JP2016057534A - 圧縮支援方法、圧縮支援プログラム、および圧縮支援装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ＯＰＣ後のマスクパターンを少ないデータ量で規定すること。【解決手段】支援装置１００は、設計データを取得する。支援装置１００は、設計データに基づいて、複数の配線のうち、配線間で光近接効果の影響範囲に存在する配線同士が同一グループに含まれるように、複数の配線を複数のグループに分類する。支援装置１００は、分類した複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の配線のそれぞれの配線の形状と配線間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する。これにより、支援装置１００は、ＯＰＣが行われ、それぞれのグループに属する複数の配線のそれぞれの配線の形状が変更されても、グループ間でグループに属する複数の配線のそれぞれの配線のＯＰＣ後の配線の形状と配線間の位置関係とが一致する組み合わせを特定することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、圧縮支援方法、圧縮支援プログラム、および圧縮支援装置に関する。

従来、設計対象回路の基板に転写される複数のパターンを含むマスクパターンを規定した設計データの検証工程において、パターンの間隔やパターンの幅などについてチェックするＤＲＣ（Ｄｅｓｉｇｎ Ｒｕｌｅ Ｃｈｅｃｋ）が行われる。また、設計データの検証工程において、設計対象回路内で光近接効果（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｅｆｆｅｃｔ）の影響がある箇所をチェックしてマスクパターンを補正する光近接効果補正（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ（以下、省略して「ＯＰＣ」とする。））が行われる。また、従来、例えば、レイアウトした各機能ブロックの露光データの周囲にデータ抽出領域を設け、データ抽出領域によって抽出されたデータを、近接効果補正のための参照データとして用いる技術が公知である。

特開平２−２７６２６２号公報

しかしながら、上述した従来技術では、マスクパターンに対してＯＰＣを行って補正したＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量が増大してしまうことがある。このため、例えば、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するデータを一定期間保存しようとすると、大容量の記憶装置を用意することになり設備コストが増大してしまう。また、例えば、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するデータを、記憶装置に対して読み書きしたり、外部装置に対して送受信する際にかかる時間が増大してしまう。

１つの側面では、本発明は、ＯＰＣ後のマスクパターンを少ないデータ量で規定することができる圧縮支援方法、圧縮支援プログラム、および圧縮支援装置を提供することを目的とする。

本発明の一側面によれば、基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する圧縮支援方法、圧縮支援プログラム、および圧縮支援装置が提案される。

本発明の一態様によれば、ＯＰＣ後のマスクパターンを少ないデータ量で規定することができるという効果を奏する。

図１は、本実施の形態にかかる圧縮支援方法の一例を示す説明図である。 図２は、支援装置１００のハードウェアの一例を示すブロック図である。 図３は、支援装置１００の機能的構成例を示すブロック図である。 図４は、設計データ４００のデータ構造の一例を示す説明図である。 図５は、複数のグループに分類する一例を示す説明図である。 図６は、分類データ６００のデータ構造の一例を示す説明図である。 図７は、グループの組み合わせを特定する一例を示す説明図である。 図８は、ＯＰＣデータ８００のデータ構造の一例を示す説明図である。 図９は、圧縮データを生成する一例を示す説明図である。 図１０は、圧縮データ１０００のデータ構造の一例を示す説明図である。 図１１は、圧縮処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１２は、分類処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１３は、特定処理手順の一例を示すフローチャートである。 図１４は、生成処理手順の一例を示すフローチャートである。

以下に、図面を参照して、本発明にかかる圧縮支援方法、圧縮支援プログラム、および圧縮支援装置の実施の形態を詳細に説明する。

（圧縮支援方法の一例）
図１は、本実施の形態にかかる圧縮支援方法の一例を示す説明図である。ここで、設計データの検証工程において、設計対象回路内で光近接効果の影響がある箇所をチェックしてマスクパターンを補正するＯＰＣが行われることがある。設計データは、設計対象回路の基板のいずれかの層に転写される複数のパターンを含むマスクパターンを規定したマスクレイアウトデータである。基板の層は、例えば、配線層、アクティブ層、ビア層、メタル層などである。パターンは、基板のいずれかの層に転写される図形である。図形は、例えば、配線層に転写される場合は配線の図形である。ここで、配線とは、配線層に形成される配線の他、例えばトランジスタのゲート電極、パッド電極、配線と別の配線、アクティブ層、ゲート電極、パッド電極、アクティブ層等とを接続するビア等を含む。また、図形は、例えば、アクティブ層に転写される場合は素子の図形である。

しかしながら、ＯＰＣが行われることにより、パターンの形状が複雑化してパターンの頂点の個数が増加したり、アシストパターンやダミーパターンが挿入されて、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量が膨大になってしまう。アシストパターンは、解像度を向上させ光近接効果を抑制するために挿入される、電気信号の伝達には関係しないパターンである。ダミーパターンは、基板上の平坦性を向上させるために挿入される、電気信号の伝達には関係しないパターンである。具体的には、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量が数百ＧＢになってしまうこともある。

このため、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定したＯＰＣ後の設計データを記憶するために大容量の記憶装置を用意することになり、設備コストが増大してしまうことがある。また、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定したＯＰＣ後の設計データを、記憶装置から読み出したり、記憶装置に書き込んだり、外部装置から受信したり、外部装置に送信する際にかかる時間が増大してしまうことがある。以下の説明では、ＯＰＣ後の設計データを「ＯＰＣデータ」と表記する場合がある。

そこで、本実施の形態では、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量の低減を支援することができる圧縮支援方法について説明する。また、本実施の形態では、配線層のマスクパターンを例に挙げて、圧縮支援方法について説明する。

図１の例では、圧縮支援装置１００は、圧縮支援プログラムを実行し、圧縮支援方法を実現するコンピュータである。以下の説明では、圧縮支援装置１００を「支援装置１００」と表記する場合がある。

図１の例では、支援装置１００は、設計データを取得する。設計データは、基板のいずれかの層に転写される複数のパターンを含むマスクパターンを規定したマスクレイアウトデータである。基板の層は、例えば、配線層、アクティブ層、ビア層、メタル層などである。パターンは、配線層に転写される場合は、配線を示す多角形である。

以下の説明では、設計データは、基板の配線層に転写される複数の配線を含むマスクパターンを規定するデータであるとする。設計データは、例えば、複数の配線のそれぞれの配線の形状と配線の位置とを規定する。設計データは、例えば、ＧＤＳＩＩの形式で記述される。

設計データは、複数の配線を含むマスクパターンを階層構造にして規定してもよい。設計データは、例えば、最上位の階層１１０を規定し、最上位の階層１１０に配置される下位の階層１２０，１３０，１４０を規定する。下位の階層１２０は、最上位の階層１１０において４箇所に配置される。下位の階層１３０は、最上位の階層１１０において１箇所に配置される。下位の階層１４０は、最上位の階層１１０において１箇所に配置される。

設計データは、同一の階層が、複数の位置に配置される場合には、当該階層に属する複数の配線のそれぞれの配線の形状と位置とを１回規定し、当該階層が配置された複数の位置のそれぞれの位置を規定する。これにより、基板上の配線層に転写される全ての配線のそれぞれの配線の形状と位置とを用いてマスクパターンを規定する場合に比べて、マスクパターンを規定するためのデータ量は低減される。

図１の例では、（１）支援装置１００は、設計データに基づいて、複数の配線のうち、配線間で光近接効果の影響範囲に存在する配線同士が同一グループに含まれるように、複数の配線を複数のグループに分類する。支援装置１００は、例えば、配線間で光近接効果の影響範囲に存在する配線１２１，１２２，１３１を、グループ１５１に含まれるように分類する。支援装置１００は、同様に、配線１２３，１２４，１３２をグループ１５２に含まれるように分類する。支援装置１００は、同様に、配線１２５，１２６，１３３，１４１をグループ１５３に含まれるように分類する。支援装置１００は、同様に、配線１２７，１２８，１３４，１４２をグループ１５４に含まれるように分類する。

（２）支援装置１００は、分類した複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の配線のそれぞれの配線の形状と配線間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する。支援装置１００は、例えば、グループ１５１，１５２の組み合わせを特定する。また、支援装置１００は、グループ１５３，１５４の組み合わせを特定する。組み合わせは、３つ以上のグループを含んでもよい。

これにより、支援装置１００は、ＯＰＣ後にそれぞれのグループに属する複数の配線のそれぞれの配線の形状が変更されても、グループ間でグループに属する複数の配線のそれぞれの配線の形状と配線間の位置関係とが一致する組み合わせを特定することができる。換言すれば、支援装置１００は、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができる。

支援装置１００は、例えば、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層１６０として規定することができるグループ１５１，１５２の組み合わせを特定することができる。また、支援装置１００は、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層１７０として規定することができるグループ１５３，１５４の組み合わせを特定することができる。

結果として、支援装置１００は、階層１６０，１７０のそれぞれの階層に属する複数の配線の形状と位置とを１回規定した配線パターン情報と、それぞれの階層が配置された位置を規定した階層情報とを生成すればよい。

そして、支援装置１００は、階層ごとに、階層情報と、配線パターン情報とを対応付けた圧縮データを生成して、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定することができる。このため、支援装置１００は、ＯＰＣが行われた後の全ての配線のそれぞれの配線の形状と位置とを用いてＯＰＣ後のマスクパターンを規定する場合に比べて、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができる。

ここでは、支援装置１００が、基板の配線層に転写されるマスクパターンにＯＰＣを行って補正したＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減する場合について説明したが、これに限らない。例えば、支援装置１００は、基板のアクティブ層に転写されるマスクパターンにＯＰＣを行って補正したＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減してもよい。

ここで、従来の情報処理装置が、元々の設計データに規定された階層１２０，１３０，１４０を流用して、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減しようとする場合がある。しかしながら、この場合、元々の設計データでは同一の階層として扱うことができる場合であっても、ＯＰＣが行われることにより配線の形状が変化することがあるため、ＯＰＣデータでは同一の階層として扱うことができないことがある。例えば、元々の設計データでは、階層１２０として扱われた配線１２１，１２２のグループと配線１２５，１２６のグループとは、ＯＰＣデータでは配線の形状が異なるグループになり同一の階層として扱うことができない。結果として、従来の情報処理装置は、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができないことがある。一方で、支援装置１００によれば、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができ、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができる。

また、従来の情報処理装置が、階層間で光近接効果の影響範囲に存在する階層同士を結合し新たな階層として扱うことにより、ＯＰＣデータでも流用することができる階層を特定する場合がある。しかしながら、この場合、階層同士が密に配置されていたり、重なり合って配置されていると、階層同士を結合すると一つの大きな階層になってしまうことがある。例えば、階層１２０，１３０，１４０を結合すると一つの大きな階層になってしまい、全ての配線のそれぞれの配線の形状と位置とを規定することになってしまう。結果として、従来の情報処理装置は、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができないことがある。一方で、支援装置１００によれば、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができ、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができる。

（支援装置１００のハードウェア）
次に、図２を用いて、図１に示した支援装置１００のハードウェアの一例について説明する。

図２は、支援装置１００のハードウェアの一例を示すブロック図である。図２において、支援装置１００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２０１と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）２０２と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）２０３と、を有する。

また、支援装置１００は、さらに、ディスクドライブ２０４と、ディスク２０５と、インターフェース（Ｉ／Ｆ：Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）２０６と、入力装置２０７と、出力装置２０８とを有する。また、各構成部はバス２００によってそれぞれ接続されている。

ここで、ＣＰＵ２０１は、支援装置１００の全体の制御を司る。ＲＯＭ２０２は、ブートプログラム、本実施の形態にかかる圧縮支援プログラムなどの各種プログラムを記憶する。また、ＲＯＭ２０２は、例えば、設計データ、光学データなどの各種データを記憶する。光学データは、配線間で光近接効果が影響を与える配線間の距離に基づく光近接効果の影響範囲を規定するデータである。

ＲＡＭ２０３は、ＣＰＵ２０１のワークエリアとして使用される。また、ＲＡＭ２０３は、各種プログラムの実行により得られたデータなどの各種データを記憶する。ディスクドライブ２０４は、ＣＰＵ２０１の制御にしたがってディスク２０５に対するデータのリード／ライトを制御する。ディスク２０５は、ディスクドライブ２０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。ディスク２０５は、例えば、磁気ディスク、または光ディスクなどである。

Ｉ／Ｆ２０６は、通信回線を通じてネットワーク２１０に接続され、ネットワーク２１０を介して他の装置に接続される。そして、Ｉ／Ｆ２０６は、ネットワーク２１０と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ２０６には、例えば、モデムやＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）アダプタなどを採用することができる。

入力装置２０７は、キーボード、タッチパネルなど利用者の操作により、各種データの入力を行うインターフェースである。入力装置２０７は、マウス、スキャナなどであってもよい。出力装置２０８は、ＣＰＵ２０１の指示により、データを出力するインターフェースである。出力装置２０８は、例えば、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示するディスプレイである。出力装置２０８は、プリンタであってもよい。また、支援装置１００は、光ディスクドライブ、光ディスクを有してもよい。

（支援装置１００の機能的構成例）
次に、図３を用いて、支援装置１００の機能的構成例について説明する。

図３は、支援装置１００の機能的構成例を示すブロック図である。支援装置１００は、制御部となる機能として、取得部３０１と、分類部３０２と、特定部３０３と、生成部３０４と、出力部３０５とを含む。

取得部３０１は、設計データを取得する。設計データは、設計対象回路の基板のいずれかの層に転写される複数のパターンを含むマスクパターンを規定したマスクレイアウトデータである。基板の層は、例えば、配線層、アクティブ層、ビア層、メタル層などである。パターンは、基板のいずれかの層に転写される図形である。図形は、例えば、配線層に転写される場合は配線を示す多角形である。ここで、配線とは、配線層に形成される配線の他、例えばトランジスタのゲート電極、パッド電極、配線と別の配線、アクティブ層、ゲート電極、パッド電極、アクティブ層等とを接続するビア等を含んでもよい。また、図形は、例えば、アクティブ層に転写される場合は素子を形成するアクティブ領域の図形である。

設計データは、例えば、配線層のマスクパターンを規定する場合には、基板の配線層に転写される複数の配線のそれぞれの配線の形状と位置とを規定する。設計データは、具体的には、階層情報と配線パターン情報とを有する。階層情報は、階層識別情報と、階層が配置される位置を規定する階層座標情報とを有する。配線パターン情報は、階層識別情報と、複数の配線のそれぞれの配線を規定する階層内の配線識別情報と、複数の配線のそれぞれの配線の形状と位置を規定する階層内の配線座標情報とを有する。階層内の配線座標情報は、階層に属する複数の配線のいずれかの配線の複数の頂点のそれぞれの頂点を示す。以下の説明では、階層内の配線座標情報が示す、それぞれの頂点の座標を「配線座標」と表記する場合がある。設計データのデータ構造の一例については、図４に後述する。

取得部３０１は、例えば、入力装置２０７を用いた利用者の操作入力により入力され、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶された設計データを取得する。また、取得部３０１は、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に、予め記憶された設計データを取得してもよい。また、取得部３０１は、Ｉ／Ｆ２０６により、外部装置から設計データを受信してもよい。これにより、取得部３０１は、分類部３０２による分類対象になる複数の配線が規定された設計データを取得することができる。取得した設計データは、例えば、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。

また、取得部３０１は、ＯＰＣデータを取得してもよい。ＯＰＣデータは、設計データに規定されたマスクパターンにＯＰＣを行って得られた補正後のマスクパターンを規定したデータである。ＯＰＣデータは、基板の配線層に転写される、補正後の複数の配線のそれぞれの配線の形状と位置とを示すデータである。ＯＰＣデータは、基板の配線層に転写されるＯＰＣ後の配線を規定するＯＰＣ後の配線識別情報と、基板の配線層に転写されるＯＰＣ後の配線の形状と位置とを規定するＯＰＣ後の配線座標情報とを有する。ＯＰＣ後の配線座標情報は、ＯＰＣ後の複数の配線のいずれかの配線の複数の頂点のそれぞれの頂点の座標を示す。以下の説明では、ＯＰＣ後の配線座標情報が示す、それぞれの頂点の座標を「ＯＰＣ後の配線座標」と表記する場合がある。ＯＰＣデータのデータ構造の一例については、図８に後述する。

取得部３０１は、例えば、入力装置２０７を用いた利用者の操作入力により入力され、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶されたＯＰＣデータを取得する。また、取得部３０１は、ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に、予め記憶されたＯＰＣデータを取得してもよい。また、取得部３０１は、Ｉ／Ｆ２０６により、外部装置からＯＰＣデータを受信してもよい。また、取得部３０１は、生成部３０４が設計データに基づいて生成したＯＰＣデータを取得してもよい。これにより、取得部３０１は、生成部３０４による圧縮データの生成に用いられるＯＰＣデータを取得することができる。

取得したＯＰＣデータは、例えば、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。取得部３０１は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ２０１に実行させることにより、または、Ｉ／Ｆ２０６により、その機能を実現する。

分類部３０２は、設計データに基づいて、複数のパターンのうち、パターン間で光近接効果の影響範囲に存在するパターン同士が同一グループに含まれるように、複数のパターンを複数のグループに分類する。分類部３０２は、例えば、複数の配線のうち、配線間で光近接効果の影響範囲に存在する配線同士が同一グループに含まれるように、複数の配線を複数のグループに分類する。

光近接効果の影響範囲は、隣接するパターン間で光近接効果の影響が与えられるパターン間の距離に基づいて設定される。光近接効果の影響範囲は、例えば、光近接効果によってパターン間にホットスポットが発生してしまうパターン間の距離を、所定のマージンの分だけ拡大した距離の分だけ、パターンを一回り大きくした範囲である。

分類部３０２は、具体的には、複数の配線のそれぞれの配線を光近接効果の影響範囲に応じて拡大した場合に配線間で重複する配線同士が同一グループに含まれるように、複数の配線を複数のグループに分類する。

分類部３０２は、より具体的には、複数の配線のそれぞれの配線の形状を、光近接効果の影響範囲の分だけ拡大した形状を特定する。次に、分類部３０２は、それぞれの配線の形状を拡大した形状について論理和演算を行い、拡大した形状間で重複する形状同士を結合した形状を特定する。そして、分類部３０２は、結合した形状を、光近接効果の影響範囲の分だけ縮小した形状を特定する。

次に、分類部３０２は、縮小した形状に包含される配線を、一つのグループとして分類する。そして、分類部３０２は、分類したグループに対応する領域になる、縮小した形状を示す分類データを生成する。分類データは、分類した複数のグループのそれぞれのグループに対応し、それぞれのグループに属する複数の配線を含む領域を規定するグループ情報を有する。グループ情報は、領域座標情報と、外周座標情報とを有する。領域座標情報は、グループに対応する領域のいずれかの頂点の座標を示す。外周座標情報は、グループに対応する領域のそれぞれの頂点の座標を示す。以下の説明では、領域座標情報が示す、いずれかの頂点の座標を「領域座標」と表記する場合がある。また、外周座標情報が示す、それぞれの頂点の座標を「外周座標」と表記する場合がある。分類データのデータ構造の一例は、図６に後述する。

分類部３０２の処理内容の一例は、図５および図１２に後述する。これにより、分類部３０２は、ＯＰＣを行った後も、一つの階層として扱うことができるグループの組み合わせを特定することができる。分類結果は、例えば、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。分類部３０２は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ２０１に実行させることにより、または、Ｉ／Ｆ２０６により、その機能を実現する。

特定部３０３は、分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する。

特定部３０３は、例えば、分類した複数のグループの中からグループ間でグループに属する複数の配線の形状と配線間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する。特定部３０３は、具体的には、グループ間で、グループに属する複数の配線が含まれる領域の外枠の形状が一致するグループを特定する。そして、特定部３０３は、外枠の形状が一致するグループの中から、グループ間で、グループに属する複数の配線の形状と配線間の位置関係とが一致するグループを特定する。

特定部３０３は、より具体的には、分類データ内のそれぞれのグループ情報に含まれる外周座標情報が示す外周座標を、当該グループ情報に含まれる領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な外周座標に変換する。次に、特定部３０３は、分類した複数のグループのうち、変換した相対的な外周座標が一致するグループの組み合わせを特定する。そして、特定部３０３は、分類データ内のそれぞれのグループ情報が示す領域内に存在する配線に対応する、設計データ内の階層内の配線座標情報が示す配線座標を、領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な配線座標に変換する。次に、特定部３０３は、特定したグループの組み合わせのうち、変換した相対的な配線座標が一致するグループの組み合わせを特定する。これにより、特定部３０３は、ＯＰＣ後も同一の階層として扱うことができるグループの組み合わせを特定することができる。

特定部３０３の処理内容の一例は、図７および図１３に後述する。特定結果は、例えば、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。特定部３０３は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ２０１に実行させることにより、または、Ｉ／Ｆ２０６により、その機能を実現する。

生成部３０４は、特定した組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンを光近接効果補正した補正後のパターンの形状と位置とを示す情報を生成する。次に、生成部３０４は、特定した組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成する。そして、生成部３０４は、生成した補正後のパターンの形状と位置とを示す情報と、それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成する。

生成部３０４は、例えば、ＯＰＣデータに基づいて、特定した組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数の配線に対応する補正後の複数の配線の形状と位置とを示す情報を生成する。次に、生成部３０４は、ＯＰＣデータに基づいて、特定した組み合わせに含まれるそれぞれのグループに属する複数の配線に対応する補正後の複数の配線を有する領域が配置される基板上の位置を示す情報を生成する。そして、生成部３０４は、組み合わせごとに、生成した補正後の複数の配線の形状と位置とを示す情報と、生成した補正後の複数の配線を有する領域が配置される基板上の位置を示す情報とを対応付けた圧縮データを生成する。

生成部３０４は、具体的には、組み合わせごとに、ＯＰＣ後の階層識別情報を設定する。次に、生成部３０４は、組み合わせごとに、当該組み合わせ内のそれぞれのグループに対応するグループ情報内の領域座標情報を、ＯＰＣ後の階層座標情報として設定する。そして、生成部３０４は、ＯＰＣ後の階層識別情報と、ＯＰＣ後の階層座標情報とを対応付けたＯＰＣ後の階層情報を生成する。

次に、生成部３０４は、組み合わせごとに、ＯＰＣデータ内の配線パターン情報に含まれる配線座標情報が示す配線のうち、当該組み合わせ内のいずれかのグループのグループ情報が示す外周に包含され、または外周に重複する配線の組み合わせを特定する。そして、生成部３０４は、特定した配線の組み合わせ内のそれぞれの配線に、ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報を設定する。

次に、生成部３０４は、特定した配線の組み合わせ内のそれぞれの配線に対応する、ＯＰＣデータ内の配線パターン情報に含まれる配線座標情報が示す配線座標を、いずれかのグループの領域座標情報が示す座標を基準として、相対的な配線座標に変換する。そして、生成部３０４は、変換した相対的な配線座標を規定するＯＰＣ後の階層内の配線座標情報を生成する。

次に、生成部３０４は、ＯＰＣ後の階層識別情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線座標情報とを対応付けた、ＯＰＣ後の配線パターン情報を生成する。そして、生成部３０４は、組み合わせごとに、ＯＰＣ後の階層情報と、ＯＰＣ後の配線パターン情報とを対応付けた圧縮データを生成する。これにより、生成部３０４は、ＯＰＣデータよりもデータ量が少なくなる、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定した圧縮データを生成することができる。

生成部３０４の処理内容の一例は、図９および図１４に後述する。生成した圧縮データは、例えば、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。生成部３０４は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ２０１に実行させることにより、または、Ｉ／Ｆ２０６により、その機能を実現する。

出力部３０５は、圧縮データを出力する。出力部３０５は、例えば、圧縮データを、ディスプレイへ表示し、プリンタへ印刷出力し、Ｉ／Ｆ２０６により外部装置へ送信し、または、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶する。これにより、支援装置１００の利用者は、圧縮データを使用することができる。

また、支援装置１００は、設計データを用いなくてもよく、ＯＰＣデータに基づいて圧縮データを生成してもよい。この場合、分類部３０２は、ＯＰＣデータに基づいて、複数のＯＰＣ後のパターンのうち、ＯＰＣ後のパターン間で光近接効果の影響範囲に存在するパターン同士が同一グループに含まれるように、複数のＯＰＣ後のパターンを複数のグループに分類する。これにより、分類部３０２は、一つの階層として扱うことができるグループの組み合わせを特定することができる。

この場合、特定部３０３は、分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数のＯＰＣ後のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する。これにより、特定部３０３は、同一の階層として扱うことができるグループの組み合わせを特定することができる。

この場合、生成部３０４は、特定した組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状と位置とを示す情報を生成する。また、生成部３０４は、特定した組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成する。そして、生成部３０４は、生成したそれぞれのパターンの形状と位置とを示す情報と、それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成する。これにより、生成部３０４は、設計データを用いなくても、圧縮データを生成することができる。

（ＯＰＣデータから圧縮データを生成する実施例）
次に、図４〜図１０を用いて、ＯＰＣデータから圧縮データを生成する実施例について説明する。

〈設計データ４００のデータ構造〉
まず、図４を用いて、設計データ４００のデータ構造の一例について説明する。

図４は、設計データ４００のデータ構造の一例を示す説明図である。設計データ４００は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域によって実現される。

図４に示すように、設計データ４００は、階層情報と、配線パターン情報とを有する。階層情報は、階層識別情報と、階層座標情報とを有する。階層識別情報は、階層の種類を示す情報である。階層座標情報は、階層の位置を示す情報である。

配線パターン情報は、階層識別情報と、階層内の配線識別情報と、階層内の配線座標情報とを有する。階層識別情報は、階層の種類を示す情報である。階層内の配線識別情報は、配線の種類を示す情報である。階層内の配線座標情報は、階層に属する配線の頂点の座標値を示す情報である。

〈複数のグループに分類する一例〉
次に、図５を用いて、図４に示した設計データ４００に規定された複数の配線を複数のグループに分類する一例について説明する。

図５は、複数のグループに分類する一例を示す説明図である。図５に示すように、支援装置１００は、設計データ４００に規定された複数の配線を複数のグループに分類して、図６に後述する複数のグループに対応する領域を規定した分類データを記憶する。

（１１）支援装置１００は、例えば、設計データ４００に規定された複数の配線のそれぞれの配線５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６を特定する。

（１２）支援装置１００は、それぞれの配線５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６の形状をそれぞれの配線の光近接効果の影響範囲の分だけ拡大して、拡大した形状５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６を生成する。

（１３）支援装置１００は、拡大した形状５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６について論理和演算を行い、拡大した形状５２１，５２２，５２３，５２４，５２５，５２６のうちの重複する形状同士を結合した形状５３１，５３２を生成する。

（１４）支援装置１００は、結合した形状５３１，５３２から光近接効果の影響範囲の分だけ除去して、縮小した形状５４１，５４２を生成する。

（１５）支援装置１００は、それぞれの配線５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６の形状と縮小した形状５４１とについて論理積演算を行い、縮小した形状５４１内の配線５１１，５１２，５１３を一つのグループに分類する。支援装置１００は、縮小した形状５４１を、当該グループに対応する領域として設定する。

同様に、支援装置１００は、それぞれの配線５１１，５１２，５１３，５１４，５１５，５１６の形状と縮小した形状５４２とについて論理積演算を行い、縮小した形状５４２内の配線５１４，５１５，５１６を一つのグループに分類する。支援装置１００は、縮小した形状５４２を、当該グループに対応する領域として設定する。

そして、支援装置１００は、分類したグループに対応する領域となる形状５４１，５４２を規定する分類データを生成する。これにより、支援装置１００は、複数の配線を、ＯＰＣデータでも階層として扱うことができる複数のグループに分類することができる。

〈分類データ６００のデータ構造〉
次に、図６を用いて、図５において分類したグループを示す分類データ６００のデータ構造の一例について説明する。

図６は、分類データ６００のデータ構造の一例を示す説明図である。分類データ６００は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域によって実現される。

図６に示すように、分類データ６００は、グループ情報を有する。グループ情報は、グループ識別情報と領域座標情報と外周座標情報とフラグ情報を有する。

グループ識別情報は、グループの種類を示す情報である。領域座標情報は、グループを包含する領域になる、図５において縮小した形状の頂点のうちで、最も左端にある頂点のうちの最も下端にある頂点を示す情報である。外周座標情報は、グループを包含する領域になる、図５において縮小した形状の頂点を示す情報である。フラグ情報は、グループ内の複数の配線に対応するＯＰＣ後の複数の配線を、省略して規定するか否かを示すフラグを示す情報である。

〈グループの組み合わせを特定する一例〉
次に、図７を用いて、図６に示した分類データ６００に基づいて、グループの組み合わせを特定する一例について説明する。

図７は、グループの組み合わせを特定する一例を示す説明図である。図７に示すように、支援装置１００は、グループ間で、グループを包含する領域が一致するグループの組み合わせを特定して、グループ情報に含まれるフラグ情報を更新する。

（２１）支援装置１００は、例えば、分類データ６００内のグループ情報に含まれる外周座標情報を、当該グループ情報に含まれる領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な座標に変換して、相対的な外周座標を生成する。

支援装置１００は、グループ情報の外周座標情報が示す領域内に存在する配線に対応する、設計データ４００内の配線パターン情報に含まれる階層内の配線座標情報が示す配線座標を抽出する。支援装置１００は、抽出した配線座標を、グループ情報に含まれる領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な配線座標に変換する。

（２２）支援装置１００は、変換した相対的な外周座標が一致するグループの組み合わせを特定する。

（２３）支援装置１００は、特定したグループ情報の組み合わせのうち、変換した相対的な配線座標が一致するグループの組み合わせを特定する。支援装置１００は、例えば、排他的論理和演算を行うことにより、グループ間で、グループ内の複数の配線のそれぞれの配線の形状と配線間の位置関係が一致するグループの組み合わせを特定する。

（２４）支援装置１００は、特定したグループの組み合わせのうち、それぞれのグループのグループ情報の識別情報に、同一の情報を設定する。また、支援装置１００は、特定したグループの組み合わせのうち、いずれかのグループのグループ情報のフラグ情報を１のままにして、残余のグループのグループ情報のフラグ情報に０を設定する。

これにより、支援装置１００は、ＯＰＣデータを圧縮する際に、同一の階層として扱うことができるグループの組み合わせを特定することができる。

〈ＯＰＣデータ８００のデータ構造〉
次に、図８を用いて、圧縮対象になるＯＰＣデータ８００のデータ構造の一例について説明する。

図８は、ＯＰＣデータ８００のデータ構造の一例を示す説明図である。ＯＰＣデータ８００は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域によって実現される。

図８に示すように、ＯＰＣデータ８００は、ＯＰＣ後の配線パターン情報を有する。ＯＰＣ後の配線パターン情報は、ＯＰＣ後の配線識別情報と、ＯＰＣ後の配線座標情報とを有する。ＯＰＣ後の配線識別情報は、ＯＰＣ後の配線の種類を示す情報である。ＯＰＣ後の配線座標情報は、ＯＰＣ後の配線の頂点の座標値を示す情報である。このように、ＯＰＣデータ８００は、階層化されていないため、全ての配線のそれぞれの配線について配線識別情報と配線座標情報とを対応付けて記憶することになり、データ量が増大してしまう。

〈ＯＰＣデータ８００の圧縮データを生成する一例〉
次に、図９を用いて、図６に示された分類データ６００に基づいて、図８に示したＯＰＣデータ８００の圧縮データを生成する一例について説明する。

図９は、圧縮データを生成する一例を示す説明図である。図９に示すように、支援装置１００は、特定したグループの組み合わせに対応する、ＯＰＣデータ８００内のＯＰＣ後の配線パターン情報が示す配線のグループを同一階層として扱って、ＯＰＣデータ８００に対応する圧縮データを生成する。

（３１）支援装置１００は、例えば、グループ情報の組み合わせごとに、グループ情報の組み合わせ内のそれぞれのグループ情報に含まれるグループ識別情報と領域座標情報とを、ＯＰＣ後の階層識別情報とＯＰＣ後の階層座標情報とに決定する。支援装置１００は、ＯＰＣ後の階層識別情報と、ＯＰＣ後の階層座標情報とを対応付けた、ＯＰＣ後の階層情報を生成する。

（３２）支援装置１００は、ＯＰＣデータ８００内の配線パターン情報が示す配線のうち、フラグ情報に１が設定されたグループ情報の外周座標情報が示す外周に包含され、または外周に重複する配線の組み合わせを特定する。

支援装置１００は、特定した配線の組み合わせ内のそれぞれの配線に、ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報を生成する。支援装置１００は、特定した配線の組み合わせ内のそれぞれの配線に対応する、ＯＰＣデータ８００の配線座標情報が示す配線座標を、グループ情報の領域座標情報が示す座標を基準として、相対的な配線座標に変換する。支援装置１００は、変換した相対的な配線座標を規定するＯＰＣ後の階層内の配線座標情報を生成する。支援装置１００は、ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線座標情報とを対応付けたＯＰＣ後の階層内の配線パターン情報を生成する。

（３３）支援装置１００は、ＯＰＣ後の階層情報とＯＰＣ後の階層内の配線パターン情報とを対応付けた圧縮データを生成する。これにより、支援装置１００は、ＯＰＣデータ８００よりも記憶領域の使用量が少なくなるＯＰＣデータ８００に対応する圧縮データを生成することができる。

〈圧縮データ１０００のデータ構造〉
次に、図１０を用いて、図９において生成された圧縮データ１０００のデータ構造の一例について説明する。

図１０は、圧縮データ１０００のデータ構造の一例を示す説明図である。圧縮データ１０００は、例えば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域によって実現される。

図１０に示すように、圧縮データ１０００は、ＯＰＣ後の階層情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線パターン情報とを有する。ＯＰＣ後の階層情報は、ＯＰＣ後の階層識別情報と、ＯＰＣ後の階層座標情報とを有する。ＯＰＣ後の階層識別情報は、ＯＰＣ後の階層の種類を示す情報である。ＯＰＣ後の階層座標情報は、ＯＰＣ後の階層の位置を示す情報である。

ＯＰＣ後の階層内の配線パターン情報は、ＯＰＣ後の階層識別情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報と、ＯＰＣ後の階層内の配線座標情報とを有する。ＯＰＣ後の階層識別情報は、ＯＰＣ後の階層の種類を示す情報である。ＯＰＣ後の階層内の配線識別情報は、ＯＰＣ後の階層内の配線の種類を示す情報である。ＯＰＣ後の階層内の配線座標情報は、ＯＰＣ後の階層に属する配線の頂点の座標値を示す情報である。このように、圧縮データ１０００は、階層化されているため、ＯＰＣデータ８００と比べて、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができる。

（圧縮処理手順）
次に、図１１を用いて、圧縮処理手順の一例について説明する。

図１１は、圧縮処理手順の一例を示すフローチャートである。図１１において、支援装置１００は、設計データ４００と光学データとを取得する（ステップＳ１１０１）。次に、支援装置１００は、ＯＰＣを行って設計データ４００を補正して、ＯＰＣデータ８００を生成する（ステップＳ１１０２）。そして、支援装置１００は、設計データ４００と光学データとに基づいて、図１２に後述する分類処理を実行して、分類データ６００を生成する（ステップＳ１１０３）。

次に、支援装置１００は、分類データ６００に基づいて、図１３に後述する特定処理を実行して、分類データ６００を更新する（ステップＳ１１０４）。そして、支援装置１００は、分類データ６００とＯＰＣデータ８００とに基づいて、図１４に後述する生成処理を実行して、圧縮データ１０００を生成する（ステップＳ１１０５）。

次に、支援装置１００は、圧縮データ１０００を出力する（ステップＳ１１０６）。そして、支援装置１００は、圧縮処理を終了する。これにより、支援装置１００は、ＯＰＣデータ８００よりも少ないデータ量で、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定することができる圧縮データ１０００を生成することができる。

（分類処理手順）
次に、図１２を用いて、ステップＳ１１０３に示した分類処理手順の一例について説明する。

図１２は、分類処理手順の一例を示すフローチャートである。図１２において、支援装置１００は、光学データに基づいて、設計データ４００に規定された複数の配線のそれぞれの配線の形状を、それぞれの配線の光近接効果の影響範囲の分だけ拡大した形状を特定する（ステップＳ１２０１）。

次に、支援装置１００は、拡大した形状について論理和演算を行い、拡大した形状のうちの重複する形状同士を結合した形状を特定する（ステップＳ１２０２）。そして、支援装置１００は、光学データに基づいて、結合した形状から光近接効果の影響範囲の分だけ除去した形状を特定する（ステップＳ１２０３）。

次に、支援装置１００は、それぞれの配線の形状と、除去した形状とについて論理積演算を行い、除去した形状内の配線を一つのグループに分類して、分類したグループを示す分類データ６００を生成する（ステップＳ１２０４）。そして、支援装置１００は、分類処理を終了する。これにより、支援装置１００は、互いに光近接効果の影響範囲に存在し、ＯＰＣによる形状が変化することがありうる配線同士を、グループ化することができる。

（特定処理手順）
次に、図１３を用いて、ステップＳ１１０４に示した特定処理手順の一例について説明する。

図１３は、特定処理手順の一例を示すフローチャートである。図１３において、支援装置１００は、分類データ６００のいずれかのグループ情報を選択する（ステップＳ１３０１）。次に、支援装置１００は、選択したグループ情報の外周座標情報が示す外周座標を、領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な座標に変換する（ステップＳ１３０２）。

そして、支援装置１００は、選択したグループ情報の外周座標情報が示す領域内に存在する配線に対応する、設計データ４００の配線パターン情報の配線座標情報が示す配線座標を、領域座標情報が示す領域座標を基準とした相対的な座標に変換する（ステップＳ１３０３）。

次に、支援装置１００は、分類データ６００のグループ情報に未選択のグループ情報があるか否かを判定する（ステップＳ１３０４）。ここで、未選択のグループ情報がある場合（ステップＳ１３０４：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、ステップＳ１３０１の処理に戻る。

一方で、未選択のグループ情報がない場合（ステップＳ１３０４：Ｎｏ）、支援装置１００は、グループ識別情報が設定されていないグループ情報のうちの１つのグループ情報を選択する（ステップＳ１３０５）。ここでは、選択したグループ情報を第１グループ情報とする。

次に、支援装置１００は、ステップＳ１３０５で選択したグループ情報にグループ識別情報を設定する（ステップＳ１３０６）。このとき、既にグループ識別情報が設定されたグループ情報が存在する場合、既に設定されたグループ識別情報とは異なるグループ識別情報を設定する。

次に、支援装置１００は、グループ識別情報が設定されていないグループ情報のうちの１つのグループ情報を選択する（ステップＳ１３０７）。ここでは、選択したグループ情報を第２グループ情報とする。

次に、支援装置１００は、第１グループ情報の相対的な外周座標と、第２グループ情報の相対的な外周座標とが、一致するか否かを判定する（ステップＳ１３０８）。

相対的な外周座標が一致した場合（ステップＳ１３０８：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、第１グループ情報の相対的な配線座標と、第２グループ情報の相対的な配線座標とが一致するか否かを判定する（ステップＳ１３０９）。

相対的な配線座標が一致した場合（ステップＳ１３０９：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、第１グループ情報のグループ識別情報と同じグループ識別情報を、第２グループ情報に設定する（ステップＳ１３１０）。

次に、支援装置１００は、グループ識別情報が設定されていない全てのグループ情報について、第１グループ情報と相対的な外周座標または相対的な配線座標が一致するかの判定が行われたか否かを判定する（ステップＳ１３１１）。また、ステップＳ１３０８でＮｏだった場合又はステップＳ１３０９でＮｏだった場合にも、同様の判定を行う。

ステップＳ１３１１でＮｏだった場合（ステップＳ１３１１：Ｎｏ）、支援装置１００は、ステップＳ１３０７の処理に戻り、新たに第２グループ情報を設定する。一方、ステップＳ１３１１でＹｅｓだった場合（ステップＳ１３１１：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、同一のグループ識別情報が設定されたグループ情報のうちの１つにフラグ情報１を設定し、当該１つのグループ情報以外にグループ情報にフラグ情報０を設定する（ステップＳ１３１２）。

次に、支援装置１００は、全てのグループ情報について、グループ識別情報が設定されているか否かを判定する（ステップＳ１３１３）。全てのグループ情報にグループ識別情報が設定されていた場合（ステップＳ１３１３：Ｙｅｓ）、処理を終了する。一方、グループ識別情報が設定されていないグループ情報があった場合（ステップＳ１３１３：Ｎｏ）、支援装置１００は、グループ識別情報が設定されていないグループ情報を新たに選択し、第１グループ情報とする（ステップＳ１３０５）。これにより、支援装置１００は、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができる。

（生成処理手順）
次に、図１４を用いて、ステップＳ１１０５に示した生成処理手順の一例について説明する。

図１４は、生成処理手順の一例を示すフローチャートである。図１４において、支援装置１００は、いずれかのグループ情報を選択する（ステップＳ１４０１）。次に、支援装置１００は、選択したグループ情報のフラグ情報が１であるか否かを判定する（ステップＳ１４０２）。ここで、０である場合（ステップＳ１４０２：Ｎｏ）、支援装置１００は、ステップＳ１４０６の処理に移行する。

一方で、１である場合（ステップＳ１４０２：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、ＯＰＣデータ８００の配線パターン情報が示す配線のうち、選択したグループ情報の外周座標情報が示す外周に包含され、または外周に重複する配線の組み合わせを特定する（ステップＳ１４０３）。

次に、支援装置１００は、特定した配線の組み合わせ内のそれぞれの配線に対応する、ＯＰＣデータ８００の配線座標情報が示す配線座標を、グループ情報の領域座標情報が示す座標を基準として相対的な配線座標に変換する（ステップＳ１４０４）。そして、支援装置１００は、選択したグループ情報の識別情報と、変換した相対的な配線座標とを、ＯＰＣ後の階層識別情報とＯＰＣ後の階層内の配線座標情報とに設定したＯＰＣ後の配線パターン情報を生成して、圧縮データ１０００に追加する（ステップＳ１４０５）。

次に、支援装置１００は、選択したグループ情報のグループ識別情報と領域座標情報とを、ＯＰＣ後の階層識別情報とＯＰＣ後の階層座標情報とに設定したＯＰＣ後の階層情報を生成して、圧縮データ１０００に追加する（ステップＳ１４０６）。そして、支援装置１００は、未選択のグループ情報があるか否かを判定する（ステップＳ１４０７）。ここで、未選択のグループ情報がある場合（ステップＳ１４０７：Ｙｅｓ）、支援装置１００は、ステップＳ１４０１の処理に戻る。

一方で、未選択のグループ情報がない場合（ステップＳ１４０７：Ｎｏ）、支援装置１００は、生成処理を終了する。これにより、支援装置１００は、ＯＰＣデータ８００よりも、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量が少なくなる圧縮データ１０００を生成することができる。

以上説明したように、支援装置１００によれば、設計データ４００に基づいて、複数のパターンのうち、パターン間で光近接効果の影響範囲に存在するパターン同士が同一グループに含まれるように、複数のパターンを複数のグループに分類することができる。そして、支援装置１００によれば、分類した複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定することができる。

これにより、支援装置１００は、ＯＰＣ後にも、グループ間でグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致する組み合わせを特定することができる。換言すれば、支援装置１００は、ＯＰＣが行われた後も、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができる。

また、支援装置１００によれば、特定した組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンを光近接効果補正した補正後のパターンの形状と位置とを示す情報を生成することができる。また、支援装置１００によれば、特定した組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成することができる。そして、支援装置１００によれば、生成した補正後のパターンの形状と位置とを示す情報と、それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成することができる。

これにより、支援装置１００は、階層化した圧縮データ１０００を生成して、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定することができる。このため、支援装置１００は、ＯＰＣ後の全ての配線のそれぞれの配線の形状と位置とを用いてＯＰＣ後のマスクパターンを規定する場合に比べて、ＯＰＣ後のマスクパターンを規定するためのデータ量を低減することができる。

また、支援装置１００によれば、基板上に転写される複数のパターンのそれぞれのパターンを光近接効果の影響範囲に応じて拡大した場合に重複するパターン同士が同一グループに含まれるように、複数のパターンを複数のグループに分類することができる。これにより、支援装置１００は、配線ごとに、当該配線が他の配線の光近接効果の影響範囲に含まれるか否かを判定する場合に比べて、処理量を低減することができる。

また、支援装置１００によれば、グループ間で、グループに属する複数のパターンを含む領域の外枠の形状が一致するグループを特定することができる。そして、支援装置１００によれば、外枠の形状が一致するグループの中から、グループ間で、グループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致するグループを特定することができる。これにより、支援装置１００は、グループに属する複数のパターンだけを比較してグループを特定する場合に比べて、処理量を低減することができる。

また、支援装置１００によれば、ＯＰＣデータ８００に基づいて、複数のＯＰＣ後のパターンのうち、パターン間で光近接効果の影響範囲に存在するパターン同士が同一グループに含まれるように、複数のパターンを複数のグループに分類することができる。そして、支援装置１００によれば、分類した複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数のパターンのそれぞれのパターンの形状とパターン間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定することができる。これにより、支援装置１００は、設計データ４００が破棄され、ＯＰＣデータ８００のみが記憶されている場合であっても、同一の階層として規定することができるグループの組み合わせを特定することができる。

なお、本実施の形態で説明した圧縮支援方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。本圧縮支援プログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。また本圧縮支援プログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布してもよい。

上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。

（付記１）コンピュータが、
基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、
分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
処理を実行することを特徴とする圧縮支援方法。

（付記２）前記コンピュータが、
特定した前記組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数の図形のそれぞれの図形を光近接効果補正した補正後の図形の形状と位置とを示す情報を生成し、特定した前記組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成し、生成した前記補正後の図形の形状と位置とを示す情報と、前記それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成する、
処理を実行することを特徴とする付記１に記載の圧縮支援方法。

（付記３）前記分類する処理は、
前記設計データに基づいて、前記基板上に転写される複数の図形のそれぞれの図形を光近接効果の影響範囲に応じて拡大した場合に重複する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類する、
ことを特徴とする付記１または２に記載の圧縮支援方法。

（付記４）前記特定する処理は、
グループ間で、グループに属する複数の図形を含む領域の外枠の形状が一致するグループを特定し、
外枠の形状が一致するグループの中から、グループ間で、グループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループを特定する、
ことを特徴とする付記１〜３のいずれか一つに記載の圧縮支援方法。

（付記５）前記光近接効果の影響範囲は、隣接する図形間で光近接効果の影響が与えられる前記図形間の距離に基づいて設定されることを特徴とする付記１〜４のいずれか一つに記載の圧縮支援方法。

（付記６）前記設計データは、基板上に転写される複数の図形に光近接効果補正を行って得られた前記基板上に転写される補正後の複数の図形を示すデータであって、
前記コンピュータが、
特定した前記組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と位置とを示す情報を生成し、特定した前記組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成し、生成した前記それぞれの図形の形状と位置とを示す情報と、前記それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成する、
処理を実行することを特徴とする付記１に記載の圧縮支援方法。

（付記７）コンピュータに、
基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、
分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
処理を実行させることを特徴とする圧縮支援プログラム。

（付記８）基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
制御部を有することを特徴とする圧縮支援装置。

１００ 圧縮支援装置
３０１ 取得部
３０２ 分類部
３０３ 特定部
３０４ 生成部
３０５ 出力部

Claims (6)

1. コンピュータが、
   基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、
   分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
   処理を実行することを特徴とする圧縮支援方法。
2. 前記コンピュータが、
   特定した前記組み合わせに含まれるいずれかのグループに属する複数の図形のそれぞれの図形を光近接効果補正した補正後の図形の形状と位置とを示す情報を生成し、特定した前記組み合わせに含まれるそれぞれのグループの位置を示す情報を生成し、生成した前記補正後の図形の形状と位置とを示す情報と、前記それぞれのグループの位置を示す情報とを対応付けた情報を生成する、
   処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の圧縮支援方法。
3. 前記分類する処理は、
   前記設計データに基づいて、前記基板上に転写される複数の図形のそれぞれの図形を光近接効果の影響範囲に応じて拡大した場合に重複する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類する、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の圧縮支援方法。
4. 前記特定する処理は、
   グループ間で、グループに属する複数の図形を含む領域の外枠の形状が一致するグループを特定し、
   外枠の形状が一致するグループの中から、グループ間で、グループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループを特定する、
   ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の圧縮支援方法。
5. コンピュータに、
   基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、
   分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
   処理を実行させることを特徴とする圧縮支援プログラム。
6. 基板上に転写される複数の図形を示す設計データに基づいて、前記複数の図形のうち、図形間で光近接効果の影響範囲に存在する図形同士が同一グループに含まれるように、前記複数の図形を複数のグループに分類し、分類した前記複数のグループの中から、グループ間でグループに属する複数の図形のそれぞれの図形の形状と図形間の位置関係とが一致するグループの組み合わせを特定する、
   制御部を有することを特徴とする圧縮支援装置。

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