TWI543233B - A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus - Google Patents

A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus Download PDF

Info

Publication number
TWI543233B
TWI543233B TW104119951A TW104119951A TWI543233B TW I543233 B TWI543233 B TW I543233B TW 104119951 A TW104119951 A TW 104119951A TW 104119951 A TW104119951 A TW 104119951A TW I543233 B TWI543233 B TW I543233B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing
schedule
block
scheduling
Prior art date
Application number
TW104119951A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201611088A (zh
Inventor
Satoshi Yamanaka
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of TW201611088A publication Critical patent/TW201611088A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI543233B publication Critical patent/TWI543233B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/4188—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by CIM planning or realisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H43/00—Time or time-programme switches providing a choice of time-intervals for executing one or more switching actions and automatically terminating their operations after the programme is completed
    • H01H43/02—Details
    • H01H43/04—Means for time setting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H43/00—Time or time-programme switches providing a choice of time-intervals for executing one or more switching actions and automatically terminating their operations after the programme is completed
    • H01H43/10—Time or time-programme switches providing a choice of time-intervals for executing one or more switching actions and automatically terminating their operations after the programme is completed with timing of actuation of contacts due to a part rotating at substantially constant speed
    • H01H43/16—Time or time-programme switches providing a choice of time-intervals for executing one or more switching actions and automatically terminating their operations after the programme is completed with timing of actuation of contacts due to a part rotating at substantially constant speed stopping automatically after a predetermined plurality of cycles of operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45031—Manufacturing semiconductor wafers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • General Factory Administration (AREA)

Description

基板處理裝置用之排程製作方法以及基板處理裝置
本發明係有關於一種用以作成隨著時間系列來規定基板裝置的動作的排程(schedule)之方法以及基板處理裝置。以基板處理裝置中成為處理對象的基板的例子而言，可包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display；場效發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等製造步驟中，使用用以逐片處理半導體晶片或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之葉片式的基板處理裝置、或者用以總括地處理複數片基板所構成的批量(lot)之分批(batch)式的基板處理裝置。專利文獻1係揭示有一種方法，係作成用以隨著時間系列來規定葉片式的基板處理裝置的動作之排程。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2013-77796號公報。
葉片式的基板處理裝置係例如具備有複數個處理單元。設置於基板處理裝置的控制部係依據所作成的排程進行各處理單元的動作(處理)。於各處理單元所進行的各種動作中的基板處理步驟或前準備步驟的開始時，由於處理內容資料的發送/接收、處理內容資料的讀入、資料解譯(data interpretation)，有控制部的控制負載(CPU(Central Processing Unit；中央處理器)負載或通訊處理負載)變高之虞。因此，在使複數個處理單元彼此同時開始基板處理步驟等之情形，為了同時發送處理內容資料，控制負載集中於控制部而變得無法順暢地進行資料處理，而有在任一者的處理單元中基板處理步驟、前準備步驟等之開始皆延遲之虞。因此，無法保證各處理單元的基板處理的均一性，而有於基板的處理結果發生問題之虞。例如當搬入至處理單元後直至開始基板處理之時間參差不齊時，基板暴露於處理單元內的霧氣(mist)之時間會變得不均一。由於霧氣會對基板的表面狀態造成影響，因此較佳為直至開始基板處理之時間在基板間變得均一。此外，當直至從處理單元搬出基板處理結束的基板之時間參差不齊時，直至下個處理單元可開始基板處理之時間變得不均一，而有前次的基板處理的功效變得無法穩定地保持至下個基板處理之虞。
當產生此種現象時，即使對各基板應用相同的配方(recipe)，仍然有無法獲得相同的基板處理的功效之虞。
以用以防止處理開始的延遲之對策而言，雖然想到使控制部的處理性能提升、增加控制部的台數等方法，但該 等對策中有因為設置新的控制部而導致成本提高之虞。不僅如此，亦有導致消耗電力上升、基板處理裝置的構成複雜化之虞。因此，本案的發明人們係檢討下述事項：致力於排程的作成並謀求控制部的資料處理的效率化，藉此迴避控制部的控制負載的集中。
因此，本發明的目的之一係提供一種排程作成方法，係能作成能謀求控制部的資料處理的效率化之排程。
此外，本發明的另一目的係提供一種基板處理裝置，係能謀求控制部的資料處理的效率化並處理基板。
本發明提供一種排程作成方法，係由設置於具有用以逐片處理基板之至少一個葉片式的處理單元以及用以控制前述處理單元之控制部的基板處理裝置中的排程作成部作成用以隨著時間系列來規定前述基板處理裝置的動作之排程；該排程作成方法係包含有：排程作成步驟，係隨著時間系列配置用以規定針對各基板之前述基板處理裝置的動作的內容之複數個區塊(block)，藉此作成該基板的排程；前述排程作成步驟係包含有：高負載迴避配置步驟，係針對複數片基板的排程的作成，以屬於產生高控制負載的時間帶之高負載時間帶不會集中於該控制部之方式將與高負載動作對應的區塊配置在時間軸上，該高負載動作係使前述控制部至少暫時性地產生高控制負載之動作。
依據此方法，排程作成部係隨著時間系列配置用以規定針對各基板的處理內容之複數個區塊，藉此作成該基板的 排程，並將該基板的排程作成成為處理對象之基板片數份。此時，以高負載時間帶不會集中之方式將與高負載動作對應的區塊配置於時間軸上。在以此種方式作成的排程中，迴避控制部的控制負載的集中。藉此，能提供一種排程作成方法，係能作成可謀求控制部的資料處理的效率化之排程。
在本發明的實施形態之一中，於與前述高負載動作對應的區塊中，在與前述高負載時間帶對應的部分附加高負載資訊；前述高負載迴避配置步驟係針對複數片基板的排程的作成，以不會於相同的時間帶分配預定數以上的前述高負載資訊之方式配置與該高負載動作對應的區塊。
依據此方法，排程作成部係以不會於相同的時間帶分配預定數以上的高負載資訊之方式配置與高負載動作對應的區塊。藉此，能以高負載時間帶不會集中之方式確實且簡單地配置與高負載動作對應的區塊。
亦可為前述高負載時間帶係前述高負載動作的開始時。
依據此方法，於各資源(resource)的動作開始時，由於控制部中之處理資料的發送/接收、該處理資料的資料解譯，有控制部的控制負載變高之情形。亦即，高負載動作的開始時成為高負載時間帶。
假使在複數片基板的排程中以高負載動作同時開始之方式將與高負載動作對應的區塊彼此配置於時間軸上時，會有在該高負載動作的開始時控制部的控制負載集中從而使控制部無法順暢地進行資料處理之虞。如此，會有任一 者的資源的動作開始皆延遲之虞。
相對於此，在此方法中，排程作成部係以所對應的高負載動作的開始時不會集中於相同時期之方式將與高負載動作對應的區塊配置於時間軸上。因此，迴避控制部中的控制負載的集中，藉此能作成能謀求控制部中的資料處理的效率化，而能確實地防止資源的動作開始的延遲。
亦可為前述高負載動作係包含有至少一個下述步驟：基板處理步驟，前述處理單元係處理基板；預備處理步驟，前述處理單元係進行前述基板處理步驟的準備；搬入前處理步驟，前述處理單元係進行用以將基板搬入至該處理單元內的動作；以及基板回收步驟，係在從前述處理單元回收基板前，對基板施予預定處理。
亦可為在前述基板處理裝置中，在製程工作(process job)共通之複數片基板中預定的第一基板的排程的作成結束後，在前述複數片基板中處理順序比前述第一基板還後面的第二基板的排程的作成未結束的狀態下，開始作成完畢的排程的執行。在此情形中，亦可為前述方法係進一步包含有：排程變更步驟，在前述作成完畢的排程的執行開始後，變更該作成完畢的排程中未執行的部分。
依據此方法，當製程工作共通之複數片基板中任一片基板的排程的作成結束時，即使其他基板的排程的作成未結束，亦開始已作成的排程的執行。
例如如專利文獻1所記載般，於製程工作共通之全部的基板的排程的作成結束後使基板處理裝置的動作開始之 情形中，需要使大量的資料記憶至基板處理裝置。
相對於此，在本方法中，只要至少預先記憶執行對象的基板的排程即可，藉此能謀求降低應記憶於基板處理裝置的排程的資料量。
此外，由於在該排程的開始後變更作成完畢的排程中未執行的部分，因此能因應基板處理裝置的實際動作狀況(基板處理狀況)來變更排程的內容。藉此，能作成因應實際動作狀況之彈性的排程。
亦可為前述排程變更步驟係包含有：刪除步驟，係在前述排程的執行開始後，刪除前述作成完畢的排程中未執行的區塊；以及再配置步驟，係與針對前述第二基板的區塊的配置並行，隨著時間系列將已刪除的區塊予以再配置。
依據此方法，與針對第二基板的區塊的配置並行，隨著時間系列將從作成完畢的排程刪除之未執行的區塊予以再配置。已刪除的區塊的再配置以及針對第二基板的區塊的配置係以不會產生複數片基板相互間的干涉且能有效率地使資源(處理單元等)稼動而對複數片基板進行處理之方式，隨著時間系列進行。由於能更精細地決定已刪除的區塊以及針對第二基板的區塊的配置位置，因此能提高資源的稼動率，藉此能提升基板處理裝置的生產性。
此外，本發明提供一種基板處理裝置，係包含有：至少一個葉片式的處理單元，係逐片處理基板；控制部，係用以控制前述處理單元；以及排程作成部，係作成用以隨著時間系列規定包含前述處理單元之資源的動作之排程； 前述控制部係依據前述排程作成部以前述排程作成方法所作成的排程來控制前述資源。
依據此構成，排程作成部係隨著時間系列配置用以規定針對各基板的處理內容之複數個區塊，藉此作成該基板的排程，並將該基板的排程作成成為處理對象之基板片數份。此時，以高負載時間帶不會集中之方式將與高負載動作對應的區塊配置於時間軸上。在以此種方式作成的排程中，迴避控制部中的控制負載的集中。能提供一種基板處理裝置，由於控制部依據該排程來控制資源，因此能謀求控制部中的資料處理的效率化並處理基板。
亦可為前述控制部係在製程工作共通之複數片基板中預定的第一基板的排程的作成結束後，在前述複數片基板中處理順序比前述第一基板還後面的第二基板的排程的作成未結束的狀態下，開始作成完畢的排程的執行。
依據此構成，當某個基板的排程的作成結束時，即使其他基板的排程的作成未結束，亦開始已作成的排程的執行。因此，可謀求減少記憶於基板處理裝置的排程的資料量。
本發明中的上述目的、特徵與功效以及其他目的、特徵與功效係可參照圖式並藉由下述的實施形態的說明而更加明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧索引區
3‧‧‧處理區
6、11‧‧‧基台部
7、12‧‧‧多關節臂
8A、8B、13A、13B‧‧‧手部
15‧‧‧自轉夾盤
15a‧‧‧自轉基座
15b‧‧‧夾盤銷
15c‧‧‧旋轉軸
15d‧‧‧自轉馬達
16‧‧‧處理罩
17‧‧‧處理室
17a‧‧‧隔壁
17b‧‧‧開口
17c‧‧‧擋門
21‧‧‧電腦
22‧‧‧主控制器
23‧‧‧副控制器
24‧‧‧第一控制部
25‧‧‧輸出/輸入部
26‧‧‧第一記憶部
27‧‧‧在線控制部
28‧‧‧裝置管理部
29‧‧‧排程功能部
30‧‧‧排程引擎
31‧‧‧處理執行指示部
32‧‧‧排程結果
33‧‧‧排程資料
34‧‧‧第二控制部
35‧‧‧第二記憶部
36‧‧‧序列通訊部
37‧‧‧CPU
38‧‧‧處理內容資料
39‧‧‧排程作成程式
51‧‧‧藥液噴嘴
52‧‧‧藥液槽
53‧‧‧藥液配管
54‧‧‧送液裝置
55‧‧‧藥液閥
56‧‧‧循環配管
57‧‧‧循環閥
58‧‧‧溫度調節裝置
59‧‧‧清洗液噴嘴
60‧‧‧清洗液配管
61‧‧‧清洗液閥
62‧‧‧洗淨液噴嘴
63‧‧‧洗淨液配管
64‧‧‧洗淨液閥
A1‧‧‧第一片基板
A11、A21‧‧‧第一搬出區塊
A12、A22‧‧‧第一搬入區塊
A13、A23‧‧‧第二搬出區塊
A14‧‧‧搬入前處理區塊
A15‧‧‧第二基板搬入區塊
A16‧‧‧基板處理區塊
A17‧‧‧第三搬出區塊
A18‧‧‧第三搬入區塊
A19‧‧‧搬出後處理區塊
A110‧‧‧第四搬出區塊
A111‧‧‧第四搬入區塊
A2‧‧‧第二片基板
A3‧‧‧第三片基板
A4‧‧‧第四片基板
A5‧‧‧第五片基板
A6‧‧‧第六片基板
A7‧‧‧第七片基板
A8‧‧‧第八片基板
A9‧‧‧第九片基板
A10‧‧‧第十片基板
A11‧‧‧第十一片基板
A12‧‧‧第十二片基板
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧主搬運機器人
G1‧‧‧第一處理單元群
G2‧‧‧第二處理單元群
G3‧‧‧第三處理單元群
G4‧‧‧第四處理單元群
HC‧‧‧主機電腦
HL‧‧‧高負載資訊
IR‧‧‧索引機器人
PASS‧‧‧授受單元
SP1至SP12‧‧‧前準備區塊
SPIN、SPIN1至SPIN12‧‧‧處理單元
ST1至ST4‧‧‧工作台
W‧‧‧基板
X1‧‧‧旋轉軸線
t1至t9‧‧‧時刻
圖1係用以顯示本發明實施形態之一的基板處理裝置的佈置之圖解式的俯視圖。
圖2係前述基板處理裝置的圖解式的側視圖。
圖3A係於水平方向觀看設置於前述基板處理裝置的處理單元的內部之示意圖。
圖3B係用以說明前述基板處理裝置的電性構成的方塊圖。
圖4A係用以說明本實施形態之一的流程圖，且顯示排程功能(scheduling function)部所為之處理例。
圖4B係用以說明本實施形態之一的流程圖，且顯示排程功能部所為之處理例。
圖4C係用以說明本實施形態之一的流程圖，且顯示排程功能部所為之處理例。
圖4D係用以說明本實施形態之一的流程圖，且顯示排程功能部所為之處理例。
圖5係用以說明本實施形態之一的流程圖，且顯示排程功能部所為之處理例。
圖6係顯示暫定時間表(time table)的一例。
圖7係顯示暫定時間表作成處理的流程之流程圖。
圖8係顯示區塊的配置位置檢索處理的流程之流程圖。
圖9係顯示排程的作成的一例。
圖10係顯示排程的作成的一例。
圖11係顯示排程的作成的一例。
圖12係顯示排程的作成的一例。
圖13係顯示排程的作成的一例。
圖14係顯示排程的作成的一例。
圖15係顯示排程的作成的一例。
圖16係顯示排程的作成的一例。
圖17係顯示排程的作成的一例。
圖18係顯示排程的作成的一例。
圖19係顯示排程的作成的一例。
圖20係顯示排程的作成的一例。
圖21係顯示排程的作成的一例。
圖22係顯示排程的作成的一例。
圖23係顯示排程的作成的一例。
圖24係顯示排程功能部所作成之複數片基板的排程全體。
圖25A係顯示排程的作成的第一變化例。
圖25B係顯示直至開始基板處理之資料流(data flow)。
圖26係顯示排程的作成的第二變化例。
圖27係顯示排程的作成的第三變化例。
圖1係用以顯示本發明實施形態之一的基板處理裝置1的佈置之圖解式的俯視圖，圖2係該基板處理裝置的圖解式的側視圖。圖3A係於水平方向觀看設置於基板處理裝置1的處理單元SPIN1至SPIN12的內部之示意圖。
基板處理裝置1係包含有索引區(indexer section)2以及處理區3。處理區3係具備有用以在與索引區2之間將基板W予以授受之授受單元PASS。索引區2係將未處理的 基板W授予至授受單元PASS，並從授受單元PASS接受處理完畢的基板W。處理區3係從授受單元PASS接受未處理的基板W，並對該基板W施予使用處理劑(處理液或處理氣體)之處理、使用紫外線等電磁波之處理、物理洗淨處理(電刷(brush)洗淨、噴霧噴嘴(spray nozzle)洗淨等)等各種處理。接著，處理區3係將處理後的基板W授予至授受單元PASS。
索引區2係包含有複數個工作台(stage)ST1至ST4以及索引機器人(indexer robot)IR。
工作台ST1至ST4為能用以分別保持以層疊狀態收容有複數片基板W(例如半導體晶圓)的基板收容器C之基板收容器保持部。基板收容器C亦可為用以在密閉的狀態下收納基板W之FOUP(Front Opening Unified Pod；前開式晶圓傳送盒)，或亦可為SMIF(Standard Mechanical Inter Face；標準製造介面)盒(pod)、OC(Open Cassette；開放式晶圓匣)等。例如將基板收容器C載置於工作台ST1至ST4時，在基板收容器C中，水平姿勢的複數片基板W成為彼此隔著間隔並層疊於垂直方向的狀態。
索引機器人IR係包含有例如基台部6、多關節臂(arm)7以及一對手部(hand)8A、8B。基台部6係例如固定於該基板處理裝置1的框架。多關節臂7係構成為將可沿著水平面轉動的複數條臂部彼此可轉動地結合，並構成為以屬於臂部的結合部位之關節部將臂部間的角度予以改變藉此進行屈伸。多關節臂7的基端部係以可繞著垂直軸線轉動之 方式結合至基台部6。再者，多關節臂7係可升降地結合至基台部6。換言之，於基台部6內建有：升降驅動機構，用以使多關節臂7升降；以及轉動驅動機構，用以使多關節臂7繞著垂直軸線轉動。此外，於多關節臂7設置有用以使各臂部獨立地轉動之個別轉動驅動機構。於多關節臂7的前端部係以可繞著垂直軸線個別轉動以及朝水平方向個別進退之方式結合有手部8A、8B。於多關節臂7設置有：手部轉動驅動機構，係用以使手部8A、8B繞著垂直軸線個別地轉動；以及手部進退機構，係用以使手部8A、8B朝水平方向個別地進退。手部8A、8B係構成為例如能分別保持一片基板W。此外，雖然手部8A、8B亦可以重疊狀態上下地配置，但在圖1中為了明瞭化，係描繪成將手部8A、8B於紙面朝平行的方向(水平方向)錯開。
藉由此構成，索引機器人IR係以下述方式動作：以手部8A從任一個被工作台ST1至ST4保持的基板收容器C將一片未處理的基板W搬出並授予至授受單元PASS。並且，索引機器人IR係以下述方式動作：以手部8B從授受單元PASS接受一片處理完畢的基板W，並收容至被任一個工作台ST1至ST4保持的基板收容器C。
處理區3係包含有複數個(本實施形態中為12個)處理單元SPIN1至SPIN12、主搬運機器人CR以及前述的授受單元PASS。
在本實施形態中，處理單元SPIN1至SPIN12係立體性地配置。更具體而言，以構成三階層構造之方式配置複數 個處理單元SPIN1至SPIN12，於各階層部分配置四個處理單元。亦即，於一階層部分配置四個處理單元SPIN1、SPIN4、SPIN7、SPIN10，於二階層部分配置四個處理單元SPIN2、SPIN5、SPIN8、SPIN11，於三階層部分配置其他的處理單元SPIN3、SPIN6、SPIN9、SPIN12。更具體而言，在平面觀視中，於處理區3的中央配置主搬運機器人CR，於該主搬運機器人CR與索引機器人IR之間配置授受單元PASS。以夾著授受單元PASS並相對向之方式配置層疊三個處理單元SPIN1至SPIN3之第一處理單元群G1以及層疊其他三個處理單元SPIN4至SPIN6之第二處理單元群G2。並且，以鄰接於第一處理單元群G1中之距離索引機器人IR較遠之側的方式，配置層疊三個處理單元SPIN7至SPIN9之第三處理單元群G3。同樣地，以鄰接於第二處理單元群G2中之距離索引機器人IR較遠之側的方式，配置層疊三個處理單元SPIN10至SPIN12之第四處理單元群G4。主搬運機器人CR係被第一處理單元群G1至第四處理單元群G4圍繞。
主搬運機器人CR係包含有例如基台部11、多關節臂12以及一對手部13A、13B。基台部11係例如固定於該基板處理裝置1的框架。多關節臂12係構成為將沿著水平面延伸的複數條臂部彼此可轉動地結合，並構成為以屬於臂部的結合部位之關節部將臂部間的角度予以變更藉此進行屈伸。多關節臂12的基端部係以可繞著垂直軸線轉動之方式結合至基台部11。再者，多關節臂12係可升降地結合 至基台部11。換言之，於基台部11內建有：升降驅動機構，用以使多關節臂12升降；以及轉動驅動機構，用以使多關節臂12繞著垂直軸線轉動。此外，於多關節臂12設置有用以使各臂部獨立地轉動之個別轉動驅動機構。於多關節臂12的前端部係以可繞著垂直軸線個別轉動以及朝水平方向個別進退之方式結合有手部13A、13B。於多關節臂12設置有：手部轉動驅動機構，係用以使手部13A、13B繞著垂直軸線個別地轉動；以及手部進退機構，係用以使手部13A、13B朝水平方向個別地進退。手部13A、13B係構成為例如能分別保持一片基板W。此外，雖然手部13A、13B亦可以重疊狀態上下地配置，但在圖1中為了明瞭化，係描繪成將手部13A、13B於紙面朝平行的方向(水平方向)錯開。
藉由此構成，主搬運機器人CR係以手部13A從授受單元PASS接收未處理的一片基板W，並將該未處理的基板W搬入至任一個處理單元SPIN1至SPIN12。此外，主搬運機器人CR係以手部13B接受經過處理單元SPIN1至SPIN12處理之處理完畢的基板W，並將該基板W授予至授受單元PASS。
處理單元SPIN1至SPIN12係用以逐片處理基板W之葉片型的處理單元。處理單元SPIN1至SPIN12亦可為用以一邊使基板W繞著通過基板W的中央部之垂直的軸線旋轉一邊對基板W供給處理液之液處理單元，或亦可為用以進行使用處理氣體的處理之氣體處理單元，或亦可為用以 進行使用紫外線等電磁波的處理之電磁波處理單元，或亦可為用以進行物理洗淨處理(電刷洗淨、噴霧噴嘴洗淨等)之物理洗淨處理單元。圖3A係顯示處理單元SPIN1至SPIN12為液處理單元的例子。
如圖3A所示，各處理單元SPIN1至SPIN12係包含有：箱形的處理室17，係具有內部空間；自轉夾盤(spin chuck)15，係在處理室17內以水平姿勢保持一片基板W，並使基板W繞著通過基板W的中央部之垂直的旋轉軸線X1旋轉；以及筒狀的處理罩(cup)16，係繞著基板W的旋轉軸線X1圍繞自轉夾盤15。
處理室17係被箱狀的隔壁17a予以區隔而成。於隔壁17a形成有用以將基板W搬入至處理室17內或從處理室17內搬出之開口17b。開口17b係藉由擋門(shutter)17c而開閉。擋門17c係藉由擋門升降機構(未圖示)而在用以覆蓋開口17b之閉位置(於圖3A以二點鍊線所示)與用以開放開口17b之開位置(於圖3A以實線所示)之間升降。
於基板W的搬出/搬入時，主搬運機器人CR係使手部13A、13B通過開口17b而於處理室17內進行接取(access)。藉此，能將未處理的基板W載置於自轉夾盤15上、以及從自轉夾盤15取下處理完畢的基板W。
如圖3A所示，自轉夾盤15係包含有：圓板狀的自轉基座(spin base)15a，係作成水平的姿勢；複數個夾盤銷(chuck pin)15b，係從自轉基座15a的上表面外周部朝上方突出；夾盤開閉機構，係將複數個夾盤銷15b按壓至基板 W的周緣部；旋轉軸15c，係從自轉基座15a的中央部朝下方延伸；以及自轉馬達(spin motor)15d，係使被複數個夾盤銷15b保持的基板W旋轉。自轉夾盤15並未限定於圖3A所示的夾持式的夾盤，亦可為用以使基板的下表面吸付於自轉基座的上表面藉此以水平的姿勢保持基板之真空式的夾盤。
如圖3A所示，處理單元SPIN1至SPIN12係包含有：藥液噴嘴51，係朝被自轉夾盤15保持的基板W的上表面吐出藥液；藥液槽52，係儲留供給至藥液噴嘴51之藥液；藥液配管53，係將藥液槽52內的藥液引導至藥液噴嘴51；送液裝置54(例如泵(pump))，係將藥液槽52內的藥液輸送至藥液配管53；以及藥液閥55，係將藥液配管53的內部予以開閉。處理單元SPIN1至SPIN12係進一步包含有：循環配管56，係在比藥液閥55還上游側(藥液槽52側)連接藥液配管53與藥液槽52；循環閥57，係將循環配管56的內部予以開閉；以及溫度調節裝置58，係調節流通至循環配管56之藥液的溫度。
藥液閥55以及循環閥57的開閉係被電腦21(參照圖3B)控制。在藥液槽52內的藥液被供給至藥液噴嘴51時，藥液閥55開啟，循環閥57關閉。在此狀態下，藉由送液裝置54從藥液槽52朝藥液配管53輸送的藥液係被供給至藥液噴嘴51。另一方面，在停止朝藥液噴嘴51供給藥液時，藥液閥55關閉，循環閥57開啟。在此狀態下，藉由送液裝置54從藥液槽52朝藥液配管53輸送的藥液係通過 循環配管56返回至藥液槽52內。因此，在停止朝藥液噴嘴51供給藥液之供給停止中，藥液係持續循環於由藥液槽52、藥液配管53以及循環配管56所構成的循環路徑。溫度調節裝置58係調節流通於循環配管56內之藥液的溫度。因此，藥液槽52內的藥液係在供給停止中在循環路徑被加熱，而維持於比室溫還高的溫度。
再者，藥液閥55係可調整開度，俾使藥液噴嘴51吐出微量的藥液而能進行預噴液(pre-dispense)。此外，於藥液噴嘴51附近配置有藥液回收構件(未圖示)，而能回收從藥液噴嘴51預噴液的藥液。
此外，如圖3A所示，處理單元SPIN1至SPIN12係包含有：清洗(rinse)液噴嘴59，係朝被自轉夾盤15保持的基板W的上表面吐出清洗液；清洗液配管60，係將來自清洗液供給源(未圖示)的清洗液供給至清洗液噴嘴59；以及清洗液閥61，係切換從清洗液配管60朝清洗液噴嘴59之清洗液的供給及停止供給。以清洗液而言，能使用DIW(deionized water；去離子水)等。於藉由藥液噴嘴51將藥液供給至基板W後，從清洗液噴嘴59將清洗液供給至基板W，藉此沖洗附著於基板W的藥液。
再者，處理單元SPIN1至SPIN12係包含有：洗淨液噴嘴62，係用以朝處理室17內的預定部位(例如自轉基座15a)吐出洗淨液；洗淨液配管63，係將來自洗淨液供給源(未圖示)的洗淨液供給至洗淨液噴嘴62；以及洗淨液閥64，係切換從洗淨液配管63朝洗淨液噴嘴62之洗淨液的供給 及停止供給。以洗淨液而言，能使用DIW(去離子水)等。洗淨液噴嘴62係安裝於處理室17的內壁。在假性(dummy)基板(未圖示，洗淨用治具)或基板W被複數個夾盤銷15b保持的狀態下，自轉基座15a及夾盤銷15旋轉，且從洗淨液噴嘴62吐出洗淨液。從洗淨液噴嘴62吐出的洗淨液係在被夾盤銷15b保持的假性基板的上表面或基板W的上表面濺射，洗淨液係於處理室17內飛散。藉由使洗淨液如此地飛散，能洗淨配置於處理室17內的各種構件(夾盤銷15或處理罩16)。
圖3B係用以說明基板處理裝置1的電性構成之方塊圖。基板處理裝置1係包含有用以控制處理單元SPIN1至SPIN12、主搬運機器人CR以及索引機器人之電腦21。
電腦21係具備有主控制器22以及副控制器23。
主控制器22亦可具有個人電腦(Personal Computer)的形態，並具備有第一控制部24、輸出/輸入部25以及第一記憶部26。第一控制部24係包含有CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等運算單元。輸出/輸入部25係包含有：顯示單元等輸出機器；以及鍵盤、指向裝置(pointing device)、觸控面板(touch panel)等輸入機器。再者，輸出/輸入部25係包含有用以與主機電腦(host computer)HC通訊之通訊模組。第一記憶部26係包含有固態記憶體裝置(solid-state memory device)、硬碟驅動器等記憶裝置。
第一控制部24係包含有在線(online)控制部27、裝置 管理部28以及排程功能部(排程作成部)29。排程功能部29係包含有排程引擎(scheduling engine)30以及處理執行指示部31。排程引擎30係作成用以使基板處理裝置1的資源隨著時間系列作動之排程(計畫)，俾使基板W從基板收容器C搬出並在經過處理單元SPIN1至SPIN12處理後收容至基板收容器C。排程引擎30所為之排程的作成的結果(排程結果32)係賦予至處理執行指示部31。處理執行指示部31係根據被賦予的排程，將用以使基板處理裝置1的資源作動之要旨的命令發送至副控制器23。
第一記憶部26係構成為可記憶資料等，該資料係包含有：排程作成程式39，係用以使第一控制部24作為排程功能部作動；以及排程資料33，係由排程功能部所作成。
副控制器23係由例如控制VME(VERSA module Eurocard；VERSA模組歐洲電路板規格)板所構成，並具備有第二控制部34、第二記憶部35以及序列(serial)通訊部36。第二控制部34係包含有用以執行運算處理之CPU37。第二控制部34係相當於申請專利範圍中的「控制部」。
第二記憶部35係構成為用以記憶各種資料等，該各種資料係包含有：處理內容資料38，係基板處理裝置1所為之處理內容的資料。處理內容資料38係包含有：製程工作符碼(process job code)，係被賦予至各基板W；以及配方(recipe)，係與製程工作符碼賦予對應。
配方係已定義基板處理內容之資料，並包含有基板處理條件以及基板處理順序。更具體而言，包含有並行處理 單元資訊、使用處理液資訊、處理時間資訊、後處理執行條件以及前準備執行條件等。
「並行處理單元資訊」係用以指定能執行該配方所含有的基板處理之處理單元的資訊，且表示被指定的處理單元可並行處理。換言之，表示在指定處理單元中的一者無法使用時，可由其他的指定處理單元來代替。所謂「無法使用時」係指：該處理單元正使用於其他的基板W的處理時、該處理單元故障中時、運算子(operator)不欲使該處理單元進行基板W的處理時等。
「使用處理液資訊」係有關於該配方所含有之基板處理時所使用的處理液(各種藥液及清洗液)之資訊。
「處理時間資訊」係有關於配方所含有之各步驟的執行所需的時間之資訊。具體而言，包含有該配方之指定處理單元中的基板的滯留時間、下述預備處理步驟(前準備步驟及後處理步驟)的執行所需的時間等。所謂預備處理步驟係指在預定的處理單元中執行基板處理之前先進行基板處理步驟的準備俾使該基板處理能精密地執行之處理，在本實施形態中係對應基板處理前所執行之前準備步驟以及在先前的基板處理後所執行的後處理步驟。
「前準備執行條件」係有關前準備步驟之資訊。
所謂前準備步驟係指在執行預定的基板處理之前處理單元應執行的前準備作業。
例如如使用圖3A之前述說明般，於處理單元SPIN1至SPIN12設置有用以以規定的溫度將預定的藥液朝基板 W吐出之溫度調節裝置58。雖然需要以配方所規定的目的溫度將藥液朝基板W吐出，然而溫度調節裝置58將藥液加熱至目的溫度係需要一定時間。因此，會有下述情形(前準備步驟的例子1)：在從藥液噴嘴51朝基板W吐出藥液之前，在開放循環閥57並使溫度調節裝置58作動的狀態下使送液裝置54作動，藉此使藥液在循環配管56中循環。
此外，當於藥液噴嘴51及藥液配管53的至少一者殘留變成目的溫度範圍外的藥液時，會有目的溫度外的藥液朝基板W吐出之虞。因此，會有下述情形(前準備步驟的例子2)：執行所謂的預噴液，也就是在實際開始吐出藥液之預定時間前從藥液噴嘴51排出少量的藥液。
前準備執行條件係記述有應該從哪個時序(timing)(例如基板處理的開始的預定時間前)開始(例如在所分配的處理單元中開始基板處理之預定時間前，或者從藥液噴嘴51實際吐出藥液之預定時間前)何種前準備(例如在進行前準備步驟的例子1之情形為循環閥57的開放、溫度調節裝置58及送液裝置54的作動、溫度調節裝置58之以預定的設定溫度的溫度調整等)等前準備步驟的具體內容。
再者，於前準備執行條件亦記述有關於是否需要前準備步驟之資訊。
是否需要前準備步驟係根據基板處理的內容或該基板處理之前所執行的基板處理的內容等而決定。以是否需要前準備步驟的一例而言，能例舉下述的例子。例如在執行使用溫度依存性高的處理液之基板處理之情形中，由於認 為需要執行作為前準備步驟的預噴液處理，因此將前準備步驟的執行設定成「需要」。另一方面，在執行使用溫度依存性低的處理液之基板處理之情形中，由於不需要預噴液處理，因此將前準備步驟的執行設定成「不需要」。此外，前準備步驟的內容與是否需要係在每個製程工作中被規定。
此外，在連續執行需要前準備步驟的基板處理之情形中，原則上在同一個處理單元的第二次以後的基板處理之前無須執行前準備步驟。然而，即使在為了先前的基板處理而執行前準備步驟之情形中，仍有在直至開始下個基板處理步驟為止因為裝置異常等經過長時間時判定成需要前準備步驟之情形。
「後處理執行條件」係有關於後處理步驟之資訊。
所謂後處理步驟係指在執行預定的基板處理後，處理單元SPIN1至SPIN12為了下個基板處理所應執行的作業。
於後處理執行條件包含有關於後處理步驟的具體內容之資訊以及關於是否需要後處理步驟之資訊。後處理步驟是否需要以及內容係於配方所含有的每個區塊中被規定。
後處理步驟的具體例係處理單元SPIN1至SPIN12的處理室17內的洗淨處理(腔(chamber)洗淨步驟)。藉由執行處理室17(參照圖3A)內的洗淨，能迴避對先前的基板W所進行的基板處理影響到下一個搬入至處理室17的基板W。藉此，能實現精密的基板處理，而能保持基板處理的品質。後處理步驟並未限定於洗淨處理(腔洗淨步驟)，亦 可為用以保持基板之夾盤銷的洗淨(夾盤銷洗淨步驟)或者處理室17內其他的構件(例如處理罩16(參照圖3A))的洗淨處理(構件洗淨步驟)，或亦可包含該等洗淨處理的兩個以上。腔洗淨和構件洗淨係能藉由從洗淨液噴嘴62(參照圖3A)吐出洗淨液來執行。
於後處理執行條件記述有關於是否需要後處理步驟之資訊。是否需要後處理步驟係於配方所含有的每個區塊被規定。
是否需要後處理步驟係根據基板處理的內容、該基板處理之前所執行的基板處理的內容或該基板處理之後所執行的基板處理的內容等而決定。以是否需要後處理步驟的一例而言，能例舉下述的例子。在進行污染處理室17之虞較高的基板處理之情形中，不論接下來是否要進行基板處理，皆將後處理步驟的執行設定成「需要」。此外，例如在同一個處理室17未執行處理步驟的狀態下經過預定時間之情形或已處理預定片數的基板W之情形，將後處理步驟的執行設定成「需要」。再者，在有對同一個處理室17之後所要進行的基板處理造成影響之可能性之情形，由於需要在該基板處理後執行後處理步驟，因此設定成「需要」。相反地，在先前的基板處理僅使用相同的處理液之情形等，亦即在該基板處理不會對之後的基板處理造成影響之情形，由於無須於基板處理之後進行後處理步驟，因此設定成「不需要」。
所謂製程工作係指被施予共通處理的一片或複數片基 板W。所謂製程工作符碼係指用以識別製程工作之識別資訊。亦即，對被賦予共通的製程工作符碼的複數片基板W施予與該製程工作符碼賦予對應的配方所為的共通處理。然而，亦有與不同的製程工作符碼對應的處理內容(配方)為相同之情形。例如，對處理順序(從基板收容器C(參照圖1等)移出的順序)連續之複數片基板W施予共通的處理時，對該等複數片基板W賦予共通的製程工作符碼。
處理內容資料38的作成及記憶係在基板處理裝置1的基板處理之前藉由運算子的操作而進行。具體而言，依據運算子根據輸出/出入部25的操作而輸入的資訊，第一控制部24係產生製程工作以及配方。所產生的處理內容資料38(製程工作及配方)係被賦予至副控制器23，並被儲存至第二記憶部35。
序列通訊部36係在處理單元SPIN1至SPIN12、主搬運機器人CR以及索引機器人IR之間進行序列通訊。
此外，副控制器23亦可由與主控制器22為同一個電腦所構成，或亦可由與主控制器22不同的電腦所構成。
當基板收容器C被搬入至基板處理裝置1時，主機電腦HC係將製程工作產生指示發送至主控制器22。製程工作產生指示係包含有製程工作符碼以及配方的識別資訊。
各製程工作係包含有被製程工作產生指示所指定的配方的識別資訊。第二控制部34係從第二記憶部35所記憶的複數個配方中選擇與製程工作產生指示所指定的配方的識別資訊對應的配方，並讀入所選擇的配方。藉此，藉由 副控制器23準備與製程工作對應的配方。
圖4A至圖4D以及圖5係用以說明排程功能部29所為之處理例之流程圖。此外，圖4A至圖4D的製程與圖5的製程係並行執行。具體而言，在圖4A至圖4D的製程中，執行屬於製程工作之各基板A1至A12的基板的排程。在圖5的製程中，係與圖4A至圖4D的製程並行，監視各基板A1至A12的基板的排程結束之時序。圖6係顯示暫定時間表的一例。圖7係顯示暫定時間表作成處理的流程之流程圖。圖8係顯示區塊的配置位置的檢索處理流程之流程圖。圖9至圖23係顯示排程的作成的一例。
圖4A至圖4D係表示藉由第一控制部24執行排程作成程式39而進行的處理。換言之，於排程作成程式39編譯有用以使第一控制部24執行圖4所示的處理之步驟群。
本實施形態的排程作成方法的特徵之一在於：以高負載時間帶不會集中之方式將與後述的「高負載動作」對應的區塊彼此配置於時間軸上。此外，本實施形態的排程作成方法的另一特徵在於：在已被賦予共通的製程工作符碼的複數片基板W中之從基板收容器C最先移出的第一片的基板W的排程的作成完成後，在該第一片的基板W以外的基板W的排程的作成未結束之時序，開始作成完畢的排程。
以下，主要參照圖1至圖5，說明排程的作成的例子。適當地參照圖6至圖23。
在以下的排程例子中，說明作成被賦予相同的製程工 作符碼「A」之「N」(N為「2」以上「12」以下的整數)片基板W的計畫(排程)之例子。為了方便說明，將最初移出的第一片基板(第一基板)W作為「基板A1」來說明，將接著移出的第二片基板(第二基板)W作為「基板A2」來說明。
在排程的作成之前，後述之「高負載動作」的容許範圍(判定為非「高負載動作」之條件)係記憶至第一記憶部26(步驟S0)。以例如「高負載動作」的容許範圍的一例而言，例如能例示程式執行時的CPU37的使用率在任意的一秒間平均未滿90%之情形以及程式執行時的CPU37的使用率為100%的狀態不會在0.1秒間持續之情形。
當從主機電腦HC或輸出/輸入部25藉由運算子賦予基板處理開始的指示時(步驟S1：是)，排程功能部29係對被賦予基板處理開始指示之全部的基板W作成暫定時間表(步驟S2)。基板處理開始指示亦可非以一片基板W為單位，而是以收容於基板收容器C的全部的基板W為一單位來發行。基板處理開始指示亦可為用以指示一個或複數個被賦予製程工作符碼的基板W的處理開始。
例如作成為在處理內容資料38中與某個製程工作符碼賦予對應的配方係指定處理單元SPIN1至SPIN12的並行處理。亦即，考量到依據該配方的基板處理係在12個處理單元SPIN1至SPIN12的任一者中皆能執行之情形。在此情形中，被賦予該製程工作符碼的基板W接受處理時所通過的路徑為12個。亦即，為了該基板W的處理所能選擇的 路徑為通過處理單元SPIN1至SPIN12中任一者的12個路徑。因此，排程功能部29係作成與該12個路徑對應的暫定時間表。
將與通過處理單元SPIN1的路徑對應之暫定時間表的例子顯示於圖6。該暫定時間表係包含有：前準備區塊，係表示前準備步驟的執行；搬入前處理區塊，係表示搬入前處理步驟的執行；基板處理區塊，係表示處理單元SPIN1所為之對於該基板W的處理；搬出後處理區塊，係表示搬出後處理步驟的執行；第一搬出區塊，係表示索引機器人IR從基板收容器C移出(搬出)基板W；第一搬入區塊，係表示索引機器人IR將該基板W搬入至授受單元PASS；第二搬出區塊，係表示主搬運機器人CR將該基板W從授受單元PASS搬出；第二搬入區塊，係表示主搬運機器人CR將該基板W搬入至處理單元SPIN1；第三搬出區塊，係表示主搬運機器人CR從處理單元SPIN1搬出處理完畢的基板W；第三搬入區塊，係表示主搬運機器人CR將該基板W搬入至授受單元PASS；第四搬出區塊，係表示索引機器人IR將該基板W從授受單元PASS搬出；以及第四搬入區塊，係表示索引機器人IR將該基板W搬入至基板收容器C。在圖6以及圖13至圖24中，為了方便顯示係將第一搬入區塊及/或第四搬出區塊作為與授受單元PASS的動作對應者來顯示，然而實際上該等區塊係與索引機器人IR的動作對應者。此外，為了方便顯示係將第二搬入區塊及/或第三搬出區塊作為與各處理單元SPIN1至SPIN12的處理 對應者來顯示，然而實際上該等區塊係與主搬運機器人CR的動作對應者。此外，雖然圖6所示的暫定時間表係包含有前準備區塊，但並未包含有屬於表示後處理步驟的執行之區塊的後處理區塊。
此外，在以下的說明中，有將第一至第四搬出區塊以及第一至第四搬入區塊的總稱稱為「搬運區塊」之情形。此外，有將圖6所示的區塊中除了前準備區塊之各區塊的總稱稱為「處理/搬運區塊」之情形。
所謂搬入前處理步驟係指處理單元用以將基板W搬入至該處理單元內之動作。以搬入前處理步驟而言，能例示擋門17c的開放動作或者夾盤銷15b朝開姿勢(未夾持基板W之姿勢)的變位動作等。
所謂搬出後處理步驟係指處理單元從該處理單元搬出基板後的動作。以搬出後處理步驟而言，能例舉擋門17c的閉塞動作或者夾盤銷15b朝閉姿勢(夾持基板W之姿勢)的變位動作等。
如圖7所示，在暫定時間表的作成中，排程功能部29係針對被賦予基板處理開始指示的全部的基板W取得配方(圖7的步驟S51)，依據所取得的配方產生應包含於暫定時間表的區塊(圖7的步驟S52)，並作成暫定時間表。
排程功能部29係調查於與所產生的區塊對應的動作是否存在有(含有)在第二控制部34所產生之屬於高控制負載的時間帶之高負載時間帶(圖7的步驟S53)。在本實施形態中，所謂高負載時間帶係指例如滿足程式執行時的 CPU37的使用率在任意的一秒間平均為90%以上之情形以及程式執行時的CPU37的使用率為100%的狀態在0.1秒間持續之情形中的至少一者的時間帶。在以下的說明中，將含有高負載時間帶的資源的動作稱為「高負載動作」。
在圖6的暫定時間表所規定的基板處理裝置1的各動作中之前準備步驟、基板處理步驟以及搬入前處理步驟係相當於「高負載動作」。
在前準備步驟的開始時，副控制器23的序列通訊部36係依據排程結果32從第二記憶部35讀出該基板處理所需的配方。CPU37係將所讀出的配方予以資料解譯，產生用以在各處理單元SPIN1至SPIN12中實現該配方之控制訊號。CPU37係將所產生的控制訊號經由序列通訊部36發送至控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12。此外，控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12係在接收控制訊號後立即將接收確認訊號發送至序列通訊部36。由於前準備步驟的處理資料的資料量大，因此序列通訊部36或CPU37在進行資料通訊或資料解譯時暫時性地產生高控制負載。亦即，於基板處理步驟的開始時存在高負載時間帶。
此外，在基板處理步驟的開始時，第二控制部34的序列通訊部36係對控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12發送配方。此外，控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12係在接收配方後立即將接收確認訊號發送至序列通訊部36。由於配方的資料量龐大，因此在序列通訊部36或CPU37暫時性地產生高控制負載。亦即，於基板處理步驟的開始時 存在高負載時間帶。
此外，在搬入前處理步驟的開始時，第二控制部34的序列通訊部36係對控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12發送關於該搬入前處理步驟的處理資料及配方。由於配方的資料量龐大，因此在序列通訊部36或CPU37暫時性地產生高控制負載。亦即，於搬入前處理步驟的開始時存在高負載時間帶。
在所產生的區塊與「高負載動作」對應的情形中(圖7的步驟S53：是)，如圖6所示，排程功能部29係對該區塊的最初的時間帶(亦即，與產生高控制負載亦即搬入前處理步驟的開始時所對應的時間帶)賦予高負載資訊HL(圖7的步驟S54)。藉此，排程功能部29係完成暫定時間表的作成(圖7的步驟S55)。亦即，於與高負載動作對應的區塊中之與高負載時間帶對應的部分附加高負載資訊HL。另一方面，在所產生的區塊未與「高負載動作」對應的情形中(圖7的步驟S53：否)，排程功能部29直接完成暫定時間表的作成(圖7的步驟S55)。
排程功能部29係以不會在時間軸上彼此重疊之方式將應包含於暫定時間表的全部的區塊依序配置，藉此作成暫定時間表。排程功能部29係對基板W作成與分別通過處理單元SPIN2至SPIN12的路徑對應之同樣的暫定時間表(已將區塊分別配置於處理單元SPIN2至SPIN12的暫定時間表)。如此，對一片基板W作成合計12路徑分的暫定時間表。
同樣的暫定時間表係與被賦予共通的製程工作符碼的全部基板W對應而作成。如此作成的暫定時間表係作為排程資料33的一部分而儲存於第一記憶部26。
如圖4A所示，當產生排程指示時(步驟S3：是)，進行關於被賦予該共通的製程工作符碼的基板W之區塊的配置(步驟S4至S32)。具體而言，排程功能部29係從第一記憶部26讀出該基板W的暫定時間表，並將構成該暫定時間表的區塊配置於時間軸上。
進一步具體地說明，排程功能部29係參照前準備執行條件的內容來判斷是否進行前準備步驟(步驟S4)。在製程工作將前準備步驟設成需要之情形中(亦即，與該基板W對應的前準備執行條件成為「需要」之情形。步驟S4：是)，作成前準備步驟的排程(步驟S5、S6)；而在不需要前準備步驟之情形中(亦即，與該基板W對應的前準備執行條件成為「否」之情形)，步驟S5、S6的各處理係被跳過(skip)。
在需要前準備步驟時(步驟S4：是)，排程功能部29係將針對有處理該基板W之可能性的處理單元SPIN1至SPIN12(在前述的例子中為全部的處理單元)配置前準備區塊(步驟S5、S6)。亦即，前準備步驟的排程係在後述的個別的基板W的排程的作成之前先被彙整作成。
在前準備區塊的配置位置檢索(步驟S5)中，如圖8所示，排程功能部29係調查是否於檢索對象的前準備區塊附加有高負載資訊HL(檢索對象的前準備區塊是否與「高負載動作」對應)(圖8的步驟S61)。此外，在檢索對象的前 準備區塊附加有高負載資訊HL之情形中(圖8的步驟S61：是)，接著，排程功能部29係調查是否已於其他的資源(處理單元等)配置完畢含有高負載資訊HL的區塊(與「高負載動作」對應的區塊)(圖8的步驟S62)。在未於檢索對象的前準備區塊附加有高負載資訊HL之情形(圖8的步驟S61：否)或者在含有高負載資訊HL的區塊未配置於其他的資源之情形(圖8的步驟S62：否)中，排程功能部29係決定時間軸上最早的位置以作為檢索對象的前準備區塊的配置位置(圖8的步驟S64)，藉此完成前準備區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
另一方面，在成為配置位置的檢索對象之前準備區塊附加有高負載資訊HL(圖8的步驟S61：是)且於其他的資源配置有含有高負載資訊HL的區塊(與「高負載動作」對應的區塊)之情形中(圖8的步驟S62：是)，排程功能部29係在已配置完畢的區塊中之未分配有高負載資訊HL的時間帶中，決定時間軸上最早的位置以作為檢索對象的前準備區塊的配置位置(圖8的步驟S63)，藉此完成前準備區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
首先，排程功能部29係配置處理單元SPIN1的前準備區塊SP1。此時，排程功能部29係從第一記憶部26讀出第一片基板A1的暫定時間表，且如圖9所示將該暫定時間表所含有的前準備區塊SP1配置於時間軸上最早的位置亦即現在時刻。於如此配置的前準備區塊SP：附加有高負載資訊HL。
接著，排程功能部29係配置處理單元SPIN2的前準備區塊SP2。於如此配置的前準備區塊SP2附加有高負載資訊HL。此時，排程功能部29係從第一記憶部26讀出第二片基板A2的暫定時間表，且如圖10所示以對該前準備區塊SP2所附加的高負載資訊HL為處理單元SPIN1的前準備區塊SP1未分配有所含有的高負載資訊HL之時間帶的方式，將該暫定時間表所含有的前準備區塊SP2配置於時間軸上最早的位置。亦即，排程功能部29係以前準備區塊SP2所含有的高負載資訊HL未被分配於與處理單元SPIN1的前準備區塊SP1相同的時間帶之方式，將處理單元SPIN2的前準備區塊SP2配置在從時間軸上最早的位置偏移(shift)的時間軸上之後(高負載迴避配置步驟)。
接著，排程功能部29係配置處理單元SPIN3的前準備區塊SP3。於如此配置的前準備區塊SP3附加有高負載資訊HL。此時，排程功能部29係從第一記憶部26讀出第三片的基板W的暫定時間表，且如圖11所示以對該前準備區塊SP3所附加的高負載資訊HL為處理單元SPIN1、SPIN2的前準備區塊SP1、SP2各者未分配有所含有的高負載資訊HL之時間帶的方式，將該暫定時間表所含有的前準備區塊SP3配置於時間軸上最早的位置。亦即，排程功能部29係以前準備區塊SP3所含有的高負載資訊HL未被分配於與處理單元SPIN1、SPIN2的前準備區塊SP1、SP2所含有的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，將處理單元SPIN3的前準備區塊SP3配置在從時間軸上最早的位置偏移的時間軸 上之後(高負載迴避配置步驟)。
如此，排程功能部29係以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配於與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，將所讀出的暫定時間表所含有的前準備區塊依序配置於時間軸上最早的位置(亦即從前方開始置放)。
當與全部的處理單元SPIN1至SPIN12對應的前準備區塊SP1至SP12的配置完成時(將該狀態顯示於圖12。步驟S7：是)，接著，排程功能部29係配置各基板W的處理/搬運區塊(步驟S8至步驟S12)。
首先，排程功能部29係從第一記憶部26讀出與第一片基板A1對應的暫定時間表，並參照與第一片基板A1對應的暫定時間表，取得一個該暫定時間表所含有的處理/搬運區塊(步驟S8)。此時所取得的處理/搬運區塊係配置於未配置的處理/搬運區塊中的暫定時間表的時間軸上最早的位置之處理/搬運區塊。再者，排程功能部29係檢索應配置於該取得的處理/搬運區塊之位置(步驟S9)，並根據該檢索結果配置該處理/搬運區塊(步驟S10)。
在處理/搬運區塊的配置位置的檢索(步驟S9)中，如圖8所示，排程功能部29係調查是否於檢索對象的處理/搬運區塊附加有高負載資訊HL(檢索對象的處理/搬運區塊是否與「高負載動作」對應)(圖8的步驟S61)。此外，在檢索對象的處理/搬運區塊附加有高負載資訊HL之情形中(圖8的步驟S61：是)，接著，排程功能部29係調查 於其他的資源(處理單元等)是否已配置完畢含有高負載資訊的區塊(與「高負載動作」對應的區塊)(圖8的步驟S62)。在檢索對象的處理/搬運區塊未附加有高負載資訊HL之情形(圖8的步驟S61：否)或者含有高負載資訊HL的區塊未配置於其他的資源之情形(圖8的步驟S62：否)中，排程功能部29係決定時間軸上最早的位置以作為檢索對象的處理/搬運區塊的配置位置(圖8的步驟S64)，藉此完成處理/搬運區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
另一方面，在成為配置位置的檢索對象之處理/搬運區塊附加有高負載資訊HL(圖8的步驟S61：是)且於其他的資源配置有含有高負載資訊HL的區塊(與「高負載動作」對應之區塊)之情形中(圖8的步驟S62：是)，排程功能部29係在已配置完畢的區塊之未分配有高負載資訊HL之時間帶，決定時間軸上最早的位置以作為檢索對象的處理/搬運區塊的配置位置(圖8的步驟S63)，藉此完成處理/搬運區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
具體而言，如圖13所示，排程功能部29首先將第一片基板A1的第一搬出區塊A11、第一搬入區塊A12以及第二搬出區塊A13依序配置於時間軸上。排程功能部29係根據處理單元SPIN1的可處理時刻(亦即，處理單元SPIN1的前準備步驟的結束時間點)逆算搬運預定時間而將第一片基板A1的第一搬出區塊A11配置於妥當的位置，而非是配置於時間軸上最早的位置(亦即，現在時刻)。第一搬入區塊A12以及第二搬出區塊A13係分別因應第一搬出區塊A11 的配置位置並隨著時間系列配置。
接著，如圖14所示，排程功能部29係進行第一片基板A1的搬入前處理區塊A14的配置。當考量以同一個資源不會在相同的時間重複被使用之方式配置於時間軸上最早的位置之情形時，應將第一片基板A1的搬入前處理區塊A14配置於圖14中以虛線所示的位置，然而若如此配置，附加於該搬入前處理區塊A14的高負載資訊HL會與處理單元SPIN12的前準備區塊(圖14所示的SP12)所含有的高負載資訊HL重複，因此將搬入前處理區塊A14錯開配置於比圖14中以虛線所示的位置的時間軸還後方。在此情形中，較佳為搬入前處理區塊A14儘可能地從前方開始配置。
接著，如圖15所示，排程功能部29係將第一片基板A1的第二基板搬入區塊A15以及基板處理區塊A16配置於時間軸上。接著，如圖16所示，排程功能部29係將第一片基板A1的第三搬出區塊A17以及第三搬入區塊A18配置於時間軸上後，將搬出後處理區塊A19、第四搬出區塊A110以及第四搬入區塊A111配置於時間軸上。
如圖16所示，當針對第一片基板A1之構成暫定時間表的全部的區塊配置完成時(步驟S11：是)，結束第一片基板A1的排程的作成(步驟S12)，包含有處理單元SPIN1至SPIN12的前準備區塊SP1至SP12以及第一片基板A1的處理/搬運區塊A11至A111之作成完畢的排程係作為排程表資料33的一部分儲存至第一記憶部26(步驟S13)。當第一片基板A1的排程的作成結束時，與圖4A至圖4D的排程 處理並行執行的圖5的流程圖的步驟S41的區塊係成為「是」(步驟S41：是)。之後，排程功能部29係使圖5的製程從步驟S41移行至步驟S42，開始作成完畢的排程的執行(步驟S42)。亦即，排程功能部29係依據作成完畢的排程使資源開始動作。具體而言，處理單元SPIN1至SPIN12係開始前準備步驟。此外，藉由索引機器人IR從基板收容器C移出(搬出)第一片基板A1。
返回圖4B的流程圖，當第一片基板A1的排程資料33被儲存至第一記憶部26(步驟S13)時，進行是否處於開始第二片基板A2的排程之時序之判斷(步驟S14)。在本實施形態中，先前的基板AN(第N片的基板。「N」為「2」以上的整數)從基板收容器C移出的時序係設定成開始之後的基板AN+1的排程之時序。
因此，當第一片基板A1從基板收容器C移出時，判斷成已到達開始第二片基板A2的排程之時序(步驟S14：是)。亦即，當第一片基板A1從基板收容器C移出時，針對第二片基板A2之排程的作成(亦即，下述處理/搬運區塊A21至A211的配置)係與第一片基板A1的基板處理並行進行。在容許作成完畢的排程的變更之情形中(步驟S15：是)，如圖17及圖18所示，排程功能部29係從時間軸上刪除構成第一片基板A1的排程之全部的區塊中的未來的區塊(步驟S16)。在該未來的區塊的刪除中，僅留下與已經開始的資源的動作對應的區塊以及現在時刻後的預定開始的區塊，將其他區塊全部刪除。
在此排程例子中，在圖17的現在時刻已經開始的資源為處理單元SPIN1至SPIN6，與這些資源對應的區塊為前準備區塊SP1至SP6。此外，在現在時刻之後預定開始的資源為索引機器人IR以及處理單元SPIN7，與這些資源對應的區塊為第一搬運區塊A11以及前準備區塊SP7。因此，如圖17及圖18所示，排程功能部29係從在圖17的現在時刻所預定的處理/搬運區塊A11至A111以及前準備區塊SP1至SP12刪除第一搬運區塊A11以及前準備區塊SP1至SP7以外的區塊，亦即刪除處理搬運區塊A12至A111以及前準備區塊SP8至SP12。
不僅是與已經開始的資源的動作對應的區塊，與於現在時刻之後預定開始的資源的動作對應之區塊亦保留的原因乃是於現在時刻之後預定開始的資源的動作有已經開始的可能性之故。
接著，圖19所示，排程功能部29係將在步驟S16所刪除的前準備區塊SP8至SP12再次配置於時間軸上(步驟S17)。應將前準備區塊SP8至SP12再配置之位置的檢索係以與步驟S6的前準備區塊的配置位置的檢索同樣的手法進行，並依據該檢索結果將處理單元SPIN8至SPIN12的前準備區塊SP8至SP12予以再配置。
接著，排程功能部29係將在步驟S16所刪除的處理/搬運區塊A12至A111再配置於時間軸上，並將第二片基板A2的處理/搬運區塊A22至A211配置於時間軸上。已刪除的處理/搬運區塊A12至A111的再配置係與第二片基板A2 的處理/搬運區塊的配置並行進行。
排程功能部29係取得已刪除的處理/搬運區塊A12至A111中的一個(步驟S18)。此時所取得的處理/搬運區塊為配置於刪除前的時間軸上最早的位置之處理/搬運區塊。
此外，排程功能部29係從第一記憶部26讀出與第二片基板A2對應的暫定時間表，並參照與第二片基板A2對應的暫定時間表，取得一個該暫定時間表所含有的處理/搬運區塊(步驟S18)。此時所取得的處理/搬運區塊為未配置的處理/搬運區塊中之配置於暫定時間表的時間軸上最早的位置之處理/搬運區塊。
接著，排程功能部29係檢索應配置已取得的處理/搬運區塊(已刪除的處理/搬運區塊以及第二片基板的處理/搬運區塊)之位置(步驟S19)，並根據該檢索結果配置該處理/搬運區塊(步驟S20)。已刪除的處理/搬運區塊的再配置位置的檢索與第二片基板A2的處理/搬運區塊的配置位置檢索係彼此並行進行。在步驟S19中，應配置處理/搬運區塊之位置的檢索係以與步驟S9的處理/搬運區塊的配置位置的檢索同樣的手法進行。亦即，排程功能部29係以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配至與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，檢索成為配置位置的檢索對象之處理/搬運區塊(已刪除的處理/搬運區塊或者第二片基板A2的處理/搬運區塊)在時間軸上最早的位置(圖8的步驟S61至S65)。
以下，依序說明已刪除的處理/搬運區塊以及第二片基板A2的處理/搬運區塊的配置位置檢索(步驟S19)以及配置(步驟S20)的一例。具體而言，如圖20所示，排程功能部29係將在步驟S16所刪除的第一搬入區塊A12再配置於原本的位置。此外，如圖21所示，排程功能部29係將第二片基板A2的第一搬出區塊A21配置於第一片基板A1的第一搬出區塊A11之後。在圖21的例子中，第二片基板A2的第一搬出區塊A21係配置於與第一搬入區塊A12在時間軸上大致相同的位置。
接著，如圖22所示，排程功能部29係配置已刪除的第二搬出區塊A13。如此，已刪除的處理/搬運區塊的再配置位置與第二片基板的處理/搬運區塊的配置位置係同步地(並行)進行。
接著，當已刪除的全部的處理/搬運區塊以及第二片基板A2之構成暫定時間表的全部的區塊配置結束時(步驟S21：是)，如圖23所示，第二片基板A2的排程結束，且第一片基板A1的排程(作成完畢的排程)的變更結束(步驟S22)。如此作成及變更的排程係作為排程資料33的一部分儲存至第一記憶部26(步驟S23)。
另一方面，在禁止作成完畢的排程的變更之情形中(步驟S15：否)，排程功能部29係不進行第一片基板A1的排程的變更，而是直接配置第二片基板A2的處理/搬運區塊。
並且，排程功能部29係從第一記憶部26讀出與第二 片基板A2對應的暫定時間表，並參照與第二片基板A2對應的暫定時間表，取得一個該暫定時間表所含有的處理/搬運區塊(步驟S24)。此時所取得的處理/搬運區塊為未配置的處理/搬運區塊中之配置於暫定時間表的時間軸上最早的位置之處理/搬運區塊。再者，排程功能部29係以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配至與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，檢索所取得的處理/搬運區塊在時間軸上最早的位置(步驟S25)，並根據該檢索結果配置該處理/搬運區塊(步驟S26)。
當將針對第二片基板A2之構成暫定時間表的全部的區塊配置結束時(步驟S27：是)，第二片基板A2的排程的作成結束(步驟S22)。如此作成的第二片基板A2的排程係作為排程資料33的一部分儲存於第一記憶部26(步驟S23)。
當在基板處理裝置1中各資源的動作正進行且到達第二片基板A2的排程的執行時序時，排程功能部29係開始第二片基板A2的排程的執行。亦即，排程功能部29係根據作成完畢的第二片基板A2的排程使資源開始動作。具體而言，藉由索引機器人IR從基板收容器C移出(搬出)第二片基板A2。第二片基板A2從基板收容器C移出的時間為第三片基板A3的排程時序。當到達第三片基板A3的排程時序時(步驟S14：是)，亦即當第二片基板A2從基板收容器C移出時，進行針對第三片基板A3的排程的作成。
針對第三片以後的基板W之排程係與針對第二片基板A2之排程同樣地進行。亦即，圖4B及圖4C的步驟S14至S27的各處理亦共通地適用於第三片以後的基板W。亦即，在容許作成完畢的排程的變更之情形中，於第N片基板W的排程的作成時，刪除第(N-1)片以前的基板W的各排程中的未來的區塊，並與第N片基板的處理/搬運區塊的配置(排程的作成)並行地進行已刪除的處理/搬運區塊的再配置位置。直至「N」成為12為止(亦即直至全部的基板W的排程的作成結束為止。步驟S28：是)，重複與圖4B及圖4C的步驟S14至S27的各處理同等的處理。將排程功能部29所作成之複數片基板W的排程的全體的例子顯示於圖24。
當全部的基板W的排程的作成結束時(步驟S28：是)，排程功能部29係參照後處理執行條件的內容，判斷是否對基板W進行後處理步驟(步驟S29)。在製程工作需要後處理步驟之情形中(亦即在與該基板W對應的後處理執行條件成為「需要」之情形中。步驟S29：是)，排程功能部29係針對存在處理該基板W之可能性的處理單元SPIN1至SPIN12配置後處理區塊(步驟S30、S31)。另一方面，在不需要後處理步驟之情形中(亦即在與該基板W對應的後處理條件成為「否」之情形)，步驟S30至S32的各處理係被跳過。
在後處理區塊的配置位置檢索(步驟S30)中，如圖8所示，排程功能部29係調查是否於檢索對象的後處理區塊附 加有高負載資訊HL(檢索對象的後處理區塊是否與「高負載動作」對應)(圖8的步驟S61)。此外，在檢索對象的後處理區塊附加有高負載資訊HL之情形中(圖8的步驟S61：是)，接著，排程功能部29係調查是否於其他的資源(處理單元等)配置完畢有包含有高負載資訊的區塊(與「高負載動作」對應的區塊)(圖8的步驟S62)。於檢索對象的後處理區塊未附加有高負載資訊HL之情形(圖8的步驟S61：否)或者包含有高負載資訊HL的區塊未配置於其他的資源之情形(圖8的步驟S62：否)中，排程功能部29係決定時間軸上最早的位置作為檢索對象的後處理區塊的配置位置(圖8的步驟S64)，藉此完成後處理區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
另一方面，在成為配置位置的檢索對象之後處理區塊附加有高負載資訊HL(圖8的步驟S61：是)且於其他的資源配置有包含有高負載資訊HL的區塊(與「高負載動作」對應的區塊)之情形中(圖8的步驟S62：是)，排程功能部29係在已經配置完畢的區塊之未分配有高負載資訊HL的時間帶，決定時間軸上最早的位置作為檢索對象的後處理區塊的配置位置(圖8的步驟S63)，藉此完成後處理區塊的配置位置檢索(圖8的步驟S65)。
如此，排程功能部29係以對該後處理區塊所附加的高負載資訊HL為配置完畢的後處理區塊未分配有所含有的高負載資訊HL之時間帶的方式，將後處理區塊依序配置於時間軸上最早的位置(從前方開始置放)(步驟S31)。
當對於需要後處理的處理單元SPIN1至SPIN12之後處理區塊的配置完成時(步驟S32：是)，返回(return)至圖4A至圖4D所示之一連串的處理。
另一方面，在無須後處理步驟之情形中(亦即，與該基板W對應的後處理執行條件成為「否」之情形。步驟S29：否)，步驟S30、S31的各處理係跳過，之後，返回至圖4A至圖4D所示的一連串的處理。
此外，圖24所示的排程係顯示各基板W未滿足後處理執行條件之情形。
如上所述，依據本實施形態，排程功能部29係隨著時間系列配置各基板W的複數個區塊，藉此作成該基板W的排程，並將該基板W的排程作成複數片分。此時，以所對應的「高負載動作」的開始時不會集中之方式將與「高負載動作」(亦即，基板處理步驟、前準備步驟以及搬入前處理步驟)對應的區塊配置於時間軸上彼此錯開的位置。
在如此作成的排程中，迴避第二控制部34的控制負載的集中。藉此，能作成謀求第二控制部34的資料處理的效率化之排程，從而能確實地防止資源的動作開始的延遲。
若僅依據「以同一個資源不會在相同的時間重複被使用，並配置於時間軸上最早的位置」之邏輯來計畫處理單元SPIN1至SPIN12的前準備步驟，會有複數個前準備步驟同時開始之虞。尤其是如圖25A所示的排程的作成的第一變化例，在針對任一個附加有製程工作符碼的基板W之排程作成時針對與此不同之附加有製程工作符碼的基板W 之基板處理已經開始執行之情形中，若僅依據「以同一個資源不會在相同的時間重複被使用，並將各區塊配置於時間軸上最早的位置」之邏輯來計畫針對該預定製程工作的基板W的(處理單元SPIN3至SPIN12)的前準備步驟，會有這些複數個(例如10個)前準備區塊皆被配置於計畫開始可能時刻(可開始排程的時刻)之虞。在此情形中，由於以處理單元SPIN3至SPIN12的前準備步驟同時開始之方式計畫，因此於前準備步驟的開始時第二控制部34的控制負載集中，結果導致第二控制部34無法順暢地進行資料處理，如此會有發生在執行中的基板處理(在處理單元SPIN1、SPIN2的處理)中產生處理延遲等問題之虞。
相對於此，在本實施形態中，以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配至與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，將前準備區塊配置於時間軸上最早的位置。因此，如圖25A所示，處理單元SPIN3至SPIN12的前準備步驟係彼此以錯開開始時之方式計畫。因此，能在執行中的基板處理(在處理單元SPIN1、SPIN2的處理)中迴避處理延遲等問題。
尤其是依據本實施形態，由於能將指示基板處理的開始後直至實際開始基板處理為止之期間設定成在各基板W間大致相同，因此能將基於同一個配方的基板處理的功效設定成在各基板間皆均一。更具體地進行說明。將直至開始基板處理為止之資料流程顯示於圖25B。副控制器23的CPU37係依據排成資料33或者依據處理執行指示部31根 據排成資料33所發出的處理執行指示，判斷開始基板處理之時序已經到來(時刻t1)。CPU37係對第二記憶部35要求欲執行之與基板處理對應的配方(時刻t2)。第二記憶部35係選擇配方並發送至CPU37(時刻t3至時刻t4)。CPU37係將所接收的配方予以資料解譯，並產生用以使控制對象的處理單元(例如處理單元SPIN1)執行該配方之控制訊號(時刻t5至時刻t6)。接著，CPU37係將所產生的控制訊號發送至處理單元SPIN1(時刻t7至時刻t8)。處理單元SPIN1係接收該控制訊號並實際地開始基板處理(時刻t9)。如此，於開始基板處理之時序到來後直至處理單元SPIN1實際開始基板處理係需要預定長的時間(時刻t1至時刻t9)。在本實施形態中，由於以針對多數片基板W的基板處理不會於同一時刻開始之方式進行排程，因此CPU37的處理速度不會延遲。如此，配方的發送/接收(時刻t3至時刻t4)、資料解譯(時刻t5至時刻t6)以及控制訊號的發送/接收(時刻t7至t8)所需的時間不會在每個基板W有大的差異。因此，能將在開始基板處理之時序到來後直至各處理單元SPIN實際開始基板處理為止的時間設定成大致相同。因此，能確保基板處理的均一性。
此外，當某基板(例如第一片基板A1)的排程的作成結束時，即使其他的基板(例如第二片基板A2以後的基板W)的排程的作成未結束，亦開始已作成的排程的執行。因此，能謀求減少記憶於第一記憶部26的排程的資料量。
此外，與針對應重新作成排程的基板W的區塊的配置 並行，將從作成完畢的排程刪除的未執行的區塊隨著時間系列予以再配置。已刪除的區塊的再配置以及針對新的基板W的區塊配置係以複數片基板W相互間不會產生干涉且有效率地使資源(處理單元SPIN1至SPIN12等)稼動並進行針對複數片基板W的處理之方式隨著時間系列進行。由於能更細微地決定已刪除的區塊以及針對新的基板W的區塊的配置位置，因此能提高處理單元SPIN1至SPIN12等資源的稼動率，藉此能提高基板處理裝置1的生產性。
圖26係顯示排程的作成的第二變化例。該第二變化例係顯示屬於用以規定後處理步驟之區塊的後處理區塊的配置例。
在圖26中，於處理單元SPIN1至SPIN7的基板處理中計畫後處理步驟。在該製程工作中係使用處理單元SPIN1至SPIN7，雖然亦可使用處理單元SPIN8至SPIN12，但實際上未使用。亦即，實際使用的處理單元的數量比可使用的處理單元的數量還少。如前所述，在製程工作的最後的基板W的排程的作成結束之時序，排程功能部29係作成後處理步驟的排程。
在此情形中，若僅依據「以同一個資源不會在相同的時間重複被使用，並配置於時間軸上最早的位置」之邏輯來計畫處理單元SPIN1至SPIN12的後處理步驟，會有處理單元SPIN8至SPIN12的後處理區塊皆被配置於計畫開始可能時刻(可開始排程的時刻)之虞。在此情形中，由於處理單元SPIN8至SPIN12的後處理步驟同時開始，因此於後處 理步驟的開始時第二控制部34的控制負載集中，結果導致第二控制部34無法順暢地進行資料處理，如此會有發生在執行中的基板處理(在處理單元SPIN1至SPIN7的處理)中產生處理延遲等問題之虞。
相對於此，在圖26的例子中，以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配至與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，將後處理區塊配置於時間軸上最早的位置。因此，如圖26所示，處理單元SPIN8至SPIN12的後處理區塊係在時間軸上彼此錯開配置。亦即，以處理單元SPIN8至SPIN12的各後處理步驟的開始時彼此錯開之方式計畫。因此，能在執行中的基板處理(在處理單元SPIN1至SPIN7的處理)中迴避處理延遲等問題。
圖27係顯示排程的作成的第三變化例。該第三變化例係顯示下述屬於用以規定基板回收步驟之區塊的後處理區塊的配置例。
在基板處理裝置1中係準備有並列回收，該並列回收係在複數個處理單元收容有基板W的狀態下從各處理單元一起回收基板W。在該並列回收之前，在各處理單元執行基板回收步驟。
所謂基板回收步驟係指為了設定成可將基板W搬出至處理室17(參照圖3A)外的狀態而執行的作業。基板回收步驟的具體例為基板W的水洗處理。將基板W予以水洗，藉此不論基板回收步驟執行前的基板W的狀態如何皆能 將基板W搬運至處理室17外。基板W的水洗處理係能藉由一邊使基板W旋轉一邊從清洗液噴嘴59(參照圖3A)對基板W吐出清洗液而執行。於基板回收步驟後，藉由主搬運機器人CR(參照圖1等)從各處理單元的處理室17搬出基板W。
基板回收步驟係相當於前述的「高負載動作」。亦即，在基板回收步驟的開始時，副控制器23(參照圖3B)的序列通訊部36係從第二記憶部35讀出基板回收的配方。CPU37係將所讀出的配方予以資料解譯，並產生用以在控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12實現基板回收的配方之控制訊號。序列通訊部36係將所產生的控制訊號發送至控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12。此外，控制對象的處理單元SPIN1至SPIN12係在接收控制訊號後，立即將接收確認訊號發送至序列通訊部36。由於基板回收步驟的配方的資料量龐大，因此於CPU37(參照圖3B)暫時性地產生高控制負載。因此，於基板處理步驟的開始時存在高負載時間帶。
在計畫此種基板回收步驟之情形中，若僅依據「以同一個資源不會在相同的時間重複被使用，並配置於時間軸上最早的位置」之邏輯來配置基板回收步驟的區塊(以下稱為基板回收區塊)，會有處理單元SPIN1至SPIN12的基板回收區塊皆配置於同時期之虞。在此情形中，由於處理單元SPIN1至SPIN12的基板回收步驟同時開始，因此於基板回收步驟的開始時第二控制部34的控制負載集中，結果導致第二控制部34無法順暢地進行資料處理，如此會有在基 板回收步驟中產生延遲之虞。
相對於此，在圖27的例子中，以同一個資源不會於相同的時間重複被使用且迴避高負載資訊HL被分配至與配置完畢的區塊的高負載資訊HL相同的時間帶之方式，將基板回收區塊配置於時間軸上最早的位置。因此，如圖27所示，處理單元SPIN1至SPIN12的基板回收區塊係在時間軸上彼此錯開配置。亦即，處理單元SPIN1至SPIN12的各基板回收步驟係以彼此錯開開始時之方式計畫。因此，能在基板回收步驟中迴避處理延遲等問題。
以上，雖然已說明本發明的實施形態，但本發明亦能以其他的形態來實施。
例如，前述實施形態所示的基板處理裝置1的構成及基板處理內容僅為一例，基板處理裝置1能採用其他的構成，且其他的基板處理內容亦可應用本發明。
此外，在前述實施形態中，雖顯示以不會於相同的時間帶分配複數個高負載資訊HL之方式配置區塊之情形，但只要禁止於相同的時間帶分配預定數(例如為3)以上的高負載資訊HL並且未滿預定數，則亦可容許將複數個高負載資訊HL分配於相同的時間。
此外，在前述實施形態中，雖然以在第一片基板A1的排程的作成結束後且第二片以後的基板(第二基板)W的排程的作成未結束的狀態下開始作成完畢的排程的執行之情形為例，但亦可為在作成製程工作的全部的基板W的排程後再執行排程的開始。
雖然已詳細說明本發明的實施形態，但該等僅為用以明瞭本發明技術性內容的具體例，本發明並未被該等具體例狹隘地限定，本發明的範圍僅被申請專利範圍所限定。
本案係與2014年6月23日於日本特許廳所申請的日本特願2014-128331號對應，且該申請案的全部內容係被援用於此。
HL‧‧‧高負載資訊
SP1至SP12‧‧‧前準備區塊
SPIN1至SPIN12‧‧‧處理單元

Claims (8)

  1. 一種排程作成方法，係由設置於具有用以逐片處理基板之至少一個葉片式的處理單元以及用以控制前述處理單元之控制部的基板處理裝置中的排程作成部作成用以隨著時間系列來規定前述基板處理裝置的動作之排程；該排程作成方法係包含有：排程作成步驟，係隨著時間系列配置用以規定針對各基板之前述基板處理裝置的動作的內容之複數個區塊，藉此作成該基板的排程；前述排程作成步驟係包含有：高負載迴避配置步驟，係針對複數片基板的排程的作成，以屬於產生高控制負載的時間帶之高負載時間帶不會集中於該控制部之方式將與高負載動作對應的區塊配置在時間軸上，該高負載動作係使前述控制部至少暫時性地產生高控制負載之動作。
  2. 如請求項1所記載之排程作成方法，其中於與前述高負載動作對應的區塊中，在與前述高負載時間帶對應的部分附加有高負載資訊；前述高負載迴避配置步驟係針對複數片基板的排程的作成，以不會於相同的時間帶分配預定數以上的前述高負載資訊之方式配置與前述高負載動作對應的區塊。
  3. 如請求項1所記載之排程作成方法，其中前述高負載時間帶係前述高負載動作的開始時。
  4. 如請求項1所記載之排程作成方法，其中前述高負載動作係包含有至少一個下述步驟：基板處理步驟，前述處理單元係處理基板；預備處理步驟，前述處理單元係進行前述基板處理步驟的準備；搬入前處理步驟，前述處理單元係進行用以將基板搬入至該處理單元內的動作；以及基板回收步驟，係在從前述處理單元回收基板前，對基板施予預定處理。
  5. 如請求項1至4中任一項所記載之排程作成方法，其中在前述基板處理裝置中，在製程工作共通之複數片基板中預定的第一基板的排程的作成結束後，在前述複數片基板中處理順序比前述第一基板還後面的第二基板的排程的作成未結束的狀態下，開始作成完畢的排程的執行；並且，進一步包含有：排程變更步驟，在前述作成完畢的排程的執行開始後，變更該作成完畢的排程中未執行的部分。
  6. 如請求項5所記載之排程作成方法，其中前述排程變更步驟係包含有：刪除步驟，係在前述排程的執行開始後，刪除前述作成完畢的排程中未執行的區塊；以及 再配置步驟，係與針對前述第二基板的區塊的配置並行，隨著時間系列將已刪除的區塊予以再配置。
  7. 一種基板處理裝置，係包含有：至少一個葉片式的處理單元，係逐片處理基板；控制部，係用以控制前述處理單元；以及排程作成部，係作成用以隨著時間系列規定包含前述處理單元之資源的動作之排程；前述控制部係依據前述排程作成部以如請求項1所記載的排程作成方法所作成的排程來控制前述資源。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在製程工作共通之複數片基板中預定的第一基板的排程的作成結束後，在前述複數片基板中處理順序比前述第一基板還後面的第二基板的排程的作成未結束的狀態下，開始作成完畢的排程的執行。
TW104119951A 2014-06-23 2015-06-22 A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus TWI543233B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014128331A JP6313671B2 (ja) 2014-06-23 2014-06-23 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201611088A TW201611088A (zh) 2016-03-16
TWI543233B true TWI543233B (zh) 2016-07-21

Family

ID=54937976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104119951A TWI543233B (zh) 2014-06-23 2015-06-22 A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10514684B2 (zh)
JP (1) JP6313671B2 (zh)
KR (2) KR101902160B1 (zh)
TW (1) TWI543233B (zh)
WO (1) WO2015198885A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10438828B2 (en) * 2016-10-03 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus to prevent interference between processing chambers
US10359769B2 (en) * 2017-09-15 2019-07-23 Applied Materials, Inc. Substrate routing and throughput modeling
JP6951269B2 (ja) * 2018-01-29 2021-10-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理装置の制御装置、基板処理装置の制御方法、プログラムを格納した記憶媒体
TWI758578B (zh) * 2018-03-01 2022-03-21 日商荏原製作所股份有限公司 排程器、基板處理裝置、及基板搬送方法
JP6942660B2 (ja) * 2018-03-09 2021-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN111102097B (zh) * 2019-11-21 2022-03-08 中国航发沈阳黎明航空发动机有限责任公司 航空发动机滚转喷管作动筒控制与测量装置及方法
CN113299587B (zh) * 2021-05-21 2022-04-26 无锡亚电智能装备有限公司 一种晶圆清洗工艺任务排列方法及装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5128860A (en) 1989-04-25 1992-07-07 Motorola, Inc. Manufacturing or service system allocating resources to associated demands by comparing time ordered arrays of data
JP2002274844A (ja) * 2001-03-15 2002-09-25 Fuji Photo Film Co Ltd 無機微粒子の製造方法、無機微粒子、希土類賦活フッ化ハロゲン化バリウム蛍光体、放射線像変換パネル
US6898702B1 (en) * 2001-06-29 2005-05-24 Ciena Corporation System and method for staggered starting of embedded system modules in an optical node
JP4073186B2 (ja) 2001-09-20 2008-04-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP3982270B2 (ja) 2002-01-29 2007-09-26 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法および半導体ウエーハ製造の受注方法ならびに半導体ウエーハ製造の受注システム
JP4353498B2 (ja) 2002-04-30 2009-10-28 キヤノン株式会社 管理装置及び方法、デバイス製造方法、並びにコンピュータプログラム
JP4753172B2 (ja) * 2005-02-18 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 複数の電力使用系の動作制御装置、動作制御方法及び記憶媒体
JP2008118068A (ja) 2006-11-08 2008-05-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の生産管理システム
JP5359285B2 (ja) * 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理装置の運転方法
JP2010217945A (ja) 2009-03-13 2010-09-30 Panasonic Corp アプリケーション動作調整システム
WO2010119808A1 (ja) 2009-04-15 2010-10-21 シャープ株式会社 製品の製造方法および製造システム
JP5852908B2 (ja) 2011-09-16 2016-02-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
US10600010B2 (en) * 2013-03-15 2020-03-24 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Systems and methods for generating scheduling options in consideration of elements within a construction site

Also Published As

Publication number Publication date
US10514684B2 (en) 2019-12-24
KR101874268B1 (ko) 2018-07-03
KR20170018936A (ko) 2017-02-20
JP6313671B2 (ja) 2018-04-18
KR101902160B1 (ko) 2018-09-27
JP2016009717A (ja) 2016-01-18
TW201611088A (zh) 2016-03-16
WO2015198885A1 (ja) 2015-12-30
KR20180074819A (ko) 2018-07-03
US20170160731A1 (en) 2017-06-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI543233B (zh) A substrate processing apparatus, and a substrate processing apparatus
JP5852908B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラム
TWI427731B (zh) 用於製程設備之排程方法
KR102285183B1 (ko) 기판 처리 장치를 위한 스케줄 작성 방법 및 스케줄 작성 프로그램을 기록한 기록 매체
WO2014045709A1 (ja) スケジュール作成装置、基板処理装置、スケジュール作成プログラム、スケジュール作成方法、および基板処理方法
KR101840578B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20150059122A (ko) 기판 반송 방법 및 기판 처리 장치
KR20150100532A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TWI706458B (zh) 基板處理方法、基板處理裝置及電腦程式
TW201730920A (zh) 基板處理裝置之排程作成方法及其程式
JP6573693B2 (ja) 基板処理装置のためのスケジュール作成方法および基板処理装置
JPH08107095A (ja) 処理装置、洗浄処理装置およびそれらの画面処理方法
JP2019021934A (ja) 基板搬送方法
JP6435388B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI802326B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP2021182433A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP5620530B2 (ja) 基板処理ユニットおよび基板処理装置