TWI542564B - 有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法 - Google Patents

有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法 Download PDF

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Description

有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法
本發明主要相關有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其方法。特別的是，本發明有關半導體氧化物奈米管-飛灰和半導體氧化物奈米管-金屬氧化物複合粒子，及使用這些複合粒子去除染料的製備方法。更特別的是，本發明有關一種用於回收在染料去除應用的這些複合粒子的方法。
有機合成染料廣泛使用於諸如紡織、皮革鞣制、紙類生產、食品技術、農業研究、捕光陣列、光電化學電池組和染髮劑等各行業。由於其規模化生產、廣泛使用和其後排放的有色廢水，有毒和非生物降解的有機合成染料造成相當大的環境污染和健康風險因素。此外，它們也會影響在水體中的陽光穿透和氧溶解度，接著又會影響水下的光合作用活動和生命的永續性。此外，由於它們濃的顏色，即使在低濃度下，有機合成染料在廢水處理中產生嚴重的外觀議題。另一方面，有毒的可溶性重金屬離子由於其通過食物鏈累積在活組織中，造成嚴重的健康問題，導致對於生態系統的嚴重問題。因此，自水溶液和工業排放水中去除高度溶解的有機合成染料和重金屬離子極為重要。可參考 V.K.Gupta,Suhas，「用於去除染料之低成本吸附劑的應用-回顧」，環境管理期刊，2009年，90期，2313-2342頁，其中概述過去使用不同吸附劑如桔皮、稻殼、椰子殼、碳黑、沸石、碳奈米管和飛灰進行的調查。通常，飛灰(固體且中空，也已知如煤胞)其係熱電廠的廢棄副產物，包含不同金屬氧化物諸如二氧化矽(SiO2，50-85wt.%)、氧化鋁(Al2O3，5-20wt.%)、氧化鐵(Fe2O3，5-15wt.%)和極少量的其他元素，如鈣、鈦、鎂、和有毒重金屬如砷、鉛和鈷氧化物的混合物對環境有害，構成全世界主要的處理和回收的問題。可參考H.Liu，「生產耐用的非陶化飛灰磚及砌塊的方法」，美國專利第7,998,268號；B.R.Reddy,K.M.Ravi，「制定一種水泥組成物的方法」，美國專利第7,913,757號；R.L.Hill,C.R.Jolicoeur,R.Carmel,M.Page,I.Spiratos,T.C.To，「飛灰水泥的犧牲劑」，美國專利第7,901,505號，其中飛灰傳統上使用於掩埋，製造建築材料諸如水泥混凝土及磚塊。可參考K.Vasanth Kumar,V.Ramamurthi,S.Srinivasan，「模型化涉及亞甲基藍吸附至飛灰期間的機制」，膠體與介面科學期刊，2005年，284期，14-21頁；M.Matheswaran,T.Karunanithi，「在批次處理過程中藉由使用飛灰吸附橘紅R(Chrysiodine R)」，有害材料期刊，2007年，145期，154-161頁；D.Mohan,K.P.Singh,G.Singh,K.Kumar，「使用飛灰低成本吸附劑自廢水中去除染料」，工業及工程化學研究期刊，2002年，41期，3688-3695頁；S.Kara,C.Aydiner,E.Demirbas,M.Kobya,N.Dizge，「模型化吸附劑劑量和顆粒大小對藉由飛灰吸附反應性紡織染料的影響」，脫鹽作用，2007年，212期，282-293頁，其中飛灰的新工業應用諸如作為聚合物中導電/非導電填料、用於團集反應性礦尾的黏結劑、製造沸石和微濾膜和自水溶液中吸附油類已被證明。飛灰也被用作自水溶液中吸附不同有機合成染料，包括雷紅(remazol)RB 133、 雷藍、活性黃HED、鹼性菊橙R、結晶紫、羅丹明B、C.I.活性黑、2-甲基吡啶和酸性紅(AR1)。可參考M.Visa,C.Bogatu,A.Duta，「使用飛灰從多組分溶液同時吸附染料和重金屬」，應用表面科學，2010年，256期，5486-5491頁；S.Wang,M.Soudi,L.Li,Z.H.Zhu，「煤灰轉化為有效的吸附劑用於自廢水中去除金屬和染料」，有害材料期刊，2006年，B133期，243-252頁；K.Ojha,N.C.Pradhan,A.N.Samanta，「來自飛灰的沸石：合成與特徵」，材料科學佈告欄，2004年，27期，555-563頁，其中飛灰被用來吸附重金屬陽離子諸如來自水溶液的Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、Ti4+，以及其他類似物。使用飛灰於這些應用的主要優點是它可以通過重力沉降自處理過的水溶液分離。然而，先前技術-1的主要缺點如下所示。
(1)飛灰具有很低比表面積，及結果是展示對合成有機染料和重金屬陽離子在其表面上的吸附能力很低。
(2)未知有新穎的技術用來增加飛灰的比表面積，而不影響其典型的球面形態，及增加其吸附合成有機染料和重金屬離子的能力。
(3)合成有機染料和重金屬離子吸附在飛灰表面上會生成大量的污泥，其會進一步製造目前無法令人滿意解決之處理、處置和回收的問題。
(4)目前缺乏基於創新的飛灰表面改質的潛在應用的新穎附加價值產品，通常從水溶液去除有機合成染料。
(5)目前缺乏回收飛灰作為觸媒在染料去除的應用的新穎方法，從其表面通過分解先前吸附的染料。
因此，發展創新的方法以提高飛灰的比表面積，提高其對合成有機染料和重金屬離子的吸附能力至關重要。創新的方法也需要發展，以分解從 飛灰表面先前吸附的染料，回收為染料吸附的下一個循環作為催化劑。可參考S.Shukla,S.Seal,J.Akesson,R.Oder,R.Carter,K.Scammon，「飛灰煤胞粒子的無電鍍銅塗層機制之研究」應用表面科學，2001年，181期，35-50頁；S.Shukla,S.Seal,Z.Rahaman,K.Scammon，「使用硝酸銀致發劑的無電鍍銅塗層」，材料通訊，2002年，57期，151-156頁；S.Shukla,K.G.K.Warrier,K.V.Baiju,T.Shijitha，「飛灰之新穎表面改質及其在工業上的應用」，美國專利申請第13/612363號(2012年9月12日提申)，PCT申請第PCT/IN2010/000735號(2010年11月11日提申)，其中對於具有表面吸附重金屬陽離子的飛灰粒子而言，Sn2+陽離子吸附在飛灰粒子表面，已被報導有用於使用Sn-Pd觸媒系統的飛灰粒子之無電鍍金屬(Cu/Ag)塗層作為增敏劑。然而，先前技術-2的主要缺點如下所示。
(6)具有表面吸附的Sn2+陽離子之飛灰顆粒未發現有其他新穎潛在的工業應用。
(7)不同於Sn2+之具有表面吸附的金屬陽離子飛灰顆粒並不適用於無電鍍金屬塗層上的應用。
(8)不同於Sn2+之具有表面吸附的金屬陽離子飛灰顆粒尚未被使用於其他潛在的應用。
因此，新的潛在工業應用需要被發明用於改善處理、處置和回收具有表面吸附的金屬陽離子飛灰的議題。可參考T.Kasuga,H.Masayoshi，「結晶二氧化鈦及其製造方法」，美國專利第6,027,775號；T.Kasuga,H.Masayoshi，「具有奈米管結晶型之結晶二氧化鈦及其製造方法」，美國專利第6,537,517號；N.Harsha,K.R.Ranya,S.Shukla,S.Biju,M.L.P.Reddy,K.G.K.Warrier，「銀和鈀在銳鈦礦-二氧化鈦奈米管之染料去除特徵的影響」，奈米科學及奈米技術 期刊，2011年，11期，2440-2449頁；N.Harsha,K.R.Ranya,K.B.Babitha,S.Shukla,S.Biju,M.L.P.Reddy,K.G.K.Warrier，「水熱處理氫鈦酸鹽/銳鈦礦型二氧化鈦奈米管及其作為強染料吸附劑的應用」，奈米科學及奈米技術期刊，2011年，11期，1175-1187頁；P.Hareesh,K.B.Babitha,S.Shukla，「處理飛灰穩定的氫鈦酸鹽奈米片用於工業染料去除應用」有害材料期刊，2012年，229-230期，177-182頁，其中，通過表面吸附方法自水溶液去除重金屬離子和有機合成染料，涉及離子交換及靜電吸引的機制，在黑暗條件下操作，使用水熱處理的半導體氧化物諸如氫鈦酸鹽(H2Ti3O7，HTN)及銳鈦礦型二氧化鈦(TiO2，ATN)的奈米管已被展示。HTN和ATN具有非常高的比表面積，通常大約是接受飛灰粒子者的100-200倍。因此，HTN和ATN用於吸附有機合成染料和重金屬離子的吸附能力係極大的。然而，先前技術-3的主要缺點如下所示。
(9)HTN和ATN無法通過重力沉降快速地自經處理的水溶液分離。
(10)HTN和ATN為非磁性的；因此，他們不能使用外部磁場自經處理的水溶液分離。
基於先前技術1-3及其限制，顯示對於新穎複合材料的發展有一需求，新穎複合材料可表現出較高表面吸附有機合成染料和重金屬離子的能力，可以通過重力沉降快速或使用外部磁場自經處理的水溶液分離。飛灰粒子有較低的染料吸附能力，但可以從經處理過的水溶液通過重力沉降分離。另一方面，半導體氧化物的奈米管具有較高的染料吸附能力，但無法從經處理過的水溶液通過重力沉降分離。因此，此建議由半導體氧化物諸如水熱處理的HTN及ATN的奈米管沉積在飛灰粒子表面組成的微奈米複合材料能達成目的。可參考S. Shukla,K.G.K.Warrier,M.R.Varma,M.T.Lajina,N.Harsha,C.P.Reshmi，「磁性染料吸附劑觸媒」，美國專利申請第13/521641號(2012年7月11日提申)，PCT申請第PCT/IN2010/000198號(2010年3月29日提申)；L.Thazhe,A.Shereef,S.Shukla,R.Pattelath,M.R.Varma,K.G.Suresh,K.Patil,K.G.K.Warrier，「磁性染料吸附劑觸媒：處理、特徵及應用」美國陶瓷協會期刊，2010年，93期(11卷)，3642-3650頁，其中磁性染料吸附劑觸媒，由具有磁性陶瓷顆粒的核心及半導體氧化物的奈米管的外殼的「核-殼」奈米複合粒子所組成，已通過磁光觸媒(通過史托博(Stober)法和溶膠-凝膠法處理)的水熱處理，接著是典型的洗滌循環，使用外部磁場以促進HTN和ATN的快速沉降。可參考C.C.Sheng,L.T.Gui,C.X.Hua,L.L.Wu,L.Q.Cheng,X.Qing,N.Z.Wu，「多壁碳奈米管/α-三氧化二鐵複合物的製備及磁性」中國非鐵金屬協會的交易，2009年，19期，1567-1571頁；E.Santala,M.Kemell,M.Leskelä,M.Ritala，「藉由電旋轉及原子層沉積之可再使用的磁性及光觸媒複合奈米纖維的製備」奈米科技，2009年，20期，035602頁；S.K Mohapatra,S.Banerjee,M.Misra，「藉由填入具有Fe的TiO2奈米管之Fe2O3/TiO2奈米棒-奈米管陣列的合成」奈米科技，2008年，19期，315601頁；Fei Liu,Yinji Jin,Hanbin Liao,Li Cai,Meiping Tong,Yanglong Hou，「用於自水系統有效去除Pb2+之鈦酸鹽/Fe3O4奈米複合物之易使用的自組合合成」物理化學A期刊，DOI：10.1039/c2ta00099g，其中具有不同於「核-殼」形態的型態的磁性奈米複合材料，由沉積在TiO2奈米管表面的磁性奈米陶瓷顆粒組成，也已通過不同的技術包括沉澱-煆燒、電旋轉-原子層沉積、脈衝電沉積法和自組合製程處理。然而，先前技術-4的主要缺點如下所示。
(11)由於作為飛灰粒子主要成分的二氧化矽於涉及水熱處理之 高度鹼性水溶液中為可溶，溶膠-凝膠方法及水熱法的結合無法應用至飛灰粒子。
(12)用於沉積半導體氧化物的奈米管於飛灰表面之新穎技巧係未知。
(13)其他包含沉澱-煆燒、電旋轉-原子層沉積及脈衝電沉積法的技巧係不適用於沉積半導體氧化物的奈米管於飛灰表面。
(14)自組合製程產生均勻分散在半導體氧化物的奈米管表面上的具有磁性奈米粒子之磁性奈米複合物，其會降低奈米管表面上需要用於自水溶液吸附染料分子及金屬陽離子的潛在位址。此外，自組合法也需要用於獲得該型態之酸的使用。
(15)用於貼附或錨定HTN或ATN至磁性奈米粒子表面之新穎技巧，通常在其短邊緣(管開口)目前不可行。結果，該產物無法使用任何既存的製程合成。
因而，對於發展用於沉積半導體氧化物的奈米管於飛灰表面上的新穎方法有一急迫需求。由於飛灰粒子為非磁性，其無法使用外部磁場自經處理的水溶液分離。因此，展示沉積半導體氧化物的奈米管於磁性金屬氧化物奈米粒子(代替飛灰)表面，使用使用在飛灰粒子情況下之相同創新機制，藉由貼附或錨定它們至磁性粒子表面也是必要的。因此，通過一新穎方法，由沉積在非磁性飛灰表面和錨定至(或貼附至)磁性金屬氧化物奈米粒子表面的半導體氧化物的奈米管所組成的新穎複合材料，將提供有效處理含有有害的有機合成染料及重金屬陽離子的水溶液之新方法。也提供用於分離及回收飛灰的新方法，不具或具有表面吸附的金屬陽離子，作為用於去除染料應用之附加價值的產物。如上述，飛灰(不具或具有表面吸附的金屬陽離子)、HTN、ATN及磁性複合物 能使用作為染料吸附劑。為了回收這些染料吸附劑，作為用於染料吸附之下一循環的觸媒，必須自其表面去除先前吸附的染料。可參考Z.Geng,Y.Lin,X.Yu,Q.Shen,L.Ma,Z.Li,N.Pan,X..Wang，「高度有效的染料吸附及去除：還原石墨烯氧化物-Fe3O4奈米粒子作為一種容易再生的吸附劑之功能性混成」材料化學期刊，2012年，22期，3527-3535頁；M.Visa,L.Andronic,D.Lucaci,A.Duta，「飛灰基基板上的同時發生之染料吸附及光降解」吸附，2011年，17期，101-108頁；J.-T.Li,B.Bai,Y.-L.Song，「藉由結合飛灰/H2O2和超聲輻射降解水溶液中的酸性桔3」印度化學技術期刊，2010年，17期，198-203頁，其中在溫和條件(於400℃持續1小時)下退火，用於自還原石墨烯氧化物-Fe3O4複合物表面去除先前吸附的羅丹明B染料已被報導。飛灰及二氧化鈦粉末之機械混合物已被用於在飛灰表面上的有機合成染料曝露在紫外光(UV)輻射下的分解。通過同時的染料吸附在飛灰的表面及使用結合H2O2和超聲輻射(芬頓(Fenton)類反應)之染料降解之飛灰回收已被報導。可參考S.Shukla,K.G.K.Warrier,K.B.Babitha，「通過黑暗催化使用半導體氧化物奈米管分解有機合成染料的方法」PCT申請第PCT/IN2013/000319(2013年5月17日提申)印度專利申請2555DEL2012(2012年8月17日提申)其中水熱處理的HTN或ATN及過氧化氫之結合已用來降解水溶液中先前吸附的有機合成染料，通常在黑暗條件下，無需使用外部輻射及外部電源。於此情況，透過羥基自由基(OH-)及超氧化物離子(O2 -)的產生及攻擊可達成染料分解，羥基自由基(OH-)及超氧化物離子(O2 -)係由HTN及ATN於過氧化氫存在下產生的。可參考M.S.Yalfani,S.Contreras,F.Medina,J.Sueiras，「使用異質的Pd/α-Al2O3觸媒直接從甲酸和O2生成過氧化氫」化學通訊，2008年，第3885-3887頁，其中Pd沉積的氧化鋁基板已使用甲酸(HCOOH)和溶氧(O2)用來現址產生過 氧化氫，可通過芬頓/芬頓類似的反應，使用於水溶液中有機合成染料之分解。然而，先前技術-5的主要缺點如下所示。
(16)用於從上述各種不同的吸附劑的表面去除先前吸附的染料，用於回收它們作為觸媒的創新技巧係未知的。
(17)甚至於溫和條件下進行的退火處理能破壞奈米管型態及相結構；
(18)染料分解後，飛灰及二氧化鈦無法從它們的機械混合物分離，由於兩者皆為非磁性的；因而，飛灰從飛灰及二氧化鈦粉末的機械混合物的回收係不可能的，分離地再使用前者，用於在黑暗條件下進行的染料吸附製程。
(19)使用由具有磁性陶瓷粒子之核心、二氧化矽(SiO2)或有機聚合物的中間絕緣層，及半導體氧化物光觸媒諸如銳鈦礦-二氧化鈦的奈米結晶粒子的外殼之「核-殼」奈米複合物粒子所組成的磁性光觸媒，從未被報導用於染料吸附劑之回收，通常飛灰不具或具有表面改質。
(20)吸附劑諸如HTN和ATN不能通過機械混合和涉及TiO2光觸媒的使用之紫外光曝露法作回收，因為奈米結晶TiO2顆粒具有通過離子交換機制(已在此處說明)貼附至HTN和ATN的傾向，其會降低可用於給定的染料吸附劑的染料吸附的潛在位址之總數。對於染料吸附循環次數增加，後面的議題變得嚴重。
(21)使用H2O2(芬頓類似的反應)和超聲輻照的結合，回收飛灰粒子是一昂貴的製程。
(22)無需使用外部電源，於染料去除應用中回收飛灰的有效方 法並不知道。
因而，有必要開發更簡單、更容易、具成本效益、高效和創新的製程，從染料-吸附劑的表面去除或分解先前吸附的染料，通常飛灰具有和不具表面改質，使其可能在染料去除之應用中回收。
本發明之主要目的係提供一種有用於染料去除的半導體氧化物奈米管基複合粒子及其製法。
本發明之另一目的係提供一種半導體氧化物奈米管基複合粒子，通常關於有關通過表面吸附方法自水溶液去除有機合成染料的潛在應用，在黑暗條件下操作，涉及離子交換及靜電吸引機制。
本發明之又一目的係提供一種製備半導體氧化物奈米管-飛灰及半導體氧化物奈米管-金屬氧化物複合粒子。
本發明之又一目的係提供一種創新產品，及用於回收具有表面吸附金屬陽離子之飛灰作為附加價值的廢副產品的方法。
本發明之又一目的係提供一種涉及在水溶液中，在黑暗條件下操作的飛灰粒子表面致敏(藉由吸附陽離子(Mn+)或質子(H+))及離子交換機制的方法，用於處理新穎半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子。
本發明之又一目的係提供最適化參數，通過涉及在水溶液中，在黑暗條件下操作的飛灰粒子之表面致敏及離子交換機制的方法，用於處理半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子。
本發明之又一目的係提供一種摻雜半導體氧化物奈米管，以增加半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子之染料吸附能力，用於染料去除應用。
本發明之又一目的係提供一種製備不涉及表面致敏步驟之半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子的方法。
本發明之又一目的係提供一種用於分解先前吸附在所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)之表面的染料的方法，藉由使用磁性光觸媒及曝露至UV或太陽輻射之結合，以回收所得的飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子作為觸媒，用於在黑暗條件下進行染料吸附之重複循環。
本發明之又一目的係提供一種用於分解先前吸附在半導體氧化物奈米管-金屬氧化物磁性奈米複合粒子之表面的染料的方法，藉由使用貴金屬沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒(非磁性的)及曝露至UV或太陽輻射之結合，以回收磁性奈米複合粒子所得的飛灰粒子作為觸媒，用於在黑暗條件下進行染料吸附之重複循環。
本發明之又一目的係提供一種本質上為磁性的半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子。
本發明之又一目的係提供一種製備本質上為磁性的半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子的方法。
本發明之又一目的係提供一種本質上為磁性的半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子，用於染料去除應用。
於是，本發明提供一種複合粒子，其包含：(i)0.3-100μm直徑範圍的金屬陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子；及 (ii)沉積在金屬陽離子或質子致敏的飛灰粒子表面的半導體氧化物奈米管。
於本發明之一具體例，奈米管係在1-15wt.%範圍、金屬陽離子(Mn+)或質子係在1-80wt.%範圍，及其餘為飛灰的重量。
於本發明之一具體例，飛灰係由二氧化矽(SiO2，50-85wt.%)、氧化鋁(Al2O3，5-20wt.%)、氧化鐵(Fe2O3，5-15wt.%)及微量選自鈣、鈦、鎂的其他元素氧化物，及選自砷、鉛和鈷的有毒重金屬所組成。
於本發明之另一具體例，金屬陽離子(Mn+)係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、及Ti4+所組成的族群。
於本發明之又一具體例，半導體氧化物奈米管係選自由水熱處理的氫鈦酸鹽(HTN、H2Ti3O7或纖鐵礦型)、銳鈦礦型二氧化鈦(ATN)及摻雜銀的ATN的族群。
於本發明之又一具體例，半導體氧化物奈米管係以短邊緣(管開口)選擇性地貼附至磁性金屬氧化物奈米粒子，及/或表面沉積有選自由γ-Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、鈷、鐵及鎳所組成的族群的磁性金屬氧化物奈米粒子。
於本發明之又一具體例，製備複合粒子的方法，該方法包含以下步驟：
(a)溶解一金屬鹽(1-70g‧l-1)於水中，使用0.1-1M HCl溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，調整具有起始溶液的pH為1-2，接著懸浮飛灰粒子(1-25g‧l-1)進入起始溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，獲得金屬陽離子(Mn+)致敏的飛灰粒子之懸浮液；
(b)選擇性地，懸浮飛灰粒子(1-25g‧l-1)於20-250毫升的水中，使用0.1-1M HCl溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，調整具有起始溶液的pH為1-2，獲得質子致敏的飛灰粒子；
(c)添加水熱處理的半導體氧化物奈米管(0.1-5g‧l-1)至如步驟(a)或步驟(b)中獲得的陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子的懸浮液，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘。
(d)在20-30℃之間的溫度範圍，連續攪拌步驟(c)中獲得的該懸浮液30-300分鐘，獲得半導體氧化物奈米管及陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子的複合物；及
(e)使用每分鐘2000-4000轉的離心操作或外部磁場，分離步驟(d)獲得的複合粒子，接著使用水多次洗滌該複合粒子30分鐘-2小時直到濾液的pH保持不變或中性，接著將複合粒子分離及在烘箱於70-90℃乾燥10-15小時
於本發明之又一具體例，步驟(a)中使用的金屬鹽係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、Ti4+及其他之氯化物、硝酸鹽、硫酸鹽所組成的族群。
於本發明之又一具體例，奈米複合粒子，包含：(i)5-70wt.%範圍之金屬氧化物奈米粒子；及(j)(ii)30-95wt.%範圍之半導體氧化物奈米管係以短邊緣(管開口)貼附至金屬氧化物奈米粒子的表面。
於本發明之又一具體例，金屬氧化物奈米粒子係選自由γ-Fe2O3(磁性的)、Fe3O4(磁性的)、SnO/SnO2、PbO、ZnO、CuO、MnO及TiO2。
於本發明之又一具體例，半導體氧化物奈米管係選自由水熱處理的氫鈦酸鹽(HTN、H2Ti3O7或纖鐵礦型)及銳鈦礦型二氧化鈦(ATN)的族群。
於本發明之又一具體例，製備奈米複合粒子的方法，該方法包含以下步驟：(a)分散0.5-10g‧l-1金屬氧化物奈米粒子於水中，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌5-30分鐘，具有pH為6.5-7.5的中性溶液；(b)添加0.1-5g‧l-1水熱處理的半導體氧化物奈米管於步驟(a)中獲得的懸浮液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌5-30分鐘，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘，接著於黑暗條件下連續攪拌該懸浮液1-10小時，以獲得半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子；(c)使用每分鐘2000-4000轉的離心操作或外部磁場，分離半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子，接著使用水多次洗滌該複合粒子30分鐘-2小時，直到濾液的pH保持不變或中性，接著將奈米複合粒子分離及在烘箱於70-90℃乾燥10-15小時。
於本發明之又一具體例，複合粒子及奈米複合粒子係有用於涉及經由表面吸附機制，在黑暗條件下操作，在自水溶液和工業排放水去除染料之應用。
於本發明之又一具體例，一種通過表面吸附機制在黑暗中操作，自水溶液有機合成染料吸附之後，用於表面清潔及回收請求項1之複合粒子及請求項9之奈米複合粒子的方法，該方法包含以下步驟： (a)懸浮1-30g‧l-1具有表面吸附有機合成染料0.1-3mg‧g-1的複合粒子/奈米複合粒子在水中，在溫度範圍20-30℃之間，連續攪拌介於5-30分鐘範圍的一段期間；(b)連續攪拌下，懸浮選自奈米結晶銳鈦礦型TiO2塗佈的SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒或貴金屬沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2的族群的光觸媒(10-60wt.%懸浮固體粒子總重)在步驟(a)所得之懸浮液，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘，後續連續攪拌該懸浮液，曝露於UV光或太陽輻射1-10小時；(c)於2000-4000rpm下離心該溶液以一起分離複合粒子/奈米複合粒子及光觸媒，接著使用水多次洗滌30分鐘至2小時，直至濾液的pH保持不變或中性；(d)使用外部磁場，自表面清潔的複合粒子/奈米複合粒子分離光觸媒粒子；及(e)使光觸媒粒子及複合粒子/奈米複合粒子在70-90℃的烘箱乾燥10-15小時，用於再使用。
圖1(a)及圖1(b)係所得飛灰粒子及水熱處理HTN的TEM影像。
圖2(a)及圖2(b)係所得飛灰粒子及水熱處理HTN的XRD圖案。
圖3(a)及圖3(b)係所得飛灰粒子及水熱處理HTN的EDX光譜。
圖4(a)及圖4(b)係所得飛灰粒子及微奈米結合HTN-飛灰複合粒子之高倍數TEM影像，顯示表面及相間區域；在圖4(b)中，複合粒子係經由在水溶液中，黑暗條件操作下，使用Sn2+陽離子，用於所得飛灰粒子之表面致敏的離子交換機制處理。
圖5(a)及圖5(b)係經由在水溶液中，黑暗條件操作下，使用Sn2+陽 離子，用於所得飛灰粒子之表面致敏的離子交換機制處理的微奈米結合HTN-飛灰複合粒子之XRD圖案及EDX光譜；SnCl2的起始濃度係40g‧l-1。
圖6(a)、圖6(b)及圖6(c)係表示30分鐘、2小時及4小時變化的表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間用於Sncl2不同的溶解時間之函數的變化；SnCl2的起始濃度變化係5g‧l-1(i)、20g‧l-1(ii)、40g‧l-1(iii)及60g‧l-1(iv)；起始溶液於染料吸附量測期間之pH大約為7.5。
圖7(a)、圖7(b)及圖7(c)係表示30分鐘、2小時及4小時變化的qe與所得Sncl2的起始濃度用於SnCl2不同的溶解時間之函數的變化；起始溶液於染料吸附量測期間之pH大約為7.5；qe的最大值係以箭頭指示。
圖8(a)及圖8(b)係表示使用具有所得飛灰粒子之SnCl2溶液之不同的接觸時間處理所得HTN-飛灰複合粒子(非磁性)及具有Sn2+致敏飛灰粒子之水熱處理的HTN的表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化；(i)-(iv)代表1-4小時，每次間隔1小時之接觸時間；Sncl2的起始濃度及其溶解時間係20g‧l-1及2小時；在圖8(a)中，HTN及Sn2+致敏飛灰粒子之接觸時間係4小時；在圖8(b)中，具有懸浮所得飛灰粒子之Sncl2溶液的接觸時間係4小時。
圖9(a)係表示在起始溶液之pH大約為7.5時量測之15μM(i)、30μM(ii)、60μM(iii)及90μM(iv)變化的不同起始MB染料濃度的表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化；及圖9(b)係表示qe與用於HTN-飛灰複合粒子所得之起始MB染料濃度之函數的計算變化。
圖10(a)及圖10(b)係代表水熱處理的ATN之TEM影像及XRD圖案。使用於ATN之水熱處理的前驅物係經由醋酸改質之溶膠-凝膠方法處理的奈米結晶銳鈦礦型TiO2粒子。圖10(a)中，插入物顯示對應的SAED圖案。圖10(b) 中，A代表銳鈦礦型TiO2。
圖11(a)及圖11(b)係代表具有0%(i)、1%(ii)及5%(iii)Ag/Ti不同莫耳比值的水熱處理之Ag摻雜ATN及Ag摻雜ATN-飛灰複合粒子所得的qe與起始MB染料濃度之函數的變化。
圖12(a)、圖12(b)及圖12(c)係代表使用改良之Stober方法及傳統溶膠-凝膠方法之結合，使用傳統銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒(含有26wt.% TiO2、25wt.% γ-Fe2O3及49wt.% SiO2)處理所得的TEM影像、EDX光譜及XRD圖案。A及M代表銳鈦礦型TiO2及γ-Fe2O3(maghemite)結構。
圖13係表示溫和外部磁場於自水溶液中磁性分離銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒(含有26wt.% TiO2、25wt.% γ-Fe2O3及49wt.% SiO2)之效果。圖13(a)及圖13(b)係顯示不存在及存在一溫和外部磁場(保持5分鐘時間)添加磁性光觸媒至水溶液之後所拍攝的數位相片。圖13(b)中，右邊底部角落的箭頭顯示外部磁鐵之位置。
圖14(a)及圖14(b)係代表所得飛灰粒子及銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒(含有26wt.% TiO2、25wt.% γ-Fe2O3及49wt.% SiO2)之與2-羥基對苯二甲酸的形成有關的PL強度與太陽輻射曝露時間所得之函數變化。激發波長大約為315nm。
圖15表示使用所得的飛灰粒子之qe與在黑暗條件下進行的染料吸附循環數目所得之函數變化。染料吸附循環1-4係在使用表面清潔處理之前進行，循環5係在使用表面清潔處理之後進行，太陽輻射曝露下進行，以自所得飛灰粒子之表面分解先前吸附的染料。
圖16(a)、圖16(b)及圖16(c)係代表微奈米結合HTN-飛灰複合粒子 之高倍數TEM影像及EDX光譜；圖16(a)和圖16(b)顯示介於飛灰粒子及在水溶液中，在黑暗條件下操作，經離子交換機制處理的表面吸附的HTN之間的相間區域，使用Fe3+陽離子用於所得飛灰粒子之表面致敏。HTN-飛灰複合粒子(非磁性)包含20wt.%鐵及7wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖17係表示所得飛灰粒子(i)及HTN-飛灰複合粒子(非磁性)(ii)之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化。後者係藉由使用Fe3+陽離子用於所得飛灰粒子之表面致敏。MB染料的起始濃度及起始溶液pH係30μM及大約7.5。HTN-飛灰複合粒子(非磁性)包含20wt.%鐵and 7wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖18(a)及圖18(b)係代表使用H+離子代替金屬陽離子(Mn+)用於所得飛灰粒子之表面致敏處理的HTN-飛灰複合粒子所得之TEM影像及EDX光譜。HTN-飛灰複合粒子(非磁性)包含大約2wt.%氫及9wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖19係表示所得飛灰粒子(i)及HTN-飛灰複合粒子(非磁性)(ii)之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化。後者係藉由使用H+離子代替金屬陽離子(Mn+)用於所得飛灰粒子之表面致敏。MB染料的起始濃度及起始溶液pH係15μM及大約7.5。HTN-飛灰複合粒子(非磁性)包含大約2wt.%氫及9wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖20(a)、圖20(b)及圖20(c)係表示使用所得γ-Fe2O3(maghemite)磁性粒子所得之TEM影像、EDX光譜及XRD圖案。
圖21表示(a-c)藉由在水溶液中，在黑暗條件下操作，經離子交換機制處理的奈奈米結合HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子的TEM影像，具有如(a,b) 中之插入物所示之相對應的SAED圖案。在(a)和(b,c)中，磁性奈米複合物中γ-Fe2O3的量係分別為50wt.%及10wt.%(其餘為HTN的重量)。
圖22係表示藉由在水溶液中，在黑暗條件下操作，經離子交換機制處理的HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子的EDX圖案。磁性奈米複合物中γ-Fe2O3的量係為10wt.%(其餘為HTN的重量)。
圖23代表MB染料的水溶液(7.5μM)(i)和使用HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子吸附MB染料後獲得的澄清水溶液，其使用一溫和外部磁場，在染料吸附製程之後沉降在底部(ii)。γ-Fe2O3在磁性奈米複合粒子的量是10wt.%(其餘為HTN的重量)。M'表示一外部磁鐵及箭頭指示它的位置。
圖24係代表γ-Fe2O3磁性奈米粒子(a)、水熱處理的HTN(b)及市售可得的銳鈦礦型TiO2(中央藥品屋(CDH)(P)有限公司，印度新德里)(c)之與2-羥基對苯二甲酸的形成有關的PL強度與UV輻射曝露時間所得之函數變化。激發波長大約為315nm。
圖25係代表HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子在不同測試條件下之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化。MB染料的起始濃度以30μM(i)及100μM(ii,iii)變化。所得線圖(ii)及(iii)係不具及具有HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子表面處理，接著1.2mg‧g-1MB染料吸附在表面，如線圖(i)中所得。
圖26係代表(a)具有Pt/Ti莫耳比5%之Pt沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒之典型TEM影像；及(b)使用含有紅M5B反應性染料之工業排放水樣品進行染料吸附實驗之後，UV可見光吸收強度的變化，如觀察用於HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子在不同測試條件下(i)起始染料溶液，(ii)染料吸附之第1 次循環，(iii)染料吸附之第2次循環，(iv-vi)染料吸附之第2次循環，接著分別使用具有Pt/Ti莫耳比1%、5%及10%之Pt沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2進行之表面清潔處理。圖26(a)中，SAED圖案顯示如插入物。
圖27(a)及圖27(b)係代表使用γ-Fe2O3-HTN-飛灰磁性奈米複合粒子所得之TEM影像及EDX光譜。圖27(a)中，插入物顯示相對應的SAED圖案。HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖28代表比較垂直保持磁鐵的能力，產生一溫和磁場，以保持所得飛灰粒子(a)及HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性奈米複合粒子(b)之數位相片。左手底部角落及右手底部角落的箭頭分別指示所得飛灰粒子(a)及HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性奈米複合粒子(b)之位置。HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)。
圖29係表示(a)所得飛灰粒子(i)及HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子(ii)之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化。MB染料的起始濃度及起始溶液pH係7.5μM及7.5。(b)表示MB染料的水溶液(7.5μM)(i)和使用HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子吸附MB染料後獲得的澄清水溶液，其使用一溫和外部磁場，在染料吸附製程之後沉降在底部(ii)。M'表示一外部磁鐵及箭頭指示它的位置。HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)。
圖30表示使用HTN-SnO複合粒子所得之TEM影像(a)及EDX光譜(b)。
本發明提供一種涉及使用陽離子(Mn+)或質子表面致敏飛灰粒子，及在水溶液中、在黑暗條件下操作之離子交換機制兩者之方法，處理由半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(磁性或非磁性的)組成之一創新產品，以及其該等複合粒子在染料去除應用之回收方法。本發明亦提供一種涉及在水溶液中、在黑暗條件下操作之離子交換機制之方法，處理由半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性或非磁性的)組成之一產品，藉由消除表面致敏步驟，其中金屬氧化物基本上係金屬陽離子(Mn+)氧化物，其可表面致敏飛灰粒子；以及磁性/非磁性複合粒子/奈米複合粒子在染料去除應用的回收方法。於本發明，所得飛灰粒子首先藉由吸附金屬陽離子(Mn+)在其表面而表面致敏，金屬陽離子(Mn+)係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、及Ti4+所組成的族群，藉由在一金屬鹽酸性水溶液中攪拌飛灰粒子，金屬鹽係選自由金屬陽離子之氯化物、硝酸鹽、硫酸鹽所組成的族群。
經由傳統的水熱技巧接著通常的洗滌循環之半導體氧化物奈米管(HTN或ATN)添加至頂置式連續攪拌下的表面致敏飛灰粒子之酸性水性懸浮液中。在水溶液中、在黑暗條件下，奈米管沉積在表面致敏飛灰粒子上，形成奈微米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)。具有金屬陽離子 (Mn+)先前吸附在飛灰粒子表面上之複合粒子的形成，已被歸因於半導體氧化物奈米管接受在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制的能力。
金屬陽離子(Mn+)可以質子(H+)代替，藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，將半導體氧化物奈米管貼附至致敏飛灰粒子的表面。因而，因為奈米管邊緣相對於奈米管表面具有較高能量，奈米管通常在短邊緣(管開口)處貼附或錨定至表面致敏的飛灰粒子。明顯地，以具有表面沉積(表面修飾)的磁性奈米粒子(金屬或金屬氧化物)或貼附至磁性奈米粒子(金屬或金屬氧化物，顯示如橢圓形暗色粒子)代替純半導體氧化物奈米管，可產生具有磁性的半導體氧化物奈米管-磁性奈米粒子-飛灰複合物。
半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)(及亦為所得飛灰粒子)適用於經由表面吸附製程，涉及在黑暗條件下操作的離子交換機制及靜電吸引機制，自水溶液去除有機合成染料，以及可經由離心、重力沉降或磁 性分離自處理的水溶液分離。明顯地，半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子的染料吸附能力，能藉由使用摻雜貴金屬或表面沉積貴金屬奈米粒子之奈米管而增加，選自由金、銀、鉑、鈀及其他貴金屬所組成之族群。先前吸附在半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)(及亦為所得飛灰粒子)的染料能經由一創新方法分解，藉由將其與傳統磁性光觸媒，諸如奈米結晶銳鈦礦型二氧化鈦塗佈SiO2/γ-Fe2O3於水溶液中混合，及然後使獲得的水性懸浮液於頂置式連續攪拌下接受曝露至UV或太陽輻射。半導體氧化物奈米管和所得飛灰粒子於UV或太陽輻射下的光催化活性是相當低的。然而，相當大濃度的自由OH‧係藉由奈米結晶磁性光觸媒粒子於類似的測試條件下生成的，其攻擊並降解先前吸附在半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性)(或所得的飛灰粒子)表面上的有機合成染料。先前吸附在表面上(即，表面清潔處理)的染料分解之後，半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性)(或所得的飛灰粒子)及磁性光觸媒可使用一溫和外部磁場自它們的機械混合物分離。表面清潔的半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性)(或所得的飛灰粒子)能回收用於黑暗條件下進行之染料吸附的下一循環。明顯地，回收非磁性半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(或所得的飛灰粒子)，在染料去除的應用，奈米結晶光觸媒粒子必須具有磁性，為了在其曝露在UV或太陽輻射下進行染料分解後，有效磁分離。也是明顯的，回收磁性半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子，奈米結晶光觸媒粒子必須是非磁性的，諸如結晶銳鈦礦型TiO2。再者，用於回收磁性半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(或所得的飛灰粒子)的磁性光觸媒，能含有選自γ-Fe2O3、CoFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、鈷、鐵、鎳及其他磁性材料的族群的磁性成分，以及光觸媒成分選自由TiO2、ZnO、CdS、ZnS及其他所組成之奈米結晶半導體 材料之族群，以未摻雜或摻雜型式，不具或具有表面改質，包含貴金屬或外來金屬氧化物奈米粒子的沉積。也是明顯的，假如磁性光觸媒之光觸媒成分摻雜非金屬諸如C、N、S及其他，曝露至日光燈或可見光輻射也可用於產生大濃度的自由OH‧用於分解先前吸附在半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子表面上的染料。為了降低半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性或非磁性的)，顯然飛灰粒子必須以金屬氧化物奈米粒子代替。然而，假如金屬氧化物係金屬陽離子(Mn+)氧化物，其能表面致敏飛灰粒子，其中金屬氧化物係選自由γ-Fe2O3、SnO/SnO2、PbO、ZnO、CuO、MnO、TiO2及其他所組成之族群，之後表面致敏係非必要步驟及能被消除。通常，為了經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制產生的磁性奈米複合物，所得的飛灰粒子係以奈米結晶磁性金屬氧化物粒子諸如γ-Fe2O3(maghemite)代替。由於γ-Fe2O3含有能表面致敏飛灰粒子的Fe2+/Fe3+陽離子，表面致敏步驟能被消除，用於藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，貼附或錨定半導體氧化物奈米管至磁性γ-Fe2O3奈米粒子的表面。
因為奈米管邊緣相對於奈米管表面具有較高能量，半導體氧化物奈米管係於短邊緣(管開口)處貼附或錨定至金屬氧化物諸如γ-Fe2O3奈米粒子的 表面。因此，產生的奈奈米結合的半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子也適用於自水溶液中去除有機合成染料，經由表面吸附製程，涉及離子交換機制和靜電吸引機制，在水溶液中、黑暗條件下操作。通常，半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米粒子發現自水溶液去除有機合成染料的應用，經由表面吸附製程，涉及離子交換機制和靜電吸引機制，在水溶液中、黑暗條件下操作，及使用一外部磁場能自所處理的水溶液中分離。先前吸附在半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米粒子表面上的染料能被分解，藉由將它們與銳鈦礦型TiO2光觸媒的非磁性奈米結晶粒子在水溶液中混合，及然後使獲得的懸浮液在連續頂置式攪拌下曝露至UV或太陽輻射。須注意的是，用於表面清潔處理的純奈米結晶銳鈦礦型TiO2，可藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，貼附至(或錨定至)HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子。此使得在表面清潔處理之後，光觸媒粒子自磁性奈米複合粒子的磁性分離變得困難。為了避免此一情形，純奈米結晶銳鈦礦型TiO2不是用來當作觸媒而是表面改質，以避免離子交換機制之操作，同時曝露在UV或太陽輻射下保持(或甚至增加)所產生的高濃度的自由OH‧。貴金屬沉積(選自金、銀、鉑、鈀及其他貴金屬之族群)奈米結晶銳鈦礦型TiO2有效達成兩個目的。半導體氧化物奈米管和γ-Fe2O3磁性奈米粒子在UV或太陽輻射下的光催化活性相當低。半導體氧化物奈米管在UV或太陽輻射下的光催化活性進一步減少，假如先前吸附的染料存在其表面上。然而，相當大濃度的自由OH‧係藉由非磁性貴金屬沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子於UV或太陽輻射下生成的，其攻擊並降解先前吸附在半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子表面上的有機合成染料。先前吸附在表面上(即，表面清潔處理)的染料分解之後，半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子及非磁性貴金屬沉 積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子可使用一溫和外部磁場自它們的機械混合物分離。表面清潔的半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子能回收用於黑暗條件下進行之染料吸附的下一循環。明顯地，用於磁性奈米複合粒子，奈米結晶光觸媒粒子必須是非磁性的，其可選自由諸如TiO2、ZnO、CdS、ZnS及其他所組成之奈米結晶(大約3~30nm)半導體材料所組成之族群。也是明顯的，用於回收半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(非磁性)，奈米結晶光觸媒粒必須是磁性的，即是磁性光觸媒，其能含有選自γ-Fe2O3、CoFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、鈷、鐵、鎳及其他磁性材料的族群的磁性成分，以及光觸媒成分選自由TiO2、ZnO、CdS、ZnS及其他所組成之奈米結晶(大約3~30nm)半導體材料之族群，以未摻雜或摻雜型式，不具或具有表面改質，包含貴金屬或外來金屬氧化物奈米粒子的沉積。也是明顯的，假如光觸媒粒子(磁性或非磁性的)摻雜非金屬諸如C、N、S及其他，曝露至日光燈或可見光輻射也可用於產生大濃度的自由OH‧用於分解先前吸附在半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子表面上的染料。明顯地，先前吸附在半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(磁性或非磁性的)及半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性或非磁性的)表面上的染料能經由芬頓類似反應，通常在黑暗條件下藉由在過氧化氫溶液(3-100wt.%)中攪拌它們而分解。此情形下，使用光觸媒粒子和曝露至UV、太陽輻射、日光燈、或可見光輻射對於表面清潔處理係非必要的。即是，後者能在黑暗條件下進行。也是明顯地，本發明的不同的複合產品也能用於形成一靜止床，用於染料去除應用，其中靜止床係使用非磁性飛灰基複合粒子與磁性光觸媒粒子之機械混合，或使用磁性奈米複合粒子與非磁性光觸媒粒子之機械混合而形成。經過整個床管的水性染料染料溶液的通道所得之染料 吸附之後，具有表面吸附染料的靜止床可曝露至UV、太陽輻射、日光燈、或可見光輻射，同時經過床管，通過水溶液以分解先前吸附在表面的染料。先前吸附在靜止床表面的染料也可被分解，通常在黑暗條件下，藉由經過床管，通過H2O2溶液(3-100wt.%)。假如靜止床只是使用飛灰基複合產品而不具光觸媒粒子而形成，然後先前吸附在靜止床表面的染料可被分解，通常在黑暗條件下，藉由經過床管，通過H2O2溶液(3-100wt.%)。
本發明提供一創新方法，其涉及表面致敏步驟，用於處理由奈微米結合的半導體氧化物奈米管-飛灰結合粒子(磁性或非磁性的)所組成的創新產品，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，及藉由其之創新方法涉及其回收之工業去除染料應用。首先製備50-250ml具有使用1M HCl調整的起始溶液pH範圍大約為1-2的酸性水溶液；5-60g‧l-1金屬鹽溶解在酸性水溶液中，其中金屬鹽係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、Ti4+及其他金屬陽離子(通常Mn+)之氯化物、硝酸鹽、硫酸鹽所組成的族群；在連續頂置式攪拌下，金屬鹽在酸性水溶液鐘的溶解時間為30分鐘至5小時的變化範圍；然後1-10g具有球型及直徑範圍0.5-100微米的所得飛灰粒子懸浮在金屬鹽之酸性水溶液；獲得懸浮液使用頂置式攪拌器連續攪拌30分鐘-5小時，用於吸附在所得飛灰粒子(表面致敏)表面上的金屬陽離子(Mn+)；半導體氧化物奈米管諸如HTN或ATN係經由傳統水熱法結合傳統溶膠-凝膠法或醋酸(CH3COOH)改質溶膠-凝膠法進行分離；之後，在連續頂置式攪拌下，添加0.05-3g HTN或ATN至上述表面致敏的飛灰粒子之懸浮液；之後懸浮液音波處理5-30分鐘，及之後使用頂置式攪拌器連續攪拌30分鐘-5小時，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，用於半導體氧化物奈米管吸附在表面致敏的飛灰粒子上；因此形 成的奈微米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)係使用2000-4000rpm離心操作而分離，及之後在70-90℃烘箱中乾燥10-15小時。不同參數諸如金屬鹽之溶解時間及起始濃度、金屬鹽水溶液與所得飛灰粒子的接觸時間，及具有表面致敏飛灰粒子的半導體氧化物奈米管的參數係最適化，用於所得飛灰粒子使用Sn2+陽離子表面致敏。所得飛灰粒子或奈微米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)係適用於自水溶液中去除有機合成染料，經由表面吸附製程，涉及離子交換機制和靜電吸引機制，在水溶液中、黑暗條件下操作。染料吸附量測係使用亞甲基藍(MB)作為一模範催化染料劑，在黑暗條件下進行。銀摻雜(Ag/Ti比係依0、1及5%改變)對於純ATN及ATN飛灰複合粒子在染料吸附能力的效果係顯示在起始MB染料5-100μM的濃度範圍，於起始溶液pH在大約2.5-11範圍，為了分解先前吸附在所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)表面上的染料，以及回收它們作為觸媒，用於黑暗條件下進行之染料吸附的下一循環，具有表面吸附MB染料(0.1-10mg.g-1)之0.1-5g所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)係於連續頂置式攪拌下懸浮在50-250ml水溶液中；之後0.1-5g傳統磁性光觸媒(通常，奈米結晶(大約3-30nm)銳鈦礦型TiO2塗佈SiO2/γ-Fe2O3磁性粒子(經由改良的Stober方法及傳統溶膠-凝膠方法之結合進行分離))係於連續頂置式攪拌下懸浮；獲得懸浮液音波處理5-30min，及使用頂置式攪拌器連續攪拌下曝露至UV或太陽輻射1-10小時；所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)與磁性光觸媒粒子係使用2000-4000rpm之離心操作而分離，使用50-250ml蒸餾水洗滌多次直到濾液之溶液pH保持不變或中性；非磁性所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子與磁性光觸媒粒子係使用一溫和外部 磁場分離，及之後在70-90℃烘箱中乾燥10-15小時；乾燥的所得飛灰粒子或半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)係回收，用於在黑暗條件下進行染料吸附之下一循環；奈微米結合HTN-飛灰複合粒子也可使用Fe3+陽離子代替Sn2+陽離子作為表面致敏劑處理，及硝酸鐵(III)(Fe(NO3)3‧6H2O)作為金屬鹽代替SnCl2進行；藉由使用Fe3+陽離子為表面致敏劑處理之奈微米結合HTN-飛灰複合粒子吸附MB染料的量係與使用所得飛灰粒子於起始MB濃度範圍7.5-100μM及起始溶液pH為2.5-11吸附的量比較；奈微米結合HTN-飛灰複合粒子也可使用H+離子代替Sn2+陽離子作為表面致敏劑(即是，未添加金屬鹽，及因此消除溶解時間)處理；藉由使用H+離子為表面致敏劑處理之奈微米結合HTN-飛灰複合粒子吸附MB染料的量係與使用所得飛灰粒子於起始MB濃度範圍7.5-100μM及起始溶液pH為2.5-11吸附的量比較。
本發明也提供一種創新方法，未涉及用於處理由奈奈米結合半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性或非磁性的)所組成的創新產品之表面致敏步驟，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，及藉由其之創新方法涉及其回收之工業去除染料應用；金屬氧化物奈米粒子係選自諸如γ-Fe2O3(磁性的)、SnO/SnO2、PbO、ZnO、CuO、MnO、TiO2及其他之金屬氧化物的族群，其中金屬氧化物必須為陽離子(Mn+)之氧化物，其能致敏飛灰粒子之表面；半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子係經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制處理，而不涉及表面致敏步驟，由於γ-Fe2O3磁性奈米粒子內部的Fe2+/Fe3+能表面致敏所得飛灰粒子；首先藉由懸浮0.1-0.9g的γ-Fe2O3磁性奈米粒子於連續頂置式攪拌下，分散在具有中性溶液pH(大約6.5-7.5)之水溶液製備50-250ml水性懸浮液；0.1-0.9g的HTN於連續頂置式攪拌 下添加至此懸浮液；含有添加總共1g固體粒子獲得的懸浮液音波處理5-30分鐘，及然後使用頂置式攪拌器在黑暗條件下攪拌；HTN-γ-Fe2O3磁性奈米粒子然後藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制形成，使用一溫和外部磁場分離，及使用蒸餾水多次洗滌，直到濾液的溶液pH保持不變或中性；磁性奈米複合粒子使用溫和外部磁場再次分離，及在70-90℃烘箱中乾燥10-15小時。
接著含有5-90wt.%的HTN之0.1-5.0g半導體氧化物奈米管-γ-Fe2O3磁性奈米粒子，係藉由涉及在黑暗條件下操作的離子交換機制及靜電吸引機制之表面吸附製程，使用於自水溶液(50-250ml)去除MB染料(7.5-250μM)。
為了分解先前吸附在表面染料，及回收它們用於在黑暗條件下進行的染料吸附下一循環，含有1-5mg‧g-1 MB染料吸附在表面的0.1-5.0g的磁性HTN-γ-Fe2O3奈米複合粒子係在連續頂置式攪拌下懸浮在50-250ml水溶液中；之後，非磁性Pt沉積(Pt/Ti莫耳比在1-15%範圍內)之奈米結晶(大約10-30奈米)銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子，在連續頂置式攪拌下被添加至上述之懸浮液；獲得的懸浮液音波處理5-30分鐘，然後於連續頂置式攪拌下，曝露至UV或太陽輻射30分鐘-5小時；表面清潔的磁性奈米複合粒子和非磁性Pt沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子之混合物係使用2000-4000rpm離心操作而分離，及使用蒸餾水多次洗滌，直到濾液的溶液pH保持不變；表面清潔的磁性奈米複合粒子使用一溫和外部磁場，自非磁性Pt沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子分離；分離的粉末係在70-90℃烘箱中乾燥10-15小時；回收表面清潔的磁性奈米複合粒子，用於在黑暗條件下進行的染料吸附下一循環，及其染料吸附行為與未接受表面清潔處理且具有表面吸附MB染料之磁性奈米複合粒子比較。
本發明亦提供一種創新方法，用於處理由飛灰基磁性複合粒子組成之創新產品；首先經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制處理HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子(5-90% HTN)而不涉及表面致敏步驟；接著，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子貼附或錨定至以Sn2+陽離子表面致敏的飛灰粒子。
相對於先前技術，本發明之非顯而易知的進步性如下：
(1)添加水熱處理的半導體氧化物奈米管，諸如HTN或ATN於具有先前吸附金屬陽離子在表面的飛灰粒子的水性懸浮液中。
(2)經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，形成微奈米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子。
(3)使用微奈米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(或所得飛灰粒子)，經由涉及在黑暗條件下操作的離子交換機制及靜電吸引機制之表面吸附方法，在去除染料的應用，其中複合粒子(或所得飛灰粒子)係經由涉及使用磁性粒子及曝露至UV或太陽輻射之結合的創新方法，藉由分解先前吸附在表面的染料而回收。
(4)添加水熱處理的半導體氧化物奈米管，諸如HTN或ATN於金屬氧化物粒子的中性溶液pH之水性懸浮液中，其中金屬氧化物奈米粒子含有能表面致敏飛灰粒子之金屬陽離子(Mn+)，此導致不涉及表面致敏步驟之半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合(磁性或非磁性的)粒子的形成。
(5)經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，形成奈奈米結合半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性或非磁性的)， 而不涉及表面致敏步驟。
(6)使用奈奈米結合半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性的)，經由涉及在黑暗條件下操作的離子交換機制及靜電吸引機制之表面吸附方法，在去除染料的應用，其中磁性奈米複合粒子係經由涉及使用非磁性貴金屬沉積(包含Pt、Au、Pd、Ag及其他)光觸媒諸如奈米結晶銳鈦礦型TiO2及曝露至UV或太陽輻射之結合的創新方法，藉由分解先前吸附在表面的染料而回收。
(7)貼合至(或錨定至)磁性金屬氧化物奈米粒子之半導體氧化物奈米管，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，吸附至表面致敏飛灰粒子上，導致飛灰基磁性複合粒子的形成。
相對於先前技術，本發明之新穎性如下：
(1)經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，形成微奈米結合半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子。
(2)經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，藉由消除表面致敏步驟，形成奈奈米結合半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子。
(3)回收半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子(非磁性的)在去除染料的應用，涉及磁性分離及光催化活性的磁性光觸媒的使用。
(4)回收半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子(磁性的)在去除染料的應用，涉及非磁性及光催化活性的貴金屬沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2粒子的使用。
(5)經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，形成微奈米結合 半導體氧化物奈米管-金屬氧化物-飛灰複合粒子(磁性的)。
(6)使用微奈米結合半導體氧化物奈米管-金屬氧化物-飛灰複合粒子(磁性的)，經由涉及在黑暗條件下操作的離子交換機制及靜電吸引機制之表面吸附方法，在去除染料的相關應用；及其涉及使用非磁性及光催化活性的貴金屬沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2粒子的回收。
(實施例)
以下實施例係以例示方式給定，因此不應被解釋為用於限制本發明的範圍。
(實施例-1)
在此實施例，HTN係經由傳統的水熱法處理。3克所得奈米結晶銳鈦礦型TiO2(中央藥品屋(CDH)(P)有限公司，印度新德里)係懸浮在含有10M NaOH(化驗成分97%，S.D.Fine-Chem有限公司，印度孟買)的高鹼性水溶液中，填入放置在容量為200ml的不銹鋼(SS 316)容器中的鐵氟龍燒杯上至84vol.%。此製程係在高壓鍋(阿瑪設備Pvt.有限公司，印度孟買)中，自體壓力下於120℃使用連續攪拌進行30小時。高壓鍋允許自然冷卻至室溫，及水熱產品藉由慢慢倒出頂部溶液而分離。起始產品接受典型的洗滌循環，具有使用100毫升1M HCl溶液(35wt.%，Qualigens Fine Chemicals，印度)在25℃進行1小時，接著使用100毫升蒸餾水進行1小時之第一洗滌循環。接著，所得產品接受第二洗滌循環，係由使用100毫升1M HCl溶液在25℃洗滌1小時，及接著使用100毫升的蒸餾水在25℃多次(#8)洗滌1小時，直到濾液的pH(Hanna HI 2210 Bench Top,Sigma-Aldrich，印度)幾乎變成恆定或中性所組成。之後，經洗滌的產品係使 用離心(Hettich EBA 20,Sigma-Aldrich，印度)自溶液分離，及在80℃的烘箱中乾燥12小時以得到水熱處理的HTN。
圖1(a)及圖1(b)係所得飛灰粒子(國家熱電公司(NTPC)，拉馬古恩達姆，印度)及水熱處理HTN的TEM影像。所得飛灰粒子係球型，具有尺寸0.5-2微米。HTN的平均長度、內徑及外徑，及壁厚係分別為75、2.3、4.2及0.96奈米。圖2(a)及圖2(b)係所得飛灰粒子及HTN的粉末XRD圖案。圖2(a)中，SiO2、Al2O3及Fe2O3的主要波峰分別與JCPDS卡號82-2465、78-2426及84-0311比較後已被辨識。圖2(b)中，XRD圖案已被辨識相似於H2Ti3O7或纖鐵礦型氫鈦酸鹽(HxTi2-x/4γx/4O4‧H2O，其中x0.7，γ：空位)者。圖3(a)及圖3(b)係所得飛灰粒子及水熱處理HTN的EDX分析。圖3(a)中，矽、鋁、鈣、鐵係使用微量Ti觀察(銅係源自用於TEM分析之銅網)。此說明所得飛灰粒子係包含具有微量TiO2的SiO2、Al2O3、Fe2O3、CaO的混合物。另一方面，圖3(b)中，只看見Ti及O在HTN內為主要元素。
僅藉由攪拌機械混合的水熱處理HTN及所得飛灰粒子的水性懸浮液，前者不能吸附在(貼附至或錨定至)後者的表面。為了沉積HTN在所得飛灰粒子的表面上，必須採用以下程序。將40g‧l-1氯化亞錫(SnCl2，97%，S.D.Fine-Chem，孟買，印度)溶解在具有初始溶液pH~1.5之100毫升的蒸餾水中，其係在25℃連續頂置式攪拌(歐洲之星數位，IKA，德國)下使用1M HCl溶液調整。氯化亞錫的溶解時間為2小時。1.0克的所得飛灰粒子被添加至此澄清溶液，及在25℃使用頂置式攪拌器連續攪拌獲得的懸浮液4小時，以得到Sn2+致敏的飛灰粒子。接著添加0.1克水熱處理的HTN及獲得的懸浮液音波處理(Bandelin超音波浴，Aldrich-Labware，邦加羅爾，印度)10分鐘，接著在25℃使用頂置式攪拌器連 續攪拌4小時。HTN經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，吸附在Sn2+致敏飛灰粒子的表面。獲得的微奈米結合HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)使用3000rpm離心(Hettich EBA 20，Sigma-Aldrich，印度)操作自水溶液分離。經分離的HTN-飛灰複合粒子，接著使用100毫升蒸餾水多次洗滌1小時，直到濾液的pH保持不變或中性。接著，經洗滌的複合粒子在80℃的烘箱中乾燥12小時，以得到含有69wt.% Sn及3wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)的HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)。
圖4(a)及圖4(b)係所得飛灰粒子表面及微奈米結合HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)內部相間邊界之高倍數TEM影像。圖4(a)中，所得飛灰粒子的表面於非常高放大倍數似乎是素面及無特徵的。圖4(b)中，HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)的界面邊界是清楚可見的。可看到HTN係通常在短邊緣(或管開口)處貼附至或錨定至Sn2+致敏的飛灰粒子的表面，導致微奈米結合HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)的形成。HTN吸附在Sn2+致敏飛灰粒子表面的機制是在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制。由於所得飛灰粒子係在酸性SnCl2溶液中攪拌，大量的Sn2+首先吸附至所得飛灰粒子的表面。當水熱處理的HTN添加至含有Sn2+致敏飛灰粒子的水性懸浮液，前者傾向於拾起先前吸附在飛灰粒子表面上的Sn2+離子，為了與其結構中的H+離子交換。然而，由於Sn2+離子已化學吸附在所得飛灰粒子表面及不能留在表面，HTN吸附在Sn2+致敏飛灰粒子的表面。由於奈米管邊緣具有比奈米管表面較高的能量，HTN錨定在Sn2+致敏飛灰粒子的表面主要發生在較短邊緣(或奈米管開口)處，圖4(b)中，取代沿著奈米管的長度方向。圖5(a)XRD圖案及圖5(b)EDX光譜更確定經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，形成HTN-飛灰複合粒子。
(實施例-2)
在此實施例，用於處理微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的不同參數值與那些在實施例1中描述者相同，除了以下的改變。SnCl2的起始濃度及其溶解時間，分別變化如5、20、40及60g‧l-1及30分鐘、2小時、4小時。關於這些處理參數，獲得分別含有44、53、69及77wt.% Sn以及2、3、4及7wt.% HTN的HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)用於SnCl2的完全溶解(溶解時間為2小時和4小時)。
該些條件下處理的HTN-飛灰複合粒子係用於染料吸附實驗，其使用MB(亞甲基藍)作為典範催化染料劑，在中性起始溶液pH為大約7.5，及在黑暗條件下進行。藉由溶解15μM的MB染料，製備125毫升水溶液。接著分散4.0g‧l-1 HTN-飛灰複合粒子在MB染料溶液中，及獲得的懸浮液在黑暗條件下使用頂置式攪拌器連續攪拌180分鐘。每10或30分鐘的時間間隔之後，分離8ml的等分試樣，用於得到使用離心操作之分離HTN-飛灰複合粒子之後所得濾液的吸收光譜，使用UV可見吸收光譜儀(UV-2401 PC,Shimadzu，日本)。使用以下型式之公式，計算表面吸附MB染料的正常化濃度，
其係型式的同等物，
其中，C 0 (mg‧l-1)及C t (mg‧l-1)對應至開始和接觸時間t之後的起始MB染料濃度之對應吸收度A 0 及A t 。
圖6(a)、圖6(b)及圖6(c)係表示用於微奈米結合HTN-飛灰複合粒子之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間，用於SnCl2不同的起始濃度值及其 溶解時間之函數的變化。須注意的是，通常微奈米結合HTN-飛灰複合粒子顯示相對於所得飛灰粒子較高MB染料吸附在表面。可看到留在水溶液中的Sn2+陽離子，通常於較低的SnCl2溶解時間及其較高的濃度會影響HTN在Sn2+致敏飛灰粒子表面的吸附。每單位吸附劑質量之吸附在微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的MB染料量(q e )可使用關係式計算，
其中，C e (mg‧l-1)係平衡時溶液內之MB染料濃度(即是，接觸時間180分鐘之後)，V(1)係MB染料溶液之起始體積，及m HTN-FA (g)係使用作為吸附劑之微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的質量。在q e 與SnCl2起始濃度作為函數之所得變化，所得用於SnCl2的不同濃度，係顯示在圖7。所得飛灰粒子展現q e 為0.3mg‧g-1。另一方面，可觀察到最大值q e (q m )1.2mg‧g-1用於SnCl2的起始濃度20g‧l-1及溶解時間2小時，其建議4倍增加在染料吸附容量，在溶液pH大約7.5，因為藉由在黑暗條件下操作離子交換機制的經水熱處理的HTN在所得飛灰粒子表面上之吸附。
因此，在給定的測試條件下，HTN-飛灰複合粒子展現比所得飛灰粒子者較高的MB染料吸附容量。SnCl2的起始濃度20g‧l-1及溶解時間2小時係量測為在黑暗條件下關於MB染料吸附在HTN-飛灰複合粒子的表面最大量之最適化條件。由於文獻中，所得飛灰粒子用於吸附陽離子MB染料之容量係顯示為激烈增加及達到其最大值於起始溶液pH大約10(在大約2.5-11範圍內)，明顯於起始溶液pH大約10，HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)與所得飛灰粒子在染料吸附容量的差異將是最高及超過在起始溶液pH大約7.5所觀察者。
(實施例-3)
在此實施例，用於處理微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的不同參數值與那些在實施例1中描述者相同，除了以下的改變。SnCl2的起始濃度改變為20g‧l-1。SnCl2溶液與懸浮的所得飛灰粒子和具有Sn2+致敏飛灰粒子的水熱處理HTN者的接觸時間係以1h間隔改變之1-4小時範圍內。於該些條件下處理的HTN-飛灰複合粒子含有53wt.% Sn及4wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)及使用於MB染料吸附實驗，如以上實施例-2中所述，在黑暗條件下進行。
用於微奈米結合HTN-飛灰複合粒子之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間，用於SnCl2與所得飛灰粒子之不同的接觸時間之函數的變化係顯示於圖8(a)，及具有Sn2+致敏飛灰粒子的HTN者係顯示於圖8(b)。須注意的是，兩者之接觸時間在1-4h範圍內，MB染料吸附幾乎留下100%。因此，在調查的參數範圍內，SnCl2溶液與所得飛灰粒子和具有Sn2+致敏飛灰粒子的HTN者的接觸時間對於吸附在HTN-飛灰複合粒子表面上的MB染料的量未具有任何顯著效果。
因此，考慮能被吸附在Sn2+致敏飛灰粒子表面上之HTN較高的量(大於約10%)，SnCl2溶液與所得飛灰粒子和具有Sn2+致敏飛灰粒子的HTN者最適化的接觸時間係量測為4小時。
(實施例-4)
在此實施例，用於處理微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的不同參數值與那些在實施例1中描述者相同，除了SnCl2的起始濃度改變為20g‧l-1。於該些條件下處理的HTN-飛灰複合粒子含有53wt.% Sn及4wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)及使用於MB染料吸附實驗，如較早實施例-2中所述，在黑暗條件下進行，除了MB染料的起始濃度係在15-90μM範圍內改變。
用於微奈米結合HTN-飛灰複合粒子之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間，用於MB染料不同的起始濃度之函數的變化係顯示於圖9(a)。可看出於平衡時表面吸附MB染料的量係隨著MB染料之起始濃度增加而減少。在q e 與MB染料起始濃度作為函數之對應變化，係顯示在圖9(b)。於該些測試條件下，最大值q e (q m )被記為4mg‧g-1，其係13倍高於所得飛灰粒子(0.3mg‧g-1)於相似測試條件下量測。
因此，於中性起始溶液pH大約為7.5下，HTN-飛灰複合粒子的染料吸附容量係高於所得飛灰粒子者。明顯地，藉由改變7.5-11範圍內的起始溶液pH，HTN-飛灰複合粒子的染料吸附容量相較於所得飛灰粒子者，將進一步提升(通常起始溶液pH大約10)。
(實施例-5)
在此實施例，具有改變Ag/Ti莫耳比之Ag摻雜ATN(0、1、及5%)係藉由如實施例1所述之傳統水熱法合成，除了所得銳鈦礦型TiO2前驅物係以具有改變Ag/Ti莫耳比之Ag摻雜ATN(0、1、及5%)Ag摻雜銳鈦礦型TiO2代替。後者係經由使用醋酸(CH3COOH)作為觸媒改質的傳統溶膠-凝膠法處理。涉及改質的溶膠-凝膠法，CH3COOH觸媒與Ti(OC3H5)4前驅物的莫耳比係10。水與烷氧化物-前驅物(R-value)係90。CH3COOH觸媒在改質的溶膠-凝膠法中是必須的，以溶解Ag進入TiO2晶格，而不會造成在較高溫度600℃、2小時之煅燒處理期間，銳鈦礦-金紅石之相轉變。相較於實施例1中所述的HTN之形成，此實施例中形成的奈米管被觀察為ATN，如圖10所示。純及Ag摻雜的ATN在該些條件下處理，及然後在黑暗條件下進行，使用於MB染料吸附實驗，如早先實施例2所說明，除了起始MB染料濃度在7.5-250μM之間改變。
q e 與MB染料的起始濃度之函數所得變化，如使用純及Ag摻雜的ATN具有改變的Ag/Ti莫耳比(0、1、及5%)所得係呈現在圖11(a)中，最大值q e (q m )被記為38mg‧g-1，如觀察用於具有1% Ag/Ti莫耳比之Ag摻雜ATN。因此，明顯地，Ag摻雜ATN-飛灰複合粒子將顯示比純ATN-飛灰複合粒子者較高的MB染料吸附容量，其係顯示於圖11(b)中。因此，貴金屬之摻雜可增加ATN(或HTN)的染料吸附容量，及亦增加半導體氧化物奈米管-飛灰複合粒子的染料吸附容量。
明顯地，使用其他貴金屬諸如Au、Pt及Pd以及非貴金屬諸如Gd、Zn、Mn、Cu及其他類似物之摻雜ATN或HTN，也將可增加ATN(或HTN-飛灰複合粒子之染料吸附容量。也明顯地，其他技巧包含貴金屬觸媒奈米粒子諸如Au、Pt、Pd、Ag及其他表面沉積在ATN或HTN-飛灰複合粒子之表面，將增加其染料吸附容量。
(實施例-6)
於此實施例，首先經由改良的Stober法及傳統溶膠-凝膠法製備銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子。於分散在250毫升乙醇中之奈米結晶磁性γ-Fe2O3粒子之2g懸浮液中，慢慢添加14.5毫升之四乙基鄰矽酸鹽(TEOS,98%,Sigma-Aldrich，印度)且使用頂置式攪拌器攪拌1小時。接著，逐滴添加2.3毫升NH4OH(25wt.%,Qualigens Fine Chemicals，印度)及63.4毫升蒸餾水及懸浮液攪拌12h。所得產品經由磁性分離(磁性分離器，Sigma-Aldrich Labware,Bangalore，印度)收集，首先以100毫升乙醇洗滌及使用蒸餾水洗滌4次，接著在80℃烘箱乾燥12小時。藉由此方法，得到包含66wt.% SiO2及34wt.% γ-Fe2O3的SiO2/γ-Fe2O3之磁性奈米複合粒子。
為了沉積奈米結晶銳鈦礦型TiO2，2g SiO2/γ-Fe2O3之磁性奈米粒子係懸浮在溶解於125ml 2-丙醇中之0.5g異丙烷氧化鈦(IV)(Ti(OC3H7)4,97%,Sigma-Aldrich,Bangalore，印度)的溶液中。於此懸浮液中，逐滴添加由0.15ml蒸餾水(R=5，定義為水與烷氧化物前驅物者之莫耳濃度比(最終))溶解在125ml之2-丙醇中組成的溶液。所得懸浮液攪拌12h，及然後磁性分離的粉末使用100毫升的2-丙醇洗滌，及然後在80℃烘箱中乾燥隔夜。溶膠-凝膠法重複總共5循環，以控制不定型TiO2塗層之厚度，其藉由乾燥的粉末在600℃進行2小時之煅燒處理(加熱速率=3℃‧min-1)轉化為銳鈦礦型TiO2。因而得到銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性奈米複合物，含有26wt.% TiO2,25wt.% γ-Fe2O3,及49wt.% SiO2及此處被稱為「磁性光觸媒」。磁性光觸媒對應的SEM影像、EDX光譜及XRD圖案分別呈現在圖12(a)-12(c)。本於磁性性質，銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒可使用一外部磁場自水溶液中分離，如圖13所示(註：γ-Fe2O3係具有飽和磁力70emu‧g-1之鐵磁材料)。
自由OH‧捕捉實驗係使用對苯二甲酸(TA,98%,Sigma-Aldrich Chemicals,Bangalore，印度)進行，其係二分離水性懸浮液連續曝露在太陽輻射下產生，二分離水性懸浮液包含所得飛灰之懸浮粒子或HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)及磁性光觸媒。首先將500μM的TA及2000μM of NaOH(化驗成分97%,S.D.Fine-Chem，孟買，印度)溶解在125ml水溶液中。3.2g‧l-1磁性光觸媒或24g‧l-1所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)係溶解在此溶液中。所得懸浮液使用頂置式攪拌器連續攪拌，於曝露在太陽輻射下5h。由所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)及磁性光觸媒粒子產生的自由OH‧係由TA捕捉而導致2-羥基對苯二甲酸之形成。等份試樣在1小時時間間隔收集，及固體粒子使用離心或 磁性分離器分離。分析濾液得到2-羥基對苯二甲酸之光致發光(PL)光譜，其展示位於大約625nm特徵性PL波峰，其被記錄的強度為UV-輻射曝露時間的函數，使用光譜螢光計(Cary Eclipse,Varian，荷蘭)於激發波長大約315nm。PL波峰的強度被視為光觸媒曝露在太陽輻射一給定時間所產生的自由-OH‧量的量測。
2-羥基對苯二甲酸之PL強度與太陽輻射曝露時間之函數變化，如觀察用於所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)及磁性光觸媒係呈現於圖14(a)及圖14(b)。可觀察到，用於兩個樣品，自由-OH‧產生隨著太陽輻射曝露時間增加而增加。然而，該比較顯示所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)於太陽輻射曝露下未產生明顯可觀量的自由。另一方面，磁性光觸媒產生大量自由OH‧。此說明磁性光觸媒於太陽輻射曝露下應比所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)擁有較佳的催化活性。由於後者於太陽輻射曝露下具有相對較高染料吸附容量，先前吸附在所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)表面上的染料似乎可藉由提供給在太陽輻射曝露下之機械混合及懸浮在相同染料水溶液中的兩者材料所產生的自由OH‧之攻擊而輕易分解。更似乎來自所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)與磁性光觸媒之機械混合物的兩者粉末，可使用外部磁場從其機械混合物分離。此允許回收所得飛灰粒子(或HTN-飛灰複合粒子)用於使用用於它們的表面清潔處理之磁性光觸媒在黑暗條件下進行的染料吸附之下一循環。
為了展示此情況，所得飛灰粒子係用於在黑暗條件下進行的多次MB染料吸附循環(#4)。用於該些染料吸附量測之所有的實驗參數與早先在實施例2中說明者相同，除了以下的改變。MB染料的起始濃度及吸附劑者係7.5μM及24g‧l-1。為了自表面去除先前吸附的染料，3g具有表面吸附MB染料(0.24mg‧g-1)之所得飛灰粒子，如在上述染料吸附循環-4之後所得者，首先在連續頂 置式攪拌下懸浮在125毫升的蒸餾水中。然後，1g的銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒(含有26wt.% TiO2,25wt.% γ-Fe2O3，及49wt.% SiO2)於連續頂置式攪拌下添加至以上的懸浮液。所得懸浮液於太陽輻射曝露下連續攪拌6h，其導致吸附在所得飛灰粒子表面上的MB染料的分解，因為該些測試條件下由磁性光觸媒產生之大濃度的OH‧自由基。然後，在3000rpm使用離心操作，進行表面清潔的非磁性飛灰粒子混合有磁性光觸媒之分離，及混合的固體粒子使用100ml蒸餾水洗滌1h，直到濾液之pH保持不變或中性。磁性與非磁性成分接著使用一外部磁場分離，及在80℃的烘箱乾燥12h。因此，表面清潔的飛灰粒子能回收用於在黑暗條件下進行的染料吸附之下一循環，如圖15所示。注意到q e 係隨著在黑暗條件下進行的染料吸附循環之數目增加而減少。如上述表面清潔處理係於染料吸附循環-4之後應用，自表面分解先前吸附的染料，其導致所得飛灰粒子相較於觀察循環-1之染料吸附容量激烈增加。
因此，所得飛灰粒子之回收此處係成功達成，藉由自其表面分解先前吸附的染料，藉由混合它們與磁性光觸媒(通常是銳鈦礦型TiO2塗佈(循環-5)SiO2/γ-Fe2O3)於水溶液中，及曝露所得懸浮液至太陽輻射。明顯地，其他具有不同磁性核心諸如CoFe2O4,NiFe2O4,MnFe2O4,Ni,Fe,Co及其他，結合其他奈米結晶半導體光觸媒諸如ZnO,CdS,ZnS及其他的外殼之「核-殼」型磁性光觸媒也是適用於回收所得飛灰粒子及微奈米結合HTN-飛灰複合粒子用於去除染料。具有不同於「核-殼」結構型態諸如磁性材料沉積於半導體氧化物奈米管之表面的奈米粒子之磁性光觸媒也可使用。
(實施例-7)
於此實施例，用於處理微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的不同參數值與那些已在實施例1中描述者相同，除了以下的改變。具有起始濃度為40g‧l-1的SnCl2前驅物係以具有起始濃度為20g‧l-1的Fe(NO3)3‧9H2O前驅物代替，為了使用Fe3+陽離子代替Sn2+表面致敏所得飛灰粒子。藉由此方法，可得到含有20wt.% Fe及7wt.% HTN(其餘為飛灰粒子的重量)之HTN-飛灰複合粒子(非磁性的)。
使用HTN-飛灰複合粒子與使用Fe3+陽離子表面致敏飛灰粒子所得之TEM影像及EDX圖案係呈現在圖16(a)-圖16(b)。與圖4(b)中所作之觀察相似，注意到HTN係貼附至或錨定至以Fe3+陽離子表面致敏飛灰粒子的表面，通常在短邊緣處(管開口)，其確定在水溶液中、黑暗條件下操作之離子交換機制的操作。圖3(a)所示之EDX圖案與所得飛灰粒子者之比較，顯示Fe及Ti波峰強度增加，說明藉由Fe3+致敏之HTN-飛灰複合粒子的形成。
然後，所得複合粒子和HTN-飛灰複合粒子係使用於MB染料吸附實驗，在黑暗條件下進行，如早先實施例2中所述，除了MB染料起始濃度30μM使用於此實施例。所得飛灰粒子及微奈米結合HTN-飛灰複合粒子(後者係使用Fe3+陽離子表面致敏)之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化係呈現及比較於圖17。相對於由所得飛灰粒子展示之平衡MB染料吸附，可看出平衡時MB染料吸附量會增加，因為事先使用Fe3+陽離子表面致敏的飛灰粒子表面上之HTN的錨定。
(實施例8)
於此實施例，使用於處理微奈米結合HTN-飛灰複合粒子的不同參數值與那些已在實施例1中描述者相同，除了以下的改變。SnCl2前驅物不能使 用Sn2+陽離子用於表面致敏所得飛灰粒子。所得飛灰粒子之表面致敏係使用H+離子代替達成。HCl溶液與所得飛灰粒子之接觸時間係以1h代替4h。藉由此方法，得到包含大約2wt.% H及9wt.% HTN(其餘係飛灰粒子的重量)HTN-飛灰奈米複合粒子(飛磁性的)。
藉由使用H+離子表面致敏飛灰處理之HTN-飛灰複合粒子之TEM影像及EDX圖案係呈現在圖18(a)及18(b)。然後，所得飛灰粒子和HTN-飛灰複合粒子係使用於MB染料吸附實驗，在黑暗條件下進行，如早先實施例2中所述，除了MB染料起始濃度15μM使用於此實施例。所得飛灰粒子及微奈米結合HTN-飛灰複合粒子(後者係使用H+離子表面致敏)之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化係呈現及比較於圖19。相對於由所得飛灰粒子展示之平衡MB染料吸附，可看出平衡時MB染料吸附量會增加，因為事先使用H+離子表面致敏的飛灰粒子表面上之HTN的錨定。
(實施例9)
於此實施例，HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合物係經由涉及在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制的創新方法合成。如實施例7所述，Fe3+陽離子能使用於所得飛灰粒子作為表面致敏劑，以錨定HTN至它們的表面。由於磁性γ-Fe2O3係Fe3+陽離子的氧化物，表面致敏步驟係非必要及可消除，藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，以錨定HTN至γ-Fe2O3的表面。
為了展示此情況，0.5g(或0.1g)的γ-Fe2O3係在25℃連續頂置式攪拌10分鐘下，分散於具有中性溶液pH(大約6.5-7.5)之125ml蒸餾水中。然後，0.5g(或0.9g)水熱處理的HTN係在25℃連續頂置式攪拌10分鐘下，添加至以上懸浮液。所得懸浮液音波處理10分鐘，及然後使用頂置式攪拌器在黑 暗條件下，25℃連續攪拌8小時。因此，形成的奈奈米結合HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子係使用外部磁場自水溶液分離，使用100ml蒸餾水多次洗滌1小時，直到濾液pH保持不變或中性，使用外部磁場再次自水溶液分離，然後在80℃的烘箱中乾燥12小時，得到含有50wt.%(或10wt.%)γ-Fe2O3粒子(其餘是HTN的重量)的HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子。
所得奈米結晶γ-Fe2O3粒子之TEM影像係顯示於圖20(a)，及對應的EDX光譜係係顯示於圖20(b)。所得具有近乎球型的奈米結晶γ-Fe2O3磁性粒子之尺寸係在15-25nm範圍內。EDX光譜確定這些奈米粒子中存在Fe及O。顯示如圖20(a)中之插入物的選擇區域電子衍射(SAED)圖案展示指示所得γ-Fe2O3奈米粒子的奈米結晶特性之同心環圖案，與TEM影像一致。所得γ-Fe2O3奈米粒子的XRD圖案係呈現在圖20(c)。於比較XRD圖案與JCDPS卡號39-1346之後，所得磁性奈米粒子擁有如確定之磁赤鐵礦(γ-Fe2O3)結構。HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合物的TEM影像係顯示於圖21，其清楚顯示HTN於短邊緣(管開口)處，藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制貼附或錨定至γ-Fe2O3磁性奈米粒子的表面。須注意的是，磁性奈米粒子並不是沿著HTN表面分散，其使得可用於染料吸附製程之大數目潛在位址，其係不可能，假如磁性奈米粒子可沿著HTN表面分散。似乎HTN通常在短邊緣(管開口)處，藉由離子交換機制貼附或錨定至γ-Fe2O3磁性奈米粒子的表面，只發生在中性溶液pH。相似製程在酸性或鹼性範圍進行可導致HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合物之形成，具有磁性奈米粒子藉由涉及庫倫力及凡德瓦力兩者之靜電吸引機制，沿著HTN表面分散。對應至圖21(a)，使用HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合物所得之EDX圖案係顯示於圖22，其顯示Ti及Fe作為主要元素，確定奈米複合粒子之形成。也須注意的是， γ-Fe2O3磁性奈米粒子並不表面致敏，用於將HTN貼附或錨定至磁性奈米粒子的表面，無論如何其在實施例1中說明的所得飛灰粒子之情形係必要步驟。圖23中，經由在黑暗條件下操作之涉及離子交換機制及靜電吸引機制之表面吸附製程，用於自水溶液中去除MB染料之HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子的使用已被展示。於MB染料吸附在表面之後，使用一溫和外部磁場分離HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子是清楚可見的。
因此，經由涉及在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制之創新製程，半導體氧化物奈米管(HTN)-金屬氧化物(γ-Fe2O3)磁性奈米複合粒子的處理係成功展示，而無須表面致敏步驟。
(實施例10)
與實施例6相似，先前吸附在HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子表面的染料，可藉由機械混合及在水溶液中使用非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒(平均粒徑~3-30nm)將其懸浮，及將所得懸浮液在連續頂置式攪拌下曝露至UV或太陽輻射，直到吸附的染料完全分解。藉由奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒產生大濃度OH‧，相對於由HTN及γ-Fe2O3產生者係較短時間，如圖24所示，其在相對少的時間攻擊及分解吸附在磁性奈米複合粒子之MB染料。
HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子(1.0g)首先使用實施例9中說明的程序製備，除了γ-Fe2O3及HTN的使用量改變至0.05g及0.95g。然後，磁性奈米複合粒子懸浮在125ml之MB染料水溶液(30μM)中，及使用頂置式攪拌器在黑暗條件下，於25℃攪拌1小時。磁性分離後，具有MB染料吸附在表面的磁性奈米複合粒子係在80℃烘箱中乾燥12小時。不同的兩組樣品被分離。一組具有MB染料吸附在表面的HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子然 後使用於使用MB染料起始濃度為100μM之染料吸附實驗。第二組具有MB染料吸附在表面的HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子接受表面清潔處理。於此處理，具有MB染料(1.2mg‧g-1)吸附在表面的1.0g的HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子係於連續頂置式攪拌下懸浮在125ml水溶液。然後添加1.0g(50wt.%懸浮固體粒子總量)的非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒。所得懸浮液音波處理15分鐘，及然後於25℃使用頂置式攪拌器攪拌，於UV輻射曝露2小時。表面清潔的磁性奈米複合粒子與非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒的混合物一起使用3000rpm離心操作下分離，及使用100ml蒸餾水多次洗滌1小時直到濾液pH保持不變或中性。表面清潔的磁性奈米複合粒子係使用一外部磁場自非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒分離。經分離的粉末係在80℃烘箱中乾燥12小時。表面清潔的磁性奈米複合粒子回收用於使用含有100μM的MB染料之水溶液，在黑暗條件下進行之染料吸附的下一循環。
於表面清潔處理之前或之後，用於HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化呈現在圖25。在30μM MB染料溶液中，HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子表面吸附幾乎100%的染料。假如MB染料吸附係未表面清潔處理，使用含有100μM的MB染料之水溶液進行，然後吸附在奈米複合粒子表面上的量記錄為50%。另一方面，假如MB染料吸附係在表面清潔處理之後，使用含有100μM的MB染料之水溶液進行，然後吸附在奈米複合粒子表面上的量記錄為90%。因此，在表面清潔處理之後的染料吸附量的增加係清楚可見的。此強烈說明先前吸附在HTN-γ-Fe2O3(5wt.%)磁性奈米複合粒子表面上的染料係成功分解，藉由混合它們與非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒在水溶液中，及使懸浮液接受UV輻 射。明顯地，任何其他包含CdS、ZnS及其他的非磁性光觸媒可被選擇用於表面清潔處理，代替銳鈦礦型TiO2。
須注意的是，經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，使用於表面清潔處理的純奈米結晶銳鈦礦型TiO2貼附至(錨定至)HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子。結果，(非磁性)光觸媒粒子的一些量係於磁性分離之後損失。此已被觀察藉由HTN-γ-Fe2O3磁性奈米粒子影響染料吸附量於後續染料吸附循環(第二循環)接著表面清潔處理。後面議題對於增加染料吸附循環變成嚴重的。也需特別注意的是，用於包含冷反應性染料(紅M5B)之工業排放樣品。為了避免HTN-γ-Fe2O3磁性奈米複合粒子與奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子之間的交互作用，(即，最小化兩者之間的離子交換機制操作)，後者須要使用選自Pt、Au、Pd、Ag、奈米粒子之族群的貴金屬塗佈，其不僅降低該交互作用，而且有助於增加在輻射曝露下所產生的OH‧濃度。此已被展示在以下樣品，使用以上接收自印度古吉拉特邦的艾哈邁達巴德的羅伯哈工業(Rubmach Industries)的工業排放水樣品。
(實施例11)
於此實施例，首先經由UV輻射製程將Pt沉積在純銳鈦礦型TiO2上。首先，於連續磁性攪拌下將氯化鉑(II)(PtCl2)溶解在一適當濃度範圍的200ml蒸餾水中。然後將1g的純銳鈦礦型TiO2分散，以便得到莫耳比變化在1、5及10%範圍的Pt/Ti。然後，起始溶液pH係藉由添加NH4OH溶液調整至大約10。然後，將所得懸浮液曝露至光反應器(Luzchem，加拿大)中UV輻射4小時。Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2係使用在3000rpm離心操作而分離，及在80℃烘箱中乾燥12小時。具有Pt/Ti莫耳比5%之Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2典型的TEM影像顯 示在圖26(a)中，其中非常細的Pt奈米粒子分散在奈米結晶銳鈦礦型TiO2粒子之表面係清楚可見的。
為了製備HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米粒子，可遵守實施例9中說明之程序。0.3g的HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米粒子首先係懸浮於含有1vol.%工業排放水樣品之125毫升水溶液中及使用頂置式攪拌器在黑暗條件下於25℃攪拌1小時(註：工業排放水樣品含有10%冷反應性紅M5B染料)。具有表面吸附反應性染料之磁性奈米複合粒子在80℃烘箱中乾燥12小時。染料吸附的第二循環係使用具有先前吸附反應性染料在表面的乾燥磁性奈米複合粒子進行。於另一組實驗，製備具有表面吸附反應性染料的HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子，其於UV輻射曝露下接受表面清潔處理，使用具有不同Pt/Ti莫耳比1-10%變化範圍內之Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2。於表面清潔處理期間，0.3g具有表面吸附反應性染料的HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子懸浮在100毫升的水溶液中，於連續頂置式攪拌下於25℃攪拌10分鐘。接著，添加0.3g(50wt.%懸浮固體粒子的總量)的非磁性Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒，於連續頂置式攪拌下於25℃攪拌10分鐘。所得懸浮液音波處理10min，及然後於UV輻射曝露下使用頂置式攪拌器攪拌5小時。因為Pt沉積，在磁性奈米複合粒子內的HTN並不貼附至(或錨定至)奈米結晶銳鈦礦型TiO2粒子。表面清潔的磁性奈米複合粒子與非磁性Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒之混合物係一起使用3000rpm離心操作分離，及使用100ml蒸餾水多次洗滌1小時，直到濾液pH保持不變或中性。表面清潔的磁性奈米複合粒子係使用一外部磁場自Pt沉積的非磁性奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒分離。經分離的粉末係在80℃烘箱中乾燥12小時。然後，表面清潔的磁性奈米複合粒子係回收用於在黑暗條件下 進行之染料吸附的下一循環。每一染料吸收實驗後，留在溶液中的反應性染料的量係經由UV可見吸收光譜計監測。
如觀察用於HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子，在不同條件下進行的染料吸附實驗之後所得UV可見吸附強度的變化係呈現於圖26(b)。冷反應性染料紅M5B展示特徵吸收波峰位於大約500nm。監測此波峰的強度變化，以判斷於染料吸附實驗後留在水溶液中染料的相關濃度。吸收度波峰之強度係高於起始染料溶液。然而，HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子之強度於染料吸附之第1循環期間顯著降低。然而，當具有先前吸附染料的HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子用於染料吸附之第2循環，注意到無顯著染料吸附在表面。此強烈說明染料吸附之第1循環後，需要表面清潔處理以分解先前吸附的染料。因此，表面清潔處理係使用具有1-10%範圍改變之Pt/Ti莫耳比的Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2及UV輻射曝露之組合進行。可觀察到，染料吸附之第2循環係相當地增加接著表面清潔處理。更注意到，具有Pt/Ti莫耳比10%之Pt沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2於表面清潔期間展示最好的表現。此已被歸因於HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合粒子與奈米結晶銳鈦礦型TiO2光觸媒粒子之間的交互作用之顯著地降低(即，最小化兩者之間的離子交換機制操作)及由於Pt的光誘發電子捕捉效應之輻射曝露下產生的OH‧增大的濃度。純奈米結晶銳鈦礦型TiO2對於表面清潔處理及於第2循環期間增加染料吸附係無效的；因此，它未包含於圖26(b)用於釐清。明顯地，其他貴金屬諸如Au、Pd、Ag及其他也可代替Pt而產生作用。
(實施例12)
於此實施例，用於處理HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子的不同參數值與那些在實施例1中描述者相同，除了以下的改變。SnCl2的起始濃度係改變至20g‧l-1。純-HTN係以已在實施例9中說明的方法處理的HTN-γ-Fe2O3(10wt.%)磁性奈米複合物代替。因此，最終HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)。
使用含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)的磁性HTN-γ-Fe2O3-飛灰複合粒子所得的TEM影像及EDX光譜係呈現在圖27(a)及圖27(b)。圖27(a)與圖4(b)之比較，說明飛灰粒子表面上之額外存在的磁性γ-Fe2O3-奈米粒子，其係經由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換製程事先錨定至HTN。此更由顯示在所得飛灰表面上的Ti和Fe的相關強度增加之EDX分析支持(與圖(3a)比較之後)。磁性γ-Fe2O3-奈米粒子提供磁性；同時，HTN提供增大的染料吸附容量至複合粒子。因此，飛灰基磁性染料吸附劑複合物成功地展示在此實施例。
垂直保持的磁鐵(M)在所得飛灰粒子與含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)的磁性HTN-γ-Fe2O3-飛灰複合粒子之效果係比較於圖28。如箭頭所示，磁性HTN-γ-Fe2O3-飛灰複合粒子強烈貼附至垂直保持的磁鐵，圖28(b)，相對於由圖28(a)所示之所得飛灰粒子展示者。此強烈說明含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)的HTN-γ-Fe2O3-飛灰複合粒子能自水溶液，使用有用於染料去除應用之外部磁場分離。由於少量Fe2O3存在其結構中，所得飛灰粒子可能也擁有非常弱的磁性，其無論如何不足於強到可以使用外部磁場自水溶液分離它們。
然後，所得飛灰粒子與含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)的HTN-γ-Fe2O3-飛灰複合粒子係使用於如早先實施例2中說明的黑暗條件下進行的MB染料吸附實驗，除了MB染料的起始濃度7.5μM係使用於此實施例。用於所得飛灰粒子與含有大約1wt.% γ-Fe2O3及大約8wt.% HTN(其餘為Sn2+致敏飛灰粒子的重量)的HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子之表面吸附MB染料的正常化濃度與接觸時間之函數的變化係呈現及比較於圖29(a)。相對於由所得飛灰粒子展示的平衡MB染料吸附，可看出平衡時MB染料吸附量會增加，因為事先使用Sn2+陽離子表面致敏的飛灰粒子表面上之HTN的錨定。在染料吸附製程後，HTN-γ-Fe2O3-飛灰磁性複合粒子能使用一外部磁場自處理的水溶液中分離，圖29(b)。
因此，使用磁性分離能力，具有增大染料吸附容量之磁性飛灰基複合粒子的處理，藉由一創新方法係成功展示於此實施例。明顯地，磁性飛灰基複合粒子能在染料去除應用中回收，使用如實施例11中所展示的相似於用於回收半導體氧化物奈米管-金屬氧化物磁性奈米複合粒子之技巧。
(實施例13)
於此實施例，HTN-SnO複合粒子係經由涉及在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制之創新方法合成。如實施例1所展示，Sn2+陽離子能使用作為所得飛灰粒子之表面致敏劑，以錨定HTN至它們的表面。由於SnO係Sn2+陽離子的氧化物，表面致敏步驟係非必要及可消除，以藉由在水溶液中、黑暗條件下操作的離子交換機制，錨定HTN至SnO的表面。
為了展示此情況，0.9g的SnO粒子(Sigma-Aldrich Chemicals,Bangalore,印度)分散在100ml蒸餾水中，於連續頂置式攪拌下於25℃攪拌10分 鐘。0.1g水熱處理的HTN然後加入至以上懸浮液，於連續頂置式攪拌下於25℃攪拌10分鐘。所得懸浮液音波處理10分鐘，及然後於黑暗條件下使用頂置式攪拌器連續攪拌1小時。因而形成的奈奈米結合(10wt.%)HTN-SnO複合粒子使用3000rpm離心操作自水溶液分離，使用100ml蒸餾水多次洗滌1小時，直到濾液的pH保持不變或中性，再次經由離心自水溶液分離，及然後在80℃乾燥12小時以得到(10wt.%)HTN-SnO複合粒子。
經由在水溶液中、黑暗條件下操作之離子交換機制處理的(10wt.%)HTN-SnO複合粒子之TEM影像及EDX分析係分別呈現在圖30(a)及30(b)。對應的SAED圖案顯示如圖30(a)中之插入物。HTN於較短管邊緣(管開口)錨定至SnO粒子的表面係清楚可見的。因此，不用涉及表面致敏步驟之經由在水溶液中、黑暗條件下操作之離子交換機制處理的(10wt.%)HTN-SnO複合粒子之形成係成功展示。
(本發明之優點)
1.本發明提供創新半導體氧化物奈米管基複合產品(磁性或非磁性兩者)。
2.本發明提供用於處理半導體氧化物奈米管基複合產品(磁性或非磁性兩者)之創新方法。
3.本發明提供創新半導體氧化物奈米管基複合產品(磁性或非磁性兩者)之新的工業應用，通常是工業上自水溶液中去除染料。
4.本發明提供增加飛灰之比表面積之創新方法，而不會影響其球型。
5.本發明提供回收使用於工業上去除染料之應用的半導體氧化物奈米管基複合產品(磁性或非磁性兩者)之創新方法。
6.本發明提供用於解決有關不具或具有表面吸附陽離子的飛灰之處理、處置及回收議題之創新的解決之道。

Claims (12)

  1. 一種複合粒子，包含：(i)0.3-100μm直徑範圍的金屬陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子，其中該金屬陽離子(Mn+)係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、及Ti4+所組成的族群；及(ii)沉積在金屬陽離子或質子致敏的飛灰粒子表面的半導體氧化物奈米管。
  2. 如請求項1之複合粒子，其中該奈米管係在1-15wt.%範圍、金屬陽離子(Mn+)或質子係在1-80wt.%範圍，及其餘為飛灰的重量。
  3. 如請求項1之複合粒子，其中該飛灰係由二氧化矽(SiO2，50-85wt.%)、氧化鋁(Al2O3，5-20wt.%)、氧化鐵(Fe2O3，5-15wt.%)及微量選自鈣、鈦、鎂的其他元素氧化物，及選自砷、鉛和鈷的有毒重金屬所組成。。
  4. 如請求項1之複合粒子，其中該半導體氧化物奈米管係選自由水熱處理的氫鈦酸鹽(HTN、H2Ti3O7或纖鐵礦型)、銳鈦礦型二氧化鈦(ATN)及摻雜銀的ATN的族群。
  5. 如請求項1之複合粒子，其中該半導體氧化物奈米管係以短邊緣(管開口)選擇性地貼附至磁性金屬氧化物奈米粒子，及/或表面沉積有選自由γ-Fe2O3、Fe3O4、CoFe2O4、NiFe2O4、MnFe2O4、鈷、鐵及鎳所組成的族群的磁性金屬氧化物奈米粒子。
  6. 一種製備請求項1之複合粒子的方法，該方法包含以下步驟：(a)溶解一金屬鹽(1-70g‧l-1)於水中，使用0.1-1M HCl溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，調整具有起始溶液的pH為1-2，接著懸 浮飛灰粒子(1-25g‧l-1)進入起始溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，獲得金屬陽離子(Mn+)致敏的飛灰粒子之懸浮液，其中所使用的金屬鹽係選自由Sn2+/Sn4+、Fe2+/Fe3+、Pb2+、Zn2+、Cu2+、Mn2+、Ti4+之氯化物、硝酸鹽、硫酸鹽所組成的族群；(b)選擇性地，懸浮飛灰粒子(1-25g‧l-1)於20-250毫升的水中，使用0.1-1M HCl溶液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌30-300分鐘，調整具有起始溶液的pH為1-2，獲得質子致敏的飛灰粒子；(c)添加水熱處理的半導體氧化物奈米管(0.1-5g‧l-1)至如步驟(a)或步驟(b)中獲得的陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子的懸浮液，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘。(d)在20-30℃之間的溫度範圍，連續攪拌步驟(c)中獲得的該懸浮液30-300分鐘，獲得半導體氧化物奈米管及陽離子(Mn+)或質子致敏的飛灰粒子的複合物；及(e)使用每分鐘2000-4000轉的離心操作或外部磁場，分離步驟(d)獲得的複合粒子，接著使用水多次洗滌該複合粒子30分鐘-2小時直到濾液的pH保持不變或中性，接著將複合粒子分離及在烘箱於70-90℃乾燥10-15小時。
  7. 一種奈米複合粒子，包含：(i)5-70wt.%範圍之金屬氧化物奈米粒子；及(ii)30-95wt.%範圍之半導體氧化物奈米管係以短邊緣(管開口)貼附至金屬氧化物奈米粒子的表面。
  8. 如請求項7之奈米複合粒子，其中該金屬氧化物奈米粒子係選自由γ-Fe2O3(磁性的)、Fe3O4(磁性的)、SnO/SnO2、PbO、ZnO、CuO、MnO及TiO2。
  9. 如請求項7之奈米複合粒子，其中該半導體氧化物奈米管係選自由水熱處理的氫鈦酸鹽(HTN、H2Ti3O7或纖鐵礦型)及銳鈦礦型二氧化鈦(ATN)的族群。
  10. 一種製備請求項7之奈米複合粒子的方法，該方法包含以下步驟：(a)分散0.5-10g‧l-1金屬氧化物奈米粒子於水中，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌5-30分鐘，具有pH為6.5-7.5的中性溶液；(b)添加0.1-5g‧l-1水熱處理的半導體氧化物奈米管於步驟(a)中獲得的懸浮液，在20-30℃的溫度範圍，連續攪拌5-30分鐘，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘，接著於黑暗條件下連續攪拌該懸浮液1-10小時，以獲得半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子；(c)使用每分鐘2000-4000轉的離心操作或外部磁場，分離半導體氧化物奈米管-金屬氧化物奈米複合粒子，接著使用水多次洗滌該複合粒子30分鐘-2小時，直到濾液的pH保持不變或中性，接著將奈米複合粒子分離及在烘箱於70-90℃乾燥10-15小時。
  11. 如請求項1之複合粒子及請求項7之奈米複合粒子係有用於涉及經由表面吸附機制，在黑暗條件下操作，在自水溶液和工業排放水去除染料之應用。
  12. 一種通過表面吸附機制在黑暗中操作，自水溶液有機合成染料吸附之後，用於表面清潔及回收請求項1之複合粒子及請求項7之奈米複合粒子的方法，該方法包含以下步驟：(a)懸浮1-30g‧l-1具有表面吸附有機合成染料0.1-3mg‧g-1的複合粒子/奈米複合粒子在水中，在溫度範圍20-30℃之間，連續攪拌介於5-30分鐘範圍的一段期間；(b)連續攪拌下，懸浮選自奈米結晶銳鈦礦型TiO2塗佈的SiO2/γ-Fe2O3磁性光觸媒或貴金屬沉積的奈米結晶銳鈦礦型TiO2的族群的光觸媒(10-60wt.%懸浮固體粒子總重)在步驟(a)所得之懸浮液，接著音波處理該懸浮液5-30分鐘，後續連續攪拌該懸浮液，曝露於UV光或太陽輻射1-10小時；(c)於2000-4000rpm下離心該溶液以一起分離複合粒子/奈米複合粒子及光觸媒，接著使用水多次洗滌30分鐘至2小時，直至濾液的pH保持不變或中性；(d)使用外部磁場，自表面清潔的複合粒子/奈米複合粒子分離光觸媒粒子；及(e)使光觸媒粒子及複合粒子/奈米複合粒子在70-90℃的烘箱乾燥10-15小時，用於再使用。
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