TWI544452B - A sample preparation device for a sample observation apparatus, and a sample observation apparatus - Google Patents
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Description
本發明係有關試料觀察裝置用之樣板作成裝置及試料觀察裝置。
運用測長SEM(掃描電子顯微鏡,Scanning Electron Microscope)等試料觀察裝置的半導體裝置之圖樣尺寸計測當中,當進行自動測定時,對於以裝置取得之圖像,會使用樣板(template)而以圖像處理來進行圖樣(pattern)檢測,藉此找出測定點。
有一種將SEM圖像等實際的測定圖樣之圖像登錄作為圖樣檢測用的樣板之方法。在登錄SEM圖像之方法當中,必須先以試料觀察裝置取得圖像,而必須使用測定對象即晶圓以及取得圖像之試料觀察裝置。
此外,亦能使用CAD(Computer Aided Design)等設計資料來作成圖像處理用的樣板,以取代SEM圖像。將CAD等設計資料予以加工而登錄成為樣板,並以試料觀察裝置取得圖像來進行圖樣檢測。在該圖樣檢測時,將登錄成為樣板的圖樣做變形處理,並與欲計
測之圖樣的圖像比較,藉此便能進行圖樣檢測。此外,藉由利用設計資料來作為樣板,便可無需使用晶圓而作成樣板。
專利文獻1揭示由設計資料來作成用以進行圖樣檢測的樣板圖像之手法。專利文獻1當中記載,利用圖樣的尺寸、或角隅部的圓角處理量、邊緣尺寸的資訊來使圖樣變形,藉此便能讓圖樣檢測用的樣板圖像趨近於實際的圖樣形狀。
〔專利文獻1〕日本特開2011-154223號公報
〔專利文獻2〕國際公開第2007/094439號手冊
專利文獻1之手法當中,若為單純的製程處理之阻劑圖樣或蝕刻圖樣,則僅靠使圖樣的尺寸、角隅或邊緣形狀變形之處理,便可作成樣板。
然而,由於半導體裝置的微細化及製程的複雜化,即使在專利文獻1這樣進行單層加工的情形下,也逐漸必須以複數個製程處理來加工。舉例來說,有(1)以複數次的蝕刻處理來除去圖樣的邊端等而成之圖樣、(2)堆積複數次間隙壁(spacer)而成之圖樣、(3)以
間隙壁製程的SADP(自對準雙重圖樣形成,Self-Aligned Double Patterning)或SAQP(自對準四重圖樣形成,Self-Aligned Quadruple Patterning)等多重圖樣形成(Multiple Patterning)所作成之圖樣、(4)DSA(定向自組裝,Directed-self assembly)的導引圖樣中的嵌段聚合物(block polymer,BCP)之圖樣等。特別是進行複數次製程處理而追加之間隙壁或BCP等圖樣,有時並不存有關該些圖樣之設計資料,故依習知之專利文獻1的手法無法對應。
本發明係提供一種技術,針對進行了複數個製程處理之圖樣,將該些製程處理納入考量來執行圖像處理,藉此適當地作成圖像處理用之樣板。
為解決上述問題,例如採用申請專利範圍所記載之構成。本申請案包含複數個解決上述問題之手段,若要舉出其一例,係提供一種樣板作成裝置,其利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板。
此外,作為另一例,係提供一種具備前述樣板作成裝置之試料觀察裝置。該試料觀察裝置具備:圖樣
檢測部,對於利用前述樣板而以前述試料觀察裝置取得之圖像,執行圖像辨識處理。前述圖樣檢測部,亦可對於從前述樣板作成裝置取得之前述樣板,執行圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種處理。
按照本發明,對於進行了複數個製程處理之圖樣,也能作成適當的樣板。如此一來,便可對進行了複數個製程處理之圖樣穩定地進行圖樣檢測。與本發明有關之進一步的特徵,將由本說明書之記述、所附圖面而明瞭。此外,上述以外之問題、構成及效果,將由以下實施例之說明而明瞭。
101‧‧‧設計資料
102‧‧‧製程資訊
103‧‧‧加工
104‧‧‧圖像辨識用樣板作成
105‧‧‧拍攝圖像
106‧‧‧圖像辨識
110‧‧‧試料觀察裝置
111‧‧‧圖樣計測部
120‧‧‧樣板作成裝置
121‧‧‧樣板作成部
122‧‧‧記憶部
300‧‧‧設計資料
401‧‧‧上層(Target)的設計資料
402‧‧‧下層(Lower)的設計資料
403‧‧‧除去區域(Cut Mask)的設計資料
500‧‧‧製程資訊
600‧‧‧參數資訊
901‧‧‧設計資料的圖樣
902‧‧‧除去區域(Cut Mask)的設計資料
911‧‧‧變形後的圖樣
912‧‧‧一部分圖樣除去後的圖樣
913‧‧‧除去區域(Cut Mask)的資訊
1201‧‧‧設計資料的圖樣
1202‧‧‧變形後的圖樣
1203‧‧‧間隙壁1
1204‧‧‧間隙壁2
1401‧‧‧設計資料的核心圖樣
1402‧‧‧變形後的核心圖樣
1403‧‧‧間隙壁1
1404‧‧‧間隙壁2
1601‧‧‧設計資料的導引圖樣
1602‧‧‧變形後的導引圖樣
1603‧‧‧BCP圖樣
1604‧‧‧導引圖樣與BCP圖樣的交界
〔圖1A〕本發明之試料觀察裝置用之樣板作成裝置構成示意圖。
〔圖1B〕圖像處理用樣板的作成、及樣板的使用方法之說明流程。
〔圖2〕設計資料及製程資訊的登錄流程。
〔圖3〕設計資料的登錄畫面一例。
〔圖4〕樣板作成裝置中的設計資料的顯示例。
〔圖5A〕製程資訊的一例。
〔圖5B〕製程資訊的一例。
〔圖5C〕製程資訊的一例。
〔圖5D〕製程資訊的一例。
〔圖6A〕參數資訊的一例。
〔圖6B〕參數資訊的一例。
〔圖6C〕參數資訊的一例。
〔圖6D〕參數資訊的一例。
〔圖7A〕參數資訊的一例,為設定1個參數的例子。
〔圖7B〕參數資訊的一例,為設定複數個參數的例子。
〔圖7C〕參數資訊的一例,為考量變動(variety)值來設定參數的例子。
〔圖7D〕參數資訊的一例,為藉由自動變形模式來設定參數的例子。
〔圖8A〕進行2次蝕刻處理的情形下之設計資料登錄例。
〔圖8B〕進行2次蝕刻處理的情形下之製程資訊登錄例。
〔圖8C〕進行2次蝕刻處理的情形下之參數資訊登錄例。
〔圖9〕進行2次蝕刻處理的情形下之樣板作成處理一例。
〔圖10〕進行2次蝕刻處理的情形下之樣板作成處理另一例。
〔圖11A〕追加2次間隙壁的情形下之設計資料登錄例。
〔圖11B〕追加2次間隙壁的情形下之製程資訊登錄例。
〔圖11C〕追加2次間隙壁的情形下之參數資訊登錄例。
〔圖12〕追加2次間隙壁的情形下之樣板作成處理一例。
〔圖13A〕SAQP的情形下之設計資料登錄例。
〔圖13B〕SAQP的情形下之製程資訊登錄例。
〔圖13C〕SAQP的情形下之參數資訊登錄例。
〔圖14〕SAQP的情形下之樣板作成處理一例。
〔圖15A〕DSA的情形下之設計資料登錄例。
〔圖15B〕DSA的情形下之製程資訊登錄例。
〔圖15C〕DSA的情形下之參數資訊登錄例。
〔圖16〕DSA的情形下之樣板作成處理一例。
〔圖17〕對複數個層執行加工處理而作成樣板的一例。
〔圖18〕進行2次蝕刻處理時之樣板作成處理另一例。
以下參照所附圖面,說明本發明之實施例。另,所附圖面雖揭示遵照本發明原理之具體實施例,但它
們係用來理解本發明,絕非用來限縮解釋本發明。
作為試料觀察裝置,有使帶電粒子束(例如電子)在試料表面掃描,而利用二次性產生的電子之帶電粒子束裝置。以下說明之實施例,可運用於帶電粒子束裝置。帶電粒子束裝置的代表性例子,有電子顯微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)。
圖1A為試料觀察裝置用之樣板作成裝置構成示意圖。本實施例之樣板作成裝置120,與試料觀察裝置110連接。試料觀察裝置110具備圖樣計測部111。此外,樣板作成裝置120具備樣板作成部121及記憶部122。
樣板作成裝置120能夠以運用了泛用的電腦之圖像處理裝置來實現。樣板作成部121係由設計資料及製程資訊來作成樣板。此外,圖樣計測部111係利用作成的樣板來對藉由試料觀察裝置取得之圖像執行圖像辨識處理,藉此進行圖樣的檢測及計測等。此外,記憶部122係存儲以下說明之設計資料、製程資訊、及樣板。
樣板作成裝置120,具備中央演算處理裝置、輔助記憶裝置、主記憶裝置、輸出入裝置。舉例來說,中央演算處理裝置是由CPU(Central Processing Unit)等處理器(或稱演算部)所構成。舉例來說,輔助記憶裝置為硬碟、主記憶裝置為記憶體。此外,輸出入裝置為鍵盤、指標裝置(滑鼠等)、顯示器等。
樣板作成裝置120的樣板作成部121及試料觀察裝置110的圖樣計測部111,亦可以在電腦上執行之程式的功能來實現。也就是說,亦可將以下說明之處理以程式碼的方式存儲於記憶體,而藉由CPU執行各程式碼來實現。此外,亦可將樣板作成部121及圖樣計測部111例如藉由積體電路來設計等而以硬體實現。另,記憶部122可由上述輔助記憶裝置或主記憶裝置來實現。
另,圖1A當中,試料觀察裝置110和樣板作成裝置120是由個別的裝置所構成,但亦可在試料觀察裝置110中搭載樣板作成裝置120的功能。
本實施例當中,說明運用設計資料及製程資訊來作成樣板及樣板的使用方法例。圖1B為圖像處理用樣板的作成、及樣板的使用方法之說明流程。
上述記憶部122中,存儲有CAD等設計資料101。設計資料101,一般為藉由圖形的頂點資訊所構成之GDSII格式或OASIS格式。樣板作成裝置120當中,可將設計資料101顯示於輸出入裝置的畫面等,如將設計資料中的頂點間以線段連接來顯示圖形、或將圖形以任意顏色塗滿顯示等。另,用於樣板作成之設計資料101,也可以是GDSII格式、OASIS格式以外的資料。
此外,在記憶部122,還存儲有製程資訊102。此處所謂「製程資訊」,是指定義當作成圖樣時所執行之複數個製程處理的內容之物。製程資訊102為不包含在設計資料101內之資訊,其內容後述之。
樣板作成部121係取得設計資料101及製程資訊102。又,樣板作成部121係利用製程資訊102對設計資料101執行加工處理(103)。樣板作成部121,將加工處理後的設計資料登錄至記憶部122成為樣板(104)。
試料觀察裝置110係取得試料上的圖樣的拍攝圖像105。圖樣計測部111係利用作成的樣板來對藉由試料觀察裝置110取得之拍攝圖像105執行圖像辨識處理,藉此進行圖樣檢測及計測(106)。
本實施例當中,係預先登錄定義著複數個製程處理的內容之製程資訊102,並利用該製程資訊102來將設計資料101加工,藉此便可作成與製程相應之樣板。
另,上述例子中,係藉由預先執行所有處理來登錄樣板,但並不限定於本例。舉例來說,亦可將圖樣檢測所必需之資訊預先登錄成為樣板,然後藉由在圖樣檢測及計測(106)的前處理中執行所有的加工處理來作成樣板。舉例來說,試料觀察裝置110的圖樣計測部111,亦可執行圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種製程來作為前處理,以作成最終的樣板。樣板的作成處理,並不限定以樣板作成裝置120來執行,亦可設計成以試料觀察裝置110來執行樣板作成處理的一部分。
此外,亦可從試料觀察裝置110的拍攝圖像105自動地抽出用於樣板作成之參數,並登錄於記憶部122作為資料庫。又,樣板作成裝置120亦可利用資料庫
之資訊來執行樣板的作成處理。此外,樣板亦可與測長點的位置資訊等組合使用。
圖2為設計資料101及製程資訊102的登錄流程。以下各種資訊的登錄,可透過樣板作成裝置120的輸入裝置來輸入,亦可藉由規定形式的檔案等來輸入。
首先,在樣板作成裝置120的記憶部122登錄設計資料101(201)。其後,在樣板作成裝置120的記憶部122登錄製程(此處係對應於圖5A~圖5D之製程502)(202)。接著,登錄與已登錄的製程相對應之處理內容及處理順序(203)。然後,設定與處理內容有關之參數(204)。接著,若針對所有製程尚未輸入完畢的情形下,回到步驟202(205的No)。若針對所有製程已輸入完畢(205的Yes),則執行樣板的作成處理(206)。
藉由以上製程資訊102之登錄,各製程係依照處理順序而登錄,故可以指定的順序來對設計資料101加工。若設計資料101的加工順序不同,所作成的樣板會成為不同形狀。是故,藉由指定製程的處理順序,可做適當的變形。
另,只要有與製程相對應之處理內容、處理順序、參數資訊,便可作成樣板,因此製程的登錄(202)並非必須。此外,亦可由事先作成的資料庫等中選擇製程資訊、處理內容、處理順序、及參數來統一登錄。此外,亦可將樣板作成所不需要的製程資訊剔除而僅將必要的資訊登錄成為製程資訊102。
圖3為設計資料的登錄畫面一例。設計資料101存儲於樣板作成裝置120的記憶部122。另,設計資料101未必一定要存儲於樣板作成裝置120,亦可設計成經由網路而從其他裝置取得。
另,往後說明當中是利用「表格」(table)結構來說明本實施例之資訊,但該些資訊未必一定要以表格所成之資料結構來表現,亦可以列表(list)、佇列(queue)等資料結構或其他方式來表現。因此,為了表示與資料結構無關,針對「表格」、「列表」、「佇列」等有時僅簡稱為「資訊」。
如圖3所示,設計資料300係包含「Layer No.」(301)、「Data Type」(302)、「Status」(303)、「Tone」(304)、及「Process」(305)作為其構成項目。CAD等設計資料300當中,資料會依每個「Layer No.」(301)、「Data Type」(302)被區分,對於測定中所使用之「Layer No.」(301)、「Data Type」(302),會指定「Status(狀態)」(303)。
舉例來說,當Layer No.=1為晶圓最表面的圖樣的情形下,在Layer No.=1的「Status」(303)中指定為上層(Target)。此外,當Layer No.=11為位於上層的下方之層的情形下,在Layer No.=11的「Status」(303)中指定為下層(Lower)。另,有關下層(Lower),亦可指定複數個層。在此情形下,亦可在「Status」(303)中指定為「Lower1」、「Lower2」、...,
而將位於Lower1的下方之層設定為「Lower2」。
此外,對於設計資料的圖樣,亦可指定凹凸資訊。若欲留下設計資料所封閉的部分的情形下(凸部分),在「Tone」(304)中設定為「Clear」,若欲除掉設計資料所封閉的部分的情形下(凹部分),在「Tone」(304)中設定為「Dark」。此外,針對樣板作成所不使用之「Layer No.」(301),在「Status」(303)設定為「None」。
此外,設計資料的登錄中,欲藉由蝕刻等除去圖樣之部分,可在「Status」(303)中設定為「Cut Mask」,欲加工之部分可在「Status」(303)中設定為「Area」。
另,「Cut Mask」的情形下,亦可藉由「Tone」(304)的設定來使欲除去之區域反轉(reverse)。舉例來說,若將「Tone」(304)的設定設定成「Clear」,則除去設計資料所封閉的部分,若設定為「Dark」,則可除去設計資料所封閉的部分以外之部分。
此外,本實施例當中,在圖3的設計資料300中追加「Process」(305)的項目。將「Process」(305)的項目設定為「有」的狀態,便能指定登錄製程資訊102之層(「Layer No.」、「Data Type」、可複數選擇)。製程資訊102可於其他畫面進行登錄。有關製程資訊102詳細後述之。另,製程處理的內容及參數,可對
測定點所有點使用相同參數,亦可因應測定點、圖樣、區域來變更參數而登錄複數個條件。
此外,上層(Target)與下層(Lower),可登錄不同的製程資訊102。在此情形下,上層(Target)與下層(Lower)可個別進行加工處理,而將上層及下層的資訊登錄成為樣板。另,加工處理基本上是以下層→上層的順序進行,但可依照製程處理的登錄狀況(處理順序等)來加工。
此外,亦可配合下層的圖樣形狀,來改變上層圖樣的加工處理(變形處理)。舉例來說,當上層與下層的圖樣重疊的情形下,可對重疊的部分變更上層圖樣的變形參數。
此外,間隙壁製程之SADP及SAQP的情形下,是對上層(Target)的核心圖樣附加間隙壁後再除去核心圖樣,故亦可將核心層的「Status」(303)設定為「Target(Core)」以做區別。此外,DSA的製程,是在上層(Target)的導引圖樣中追加形成BCP的圖樣,故亦可將導引圖樣的「Status」(303)設定為「Target(Guide)」以做區別。另,由於是在製程資訊102中登錄製程的內容,故亦可不訂為「Target(Core)」、「Target(Guide)」,而將「Status」(303)單純登錄成「Target」。
此外,亦可設計成當選擇「Target(Core)」時,會從SADP、SAQP等間隙壁製程中自動地選擇
「Process」(305)之設定,而當選擇「Target(Guide)」時,會從DSA的製程中自動地選擇「Process」(305)之設定。如此一來,製程資訊102的登錄便變得容易。
圖4為樣板作成裝置120中的設計資料的顯示例。此處,係為設定上層(Target)的設計資料401、下層(Lower)的設計資料402、除去區域(Cut Mask)的設計資料403而顯示之例子。若對設計資料加工的順序不同,則圖像處理的樣板會成為不同之物。因此,會登錄製程處理的處理順序,設定對設計資料加工的順序,以作為製程資訊102。
圖5A~圖5D為製程資訊的登錄例。圖5A~圖5D的製程資訊,係為當將圖3的設計資料的「Process」(305)項目指定為「有」的情形下所設定之資料。圖5A~圖5D的製程資訊,係與圖3的設計資料300的「Layer No.」(301)建立關連而登錄。
圖5A~圖5D的製程資訊,可設計成在樣板作成裝置120的顯示器等中統一顯示登錄,亦可個別顯示及設定。另,所登錄之製程資訊係存儲於樣板作成裝置120的記憶部122。
圖5A為「蝕刻2次」情形下的製程資訊一例。此外,圖5B為「間隙壁追加2次」情形下的製程資訊一例。此外,圖5C為SAQP情形下的製程資訊一例。此外,圖5D為DSA情形下的製程資訊一例。
如圖5A~圖5D所示,製程資訊500包含製程順序501、製程502、處理順序503、處理內容504、參數505作為其構成項目。舉例來說,製程資訊500係包含圖樣變形、圖樣追加、圖樣刪除的至少1者,以作為處理內容504。
製程資訊500的登錄當中,係登錄製程順序501及製程502,再設定樣板作成所必需之處理順序503、處理內容504、參數505等資訊。樣板是依照處理順序503、處理內容504、參數505來處理而作成。按照這樣的構成,便可將製程順序納入考量而做設計資料的加工。此外,亦可對每個製程設定參數,對每個製程進行不同的加工處理。
另,本實施例當中,是將製程502與處理內容504建立關連而登錄,但亦可不登錄製程順序501及製程502,而是僅設定複數個處理順序503及處理內容504及參數505來因應。舉例來說,亦可設定處理順序503及處理內容504,而對處理內容504備註與製程有關之資訊等以便理解。
另,在蝕刻圖樣的情形中,亦可基於阻劑的設計資料,不進行阻劑圖樣的變形而是直接變形成蝕刻圖樣的形狀。舉例來說,當欲使用阻劑圖樣的設計資料,作成與蝕刻處理後的圖樣相對應之樣板的情形下,亦可基於阻劑圖樣的設計資料,摒除阻劑圖樣之變形處理,而以藉由1次的變形處理而成為蝕刻處理後形狀之方式來實施變
形處理。另,圖5A例子中,變形處理之設定,是設定為不進行阻劑圖樣的變形而是藉由蝕刻處理來實施變形處理,但亦可登錄成「阻劑及蝕刻」之處理。
此外,當利用附有OPC(Optical Proximity Correction:光學鄰近效應修正)的設計資料的情形下,作為阻劑圖樣的變形處理,亦可藉由模擬等來對阻劑圖樣的形狀實施變形處理,其後以蝕刻進行變形處理。
圖6A~圖6D為對於圖5A~圖5D中設定之製程及處理內容登錄參數資訊的例子。圖6A~圖6D的參數資訊,係為當將圖5A~圖5D的製程資訊500的參數505項目指定為「有」的情形下所設定之資料。圖6A~圖6D的參數資訊,係與圖5A~圖5D的製程502建立關連而登錄。
圖6A~圖6D的參數資訊,可設計成在樣板作成裝置120的顯示器等中統一顯示登錄,亦可個別顯示及設定。另,所登錄之參數資訊係存儲於樣板作成裝置120的記憶部122。
圖6A為「蝕刻2次」情形下的參數資訊一例。此外,圖6B為「間隙壁追加2次」情形下的參數資訊一例。此外,圖6C為SAQP情形下的參數資訊一例。此外,圖6D為DSA情形下的參數資訊一例。
如圖6A~圖6D所示,參數資訊600包含處理順序601、處理內容602、參數603作為其構成項目。是故,可因應圖樣的變形、除去、追加等處理內容來設定
不同的參數,也就是說,可設定與製程的處理內容相應之參數。樣板是依照參數的輸入值而作成,故可作成與圖樣形狀乖離較少的樣板。此外,處理內容602及參數603可因應製程或設計資料來擴充對應。
圖7A~圖7D為對於圖5A中設定之製程及處理內容登錄參數資訊的另一例子。當圖樣尺寸或形狀有變動(variety)的情形下,亦可如圖7B所示設定複數個參數值、或如圖7D所示藉由自動(Auto)來變更值以進行樣板的作成。舉例來說,自動(Auto)的情形下,亦可使參數在規定的數值幅度內變化。此外,如圖7C所示,亦可設定因製程影響所造成之圖樣形狀、尺寸、位置等變動值(例如,相對於設計資料的尺寸或目的尺寸而言為±10%、或±10nm等),以便考量變動而進行複數片樣板之作成及圖像處理。
另,樣板作成裝置120亦可構成為,從藉由試料觀察裝置110等所取得之圖像、及從樣板所使用之設計資料101,自動地抽出變形處理等參數資訊。樣板作成裝置120,亦可將自動抽出之參數資訊事先存儲於記憶部122以作為資料庫。如此一來,對於同樣形狀的圖樣作成樣板時,參數設定便變得容易。
此外,由於逐個登錄複數個製程資訊十分繁雜,故為了使製程資訊102(製程的處理內容、及與其相應之參數)的設定變得容易,亦可對數個種類的製程處理事先予以資料庫化。舉例來說,在樣板作成裝置120的記
憶部122,亦可以資料庫的形式存儲有(1)蝕刻2次、(2)間隙壁追加2次、(3)SADP、(4)SAQP、(5)DSA(微縮(shrink)製程)、(6)DSA(細分化(subdivision)製程)等與製程相應之製程資訊及該些製程資訊的組合。操作者亦可從資料庫適當選擇參數來登錄。
此外,有關SADP或SAQP等製程,亦可將處理內容予以圖樣化,並將最終形成之圖樣的尺寸或間隔、形狀資訊設定至處理內容及參數來因應。
以下作為第1實施例,說明實施2次蝕刻處理而作成之圖樣的樣板的作成例。本實施例中揭示,將阻劑圖樣予以蝕刻處理加工時,藉由第1次的蝕刻處理來作成蝕刻圖樣後,藉由第2次的蝕刻處理來除去圖樣邊緣的例子。
圖8A為進行2次蝕刻處理時之設計資料300登錄例。此外,圖8B為進行2次蝕刻處理時之製程資訊500登錄例。製程資訊500當中,對於設計資料300,係設定成依序執行「蝕刻(第1次)」、及「蝕刻(第2次)」。
此外,圖8C為進行2次蝕刻處理時之參數資訊600登錄例。「圖樣變形」的參數603中,在「Resize」設定尺寸變形的量、在「Smoothing」設定角隅的圓角量、在「Edge Width」設定邊緣寬幅的值、在「Edge Shape」設定邊緣形狀。此外,「圖樣除去」的參
數603中,在「資料1(對象)」設定欲作為對象之資料,在「資料2(除去)」設定為了除去而使用之資料、在「Edge Width」設定邊緣寬幅的值、在「Edge Shape」設定邊緣形狀。
圖9為進行2次蝕刻處理的情形下之樣板作成例。以下處理的主體,為樣板作成裝置120的樣板作成部121。樣板作成部121藉由變形處理對阻劑圖樣的設計資料901執行變形處理,以作成藉由第1次蝕刻處理所作成之形狀的圖樣911。其後,樣板作成部121藉由第2次蝕刻處理除去Cut Mask(902)的部分,作成第2次蝕刻後的圖樣912的圖像。
關於第1次蝕刻處理之變形處理,是藉由與專利文獻1同樣的手法來進行尺寸、角隅、邊緣之變形來執行。另,本實施例當中,如圖8C所示,參數603中,在「Resize」設定尺寸變形的量、在「Smoothing」設定角隅的圓角量、在「Edge Width」設定邊緣寬幅的值、在「Edge Shape」設定邊緣形狀。樣板作成部121係利用該些參數資訊來執行變形處理。
本實施例當中,對於藉由第1次蝕刻而變形後的圖樣911,係藉由第2次蝕刻來除去Cut Mask部分的圖樣而作成圖樣912的圖像。是故,圖9例子中,係為對於第1次蝕刻後的「Target(Layer No.=1)」的圖樣,除去「Cut Mask(Layer No.=50)」部分之處理。此處,藉由第2次蝕刻除去而生成之邊緣912a,可藉由設
定圖樣除去的參數的「Edge Width」及「Edge Shape」,來加工成與第1次蝕刻處理後的邊緣912b不同之形狀。也就是說,可做與複數個製程相對應之邊緣形狀加工。
圖10為進行2次蝕刻處理的情形下之樣板作成另一例。如圖10所示,對於藉由第1次蝕刻作成之圖樣911,亦可不除去藉由第2次蝕刻而除去之部分,而是將藉由第2次蝕刻而除去之部分913保持成為資訊。在此情形下,例如圖樣計測部111亦可對於圖樣911以部分913來遮蓋(mask),藉此進行圖樣檢測(圖像辨識處理)。也就是說,作為圖樣檢測用的樣板,亦可保持第1次蝕刻後的圖樣形狀911之資訊、及保持藉由第2次蝕刻而除去之「Cut Mask」部分913之資訊,亦可因應第1次蝕刻狀況來對圖樣檢測用圖像之作成進行調整。如此一來,便可在圖樣檢測的前一刻適當地調節樣板以檢測圖樣。
另,上述當中,係說明圖樣計測部111是在圖樣檢測前一刻對於圖樣911以部分913來遮蓋之例子,但並不限定於此一處理。舉例來說,作為樣板的資訊,亦可將圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種資訊傳輸至圖樣計測部11。在此情形下,圖樣計測部111在圖樣檢測的前一刻,便能執行圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1個製程,以作成最終的樣板。
當欲刻意改變圖樣形狀而作成的情形下,或當欲因應製程變動所造成之尺寸或形狀變化的情形下,亦
可將變形的參數設定成任意(Auto)以自動地變更。在此情形下,於圖樣檢測時可自動地變更尺寸來檢測圖樣。此外,亦可藉由事先設定複數個參數、或預先輸入變動幅度,來作成複數個樣板的資料以作為樣板,並利用複數個樣板來進行圖樣檢測。
此外,圖18為進行2次蝕刻處理的情形下之樣板作成另一例。除上述方法以外,亦可利用從阻劑圖樣的設計資料1801中將藉由第2次蝕刻而除去之圖樣1802予以除去所作成之設計資料1803。在此情形下,對於設計資料1803執行與第1次蝕刻處理相對應之變形處理,藉此便能作成最終的圖樣1813。此處,亦可因應第1次及第2次被蝕刻之圖樣的位置,來變更變形的條件以便因應。舉例來說,對於第2次被蝕刻的部分,亦可進行不做變形處理等設定。此外,亦可針對每個圖樣的部位變更變形處理的參數。
像這樣,當製程資訊102包含第1次蝕刻處理之資訊、及第2次蝕刻處理之資訊的情形下,樣板作成部121可執行第1處理,亦即在第1次蝕刻處理(變形處理)之後進行第2次蝕刻處理(刪除處理);或執行第2處理,亦即在第2次蝕刻處理(刪除處理)後進行第1次蝕刻處理(變形處理)。本例當中係為變形處理與刪除處理之組合,但例如圖樣的追加處理與圖樣的刪除處理之組合,亦可同樣地將製程的處理順序調換來作成樣板。
由上所述,本實施例當中,對於進行了複數
次製程處理(實施2次蝕刻處理)之圖樣,能夠將製程納入考量而適當地進行圖樣追加、除去、變形等處理,來作成圖像處理用的樣板。如此一來,便能穩定地進行圖樣檢測。
本實施例當中,說明堆積複數次間隙壁而成的圖樣的樣板之作成例。圖11A為使間隙壁的堆積2次的情形下之設計資料300登錄例。此外,圖11B為使間隙壁的堆積2次的情形下之製程資訊500登錄例。製程資訊500當中,對於設計資料300,係設定成依序執行「蝕刻」、「間隔材1追加」、及「間隔材2追加」。
此外,圖11C為使間隙壁的堆積2次的情形下之參數資訊600登錄例。對於已說明的參數資訊,省略說明之。「間隙壁1追加」的參數603中,在「Spacer Width」中設定間隙壁的寬幅、在「Boundary(I:Inside)」中設定圖樣與間隙壁1的交界資訊、在「Edge Width(O:Outside)」中設定間隙壁外側的邊緣寬幅、在「Edge Shape(O:Outside)」設定間隙壁外側的邊緣形狀。有關「間隙壁2追加」的參數603亦同。
此外,圖12為使間隙壁堆積2次時之樣板作成例。以下處理的主體,為樣板作成裝置120的樣板作成部121。圖12的樣板作成中,首先,對阻劑圖樣的設計資料1201執行變形處理,以作成藉由蝕刻處理加工時之
圖樣1202。接著,對於蝕刻處理後的圖樣1202,執行附加間隙壁1(1203)之加工處理。其後,作成在間隙壁1(1203)的外側附加間隙壁2(1204)而成之圖像。此處,當間隙壁1(1203)與間隙壁2(1204)為接觸的情形下,藉由參數603的設定等,可使間隙壁2(1204)的形狀也配合間隙壁1(1203)的形狀而變形。最後,作成對附加了間隙壁2的圖像進行邊緣抽出而成之圖像,以作為樣板。
「間隙壁1追加」的參數603中,在「Boundary(I)」中設定圖樣1202與間隙壁1(1203)之交界資訊;「間隙壁2追加」的參數603中,在「Boundary(I)」設定間隙壁1(1203)與間隙壁2(1204)之交界資訊。
當欲作成圖樣檢測用的樣板圖像的情形下,樣板作成部121能夠利用「Boundary(I)」的參數來作成圖樣檢測用之樣板,而使得附加間隙壁前的圖樣與間隙壁部分的對比度(灰階)不同。如此一來,便能辨識圖樣與間隙壁之交界以進行圖樣檢測。
舉例來說,當圖樣1202與間隙壁1(1203)之間的交界、或間隙壁1(1203)與間隙壁2(1204)之間的交界能夠藉由高低差或材質不同來明確判別的情形下,在「Boundary(I)」設定為「Clear」。如圖12所示,當在「間隙壁2追加」的Boundary(I)設定為「Clear」的情形下,會追加與間隙壁1(1203)對比度不
同之間隙壁2(1204),藉此作成圖像。
另一方面,在無法判別交界的圖樣當中,在「Boundary(I)」設定為「None」。如圖12所示,當在「間隙壁2追加」的Boundary(I)設定為「None」的情形下,會追加與間隙壁1(1203)對比度相同之間隙壁2(1204),藉此作成圖像。
此外,當圖樣1202與間隙壁1(1203)之間的交界狀態、及間隙壁1(1203)與間隙壁2(1204)之間的交界狀態不確定的情形下,亦可將「Boundary(I)」設定為「Auto」。在此情形下,樣板作成部121會作成區別出交界之樣板、及不區別出交界之樣板這樣複數個樣板。如此一來,便可利用複數個樣板來做圖樣檢測。
另,亦可利用來自試料觀察裝置110的拍攝圖像,將間隙壁部分的交界(Boundary)或邊緣的形狀(Edge Shape)等外觀上的資訊,事先存儲於記憶部122以作為資料庫。如此一來,便可容易地進行參數設定。
另,除了使用樣板圖像來做圖樣檢測之方法以外,亦可將圖像的訊號化為波形,由訊號波形的形狀或峰值位置、振幅來進行圖樣檢測。在此情形下,亦可從事先取得之拍攝圖像,將波形資訊預先存儲於記憶部122以作為資料庫。藉由使用該資料庫,便可做圖樣檢測。
按照本實施例,係登錄CAD等設計資料中所沒有的資訊,即關於間隙壁等之製程資訊,並利用該製程
資訊來作成樣板。利用該樣板來進行圖樣檢測,藉此,對於僅靠設計資料的變形無法因應之圖樣,仍能穩定地進行圖樣檢測。
本實施例當中,說明間隙壁製程的SAQP的樣板之作成例。圖13A為SAQP的設計資料300登錄例。此外,圖13B為SAQP的製程資訊500登錄例。製程資訊500當中,對於設計資料300,係設定成依序執行「蝕刻」、「間隔材1追加」、「圖樣除去」、「間隔材2追加」、及「間隔材1除去」。此外,圖13C為SAQP的參數資訊600登錄例。有關參數的內容,係與上述實施例相同。
圖14為SAQP的情形下之樣板作成例。本實施例當中,是依據SAQP的核心圖樣的設計資料1401,來作成SAQP的圖樣檢測用樣板。以下處理的主體,為樣板作成裝置120的樣板作成部121。
首先,作成欲附加間隙壁之核心圖樣。對阻劑圖樣的設計資料1401做變形處理,以作成藉由蝕刻處理加工時之圖樣1402。接著,對於蝕刻處理後的圖樣1402,附加間隙壁1(1403)。
接著,藉由圖樣除去之處理,除去已附加間隙壁1(1403)之核心圖樣1402。另,核心圖樣1402與間隙壁1(1403)相接之部分的邊緣,能夠藉由「圖樣除去」的參數603的資訊來設定邊緣寬幅或形狀。SADP的
情形下,藉由追加間隙壁1及除去核心圖樣之處理即已完畢,但在SAQP當中,除去核心圖樣1402後還會在間隙壁1(1403)附加間隙壁2(1404)。間隙壁1(1403)與間隙壁2(1404)的交界的參數、或間隙壁2(1404)的邊緣的資訊,亦可以參數資訊600的參數603來設定。
接著,最後除去間隙壁1(1403)而作成僅有間隙壁2(1404)之圖樣,並將作成的圖像登錄成為樣板。另,除去間隙壁1(1403)時與間隙壁2(1404)相接之部分的邊緣寬幅或形狀資訊,可在「間隙壁1除去」的參數603中設定。
本實施例當中,當在線圖樣上附加間隙壁的情形下,作為間隙壁的邊緣資訊,能夠區別線側的邊緣形狀與間隔(space)側的邊緣形狀之差異。另,亦可將邊緣形狀之差異事先存儲於記憶部122以作為資料庫。藉由將該資料庫使用於樣板作成,於圖樣檢測中,便能利用反映了間隙壁的邊緣資訊之樣板,就結果而言可穩定地進行圖樣檢測。
另,當間隙壁的左右的邊緣形狀不同的情形下,由圖像的訊號所作成之波形會成為非對稱,故利用波形資訊之圖樣檢測亦有效。除了使用樣板圖像來做圖樣檢測之方法以外,亦可將圖像的訊號化為波形,由訊號波形的形狀或峰值位置、振幅來進行圖樣檢測。
此外,有關製程及處理內容的登錄,在SADP、SAQP等當中,由於是以核心圖樣作為基準,故亦
可以下述方法來因應,即,不輸入中間處理所生成之圖樣尺寸,而是視製程不同來登錄最終完成之圖樣的間距(pitch)寬幅、線寬、間隔(space)寛幅、邊緣資訊等。
按照本實施例,係登錄CAD等設計資料中所沒有的資訊,即關於核心圖樣及間隙壁部分等之製程資訊,並利用該製程資訊來作成樣板。如此一來,便可作成SADP及SAQP用之樣板。
本實施例當中,說明以DSA(定向自組裝,Directed-self assembly)作成的圖樣的樣板之作成例。圖15A為DSA的設計資料300登錄例。此外,圖15B為DSA的製程資訊500登錄例。製程資訊500當中,對於設計資料300,係設定成依序執行「蝕刻」、及「BCP追加」。
此外,圖15C為DSA的參數資訊600登錄例。有關參數的內容,係與上述實施例相同。對於已說明的參數資訊,省略說明之。「BCP追加」的參數603中,在「資料1(對象)」中設定欲作為對象之資料、在「Type」中設定圖樣的種類(此處為縮小圖樣(Shrink))、在「Resize」中設定尺寸變形量、在「Boundary」中設定導引圖樣與BCP圖樣之間的交界資訊。
圖16為DSA的情形下之樣板作成例。以
DSA(Directed-self assembly)所作成之圖樣當中,在導引圖樣中會置入嵌段聚合物(BCP)來形成圖樣。導引圖樣中的BCP部分多半不以設計資料的形式存在。藉由在導引圖樣內追加以BCP部分所形成之圖樣資訊,來進行圖樣檢測。
本實施例當中,揭示在孔洞(hole)的導引圖樣中置入BCP而作成之孔洞微縮製程的設定例。以下處理的主體,為樣板作成裝置120的樣板作成部121。
首先,對導引圖樣的設計資料1601執行變形處理,以作成蝕刻後之導引圖樣1602。其後,在變形處理後之導引圖樣1602中追加BCP圖樣1603。圖16例子當中,是追加由已變形處理之導引圖樣1602進一步縮小50%而成之圖樣,以作為BCP圖樣1603。
另,「BCP追加」的參數603中,在「Boundary」中,當導引圖樣1602與BCP圖樣1603之間的交界1604能夠明確區別的情形下,在「Boundary」中設定「Clear」,當無法區別的情形下,則在「Boundary」中設定「None」。如此一來,便可指定交界的外觀。圖16例子中,是依據圖15C的參數603的設定,以交界1604能夠明確區別的方式來作成圖像。另,BCP部分的圖樣資訊,亦可設計成事先存儲於記憶部122以作為資料庫,而能夠從資料庫中選擇。
最後,作成對追加了BCP圖樣1603的圖像進行邊緣抽出而成之圖像,以作為樣板。本實施例為孔洞微
縮製程的例子,但對於線圖樣等的細分化製程同樣可適用。舉例來說,在「BCP追加」的參數603的設定中,將「Type」設定為「細分化」,藉此亦可在導引圖樣內追加BCP的細分化製程的圖樣。
按照本實施例,係登錄CAD等設計資料中所沒有的資訊,即關於DCP部分之製程資訊,並利用該製程資訊來作成樣板。如此一來,便可作成DSA用之樣板。
本實施例當中,說明對複數個層執行加工處理而作成樣板之例。圖17為將上層(Target)及下層(Lower)個別地進行加工處理之例。前提是,對於上層(Target)及下層(Lower)登錄有不同的製程資訊500。
在此情形下,首先,對上層(Target)的設計資料1701執行變形處理,以作成變形後之圖樣1711。其後,對圖樣1711執行邊緣抽出處理,作成邊緣抽出後之圖樣1721。
接著,對下層(Lower)的設計資料1702執行變形處理,以作成變形後之圖樣1712。其後,對圖樣1712執行邊緣抽出處理,作成邊緣抽出後之圖樣1722。最後,將上層(Target)之圖樣1721及下層(Lower)之圖樣1722疊合,藉此作成樣板。按照本實施例,可將上層(Target)與下層(Lower)個別進行加工處理,而將
上層及下層的資訊登錄成為樣板。
另,本發明並不限定於上述實施例,還包含各種變形例。舉例來說,上述實施例係為了簡單易懂地說明本發明而採詳細說明,未必限定一定要具備所說明之所有構成。此外,可將某一實施例之構成的一部分置換成其他實施例之構成,或亦可在某一實施例之構成中添加其他實施例之構成。此外,針對各實施例之構成的一部分,可追加、刪除、置換其他構成。
如上述般,本發明亦可藉由實現實施例的功能之軟體程式碼來實現。在此情形下,會將記錄著程式碼的記憶媒體提供給電腦等資訊處理裝置,該資訊處理裝置(或CPU)讀出存儲於記憶媒體中之程式碼。在此情形下,從記憶媒體讀出之程式碼本身會實現前述實施例的功能,該程式碼本身、及記憶其之記憶媒體會構成本發明。用來供給這樣的程式碼之記憶媒體,例如可使用軟碟片、CD-ROM、DVD-ROM、硬碟、光碟、光磁碟、CD-R、磁帶、非揮發性記憶體卡片、ROM等。此外,實施例之構成,亦可將其一部分或全部例如藉由積體電路來設計等而以硬體實現。
又,亦可設計成將實現實施例的功能之軟體程式碼經由網路發送,藉此將其存儲於資訊處理裝置的記憶裝置或CD-RW、CD-R等記憶媒體中,於使用時該資訊處理裝置的CPU則讀出存儲於該記憶裝置或該記憶媒體中之程式碼以執行。
本技術領域中具有通常技藝者,應可明瞭適合實施本發明之硬體、軟體、及韌體有許多種組合。舉例來說,實現本實施例所記載之功能的程式碼,能夠藉由組譯器(assembler)、C/C++、perl、Shell、PHP、Java(註冊商標)等廣範圍的程式或描述語言(script language)來實作。
此外,圖面中的控制線或資訊線,係揭示說明上認為有必要者,製品上未必一定揭示所有的控制線或資訊線。所有構成亦可相互連接。
110‧‧‧試料觀察裝置
111‧‧‧圖樣計測部
120‧‧‧樣板作成裝置
121‧‧‧樣板作成部
122‧‧‧記憶部
Claims (12)
- 一種試料觀察裝置用之樣板作成裝置,係利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其特徵為,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;前述有關複數個製程處理之資訊,係包含有關製程的處理順序之資訊、及有關製程的處理內容之資訊、及有關製程的參數之資訊。
- 一種試料觀察裝置用之樣板作成裝置,係利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其特徵為,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;前述有關複數個製程處理之資訊,係包含圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種製程之資訊,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含對於第1圖樣追加第2圖樣的製程之資訊,前述樣板作成部,是以可區別前述第1圖樣及前述第2圖樣的形式,來作成前述樣板。
- 如申請專利範圍第2項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述樣板作成部,是以前述第1圖樣及前述第2圖樣成為不同對比度(contrast)的方式,來作成前述樣板。
- 一種試料觀察裝置用之樣板作成裝置,係利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其特徵為,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;前述有關複數個製程處理之資訊,係包含圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種製程之資訊,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含對於第1圖樣追加第2圖樣的製程之資訊,前述樣板作成部,作為前述加工處理,當以和第1圖樣接觸的方式來追加第2圖樣的情形下,係配合前述第1圖樣的形狀來使前述第2圖樣變形。
- 一種試料觀察裝置用之樣板作成裝置,係利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其特徵為,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加 工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;前述有關複數個製程處理之資訊,係包含圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種製程之資訊,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含將第1圖樣變形或追加第1圖樣的製程之資訊、及刪除第2圖樣的製程之資訊,前述樣板作成部,係執行下述的其中一者:第1處理,亦即將前述第1圖樣變形或追加第1圖樣後刪除前述第2圖樣;或第2處理,亦即將前述第2圖樣刪除後將第1圖樣變形或追加第1圖樣。
- 一種試料觀察裝置用之樣板作成裝置,係利用設計資料來作成圖像處理用的樣板,該試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其特徵為,具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;前述有關複數個製程處理之資訊,係包含圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種製程之資訊,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含對於第1圖樣刪除第2圖樣的製程之資訊,前述樣板作成部,係在前述第1圖樣中圖樣被刪除之區域、及前述第1圖樣中圖樣不被刪除之區域,執行不同的變形處理。
- 如申請專利範圍第6項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述圖樣被刪除之區域,係為前述第1圖樣中圖樣被刪除之邊緣(edge);前述圖樣不被刪除之區域,係為前述第1圖樣中圖樣不被刪除之邊緣。
- 如申請專利範圍第1項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含有關第1層的製程之資訊、及有關位於前述第1層下方的第2層的製程之資訊,前述樣板作成部,是將前述第1層及前述第2層個別做加工處理,並將已經前述加工處理的前述第1層之圖像及前述第2層之圖像疊合,藉此作成前述樣板。
- 如申請專利範圍第1項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述有關製程的參數之資訊中,對於1個參數包含複數個參數之資訊、或對於1個參數包含有關變動性(variety)之資訊,前述樣板作成部,是利用前述複數個參數、或有關前述參數的變動性之資訊,來作成複數個前述樣板。
- 如申請專利範圍第1項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述樣板作成部,是將前述有關製程的參數之資訊在規定幅度內自動地變更,藉此作成複數個前述樣板。
- 如申請專利範圍第1項所述之試料觀察裝置用之樣板作成裝置,其中,前述有關製程的參數之資訊,係為從前述試料觀察裝置的拍攝圖像及從前述設計資料抽出之資訊。
- 一種試料觀察裝置,係具備利用設計資料來作成圖像處理用的樣板之樣板作成裝置,該樣板作成裝置具備:記憶部,存儲著製程資訊,該製程資訊定義有關複數個製程處理之資訊;及樣板作成部,利用前述製程資訊對前述設計資料做加工處理,以作成前述圖像處理用的樣板;該試料觀察裝置,其特徵為:具備圖樣檢測部,對於利用前述樣板而以前述試料觀察裝置取得之圖像,執行圖像辨識處理,前述圖樣檢測部,對於從前述樣板作成裝置取得之前述樣板,執行圖樣變形、圖樣追加、及圖樣刪除的至少1種處理,前述有關複數個製程處理之資訊,係包含對於第1圖樣刪除第2圖樣的製程之資訊,前述樣板作成部,係作成前述第1圖樣的圖像、及有關前述第2圖樣之資訊,以作為前述樣板,前述圖樣檢測部,係利用從前述第1圖樣的圖像中刪除前述第2圖樣而成之樣板,來執行前述圖像辨識處理。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013132829 | 2013-06-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201510938A TW201510938A (zh) | 2015-03-16 |
TWI544452B true TWI544452B (zh) | 2016-08-01 |
Family
ID=52141568
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW103116707A TWI544452B (zh) | 2013-06-25 | 2014-05-12 | A sample preparation device for a sample observation apparatus, and a sample observation apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160140287A1 (zh) |
JP (1) | JP6109310B2 (zh) |
TW (1) | TWI544452B (zh) |
WO (1) | WO2014208216A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3862814A1 (en) * | 2020-02-10 | 2021-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Multi-step process inspection method |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7149340B2 (en) * | 2002-09-20 | 2006-12-12 | Lsi Logic Corporation | Mask defect analysis for both horizontal and vertical processing effects |
JP4357287B2 (ja) * | 2003-12-18 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 修正指針の発生方法、パターン作成方法、マスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP4758358B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-08-24 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル設計データにおける欠陥を検出するためのコンピュータに実装される方法 |
JP4904034B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
US7642019B2 (en) * | 2005-04-15 | 2010-01-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for monitoring and adjusting focus variation in a photolithographic process using test features printed from photomask test pattern images; and machine readable program storage device having instructions therefore |
US7695876B2 (en) * | 2005-08-31 | 2010-04-13 | Brion Technologies, Inc. | Method for identifying and using process window signature patterns for lithography process control |
JP4634289B2 (ja) * | 2005-11-25 | 2011-02-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体パターン形状評価装置および形状評価方法 |
JP2007218711A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Hitachi High-Technologies Corp | 電子顕微鏡装置を用いた計測対象パターンの計測方法 |
US8102408B2 (en) * | 2006-06-29 | 2012-01-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs |
US8566754B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-10-22 | Synopsys, Inc. | Dual-purpose perturbation engine for automatically processing pattern-clip-based manufacturing hotspots |
JP2010032312A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Toshiba Corp | パターン評価装置、パターン評価方法およびプログラム |
JP5500858B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2014-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置 |
JP5604067B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2014-10-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | マッチング用テンプレートの作成方法、及びテンプレート作成装置 |
US8336003B2 (en) * | 2010-02-19 | 2012-12-18 | International Business Machines Corporation | Method for designing optical lithography masks for directed self-assembly |
US20130170757A1 (en) * | 2010-06-29 | 2013-07-04 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method for creating template for patternmatching, and image processing apparatus |
US10283437B2 (en) * | 2012-11-27 | 2019-05-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Metal density distribution for double pattern lithography |
-
2014
- 2014-05-12 TW TW103116707A patent/TWI544452B/zh active
- 2014-05-19 WO PCT/JP2014/063208 patent/WO2014208216A1/ja active Application Filing
- 2014-05-19 JP JP2015523918A patent/JP6109310B2/ja active Active
- 2014-05-19 US US14/898,229 patent/US20160140287A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201510938A (zh) | 2015-03-16 |
WO2014208216A1 (ja) | 2014-12-31 |
JP6109310B2 (ja) | 2017-04-05 |
JPWO2014208216A1 (ja) | 2017-02-23 |
US20160140287A1 (en) | 2016-05-19 |
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