TWI551954B - 具有線性射束的改良的熱處理 - Google Patents

Description

具有線性射束的改良的熱處理

本揭露關於基於多波長雷射的材料處理。

很多製造製程包含一或多個基於雷射的處理步驟。曝露於脈衝雷射射束可被用於材料燒蝕、再結晶、退火或是其他處理。舉例來說，脈衝雷射射束已被用於局部地融化非晶矽層以促進局部結晶。在其他的範例中，雷射脈衝被應用以根據一燒蝕處理以移除表面層。連續波雷射以被用於焊接和其他處理。這些基於雷射之處理允許經處理之面積的精確控制，並且某些射束可方便地藉由光纖基於射束傳遞系統而被傳遞。然而，可用的處理方法係受限於由於材料對於所選擇的波長之固有的光學響應。這些限制往往限制了以材料處理之類型和基於雷射之光學處理的可達到的效能。

一種曝光裝置，其包含耦合以接收一第一光學射束之一第一光纖以及耦合以接收一第二光學射束之一第二光纖，所述第一光學射束係相關於一第一波長並且所述第二光學射束係相關於一第二波長。一光學系統係被放置以接收來自所述第一光纖之所述第一光學射束以及來自所述第二光纖之所述第二光學射束並且分別導引一第一線性射束和第二線性射束 至一基板之一表面。在某些範例中，所述第一和第二線性射束具有各別的長度和寬度，其中所述長度係大於所述寬度，並且所述第一和第二線性射束以一面積而部分地重疊在所述基板之所述表面處，所述面積具有對應於所述長度之至少一者的一長度。在其他範例中，所述第一和第二線性射束具有各別的長度和寬度，其中所述長度係大於所述寬度，並且所述第一和第二線性射束在一方向上於所述表面處彼此分隔開，所述方向對應於所述至少一寬度。在代表性的範例中，所述第一線性射束具有大於所述第二線性射束之一面積的一面積，並且所述第二線性射束之面積係在所述表面處被包含在所述第一線性射束之面積中。在一些替代方案中，所述第一波長和所述第二波長為不同的波長並且所述第一線性射束和所述第二線性射束在所述基板之表面處實質上重疊。在進一步的實施例中，述第一光學射束為脈衝光學射束，其係關聯於一第一脈衝持續時間和一第一脈衝重複率，並且所述第二光學射束為一脈衝光學射束，其係關聯於一第二脈衝持續時間和一第二脈衝重複率。通常所述第一脈衝持續時間和所述第二脈衝持續時間為不同的，或者所述第一脈衝重複率和所述第二脈衝重複率係不同的。

在額外的範例中，所述第一線性射束在所述基板之表面上具有一面積，其係大於所述第二線性射束在所述基板之表面上的一面積，並且所述第一光學射束為一波長，所述波長在所述基板中具有小於所述第二波長的吸收係數。在某些實施例中，所述第一光纖具有一纖芯直徑，其係不同於所述第二光纖之一纖芯直徑。在其他範例中，一掃描系統可操作以掃描所述線性射束，使得在所述第二線性射束之前所述第一線性射束係掃描橫跨所述基板面積。在進一步的範例中，在所述基板之所述面積曝露於 所述第二線性射束之前所述第一線性射束係經組態以加熱所述基板之一面積。在其他替代方案中，所述光學系統包括一第一光學系統和一第二光學系統，其中所述第一光學系統被放置以形成所述第一線性射束並且所述第二光學系統被放置以形成所述第二線性射束。根據其他範例，所述第一線性射束係經組態焊接所述基板並且所述第二線性射束係經組態以退火所述經焊接的基板。

方法，其包含從一第一雷射選擇一第一脈衝光學射束以及從一第二雷射選擇一第二脈衝光學射束，其中所述第一和第二光學射束係具有不同的波長。在某些範例中，所述第一和第二光學射束中之一個或是兩者為脈衝光學射束。所述第一光學射束和所述第二光學射束係被成形，並且一基板之一第一表面被曝光於所述經選擇且成形之光學射束。通常，所述第一成形光學射束之一面積係大於所述第二成形光學射束之一面積。在某些範例中，所述第一和第二成形脈衝射束至少部份地在所述基板之所述第一表面處重疊。在其他範例中，所述第一和第二成形射束在相對於所述基板之所述第一表面的所述基板之一第二表面處被反射。根據其他範例，所述基板具有一厚度並且所述第一成形脈衝射束係入射至所述基板，如此以在沿厚度傳播上被實質上吸收。第二成形射束係從相對於所述基板之所述第一表面的所述基板之一第二表面被反射。在進一步的範例中，所述第一成形射束被選擇以用於一基板之熱處理並且所述第二成形射束被選擇以緩解在所述基板中之應力。在某些實施例中，所述第一成形射束被選擇以在鄰近所述基板之所述第一表面被大量地吸收。在其他範例中，所述基板包含被放置在所述第一表面上之一傳導層，並且所述第一成形射束被選擇 以在所述傳導層中被實質上吸收以及所述第二成形射束被選擇以在所述基板中被實質上吸收。在一特定的範例中，所述第一成形射束被選擇以燒蝕所述傳導層。在額外的範例中，所述基板為含有一摻雜區域鄰近所述第一表面的一半導體基板，並且所述第一成形射束被選擇以擴散雜質進入所述半導體基板中。

方法包含決定在經選擇之波長處的一基板的一吸收係數。一射束被聚焦至所述基板中，使得所述基板從一光學射束所吸收之每單位面積之能量在一傳輸距離係實質上固定的，其中光學射束能量係以2、3、5或10的因子而被衰減。

上述內容和其它目的、特徵及所公開的技術的優點將變得更加明顯，下面的詳細描述將參照附圖而進行。

100‧‧‧處理系統

102-106‧‧‧雷射

108‧‧‧控制系統

110‧‧‧立方體分光鏡

114‧‧‧立方體分光鏡

116‧‧‧軸

117‧‧‧射束成形光學系統

118‧‧‧基板

120‧‧‧表面層

122‧‧‧塊材基板層

124‧‧‧電腦可讀取裝置

126‧‧‧機械載台

200‧‧‧曝光裝置

204、208、212‧‧‧雷射

205、209、213‧‧‧射束成形光學系統

206、210、214‧‧‧軸

218‧‧‧機械載台

304‧‧‧輸入光學射束

306‧‧‧透鏡

308‧‧‧會聚射束

310‧‧‧基板

310A‧‧‧前表面

310B‧‧‧出口表面

312‧‧‧反射層

400‧‧‧射束交錯器

402‧‧‧基板

404、406、408‧‧‧介電塗層

414、416、418‧‧‧軸

502‧‧‧基板

504‧‧‧基板面積

506‧‧‧基板面積

602、604‧‧‧基板

606‧‧‧吸收層

610‧‧‧光學射束

700‧‧‧多射束傳遞系統

702、704、706‧‧‧雷射

703、705、707‧‧‧光纖

712‧‧‧射束均勻器

716‧‧‧射束成形光學元件

750‧‧‧多射束傳遞系統

752、754、756‧‧‧雷射

753、755、757‧‧‧光纖

762A-762C‧‧‧線性射束光學元件

800‧‧‧基板

802‧‧‧進入表面

804‧‧‧反射器

900‧‧‧基板

902‧‧‧射束面積

904‧‧‧面積

圖1為經組態以提供不同波長之空間交疊的射束之一多波長、多雷射處理系統之示意圖。

圖2為經組態以依序提供不同波長的射束至一共同基板的一多波長、多雷射處理系統之示意圖。

圖3圖示一基板，其具有經組態以反射一處理射束之一層以便裁剪射束吸收於一基板中。

圖4圖示射束交錯以產生一多波長光學射束。

圖5圖示一被曝光於多個射束之不同面積之基板面積。

圖6圖示以一結合射束之搭接焊接。

圖7A圖示用於多光譜曝光之一光學系統。

圖7B圖示一系統，其產生三個重疊或非重疊的線性射束。

圖8圖示在一基板中之多波長吸收。

圖9圖示具有每單位體積之經控制的能量沉積之一聚焦射束。

如在本發明和申請專利範圍中所使用的，單數形式之「一」和「所述」包括複數形式，除非上下文另有明確規定。此外，術語「包括」意味「包含」。再者，術語「耦合」不排除耦合物件之間的中間元件的存在。

揭露於此之所述系統、設備以及方法不應該被解釋為以任何方式限制。取而代之的是，本揭露朝向所有新穎的和非顯而易見的特徵和方面公開的各種實施例，以單獨或各種彼此之組合和子組合。本揭露之系統、方法和設備並不限於任何特定的態樣或特徵或其之組合，並且揭露之系統、方法和設備亦不要求呈現出一個或多個特定優點或是需解決之問題。任何的操作原理，是為了說明的方便，但所揭露的系統、方法和設備不限於這些操作的原理。

雖然一些所揭露的方法的操作係以一個特定的、連續的順序為方便介紹而描述，但應當理解的是，描述的這種方法包括重排，除非特定順序是必需的由特定的語言闡述如下。舉例來說，描述的操作順序可以在某些情況下被重新排列或同時執行。此外，為簡單起見，附圖可能沒有示出，其中所揭露的系統、方法和設備可與其它的系統、方法和設備一起使用的各種方法。再者，本發明之敘述有時使用術語像是「產生」和「提 供」描述此揭露之方法。這些術語為所執行的實際操作之高級抽象概念。對應於這些術語之實際操作將根據特定的執行而變化並且所述技術領域中具有通常知識者可容易地辨別。

在某些範例中，數值、程序或設備被稱作「最低」、「最好」、「最小」或是相似物。將理解到的是，這些描述是為了表明在許多常用的功能的替代選擇可被做到，並且這樣的選擇不必是更好的、更小的或是較佳的其它的選擇。

如使用於此的，光學射束指的是傳播的電磁輻射，通常波長為大約20μm到100nm之間。在某些範例中，波長在大約400nm到2μm之間為首選。

參照圖1，一處理系統100包含雷射102、104、106，其各別地提供具有第一、第二和第三波長之脈衝或連續光學射束。兩個或多個雷射可被提供在其他範例中，或者是一單一雷射可被組態以產生多波長光學脈衝，例如藉由諧波產生或其他非線性處理，或者是所述單一雷射可為波長可調的。當三個不同波長被使用於圖1的範例中，這些波長非必須為不同的，並且一個或多個雷射可提供一共同波長，如此以所述共同波長來提供額外的電源、或者是提供連續光學電源之一經選擇的混合、或者是不同脈衝持續時間和脈衝重複率之混合。

如圖1所示，一立方體分光鏡110被放置以接收來自雷射102、104的射束並且導引所述結合的射束沿著軸116至一立方體分光鏡114。來自雷射102、104之所述結合的射束在立方體分光鏡114處與來自雷射106之一射束結合，使得所有三個射束經結合並且沿著軸116傳播至一基 板118。所述經結合的射束以一射束成形光學系統117而被形成為一適當的射束形狀，例如線性射束或是一聚焦點。雖然所述射束沿著一共同軸而傳播，但是來自雷射102、104、106的射束可被彼此取代或是傳播於相對於軸116之不同的角度，如此以藉由射束成形光學系統117而被不同地成形或是導引。在某些範例中，所述射束成形光學系統117包括一射束均勻器以及一個或多個圓柱狀的透鏡經組態以產生一均勻分布的多波長線性射束於所述基板118處。

圖1之系統100經顯示而具有立方體分光鏡。在某些範例中，立方體分光鏡包括取決於波長之介電濾波器，當需要產生一經選擇的波長結合時，其在不同波長時傳遞或反射射束。亦可使用平板分束器、以及所述不同射束以不同角度入射亦可被使用，以及如圖1所示之以45度角入射至一立方體分光鏡雙色層(dichroic layer)係用於說明方便。偏振分束器可被使用於結合有不同波長或相同波長之經偏振的雷射射束，並且波板可被介置以在所述偏振分束器處建立偏振的適當狀態(suitable states of polarization，SOPs)。

所述雷射102、104、106被耦合至一控制系統108，其係用於選擇射束能量、脈衝能量、重複率以及波長組合。一記憶體或是其他電腦可讀取裝置124係經組態以儲存對於所述基板118之曝光條件。在其他範例中，所述控制器接收掃描條件關於局部地區網絡或是廣泛地區網絡，並且包括例如乙太網路轉接器(Ethernet adaptor)之網絡轉接器。控制系統108亦可被耦合至一機械載台126，其相對於所述結合光學射束而位於且掃描所述基板118。在某些範例中，所述射束成形光學系統以及射束傳遞光學系統 之其他部分為可移動的，如此以導引所述經結合的射束至適當的基板位置。在其他範例中，所述光學射束和基板119皆可被轉換或掃描。

所述基板118包括一表面層120和一塊材基板層122。所述表面層可為一非晶矽層、一銦錫氧化物層或是其他層，而所述塊材基板122可為玻璃、矽或其他介電質、半導體或是傳導材料，例如金屬或塑料。此外，所述控制系統108可被耦合至一檢查或測量設備，其監控處理、射束能量以以及其他處理參數，使得所述控制系統108可根據實際的曝光參數而報告處理參數、通訊錯誤通知、中止處理或試問體處理報告。

參照圖2，曝光裝置200包括一光學掃描系統，其包括雷射204、208、212，其各別地產生具有第一、第二和第三波長的光學射束。來自雷射204的射束被導引沿著軸206並且藉由射束成形光學系統205而被成形以用於傳遞至基板216。來自雷射208、212的射束被導引沿著各別的軸210、214並且藉由各別的射束成形光學系統209、213而被成形以用於傳遞至所述基板216。所述光學掃描系統被耦合至一機械載台218，使得所述基板可相對於軸206、210、214而連續地或階梯式地移動。

如圖2中所示，基板216被移動，使得一經選擇的基板面積依序地遭遇來自雷射204、208、212之射束，其開始於來自雷射212之射束。對於每個光束，射束參數可被獨立調節，並且所述射束可被成形而以不同面積或部分地重疊被入射。

射束波長、脈衝持續時間、射束成形或是其他射束特性之選擇可根據特定應用以及基板而被選擇。射束聚焦可被調整至確定位置同時根據在所述基板中之射束吸收。參照圖3，輸入光學射束304係藉由透鏡306 而被聚焦以形成一會聚射束308，其被導引至基板310。所述光學射束304可包括具有複數個波長的光學輻射，使得不同波長部分被分別地吸收。一基板材料具有對於三個不同射束波長之吸收係數a1、a2和a3，在所述基板310中之射束強度為初始(表面)強度的函數係各別地與exp(-a1z),exp(-a2z),exp(-a3z)成正比。藉由適當地選擇波長和初始射束強度，在所述基板310中之能量吸收可被自定義。在某些範例中，更均勻的體積加熱得以實現。此外，一射束焦距可被選擇使得某些或是所有波長在焦距位置內到或通過所述基板310。舉例來說，具有一個或多個波長的射束可被聚焦到一前表面310A，但是之後藉由在出口表面310B上之反射層312反射。所述反射層312則可允許較均勻之射束吸收同時更有效的使用否則可能離開基板310的射束能量。在某些情況中，一反射表面係被放置在一基板之下以用於相同目的。

用於導引複數個非相關射束至一基板之另一實施例係被圖示於圖4中。一射束交錯器400包括一基板402，例如一玻璃、或是其他透明板，其係被提供而具有介電塗層404、406、408。在此範例中，在此範例中，所述介電塗層404、408係被選擇以反射沿著軸414、418傳播的光學射束並且所述介電塗層406係經組態以傳遞沿著軸416所接收之一光學射束。所述經結合的射束被共同傳播，其中該些射束被導引沿著一共同軸但是為位移的。射束交錯器可被組態為其他配置之反射和透射面積。當被適用於特定應用時，某些或是所有波長可為相同或不同的。

多波長、多射束處理可被用於不同的應用中。在如圖5所示之範例中，基板502以一基板面積504而被曝光至一第一射束。所述第一射 束可相關於一大量、溫升快，例如需要一焊接或焊錫操作。關於在基板面積504中之焊接操作的熱應力可藉由以一基板面積506曝光所述基板502至一第二射束而被減輕。所述第二射束可為具有相同或是不同的波長，並且具有吸收特性，如此以被吸收來加熱所述基板502之一經選擇的體積。此一第二或「應力緩和」射束可被應用於在曝光至所述第一射束之前、在曝光至所述第一射束期間或是在曝光至所述第一射束之後。適當波長之選擇係基於基板特性以及界定於所述基板上或之中的任何層或特徵。矽基板對於近紅外光為穿透的，並且在大約800nm到1μm之間具有快速變化的吸收係數數值，使得在此範圍的波長可被用於提供不同的吸收率。塑料和玻璃傾向吸收較長波長，以及具有大約1.5μm到2.5μm s之間的波長之射束為恰當的。

如圖3中所示，基板可被組態以配合各種處理，其包括反射、吸收或是其他層。在某些情況中，要被處理之基板含有數層，其可被使用作為反射或吸收層，並且特定目的的層可以不需要。參照圖6，基板602、604被放置以藉由曝光至光學射束610而被搭接焊接。所述光學射束610之一波長可經選擇以使得所述光學射束610被傳遞至一吸收層606，其被提供至所述基板602、604中之一者或兩者。所述吸收層606之光學加熱可允許基板602、604之焊接。在其他範例中，所述基板602、604被照射於兩側上以提供更均勻的加熱。所述光學射束610可包括一第一射束部分，其經選擇以加熱所述基板602、604而未焊接，並且一第二射束部分係接著被使用以完成所述焊接。

某些處理過程需要加熱到特定的溫度。在某些情況中，預先 加熱經選擇之面積為所希望的，使得對於處理之一較小的溫度改變為所需的。舉例來說，一第一、相對長的持續時間的光學脈衝可以產生溫度上升，然後應用一個更短的光學脈衝可以被用來達到目標溫度，以便所述目標是在目標溫度下之時間將比單獨以第一光學脈衝來達成之時間來的短。

其他多射束處理之範例包括使用一第一射束以加熱一可撓性基板達一大面積，並且一第二射束以提供局部加熱用於一特定處理，如此以減少或是消除由於局部加熱所產生之基板捲翹。在其他範例中，基板加熱係被控制，以防止半導體摻雜物之不需要的摻雜劑的遷移。多個射束可以被用來加熱更均勻並且避免該摻雜物在作用溫度移動。在其他範例中，在一基板預熱中以一第一射束之溫升係低於一作用溫度。一第二射束以一短脈衝之施加至一小面積允許摻雜物遷移但是僅在小面積並且僅持續一短時間。

額外的熱處理，其可包括多射束、多光譜曝光包括所謂的快速熱處理。加熱速率以及被加熱的體積和面積可基於加熱的脈衝持續時間、波長以及射束形狀而被選擇。舉例來說，局部面積(線或點)可以第一(短)脈衝而被加熱，並且冷卻之控制係藉由在第一脈衝之後以相同或是不同間距施加一個或多個額外脈衝或是一系列的脈衝。加熱可以複數個脈衝以不同的次數(以及以不同的面積、波長或持續時間)被相似地控制。能量可基於根據波長之吸收係數而以不同的深度而被沉積。因此，熱時間和空間的梯度在加熱和冷卻週期期間可被控制。描述於此之基於多射束、多光譜方法之熱處理可被用於活化摻雜物、改變層以及基板介面結構、增加層密度、結晶或部分地結晶層、退火、焊接、擴散摻雜物，例如將磷擴散進太陽能 電池之製造中、鈍化以及圖案定義。在另外的範例中，一第一射束可被用於焊接，而一第二射束被施加以退火所述焊接。

雖然在材料中加熱的輪廓之選擇由於熱擴散率而為複雜的，但是多光譜曝光允許能量沉積可為更容易地被控制。如圖8中所示之示意圖，一輸入可包含有三個波的光譜組成，所述三個波長經選擇以具有減少的吸收係數。雖然所述第一波長之能量被沉積在鄰近基板800之進入表面802並且實質上被耗盡，而第二和第三波長持續被吸收進一步進入基板800中。一反射器804亦可反射某些或所有入射波長之部分朝向回所述進入表面802。

在另外的範例中，射束面積可被改變以提供一較佳的能量分布。舉例來說，如圖9中所示，一射束面積902被輸入至一基板900並且被聚焦以具有一面積904於一深度z處。如果一基板吸收係數為α並且所述面積為A0以及Az，則所沉積之每單位體積之能量為恆定的，如果Az/A0=exp(-α z)。通常，用於聚焦射束之射束面積根據相關於射束腰之位置而線性地或二次方地改變，並且除了小吸收係數之外，每單位體積之恆定能量不能被建立而超過任何顯著的距離。如使用於本文中，每單位體積基本恆定的能量指的變化小於5%、10%、20%、50%的值，或者是所述材料吸收係數到達2之因子有0.1、0.2、0.5、1、2倍的傳播長度或者此光學能量係藉由2、3、5或10之因子而衰減。

在其他的範例中，如圖7A中所示，一多射束傳遞系統700包括雷射702、704、706，其係經由各別的光纖703、705、707而被耦合至一射束均勻器712。一射束成形光學元件716，例如一個或多個圓柱體或球 形透鏡來成形所述均勻化射束以用於傳遞至目標物。所述射束均勻器可為平板光導或波導，例如揭露於Farmer等人所申請之美國專利公開號20120168411專利申請案中，其通過引用而併入本文。使用圖7A之組態而輸出之射束傾向於對於所有之輸入為相同的，但是在某些情況中，所述射束成形光學元件716可分別地聚焦各種波長。

在圖7B所示之範例中，一多射束傳遞系統750包括雷射752、754、756，其係藉由各別的光纖753、755、757而被耦合至各別的線性射束光學元件762A-762C。相關於每個雷射752、754、756之線性射束係被導引至一基板。所述射束可重疊、部分地重或是分隔開。射束尺寸可基於線性射束光學元件(其對於每個雷射可為不同的)或是所述經選擇的光纖753、755、757而被選擇。射束面積亦可藉由一離焦而決定，並且所述線性射束光學元件762A-762C可相對於一個或多個光纖753、755、757而被偏離中心。所述雷射752、754、756可被獨立地選擇，並且可為相同或是不同形式的雷射，並且產生各種波長、脈衝持續時間和重複率的射束。

雖然基於雷射二極體之系統為方便的，但是各種雷射可被使用。某些範例包還脈衝和連續雷射二極體、固態雷射、準分子雷射、二極體泵浦光纖雷射(diode pumped fiber laser)以及光學諧波以及其他非線性製品的任何雷射。在某些範例中，例如來自雷射二極體之未吸收的泵浦輻射(unabsorbed pump radiation)係被允許以沿著相關聯的雷射而傳播至一目標。

藉由參照這些用來圖示的實施例來描述且說明本揭露之技術的原理，將理解的是，這些用來圖示之實施例可以在不違背這些原理之下在配置和細節上進行修改。來自任何範例中之技術可以與任何一個其它 實施例或多個所描述的技術進行組合。可以被理解的是，如與參照所示實施例所描述之程序和功能可以在一個單一的硬體模組來實現，或者是單獨的模組可以被提供。以上的特定配置被提供以用於方便說明，其他配置方式亦可以使用。我們所主張作為我們的發明都來自這些申請專利範圍的範疇和精神之中。

100‧‧‧處理系統

102-106‧‧‧雷射

108‧‧‧控制系統

110‧‧‧立方體分光鏡

114‧‧‧立方體分光鏡

116‧‧‧軸

117‧‧‧射束成形光學系統

118‧‧‧基板

120‧‧‧表面層

122‧‧‧塊材基板層

124‧‧‧電腦可讀取裝置

126‧‧‧機械載台

Claims (21)

1. 一種曝光裝置，其包含：一第一光纖，其耦合以接收一第一脈衝光學射束；一第二光纖，其耦合以接收一第二脈衝光學射束，其中所述第一脈衝光學射束係相關於一第一波長並且所述第二脈衝光學射束係相關於一第二波長；以及一光學系統，其被放置以接收來自所述第一光纖之所述第一脈衝光學射束以及來自所述第二光纖之所述第二脈衝光學射束，並且分別導引一第一線性射束和第二線性射束至一基板之一表面。
2. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一和第二線性射束具有各別的長度和寬度，其中所述長度係大於所述寬度，並且所述第一和第二線性射束以一面積而部分地重疊在所述基板之所述表面處，所述面積具有對應於所述長度之至少一者的一長度。
3. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一和第二線性射束具有各別的長度和寬度，其中所述長度係大於所述寬度，並且所述第一和第二線性射束在一方向上於所述表面處彼此分隔開，所述方向對應於所述至少一寬度。
4. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一線性射束具有大於所述第二線性射束之一面積的一面積，並且所述第二線性射束之面積係在所述表面處被包含在所述第一線性射束之面積中。
5. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一波長和所述第二波長為不同的波長並且所述第一線性射束和所述第二線性射束在所述基板 之表面處實質上重疊。
6. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一脈衝光學射束具有一第一脈衝持續時間和一第一脈衝重複率，並且所述第二脈衝光學射束具有一第二脈衝持續時間和一第二脈衝重複率，其中至少所述第一脈衝持續時間和所述第二脈衝持續時間為不同的，或者所述第一脈衝重複率和所述第二脈衝重複率係不同的。
7. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一線性射束在所述基板之表面上具有一面積，其係大於所述第二線性射束在所述基板之表面上的一面積，並且所述第一光學射束為一波長，所述波長在所述基板中具有小於所述第二波長的吸收係數。
8. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一光纖具有一纖芯直徑，其係不同於所述第二光纖之一纖芯直徑。
9. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步包含一掃描系統，其可操作以掃描所述線性射束，使得在所述第二線性射束之前所述第一線性射束係掃描橫跨所述基板面積。
10. 如申請專利範圍第9項之曝光裝置，其中在所述基板之所述面積曝露於所述第二線性射束之前所述第一線性射束係經組態以加熱所述基板之一面積。
11. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述光學系統包括一第一光學系統和一第二光學系統，其中所述第一光學系統被放置以形成所述第一線性射束並且所述第二光學系統被放置以形成所述第二線性射束。
12. 如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中所述第一線性射束係經組 態焊接所述基板並且所述第二線性射束係經組態以退火所述經焊接的基板。
13. 一種方法，其包含：從一第一雷射選擇一第一脈衝光學射束以及從一第二雷射選擇一第二脈衝光學射束，其中所述第一和第二脈衝光學射束係具有不同的波長；成形所述第一光學射束和所述第二光學射束；以及將一基板之一表面曝光於所述經選擇且成形之脈衝射束，其中所述第一成形光學射束之一面積係大於所述第二成形光學射束之一面積。
14. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述第一和第二成形脈衝射束至少部份地在所述基板之所述表面處重疊。
15. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述基板包含一表面層和一塊材基板層，其中所述基板之所述被曝光的表面是所述表面層的一外部表面，且其進一步包含在傳輸經過所述表面層之後從所述塊材基板層的一外部表面將所述第一和第二成形脈衝射束反射至所述表面層。
16. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述基板具有一厚度並且所述第一成形脈衝射束係入射至所述基板，如此以在沿厚度傳播上被實質上吸收，並且進一步包含從相對於所述基板之所述第一表面的所述基板之一第二表面反射所述第二成形脈衝射束。
17. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述第一成形脈衝射束被選擇以用於一基板之熱處理並且所述第二脈衝成形射束被選擇以緩解在所述基板中之應力。
18. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述第一成形脈衝射束被選 擇以在鄰近所述基板之所述第一表面被大量地吸收。
19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中所述基板包含被放置在所述第一表面上之一傳導層，並且所述第一成形脈衝射束被選擇以在所述傳導層中被實質上吸收以及所述第二成形脈衝射束被選擇以在所述基板中被實質上吸收。
20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中所述第一成形脈衝射束被選擇以燒蝕所述傳導層。
21. 如申請專利範圍第13項之方法，其中所述基板為含有一摻雜區域鄰近所述第一表面的一半導體基板，並且所述第一成形脈衝射束被選擇以擴散雜質進入所述半導體基板中。