TWI541373B - 成膜方法及藉由該方法所得之層積體 - Google Patents

Description

成膜方法及藉由該方法所得之層積體

本發明係關於成膜方法，特別是關於可以在長尺寸的基體的雙面進行真空成膜的雙面真空成膜方法，及藉由該方法所得到的層積體。

真空蒸鍍法、濺鍍法、離子佈植法等各種成膜方法已被開發出。藉由這些成膜方法所得到的層積體，被廣泛利用於例如液晶顯示器或有機EL顯示器等顯示裝置、半導體裝置等之製造。層積體，可以做為這些顯示裝置或半導體裝置等的保護膜，或光學膜、防反射膜等各種機能性膜來利用。

近年來，液晶電視、或行動電話，電視遊戲機等，使用這些機能性膜的各種裝置的需求急速地擴大。伴隨著需求的擴大，在短時間內大量生產機能性膜的技術開發成為當務之急。為了因應這樣的要求，開發出了卷對卷(roll-to-roll)技術。卷對卷技術，是藉由使被捲繞為卷狀的長尺寸基體在卷間搬送，使連續成膜成為可能，而謀求作業的效率化。

利用卷對卷技術之成膜方法之一例，揭示於日本特許第4415584號(專利文獻1)。在此成膜方法，於2個卷間設有1個旋轉鼓筒，對於搬運基板的1個旋轉鼓筒可以根據複數之靶來連續成膜，謀求了作業的效率化。

在日本特開2010-236076號(專利文獻2)或特開平07-098854號(專利文獻3)，揭示了利用此卷對卷技術，特別是可以於雙面進行成膜的成膜方法。為了使雙面成膜成為可能，在此，使用2個旋轉鼓筒與被配置於其間的1個捲取輥，對由送出輥送出的卷，通過互為相反方向旋轉中的2個旋轉鼓筒進行成膜之後，以捲取輥進行捲取。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特許第4415584號公報

[專利文獻2]日本特開2010-236076號公報

[專利文獻3]日本特開平07-098854號公報

機能性膜所要求的層構成，隨著適用這些機能膜的裝置等而互異，此外，也隨著機能性膜所要求的性能等而有所不同。因此，使用單純的裝置構成，例如使雙面被施以真空成膜的層構成，能夠有效率地而且廉價的製造之成膜方法的開發是被期待的。

然而，在專利文獻2或專利文獻3等所揭示的技術，即使可以進行雙面成膜，在進行雙面成膜時，對於脫氣處理，或是退火處理、成膜處理等各種處理具體是如何實施的則是尚未明朗，此外，其還不是可以使這些處理，因應 於多種多樣的層積體構造而柔軟可變地實施之裝置構成。因此，例如在進行成膜之後，會有無法充分進行加熱處理等，產生被成膜之膜材料無法完全結晶化的問題發生的可能。

此外，在這些從前的裝置，靶係對旋轉鼓筒隔著特定的距離被固定，為了要對藉由這些陰極電極支撐的靶等進行維修必須要中斷成膜作業，結果，還有作業效率惡化的問題等。

本發明係為了解決這些從前技術的問題點，目的在於提供於卷對卷技術之下，藉由使用單純的裝置構成，在適當的位置施以適宜的加熱處理等，而特別是謀求雙面真空成膜的最佳化，使雙面被施以真空成膜的層積體，可以有效率而且廉價地製造之成膜方法。

此外，目的在於提供例如使有必要維修的陰極電極，可以繼續必要的成膜作業同時由特定的成膜室取除，可以謀求成膜作業的效率化之成膜方法。

達成前述目的之本發明，提供於長尺寸的基體連續進行真空成膜的方法，特徵為具有：a)使被捲繞為卷狀的長尺寸的基體以第1面為被成膜面由第1卷室朝向第2卷室的第1方向上由前述第1卷室送出的階段，b)使在前述第1方向被送出的前述基體進行脫氣的階段，c)在進行了前述脫氣的前述基體的第1面上於第2成膜室成膜第 2膜材料之階段，d)使被成膜前述第2膜材料的前述基體，在前述第2卷室捲取為卷狀的階段，e)使在前述第2卷室捲取的前述基體由前述第2卷室朝向前述第1卷室的第2方向上由前述第2卷室送出的階段，f)在被成膜於前述第2方向上送出的前述基體的前述第1面上的第2膜材料上於第1成膜室成膜第1膜材料的階段，g)於前述基體的前述第1面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料的前述基體在前述第1卷室捲取為卷狀的階段，h)使在前述第1卷室捲取的前述基體以與前述第1面相反側的第2面為被成膜面而於前述第1方向由前述第1卷室送出的階段，i)使於前述第1方向送出的前述基體進行脫氣的階段，j)被進行前述脫氣的前述基體的前述第2面上於前述第2成膜室成膜前述第2膜材料的階段，k)使被成膜前述第2膜材料的前述基體在前述第2卷室捲取為卷狀的階段，l)使在前述第2卷室捲取的前述基體於前述第2方向由前述第2卷室送出的階段，m)在前述第2方向上送出的前述基體的前述第2面上成膜的第2膜材料之上於前述第1成膜室成膜前述第1膜材料的階段，n)使在前述基體的前述第1面與前述第2面雙方於前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料的前述基體在前述第1卷室捲取為卷狀的階段。根據此構成，能夠以1個裝置，效率佳地得到在前述基體的前述第1面與前述第2面分別被依序層積前述第2膜材料與前述第1膜材料的層積體。又，前述第1膜材料，亦可為銅或銅合金，或者銀或銀 合金那樣的金屬，前述第2膜材料亦可為透明電極。

此外，於前述成膜方法，可以使前述第2面作為被成膜面而在使前述基體在前述第1方向由前述第1卷室送出時，使用設在前述第1卷室及前述第1卷室相鄰之室之間的裝填閉鎖機構，使前述基體的一部分被連通於前述裝填閉鎖機構且在遮蔽前述第1卷室及前述相鄰之室之間的狀態下，在前述第1卷室將前述基體的前述第2面作為被成膜面而進行設置(setting)。藉此，可以在前述作業中，使第1卷室以外之室全部保持於真空。

此外，於前述成膜方法，在由前述第1卷室送出後且在前述第2膜材料被成膜之前，對前述基體進行電漿處理亦可，此外在由前述第2卷室送出之後且在前述第1膜材料被成膜之前，對於前述基體進行電漿處理亦可。藉此，可以謀求電漿處理之強化。

進而，於前述成膜方法，在由前述第1卷室送出後且在前述第2膜材料被成膜之前，使前述基體在加熱室脫氣亦可，此外在由前述第2卷室送出之後且在前述第1膜材料被成膜之前，使前述基體以加熱室進行脫氣亦可。進而，在前述第1成膜室，可以使在前述第1方向導引中的前述基體脫氣，此外，也可以使前述第2方向上導引中的前述基體進行脫氣。藉此，可以謀求脫氣處理之強化。

此外，於前述成膜方法，於前述第1方向被送出的前述基體於前述第2成膜室成膜前述第2膜材料時，可以把前述第1成膜室的第1陰極電極由前述第1成膜室取除， 此外，在被成膜於在前述第2方向被送出的前述基體的前述第2膜材料之上於前述第1成膜室成膜前述第1膜材料時，可以由前述第2成膜室取除前述第2成膜室的第2陰極電極。根據此構成，可以在第1及第2成膜室之一方，進行膜材料的靶的維修作業，同時在第1及第2成膜室的另一方，繼續進行成膜作業，所以可提高生產效率。

此外，於前述成膜方法，對在前述基體的前述第1面被成膜前述第2膜材料之後被層積前述第1膜材料之前，或者於在前述第2面被成膜前述第2膜材料之後被層積前述第1膜材料之前，對前述基體施以退火處理亦可。進而，於前述基體的前述第1面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料之後，或者於前述第2面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料之後，對前述基體施以退火處理亦可。

藉此，可以謀求退火處理之強化。

根據本發明，提供使用單純的裝置構成，使雙面被施以真空成膜的層構成，能夠有效率地而且廉價的製造之成膜方法。

以下，參照附圖說明本發明之一個適切的實施型態。

圖1係顯示可以實施本成膜方法之成膜裝置1之一例 。於此成膜裝置1，例如包含可以收容被捲為卷狀的長尺寸基體10之第1卷室W1及第2卷室W2、設於這些第1卷室W1與第2卷室W2之間的第1成膜室41及第2成膜室42、設於第1卷室W1與第1成膜室41之間的第1加熱室31、設於第2成膜室42與第2卷室W2之間的第2加熱室32，設於第1加熱室31與第1成膜室41之間的電漿處理裝置40，進而包括設於第2成膜室42與第2加熱室32之間的電漿處理裝置40’。為了單純化裝置構成，這些要素如圖所示被配置為約略一直線狀亦可。此外，於此裝置，只要包含可以實施本成膜方法的要素即可，包含其他要素亦可。針對此點稍後詳述。

圖1之裝置1，可以使用真空蒸鍍法、濺鍍法、化學氣相成長法(CVD)等任一方法。特別是，根據濺鍍法，可以大面積均勻地濺鍍，此外連續生產性高，安定性良好，可以形成緻密的薄膜。此外，在濺鍍法中，特別根據DC磁控管濺鍍法，可以在靶材表面形成磁場，藉由封入電子，而抑制基體的損傷。這些處理，是在使各室為真空的狀態下進行的。

為了有效保持真空狀態，於裝置1的各室之間設有區隔14。此外，於這些之各區隔14，設有使基體10通過的間隙13。進而，為了有效果地保持作業空間以外之室的真空狀態，亦可設置裝填閉鎖機構13。裝填閉鎖機構係屬廣為人知，所以在此省略說明。

在本方法使用的基體10，例如只要是PET膜等各種 樹脂膜，鋁薄片等各種金屬薄片等，由可成膜的材質來構成即可，其材質沒有特別限定。但是，基體10，作為全體為長尺寸狀，具有可撓性，可以被捲繞為卷狀者。成膜時，基體10，利用複數排列之導引輥29等，於第1卷室W1與第2卷室W2之間，在由第1卷室W1朝向第2卷室W2的第1方向A，或者在由第2卷室W2朝向第1卷室W1的第2方向B，得以卷對卷方式搬送。

為了將基體10捲繞為卷狀，於第1卷室W1設有第1送出/捲取輥21，於第2卷室W2設有第2送出/捲取輥22。將基體10搬送於第1方向A時，第1送出/捲取輥21進行送出，第2送出/捲取輥22進行捲取。另一方面，將基體10搬送於第2方向B的場合，第2送出/捲取輥22進行送出，第1送出/捲取輥21進行捲取。

在第1及第2加熱室31、32，基體10被加熱，對該基體10施以脫氣處理或退火處理。所得到的效果，隨著設置其之位置或裝置的使用態樣而有所不同。例如，根據設在第1卷室W1與第1成膜室41之間的加熱室31的話，於第1成膜室41之成膜前加熱基體10，可以使該基體10進行脫氣。於真空處理時等，會由基體10產生水分，這水分對於被成膜的膜的組成會造成很大的影響。藉由在前述位置設加熱室31，可以除去水分，減低影響。

此外，藉由在第2成膜室42與第2卷室W2之間設置第2加熱室32，例如，可以於第2成膜室42加熱進行成膜的基體10，藉此，對成膜於基體10的膜材料施以退 火處理，可以成為使膜的原子排列規則性排列之結晶粒。進而，因應必要，例如，亦可在第1成膜室41與第2成膜室42之間設加熱室。但是，加熱室並非必要，例如，利用後述之成膜室的旋轉滾筒之加熱機能等，不設加熱室也可以得到同樣的效果。

電漿處理裝置40、40’，使用於電漿處理基體10之用。藉由施以電漿處理，活化基體10的表面，此外，可以進行清潔，藉此，可以使之後的成膜更有效果地進行。與加熱室同樣，設置電漿處理裝置的位置沒有特別限定。例如，利用設在第1加熱室31與第1成膜室41之間的電漿處理裝置40的話，可以在第1成膜室41之成膜前對基體10進行電漿處理。此外，利用設在第2成膜室42與第2加熱室32之間的電漿處理裝置40’，可以在第2加熱室32之退火等之前，對基體10進行電漿處理。進而，因應必要，例如，亦可在第1成膜室41與第2成膜室42之間設電漿處理裝置。但是，電漿處理裝置不一定是必要的。

成膜室至少設有2個即已足夠。但是設置追加的成膜室亦可。設置追加的成膜室的位置，只要是在第1卷室W1與第2卷室W2之間即可，沒有特別限定，例如，亦可在第1加熱室31與第1成膜室41之間。進而，在這些成膜室成膜的膜材料也沒有特別限定，例如亦可為銅或銅合金，或者，銀或銀合金這樣的金屬或透明導電膜。作為銀合金，例如亦可為在銀(Ag)加入鈀(Pd)與銅(Cu)之被稱為APC(Ag-Pd-Cu)的合金。在此場合，作為 APC的主成分，銀含有90原子百分比以上亦可。

第1成膜室41，具備第1旋轉滾筒51與第1陰極電極61。第1旋轉滾筒51，使基體10能夠以搬送於第1方向A或第2方向B的方式自由旋轉，基體10，經過這些的周圍，被搬送於第1方向A或第2方向B。進而，第1旋轉滾筒51，亦可為具有加熱基體10的機能者。藉由第1旋轉滾筒10的加熱機能所得到的效果，應該與加熱室相同。亦即，藉由第1旋轉滾筒51可以替代加熱室的加熱機能，相反地，藉由加熱室的加熱機能也可以替代第1旋轉滾筒51之加熱機能。

第1陰極電極61，係對第1旋轉滾筒51設置複數個。這些複數之第1陰極電極61，分別在支撐成膜特定的膜材料之用的靶材的狀態下，對第1旋轉滾筒51以可動狀態被配置的。應該成膜的膜材料，可以隨著裝置的使用態樣而自由地選擇。例如，基體10，在第1方向A通過第1旋轉滾筒51的周圍時，亦可作為第1膜材料等。膜材料，可以隨著裝置的使用態樣而自由地變更。利用第1陰極電極61，使基體10通過第1旋轉滾筒51的周圍之間，在基體10成膜第1膜材料或第3膜材料等，特定的膜材料。

第2成膜室42，具有與第1成膜室41相同或類似的構成及機能，至少具備第2旋轉滾筒52與第2陰極電極62。第2旋轉滾筒52，經其周圍，可以使基體10連續地搬送於第1方向A及第2方向B，此外也可以加熱基體 10。於第2旋轉滾筒52的周圍，複數之第2陰極電極62，被配置為對向於第2旋轉滾筒52，第2陰極電極62之膜材料也與第1陰極電極61同樣，可以自由選擇。例如，基體10，在第1方向A通過第2旋轉滾筒52的周圍時，亦可作為第2膜材料，基體10在第2方向B通過第2旋轉滾筒52的周圍時，亦可作為第4膜材料等。這些第2膜材料與第4膜材料，可以隨著裝置的使用態樣而自由地變更。利用第2陰極電極62，使基體10通過第2旋轉滾筒52的周圍之間，於基體10上成膜特定的膜材料。

又，第1旋轉滾筒51或第2旋轉滾筒52之加熱處理與成膜處理，為相互獨立的機能。從而，例如可以在第1成膜室41僅進行加熱處理，在第2成膜室42僅進行成膜處理。此外，以可以充分進行加熱處理的方式，把第1旋轉滾筒51或第2旋轉滾筒52的直徑設定為比較大，增長搬送時間亦可。

其次，也參照圖2，說明利用成膜裝置1之本成膜方法之一例。在本成膜方法，相同的處理至少反覆2次，但這些各處理之被成膜面被設定為逆向。為了方便，在此將這些處理稱為第1處理、第2處理。圖2之(a)顯示第1處理，進而詳言之，為結束中間步驟之後所得到的層積體，圖2之(b)顯示第2處理，進而詳言之，為結束最終步驟之後所得到的層積體。

於第1處理，基體10，首先把一方之面a(為了方便，在此稱為「第1面」)作為被成膜面，於第1方向A 由第1卷室W1送出。被送出的基體10，使用第1加熱室31或第1成膜室41的第1旋轉滾筒51的加熱機能脫氣。進而，以第1加熱室31脫氣的，或者使用第1成膜室41的第1旋轉滾筒51脫氣中的，基體10的第1面a上，使用第2成膜室42的第2陰極電極62，成膜第2膜材料10-2，其後，在第2卷室W2被暫時捲取。接著，被捲取的基體10，不變更被成膜面，而在連續狀態下，於第2方向B由第2卷室W2送出。其後，在被送出的基體10的第1面a上，使用第1成膜室41的第1陰極電極61，成膜第1膜材料10-1，在第1卷室W1再度被捲取。結果，可得到圖2之(a)所示的層積體，亦即，可得於基體10之上依序被成膜第2膜材料10-2與第1膜材料10-1的層積體。

接著在第2處理，反覆與第1處理相同的處理。但是，在開始此處理之前，必須一度使基體10由第1卷室W1取下，以與第1面a相反側的第2面b成為被成膜面的方式，將基體10重新設置於第1卷室W1。這些作業，藉由設在第1卷室W1及與此第1卷室W1相鄰的第1加熱室31等之間的裝填閉鎖(load-lock)機構13，使基體10的一部分連通至裝填閉鎖機構13而在遮蔽第1卷室W1與第1加熱室31之間的狀態下進行。藉此，可以在前述作業中，使第1卷室W1以外之室全部保持於真空，作業後，沒有必要重新使全體成為真空狀態，可以縮短作業時間，謀求作業的效率化。

把第2面b作為被成膜面設置於第1卷室W1之後，使基體10於第1方向A由第1卷室W1送出，使用第1加熱室31或第1成膜室41的第1旋轉滾筒51的加熱機能進行脫氣。進而，在此被脫氣的基體10的第2面b上，使用第2成膜室42的第2陰極電極62，成膜第2膜材料10-2，其後，在第2卷室W2暫時捲取基體10。接著，把捲取的基體10，不變更被成膜面，而直接在連續狀態下，於第2方向B由第2卷室W2送出。其後，在被送出的基體10的第2面b上，使用第1成膜室41的第1陰極電極61，成膜第1膜材料10-1，在第1卷室W1再度被捲取。

藉由以上的步驟，可得到圖2之(b)所示的層積體，亦即，可得於基體10的第1面a與第2面b分別依序被成膜第2膜材料10-2與第1膜材料10-1的層積體。又，這些膜材料沒有特別限定，例如，作為第1膜材料10-1，使用如銅(Cu)或銅合金，或者銀(Ag)或銀合金(APC等)那樣的金屬，此外，作為第2膜材料10-2，使用ITO那樣的透明導電膜亦可。又，作為第1膜材料10-1使用金屬的場合，會由於此金屬材料，而妨礙第1膜材料10-1之ITO的加熱。亦即，在此場合，特別是最好在第2加熱室32或與第2成膜室42之加熱處理，換句話說，在第2膜材料10-2被成膜之後，第1膜材料10-1被層積之前，對基體10施以退火處理為佳。藉由這些的加熱室，適度地加熱ITO，可以適當地調整結晶狀態，在 最佳狀態下得到非晶質ITO，或者結晶ITO。又，在以上的實施型態，說明了於基體10的雙面製造層積體的方法，但當然也可以於雙面或者單面，甚至是反覆進行成膜處理。

其次，參照圖3，說明在本成膜方法下可能的陰極電極的配置。圖3之(a)係以概略平面圖顯示於第1方向A被成膜基體10時可能的第1成膜室41的第1陰極電極61及第2成膜室42的第2陰極電極62的配置的狀態，圖3之(b)係以概略平面圖顯示於第2方向B被成膜基體10時可能的第1成膜室41的第1陰極電極61及第2成膜室42的第2陰極電極62的配置的狀態。

可知，於第2成膜室42成膜第2膜材料10-2時，在第1成膜室41，只要根據第1成膜室41的第1旋轉滾筒51進行加熱處理(脫氣)即已充分，沒有進行使用第1陰極電極61之成膜處理的必要。亦即，如圖3之(a)所示，藉由使支撐第1陰極電極61的本體60移動等，可以在由第1成膜室41取除第1成膜室41的第1陰極電極61的狀態下進行脫氣等。結果，對於由第1成膜室41取除的第1陰極電極61，可以進行交換等維修，在這樣的維修作業中，也可以於第2成膜室42繼續進行成膜，藉此，可以提高基體10的生產效率。又，藉由從第1成膜室41取除第1陰極電極61而於第1成膜室41產生的開口，若是必要，可以利用暫時蓋等來封閉。

同樣地，於第1成膜室41成膜第1膜材料10-1時， 在第2成膜室42，只要根據第2成膜室42的第2旋轉滾筒52進行加熱處理(脫氣)即已充分，沒有進行使用第2陰極電極62之成膜處理的必要。亦即，如圖3之(b)所示，可以在由第2成膜室42取除第2成膜室42的第2陰極電極62的狀態下進行脫氣等。結果，對於由第2成膜室42取除的第2陰極電極62，可以進行交換等維修，在這樣的維修作業中，也可以於第1成膜室41繼續進行成膜，可以得到與前面同樣的效果。又，如前面所說明的，藉由從第2成膜室42取除第2陰極電極62而於第2成膜室42產生的開口，若是必要，可以利用暫時蓋等來封閉。

又，於本成膜方法，例如使用設於第1加熱室31與第1成膜室41之間的電漿處理裝置40，或是設於第1成膜室41與第2成膜室42之間的電漿處理裝置(未圖示)，在由第1卷室W1送出之後且於第2成膜室42被成膜第2膜材料10-2之前，可以對基體10進行電漿處理。此外，例如使用設於第2成膜室42與第2加熱室32之間的電漿處理裝置40’，或者設於第2成膜室42與第1成膜室41之間的電漿處理裝置(未圖示)，在由第2卷室W2送出之後且於第1成膜室41被成膜第1膜材料10-1之前，亦可對基體10進行電漿處理。藉由施以這樣的電漿處理，可以更有效果地進行其後的成膜。

此外，例如，使用設於第1卷室W1與第1成膜室41之間的第1加熱室31，或者設於第1成膜室41與第2成 膜室42之間的加熱室(未圖示)，進而，使用根據第1成膜室41的第1旋轉滾筒51之加熱機能，在由第1卷室W1送出之後，於第2成膜室42被成膜第2膜材料10-2之前，將基體10進行脫氣亦可。此外，例如，使用設於第2成膜室42與第2卷室W2之間的第2加熱室32，或者設於第1成膜室41與第2成膜室42之間的加熱室(未圖示)，使用根據第2成膜室42的第2旋轉滾筒52之加熱機能，在由第2卷室W2送出之後，於第1成膜室41被成膜第1膜材料10-1之前，將基體10進行脫氣亦可。

進而，例如，亦可使用設於第2成膜室42與第2卷室W2之間的第2加熱室32，於在基體10的第1面a，被成膜第2膜材料10-2之後且被層積第1膜材料10-1之前，或者於基體10的第2面b，被成膜第2膜材料10-2之後且被層積第1膜材料10-1之前，對基體10施以退火處理亦可。同樣地，例如，亦可使用設於第1卷室W1與第1成膜室41之間的第1加熱室31，於基體10的第1面a於第2膜材料10-2之上被層積第1膜材料10-1之後，或者於第2面b於第2膜材料10-2之上被層積第1膜材料10-1之後，對基體10施以退火處理亦可。

圖4係顯示可以實施本成膜方法之其他裝置構成2。與圖1相同的要素賦予與圖4相同的參照編號。構成裝置1的要素，只要以可實施本成膜方法的方式配置即可，沒有必要採圖1的構成，例如採用圖4的構成亦可。

於成膜裝置2，例如，除了圖1所示的成膜裝置1的 第1卷室W1或第2卷室W2以外，進而還包含第3卷室W3，在加熱室31與第1成膜室41之間追加的電漿處理裝置40’，第3卷室W3與第2成膜室42之間的裝填閉鎖13’，進而包含供進行基體10的路徑變更之用的切換輥83、83’。但是，裝置的基本構成，亦即，卷室彼此之間成膜室至少設置2個這一點，與成膜裝置1相同，亦即，藉由這樣的構成，可以實施本成膜方法。

為了方便上，把藉由切換輥83’進行切換的搬送路徑稱為第1搬送路徑，對此，藉由切換輥83進行切換的搬送路徑稱為第2搬送路徑。如圖1所示，由第1卷室W1朝向第2卷室W2於第1方向A搬送基體10時，基體10不管這些搬送路徑為何，至少直到到達切換輥83為止沿著相同路徑移動。然而，到達切換輥83後，於第1搬送路徑，如虛線所示，藉由以切換輥83’使其反轉，使由第2卷室W2朝向第1卷室W1沿著第2方向B通過第2成膜室42，另一方面，於第2搬送路徑時，如實線所示，以第1方向A通過第2成膜室42。可知，實施本成膜方法時，使用實線所示的第2搬送路徑。動作的詳細內容，如同以上所說明的。

針對設置2個成膜室之例進行了說明，但在成膜室有3個以上的場合，當然也可得到同樣的效果。此外，如在裝置構成的說明處所述，把加熱室或電漿處理裝置適當地設置在適當的位置上，也可以組入本發明之成膜方法。

本發明，包含被包含於此技術思想之種種變形例。

[產業上利用可能性]

本發明之方法，可以廣泛地利用於各種各類的成膜裝置。

1‧‧‧成膜裝置

10‧‧‧基體

13‧‧‧裝填閉鎖

14‧‧‧隔板

29‧‧‧導引輥

31‧‧‧第1加熱室

32‧‧‧第2加熱室

40‧‧‧電漿處理裝置

41‧‧‧第1成膜室

42‧‧‧第2成膜室

51‧‧‧第1旋轉滾筒

52‧‧‧第2旋轉滾筒

60‧‧‧本體

61‧‧‧第1陰極電極

83‧‧‧切換輥

W1‧‧‧第1卷室

W2‧‧‧第2卷室

W3‧‧‧第3卷室

圖1係顯示可以實施根據本發明之成膜方法之成膜裝置之一例之圖。

圖2係顯示藉由根據本發明的成膜方法而得的層積體的構成例之圖。

圖3係顯示在根據本發明之成膜方法之下可能的陰極電極的配置之圖。

圖4係顯示可以實施本成膜方法之其他裝置構成之圖。

1‧‧‧成膜裝置

10‧‧‧基體

13‧‧‧裝填閉鎖

14‧‧‧隔板

21‧‧‧第1送出/捲取輥

22‧‧‧第2送出/捲取輥

29‧‧‧導引輥

31‧‧‧第1加熱室

32‧‧‧第2加熱室

40‧‧‧電漿處理裝置

40’‧‧‧電漿處理裝置

41‧‧‧第1成膜室

42‧‧‧第2成膜室

51‧‧‧第1旋轉滾筒

52‧‧‧第2旋轉滾筒

61‧‧‧第1陰極電極

62‧‧‧第2陰極電極

W1‧‧‧第1卷室

W2‧‧‧第2卷室

Claims (17)

1. 一種成膜方法，係於長尺寸的基體連續進行真空成膜的方法，其特徵為具有：a)使被捲繞為卷狀的長尺寸的基體以第1面為被成膜面由第1卷室朝向第2卷室的第1方向上由前述第1卷室送出的階段，b)使在前述第1方向被送出的前述基體進行脫氣的階段，c)在進行了前述脫氣的前述基體的第1面上於第2成膜室成膜第2膜材料之階段，d)使被成膜前述第2膜材料的前述基體，在前述第2卷室捲取為卷狀的階段，e)使在前述第2卷室捲取的前述基體由前述第2卷室朝向前述第1卷室的第2方向上由前述第2卷室送出的階段，f)在被成膜於前述第2方向上送出的前述基體的前述第1面上的第2膜材料上於第1成膜室成膜第1膜材料的階段，g)於前述基體的前述第1面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料的前述基體在前述第1卷室捲取為卷狀的階段，h)使在前述第1卷室捲取的前述基體以與前述第1面相反側的第2面為被成膜面而於前述第1方向由前述第1卷室送出的階段， i)使於前述第1方向送出的前述基體進行脫氣的階段，j)被進行前述脫氣的前述基體的前述第2面上於前述第2成膜室成膜前述第2膜材料的階段，k)使被成膜前述第2膜材料的前述基體在前述第2卷室捲取為卷狀的階段，l)使在前述第2卷室捲取的前述基體於前述第2方向由前述第2卷室送出的階段，m)在前述第2方向上送出的前述基體的前述第2面上成膜的第2膜材料之上於前述第1成膜室成膜前述第1膜材料的階段，n)使在前述基體的前述第1面與前述第2面雙方於前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料的前述基體在前述第1卷室捲取為卷狀的階段。
2. 如申請專利範圍第1項之成膜方法，其中使前述第2面作為被成膜面而在使前述基體於前述第1方向由前述第1卷室送出時，使用設在前述第1卷室及前述第1卷室相鄰之室之間的裝填閉鎖機構，使前述基體的一部分被連通於前述裝填閉鎖機構且在遮蔽前述第1卷室及前述相鄰之室之間的狀態下，在前述第1卷室將前述基體的前述第2面作為被成膜面而進行設置(setting)。
3. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中由前述第1卷室送出之後且在被成膜前述第2膜材料之前，對前述基體進行電漿處理。
4. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中由前述第2卷室送出之後且在被成膜前述第1膜材料之前，對前述基體進行電漿處理。
5. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中由前述第1卷室送出之後且在被成膜前述第2膜材料之前，在加熱室將前述基體進行脫氣。
6. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中由前述第2卷室送出之後且在被成膜前述第1膜材料之前，在加熱室將前述基體進行脫氣。
7. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中在前述第1成膜室，使前述第1方向上導引中的前述基體進行脫氣。
8. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中在前述第2成膜室，使前述第2方向上導引中的前述基體進行脫氣。
9. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中在前述第1方向被送出的前述基體於前述第2成膜室成膜前述第2膜材料時，由前述第1成膜室取除前述第1成膜室的第1陰極電極。
10. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中在前述第2方向被送出的前述基體上成膜的前述第2膜材料上於前述第1成膜室成膜前述第1膜材料時，由前述第2成膜室取除前述第2成膜室的第2陰極電極。
11. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中對 在前述基體的前述第1面被成膜前述第2膜材料之後被層積前述第1膜材料之前，或者於在前述第2面被成膜前述第2膜材料之後被層積前述第1膜材料之前，對前述基體施以退火處理。
12. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中於前述基體的前述第1面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料之後，或者於前述第2面在前述第2膜材料之上被層積前述第1膜材料之後，對前述基體施以退火處理。
13. 如申請專利範圍第1或2項之成膜方法，其中前述第1膜材料為金屬，前述第2膜材料為透明導電膜。
14. 如申請專利範圍第13項之成膜方法，其中前述金屬為銅或銅合金，或者銀或銀合金。
15. 一種層積體，其特徵為：係藉由申請專利範圍第1至11項之任一項之成膜方法所得到的，在前述基體的前述第1面與前述第2面分別被依序層積前述第2膜材料與前述第1膜材料。
16. 如申請專利範圍第15項之層積體，其中前述第1膜材料為金屬，前述第2膜材料為透明導電膜。
17. 如申請專利範圍第16項之層積體，其中前述金屬為銅或銅合金，或者銀或銀合金。