JP2013049914A - 両面真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 - Google Patents
両面真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013049914A JP2013049914A JP2012156279A JP2012156279A JP2013049914A JP 2013049914 A JP2013049914 A JP 2013049914A JP 2012156279 A JP2012156279 A JP 2012156279A JP 2012156279 A JP2012156279 A JP 2012156279A JP 2013049914 A JP2013049914 A JP 2013049914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- film
- substrate
- roll
- film material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims abstract description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 82
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 118
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 60
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 7
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 262
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】ロール状に巻かれた長尺の基体を第1の面を被成膜面として第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に第1ロール室から繰り出し、第1の方向に繰り出された基体を脱ガスし、基体の第1の面に第2成膜室において第2の膜材料を成膜し、第2の膜材料が成膜された基体を第2ロール室でロール状に巻取り、第2ロール室から第1ロール室へ向う第2の方向に第2ロール室から繰り出し、第2の膜材料の上に第1成膜室において第1の膜材料を成膜し、第2の膜材料の上に第1の膜材料が積層された基体を第1ロール室でロール状に巻取り、第1ロール室で巻き取った基体を第1の面とは反対側の第2の面を被成膜面として、上記全ての処理を繰り返す。
【選択図】図1
Description
図1に、本成膜方法を実施することができる成膜装置1の一例を示す。この成膜装置1には、例えば、ロール状に巻かれた長尺の基体10を収容することができる第1ロール室W1及び第2ロール室W2と、これら第1ロール室W1と第2ロール室W2の間に設けた第1成膜室41及び第2成膜室42、第1ロール室W1と第1成膜室41の間に設けた第1加熱室31、第2成膜室42と第2ロール室W2の間に設けた第2加熱室32、第1加熱室31と第1成膜室41の間に設けたプラズマ処理装置40、更に、第2成膜室42と第2加熱室32の間に設けたプラズマ処理装置40’が含まれる。装置構成を単純化するため、これらの要素は図示のように略一直線状に配置されていてもよい。また、この装置には、本成膜方法を実施することができる要素が含まれていれば足り、他の要素が含まれていてもよい。この点については更に後述する。
本発明は、その技術的思想に包含される、これら種々の変形例を含む。
10 基体
13 ロードロック
14 仕切り
29 ガイドロール
31 加熱室
40 プラズマ処理装置
41 第1成膜室
42 第2成膜室
51 第1回転ドラム
52 第2回転ドラム
60 本体
61 第1カソード電極
83 切替ロール
W1 第1ロール室
W2 第2ロール室
W3 第3ロール室
Claims (17)
- 長尺の基体に連続的に真空成膜を行う方法であって、
a) ロール状に巻かれた長尺の基体を第1の面を被成膜面として第1ロール室から第2ロール室へ向う第1の方向に前記第1ロール室から繰り出す段階、
b) 前記第1の方向に繰り出された前記基体を脱ガスする段階、
c) 前記脱ガスされた前記基体の前記第1の面に第2成膜室において第2の膜材料を成膜する段階、
d) 前記第2の膜材料が成膜された前記基体を前記第2ロール室でロール状に巻取る段階、
e) 前記第2ロール室で巻き取った前記基体を前記第2ロール室から前記第1ロール室へ向う第2の方向に前記第2ロール室から繰り出す段階、
f) 前記第2の方向に繰り出された前記基体の前記第1の面に成膜された第2の膜材料の上に第1成膜室において第1の膜材料を成膜する段階、
g) 前記基体の前記第1の面において前記第2の膜材料の上に前記第1の膜材料が積層された前記基体を前記第1ロール室でロール状に巻取る段階、
h) 前記第1ロール室で巻き取った前記基体を前記第1の面とは反対側の第2の面を被成膜面として前記第1の方向に前記第1ロール室から繰り出す段階、
i) 前記第1の方向に繰り出された前記基体を脱ガスする段階、
j) 前記脱ガスされた前記基体の前記第2の面に前記第2成膜室において前記第2の膜材料を成膜する段階、
k) 前記第2の膜材料が成膜された前記基体を前記第2ロール室でロール状に巻取る段階、
l) 前記第2ロール室で巻き取った前記基体を前記第2の方向に前記第2ロール室から繰り出す段階、
m) 前記第2の方向に繰り出された前記基体の前記第2の面に成膜された第2の膜材料の上に前記第1成膜室において前記第1の膜材料を成膜する段階、
n) 前記基体の前記第1の面と前記第2の面の双方において前記第2の膜材料の上に前記第1の膜材料が積層された前記基体を前記第1ロール室でロール状に巻取る段階、
を備えることを特徴とする成膜方法。 - 前記基体を前記第2の面を被成膜面として前記第1の方向に前記第1ロール室から繰り出すにあたり、前記第1ロール室と前記第1ロール室と相隣り合う室との間に設けたロードロック機構を用いて、前記基体の一部を前記ロードロック機構に連通させつつ前記第1ロール室と前記相隣り合う室との間を遮蔽した状態で、前記第1ロール室にて前記基体の前記第2の面を被成膜面としてセットする請求項1に記載の成膜方法。
- 前記第1ロール室から繰り出された後であって前記第2の膜材料が成膜される前に、前記基体にプラズマ処理を行う請求項1又は2に記載の成膜方法。
- 前記第2ロール室から繰り出された後であって前記第1の膜材料が成膜される前に、前記基体にプラズマ処理を行う請求項1乃至3のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第1ロール室から繰り出された後であって前記第2の膜材料が成膜される前に、前記基体を加熱室で脱ガスする請求項1乃至4のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第2ロール室から繰り出された後であって前記第1の膜材料が成膜される前に、前記基体を加熱室で脱ガスする請求項1乃至5のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第1成膜室で、前記第1の方向に案内中の前記基体を脱ガスする請求項1乃至6のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第2成膜室で、前記第2の方向に案内中の前記基体を脱ガスする請求項1乃至7のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第1の方向に繰り出された前記基体に前記第2成膜室において前記第2の膜材料を成膜するにあたり、前記第1成膜室の第1カソード電極が前記第1成膜室から取り除かれる請求項1乃至8のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第2の方向に繰り出された前記基体に成膜された前記第2の膜材料の上に前記第1成膜室において前記第1の膜材料を成膜するにあたり、前記第2成膜室の第2カソード電極が前記第2成膜室から取り除かれる請求項1乃至9のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記基体の前記第1の面において前記第2の膜材料が成膜された後であって前記第1の膜材料が積層される前に、又は、前記第2の面において前記第2の膜材料が成膜された後であって前記第1の膜材料が積層される前に、前記基体にアニール処理を施す請求項1乃至10のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記基体の前記第1の面において前記第2の膜材料の上に前記第1の膜材料が積層された後に、又は、前記第2の面において前記第2の膜材料の上に前記第1の膜材料が積層された後に、前記基体にアニール処理を施す請求項1乃至11のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記第1の膜材料が金属であり、前記第2の膜材料が透明導電膜である請求項1乃至12のいずれかに記載の成膜方法。
- 前記金属が銅又は銅合金、或いは、銀又は銀合金である請求項13に記載の成膜方法。
- 請求項1乃至11のいずれかに記載の成膜方法によって得られた、前記基体の前記第1の面と前記第2の面にそれぞれ前記第2の膜材料と前記第1の膜材料がこの順に積層された積層体。
- 前記第1の膜材料が金属であり、前記第2の膜材料が透明導電膜である請求項15に記載の積層体。
- 前記金属が銅又は銅合金、或いは、銀又は銀合金である請求項16に記載の積層体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012156279A JP5963193B2 (ja) | 2011-07-29 | 2012-07-12 | 積層体の製造方法 |
US13/559,094 US9249503B2 (en) | 2011-07-29 | 2012-07-26 | Method for double-side vacuum film formation and laminate obtainable by the method |
KR1020120082364A KR102014932B1 (ko) | 2011-07-29 | 2012-07-27 | 양면 진공 성막 방법 및 이 방법에 의해 얻을 수 있는 적층체 |
EP12178227.0A EP2551372B1 (en) | 2011-07-29 | 2012-07-27 | Method for double-side vacuum film formation |
TW101127220A TWI541373B (zh) | 2011-07-29 | 2012-07-27 | 成膜方法及藉由該方法所得之層積體 |
CN201210268890.5A CN102899630B (zh) | 2011-07-29 | 2012-07-30 | 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166668 | 2011-07-29 | ||
JP2011166668 | 2011-07-29 | ||
JP2012156279A JP5963193B2 (ja) | 2011-07-29 | 2012-07-12 | 積層体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013049914A true JP2013049914A (ja) | 2013-03-14 |
JP5963193B2 JP5963193B2 (ja) | 2016-08-03 |
Family
ID=47002524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012156279A Active JP5963193B2 (ja) | 2011-07-29 | 2012-07-12 | 積層体の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9249503B2 (ja) |
EP (1) | EP2551372B1 (ja) |
JP (1) | JP5963193B2 (ja) |
KR (1) | KR102014932B1 (ja) |
CN (1) | CN102899630B (ja) |
TW (1) | TWI541373B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013049916A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Nitto Denko Corp | 両面真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 |
EP3287543A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Roll-to-roll type treatment apparatus for long base material and deposition apparatus using the same |
KR20190041506A (ko) | 2016-08-23 | 2019-04-22 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 롤 투 롤 방식의 표면 처리 장치 그리고 이것을 사용한 성막 방법 및 성막 장치 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5831759B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-12-09 | 日東電工株式会社 | 真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 |
JP6049051B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2016-12-21 | 日東電工株式会社 | 両面真空成膜方法 |
CN103977935B (zh) * | 2014-04-27 | 2020-06-30 | 赵遵成 | 一种柔性金属带材表面快速化学溶液平坦化设备 |
CN106079843B (zh) * | 2016-07-29 | 2018-11-13 | 江阴瑞兴科技有限公司 | 一种真空干式清洗板材复膜机 |
CN108385078A (zh) * | 2018-02-26 | 2018-08-10 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性基板及其制作方法 |
US20210126247A1 (en) * | 2019-10-28 | 2021-04-29 | Applied Materials, Inc. | Dielectric coated lithium metal anode |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11268183A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Mitsui Chem Inc | ポリイミド−金属積層体およびその製造方法 |
JP2009003214A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 吸収型多層膜ndフィルターとその製造装置および吸収型多層膜ndフィルターの製造方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3933644A (en) * | 1972-03-23 | 1976-01-20 | Varian Associates | Sputter coating apparatus having improved target electrode structure |
EP0428358B1 (en) | 1989-11-13 | 1996-05-15 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Geometries and configurations for magnetron sputtering apparatus |
JP3067907B2 (ja) | 1992-10-07 | 2000-07-24 | キヤノン株式会社 | スパッタリング装置、スパッタリング方法、該スパッタリング方法によって形成された積層膜、真空処理装置、および該真空処理装置によって処理が施された基板 |
JPH0798854A (ja) | 1993-09-30 | 1995-04-11 | Kao Corp | 磁気記録媒体の製造装置 |
WO2004032189A2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Miasolé | Manufacturing apparatus and method for large-scale production of thin-film solar cells |
JP4415584B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-02-17 | 住友ベークライト株式会社 | フィルム用真空成膜装置及びそれを用いたプラスチックフィルム |
JP4524209B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2010-08-11 | 富士フイルム株式会社 | 成膜装置 |
KR20090120034A (ko) * | 2008-05-19 | 2009-11-24 | 주식회사 디알테크넷 | 필름상 박막형성장치 및 방법 |
CN101348896A (zh) * | 2008-08-27 | 2009-01-21 | 浙江大学 | 卷绕式双面镀膜设备 |
JP5423205B2 (ja) | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5280964B2 (ja) | 2008-09-04 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体 |
WO2010065955A1 (en) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | Solopower, Inc. | Method and apparatus for forming contact layers for continuous workpieces |
EP2216831A1 (en) * | 2009-02-05 | 2010-08-11 | Applied Materials, Inc. | Modular PVD system for flex PV |
JP2010236076A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Fujifilm Corp | 蒸着装置 |
KR20110116210A (ko) | 2009-03-31 | 2011-10-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 성막 방법 및 유기 el 소자 |
JP5131240B2 (ja) | 2009-04-09 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5319373B2 (ja) * | 2009-04-10 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法 |
US7785921B1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-08-31 | Miasole | Barrier for doped molybdenum targets |
JP4775728B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2011-09-21 | 東洋紡績株式会社 | 透明導電性フィルムの製造装置及び製造方法 |
WO2011049567A1 (en) | 2009-10-21 | 2011-04-28 | Rafi Litmanovitz | High-throughput roll to roll sputtering assembly |
US20110143019A1 (en) | 2009-12-14 | 2011-06-16 | Amprius, Inc. | Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web |
CN101908582A (zh) | 2010-06-29 | 2010-12-08 | 通用光伏能源(烟台)有限公司 | 一种透光型薄膜太阳能电池组件的制作方法 |
JP5831759B2 (ja) | 2011-04-28 | 2015-12-09 | 日東電工株式会社 | 真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 |
-
2012
- 2012-07-12 JP JP2012156279A patent/JP5963193B2/ja active Active
- 2012-07-26 US US13/559,094 patent/US9249503B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-27 KR KR1020120082364A patent/KR102014932B1/ko active IP Right Grant
- 2012-07-27 TW TW101127220A patent/TWI541373B/zh active
- 2012-07-27 EP EP12178227.0A patent/EP2551372B1/en not_active Not-in-force
- 2012-07-30 CN CN201210268890.5A patent/CN102899630B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11268183A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Mitsui Chem Inc | ポリイミド−金属積層体およびその製造方法 |
JP2009003214A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 吸収型多層膜ndフィルターとその製造装置および吸収型多層膜ndフィルターの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013049916A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Nitto Denko Corp | 両面真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 |
EP3287543A1 (en) | 2016-08-23 | 2018-02-28 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Roll-to-roll type treatment apparatus for long base material and deposition apparatus using the same |
KR20190041506A (ko) | 2016-08-23 | 2019-04-22 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 롤 투 롤 방식의 표면 처리 장치 그리고 이것을 사용한 성막 방법 및 성막 장치 |
US11261520B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-03-01 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Roll-to-roll surface treatment device, and film deposition method and film deposition device using same |
US11352697B2 (en) | 2016-08-23 | 2022-06-07 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Apparatus for processing long base material by roll-to-roll method and film forming apparatus using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI541373B (zh) | 2016-07-11 |
KR102014932B1 (ko) | 2019-08-27 |
TW201313938A (zh) | 2013-04-01 |
KR20130014411A (ko) | 2013-02-07 |
CN102899630A (zh) | 2013-01-30 |
EP2551372B1 (en) | 2016-03-02 |
JP5963193B2 (ja) | 2016-08-03 |
US9249503B2 (en) | 2016-02-02 |
CN102899630B (zh) | 2017-03-01 |
US20130029162A1 (en) | 2013-01-31 |
EP2551372A1 (en) | 2013-01-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6049051B2 (ja) | 両面真空成膜方法 | |
JP5959099B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP5963193B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP5930791B2 (ja) | 真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 | |
JP5831759B2 (ja) | 真空成膜方法、及び該方法によって得られる積層体 | |
KR20120122965A (ko) | 진공성막 방법 및 이 방법에 따라 얻을 수 있는 적층체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20151224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160118 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160304 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160622 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5963193 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |