CN102899630B - 双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体，该成膜方法能够通过利用简单的装置结构适当地实施加热处理等，有效地制造在双面实施了真空成膜的层积体。卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从第一辊室输出卷筒状的长基体，使沿第一方向输出的基体脱气，在第二成膜室在基体第一面将第二膜材料成膜，在第二辊室将使第二膜材料成膜的基体卷绕成卷筒状，沿从第二辊室朝第一辊室的第二方向从第二辊室输出，在第一成膜室在第二膜材料上将第一膜材料成膜，在第一辊室将在第二膜材料上层积第一膜材料的基体卷绕成卷筒状，将与第一辊室卷绕的基体的第一面相反侧的第二面作为被成膜面，重复上述全部处理。

Description

双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体
技术领域
本发明涉及一种成膜方法，特别是涉及一种能够在长基体的双面进行真空成膜的双面真空成膜方法及利用该方法获得的层积体。
背景技术
目前开发出了真空蒸镀法、溅射法、离子镀膜法等各种成膜方法。利用上述成膜方法获得的层积体被广泛用于制造例如，液晶显示器或有机EL显示器等显示装置、半导体装置等。层积体能够用作上述显示装置或半导体装置等的保护膜、光学薄膜、反射防止薄膜之类的各种功能性薄膜。
近年来，液晶电视、移动电话、视频游戏机等使用上述功能性薄膜的设备装置的需要急速增长。伴随着需要的增长，急需开发出在短时间内大量生产功能性薄膜的技术。为了应对上述要求，开发出了辊对辊技术(ロールツーロール技术)。辊对辊技术通过使卷绕呈卷筒状的长基体在辊之间输送而能够进行连续成膜，从而谋求作业的高效化。
日本专利第4415584号(专利文献1)公开了利用辊对辊技术的成膜方法的一个例子。在该成膜方法中，在两个辊之间设置一个旋转滚筒，相对于输送基板的一个旋转滚筒，能够实现利用多个靶材进行的连续成膜，从而谋求作业的高效化。
日本特开2010－236076号(专利文献2)、日本特开平07－098854号(专利文献3)公开了，利用该辊对辊技术，特别是能够在双面进行成膜的成膜方法。为了能够进行双面成膜，在此，使用两个旋转滚筒和配置于它们之间的一个卷绕辊，在从输出辊输出的卷筒体上，通过沿彼此相反方向旋转时的两个旋转滚筒进行成膜后，利用卷绕辊进行卷绕。
专利文献1：(日本)专利4415584号
专利文献2：(日本)特开2010－236076号
专利文献3：(日本)特开平07－098854号
功能性薄膜所要求的层结构根据每个使用上述功能性薄膜的装置等而不同，另外，根据功能性薄膜所要求的性能等也不相同。因此，希望使用简单的装置结构，例如，希望开发出能够有效且经济地制造在双面实施真空成膜的层结构的成膜方法。
但是，在专利文献2、专利文献3等公开的技术中，即使能够进行双面成膜，也没有明示在进行双面成膜时，具体如何实施脱气处理、退火处理、成膜处理之类的各种处理，另外，也没有公开能够根据多样的层积体结构而灵活地实施上述处理的装置结构。因此，可能产生例如，在进行成膜后，未充分进行加热处理等，不能使成膜的膜材料完全晶体化之类的问题。
另外，在上述现有装置中，靶材相对于旋转滚筒以规定的间隔被固定，为了对被阴极电极支承的靶材等进行维修而需要中断成膜作业，其结果是，也具有使作业效率恶化的问题等。
发明内容
本发明是为了解决上述现有技术的问题而做出的，目的在于提供一种成膜方法，其基于辊对辊技术，利用简单的装置结构，通过在适当的位置实施适当的加热处理等，特别是谋求最适当的双面真空成膜，能够有效且经济地制造在双面实施真空成膜的层积体。
另外，其目的还在于提供一种能够在连续进行必要的成膜作业的同时，从规定的成膜室拆下例如需要维修的阴极电极而能够谋求使成膜作业高效化的成膜方法。
达到上述目的的本发明是在长基体连续地进行真空成膜的方法，其提供一种成膜方法，该成膜方法包括：包括：a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤；b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；c)在第二成膜室，在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤；d)在所述第二辊室，将使第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；e)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出的步骤；f)在第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的第二膜材料上，将所述第一膜材料成膜的步骤；g)在所述第一辊室，将在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；h)将与所述第一面相反一侧的第二面作为被成膜面，沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第一辊室卷绕的所述基体的步骤；i)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；j)在所述第二成膜室，在进行了脱气的所述基体的所述第二面将所述第二膜材料成膜的步骤；k)在所述第二辊室，使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；l)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿所述第二方向从所述第二辊室输出的步骤；m)在所述第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第二面上成膜的第二膜材料上，将所述第一膜材料成膜的步骤；n)在所述第一辊室，将在所述基体的所述第一面与所述第二面这两面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。根据该结构，在一个装置中，有效地获得在所述基体的所述第一面与所述第二面分别依次层积有所述第二膜材料与所述第一膜材料的层积体。另外，所述第一膜材料可以是铜或铜合金，或者银或银合金那样的金属，另外，所述第二膜材料可以是透明导电膜。
在上述成膜方法中，在将所述第二面作为被成膜面，沿所述第一方向从所述第一辊室输出所述基体时，利用设置于所述第一辊室与邻接于所述第一辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第一辊室与所述邻接室之间切断的状态下，将所述基体的所述第二面作为被成膜面而设置在所述第一辊室。由此，能够在上述作业中，使第一辊室以外的室全部保持为真空。
另外，在上述成膜方法中，在从所述第一辊室输出后且在所述第二膜材料成膜前，可以对所述基体进行等离子处理，另外，从所述第二辊室输出后且在所述第一膜材料成膜前，可以对所述基体进行等离子处理。由此，能够谋求强化等离子处理。
而且，在上述成膜方法中，可以在从所述第一辊室输出后且在所述第二膜材料成膜前，在加热室对所述基体进行脱气，另外，也可以在从所述第二辊室输出后且在所述第一膜材料成膜前，在加热室对所述基体进行脱气。而且，能够在所述第一成膜室，对沿所述第一方向被引导过程中的所述基体进行脱气，另外，也可以在所述第二成膜室，对沿所述第二方向被引导过程中的所述基体进行脱气。由此，能够谋求强化脱气处理。
另外，在上述成膜方法中，在所述第二成膜室，在沿所述第一方向输出的所述基体上将所述第二膜材料成膜时，能够从所述第一成膜室拆下所述第一成膜室的第一阴极电极，另外，在所述第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体上成膜的所述第二膜材料上将所述第一膜材料成膜时，能够从所述第二成膜室拆下所述第二成膜室的第二阴极电极。根据该结构，能够在第一及第二成膜室中的一个，进行膜材料的靶材的维修作业，在第一及第二成膜室中的另一个，继续进行成膜作业，因此，能够提高生产效率。
另外，在上述成膜方法中，可以在所述基体的所述第一面将所述第二膜材料成膜后且在层积所述第一膜材料前，或者在所述第二面将所述第二膜材料成膜后且在层积所述第一膜材料前，对所述基体实施退火处理。也可以在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积所述第一膜材料后，或者在所述第二面的所述第二膜材料上层积所述第一膜材料后，对所述基体实施退火处理。由此，能够谋求强化退火处理。
根据本发明，提供一种成膜方法，其能够利用简单的装置结构，高效且经济地制造在双面实施真空成膜的层积体。
附图说明
图1是表示能够实施本发明的成膜方法的成膜装置的一个例子的图。
图2(a)、(b)是表示通过本发明的成膜方法而得到的层积体的结构例的图。
图3(a)、(b)是表示根据本发明的成膜方法的、可能的阴极电极的配置的图。
图4是表示能够实施本成膜方法的其他装置结构的图。
附图标记说明
1 成膜装置
10 基体
13 路径封锁机构
14 分隔部
29 导向辊
31 加热室
40 等离子处理装置
41 第一成膜室
42 第二成膜室
51 第一旋转滚筒
52 第二旋转滚筒
60 主体
61 第一阴极电极
83 切换辊
W1 第一辊室
W2 第二辊室
W3 第三辊室
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个优选实施方式进行说明。
图1表示能够实施本成膜方法的成膜装置1的一个例子。该成膜装置1具有：例如能够收纳卷绕成卷筒状的长基体10的第一辊室W1及第二辊室W2；设置于上述第一辊室W1与第二辊室W2之间的第一成膜室41及第二成膜室42；设置于第一辊室W1与第一成膜室41之间的第一加热室31；设置于第二成膜室42与第二辊室W2之间的第二加热室32；设置于第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40；设置于第二成膜室42与第二加热室32之间的等离子处理装置40’。为了使装置结构简单化，可以如图所示地将上述部件配置成大致一条直线。另外，该装置只要包含能够实施本成膜方法的部件即可，也可以包含其他部件。在后文对这一点进行进一步说明。
图1的装置1能够用于真空蒸镀法、溅射法、化学气相沉积法(CVD)等中任一种方法。特别是利用溅射法，能够进行大面积的均匀的溅射，另外，连续生产性高，安定性良好，并且能够形成致密的薄膜。另外，在溅射法中，特别是，利用DC磁控溅射法，在靶材表面形成磁场，通过封闭电子，能够抑制基体的损伤。上述处理在使各室处于真空的状态下进行。
为了有效地保持真空状态，在装置1的各室之间设置有分隔部14。另外，在上述各分隔部14设置有使基体10通过的间隙。而且，为了有效地保持作业空间以外的室的真空状态，可以设置有路径封锁机构13。因为路径封锁机构是公知的，所以在此省略说明。
本方法中使用的基体10只要由例如PET薄膜等各种树脂薄膜、铝薄片等各种金属薄片之类的能够成膜的材质构成即可，不特别限定其材质。但是，基体10整体是长条形，具有挠性，能够卷绕成卷筒状。在成膜时，基体10利用多个排列的导向辊29等，在第一辊室W1与第二辊室W2之间，沿从第一辊室W1朝向第二辊室W2的第一方向A或从第二辊室W2朝向第一辊室W1的第二方向B，以辊对辊的方式被输送。
为了将基体10卷绕成卷筒状，在第一辊室W1设置有第一输出卷绕辊21，在第二辊室W2设置有第二输出卷绕辊22。在沿第一方向A输送基体10时，第一输出卷绕辊21进行输出，第二输出卷绕辊22进行卷绕。另一方面，在沿第二方向B输送基体10时，第二输出卷绕辊22进行输出，第一输出卷绕辊21进行卷绕。
在第一及第二加热室31、32中，加热基体10，对基体10实施脱气处理、退火处理。获得的效果根据设置其的位置、装置的使用情况而不同。例如，利用设置于第一辊室W1与第一成膜室41之间的加热室31，能够在第一成膜室41进行成膜前加热基体10，使基体10脱气。在真空处理时等，存在从基体10产生水分的情况，但是，该水分给成膜的膜的组成带来很大影响。通过在上述位置设置加热室31，能够除去水分，降低影响。
另外，通过在第二成膜室42与第二辊室W2之间设置第二加热室32，例如，能够加热在第二成膜室42进行了成膜的基体10，由此，对在基体10上成膜的膜材料实施退火处理，能够使膜的原子排列为规则排列的晶粒。而且，根据需要，例如，可以在第一成膜室41与第二成膜室42之间等设置加热室。但是，加热室不是必须的，例如，也能够利用后述的成膜室的旋转滚筒的加热功能等，不设置加热室而得到相同的效果。
为了对基体10进行等离子处理而使用等离子处理装置40、40’。通过实施等离子处理，使基体10的表面活化，另外，能够进行清洗，由此，能够更有效地进行其后的成膜。与加热室相同，不特别限定设置等离子处理装置的位置。例如，如果利用设置于第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40，能够在第一成膜室41的成膜前对基体10进行等离子处理。另外，利用设置于第二成膜室42与第二加热室32之间的等离子处理装置40’，能够在第二加热室32的退火等之前对基体10进行等离子处理。而且，根据需要，例如，也能够在第一成膜室41与第二成膜室42之间设置等离子处理装置。但是，等离子处理装置不是必须的。
成膜室至少设置两个即可。但是，也可以设置追加的成膜室。如果追加的成膜室的设置位置在第一辊室W1与第二辊室W2之间，则不特别进行限定，例如，可以设置在第一加热室31与第一成膜室41之间。而且，在上述成膜室成膜的膜材料也不做特别的限定，可以是例如，铜或铜合金、银或银合金那样的金属或透明导电膜。作为银合金，可以是例如，在银(Ag)中添加钯(Pd)和铜(Cu)的被称为APC(Ag－Pd－Cu)的合金。在该情况下，银可以作为APC的主要成分而含有90原子％以上。
第一成膜室41具备第一旋转滚筒51和第一阴极电极61。第一旋转滚筒51自如旋转，从而将基体10沿第一方向A或第二方向B输送，基体10经由第一旋转滚筒51的周围，沿第一方向A或第二方向B输送。而且，第一旋转滚筒51可以具有加热基体10的功能。利用第一旋转滚筒10的加热功能而获得的效果可以认为与加热室相同。因此，也能够利用第一旋转滚筒51代替加热室的加热功能，相反，也能够利用加热室的加热功能代替第一旋转滚筒51的加热功能。
第一阴极电极61相对于第一旋转滚筒51设置多个。上述多个第一阴极电极61在支承用于使规定的膜材料成膜的靶材的状态下，分别被配置为与第一旋转滚筒51对向并且可动的状态。能够根据装置的使用情况自由地选择想要成膜的膜材料。例如，当基体10沿第一方向A通过第一旋转滚筒51的周围时可以使用第一膜材料等。膜材料能够根据装置的使用状态自由地变更。利用第一阴极电极61，在基体10通过第一旋转滚筒51的周围时，在基体10上使第一膜材料或第三膜材料等规定的膜材料成膜。
第二成膜室42具有与第一成膜室41相同或类似的结构及功能，至少具备第二旋转滚筒52和第二阴极电极62。第二旋转滚筒52能够经由其周围，沿第一方向A及第二方向B连续地输送基体10，另外，能够加热基体10。在第二旋转滚筒52的周围，多个第二阴极电极62与第二旋转滚筒52相对地配置，第二阴极电极62的膜材料也能够与第一阴极电极61同样，自由进行选择。例如，当基体10沿第一方向A通过第二旋转滚筒52的周围时可以利用第二膜材料，当基体10沿第二方向B通过第二旋转滚筒52的周围时可以利用第四膜材料。上述第二膜材料和第四膜材料能够根据装置的使用情况自由地变化。利用第二阴极电极62，在基体10通过第二旋转滚筒52的周围时，在基体10上使规定的膜材料成膜。
另外，在第一旋转滚筒51或第二旋转滚筒52进行的加热处理和成膜处理是彼此独立的功能。因此，例如，能够仅在第一成膜室41进行加热处理，仅在第二成膜室42进行成膜处理。另外，可以将第一旋转滚筒51和第二旋转滚筒52的筒径设定得较大，延长输送时间，从而充分地进行加热处理。
接着，也参照图2，对利用成膜装置1的本成膜方法的一个例子进行说明。在本成膜方法中，相同的处理至少重复两次，但是上述各处理中被成膜面的朝向被相反地设定。为了方便说明，在此，称上述各处理为第一处理、第二处理。图2的(a)表示结束第一处理，换言之，结束中间工序后获得的层积体，图2的(b)表示结束第二处理，换言之，结束最终工序后获得的层积体。
在第一处理中，基体10首先将一个面a(为了方便说明，在此称为“第一面”)作为被成膜面，沿第一方向A从第一辊室W1输出。输出的基体10利用第一加热室31、第一成膜室41的第一旋转滚筒51的加热功能进行脱气。而且，在第一加热室31进行脱气后，或者利用第一成膜室41的第一旋转滚筒51进行脱气时，在基体10的第一面a上，利用第二成膜室42的第二阴极电极62，使第二膜材料10－2成膜，之后，在第二辊室W2暂时被卷绕。接着，卷绕的基体10在连续状态下，沿第二方向B从第二辊室W2输出，而不改变被成膜面。之后，在输出的基体10的第一面a，利用第一成膜室41的第一阴极电极61，使第一膜材料10－1成膜，被第一辊室W1再次卷绕。其结果是，获得如图2(a)所示的层积体，即，在基体10上依次层积有第二膜材料10－2和第一膜材料10－1的层积体。
在接下来的第二处理中，重复与第一处理相同的处理。但是，在开始处理前，需要对基体10进行变更，暂时将基体10从第一辊室W1取出，使与第一面a相反一侧的第二面b成为被成膜面而将基体10设置在第一辊室W1中。利用设置在第一辊室W1与邻接于该第一辊室W1的第一加热室31等之间的路径封锁机构13，在使基体10的一部分与路径封锁机构13连通，并且将第一辊室W1与第一加热室31之间切断的状态下进行该作业。由此，在上述作业中，能够使第一辊室W1以外的室全部保持为真空，在作业后，不需要进行再次使所有室都成为真空状态的作业，能够谋求缩短作业时间，使作业高效化。
将第二面b作为被成膜面而将基体10设置在第一辊室W1后，将基体10沿第一方向A从第一辊室W1输出，利用第一加热室31或第一成膜室41的第一旋转滚筒51的加热功能进行脱气。而且，在该被脱气的基体10的第二面b上，利用第二成膜室42的第二阴极电极62，使第二膜材料10－2成膜，之后，将基体10暂时在第二辊室W2卷绕。接着，将卷绕的基体10直接在连续的状态下，沿第二方向B从第二辊室W2输出，而不改变被成膜面。之后，在卷绕的基体10的第二面b，利用第一成膜室41的第一阴极电极61，使第一膜材料10－1成膜，在第一辊室W1再次被卷绕。
通过以上工序，获得图2(b)所示的层积体，即，分别在基体10的第一面a与第二面b上依次层积有第二膜材料10－2与第一膜材料10－1的层积体。此外，不特别限定上述膜材料，例如，作为第一膜材料10－1，可以使用可以使用铜(Cu)或铜合金、或者银(Ag)或银合金(APC等)那样的金属，另外，作为第二膜材料10－2，可以使用ITO那样的透明导电膜。此外，在使用金属作为第一膜材料10－1的情况下，会由于该金属材料，妨碍对作为第二膜材料10－2的ITO进行的加热。因此，在该情况下，特别优选在第二加热室32或第二成膜室42的加热处理，换言之，在使第二膜材料10－2成膜后且层积第一膜材料10－1前，对基体10实施退火处理。利用上述加热室，对ITO进行适当的加热，从而适当地调整结晶状态，能够在最适当的状态下，获得非晶质ITO或结晶ITO。另外，在以上实施方式中，对在基体10的双面制造层积体的方法进行了说明，但是当然也可以在双面或单面进一步重复实施成膜处理。
接着，参照图3，对基于该成膜方法的、可能的阴极电极的配置进行说明。图3(a)是利用简要平面图表示在第一方向A使基体10成膜时，可能的第一成膜室41的第一阴极电极61及第二成膜室42的第二阴极电极62的配置的状态的图，图3(b)是利用简要平面图表示在第二方向B使基体10成膜时，可能的第一成膜室41的第一阴极电极61及第二成膜室42的第二阴极电极62的配置的状态的图。
可知，在第二成膜室42使第二膜材料10－2成膜时，在第一成膜室41，进行利用第一成膜室41的第一旋转滚筒51进行的加热处理(脱气)就足够了，不需要利用第一阴极电极61进行成膜处理。因此，如图3(a)所示，在通过移动支承第一阴极电极61的主体60而从第一成膜室41拆下第一成膜室41的第一阴极电极61的状态下，能够进行脱气等。其结果是，相对于从第一成膜室41拆下的第一阴极电极61，能够进行更换等维修，并且在上述维修作业中，能够在第二成膜室42继续进行成膜，由此，能够提高基体10的生产效率。此外，如果需要的话，能够利用临时盖等封闭由于从第一成膜室41拆下第一阴极电极61而产生于第一成膜室41的开口。
同样地，当在第一成膜室41使第一膜材料10－1成膜时，在第二成膜室42，进行利用第二成膜室42的第二旋转滚筒52进行的加热处理(脱气)就足够了，不需要进行使用第二阴极电极62的成膜处理。因此，如图3(b)所示，在从第二成膜室42拆下第二成膜室42的第二阴极电极62的状态下，能够进行脱气等。其结果是，相对于从第二成膜室42拆下的第二阴极电极62，能够进行更换等维修，并且在上述维修作业中，能够在第一成膜室41继续进行成膜，从而能够获得与上述效果相同的效果。此外，如上所述，能够根据需要，利用临时盖等封闭由于从第二成膜室42拆下第二阴极电极62而产生于第二成膜室42的开口。
另外，在本成膜方法中，例如，能够利用设置于第一加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40、设置于第一成膜室41与第二成膜室42之间的等离子处理装置(未图示)，在从第一辊室W1输出后且在第二成膜室42使第二膜材料10－2成膜前，对基体10进行等离子处理。另外，例如，能够利用设置于第二成膜室42与第二加热室32之间的等离子处理装置40，或者设置于第二成膜室42与第一成膜室41之间的等离子处理装置(未图示)，在从第二辊室W2输出后且在第一成膜室41使第一膜材料10－1成膜前，对基体10进行等离子处理。通过实施上述等离子处理，能够更有效地进行之后的成膜。
另外，能够利用例如设置于第一辊室W1与第一成膜室41之间的第一加热室31、设置于第一成膜室41与第二成膜室42之间的加热室(未图示)以及第一成膜室41的第一旋转滚筒51所具有的加热功能，在从第一辊室W1输出后且在第二成膜室42使第二膜材料10－2成膜前，使基体10脱气。另外，也能够利用例如设置于第二成膜室42与第二辊室W2之间的第二加热室32、设置于第一成膜室41与第二成膜室42之间的加热室(未图示)、第二成膜室42的第二旋转滚筒52所具有的加热功能，在从第二辊室W2输出后且在第一成膜室41使第一膜材料10－1成膜前，使基体10脱气。
而且，利用例如设置于第二成膜室42与第二辊室W2之间的第二加热室32，在基体10的第一面a使第二膜材料10－2成膜后且层积第一膜材料10－1前，或者在基体10的第二面b使第二膜材料10－2成膜后且层积第一膜材料10－1前，能够对基体10实施退火处理。同样地，能够利用例如设置于第一辊室W1与第一成膜室41之间的第一加热室31，在基体10的第一面a，在第二膜材料10－2上层积第一膜材料10－1后，或者在第二面b，在第二膜材料10－2上层积第一膜材料10－1后，对基体10实施退火处理。
图4表示能够实施本成膜方法的其他装置结构2。图4中，与图1相同的部件用相同的附图标记表示。构成装置1的部件只要被配置为能够实施本成膜方法即可，不必是图1的结构，可以是例如图4的结构。
在成膜装置2中，例如，除了图1所示的成膜装置1的第一辊室W1和第二辊室W2，还包括：第三辊室W3、追加在加热室31与第一成膜室41之间的等离子处理装置40’、第三辊室W3与第二成膜室42之间的路径封锁机构13’以及用于改变基体10的路径的切换辊83、83’。但是，装置的基本结构，即，在辊室彼此之间设置至少两个成膜室这点等与成膜装置1相同，因此，即使利用上述结构，也能够实施本成膜方法。
为了方便说明，将利用切换辊83’进行切换的输送路径称为第一输送路径，与此相对，将利用切换辊83进行切换的输送路径称为第二输送路径。如图1所示，在沿从第一辊室W1朝向第二辊室W2的第一方向A输送基体10的情况下，无论上述那条输送路径，至少到达切换辊83之前基体10都沿着相同的路径移动。但是，在到达切换辊83后，在第一输送路径中，如虚线所示，由于利用切换辊83’反转，所以沿从第二辊室W2朝向第一辊室W1的第二方向B使基体10通过第二成膜室42，另一方面，在第二输送路径中，如实线所示，沿第一方向A通过第二成膜室42。可知，在实施本成膜方法时，使用实线所示的第二输送路径。详细动作按照以上说明进行。
对设置两个成膜室的例子进行了说明，但是在设置三个以上成膜室的情况下，当然也获得相同的效果。另外，如在装置结构的说明部分所述，在适当的位置适当地设置加热室和等离子处理装置的结构也能够包含于本发明的成膜方法中。
本发明包括包含于其技术思想的各种变形例。
工业实用性
本发明的方法能够广泛应用于各种成膜装置。

Claims (14)

1.一种成膜方法，其是在长基体上连续地进行真空成膜的方法，其特征在于，包括：
a)将卷成卷筒状的长基体的第一面作为被成膜面，沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向从所述第一辊室输出卷筒状的长基体的步骤；
b)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；
c)在第二成膜室，在进行了脱气的所述基体的所述第一面将第二膜材料成膜的步骤；
d)在所述第二辊室，将使第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；
e)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向从所述第二辊室输出的步骤；
f)在第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第一面上成膜的第二膜材料上，将第一膜材料成膜的步骤；
g)在所述第一辊室，将在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；
h)将与所述第一面相反一侧的第二面作为被成膜面，沿所述第一方向从所述第一辊室输出在所述第一辊室卷绕的所述基体的步骤；
i)对沿所述第一方向输出的所述基体进行脱气的步骤；
j)在所述第二成膜室，在进行了脱气的所述基体的所述第二面将所述第二膜材料成膜的步骤；
k)在所述第二辊室，使所述第二膜材料成膜的所述基体卷绕成卷筒状的步骤；
l)将在所述第二辊室卷绕的所述基体沿所述第二方向从所述第二辊室输出的步骤；
m)在所述第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体的所述第二面上成膜的第二膜材料上，将所述第一膜材料成膜的步骤；
n)在所述第一辊室，将在所述基体的所述第一面与所述第二面这两面的所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基体卷绕成卷筒状的步骤。
2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于，
在将所述第二面作为被成膜面，沿所述第一方向从所述第一辊室输出所述基体时，利用设置于所述第一辊室与邻接于所述第一辊室的邻接室之间的路径封锁机构，在使所述基体的一部分与所述路径封锁机构连通，并且将所述第一辊室与所述邻接室之间切断的状态下，将所述基体的所述第二面作为被成膜面而设置在所述第一辊室。
3.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在从所述第一辊室输出后且在所述第二膜材料成膜前，对所述基体进行等离子处理。
4.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在从所述第二辊室输出后其在所述第一膜材料成膜前，对所述基体进行前处理。
5.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在从所述第一辊室输出后且在所述第二膜材料成膜前，在加热室对所述基体进行脱气。
6.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在从所述第二辊室输出后且在所述第一膜材料成膜前，在加热室对所述基体进行脱气。
7.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第一成膜室，对沿所述第一方向被引导过程中的所述基体进行脱气。
8.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第二成膜室，对沿所述第二方向被引导过程中的所述基体进行脱气。
9.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第二成膜室，在沿所述第一方向输出的所述基体上将所述第二膜材料成膜时，从所述第一成膜室拆下所述第一成膜室的第一阴极电极。
10.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述第一成膜室，在沿所述第二方向输出的所述基体上成膜的所述第二膜材料上将所述第一膜材料成膜时，从所述第二成膜室拆下所述第二成膜室的第二阴极电极。
11.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述基体的所述第一面将所述第二膜材料成膜后且在层积所述第一膜材料前，或者在所述第二面将所述第二膜材料成膜后且在层积所述第一膜材料前，对所述基体实施退火处理。
12.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
在所述基体的所述第一面的所述第二膜材料上层积所述第一膜材料后，或者在所述第二面的所述第二膜材料上层积所述第一膜材料后，对所述基体实施退火处理。
13.如权利要求1或2所述的成膜方法，其特征在于，
所述第一膜材料是金属，所述第二膜材料是透明导电膜。
14.如权利要求13所述的成膜方法，其特征在于，
所述金属是铜或铜合金，或者银或银合金。
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