TWI542661B - 電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件 - Google Patents

電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件 Download PDF

Info

Publication number
TWI542661B
TWI542661B TW104102776A TW104102776A TWI542661B TW I542661 B TWI542661 B TW I542661B TW 104102776 A TW104102776 A TW 104102776A TW 104102776 A TW104102776 A TW 104102776A TW I542661 B TWI542661 B TW I542661B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
chemical formula
electron transport
Prior art date
Application number
TW104102776A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201542761A (zh
Inventor
金亨宣
姜基煜
金奉玉
金榮權
金勳
吳在鎭
柳銀善
李韓壹
李炫揆
趙平錫
Original Assignee
三星Ｓｄｉ股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星Ｓｄｉ股份有限公司 filed Critical 三星Ｓｄｉ股份有限公司
Publication of TW201542761A publication Critical patent/TW201542761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI542661B publication Critical patent/TWI542661B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件
本發明揭露一種電子傳送輔助層用組成物，及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件。
有機光電元件是一種將電能轉換成光能且亦可將光能轉換成電能的元件。
有機光電元件根據其驅動原理可如下分類。一種為其中激子由光能產生、分離成電子及電洞，且電子及電洞傳遞至不同電極而產生電能的光電元件；且另一種為向電極供應電壓或電流以利用電能產生光能的發光二極體。
有機光電元件之實例可為有機光電元件、有機發光二極體、有機太陽能電池以及有機感光鼓。
其中，有機發光二極體(organic light emitting diode； OLED)近來已因平板顯示器需求增加而受到關注。此類有機發光二極體藉由施加電流至有機發光材料而將電能轉換成光。其具有在陽極與陰極之間插入有機層之結構。
重要的是，有機發光二極體實現長壽命全色顯示器，且為了實現長壽命全色顯示器，應確保藍色有機發光二極體之壽命。
一個實施例提供用於實現有機光電元件之長壽命特徵的電子傳送輔助層用組成物。
另一個實施例提供因電子傳送輔助層而具有長壽命特徵的有機光電元件。
又一個實施例提供一種含有有機光電元件的顯示元件。
根據一個實施例，提供有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，所述組成物包含以下化學式1所示之化合物及以下化學式2所示之化合物。
在化學式1中，Z各自獨立地為N、C或CRa； Z中之至少一者為N；X各自獨立地為N、C或CRb；R1至R4、Ra及Rb各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C6至C12芳基，或其組合；L1為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之聯伸二苯基或經取代或未經取代之聯伸三苯基；n1至n3各自獨立地為0或1；以及n1+n2+n31。
在化學式2中，Y1為單鍵、經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，或其組合；Ar1為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，或其組合；R5至R8獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C20烷基、經取代或未經取代之C6至C50芳基、經取代或未經取代之C2至C50雜芳基，或其組合；以及R5至R8及Ar1中之至少一者包含經取代或未經取代之聯伸三苯基或經取代或未經取代之咔唑基。
根據另一個實施例，提供一種有機光電元件，其包含陽極及陰極、介於陽極與陰極之間的發射層、安置於陰極與發射層之間的電子傳送層，以及安置於電子傳送層與發射層之間且含有所述組成物的電子傳送輔助層。
根據又一個實施例，提供含有有機光電元件的顯示元件。
可實現長壽命有機光電元件。
10‧‧‧陰極
20‧‧‧陽極
30‧‧‧有機層
31‧‧‧電子傳送區
32‧‧‧發射層
33‧‧‧電子傳送輔助層
34‧‧‧電洞傳送區
圖1為根據一個實施例之有機光電元件的示意性橫截面圖。
在下文中，詳細描述本發明之實施例。然而，這些實施例為例示性且不限制本發明，且本發明由隨後描述的申請專利範圍之範疇限定。
如本文所用，當不另外提供定義時，術語「取代」是指經選自以下的取代基(而非取代基或化合物中之至少一個氫)取代者：氘、鹵素、羥基、胺基、經取代或未經取代之C1至C30胺基、硝基、經取代或未經取代之C1至C40矽烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基矽烷基、C3至C30環烷基、C2至C30雜環烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(諸如三氟甲基及其類似基團)或氰基。
另外，選自以下之兩個相鄰取代基可彼此間稠合而形成 環：經取代之鹵素、羥基、胺基、經取代或未經取代之C1至C20胺基、硝基、經取代或未經取代之C3至C40矽烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基矽烷基、C3至C30環烷基、C2至C30雜環烷基、C6至C30芳基、C2至C30雜芳基、C1至C20烷氧基、氟基、C1至C10三氟烷基(諸如三氟甲基及其類似基團)或氰基。舉例而言，經取代之C6至C30芳基可與另一個相鄰的經取代之C6至C30芳基稠合而形成經取代或未經取代之茀環。
在本說明書中，當不另外提供特定定義時，「雜」是指在一個官能基中包含1至3個選自N、O、S、P以及Si之雜原子，且其餘為碳。
在本說明書中，當不另外提供定義時，「烷基」是指脂族烴基。烷基可為無任何雙鍵或參鍵之「飽和烷基」。
烷基可為C1至C30烷基。更特定而言，烷基可為C1至C20烷基或C1至C10烷基。舉例而言，C1至C4烷基的烷基鏈可包含1至4個碳原子，且烷基鏈可選自甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基以及第三丁基。
烷基之特定實例可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第三丁基、戊基、己基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基以及其類似基團。
在本說明書中，「芳基」包含環狀取代基中具有形成共軛之p-軌域的所有元素，包含單環、多環或稠環多環(亦即環共用相鄰碳原子對)官能基，且包含茀基以及多個芳基彼此間直接結合所形成的聯苯基、聯三苯基或聯四苯基。
在本說明書中，「雜芳基」是指含有1至3個選自N、O、S、P以及Si之雜原子以及其餘為碳的芳基。當雜芳基為稠環時，每個環可包含1至3個雜原子，且可包含諸如咔唑基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基之結構。
更特定而言，經取代或未經取代之C6至C30芳基及/或經取代或未經取代之C2至C30雜芳基可為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取代之稠四苯基、經取代或未經取代之芘基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之對聯三苯基、經取代或未經取代之間聯三苯基、經取代或未經取代之屈基(chrysenyl group)、經取代或未經取代之聯伸三苯基、經取代或未經取代之苝基、經取代或未經取代之茚基、經取代或未經取代之呋喃基、經取代或未經取代之噻吩基、經取代或未經取代之吡咯基、經取代或未經取代之吡唑基、經取代或未經取代之咪唑基、經取代或未經取代之三唑基、經取代或未經取代之噁唑基、經取代或未經取代之噻唑基、經取代或未經取代之噁二唑基、經取代或未經取代之噻二唑基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之苯并呋喃基、經取代或未經取代之苯并噻吩基、經取代或未經取代之苯并咪唑基、經取代或未經取代之吲哚基、經取代或未經取代之喹啉基、經取代或未經取代之異喹啉基、經取代或未經取代之喹唑啉基、經取代或未經取代之喹喏啉基、經取代或未經取代之萘啶基、經取代或未經 取代之苯并噁嗪基、經取代或未經取代之苯并噻嗪基、經取代或未經取代之吖啶基、經取代或未經取代之啡嗪基、經取代或未經取代之啡噻嗪基、經取代或未經取代之啡噁嗪基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基、經取代或未經取代之咔唑基、其組合，或前述基團之組合稠環，但不限於此。
在本說明書中，電洞特徵是指當施加電場時能夠供給電子以形成電洞之特徵，及由於根據HOMO能階之導電特徵，在陽極中形成的電洞容易注入發射層中且在發射層中傳送的特徵。
另外，電子特徵是指當施加電場時能夠接受電子的特徵，及由於根據LUMO能階之導電特徵，在陰極中形成之電子容易注入發射層中且在發射層中傳送的特徵。
在下文中，描述根據一個實施例之有機光電元件用組成物。
根據一個實施例之有機光電元件用組成物是用於有機光電元件之電子傳送輔助層中，且包含具有相對較強電子特徵的第一化合物及具有相對較強電洞特徵的第二化合物。
第一化合物為具有相對較強電子特徵的化合物，且可由以下化學式1表示。
[化學式1]
在化學式1中，Z各自獨立地為N、C或CRa，Z中之至少一者為N，X各自獨立地為N、C或CRb，R1至R4、Ra及Rb各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C6至C12芳基，或其組合，L1為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之聯伸二苯基或經取代或未經取代之聯伸三苯基，n1至n3各自獨立地為0或1，且n1+n2+n31。
根據鍵結位置，第一化合物可由例如以下化學式1-I或化學式1-II表示。
在化學式1-I或化學式1-II中，X、Z、R1至R4、L1以及 n1至n3與上文所述相同。
化學式1所示之化合物具有至少一個扭結結構作為伸芳基及/或伸雜芳基之中心。
扭結結構為伸芳基及/或伸雜芳基之兩個連接點不為線性結構的結構。舉例而言，關於伸苯基，伸鄰苯基及伸間苯基具有扭結結構，其中兩個連接點不形成線性結構；而伸對苯基因其中兩個連接點形成線性結構而不具有扭結結構。
在化學式1中，扭結結構可作為鍵聯基團(L1)及/或伸芳基/伸雜芳基之中心形成。
舉例而言，當以上化學式1中之n1為0時(亦即不存在鍵聯基團(L1))，扭結結構可作為伸芳基/伸雜芳基之中心形成，且例如，化合物可由以下化學式1a或化學式1b表示。
在化學式1a或化學式1b中，X、Z、R1至R4以及L1與上文所述相同。
舉例而言，當在以上化學式1中之n1為1時，扭結結構作為鍵聯基團(L1)之中心形成，且例如，L1可為具有扭結結構之經取代或未經取代之伸苯基、具有扭結結構之經取代或未經取代之聯伸二苯基，或具有扭結結構之經取代或未經取代之 聯伸三苯基。L1可選自例如以下群組1中所列之經取代或未經取代之基團。
在群組1中，R17至R44各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C3至C30雜環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C6至C30雜芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。
化學式1所示之化合物較佳可具有至少兩個扭結結構， 例如兩個至四個扭結結構。
第一化合物可例如由以下化學式1c至化學式1t中之一者表示，但不限於此。
[化學式1s] [化學式1t]
在化學式1a至1t中，X、Z及R1至R4與上文所述相同，R45至R62各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C3至C30雜環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C6至C30雜芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。
化學式1中之X之氮(N)數目可為例如0至2。
第一主體化合物可為例如以下群組2中所列化合物之一，但不限於此。
第二化合物具有相對較強的電洞特徵，且可由以下化學式2表示。
在化學式2中，Y1為單鍵、經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，或其組合；Ar1為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，或其組合；R5至R8獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C20烷基、經取代或未經取代之C6至C50芳基、經取代或未經取代之C2至C50雜芳基，或其組合；以及R5至R8及Ar1中之至少一者包含經取代或未經取代之聯伸三 苯基或經取代或未經取代之咔唑基。
第二化合物可例如由以下化學式2-I至化學式2-III中之至少一者表示。
在化學式2-I至化學式2-III中，Y1至Y3各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，或其組合；Ar1及Ar2各自獨立地為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，或其組合；以及R5至R8及R43至R54各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C20烷基、經取代或未經取代之C6至C50芳基、經取代或未經取代之C2至C50雜芳基，或其組合。
化學式2-I所示之第二化合物具有一種結構，其中具有取 代基的兩個咔唑基彼此連接。
化學式2-I中之Ar1及Ar2為具有電子或電洞特徵的取代基，且可獨立地為例如經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之苯并呋喃基、經取代或未經取代之苯并噻吩基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之聯伸三苯基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基，或其組合。
上述化學式2-I中之Ar1及Ar2中之至少一者可為例如具有電子特徵的取代基，且可為例如由以下化學式A表示的取代基。
在化學式A中，Z各自獨立地為N或CRb；A1及A2各自獨立地為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C3至C30雜芳基，或其組合；Z、A1及A2中之至少一者包含N；以及a及b各自獨立地為0或1。
化學式A所示的取代基可為例如以下群組3中所列官能基之一。
舉例而言，上述化學式2-I中之Ar1及Ar2中之至少一者可為例如具有電洞特徵的取代基，且可為例如以下群組4中所列取代基之一。
[群組4]
上述化學式2-I所示的化合物可為例如選自以下群組5中所列化合物的化合物，但不限於此。
。
化學式2-II或化學式2-III所示的化合物具有其中經取代或未經取代之咔唑基與經取代或未經取代之聯伸三苯基鍵結的結構。上述化學式2-II中之Ar1為具有電子或電洞特徵的取代基，且可為例如經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之苯并呋喃基、經取代或未經取代之苯并噻吩基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之聯伸三苯基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基，或其組合。
上述化學式2-II所示的化合物可為例如選自以下群組6中所列化合物的化合物，但不限於此。
上述化學式2-III所示的化合物可為例如選自以下群組7 的化合物，但不限於此。
第二化合物含有具有強電洞特徵的咔唑基或聯咔唑基，且可用於發射層與電子傳送層之間的電子傳送輔助層，且藉此，其可有效地吸收或防止發射層中所產生之電洞及/或激子傳送至電子傳送層。從而防止電洞在發射層與電子傳送層之間的界面聚集且同時可有效地保護電子傳送層不受發射層之電洞及/或激子影響，且從而可改良有機光電元件之壽命。
如上文所述，第一化合物為具有相對較強電子特徵的化合物，且第二化合物為具有相對較強電子特徵的化合物。第一化合物及第二化合物適用於電子傳送輔助層，所述電子傳送輔助層將自電子傳送層所注入之電子傳送至發射層且同時吸收及/或防止通過發射層的電洞及/或激子傳送至電子傳送層，從而改良有機光電元件之壽命。
第一化合物與第二化合物可以不同方式組合且從而提供不同組成物。組成物可包含至少一種第一化合物及至少一種第二化合物，且可更包含除第一化合物及第二化合物之外的其他化合物。
第一化合物與第二化合物可以不同比率組合且可應用於電子傳送輔助層，且藉此可控制電子傳送層向發射層的電子傳送能力且可控制與發射層之電子傳送能力的平衡，且防止電子在發射層與電子傳送層之界面聚集。電子傳送輔助層可將自陽 極傳送至發射層的電洞及/或發射層中所產生的激子轉換為能量比發射層之激子的能量低的激子，且因此有效地防止電洞及/或激子經由發射層傳送至電子傳送層。藉此可改良有機光電元件之壽命。第一化合物及第二化合物可例如以1：99至99：1之重量比包括在內。
在下文中，描述組成物所應用之有機光電元件。
有機光電元件可為將電能轉換成光能且將光能轉換成電能的任何元件而不受特定限制，且可為例如有機光電元件、有機發光二極體、有機太陽能電池以及有機感光鼓。
本文中，有機發光二極體作為有機光電元件之一個實例(但本發明不限於此)加以描述，且可以相同方式應用於其他有機光電元件。
在圖式中，為了清楚起見，層、膜、面板、區域等之厚度經放大。在整篇說明書中，相同的元件符號表示相同的元件。應瞭解當諸如層、膜、區域或基板之元件被稱作「位於」另一元件「上」時，其可直接位於另一元件上或亦可存在插入元件。相比之下，當元件被稱作「直接位於」另一元件上時，不存在插入元件。
圖1為根據一個實施例之有機發光二極體的示意性橫截面圖。
參看圖1，根據一個實施例之有機發光二極體包含面向彼此的陰極10及陽極20以及安插在陰極10與陽極20之間的有機層30。
陰極10可由功函數較低以有助於電子注入的導體製成， 且可為例如金屬、金屬氧化物及/或導電聚合物。陰極10可為例如金屬或其合金，諸如鎂、鈣、鈉、鉀、鈦、銦、釔、鋰、釓、鋁、銀、錫、鉛、銫、鋇以及其類似物；多層結構材料，諸如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al以及BaF2/Ca，但不限於此。
陽極20可由功函數較高以有助於電洞注入的導體製成，且可為例如金屬、金屬氧化物及/或導電聚合物。陽極20可為例如金屬鎳、鉑、釩、鉻、銅、鋅、金以及其類似物或其合金；金屬氧化物，諸如氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)以及其類似物；金屬與氧化物之組合，諸如ZnO及Al或SnO2及Sb；導電聚合物，諸如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(伸乙基-1,2-二氧基)噻吩)(poly(3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene)；PEDT)、聚吡咯以及聚苯胺，但不限於此。
有機層30包含電洞傳送區34、發射層32、電子傳送區31及電子傳送輔助層33。
電洞傳送區34可包含例如電洞注入層、電洞傳送層、電子阻擋層及輔助層中之至少一者，且電子傳送區可包含例如電子注入層、電子傳送層、電洞阻擋層及電子傳送輔助層中之至少一者。根據本發明實施例的組成物可適用於陽極20與陰極10之間的有機層30，尤其適用於電子傳送輔助層33。
電洞傳送區34可包含例如以下群組8中所列的m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD(Spiro-TPD)、螺-NPB、α-NPB、TAPC、HMTPD、TCTA(4,4',4 「-參(N-咔唑基)三苯胺)、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS(聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、Pani/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸)、PANI/PSS(聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯))、以下化學式201所示之化合物以及以下化學式202所示之化合物：
[化學式201] [化學式202]
在化學式201中，Ar101及Ar102獨立地為伸苯基、伸并環戊二烯基、伸茚基、伸萘基、伸薁基、伸并環庚三烯基、苊基、伸茀基、伸萉基、伸菲基、伸螢蒽基、伸聯伸三苯基、伸芘基、伸屈基、伸稠四苯基、伸苉基、伸苝基或伸稠五苯基；或各經以下中之至少一者取代的伸苯基、伸并環戊二烯基、伸茚基、伸萘基、伸薁基、伸并環庚三烯基、苊基、伸茀基、伸丙烯合萘基、伸菲基、伸蒽基、伸螢蒽基、伸聯伸三苯基、伸芘、伸屈基、伸稠四苯基、伸苉基、伸苝基或伸稠五苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C3-C10環烯基、C2-C10雜環烷基、C2-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C2-C60雜芳基、單價非芳族稠合多環基及單價非芳族雜稠合多環基。
在化學式201中，xa及xb可獨立地為整數0至5，或0、1或2。舉例而言，xa可為1且xb可為0，但不限於此。
在化學式201及化學式202中，R101至R108、R111至R119以及R121至R124可各自獨立地為
氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒 基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C10烷基(例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及其類似基團)或C1-C10烷氧基(例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基及其類似基團)；經以下中之一或多者取代的C1-C10烷基或C1-C10烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽；苯基、萘基、蒽基、茀基或芘基；或經以下中之一或多者取代的苯基、萘基、蒽基、茀基或芘基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C10烷基以及C1-C10烷氧基，但不限於此。
化學式201中之R109可為
苯基、萘基、蒽基或吡啶基；或經以下中之一或多者取代的苯基、萘基、蒽基或吡啶基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、C1-C20烷基以及C1-C20烷氧基。
根據一個實施例，化學式201所示的化合物可由以下化學式201A表示，但不限於此：[化學式201A]
舉例而言，化學式201所示的化合物及化學式202所示的化合物可包含以下化合物HT1至化合物HT20，但不限於此：
電洞傳送區34可具有約100Å至約10000Å之厚度，例如約100Å至約1000Å。當電洞傳送區34包含電洞注入層(HIL)與電洞傳送層(HTL)時，電洞注入層可具有約100Å至約10000Å之厚度，例如約100Å至約1000Å，且電洞傳送層可具有約50Å至約2000Å之厚度，例如約100Å至約1500Å。當電洞傳送區、電洞注入層以及電洞傳送層具有上述範圍內之厚度時，可在不增加實質性驅動電壓之情況下獲得足夠的 電洞傳送特徵。
除如上所述之材料之外，電洞傳送區34亦可更包含電荷產生材料以改良電導性。電荷產生材料可均勻或不均勻地分散於電洞傳送區34中。
電荷產生材料可為例如p型摻雜劑。p型摻雜劑可為奎寧(quinine)衍生物、金屬氧化物以及含氰基之化合物之一，但不限於此。舉例而言，P型摻雜劑之非限制性實例可為醌衍生物，諸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)及其類似物；金屬氧化物，諸如氧化鎢、氧化鉬及其類似物；及含氰基化合物，諸如下述化合物HT-D1，但不限於此。
電洞傳送區34可更包含輔助層。
輔助層可根據自發射層發射之光的波長補償光之光學共振距離，且因此可增加效率。
電子傳送區31包括電子傳送層，且視情況可更包含選自電子注入層及電洞阻擋層中的至少一者。舉例而言，電子傳送區31可包含電子傳送層/電子注入層、電洞阻擋層/電子傳送層/電子注入層，或電子傳送層/電子注入層(EIL)，但不限於此。
當電子傳送區31包含電洞阻擋層時，電洞阻擋層可包含 例如以下BCP及Bphen中之至少一者，但不限於此。
電洞阻擋層可具有約20Å至約1000Å之厚度，例如約30Å至約300Å。當電洞阻擋層具有所述範圍內之厚度時，可在無實質性驅動電壓之情況下獲得極佳的電洞阻擋特徵。
電子傳送層可更包含BCP、Bphen以及以下Alq3、Balq、TAZ以及NTAZ中之至少一者。
此外，電子傳送層(ETL)可包含以下化合物ET1及化合物ET2中之至少一者，但不限於此。
電子傳送層可具有約100Å至約1000Å之厚度，例如約150Å至約500Å。當電子傳送層具有所述範圍內之厚度時， 可在無實質性驅動電壓之情況下獲得極佳的電子傳送特徵。
除上述材料之外，電子傳送層可更包含含金屬材料。
含金屬材料可包含鋰(Li)錯合物。Li錯合物可包含例如以下化合物ET-D1(喹啉鋰，LiQ)或ET-D2。
當電子傳送區31包含電子注入層時，電子注入層可包含選自LiF、NaCl、CsF、Li2O以及BaO之至少一者。
電子注入層可具有約1Å至約100Å、約3Å至約90Å之厚度。當電子注入層具有所述範圍內之厚度時，可在無實質性驅動電壓之情況下獲得極佳的電子注入特徵。
發射層32可包含主體及摻雜劑。
發射層32可包含單一主體或超過兩種主體之混合主體，且在本文中，主體可具有極佳電子特徵與電洞特徵之雙極特徵或作為單一主體的單獨極佳電子特徵，或同時包含具有雙極特徵、具有相對較強電子特徵之第一主體化合物及具有雙極特徵、具有相對較強電子特徵的第二主體化合物作為混合主體。
第一主體化合物及第二主體化合物可以約1：99至99：1範圍內(例如10：90至90：10範圍內)之重量比使用。當第一主體化合物及第二主體化合物在上述重量比範圍內使用時，可有效地控制發射層中電洞與電子注入之平衡。
摻雜劑可包含根據螢光發射機制發光之螢光摻雜劑或根據磷光發射機制發光之磷光摻雜劑。
舉例而言，摻雜劑可為磷光摻雜劑，且磷光摻雜劑可包含由以下化學式81表示的有機金屬化合物：
在化學式81中，M為銥(Ir)、鉑(Pt)、鋨(Os)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、銪(Eu)、鋱(Tb)或銩(Tm)；Y1至Y4各自獨立地為碳(C)或氮(N)；Y1與Y2彼此間經由單鍵或雙鍵連接，且Y3與Y4彼此間經由單鍵或雙鍵連接；CY1及CY2各自獨立地為苯、萘、茀、螺茀、茚、吡咯、噻吩、呋喃、咪唑、吡唑、噻唑異噻唑、噁唑、異噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、噠嗪、喹啉、異喹啉、苯并喹啉、喹喏啉、喹唑啉、咔唑、苯并咪唑、苯并呋喃、苯并噻吩、異苯并噻吩、苯并噁唑、異苯并噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、二苯并呋喃或二苯并噻吩，其中CY1及CY2視情況彼此間經由單鍵或有機鍵聯基團連 接；R81及R82各自獨立地為氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基團或其鹽、磺酸基團或其鹽、磷酸基團或其鹽、-SF5、經取代或未經取代之C1-C60烷基、經取代或未經取代之C2-C60烯基、經取代或未經取代之C2-C60炔基、經取代或未經取代之C1-C60烷氧基、經取代或未經取代之C3-C10環烷基、經取代或未經取代之C2-C10雜環烷基、經取代或未經取代之C3-C10環烯基、經取代或未經取代之C2-C10雜環烯基、經取代或未經取代之C6-C60芳基、經取代或未經取代之C6-C60芳氧基、經取代或未經取代之C6-C60芳硫基、經取代或未經取代之C2-C60雜芳基、經取代或未經取代之單價非芳族稠合多環基、經取代或未經取代之單價非芳族雜稠合多環基、-N(Q1)(Q2)、-Si(Q3)(Q4)(Q5)或-B(Q6)(Q7)；a81及a82各自獨立地選自整數1至5；n81為選自0至4之整數；n82為1、2或3；以及L81為單價有機配位體、二價有機配位體或三價有機配位體。R81及R82之描述是指本說明書中之R41之描述。
磷光摻雜劑可包含以下化合物PD1至化合物PD78中之至少一者，但不限於此：
磷光摻雜劑可包含以下PtOEP或化合物PhGD：
螢光摻雜劑可包含以下DPAVBi、BDAVBi、TBPe、DCM、DCJTB、香豆素(Coumarin)6及C545T中之至少一者，但不限於此。
當發射層32包含主體及摻雜劑時，摻雜劑之量通常可選自約0.01重量份至約20重量份(以約100重量份的主體計)，但不限於此。
發射層32可具有約100Å至約1000Å之厚度，例如約200Å至約600Å。當發射層具有所述範圍內之厚度時，可在無實質性驅動電壓之情況下獲得極佳的發光特徵。
發射層32可包含例如藍色發射層、紅色發射層及綠色發射層。
電子傳送輔助層33可安置於發射層32與電子傳送區31之間，例如發射層32與電子傳送層之間。電子傳送輔助層33接觸發射層32及電子傳送層。電子傳送輔助層33可藉由使用與上文所述相同的組成物形成。
電子傳送輔助層33可例如安置於藍色發射層與電子傳送區31之間，且接觸藍色發射層，從而改良藍色有機發光二極體之壽命。藉此克服藍色有機發光二極體之不利壽命且可實現長壽命全色顯示器。
電子傳送輔助層33可由組成物經乾式塗佈法(諸如蒸發、濺鍍、電漿電鍍及離子電鍍)形成，且兩種或超過兩種化合物可同時成膜或具有相同沈積溫度的化合物可混合，接著成膜。
在下文中，參照實例更詳細地說明實施例。然而這些實例在任何意義上均不解釋為限制本發明之範疇。
下文中，除非特定提及，否則實例及合成實例中所用的起始物質及反應物質購自西格瑪-奧德里奇有限公司(Sigma-Aldrich Co.Ltd)、TCI公司、UMT、北京普瑞化學公司(Beijing Pure Chem)。
合成第一化合物 合成實例1：合成化合物A-15
化合物A-15根據以下方法合成。
合成中間物I-2
在氮氣氛圍下，將32.7g(107mmol)2-溴聯伸三苯溶解於300ml四氫呋喃中，向其中添加20g(128mmol)3-氯苯基硼酸及1.23g(1.07mmol)肆(三苯基膦)鈀，且攪拌混合物。接著，向其中添加36.8g(267mmol)碳酸鉀飽和水溶液，且所得混合物在80℃加熱且回流24小時。反應完成時，向反應溶液中添加水，用二氯甲烷萃取混合物，且接著過濾，且接著用無水MgSO4移除其中的水分，隨後在減壓下濃縮經過濾之溶液。所得殘餘物經由管柱層析法分離且純化，獲得22.6g(63%)中間物I-2。
合成中間物I-3
在氮氣氛圍下，將22.6g(66.7mmol)中間物I-2溶解於300ml二甲基甲醯胺(DMF)中，向其中添加25.4g(100mmol)雙(頻哪醇根基)二硼、0.54g(0.67mmol)(1,1'-雙(二苯基膦)二茂鐵)二氯鈀(II)及16.4g(167mmol)乙酸鉀，且混合物在150℃加熱且回流48小時。反應完成時，向反應溶液中添加水，且將混合物過濾且在真空烘箱中乾燥。所得殘餘物經由管柱層析法分離且純化，獲得18.6g(65%)中間物I-3。
合成化合物A-15
根據與製備中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用17.216g(40.01mmol)中間物1-3及11.781g(44.01mmol)2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪合成16g(75%)化合物A-15。
LC質量(理論值：535.64g/mol，量測值：M+H+=536.62g/mol)
合成實例2：合成化合物A-33
化合物A-33根據以下方法合成。
合成中間物I-6
根據與製備中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用50g(116mmol)中間物1-3及39.4g(139mmol)1-溴-3-碘苯合成42.6g(80%)中間物I-6。
合成中間物I-7
根據與製備中間物I-3之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用40g(87.1mmol)中間物I-6及26.5g(104mmol)雙(頻哪醇根基)二硼合成34g(77%)中間物I-7。
合成化合物A-33
根據與製備中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用16.5g(32.69mmol)中間物1-7及9.63g(35.96mmol)2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪合成16g(80%)化合物A-33。
LC質量(量測值：611.73g/mol，量測值：M+H+=612.71g/mol)
合成實例3：合成化合物A-69
化合物A-69根據以下方法合成。
合成中間物I-4
根據與製備中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用100g(282mmol)化合物I-1(2-溴聯伸三苯以與合成中間物I-3之方法相同的方法合成)及95.9g(339mmol)1-溴-2-碘苯合成95.1g(88%)中間物I-4。
合成中間物I-5
根據與合成中間物I-3之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用90g(235mmol)中間物I-4及71.6g(282mmol)雙(頻哪醇根基)二硼(bis(pinacolato)diboron)合成74.8g(74%)中 間物I-5。
合成中間物I-8
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用70g(163mmol)中間物I-5及55.2g(195mmol)1-溴-2-碘苯合成68.1g(91%)中間物I-8。
合成中間物I-9
根據與合成中間物I-3之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用40g(87.1mmol)中間物I-8及26.5g(104mmol)雙(頻哪醇根基)二硼合成30.4g(69%)中間物I-9。
合成化合物A-69
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用17.7g(35.03mmol)中間物I-9及10.3g(38.5mmol)2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪合成16.5g(77%)化合物A-69。
LC質量(理論值：611.73g/mol，量測值：M+H+=612.72g/mol)
合成第二化合物 合成實例4：合成化合物B-43
化合物B-43根據以下方法合成。
將17.88g(44.9mmol)4-聯苯咔唑基溴化物、13g(49.4mmol)3-聯苯咔唑基硼酸、18.6g(134.61mmol)碳酸鉀及1.55g(1.35mmmol)肆-(三苯膦)鈀(0)懸浮於180ml甲苯及70ml蒸餾水中，接著回流且攪拌12小時。隨後用二氯甲烷及蒸餾水萃取所得物，且用矽膠過濾有機層。接著，使其中所產生的固體(自其中移除有機溶液之後)與二氯甲烷及正己烷一起再結晶，獲得21.3g化合物B-43(產率：75%)。
LC質量(理論值：636.78g/mol，量測值：M+H+=637.77g/mol)
合成實例5：合成化合物B-10
化合物B-10根據以下方法合成。
合成中間物J
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下，使用38.7g(104.9mmol)化合物9-苯基-3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧雜硼雜環戊-2-基)-9H-咔唑及28.4g(115.41mmol)3-溴-9H-咔唑獲得35.7g(83%)中間物(J)。
合成化合物B-10
在氮氣氛圍下，將15.5g(38.1mmol)中間物(J)溶解於200mL甲苯中，向其中添加13g(42mmol)2-溴-4,6-二苯基吡啶、5.5g(57.12mmol)第三丁醇鈉、1.74g(1.9mmol)參(二苯亞甲基丙酮)二鈀(0)及3.695g(7.62mmol)三-第三丁基膦(50%於二甲苯中)，且混合物在120℃加熱且回流12小時。反應完成時，向反應溶液中添加水，用二氯甲烷(DCM)萃取混合物，接著用無水MgSO4移除其中的水分，隨後過濾且在減壓下濃縮。所得殘餘物經由急驟管柱層析法分離且純化，獲得18.5g(76%)化合物B-10。
LC質量(理論值：637.77g/mol，量測值：M+H+=638.75g/mol)
合成實例6：合成化合物B-170
化合物B-43根據以下方法合成。
根據與製備化合物B-10之方法相同的方法，在氮氣氛圍下，使用15.26g(49.36mmol)4-溴-1,1'：4',1"-聯三苯及18.3g(44.87mmol)中間物(J)獲得21.3g(75%)化合物B-170。LC質量(理論值：636.78g/mol，量測值：M+H+=637.76g/mol)
合成實例7：合成化合物B-158
化合物B-158根據以下方法合成。
合成中間物1
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，使用43.2g(134.2mmol)3-溴-N-苯基咔唑及18g(147.6mmol)苯基硼酸獲得32g(75%)中間物1。
合成中間物2
將34.4g(107.6mmol)中間物1溶解於500mL二氯甲烷中，向其中添加19.2g(107.6mmol)N-溴丁二醯亞胺且在室溫下攪拌混合物8小時，獲得35g(82%)中間物2。
合成中間物3
根據與合成化合物B-10之方法相同的方法，使用17.65g(71.74mmol)3-溴咔唑及22g(78.91mmol)4-碘聯苯獲得15g(53%)中間物3。
合成中間物4
根據與合成中間物1-3之方法相同的方法，使用20.1g(50.5mmol)中間物3及19.2g(75.8mmol)雙(頻哪醇根基)二硼獲得20g(89%)中間物4。
合成化合物B-158
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，使用13g(33.1mmol)中間物2及16.2g(36.4mmol)中間物4獲得18g(84%)化合物B-158。
LC質量(理論值：636.78g/mol，量測值：M+H+=637.77g/mol)
合成實例8：合成化合物B-160
化合物B-160根據以下方法合成。
合成中間物5
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，使用43.2g(108.4mmol)中間物3及14.5g(119mmol)雙(頻哪醇根基)二硼獲得33g(77%)中間物5。
合成中間物6
根據與合成中間物2之方法相同的方法，使用29.8g(75.28mmol)中間物5及14g(75.28mmol)N-溴丁二醯亞胺獲得29g(81%)中間物6。
合成化合物B-160
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，使用9.7g(33.65mmol)N-苯基咔唑-3-基-硼酸及16g(33.65mmol)中間物6獲得17g(79%)化合物B-160。
LC質量(理論值：636.78g/mol，量測值：M+H+=637.77g/mol)
合成實例9：合成化合物C-10
根據與合成中間物I-2之方法相同的方法，在氮氣氛圍下使用10g(34.83mmol)苯基咔唑基硼酸及11.77g(38.31mmol)2-溴聯伸三苯獲得14.4g(88%)化合物C-10。
LC質量(理論值：469.57g/mol，量測值：M+H+=470.55g/mol)
製造有機發光二極體-1 實例1
塗有1500Å厚之氧化銦錫(Indium tin oxide；ITO)的玻璃基板在蒸餾水存在下進行超音波洗滌。隨後，玻璃基板在溶劑(諸如異丙醇、丙酮、甲醇及其類似物)存在下進行超音波洗滌，移至電漿清潔器中藉由使用氧電漿清潔10分鐘，接著移至真空沈積器中。此所得ITO透明電極用作陽極，化合物A 真空沈積於ITO基板上部以形成700Å厚的電洞注入層，化合物B在注入層上沈積50Å厚，且化合物C沈積1020Å厚以形成電洞傳送區。在電洞傳送區上，藉由將摻雜劑濃度為5wt%的BH113及BD370(由SFC製造)(作為藍色螢光發射主體)及摻雜劑真空沈積來形成200Å厚的發射層。接著在發射層上，使化合物A-15與化合物B-10以50：50(wt：wt)真空沈積，得到50Å厚的電子傳送輔助層。化合物D與Liq以1：1比率同時真空沈積於電子傳送輔助層上以形成300Å厚的電子傳送層，且在電子傳送層上依序真空沈積15Å Liq及1200Å Al以形成陰極，從而製得有機發光二極體。有機發光二極體具有五層薄膜結構且特定而言，ITO/化合物A(700Å)/化合物B(50Å)/化合物C(1020Å)/EML[BH113：BD370=95：5(wt：wt)](200Å)/化合物A-15：化合物B-10=50：50(wt：wt)(50Å)/化合物D：Liq(300Å)/Liq(15Å)/Al(1200Å)。
化合物A：N4,N4'-二苯基-N4,N4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)聯苯-4,4'-二胺
化合物B：1,4,5,8,9,11-六氮雜聯伸三苯-六甲腈(HAT-CN)，
化合物C：N-(聯苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺
化合物D：8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹啉
實例2
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用70：30(wt：wt)比率之化合物A-15及化合物B-10。
實例3
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-15及化合物B-43。
實例4
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-158。
實例5
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-10。
實例6
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用70：30(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-10。
實例7
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-42。
實例8
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用70：30(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-43。
實例9
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-33及化合物B-160。
實例10
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-69及化合物B-43。
實例11
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-69及化合物B-158。
實例12
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用70：30(wt：wt)比率之化合物A-69及化合物B-158。
實例13
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-69及化合物B-170。
實例14
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中使用50：50(wt：wt)比率之化合物A-69及化合物C-10。
比較實例1
根據與實例1相同的方法製造有機發光二極體，但其中不使用電子傳送輔助層。
評估1
量測根據實例1至實例14及比較實例1之各有機發光二極體之與電壓相關的電流密度變化、亮度變化及發光效率。
特定量測方法如下，且結果顯示於下表1中。
(1)量測電流密度變化與電壓變化的相關性
在使電壓自0V增至10V的同時，使用電流-電壓計(吉時利2400(Keithley 2400))量測所製造之有機發光二極體單元元件中流動的電流值，且將所量測之電流值除以面積，得出結果。
(2)量測亮度變化與電壓變化的相關性
對於亮度而言，在使電壓自0V增至10V的同時，使用亮度計(美能達Cs-1000A(Minolta Cs-1000A))量測所製造之有機發光二極體的亮度。
(3)量測發光效率
藉由使用獲自第(1)項及第(2)項之亮度、電流密度以及電壓來計算相同電流密度(10mA/cm2)下之電流效率(cd/A)。
(4)壽命
實例1至實例14及比較實例1之有機發光二極體的T97壽命是以其亮度相對於發光後之初始亮度(以750cd/m2作為初始亮度(cd/m2))而言降至97%時的時間度量(用普拉尼克斯壽命量測系統(Polanonix life-span measurement system)量測其亮度降低與時間的相關性)。
參看表1，相較於根據比較實例1的有機發光二極體，根據實例1至實例14的有機發光二極體顯示改良的發光效率及壽命特徵。
製造有機發光二極體-2 實例15
沈積有1500Å厚之氧化銦錫(Indium tin oxide；ITO)的玻璃基板在蒸餾水存在下進行超音波洗滌。隨後，玻璃基板在溶劑(諸如異丙醇、丙酮、甲醇及其類似物)存在下進行超音波洗滌，移至電漿清潔器中藉由使用氧電漿清潔10分鐘，接著移至真空沈積器中。此所得ITO透明電極用作陽極，將HT13真空沈積於ITO基板上部以形成1400Å厚的電洞注入及傳送層。在其上真空沈積藍色螢光發射主體及作為摻雜劑的9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)及BD01(摻雜劑濃度為5wt%)，以形成200Å厚的發射層。AND及BD01具有以下結構。根據合成實例2及合成實例4的化合物以1：1(wt/wt)比率真空沈積於發射層上以形成50Å厚的電子傳送輔助層。將參(8-羥基喹啉)鋁Alq3真空沈積於電子傳送輔助層上以形成310Å厚的電子傳送層(ETL)，且在電子傳送層上依序真空沈積15Å Liq及1200Å Al以形成陰極，從而製得有機發光二極體。
有機發光二極體具有五層有機薄膜結構，且特定而言，ITO/HT13 1400Å//EML[ADN：BD01=95：5wt%](200Å)/化合物B-43：化合物A-33=1：1(50Å)/Alq3(310Å)/Liq(15Å)/Al(1200Å)。
比較實例2
根據與實例15相同的方法製造有機發光二極體，但其中不使用電子傳送輔助層。
評估2
根據與「評估1」相同的量測方法量測根據實例15及比較實例2之有機發光二極體之電流密度變化、亮度變化及發光效率與電壓的相關性。結果提供於表2中。
參看表2，根據實例15之有機發光二極體的壽命顯示為高於根據比較實例2之有機發光二極體的壽命約1.7倍。因此，有機發光二極體之壽命特徵因電子傳送輔助層而得到改良。
儘管本發明已結合目前視為實用例示性實施例之內容來描述，但應瞭解本發明不限於所揭露之實施例，而是相反，本發明意欲涵蓋隨附申請專利範圍之精神及範疇內所包含的各種潤飾及等效配置。因此，上述實施例應理解為例示性的，而非以任何方式限制本發明。
10‧‧‧陰極
20‧‧‧陽極
30‧‧‧有機層
31‧‧‧電子傳送區
32‧‧‧發射層
33‧‧‧電子傳送輔助層
34‧‧‧電洞傳送區

Claims (18)

  1. 一種有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，包括以下化學式1所示之化合物及以下化學式2所示之化合物： 其中，在化學式1中，Z各自獨立地為N、C或CRa；Z中之至少一者為N；X各自獨立地為N、C或CRb；R1至R4、Ra及Rb各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C6至C12芳基，或其組合；L1為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之聯伸二苯基或經取代或未經取代之聯伸三苯基；n1至n3各自獨立地為0或1；以及n1+n2+n31； 其中，在化學式2中，Y1為單鍵、經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，或其組合；Ar1為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，或其組合；R5至R8獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C20烷基、經取代或未經取代之C6至C50芳基、經取代或未經取代之C2至C50雜芳基，或其組合；以及R5至R8及Ar1中之至少一者包含經取代或未經取代之聯伸三苯基或經取代或未經取代之咔唑基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示的化合物是由以下化學式1-I或化學式1-II表示： 其中，在化學式1-I或1-II中；Z各自獨立地為N、C或CRa；Z中之至少一者為N；X各自獨立地為N或CRb； R1至R4、Ra及Rb各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C6至C12芳基，或其組合；L1為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之聯伸二苯基或經取代或未經取代之聯伸三苯基；n1至n3各自獨立地為0或1；以及n1+n2+n31。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中之L1為具有扭結結構之經取代或未經取代之伸苯基、具有扭結結構之經取代或未經取代之聯伸二苯基，或具有扭結結構之經取代或未經取代之聯伸三苯基。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中之L1是選自以下群組1中所列的經取代或未經取代之基團：[群組1] 其中，在群組1中，R17至R44各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C3至C30雜環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C6至C30雜芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、鹵素、含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示之化合物具有至少兩個扭結結構。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示之化合物是由以下化學式1a至 1t中之一者表示： 其中，在化學式1a至化學式1t中，Z各自獨立地為N、C或CRa；Z中之至少一者為N；X各自獨立地為N、C或CRb；R1至R4、Ra及Rb各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C6至C12芳基，或其組合；以及R45至R62獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C10烷基、經取代或未經取代之C3至C30環烷基、經取代或未經取代之C3至C30雜環烷基、經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基、經取代或未經取代之胺基、經取代或未經取代之C6至C30芳胺基、經取代或未經取代之C6至C30雜芳胺基、經取代或未經取代之C1至C30烷氧基、鹵素、 含鹵素基團、氰基、羥基、胺基、硝基、羧基、二茂鐵基，或其組合。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1中之X之氮(N)數目為0至2。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示之化合物為以下群組2中所列化合物之一：
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2之化合物是由以下化學式2-I至化學式2-III中之至少一者表示： 其中，在化學式2-I至化學式2-III中，Y1至Y3各自獨立地為單鍵、經取代或未經取代之C1至C20伸烷基、經取代或未經取代之C2至C20伸烯基、經取代或未經取代之C6至C30伸芳基、經取代或未經取代之C2至C30伸雜芳基，或其組合；Ar1及Ar2各自獨立地為經取代或未經取代之C6至C30芳基、經取代或未經取代之C2至C30雜芳基，或其組合；以及 R5至R8及R43至R54各自獨立地為氫、氘、經取代或未經取代之C1至C20烷基、經取代或未經取代之C6至C50芳基、經取代或未經取代之C2至C50雜芳基，或其組合。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-I中之Ar1及Ar2各自獨立地為經取代或未經取代之苯基、經取代或未經取代之聯苯基、經取代或未經取代之聯三苯基、經取代或未經取代之萘基、經取代或未經取代之蒽基、經取代或未經取代之咔唑基、經取代或未經取代之苯并呋喃基、經取代或未經取代之苯并噻吩基、經取代或未經取代之茀基、經取代或未經取代之吡啶基、經取代或未經取代之嘧啶基、經取代或未經取代之吡嗪基、經取代或未經取代之三嗪基、經取代或未經取代之聯伸三苯基、經取代或未經取代之二苯并呋喃基、經取代或未經取代之二苯并噻吩基，或其組合。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-I中之Ar1及Ar2中之至少一者是選自以下群組3及群組4中所列的基團：[群組3]
  12. 如申請專利範圍第9項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-II之化合物是選自以下群組6中所列的化合物：[群組6]
  13. 如申請專利範圍第9項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式2-III所示之化合物是選自群組7中所列的化合物：
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物，其中化學式1所示的化合物與化學式2所示的化合物是以1：99至99：1之重量比包含在內。
  15. 一種有機光電元件，包括面向彼此的陽極及陰極；發射層，安置於所述陽極與所述陰極之間；電子傳送層，安置於所述陰極與所述發射層之間；以及電子傳送輔助層，安置於所述電子傳送層與所述發射層之間，其中所述電子傳送輔助層包含如申請專利範圍第1項至申請專利範圍第14項中任一項所述之有機光電元件之電子傳送輔助層用組成物。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之有機光電元件，其中所述電子傳送輔助層分別接觸所述電子傳送層及所述發射層。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之有機光電元件，其中所述發射層包含藍色摻雜劑，且所述電子傳送輔助層接觸所述發射層。
  18. 一種顯示元件，包括如申請專利範圍第15項所述之有機光電元件。
TW104102776A 2014-01-29 2015-01-28 電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件 TWI542661B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20140011757 2014-01-29
KR1020150004215A KR101846436B1 (ko) 2014-01-29 2015-01-12 전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201542761A TW201542761A (zh) 2015-11-16
TWI542661B true TWI542661B (zh) 2016-07-21

Family

ID=53885455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104102776A TWI542661B (zh) 2014-01-29 2015-01-28 電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR101846436B1 (zh)
CN (1) CN105934499B (zh)
TW (1) TWI542661B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102379743B1 (ko) * 2014-05-02 2022-03-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102293727B1 (ko) * 2014-05-02 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102255197B1 (ko) 2014-05-02 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR101888934B1 (ko) 2015-04-24 2018-08-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR20180067641A (ko) 2015-10-23 2018-06-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 헤테로 고리 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
EP3351537B1 (en) * 2015-10-27 2023-01-18 LG Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting device comprising same
KR20170073245A (ko) * 2015-12-18 2017-06-28 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101957669B1 (ko) * 2016-11-21 2019-03-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 화합물과 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광 표시장치
CN108707136A (zh) * 2018-08-02 2018-10-26 瑞声科技（南京）有限公司 一种吡啶三亚苯化合物及其应用
KR102005866B1 (ko) * 2018-11-12 2019-07-31 삼성에스디아이 주식회사 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US20200274073A1 (en) * 2019-02-26 2020-08-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR20210008979A (ko) 2019-07-15 2021-01-26 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102239794B1 (ko) 2019-11-05 2021-04-13 주식회사 진웅산업 트리페닐렌 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자
CN115850274A (zh) * 2022-12-28 2023-03-28 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种苯并邻菲啰啉化合物及其应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101724304B1 (ko) * 2009-10-16 2017-04-10 에스에프씨 주식회사 축합방향족 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR101506999B1 (ko) * 2009-11-03 2015-03-31 제일모직 주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20110122051A (ko) * 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR101244599B1 (ko) * 2010-05-28 2013-03-25 주식회사 두산 바이폴라 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN102532105A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 清华大学 一种含有吡啶基团的三亚苯类化合物及其应用
KR101618683B1 (ko) * 2013-05-16 2016-05-09 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20140135525A (ko) * 2013-05-16 2014-11-26 제일모직주식회사 유기 광전자 소자용 발광 재료, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101649683B1 (ko) * 2013-09-06 2016-08-19 제일모직 주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201542761A (zh) 2015-11-16
KR20150090836A (ko) 2015-08-06
CN105934499A (zh) 2016-09-07
CN105934499B (zh) 2017-12-19
KR101846436B1 (ko) 2018-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI542661B (zh) 電子傳送輔助層用組成物及含有電子傳送輔助層的有機光電元件及顯示元件
CN109970724B (zh) 有机化合物、组合物、有机光电子装置和显示装置
EP3032606B1 (en) Organic optoelectric device and display device
TWI500604B (zh) 有機光電元件用組成物及有機光電元件及顯示元件
KR102659162B1 (ko) 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
TWI610920B (zh) 熒蔥化合物及包含其之有機電子裝置
KR102601600B1 (ko) 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
CN110540536B (zh) 化合物、组合物以及有机光电装置和显示装置
CN110294703B (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
CN110785863B (zh) 有机光电二极管和显示设备
TWI594989B (zh) 有機光電裝置用組成物、有機光電裝置及顯示裝置
CN109790458B (zh) 用于有机光电二极管的化合物、用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管和显示装置
TWI613197B (zh) 有機光電元件用組成物、有機光電元件及顯示元件
CN107109211B (zh) 有机光电二极管和显示装置
KR20150084558A (ko) 축합환 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
TWI703203B (zh) 有機光電裝置以及顯示裝置
CN110337480B (zh) 有机光电子器件用组合物、有机光电子器件和显示器件
CN111527083A (zh) 有机化合物、组合物、有机光电装置及显示设备
CN110003127B (zh) 组合物、有机光电子装置及显示装置
CN112574210B (zh) 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示装置
KR102230986B1 (ko) 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
WO2015115744A1 (ko) 전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102524650B1 (ko) 화합물, 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN110872511A (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
CN110021707B (zh) 有机光电装置和显示装置