於俯視時，於與以載置霍爾元件10之位置為中心之吸具之前端之形狀對應之位置具有階差D，以階差D為邊界，引線端子於靠近載置霍爾元件10之位置之側具有第1部位N1，於遠離載置霍爾元件10之位置之側具有第2部位N2，以基材30之配置有金屬板120之面為基準面M，將至引線端子之第1部位N1之第2面M2為止之高度p1形成為低於至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2。
又，霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，以基材30之配置有金屬板120之面為基準面M，將霍爾元件10配置於使該霍爾元件10之最高點T較引線端子21a至21d之第1部位N1之第2面M2高、且較第2部位N2之第2面M2低的位置。
再者，霍爾元件配置步驟亦可包含以下步驟，即，將霍爾元件10配置於使霍爾元件10之最高點T較第2部位N2之第2面M2高的位置。即便為p2<T，階差D對於防止吸具之接觸亦為有效。例如，於p2<T<1.5×p2之情形、或p2<T<1.3×p2之情形、p2<T<1.1×p2之 情形等p2與T為並未過度變化之高度之情形時，階差D對於防止吸具之接觸特別有效。
又，複數個引線端子21a至21d包含第1至第4引線端子，第1至第4引線端子配置成使連結第1引線端子與第3引線端子之假想直線、與連結第2引線端子與第4引線端子之假想直線於俯視時交叉，霍爾元件10於俯視時為矩形狀，霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，將霍爾元件10配置成於俯視時使霍爾元件10之4個頂點配置於第1引線端子與第2引線端子之間之區域、第2引線端子與第3引線端子之間之區域、第3引線端子與第4引線端子之間之區域、及第4引線端子與第1引線端子之間之區域。
又，包含於基材30與霍爾元件10之間形成絕緣層40之絕緣層形成步驟，且露出步驟包含使絕緣層40自密封構件50露出之步驟。
又，複數個引線端子之各引線端子於第2面上具有階差D，以階差D為邊界，各引線端子於靠載置霍爾元件10之位置之側具有第1部位N1，於遠離載置霍爾元件10之位置之側具有第2部位N2，各引線端子於將金屬板配置於基材上時，以基材30之配置有金屬板120之面為基準面M，將至各引線端子之第1部位N1之第2面M2為止之高度p1形成為低於至第2部位N2之第2面M2為止之高度p2。
圖7(a)至(e)係表示霍爾感測器之製造方法之步驟之俯視圖。再者，於圖7(a)至(e)中，虛線與虛線之間之區域為切割時切割之齒通過之區域B(切口寬度)。
如圖7(a)所示，首先，準備形成有上述引線端子之金屬板120。該金屬板120具有於俯視時於縱方向及橫方向上將複數個圖2(b)所示之引線端子21a至21d相連之構造。金屬板120之材料例如為銅。
其次，如圖7(b)所示，於金屬板120之背面側，貼附例如耐熱性膜80之一面作為基材。於該耐熱性膜80之一面，塗佈有例如絕緣性之 黏著層。黏著層中，作為其成分，例如矽酮樹脂成為基底。藉由該黏著層而易將金屬板120貼附於耐熱性膜80。藉由將耐熱性膜80貼附於金屬板120之背面側而使金屬板120貫通之貫通區域成為由耐熱性膜80自背面側堵塞之狀態。
再者，作為基材即耐熱性膜80，較佳為使用具有黏著性並且具有耐熱性之樹脂製之膠帶。
關於黏著性，較佳為較黏著層之糊膠厚度更薄。又，關於耐熱性，需要能對抗約150℃~200℃之溫度。作為此種耐熱性膜80，可使用例如聚醯亞胺膠帶。聚醯亞胺膠帶具有能對抗約280℃之耐熱性。此種具有較高之耐熱性之聚醯亞胺膠帶對於以後之鑄模或打線接合時施加這高熱亦可對抗。又，作為耐熱性膜80，除聚醯亞胺膠帶之外，亦可使用以下膠帶。
(1)聚酯膠帶，耐熱溫度約130℃(但根據使用條件，耐熱溫度達約200℃)
(2)鐵氟龍(註冊商標)膠帶，耐熱溫度約180℃
(3)PPS(聚苯硫醚)，耐熱溫度約160℃
(4)玻璃布，耐熱溫度約200℃
(5)諾美紙，耐熱溫度約150~200℃
(6)此外，可利用芳族聚醯胺、縐紋紙作為耐熱性膜80。
其次，對耐熱性膜80之具有黏著層之面中之由引線端子21a至21d包圍之區域塗佈絕緣漿料。此處，於完成後之霍爾感測器100中，以不使霍爾元件10之背面之一部分自鑄模樹脂等密封構件50露出之方式調整絕緣漿料之塗佈條件(例如，塗佈之範圍或塗佈之厚度等)。
其次，如圖7(c)所示，將霍爾元件10載置於耐熱性膜80中之塗佈有絕緣漿料之區域(即進行黏晶)。繼而，於接合後進行熱處理(即固化)，使絕緣漿料硬化而作為絕緣層40。
其次，如圖7(d)所示，將導線31a至31d之一端分別連接於各引線端子21a至21d，將導線31a至31d之另一端分別連接於電極部13a至13d(即進行打線接合)。圖7(e)係圖7(d)之後視圖。
繼而，利用鑄模樹脂50將整體進行密封(即進行樹脂密封)。該樹脂密封例如使用轉移鑄模技術進行。
圖8(a)至(d)係表示霍爾感測器之製造方法之步驟之剖視圖。如圖8(a)所示，準備具備下模具91與上模具92之鑄模模具90，於該鑄模模具90之模穴內配置打線接合後之金屬板120。其次，向模穴內、且耐熱性膜80之具有黏著層130之面(即與金屬板120接著之面)之側注入並填充加熱且熔融之鑄模樹脂50。藉此，對霍爾元件10、金屬板120之至少表面側、及導線31a至31d進行樹脂密封。鑄模樹脂50進一步加熱且硬化後，將該鑄模樹脂50自鑄模模具取出。再者，樹脂密封後於任意之步驟中，例如亦可將符號等(未圖示)標記於鑄模樹脂50之表面。
其次，如圖8(b)所示，自絕緣層40及鑄模樹脂50剝離耐熱性膜80。藉此，於霍爾元件10之背面殘留有絕緣層40，並且自絕緣層40及鑄模樹脂50剝離耐熱性膜80。
繼而，如圖8(c)所示，對金屬板120之自鑄模樹脂50露出之面(至少各引線端子21a至21d之自鑄模樹脂50露出之背面)實施外裝鍍敷，形成外裝鍍敷層60a至60d。
其次，如圖8(d)所示，於鑄模樹脂50之上表面(即，霍爾感測器100之具有外裝鍍敷層60a至60d之面之相反側之面)貼附切割保護膠帶93。繼而，例如，沿圖7(e)所示之假想之雙點劃線使刮刀相對於金屬板120而相對地移動，切斷鑄模樹脂50及金屬板120(即進行切割)。即，將鑄模樹脂50及金屬板120針對複數個霍爾元件10之各者切割而單片化。切割之金屬板120成為引線端子21a至21d。
經過以上之步驟，完成圖2(a)至(c)所示之霍爾感測器100。
<實施形態2>
以下，對實施形態2進行說明。於上述本實施形態1中，對使用絕緣漿料作為覆蓋霍爾元件10之背面之絕緣層40之情形進行了說明。然而，於本實施形態2中，絕緣層40並不限定於絕緣漿料。作為絕緣層40，亦可使用例如晶粒黏著膜，即切割．黏晶一體型膜之黏著層。
根據此種構成，可發揮如下般之效果。即，使用晶粒黏著膜之黏著層作為覆蓋霍爾元件10之背面之絕緣層。藉此，可省去絕緣漿料之塗佈步驟，故而可有助於步驟數之削減。
<實施形態3>
本實施形態之鏡頭模組具備霍爾感測器、安裝有磁鐵之鏡頭座、及根據來自霍爾感測器之外部端子之輸出信號即霍爾電動勢信號而使磁鐵移動之驅動線圈。本實施形態之霍爾感測器為薄型．小型，且磁性特性之不均較小，故而可正確地檢測出磁場。因此，可使鏡頭模組小型化，又可進行正確之位置檢測。由本實施形態之霍爾感測器偵測出安裝於鏡頭座之磁鐵之磁場，且根據所偵測之輸出信號而使驅動電流流過驅動線圈，藉此可精度良好地進行自動調焦控制或手振修正控制。又，本實施形態之霍爾感測器為薄型化．小型化，故而可使霍爾感測器內部之霍爾元件與磁鐵之位置靠近，從而可進行精度更佳之磁性偵測。
如以上般，參照特定之實施形態對本發明進行了說明，但並非意欲藉由該等說明而限定發明。對本業者而言，藉由參照本發明之說明而使所揭示之實施形態之各種變化例與本發明之其他實施形態一併明瞭。因此應理解申請專利範圍亦包括本發明之技術範圍及要旨中所包含之該等變化例或實施形態。
10‧‧‧霍爾元件
11‧‧‧基板
12‧‧‧磁感應部
13a‧‧‧電極部
13c‧‧‧電極部
21a‧‧‧引線端子
21c‧‧‧引線端子
30‧‧‧基材
40‧‧‧絕緣層
D‧‧‧階差
M‧‧‧基準面
M1‧‧‧第1面
M2‧‧‧第2面
N1‧‧‧第1部位
N2‧‧‧第2部位
p1‧‧‧高度
p2‧‧‧高度
T‧‧‧高度
t‧‧‧高度

Claims (20)

  1. 一種霍爾感測器，其具備：霍爾元件，其具有複數個電極部；複數個外部端子，其等配置於上述霍爾元件之周圍；複數個導線，其等分別電性連接上述複數個電極部之各電極部與上述複數個外部端子之各外部端子；及密封構件，其密封上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面；上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件之底面露出，上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時於包圍上述霍爾元件之區域之周邊上具有階差，以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近上述霍爾元件之側具有第1部位，於遠離上述霍爾元件之側具有第2部位，以上述密封構件之底面為基準面，將至上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
  2. 如請求項1之霍爾感測器，其中上述霍爾元件係以上述密封構件之底面為基準面，將上述霍爾元件之最高點配置於較上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2面高、且較上述第2部位之上述第2面低之位置。
  3. 如請求項1或2之霍爾感測器，其中將自上述基準面至上述霍爾元件之最高點為止之高度設為T，且將自上述基準面起之上述第2部位之上述第2面之高度設為p2，上述霍爾元件配置於p2<T< 1.5×p2之位置。
  4. 如請求項1或2之霍爾感測器，其中上述複數個外部端子進而包含第2至第4外部端子，上述第1至第4外部端子配置成使連結上述第1外部端子與上述第3外部端子之假想直線、與連結上述第2外部端子與上述第4外部端子之假想直線於俯視時交叉，上述霍爾元件於俯視時為矩形狀，且於俯視時配置使上述霍爾元件之4個頂點配置於上述第1外部端子與上述第2外部端子之間之區域、上述第2外部端子與上述第3外部端子之間之區域、上述第3外部端子與上述第4外部端子之間之區域、及上述第4外部端子與上述第1外部端子之間之區域的位置。
  5. 如請求項1或2之霍爾感測器，其具備絕緣層，該絕緣層配置於上述霍爾元件之與配置有上述複數個電極部之面為相反側之面，上述絕緣層自上述密封構件之上述底面露出。
  6. 如請求項1或2之霍爾感測器，其中上述複數個外部端子之各外部端子於上述第2面上具有上述階差，以上述階差為邊界，上述各外部端子於靠近上述霍爾元件之側具有上述第1部位，於遠離上述霍爾元件之側具有上述第2部位，以上述密封構件之底面為基準面，將至上述各外部端子之上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
  7. 如請求項6之霍爾感測器，其中上述各外部端子於俯視時，於以上述霍爾元件為中心之圓形狀、多邊形狀、或其等組合之形狀之區域之周邊上，形成有上述階差。
  8. 一種霍爾感測器，其具備： 霍爾元件，其具有複數個電極部；複數個外部端子，其等配置於上述霍爾元件之周圍；複數個導線，其等分別電性連接上述複數個電極部之各電極部與上述複數個外部端子之各外部端子；及密封構件，其密封上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面；上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件之底面露出，上述各外部端子自連接有上述複數個導線之第2部位朝第1部位，形成有使以上述密封構件之底面為基準面之上述第2部位之第2面側之高度高於以上述密封構件之底面為基準面之上述第1部位之第2面側之高度的階差，該第1部位較上述第2部位更靠近上述霍爾元件。
  9. 如請求項8之霍爾感測器，其中自上述密封構件之底面至上述霍爾元件之上述電極部與上述複數個導線接觸之接觸點為止之高度高於以上述密封構件之底面為基準面之上述第1部位之第2面側之高度。
  10. 如請求項8或9之霍爾感測器，其中上述階差於俯視時，具有斜面形狀或向密封構件之底面側凹陷之曲線形狀。
  11. 如請求項8或9之霍爾感測器，其中上述各外部端子於俯視時，於以上述霍爾元件為中心之圓形狀、多邊形狀、或其等組合之形狀之區域之周邊上，形成有上述階差。
  12. 如請求項8或9之霍爾感測器，其中上述霍爾元件具有基板、設置於上述基板上或基板內之磁感應部、及與上述磁感應部連接之上述複數個電極部，具備絕緣層，該絕緣層配置於上述霍爾元件之與配置有上述 複數個電極部之面為相反側之面，上述絕緣層自上述密封構件之上述底面露出。
  13. 一種鏡頭模組，其具備：如請求項1至12中任一項之霍爾感測器；鏡頭座，其安裝有磁鐵；及驅動線圈，其根據來自上述霍爾感測器之上述外部端子之輸出信號而使上述磁鐵移動。
  14. 一種霍爾感測器之製造方法，該霍爾感測器具備複數個外部端子、具有複數個電極部之霍爾元件、及分別電性連接上述複數個外部端子之各外部端子與上述複數個電極部之各電極部之複數個導線，該霍爾感測器之製造方法具備：外部端子配置步驟，將形成有上述複數個外部端子之金屬板配置於基材上；霍爾元件配置步驟，將上述霍爾元件配置於由上述複數個外部端子包圍之區域；導線連接步驟，利用上述複數個導線將上述複數個電極部與上述複數個外部端子電性連接；密封步驟，利用密封構件將上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面進行密封；及露出步驟，去除上述基材，使上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件露出；上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時，於以載置上述霍爾元件之位置為中心之橢圓形狀或多邊形狀之區域之周邊上具有階差， 以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有第2部位，上述第1外部端子於將上述金屬板載置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
  15. 一種霍爾感測器之製造方法，該霍爾感測器具備複數個外部端子、具有複數個電極部之霍爾元件、及分別電性連接上述複數個外部端子之各外部端子與上述複數個電極部之各電極部之複數個導線，該霍爾感測器之製造方法具備：外部端子配置步驟，將形成有上述複數個外部端子之金屬板配置於基材上；霍爾元件配置步驟，將上述霍爾元件配置於由上述複數個外部端子包圍之區域；導線連接步驟，利用上述複數個導線將上述複數個電極部與上述複數個外部端子電性連接；密封步驟，利用密封構件將上述霍爾元件、上述複數個導線、及上述各外部端子之與上述導線連接之面即第2面進行密封；及露出步驟，去除上述基材，使上述各外部端子之與上述第2面為相反側之第1面自上述密封構件露出；上述複數個外部端子至少包含第1外部端子，上述第1外部端子於上述第2面上，且於俯視時，於與以載置上述霍爾元件之位置為中心之吸具之前端形狀對應之位置具有階差， 以上述階差為邊界，上述第1外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有第2部位，上述第1外部端子於將上述金屬板配置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
  16. 如請求項14或15之霍爾感測器之製造方法，其中上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將上述霍爾元件配置於使上述霍爾元件之最高點較上述第1外部端子之上述第1部位之上述第2面高、且較上述第2部位之上述第2面低的位置。
  17. 如請求項14或15之霍爾感測器之製造方法，其中上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即，將自上述基準面至上述霍爾元件之最高點為止之高度設為T，將自上述基準面起之上述第2部位之上述第2面之高度設為p2，將上述霍爾元件配置於p2<T<1.5×p2之位置。
  18. 如請求項14或15之霍爾感測器之製造方法，其中上述複數個外部端子進而包含第2至第4外部端子，上述第1至第4外部端子配置成使連結上述第1外部端子與上述第3外部端子之假想直線、與連結上述第2外部端子與上述第4外部端子之假想直線於俯視時交叉，上述霍爾元件於俯視時為矩形狀，上述霍爾元件配置步驟包含以下步驟，即：將上述霍爾元件配置成於俯視時使上述霍爾元件之4個頂點配置於上述第1外部端子與上述第2外部端子之間之區域、上述第2 外部端子與上述第3外部端子之間之區域、上述第3外部端子與上述第4外部端子之間之區域、及上述第4外部端子與上述第1外部端子之間之區域。
  19. 如請求項14或15之霍爾感測器之製造方法，其包含於上述基材與上述霍爾元件之間形成絕緣層之絕緣層形成步驟，上述露出步驟包含使上述絕緣層自上述密封構件露出之步驟。
  20. 如請求項14或15之霍爾感測器之製造方法，其中上述複數個外部端子之各外部端子於上述第2面上具有上述階差，以上述階差為邊界，上述各外部端子於靠近載置上述霍爾元件之位置之側具有上述第1部位，於遠離載置上述霍爾元件之位置之側具有上述第2部位，上述各外部端子於將上述金屬板配置於上述基材上時，以上述基材之配置有上述金屬板之面為基準面，將至上述各外部端子之上述第1部位之上述第2面為止之高度形成為低於至上述第2部位之上述第2面為止之高度。
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