WO2015115744A1 - 전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

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김봉옥
김영권
김훈
오재진
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이한일
이현규
조평석
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    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom

Definitions

  • composition for electron transport auxiliary layer organic optoelectronic device and display device comprising an electron transport auxiliary layer
  • It relates to an organic optoelectronic device and a display device comprising a composition for an electron transport auxiliary layer, an electron transport auxiliary layer.
  • Organic optoelectric diodes can switch between electrical and light energy. It is a device.
  • Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the principle of operation.
  • One is photoelectric energy that generates electrical energy as an axtone formed by light energy is separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to different electrodes .
  • the device is a light emitting device that generates light energy from electrical energy by supplying a voltage or a current to an electrode.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • organic light emitting diodes have attracted much attention recently as demand for flat panel displays increases.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying an electric current to the organic light emitting material.
  • the organic light emitting device has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • Another embodiment may implement the long life characteristics by including the electron transport auxiliary layer. It provides an organic optoelectronic device that can be.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • Z are each independently N, C or CR a ,
  • At least one of Z is N,
  • Each X is independently N, C or CR b ,
  • R 1 to R 4 , R a and R b are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof, and L 1 is substituted or Unsubstituted phenylene group, substituted or unsubstituted biphenylene group, or substituted or unsubstituted terphenylene group,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1
  • Y 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C 1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 solution Terarylene groups or a combination thereof,
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group or a combination thereof,
  • R 5 to R 8 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C50 heteroaryl group, or a combination thereof ,
  • At least one of R 5 to R 8 and Ar 1 includes a substituted or unsubstituted triphenylene group or a substituted or unsubstituted carbazole group.
  • an anode and a cathode facing each other a light emitting layer positioned between the anode and the cathode, an electron transport layer located between the cathode and the light emitting layer, and located between the electron transport layer and the light emitting layer, the composition comprising the composition
  • An organic optoelectronic device including an electron transport auxiliary layer is provided.
  • a display device including the organic optoelectronic device is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an organic optoelectronic device according to an embodiment.
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or compound is deuterium, a halogen group, a hydroxy group, an amino group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, a nitro group, a substituted or unsubstituted C 1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C 1 to C 10 alkylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C 1 C 1 to C 10 trifluoroalkyl groups such as C20 alkoxy group, fluoro group, and trifluoromethyl group Or cyano group.
  • C1 to C10 tripolouroalkyl group or cyano group such as heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, fluoro group and trifluoromethyl group May be fused to form a ring.
  • the substituted C6 to C30 aryl group can be fused to another adjacent substituted C6 to C30 aryl group to form a substituted or unsubstituted fluorene ring.
  • hetero means ⁇ , ⁇ , in one functional group, unless otherwise defined.
  • It contains 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of S, P and Si, and the rest means carbon.
  • an "alkyl group” means an aliphatic hydrocarbon group.
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group” that does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C 1 to C30. More specifically, the alkyl group may be a C 1 to C 20 alkyl group or a C 1 to C 10 alkyl group.
  • a C 1 to C 4 alkyl group means that the alkyl chain contains 1 to 4 carbon atoms, and methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, ⁇ -butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl It is selected from the group consisting of.
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group and pentyl group .
  • Nuclear group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclonuclear group, etc. mean.
  • an "aryl group” refers to a substituent in which all elements of a cyclic substituent have a p-orbital, and these P-orbitals form a conjugate, and are monocyclic, polycyclic or fused.
  • Ring polycyclic (ie, ring which divides adjacent pairs of carbon atoms) functional groups including biphenyl groups, terphenyl groups, quaterphenyl groups, etc., in which several aryl groups are directly bonded, as well as structures such as fluorene groups .
  • heteroaryl group refers to N, 0, S, P and Si in an aryl group. It contains 1 to 3 hetero atoms selected from the group consisting of, the rest means carbon.
  • each ring may include 1 to 3 heteroatoms, a carbazole group, a dibenzofuranyl group,
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl group, substituted or unsubstituted
  • Phenanthryl group substituted or unsubstituted naphthacenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted P-terphenyl group, substituted or unsubstituted m-terphenyl group, substituted Or an unsubstituted chrysenyl group, a substituted or unsubstituted triphenylenyl group, a substituted or unsubstituted perylenyl group, a substituted or unsubstituted indenyl group, a substituted or unsubstituted furanyl group, a substituted or unsubstituted thiophenyl group , Substituted or unsubstituted pyrrolyl group, substituted or unsubstituted pyrazolyl group, substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or
  • a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, a substituted or unsubstituted carbazole group, a combination thereof or a combination thereof may be in a fused form, but is not limited thereto.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level, and emitting layer.
  • hole formed in It means a property that facilitates movement to the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic in which electrons can be received when an electric field is applied, and injects electrons formed in the cathode into the light emitting layer with conducting properties along the LUMO level, moves to the electron and cathode formed in the light emitting layer, and It means a property that facilitates movement.
  • composition for an organic optoelectronic device is included.
  • a composition for use in the electron transport auxiliary layer comprising a first compound having relatively strong electronic properties and a crab 2 compound having relatively strong hole properties.
  • the compound 1 is a compound having relatively strong electronic properties, and may be represented by the following Chemical Formula 1.
  • Z are each independently N, C or CR a ,
  • At least one of Z is N,
  • Each X is independently N, C or CR b ,
  • R 1 to R 4 , R a and R b are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 aryl group, or a combination thereof, and L 1 is substituted or Unsubstituted phenylene group, substituted or unsubstituted biphenylene group or substituted or unsubstituted terphenylene group,
  • nl to n3 are each independently 0 or 1
  • the compound 1 may be represented by, for example, the following Chemical Formula 1-1 or Chemical Formula 1-II depending on the binding position.
  • Formula ii] [Formula ⁇ ]
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may have at least one kink structure centered on an arylene group and / or a heteroarylene group.
  • the fold structure refers to a structure in which two connecting portions of an arylene group and / or a heteroarylene group do not form a straight structure.
  • a structure in which two connecting portions of an arylene group and / or a heteroarylene group do not form a straight structure For example, in the case of phenylene, p-phenylene (o-phenylene) and meta-phenylene (m-phenylene), in which the linking portions do not form a linear structure, have the bending structure, and para-phenylene (p- phenylene) does not have this bending structure.
  • the bending structure is a linking group (L 1 ) and / or
  • It may be formed around the arylene group / hetero arylene group.
  • nl of Formula 1 is 0, that is, in a structure without a linking group (L 1 ), a fold structure can be formed around an arylene group / heteroarylene group, for example, a compound represented by the following formula la or lb have.
  • L 1 may be a substituted or unsubstituted phenylene group or a substituted structure. It may be a substituted biphenylene group or a substituted or unsubstituted terphenylene group of a fold structure. L 1 may be, for example, one selected from substituted or unsubstituted groups listed in Group 1 below.
  • R 17 to R 44 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C6 to C30
  • Heteroarylamine groups substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy groups, halogen groups, halogen-containing groups, cyano groups, hydroxyl groups, amino groups, nitro groups, carboxyl groups, ferrocenyl groups or combinations thereof.
  • Compound represented by the formula (1) is preferably at least two folding It may have a structure, for example, may have a two to four folding structure ⁇
  • the C1 compound may be represented by any one of the formulas lc to It, for example, but is not limited thereto.
  • R 45 to R 62 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted amine group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C6 to C30
  • Heteroarylamine groups substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy groups, halogen groups, halogen-containing groups, cyano groups, hydroxyl groups, amino groups, nitro groups, carboxyl groups, ferrocenyl groups or Combination of these.
  • the number of nitrogen (N) in X of Formula 1 may be, for example, 0 to 2.
  • the compound 1 may be, for example one of the compounds listed in Group 2, but is not limited thereto.
  • Y 1 is a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Or a combination thereof;
  • Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group or a combination thereof,
  • R 5 to R 8 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C50 heteroaryl group, or a combination thereof ego,
  • At least one of 5 to 8 and Ar 1 includes a substituted or unsubstituted triphenylene group or a substituted or unsubstituted carbazole group.
  • the second compound may be represented by at least one of Formulas 2-1 to 2-II.
  • Y 1 to Y 3 are each independently a single bond, substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, substituted or unsubstituted C2 to C20 alkenylene group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group or a combination thereof
  • Ar 1 and Ar 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • R 5 to R 8 and R 43 to R 54 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C50 aryl group, a substituted or unsubstituted C2 to C50 hetero Aryl groups or combinations thereof.
  • the compound represented by Chemical Formula 2-1 is a structure in which two carbazole groups having a substituent are connected.
  • Ar 1 and Ar 2 of Formula 2-1 are each independently a substituent having a hole property or an electronic property, such as a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted group.
  • Biphenyl group substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted Benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted
  • Fluorenyl group substituted or unsubstituted pyridyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted triphenylene group, substituted or It may be an unsubstituted dibenzofuranyl group, a substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl group, or a combination thereof.
  • At least one of Ar 1 and Ar 2 of Formula 2-1 may be a substituent having electronic properties, for example, a substituent represented by Formula A below.
  • Z are each independently N or CR b ,
  • A1 and A2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 heteroaryl group, or a combination thereof,
  • At least one of ⁇ , ⁇ and A2 comprises ⁇ and
  • a and b are each independently 0 or 1.
  • At least one of Ar 1 and Ar 2 of Formula 2-1 may be a substituent having hole characteristics, for example, the substituents listed in Group 4 below.
  • the compound represented by Chemical Formula 2-1 may be selected from, for example, the compounds listed in Group 5, but is not limited thereto.
  • the compound represented by the formula 2- ⁇ or 2- ⁇ is a structure in which a substituted or unsubstituted carbazole group and a substituted or unsubstituted triphenylene group are bonded.
  • Ar 1 of Formula 2-II is a substituent having hole or electronic properties, such as a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, Substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted carbazolyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted or unsubstituted benzothiophenyl group, substituted or unsubstituted fluorenyl group, substituted or unsubstituted Pyridyl group, substituted or unsubstituted
  • the compound represented by Formula 2-III may be selected from, for example, the compounds listed in Group 7, but is not limited thereto.
  • the C 2 compound is a compound having a strong carbazole group or a bicarbazole group, and is applied to an electron transport auxiliary layer positioned between the light emitting layer and the electron transport layer, and thus the holes and / or axtones generated in the light emitting layer are transferred to the electron transport layer.
  • the C 1 compound has a relatively strong electronic property.
  • Compound 2 is a compound having relatively strong hole properties.
  • the life of the organic optoelectronic device may be improved by effectively transferring the electrons injected from the electron transport layer to the light emitting layer, and effectively absorbing and / or blocking the movement of holes and / or excitons passing through the light emitting layer to the electron transport layer.
  • the first compound and the second compound described above can prepare various compositions by various combinations.
  • the composition may include at least one type C1 compound and at least one type of second compound, and may further include a compound other than the first compound and the second compound.
  • the first compound and the second compound are combined in various ratios
  • the electron transport ability can be adjusted and the electron transport ability of the light emitting layer can be balanced to prevent electrons from accumulating at the interface of the light emitting layer.
  • the electron transport auxiliary layer converts the excitons generated in the holes and / or the light emitting layer from the anode to the light emitting layer into an axtone having a lower energy than the energy of the axtone of the light emitting layer. It can effectively block the movement to the transport layer. Accordingly, the lifetime of the organic optoelectronic device can be improved.
  • the giant U compound and the second compound may be included, for example, in a weight ratio of 1:99 to 99: 1.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is a device capable of converting electrical energy and light energy, and examples thereof include organic photoelectric devices, organic light emitting devices, organic solar cells, and organic photosensitive drums.
  • organic photoelectric devices organic light emitting devices
  • organic solar cells organic solar cells
  • organic photosensitive drums organic photosensitive drums
  • an organic light emitting device as an example of an organic optoelectronic device will be described as an example, but the present invention is not limited thereto and may be similarly applied to other organic optoelectronic devices.
  • an organic optoelectronic device according to an embodiment. Referring to FIG. 1, an organic optoelectronic device according to an embodiment is disposed between a cathode 10 and an anode 20 and between the cathode 10 and the anode 20 facing each other.
  • the cathode 10 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the cathode 20 is, for example, a metal such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, sesame, barium, or an alloy thereof; Multilayer structure materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, but are not limited thereto.
  • the anode 20 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 10 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide ( ⁇ ),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or Sn0 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene) (p 0 lyehtylenedioxythiophene: PEDT), polypyrrole and polyaniline, It is not limited to this.
  • the organic layer 30 includes a hole transport region 34, a light emitting layer 32, an electron transport region 31, and
  • the electron transport auxiliary layer 33 may be included.
  • the hole transport region 34 is formed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, and a buffer layer.
  • the electron transport region may include at least one of, for example, an electron injection layer, an electron transport layer, a hole blocking layer, and an electron transport auxiliary layer.
  • the composition provided in the present embodiment may be applied to the organic layer 30 between the anode 10 and the cathode 20, among which may be applied to the electron transport auxiliary layer 33.
  • the hole transport region 34 is, for example, m-MTDATA, TDATA, 2-TNATA, NPB, ⁇ - ⁇ , TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, a-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA (listed in Group 8 below). 4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) triphenylamine (4,4', 4" -tris (N-carbazolyl) triphenylamine)), Pani / DBSA (Polyaniline / Dodecylbenzenesulfonic acid: polyaniline / dodecyl Benzenesulfonic acid),
  • PEDOT / PSS Poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / Poly (4-sty ⁇
  • Ar, o, and Ar 102 are independently of each other, a phenylene group, a pentarenylene group, an indenylene group, a naphthylene group, an azulenylene group, a heptalylene group, an acenaphthylene group, a fluorenylene group, a phenenylene group, a phenan group A threnylene group, anthracenylene group, fluoranthhenylene group,
  • Triphenylenylene group Triphenylenylene group, pyrenylene group, chrysenylenelenylene group, naphthacenylene group, pisenylene group peryleneylene group or pentaxenylene group; Or deuterium, -F, -CI, -Br, -I, hydroxyl group, cyano group : nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, a phosphoric acid group or its salt, C -!
  • xa and xb may be each independently an integer of 0 to 5, or 0, 1 or 2.
  • xa may be 1 and xb may be 0, but is not limited thereto.
  • R101 to R108, R111 to R119, and R121 to R124 are each independently of the other.
  • C1-C10 alkyl groups e.g., methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, nuclear
  • C1-C10 alkoxy groups e.g., hydroxy, ethoxy, pro Explosives, side groups, pentoxy groups, etc.
  • R109 is
  • Phenyl group naphthyl group, anthracenyl group or pyridinyl group
  • the compound represented by Formula 201 may be represented by Formula 201 A, but is not limited thereto.
  • the hole transport region 34 may have a thickness of about 100 A to about 10000 A, for example, about 100 A to about 1000 A. If the hole transport region 34 includes both the hole injection layer and the hole transport layer, the hole injection layer has a thickness of about 100A to about 10000A, for example, about 100A to about 1000A, and the hole transport layer has a thickness of about 50A to about 2000A, for example, about 100A to about 1500A. When the thicknesses of the hole transport region, the hole injection layer, and the hole transport layer satisfy the above ranges, satisfactory hole transport characteristics can be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the hole transport region 34 may further include a charge-generating material for improving conductivity.
  • the charge-generating material may be uniformly or heterogeneously dispersed in the hole transport region 34.
  • the charge-generating material may be, for example, a p-type dopant.
  • the p-type dopant may be one of a quinone derivative, a metal oxide, and a cyano group-containing compound, but is not limited thereto.
  • non-limiting examples of the ⁇ -type dopant include tetracyanoquinonedimethane (TCNQ) and 2,3,5,6-tetrafluoro-tetracyano-1,4-benzoquinonedi.
  • the hole transport region 34 may further include a buffer layer.
  • the buffer layer may serve to increase efficiency by compensating an optical resonance distance according to a wavelength of light emitted from the light emitting layer.
  • the electron transport region 31 may include an electron transport layer and optionally further include at least one selected from an electron injection layer and a hole blocking layer.
  • the electron transport region 31 may be an electron transport layer / electron injection layer, a hole blocking layer / electron transport layer / electron injection layer or
  • It may have a structure of an electron transport layer / electron injection layer, but is not limited thereto.
  • the hole blocking layer may include, for example, at least one of BCP and Bphen, but is not limited thereto.
  • the hole blocking layer may have a thickness of about 20A to about 1000A, for example, about 30A to about 300A. When the thickness of the hole blocking layer satisfies the above range, excellent hole blocking characteristics may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the electron transport layer may further include at least one of BCP, Bphen and Alq3, Balq, TAZ, and NTAZ.
  • the electron transport layer may include at least one of the following compounds ET1 and ET2, but is not limited thereto.
  • the electron transport layer may have a thickness of about 100A to about 1000A, for example, about 150A to about 500A. When the thickness of the electron transporting layer satisfies the aforementioned range, a satisfactory electron transporting characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the electron transport layer may further include a metal-containing material, in addition to the materials described above.
  • the metal-containing material may comprise a Li complex.
  • the Li complex may include, for example, the following compound ET-D1 (lithium quinolate, LiQ) or ET-D2.
  • the electron injection layer may include at least one selected from LiF, NaCl, CsF, Li20, and BaO.
  • the electron injection layer may have a thickness of about 1 A to about 100 A, about 3 A to about 90 A. When the thickness of the electron injection layer satisfies the aforementioned range, a satisfactory electron injection characteristic may be obtained without a substantial increase in driving voltage.
  • the light emitting layer 32 includes a host and a dopant.
  • the light emitting layer 32 may include a single host or two or more types of hosts, and the host may be a host having a bipolar characteristic having excellent electron and hole characteristics, or a single host having excellent electronic characteristics, or having an electronic characteristic.
  • the use of one host compound having a relatively strong bipolar characteristic and a second host compound having a relatively strong bipolar characteristic with a hole characteristic may include simultaneously using two or more hosts.
  • the weight ratio of the first host compound and the second host compound may be selected in the range of about 1:99 to 99: 1, for example, in the range of 10:90 to 90:10.
  • the weight ratio range of the first host compound and the second host compound satisfies the above, the balance of hole and electron injection into the light emitting layer can be effectively controlled.
  • the dopant may comprise a fluorescent dopant emitting light according to a fluorescence emitting mechanism or a phosphorescent dopant emitting light according to a phosphorescent emitting mechanism.
  • the dopant may be a phosphorescent dopant
  • the phosphorescent dopant may be represented by the following chemical formula:
  • Organometallic compounds represented by 81 may be included: [Formula 8 1]
  • ⁇ is iridium (Ir), platinum (Pt), osmium (Os), titanium (Ti), zirconium (Zr), hafnium (Hf), europium (Eu), terbium (Tb) or lium (Tm);
  • Y1 to Y4 are, independently of each other, carbon (C) or nitrogen (N);
  • Y1 and Y2 are connected through a single bond or a double bond, and Y3 and VII4 are connected through a single bond or a double bond;
  • CY1 and CY2 are independently of each other benzene, naphthalene, fluorene, spiro-fluorene, indene, blood, thiophene, furan, imidazole, pyrazole, thiazole, isothiazole, oxazole, Isoxazole, pyridine, pyrazine, pyrimidine, pyridazine, quinoline, isoquinoline, benzoquinoline, quinoxaline, quinazoline, carbazole, benzoimidazole,
  • Benzofuran, benzothiophene, isobenzothiophene, benzoxazole, isobenzooxazole, triazole, tetrazole, oxadiazole, triazine, dibenzofuran or dibenzothiophene, CY1 and CY2 are optionally bonded to each other via a single bond or an organic linking group;
  • R81 and R82 are each independently hydrogen, deuterium, -F, -CI, -Br, -1, hydroxyl group, cyano group, nitro group, amino group, amidino group, hydrazine group, hydrazone group, carboxylic acid or Salts thereof, sulfonic acid or salts thereof, phosphoric acid or salts thereof, -SF5, substituted or unsubstituted C 1 -C 60 alkyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkenyl group, substituted or unsubstituted C 2 -C 60 alkynyl group, substituted Or an unsubstituted C1-C60 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3-C10 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C2-C10 heterocycloalkyl group, a substituted or Unsubstituted C3-C10 cycloalkenyl group, substitute
  • a81 and a82 are each independently selected from an integer of 1 to 5;
  • n81 is selected from an integer of 0 to 4.
  • n82 is 1, 2 or 3;
  • L81 is a monovalent organic ligand, a divalent organic ligand or a trivalent organic ligand.
  • the phosphorescent dopant may include at least one of the following compounds PD1 to PD78, but is not limited thereto.
  • the phosphorescent dopant may comprise the following PtOEP or compound PhGD:
  • the fluorescent dopant may include at least one of the following DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 C545T, but is not limited thereto.
  • the content of the dopant may be generally selected from about 0.01 to about 20 parts by weight based on about 100 parts by weight of the host, but is not limited thereto.
  • the thickness of the light emitting layer 32 may be about 100 A to about 1000 A, for example about 200 A to about 600 A. When the thickness of the light emitting layer satisfies the aforementioned range, the light emitting layer may exhibit excellent light emission characteristics without a substantial increase in driving voltage.
  • the light emitting layer 32 may include, for example, a blue light emitting layer, a red light emitting layer, and a green light emitting layer.
  • the electron transport auxiliary layer 33 may be located between the light emitting layer 32 and the electron transport region 31, for example, between the light emitting layer 32 and the electron transport layer.
  • the electron transport auxiliary layer 33 may be in contact with the light emitting layer 32 and the electron transport layer, respectively.
  • the electron transport auxiliary layer 33 may be formed using the above-described composition, and description of the composition is omitted.
  • the electron transport auxiliary layer 33 may be positioned between the blue light emitting layer and the electron transport region 31, and may be disposed adjacent to the blue light emitting insect to improve the life of the blue organic light emitting device. Accordingly, the life weakness of the blue organic light emitting diode may be overcome and a long life full color display may be realized.
  • the electron transport auxiliary layer 33 is made by vacuum evaporation of the above-mentioned composition
  • It may be formed by a dry film forming method such as sputtering, plasma plating, and ion plating, etc., and two or more compounds may be formed at the same time, or may be formed by mixing compounds having the same deposition silver.
  • Compound A-15 was synthesized in the following manner.
  • Tetrakis (triphenylphosphine) palladium 1.23 g (1.07 mmol) was added thereto and stirred. On the water 36.8 g (267 mmol) of saturated potassium carbonate was added thereto, and the mixture was heated and refluxed at 80 ° C. for 24 hours. After the reaction was completed, water was added to the reaction solution, extracted with dichloromethane, water was removed with anhydrous MgS04, filtered, and concentrated under reduced pressure. The obtained residue was separated and purified through column chromatography, obtaining 22.6 g (63%) of the intermediate 1-2. .
  • Compound A-33 was synthesized in the following manner.
  • Compound A-69 was synthesized in the following manner.
  • Compound B-43 was synthesized in the following manner.
  • Compound B-10 was synthesized in the following manner.
  • Compound B-43 was synthesized by the "method as described below.
  • Compound B- was synthesized in the same manner as Compound B-10 using 15.26 g (49.36 mmol) of 4-bromo-l, r: 4 ', r-terphenyl and 18.3 g (44.87 mmol) of intermediate (J) in a nitrogen environment. 170 21.3 g (75%) was obtained.
  • Compound B-158 was synthesized in the following manner.
  • Compound B-160 was synthesized in the following manner.
  • ITO (Indium tin 6xide) 7] -1 thin film coated glass substrate with a thickness of 1500A was washed by distilled water ultrasonic. After the distilled water was washed, isopropyl alcohol was ultrasonically cleaned with a solvent such as acetone and methanol, dried, and then transferred to a plasma cleaner, followed by cleaning the substrate using oxygen plasma for 10 minutes, and then transferring the substrate to a vacuum evaporator.
  • Compound A was vacuum deposited on the ⁇ substrate using the prepared ⁇ transparent electrode as an anode to form a hole injection layer having a thickness of 700 A, and then Compound B was deposited to a thickness of 50 A on top of the injection layer, and then Compound C was deposited at 1020 A. By the thickness.
  • BH113 and BD370 purchased from SFC
  • BD370 were doped with a blue fluorescence light emitting host and a dopant to a dopant concentration of 5wt% to form a light emitting layer having a thickness of 200 A by vacuum deposition. Thereafter, by vacuum depositing Compound A-15 and Compound B-10 at 50:50 (wt: wt) on the emission layer, an electron transport auxiliary layer having a thickness of 50 A was obtained.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically ITO / Compound A (700A) / Compound ⁇ (50 A) / Compound C (1020)
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-15 and Compound B-10 at 70:30 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-15 and Compound B-43 at 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-33 and Compound B-158 at 50:50 (wt: wt). .
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-33 and Compound B-10 in 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-33 and Compound B-10 at 70:30 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-33 and Compound B-43 at 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-33 and Compound B-43 at 70:30 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-69 and Compound B-43 at 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-69 and Compound B-158 at 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-69 and Compound B-158 at 70:30 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-69 and Compound B-170 at 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except for using Compound A-69 and Compound C-10 in 50:50 (wt: wt).
  • An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 1 except that the electron transport auxiliary layer was not used. Rating 1
  • the current value flowing through the unit device was measured by using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0V to 10V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2) was calculated using the brightness, current density and voltage measured from (1) and (2) above.
  • the devices of Examples 1 to 14 and Comparative Example 1 emit an initial luminance ( C d / m 2) of 750 cd / m 2, and the luminance decreases with time. T97 was measured as the time point when the luminance was reduced to 97% of the initial luminance.
  • ITO (Indium tin oxide) 7> A thin glass substrate coated with a thickness of 1500 A was washed with distilled water ultrasonically. After the distilled water is washed, isopropyl alcohol, acetone, and methane are ultrasonically cleaned, dried and transferred to a plasma cleaner, followed by oxygen . The substrate was cleaned for 10 minutes by using a plasma, and then the substrate was transferred to a vacuum depositor. Using the prepared ITO transparent electrode as an anode, HT13 was vacuum deposited on the ⁇ substrate to form a hole injection and transport layer having a thickness of 1400 A. On top of it, 9, 10-di (2-naphthyl) anthracene (ADN) and BD01 as blue luminescent host and dopant
  • An organic light emitting device was manufactured by forming an electron transport layer having a thickness of 310 A by vacuum deposition, and sequentially depositing Liq 15 A and A1 1200 A on the electron transport layer to form a cathode.
  • the organic light emitting device has a structure having five organic thin film layers, specifically
  • Comparative Example 2 An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 15 except for not using an electron transport auxiliary layer. Evaluation 2
  • the organic light emitting device according to Example 15 has an increase in life of about 1.7 times compared to the organic light emitting device according to Comparative Example 2.
  • organic layer 31 electron transport region

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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하고 유기광전자소자의 전자수송보조층에 사용되는 조성물, 상기 조성물을 적용한 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치
【기술분야】
전자수송보조층용 조성물, 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectric diode)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수. 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 액시톤 (exdton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 빛:생하는 광전.소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자， 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서， 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다.
유기 발광 소자는 장수명 풀 컬러 디스플레이를 구현하는 것이 중요하며, 상기 장수명 풀 컬러 디스플레이를 구현하기 위해서는 청색 유기 발광 소자의 수명을 확보하는 것이 중요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제]
일 구현예는 장수명 특성을 구현할 수 있는 유기 광전자 소자의
전자수송보조층에 사용되는 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 전자수송보조층을 포함함으로써 장수명 특성을 구현할 수 있는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다. 【기술적 해결방법】
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 포함하고 유기광전자소자의 전자수송보조층에 사용되는
조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서,
Z는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고,
X는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRb이고，
R1 내지 R4, Ra및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고， L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기 , 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
nl+n2+n3>l 이고,
[화학식 2]
Figure imgf000003_0002
상기 화학식 2에서, Y1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
R5 내지 R8 및 Ar1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함한다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 애노드와 캐소드, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층, 상기 캐소드와 발광층 사이에 위치하는 전자 수송층, 그리고 상기 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하고 상기 조성물을 포함하는 전자수송보조층을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【유리한 효과]
장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로， 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기， 니트로기, 치환 또는 비치환된 C 1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C 1 내지 C 10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C 1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기， 트리플루오로메틸기 등의 C 1 내지 C 10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30
헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 해테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, 플루오로기， 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리폴루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν, Ο,
S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다.
상기 알킬기는 C 1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C 1 내지 C20 알킬기 또는 C 1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어， C 1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며， 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필 , η-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기， 펜틸기,.핵실기, 시클로프로필기， 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로핵실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고 모노시클릭， 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함하며, 아릴기가 직접 여러 개 결합된 형태인 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등 뿐만 아니라, 플루오렌기와 같은 구조를 포함한다.
본 명세서에서 "해테로아릴 (heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 해테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 해테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있으며, 카바졸기， 디벤조퓨란일기,
디벤조티오페닐기와 같은 구조를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기는, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된
페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 P-터페닐기， 치환 또는 비치환된 m- 터페닐기， 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기， 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기， 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기 , 치환 또는 비치환된 트리아지닐기 , 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된
퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된
벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 밴즈티아진일기, 치환 또는 비치환된
아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸기， 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로 , HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로， LUMO 준위를 따라 전도 특성올 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자와 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물을 포함한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 조성물은 유기 광전자 소자의
전자수송보조층에 사용되는 조성물로서， 전자 특성이 상대적으로 강한 제 1 화합물과 정공 특성이 상대적으로 강한 게 2 화합물을 포함한다.
상기 게 1 화합물은 전자 특성이 상대적으로 강한 화합물로, 하기 화학식 1로 표현될 수 있다.
[화학식 1] '
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 1에서,
Z는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고，
X는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRb이고,
R1 내지 R4, Ra및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고, L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기， 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고，
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
nl+n2+n3>l 이다.
상기 게 1 화합물은 결합 위치에 따라 예컨대 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1- II로 표현될 수 있다. 화학식 i-i] [화학식 μπ]
Figure imgf000008_0001
상기 화학식 1-1 또는 1-II에서, Χ, Ζ, Ι 1 내지 R4, !^ 1 및 nl 내지 n3는 전술한 바와 같다ᅳ
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 아릴렌기 및 /또는 헤테로아릴렌기를 중심으로 적어도 하나의 꺾임 (kink) 구조를 가질 수 있다.
상기 꺾임 구조는 아릴렌 기 및 /또는 헤테로아릴렌기의 두 개의 연결 부분들이 직선 구조를 이루지 않는 구조를 말한다. 예컨대 페닐렌의 경우 연결 부분들이 직선 구조를 이루지 않는 을쏘 페닐렌 (o-phenylene)과 메타 페닐렌 (m- phenylene)이 상기 꺾임 구조를 가지며, 연결 부분들이 직선 구조를 이루는 파라 페닐렌 (p-phenylene)은 상기 꺾임 구조를 가지지 않는다.
상기 화학식 1에서, 상기 꺾임 구조는 연결기 (L1) 및 /또는
아릴렌기 /헤테로아릴렌기를 중심으로 형성될 수 있다.
예컨대 상기 화학식 1의 nl이 0인 경우, 즉 연결기 (L1)가 없는 구조에서는 아릴렌기 /헤테로아릴렌기를 중심으로 꺾임 구조를 형성할 수 있고， 예컨대 하기 화학식 la 또는 lb로 표현되는 화합물일 수 있다.
[ la] [화학식
Figure imgf000008_0002
상기 화학식 la또는 lb에서, X, Z, R' 내지 R4및 L1은 전술한 바와 같다. 예컨대 상기 화학식 1의 nl이 1인 경우에는 연결기 (L1)를 중심으로 꺾임 구조를 형성할 수 있고, 예컨대 L1은 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 꺾임 구조의 치환.또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 터페닐렌기일 수 있다. 상기 L1은 예컨대 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나일 수 있다.
Figure imgf000009_0001
상기 그룹 1에서,
R17 내지 R44는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 바람직하게는 적어도 두 개의 꺾임 구조를 가질 수 있으며, 예컨대 두 개 내지 네 개의 꺾임 구조를 가질 수 있다ᅳ 상기 게 1 화합물은 예컨대 하기 화학식 lc 내지 It 중 어느 하나로 표현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 lc] [화학식 Id]
Figure imgf000010_0001
Figure imgf000010_0002
Figure imgf000010_0003
lj]
Figure imgf000011_0001
[화학식 lk] [화학식
Figure imgf000011_0002
[화학식 lm] [화학식 In]
Figure imgf000011_0003
lo] [화학식
Figure imgf000012_0001
상기 화학식 la 내지 it에서,
Χ, Ζ 및 R1 내지 R4는 각각 전술한 바와 같고,
R45 내지 R62는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 니트로기, 카르복실기， 페로세닐기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 1의 X 중 질소 (N)의 개수는 예컨대 0 내지 2개일 수 있다. 상기 게 1 화합물은 예컨대 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 2]
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000015_0001
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
Figure imgf000017_0001
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Figure imgf000020_0001
Figure imgf000021_0001
Figure imgf000022_0001
Figure imgf000023_0001
Figure imgf000024_0001
Figure imgf000025_0001
Y1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내^ C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
5 내지 8 및 Ar1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함한다.
상기 제 2 화합물은 예컨대 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-ΙΠ 중 적어도 하나로 표현될 수 있다.
[ -1] [화학식 2-II]
Figure imgf000026_0001
화학식 2-ΙΠ]
Figure imgf000026_0002
상기 화학식 2-1 내지 2-ΙΠ에서
Y1내지 Y3는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고 Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8및 는 R43 내지 R54는각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 2-1로 표현되는 화합물은 치환기를 가진 두 개의 카바졸 기가 연결되어 있는 구조이다.
상기 화학식 2-1의 Ar1 및 Ar2는 정공 특성 또는 전자 특성을 가지는 치환기로 각각 독립적으로 예컨대 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된
바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된
플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2-1의 Ar1및 Ar2 중 적어도 하나는 전자 특성을 가지는 치환기일 수 있으며, 예컨대 하기 화학식 A로 표현되는 치환기일 수 있다.
[화학식 A]
Figure imgf000027_0001
상기 화학식 A에서,
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRb 이고,
A1 및 A2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
상기 Ζ, ΑΙ 및 A2 중 적어도 하나는 Ν을 포함하고
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1이다.
상기 화학식 A로 표현되는 치환기는 예컨대 하기 그룹 3에 나열된 작용기 중 하나 Ψ일. 수 있다.
[그룹 3]
Figure imgf000028_0001
일 예로, 상기 화학식 2-1의 Ar1및 Ar2 중 적어도 하나는 정공 특성을 가지는 치환기일 수 있으며， 예컨대 하기 그룹 4에 나열된 치환기일 수 있다.
[그 4]
Figure imgf000029_0001
상기 화학식 2-1로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 그룹 5에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 5]
Figure imgf000029_0002
B-13 B-14 B-lb
Figure imgf000030_0001
Figure imgf000031_0001
Figure imgf000032_0001
Figure imgf000033_0001
Figure imgf000034_0001
Figure imgf000035_0001
Figure imgf000036_0001
Figure imgf000037_0001
Figure imgf000038_0001
Figure imgf000039_0001
Figure imgf000040_0001
Figure imgf000041_0001
Figure imgf000042_0001
Figure imgf000043_0001
Figure imgf000044_0001
상기 화학식 2-Π 또는 2-ΠΙ 으로 표현되는 화합물은 치환 또는 비치환된 카바졸 기와 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기가 결합된 구조이다. 상기 화학식 2-II의 Ar1은 정공 또는 전자 특성을 가지는 치환기로, 예컨대 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기， 치환 또는 비치환된 피리딜기 , 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기 또는 이들의 조합일 수 있다. 상기 화학식 2-II로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 그룹 6에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
그룹 6]
Figure imgf000045_0001
C-20 C-21 C-22
Figure imgf000046_0001
C-32 C-33
상기 화학식 2-III로 표현되는 화합물은 예컨대 하기 그룹 7에 나열된 화합물에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 7]
Figure imgf000046_0002
D-10 D-11
Figure imgf000047_0001
상기 게 2 화합물은 정공 특성이 강한 카바졸 기 또는 바이카바졸기를 가진 화합물로서, 발광층과 전자수송층 사이에 위치하는 전자수송보조층에 적용됨으로써 발광층에서 생성된 정공 및 /또는 액시톤이 전자수송층으로 이동하는 것을
효과적으로 흡수 및 /또는 차단할 수 있다. 이에 따라 발광층과 전자수송층의 계면에 정공이 축적되는 것을 방지하는 동시에 발광층의 정공 및 /또는
액시톤으로부터 전자수송층을 효과적으로 보호할 수 있고, 이에 따라 유기 광전자 소자의 수명을 개선할 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 게 1 화합물은 전자 특성이 상대적으로 강한
화합물이고 상기 게 2 화합물은 정공 특성이 상대적으로 강한 화합물이다. 상기 거 1 1 화합물과 상기 게 2 화합물을 함께 전자수송보조층에 적용함으로써
전자수송층으로부터 주입된 전자를 발광층으로 효과적으로 전달하는 동시에 발광층을 통과한 정공 및 /또는 엑시톤이 전자수송층으로 이동하는 것을 효과적으로 흡수 및 /또는 차단함으로써 유기 광전자 소자의 수명을 개선할 수 있다.
상술한 제 1 화합물과 제 2 화합물은 다양한 조합에 의해 다양한 조성물을 준비할 수 있다. 상기 조성물은 1종 이상의 게 1 화합물과 1종 이상의 제 2 화합물올 포함할 수 있으며, 상술한 제 1 화합물과 제 2 화합물 외의 다른 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 제 1 화합물과 상기 제 2 화합물은 다양한 비율로 조합되어
전자수송보조층에 적용됨으로써 전자수송층으로부터 발광층으로 이동하는
전자수송능력올 조절할 수 있고 이를 발광층의 전자수송능력과 균형을 맞춤으로써 발광층의 계면에 전자가 축적되는 것을 방지할 수 있다. 또한 전자수송보조층은 애노드로부터 발광층으로 이동된 정공 및 /또는 발광층에서 생성된 엑시톤이 발광층의 액시톤의 에너지보다 더 낮은 에너지의 액시톤으로 변환시킴으로써 정공 및 /또는 액시톤이 발광층을 통과하여 전자수송층으로 이동하는 것을 효과적으로 차단할 수 있다. 이에 따라 유기 광전자 소자의 수명올 개선할 수 있다. 상기 거 U 화합물과 상기 제 2 화합물은 예컨대 1 :99 내지 99: 1의 중량비로 포함될 수 있다. 이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자에 대하여 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다. 여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 예시적으로 설명하지만， 이에 한정되지 않고 다른 유기 광전자 소자에도 동일하게 적용될 수 있다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역， 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때， 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 캐소드 (10)와 애노드 (20), 그리고 캐소드 (10)와 애노드 (20) 사이에 위치하는
유기층 (30)을 포함한다.
캐소드 ( 10)는 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며， 예컨대 금속， 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 캐소드 (20)는 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슴, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
애노드 (20)는 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 애노드 (10)는 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물 (ΠΌ),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 - 1 ,2- 디옥시)티오펜 )(p0lyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (30)은 정공수송영역 (34), 발광층 (32), 전자수송영역 (31 ) 및
전자수송보조층 (33)을 포함할 수 있다.
정공수송영역 (34)은 예컨대 정공주입층, 정공수송층， 전자저지충 및 버퍼층 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 전자수송영역은 예컨대 전자주입층, 전자수송층, 정공저지층 및 전자수송보조층 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 구현예에서 제공되는 조성물은 애노드 (10)와 캐소드 (20) 사이의 유기층 (30)에 적용될 수 있으며 그 중에서 전자수송보조층 (33)에 적용될 수 있다.
정공 수송 영역 (34)은, 예컨대 하기 그룹 8에 나열된 m-MTDATA, TDATA, 2- TNATA, NPB, β-ΝΡΒ, TPD, Spiro-TPD, Spiro-NPB, a-NPB, TAPC, HMTPD, TCTA(4,4',4"- 트리스 (N-카바졸일)트리페닐아민 (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)), Pani/DBSA (Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid:폴리아닐린 /도데실벤젠술폰산),
PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-sty^
에틸렌디옥시티오펜 )/폴리 (4-스티렌술포네이트)) , Pani/CSA (Polyaniline/Camphor sulfonicacid:폴리아닐린 /캠퍼술폰산), PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4- styrenesulfonate):폴리아닐린) /폴리 (4-스티렌술포네이트)) , 하기 화학식 2이로 표현되는 화합물 및 하기 화학식 202로 표현되는 화합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다:
그룹 8]
ATA
Figure imgf000050_0001
Figure imgf000051_0001
상기 화학식 2()1에서
Ar,o, 및 Ar102는 서로독립적으로 페닐렌기, 펜타레닐렌기, 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기， 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기, 플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기, 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기,
트리페닐레닐렌기， 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기, 나프타세닐렌기, 피세닐렌기 페릴레닐렌기 또는 펜타세닐렌기; 또는 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기: 니트로기， 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염， 인산기 또는 이의 염, C!- o알킬기， C2-C60알케닐기， C2- C60알키닐기, d- o알콕시기, C3-C10시클로알킬기, C3-C10시클로알케닐기, C2- C10헤테로시클로알킬기， c2-c10헤테로시클로알케닐기, c6-c60아릴기， c6-c60아릴옥시기, c6-c60아릴티오기, C2-C60헤테로아릴기 , 1가 비-방향족 축합다환 그룹 및 1가 비- 방향족 해테로축합다환 그룹 중 적어도 하나로 치환된 페닐렌기, 펜타레닐렌기， 인데닐렌기, 나프틸렌기, 아줄레닐렌기, 헵탈레닐렌기, 아세나프틸렌기,
플루오레닐렌기, 페나레닐렌기, 페난트레닐렌기， 안트라세닐렌기, 플루오란테닐렌기, 트리페닐레닐렌기, 파이레닐렌기, 크라이세닐레닐렌기， 나프타세닐렌기, 피세닐렌기, 페릴레닐렌기 또는 펜타세닐렌기; 일 수 있다.
상기 화학식 201 중, 상기 xa 및 xb는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수, 또는 0， 1 또는 2 일 수 있다ᅳ 예컨대 상기 xa는 1일 수 있고 xb는 0일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 및 202 중, 상기 R101 내지 R108, R111 내지 R119 및 R121 내지 R124는 서로 독립적으로,
수소, 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기, 히드라존기, 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10 알킬기 (예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 핵실기 둥) 또는 C1-C10 알콕시기 (예를 들면, 메록시기, 에특시기, 프로폭시기, 부특시기， 펜톡시기 등);
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기 , 니트로기 , 아미노기， 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염 및 인산기 또는 이의 염 중 하나 이상으로 치환된, C1-C10알킬기 또는 C1-C10알콕시기; 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 또는 파이레닐기; 또는 중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기， 니트로기 , 아미노기， 아미디노기 , 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산기 또는 이의 염, 술폰산기 또는 이의 염, 인산기 또는 이의 염, C1-C10알킬기 및 C1-C10알콕시기 중 하나 이상으로 치환된, 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 플루오레닐기 또는 파이레닐기; 일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 201 중, R109는,
페닐기, 나프틸기， 안트라세닐기 또는 피리디닐기; 또는
중수소, -F, -CI, -Br, -I, 히드록실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기, 아미디노기， 히드라진기, 히드라존기， 카르복실산기 또는 이의 염， 술폰산기 또는 이의 염， 인산기 또는 이의 염, C1-C20알킬기 및 C1-C20알콕시기 중 하나 이상으로 치환된 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기 또는 피리디닐기; 일 수 있다.
일 구현예에 따르면, 상기 화학식 201로 표시되는 화합물은 하기 화학식 201 A로 표시될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다:
[화학식 201A]
Figure imgf000053_0001
Figure imgf000054_0001
Figure imgf000055_0001
Figure imgf000055_0002
HT19 HT20
정공 수송 영역 (34)의 두께는 약 100 A 내지 약 10000 A, 예를 들면, 약 100 A 내지 약 1000A일 수 있다. 정공 수송 영역 (34)이 정공 주입층 및 정공 수송층을 모두 포함한다면, 정공 주입층의 두께는 약 100A 내지 약 10000A, 예를 들면, 약 100A 내지 약 1000A이고, 정공 수송층의 두께는 약 50A 내지 약 2000A, 예를 들면 약 100A 내지 약 1500A일 수 있다. 상기 정공 수송 영역， 정공 주입층 및 정공 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 정공 수송 특성을 얻을 수 있다.
정공 수송 영역 (34)은 상술한 물질 외에, 도전성 개선을 ^하여 전하 -생성 물질을 더 포함할 수 있다. 상기 전하 -생성 물질은 정공 수송 영역 (34) 내에 균일하게 또는 불균일하게 분산되어 있을 수 있다.
상기 전하 -생성 물질은 예를 들면 , ρ형 도편트일 수 있다. 상기 ρ형 도편트는 퀴논 유도체, 금속 산화물 및 시아노기 함유 화합물 중 하나일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 상기 ρ형 도편트의 비제한적인 예로는， 테트라사이아노퀴논다이메테인 (TCNQ) 및 2,3,5,6-테트라플루오로-테트라사이아노 -1,4- 벤조퀴논다이메테인 (F4-TCNQ) 등과 같은 퀴논 유도체; 텅스텐 산화물 및 몰리브덴 산화물 등과 같은 금속 산화물; 및 하기 화합물 HT-D1 등과 같은 시아노기ᅳ함유 화합물 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. [화합물 HT-D1] [F4-TCNQ]
Figure imgf000056_0001
정공 수송 영역 (34)은 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층은 발광층에서 방출되는 광의 파장에 따른 광학적 공진 거리를 보상하여 효율을 증가시키는 역할을 할 수 있다.
전자 수송 영역 (31)은 전자수송층을 포함하고 전자주입층 및 정공저지층에서 선택된 적어도 하나를 선택적으로 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 수송 영역 (31)은 전자수송층 /전자주입층, 정공저지층 /전자수송층 /전자주입층 또는
전자수송층 /전자주입층의 구조를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전자 수송 영역 (31)이 정공 저지층을 포함할 경우, 상기 정공 저지층은 예를 들면, 하기 BCP 및 Bphen 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000056_0002
BCP Bphen
상기 정공 저지층의 두께는 약 20A 내지 약 1000A, 예를 들면 약 30A 내지 약 300A일 수 있다. 상기 정공 저지층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 우수한 정공 저지 특성을 얻을 수 있다. 상기 전자 수송층은 BCP, Bphen 및 하기 Alq3, Balq, TAZ 및 NTAZ 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
Figure imgf000057_0001
Figure imgf000057_0002
NTAZ
또는, 상기 전자 수송층은 하기 화합물 ET1 및 ET2 증 적어도 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000057_0003
상기 전자 수송층의 두께는 약 100A 내지 약 1000A, 예를 들면 약 150A 내지 약 500A일 수 있다. 상기 전자 수송층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 수송 특성을 얻을 수 있다.
상기 전자 수송층은 상술한 바와 같은 물질 외에, 금속 -함유 물질을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 -함유 물질은 Li 착체를 포함할 수 있다. 상기 Li 착체는, 예를 들면, 하기 화합물 ET-D1 (리튬 퀴놀레이트, LiQ) 또는 ET-D2을 포함할 수 있다.
Figure imgf000058_0001
ET-D1 ET-D2
전자 수송 영역 (31)이 전자 주입층을 포함할 경우， 상기 전자 주입층은 LiF, NaCl, CsF, Li20 및 BaO 중에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전자 주입층의 두께는 약 1 A 내지 약 100 A, 약 3 A 내지 약 90 A일 수 있다. 상기 전자 주입층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 만족스러운 정도의 전자 주입 특성을 얻을 수 있다. 발광층 (32)은 호스트 (host)와 도편트 (dopant)를 포함한다.
발광층 (32)은 단일 호스트 또는 두 종류 이상의 호스트를 포함할 수 있고, 상기 호스트는 전자 및 정공특성이 둘 다 우수한 바이폴라 특성을 가지는 호스트 이거나 전자특성이 우수한 단일 호스트를 사용할 수 있고, 또는 전자 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 특성을 가지는 게 1 호스트 화합물과 정공 특성이 상대적으로 강한 바이폴라 특성을 가지는 제 2 호스트 화합물올 사용하여 두 가지 이상의 호스트를 동시에 사용하는 것을 포함할 수 있디-.
상기 제 1 호스트 화합물과 상기 제 2호스트 화합물의 중량비는 약 1 : 99 내지 99 : 1의 범위, 예를 들면 10 : 90 내지 90 : 10의 범위 내에서 선택될 수 있다. 상기 제 1 호스트 화합물과 상기 제 2 호스트 화합물의 중량비 범위가 상술한 바를 만족할 경우, 발광층으로의 정공 및 전자 주입 균형이 효과적으로 제어될 수 있다.
상기 도편트는 형광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 형광 도편트 또는 인광 방출 메커니즘에 따라 광을 방출하는 인광 도펀트를 포함할 수 있다.
일 예로, 도편트는 인광 도편트일 수 있고， 상기 인광 도펀트는 하기 화학식
81로 표시되는 유기금속 화합물을 포함할 수 있다: [화학식 8 1 ]
Figure imgf000059_0001
상기 화학식 81에서，
Μ은 이리듐 (Ir), 백금 (Pt), 오스뮴 (Os), 티탄 (Ti), 지르코늄 (Zr), 하프늄 (Hf), 유로퓸 (Eu), 테르븀 (Tb) 또는 를륨 (Tm)이고;
Y1 내지 Y4는 서로 독립적으로, 탄소 (C) 또는 질소 (N)이고;
Y1과 Y2는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고 , Y3와 Υ4는 단일 결합 또는 이중 결합을 통하여 연결되어 있고;
CY1 및 CY2는 서로 독립적으로, 벤젠, 나프탈렌， 플루오렌, 스파이로- 플루오렌, 인덴， 피를, 티오펜， 퓨란 (furan), 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 이소티아졸, 옥사졸, 이속사졸 (isooxazole), 피리딘, 피라진， 피리미딘, 피리다진， 퀴놀린, 이소퀴놀린, 벤조퀴놀린, 퀴녹살린， 퀴나졸린， 카바졸, 벤조이미다졸，
벤조퓨란 (benzofuran), 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 벤조옥사졸, 이소벤조옥사졸, 트리아졸, 테트라졸, 옥사디아졸, 트리아진, 디벤조퓨란 (dibenzofuran) 또는 디벤조티오펜이고， CY1과 CY2는 선택적으로 (optionally), 단일 결합 또는 유기 연결기 (organic linking group)를 통하여 서로 결합되고;
R81 및 R82는 서로 독립적으로, 수소， 중수소， -F, -CI, -Br, -1， 히드록실기, 시아노기， 니트로기, 아미노기, 아미디노기, 히드라진기， 히드라존기, 카르복실산 또는 이의 염, 술폰산 또는 이의 염, 인산 또는 이의 염, -SF5, 치환 또는 비치환된 C 1-C60알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C60알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2- C60알키닐기, 치환 또는 비치환된 C1-C60알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3- C 10시클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3-C10시클로알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2-C10헤테로시클로알케닐기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴옥시기， 치환 또는 비치환된 C6-C60아릴티오기, 치환 또는 비치환된 C2-C60헤테로아릴기， 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 축합다환 그룹, 치환 또는 비치환된 1가 비 -방향족 해테로축합다환 그룹, -N(Ql)(Q2), -Si(Q3)(Q4)(Q5) 또는 -B(Q6)(Q7) 이고;
a81 및 a82는 서로 독립적으로， 1 내지 5의 정수 중에서 선택되고;
n81은 0 내지 4의 정수 중에서 선택되고;
n82는 1, 2 또는 3이고;
L81은 1가 유기 리간드 , 2가 유기 리간드 또는 3가 유기 리간드이다.
상기 R81 및 R82에 대한 설명은 본 명세서 중 R41에 대한 설명을 참조한다. 상기 인광 도펀트는 하기 화합물 PD1 내지 PD78 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다:
Figure imgf000060_0001
Figure imgf000060_0002
Figure imgf000061_0001
Figure imgf000062_0001

Figure imgf000063_0001
Figure imgf000064_0001
또는, 상기 인광 도편트는 하기 PtOEP 또는 화합물 PhGD를 포함할 수 있다:
Figure imgf000065_0001
PtOEP
상기 형광 도편트는 하기 DPAVBi, BDAVBi, TBPe, DCM, DCJTB, Coumarin 6 C545T 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이로 한정되는 것은 아니다.
Figure imgf000065_0002
TBPe DCM DCJTB
Figure imgf000065_0003
Coumarin 6 C545T
발광층 (32)이 호스트 및 도편트를 포함할 경우, 도편트의 함량은 통상적으로 호스트 약 100 중량부를 기준으로 하여 약 0.01 내지 약 20 중량부의 범위에서 선택될 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
발광층 (32)의 두께는 약 100 A 내지 약 1000 A, 예를 들면 약 200 A 내지 약 600A일 수 있다. 상기 발광층의 두께가 전술한 바와 같은 범위를 만족할 경우, 실질적인 구동 전압 상승 없이 우수한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
발광층 (32)은 예컨대 청색 발광층, 적색 발광층 및 녹색 발광층을 포함할 수 있다. 전자수송보조층 (33)은 발광층 (32)과 전자 수송 영역 (31) 사이에 위치하고 예컨대 발광층 (32)과 전자 수송층 사이에 위치할 수 있다. 전자수송보조층 (33)은 발광층 (32)과 전자 수송층에 각각 접해있을 수 있다. 전자수송보조층 (33)은 전술한 조성물을 사용하여 형성될 수 있으며, 상기 조성물에 대한 설명은 생략한다.
전자수송보조층 (33)은 예컨대 청색 발광층과 전자 수송 영역 (31) 사이에 위치할 수 있으며, 청색 발광충과 인접하게 위치하여 청색 유기 발광 소자의 수명을 개선할 수 있다. 이에 따라 청색 유기 발광 소자의 수명 약점을 극복하고 장수명 풀 컬러 디스폴레이를 구현할 수 있다.
전자수송보조층 (33)은 전술한 조성물을 진공증착법 (ecaporation),
스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 형성할 수 있으며, 두 개 이상의 화합물을 동시에 성막하거나, 증착 은도가 같은 화합물을 섞어서 같이 성막할 수 있다.
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며， 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
또한， 실시예 및 합성예에서 사용된 출발물질 및 반웅물질은 특별한 언급이. 없는 한, Sigma-AWrich사, TCI 사, UMT사, Beijing pure chem 사 에서 구입하였다. 제 1 화합물의 합성
합성예 1: 화합물 A-15의 합성
화합물 A-15는 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
1) 중간체 1-2의 합성
Figure imgf000066_0001
1-2
질소 환경에서 2-브로모트리페닐렌 32.7 g (107 mmol)을 테트라하이드로퓨란 300ml에 녹인 후, 여기에 3-클로로페닐보론산 20g (128mmol)과
테트라키스 (트리페닐포스핀)팔라듐 1.23 g (1.07 mmol)을 넣고 교반시켰다. 물에 포화된 포타슘카보네이트 36.8 g (267 mmol)을 넣고 80°C에서 24시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반응 완료 후 반웅액에 물을 넣고 디클로로메탄으로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후， 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 중간체 1-2 22.6 g (63 %)을 얻었다. .
2) 중간체 1-3의 합성
Figure imgf000067_0001
질소 환경에서 상기 중간체 1-2 22.6g(66.7 mmol)을 디메틸포름아미드 (DMF) 300 ml에 녹인 후, 비스 (피나콜라토)디보론 25.4 g(100 mmol), (1,1 '- 비스 (디페닐포스핀)페로센)디클로로팔라듐 (II) 0.54g(0.67 mmol) 및 포타슘 아세테이트 16.4g(167 mmol)을 넣고 150°C에서 48시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 흔합물을 필터한 후, 진공오븐에서 건조하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 중간체 1-3 18.6 g(65 %)을 얻었다.
3) 화합물 A-15의 합성
Figure imgf000067_0002
질소 환경에서 상기 중간체 1-3 17.216 g (40.01 mmol) 과 2-클로로 -4,6-디페닐- 1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-l,3,5-triazine) 1 1.781 g (44.01 mmol)을 사용하여 중간체 1_2와 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-15 16g (75%)을 얻었다.
LC Mass (이론치： 535.64g/mol, 측정치： M+H+ = 536.62g/mol) 합성예 2: 화합물 A-33의 합성
화합물 A-33은 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
1) 중간체 1-6의 합성
Figure imgf000068_0001
질소 환경에서 상기 중간체 1-3 50 g (116 mmol)과 1-브로모 -3-아이오도벤젠 39.4 g (139 mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 1-6 42.6 g (80 %)을 얻었다.
2) 중간체 1-7의 합성
Figure imgf000068_0002
질소 환경에서 상기 중간체 1-6 40 g (87.1 mmol)과 비스 (피나콜라토)디보론 26.5 g (104 mmol)을 사용하여 중간체 1-3과 동일한 방법으로 합성하여 중간체 1-7 34 g (77 %)을 얻었다.
3) 화합물 A-33의 합성
Figure imgf000068_0003
질소 환경에서 상기 증간체 1-7 16.5 g (32.69 mmol)과 2-클로로 -4,6-디페닐 -1 트리아진 9.63 g (35.96 mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-33 16g(80%)을 얻었다ᅳ
LC Mass (이론치 : 61 1.73g/mol, 측정치: M+H+ = 612.71g/mol) 합성예 3: 화합물 A-69의 합성
화합물 A-69는 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
1) 중간체 1-4의 합성
Figure imgf000069_0001
질소 환경에서 상기 화합물 I-l(2-bromotriphenylene을 중간체 1-3의 합성법과 동일한 방법으로 합성하여 제조함 )100g(282 mmol)과 1-브로모 -2-아이오도벤젠 (1- bromo-2-iodobenzene)95.9g(339mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 1-495.1 g(88%)를 얻었다.
2) 중간체 1-5의 합성
Figure imgf000069_0002
질소 환경에서 상기 중간체 I-490g(235 mmol)과
비스 (피나콜라토)디보론 (bis(pinacolato)diboron) 71.6 g (282 mmol)을 사용하여 중간체 I- 3과 동일한 방법으로 합성하여 증간체 1-574.8 g(74 %)을 얻었다.
3 중간체 1-8 합성
Figure imgf000069_0003
1-5 1-8
질소 환경에서 상기 중간체 1-570g(163mmol)과 1-브로모 -2-아이오도밴젠 (1- bromo-2-iodobenzene)55.2g(195mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 1-868.1 g(91 %)을 얻었다.
4) 중간체 1-9 합성
Figure imgf000070_0001
1-8
질소 환경에서 상기 중간체 1-840g(87.1 mmol)과 '
비스(피나콜라토)디보론(^(!)^^01^0)^1?0«^) 26.5 § (104^^01)올 사용하여 중간체 I- 3과 동일한 방법으로 합성하여 증간체 1-930.4 g(69 %)을 얻었다.
5) 화합물 A-69의 합성
Figure imgf000070_0002
1-9 A-69
질소 환경에서 상기 중간체 1-917.7 g (35.03 mmol)과 2-클로로 -4,6-디페닐 -1,3,5- 트리아진(2- ^0-4，6-^^∞ 1-1,3,5 1½2½6) 10.3£ (38.511111101)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 화합물 A-6916.5 g(77%)를 얻었다.
LCMass (이론치 : 611.73g/mol, 측정치: M+H+ = 612.72g/mol) 제 2 화합물의 합성
합성예 4: 화합물 B-43의 합성
화합물 B-43은 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
Figure imgf000070_0003
4-바이페닐카바졸릴 브로마이드 1그 88g (44.9 mmol), 3-바이페닐카바졸릴 보론산 13g (49.4 mmol), 탄산칼륨 18.6g (134.61 mmol) 및 테트라키스- (트라이페닐포스핀)팔라듐 (0) 1.55 g (1.35 mmmol)을 를투엔 180 ml, 증류수 70 ml에 현탁 시킨 후 12 시간 동안 환류 교반하였다. 이어서 디클로로메탄과 증류수로 추출하고 유기층을 실리카겔 필터한다. 이어서 유기 용액을 제거하고 생성물 고체를 디클로로메탄과 n-핵산으로 재결정하여 화합물 B-43 21.3 g (수율 : 75 %)을 얻었다.
LC Mass (이론치： 636.78g/mol, 측정치： M+H+ - 637.77g/mol) 합성예 5: 화합물 B-10의 합성
화합물 B-10은 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
Figure imgf000071_0001
1) 중간체 J의 합성
질소 환경에서 상기 화합물 9-phenyl-3-(4,4,5,5-tetramethyl-l,3,2-dioxaborolan-2- yl)-9H-carbazole 38.7 g(104.9 mmol)과 3-bromo-9H-carbazole 28.4 g(l 15.41 mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 증간체 (J) 35.7 g(83%)을 얻었다.
2) 화합물 B- 10 의 합성
질소 환경에서 상기 중간체 (J) 15.5 g(38.1 mmol)을 를투엔 200 mL에 녹인 후, 여기에 2-bromo-4,6-diphenylpyridine 13 g(42 mmol)과 Sodium-t-butoxide 5.5 g(57.12 mmol) Tris(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) 1.74 g( 1.9 mmol) 및 Tri-tert-butylphosphine(50% in xylene) 3.695 g (그 62 mmol)을 넣고 120°C에서 12시간 동안 가열하여 환류 시켰다. 반웅 완료 후 반응액에 물을 넣고 dichloromethane(DCM)로 추출한 다음 무수 MgS04로 수분을 제거한 후, 필터하고 감압 농축하였다. 이렇게 얻어진 잔사를 플래시 컬럼 크로마토그래피로 분리 정제하여 상기 화합물 B-10 18.5 g(76%)올 얻었다.
LC Mass (이론치： 637.77g/mol, 측정치： M+H+ = 638.75g/mol) 합성예 6: 화합물 B-170의 합성
화합물 B-43은 하기와 같은 '방법으로 합성하였다.
Figure imgf000072_0001
질소 환경에서 4-bromo-l,r:4',r-terphenyl 15.26 g(49.36 mmol)과 중간체 (J) 18.3 g(44.87 mmol)을 사용하여 화합물 B-10과 동일한 방법으로 합성하여 화합물 B-170 21.3g(75%)을 얻었다.
LC Mass (이론치： 636.78g/mol, 측정치： M+H+ = 637.76g/mol) 합성예 7: 화합물 B-158의 합성
화합물 B-158은 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
Figure imgf000073_0001
1) 중간체 1의 합성
3 -bromo-N -phenyl carbazole 43.2g(134.2mmol)과 phenylboronic acid
18g(147.6mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 1 32g(75%)을 얻었다.
2) 중간체 2의 합성
중간체 l, 34.4g (l(n.6mmol i: 500 mL의 Dichloromethane에 녹인 다음 N- Bromosuccinimide 19.2g( 107.6 mmol)을 넣은 다음 상온에서 8시간 동안 교반시켜 중간체 2 35g(82%)를 얻었다.
3) 중간체 3의 합성
3-Bromocarbazole 17.65g(71.74 mmol)과 4-Iodobiphenyl 22g(78.91 mmol)을 사용하여 화합물 B-10과 동일한 방법으로 합성하여 중간체 3을 15g(53%) 얻었다.
4) 중간체 4의 합성
중간체 3 20.1g(50.5 mmol)과 Bis(pinacolato)diboron 19.2g(75.8 mmol)을 사용하여 중간체 1-3과 동일한 방법으로 합성하여 중간체 4를 20g(89%) 얻었다.
5) 화합물 B-158의 합성
중간체 2 13g(33.1 mmol)과 중간체 4 16.2g(36.4 mmol)을 사용하여 중간체 1-2과 동일한 방법으로 합성하여 화합물 B-158을 18g(84%) 얻었다.
LC Mass (이론치： 636.78g/mol, 측정치： M+H+ = 637.77g/mol) 합성예 8: 화합물 B-160의 합성
화합물 B-160은 하기와 같은 방법으로 합성하였다.
Figure imgf000074_0001
1) 증간체 5의 합성
중간체 3, 43.2g(108.4 mmol)과 Phenylboronic acid 14.5g(1 19 mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 5 33g(77%)을 얻었다.
2) 중간체 6의 합성
중간체 5 29.8g(75.28mmol)과 N-Bromosuccinimide 14g(75.28 mmol)을 사용하여 중간체 2와 동일한 방법으로 합성하여 중간체 6 29g(81 %)을 얻었다.
3) 화합물 B-160의 합성
N-Phenylcarbazoe-3-yl-boronic acid 9.7g(33.65 mmol)3]" 중간체 6 16g(33.65 mn l)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 화합물 B-160 17g(79%)를 얻었다.
LC Mass (이론치： 636.78g/mol, 측정치： M+H+ = 637.77g/mol) 합성예 9: 화합물 C-10의 합성
Figure imgf000075_0001
질소 환경에서 phenylcarbazolyl boronic acid 10 g(34.83 mmol)과 2- bromotriphenylene 11.77 g(38.31 mmol)을 사용하여 중간체 1-2와 동일한 방법으로 합성하여 화합물 C-10 14.4 g(88 %)을 얻었다.
LC Mass (이론치： 469.57g/mol, 측정치： M+H+ = 470.55g/mol) 유기 발광소자의 제작 - 1
실시예 1
ITO (Indium tin 6xide)7]- 1500A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을, 아세톤, 메탄올 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송 시킨 다음 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 화합물 A을 진공 증착하여 700A 두께의 정공 주입층을 형성하고 상기 주입층 상부에 화합물 B를 50A의 두께로 증착한 후, 화합물 C를 1020A의 두께로 .
증착하여 정공수송층을 형성하였다. 그 위에 청색형광 발광 호스트 및 도판트로 BH113 및 BD370 (구입처: SFC사)을 도판트 농도 5wt%로 도핑하여 진공 증착으로 200 A 두께의 발광층을 형성하였다. 이후 상기 발광층 상부에 화합물 A-15 및 화합물 B-10을 50:50(wt:wt)로 진공증착하여 50 A 두께의 전자수송보조층올
형성하였다. 상기 전자수송보조층 상부에 화합물 D와 Liq를 동시에 1:1 비율로 진공 증착하여 300A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq l5A과 ΑΠ200Α올 순차적으로 진공 증착 하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다. 상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며, 구체적으로 ITO/화합물 A(700A)/화합물 Β(50Α)/ 화합물 C(1020
A)/EML[BH113:BD370 = 95:5(wt:wt)](200A)/화합물 A-15:화합물 B-10 = 50:50(wt:wt) (50A)/화합물 D:Liq(300A)/Liq(15A)/Al(1200A)의 구조로 제작하였다. 화합물 A: N4,N4'-diphenyl-N4,N4'-bis(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)biphen^ diamine .
화합물 B: 1 ,4,5,8,9, 1 1 -hexaazatriphenylene-hexacarbonitrile (HAT-CN), 화합물 C:N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-N-(4-(9-phenyl-9H-carbazol-^ 9H-fluoren-2-amine
화합물 D: 8-(4-(4,6-di(naphthalen-2-yl)-l ,3,5-triazin-2-yl)phenyl)quinoline 실시예 2
화합물 A-15와 화합물 B-10을 70:30(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 3
화합물 A-15와 화합물 B-43을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 4
화합물 A-33과 화합물 B- 158을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다. .
실시예 5
화합물 A-33과 화합물 B-10을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 6
화합물 A-33과 화합물 B-10을 70:30(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 7
화합물 A-33과 화합물 B-43을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 8
화합물 A-33과 화합물 B-43을 70:30(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 9
화합물 A-33과 화합물 B-160을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 10
화합물 A-69과 화합물 B-43을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 11
화합물 A-69과 화합물 B-158을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 12
화합물 A-69과 화합물 B-158을 70:30(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 13
화합물 A-69과 화합물 B- 170을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
실시예 14
화합물 A-69과 화합물 C-10을 50:50(wt:wt)으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 1
전자수송보조층을 사용하지 않은 것을 체외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기발광 소자를 제조하였다. 평가 1
실시예 1 내지 14 및 비교예 1 에서 제조된 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs-I OOOA)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다. (3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(5) 수명 측정
제조된 유기발광소자에 대해 폴라로닉스 수명측정 시스템을 사용하여 실시예 1 내지 14 및 비교예 1의 소자를 초기휘도 (Cd/m2)를 750 cd/m2 로 발광시키고 시간경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 97%로 휘도가 감소된 시점을 T97 수명으로 측정하였다.
[표 1 ]
Figure imgf000078_0001
표 1올 참고하면, 실시예 1 내지 14에 따른 유기발광소자는 비교예 1에 따른 유기발광소자와 각각 비교하여 발광 효율 및 수명 특성이 동시에 개선된 것을 확인할 수 있다ᅳ 유기 발광소자의 제작 -2
실시예 15
ITO (Indium tin oxide) 7> 1500 A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 증류수 초음파로 세척하였다. 증류수 세척이 끝나면 이소프로필 알코을, 아세톤， 메탄을 등의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 이송시킨 다음 산소.플라즈마를 이용하여 상기 기판을 10분간 세정 한 후 진공 층착기로 기판을 이송하였다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극을 양극으로 사용하여 ΠΌ 기판 상부에 HT13을 진공 증착하여 1400 A두께의 정공 주입 및 수송층을 형성하였다. 그 위에 청색형광 발광 호스트 및 도판트로 9, 10-디 (2-나프틸)안트라센 (ADN)과 BD01을
5wt0/。로 도핑하여 진공증착으로 200 A 두께의 발광층을 형성하였다. ADN과 BD01의 구조는 하기에 나타내었다. 그 후 상기 발광층 상부에 합성예 2 및 합성예 4의 화합물을 l : l (wt/wt)로 진공증착하여 50 A 두께의 전자수송보조층을 형성하였다. 상기 전자수송보조층 상부에 트리스 (8-히드록시퀴놀린)알루미늄 (Alq3)을
진공증착하여 310 A 두께의 전자수송층을 형성하고 상기 전자수송층 상부에 Liq 15 A과 A1 1200 A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자는 5층의 유기 박막층을 가지는 구조로 되어 있으며， 구체적으로
ITO/HT 13 ( 1400 A )//EML[ ADN： BDO 1 = 95:5wt%](200 A)/화합물 B-43 :화합물 A-33 = 1 : 1 (50 조로 제작하였다.
Figure imgf000079_0001
ADM BD01
비교예 2 전자수송보조층을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 15와 동일한 방법으로 유기발광 소자를 제조하였다. 평가 2
실시예 15 및 비교예 2 에서 제조된 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율올 "평가 1"의 측정방법과 동일하게
측정하였다. 그 결과는 표 2와 같다.
[표 2]
Figure imgf000080_0001
표 2에 따르면, 실시예 15에 따른 유기발광소자는 비교예 2에 따른 유기발광소자와 비교하여 수명이 약 1.7배 증가하는 것을 확인할 수 있다.
이로부터 전자수송보조층에 의해 유기발광소자의 수명 특성이 개선될 수 있음을 확인할수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있올 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 【부호의 설명】
10: 캐소드 20: 애노드
30: 유기층 31 : 전자수송영역
32: 발광충 33: 전자수송보조층
34: 정공수송영역

Claims

【청구의 범위】 【청구항 11 하기 화학식 1로 표현되는 화합물과 하기 화학식 2로 표현되는 화합물을 I 포함하고 유기광전자소자의 전자수송보조층에 사용되는 조성물:
[화학식 1]
Figure imgf000081_0001
상기 화학식 1에서,
Z는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,
Z 증 적어도 하나는 N 이고,
X는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRb이고,
R1 내지 R4, Ra및 Rb는 각각 독립적으로 수소, 중수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고，
L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기， 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고，
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고，
nl+n2+n3>l 이고,
2]
Figure imgf000081_0002
상기 화학식 2에서,
Y1은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고,
Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지
C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고，
R5 내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지
C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내
C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고,
R5 내지 R8 및 Ar1 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기 또 치환 또는 비치환된 카바졸기를 포함한다.
【청구항 2】
게 1항에서,
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-II로 되는 조성물:
[화학식 1-1] [화 1-II]
Figure imgf000082_0001
상기 화학식 1-1 또는 1-Π에서,
Ζ는 각각 독립적으로 Ν, C 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고,
X는 각각 독립적으로 N 또는 CRb이고,
R1 내지 R4, Ra및 Rb는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고,
L1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 치환 또는 비치환된 터페닐렌기이고,
nl 내지 n3는 각각 독립적으로 0 또는 1이고,
nl+n2+n3≥l 이다.
【청구항 3 ] 제 1항에서,
상기 화학식 1의 L1은 꺾임 (kink) 구조의 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기 또는 꺾임 구조의 치환 또는 비치환된 터페닐렌기인 조성물.
【청구항 4】
제 3항에서,
상기 화학식 1의 L1은 하기 그룹 1에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나인 조성물:
그룹 1]
Figure imgf000083_0001
상기 그룹 1에서,
R17 내지 R44는 각각 독립적으로 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 해테로사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기, 할로겐 함유기， 시아노기, 히드록실기, 아미노기， 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 5】
제 1항에서，
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 적어도 두 개의 꺾임 구조를 가지는 조성물.
【청구항 6】
제 1항에서,
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 화학식 l a 내지 It로 표현되는 화합물 중 하나인 조성물.
[화학식 la] [화학식 lb]
Figure imgf000084_0001
Figure imgf000084_0002
Figure imgf000085_0001
Figure imgf000085_0002
Figure imgf000085_0003
[화학식 lk] [화학식
Figure imgf000086_0001
[화학식
Figure imgf000086_0002
[화학식 lq] [화학식
Figure imgf000087_0001
상기 화학식 la 내지 It에서,
Z는 각각 독립적으로 N, C 또는 CRa이고,
Z 중 적어도 하나는 N 이고,
X는각각 독립적으로 N, C 또는 CRb이고
R1 내지 R4, Ra및 Rb는 각각 득립적으로 수소, 증수소， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴기 또는 이들의 조합이고,
R45 내지 R62 은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴기， 치환 또는 비치환된 아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30
헤테로아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 7】 제 1항에서,
상기 화학식 1의 X 중 질소 (N)의 개수는 0 내지 2개인 조성물.
【청구항 8]
제 1항에서,
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 하기 그룹 2에 나열된 화합물 중 하나인 조성물.
[그룹 2]
A-3 A-4
A-9 A-11! 12
A-13 A-15 A-16
Figure imgf000088_0001
Figure imgf000089_0001
Figure imgf000090_0001
Figure imgf000091_0001
Figure imgf000092_0001
Figure imgf000093_0001
Figure imgf000094_0001
Figure imgf000095_0001
Figure imgf000096_0001
Figure imgf000097_0001
Figure imgf000098_0001
Figure imgf000099_0001
Figure imgf000100_0001
A-247 A-248 A-249
Figure imgf000101_0001
【청구항 9】
게 1항에서，
상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 하기 화학식 2-1 내지 화학식 2-III 중 적어도 하나로 표현되는 조성물:
2-1] [화학식 2-Π]
Figure imgf000101_0002
상기 화학식 2-1 내지 2-ΠΙ에서,
Y1내지 Y3는 각각 독립적으로 단일 결합， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기 또는 이들의 조합이고，
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이고， R5 내지 R8및 는 R43 내지 R54는각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C50 아릴기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C50 헤테로아릴기 또는 이들의 조합이다.
【청구항 10】
게 9항에서,
상기 화학식 2-1의 Ar1및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 또는 이들의 조합인 조성물.
【청구항 11】
게 9항에서,
상기 화학식 2-1의 Ar1및 Ar2중 적어도 하나는 하기 [그룹 3] 또는 [그룹 4]에 나열된 것 중 하나인 조성물:
[그룹 3]
Figure imgf000103_0001
[그룹 4]
Figure imgf000103_0002
【청구항 12】 제 9항에서， 상기 화학식 2-II로 표현되는 화합물은 하기 그룹 6에 나열된 화합물에서 선택되는 조성물:
[그룹 6]
Figure imgf000104_0001
Figure imgf000105_0001
C-33
【청구항 13】
게 9항에서,
상기 화학식 2-ΙΠ로 표현되는 화합물은 하기 그룹 7에 나열된 화합물에서 선택되는 조성물:
[그룹 7]
Figure imgf000105_0002
D-12 D-13 D-14
Figure imgf000106_0001
【청구항 14】
게 1항에서，
상기 화학식 ！로 표현되는 화합물과 상기 화학식 2로 표현되는 화합물은 1:99¬지 99:1의 중량비로 포함되어 있는 조성물.
【청구항 15]
서로 마주하는 애노드와 캐소드,
상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 위치하는 발광층,
상기 캐소드와 발광층 사이에 위치하는 전자 수송층, 그리고
상기 전자 수송층과 상기 발광층 사이에 위치하는 전자수송보조층 을 포함하고,
상기 전자수송보조층은 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 16】
제 15항에서,
상기 전자수송보조층은 상기 전자 수송층과 상기 발광층에 각각 접해있는 유기 광전자 소자.
【청구항 17]
제 16항에서,
상기 발광층은 청색 도판트를 포함하고,
상기 전자수송보조층은 상기 발광층에 접해있는
유기 광전자 소자.
【청구항 18]
제 15항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017056053A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056052A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
JP2017128561A (ja) * 2015-09-10 2017-07-27 東ソー株式会社 環状アジン化合物、その製造方法、製造中間体、及び用途
CN107337650A (zh) * 2016-05-02 2017-11-10 三星Sdi株式会社 有机光电子装置用化合物及有机光电子装置和显示装置
CN108349913A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 株式会社Lg化学 化合物和包含其的有机发光器件
USRE47654E1 (en) 2010-01-15 2019-10-22 Idemitsu Koasn Co., Ltd. Organic electroluminescence device
US10580994B2 (en) 2015-09-16 2020-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
US11557733B2 (en) * 2018-03-12 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
US11566033B2 (en) 2017-12-20 2023-01-31 Novaled Gmbh Compound and an organic semiconducting layer comprising the same

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041729A (ko) * 2009-10-16 2011-04-22 에스에프씨 주식회사 축합방향족 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20110122051A (ko) * 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20110130904A (ko) * 2010-05-28 2011-12-06 주식회사 두산 바이폴라 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN102532105A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 清华大学 一种含有吡啶基团的三亚苯类化合物及其应用
WO2014185598A1 (ko) * 2013-05-16 2014-11-20 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2014185595A1 (ko) * 2013-05-16 2014-11-20 제일모직 주식회사 유기 광전자 소자용 발광 재료, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20150028579A (ko) * 2013-09-06 2015-03-16 제일모직주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041729A (ko) * 2009-10-16 2011-04-22 에스에프씨 주식회사 축합방향족 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
KR20110122051A (ko) * 2010-05-03 2011-11-09 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20110130904A (ko) * 2010-05-28 2011-12-06 주식회사 두산 바이폴라 트리페닐렌계 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN102532105A (zh) * 2010-12-17 2012-07-04 清华大学 一种含有吡啶基团的三亚苯类化合物及其应用
WO2014185598A1 (ko) * 2013-05-16 2014-11-20 제일모직 주식회사 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2014185595A1 (ko) * 2013-05-16 2014-11-20 제일모직 주식회사 유기 광전자 소자용 발광 재료, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20150028579A (ko) * 2013-09-06 2015-03-16 제일모직주식회사 유기광전자소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USRE47654E1 (en) 2010-01-15 2019-10-22 Idemitsu Koasn Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP2017128561A (ja) * 2015-09-10 2017-07-27 東ソー株式会社 環状アジン化合物、その製造方法、製造中間体、及び用途
US10580994B2 (en) 2015-09-16 2020-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Compound and organic light-emitting device including the same
WO2017056053A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
WO2017056052A1 (en) 2015-10-01 2017-04-06 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes
CN108349914A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 株式会社Lg化学 有机发光器件
TWI714655B (zh) * 2015-10-27 2021-01-01 南韓商Ｌｇ化學股份有限公司 1,3,5-三嗪化合物及含有其的有機發光元件
EP3351537A4 (en) * 2015-10-27 2018-10-24 LG Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting device comprising same
JP2018538238A (ja) * 2015-10-27 2018-12-27 エルジー・ケム・リミテッド 化合物およびこれを含む有機発光素子
US10367149B2 (en) 2015-10-27 2019-07-30 Lg Chem, Ltd. Organic light-emitting device
CN108349913A (zh) * 2015-10-27 2018-07-31 株式会社Lg化学 化合物和包含其的有机发光器件
US12075695B2 (en) 2015-10-27 2024-08-27 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting device comprising same
EP3351536A4 (en) * 2015-10-27 2018-10-24 LG Chem, Ltd. Organic light-emitting device
CN108349914B (zh) * 2015-10-27 2021-06-29 株式会社Lg化学 有机发光器件
CN108349913B (zh) * 2015-10-27 2021-06-29 株式会社Lg化学 化合物和包含其的有机发光器件
CN108349914B9 (zh) * 2015-10-27 2021-09-03 株式会社Lg化学 有机发光器件
US11737357B2 (en) 2015-10-27 2023-08-22 Lg Chem, Ltd. Compound and organic light-emitting device comprising same
CN107337650A (zh) * 2016-05-02 2017-11-10 三星Sdi株式会社 有机光电子装置用化合物及有机光电子装置和显示装置
US11566033B2 (en) 2017-12-20 2023-01-31 Novaled Gmbh Compound and an organic semiconducting layer comprising the same
US11557733B2 (en) * 2018-03-12 2023-01-17 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices

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