TWI537305B - 嵌段共聚物及其製造方法、以及使用其之高分子電解質材料、高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池 - Google Patents

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Description

嵌段共聚物及其製造方法、以及使用其之高分子電解質材料、高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池
本發明關於嵌段共聚物，尤其關於即使在低加濕條件下，也具有優異的質子傳導性，而且可達成優異的機械強度、化學安定性及物理耐久性之實用性優異的高分子電解質材料及其製造方法，以及使用其之高分子電解質材料、高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池。
燃料電池係藉由將氫、甲醇等的燃料予以電化學地氧化，而取出電能的一種發電裝置，近年來作為綠能供給源受到注目。其中，固體高分子型燃料電池由於標準的操作溫度為100℃左右之低，而且能量密度高，故可期待作為比較小規模的分散型發電設施、汽車或船舶等移動體的發電裝置而廣泛應用。又，作為小型移動機器、攜帶機器的電源，亦受到注目，代替鎳氫電池或鋰離子電池等的二次電池，期待對行動電池或個人電腦等之搭載。
燃料電池通常以擔任發電的發生反應之陽極與陰極之電極，及成為陽極與陰極間的質子傳導體之高分子電解質膜，構成膜電極複合體(以下簡稱MEA)，此MEA係經隔板所夾持的電池作為單元而構成。高分子電解質膜係主要以高分子電解質材料來構成。高分子電解質材料亦使用於電極觸媒層的黏結劑等。作為高分子電解質膜的要求特性，第一可舉出高的質子傳導性，尤其即使在高溫低加濕條件下，也必須具有高的質子傳導性。又， 高分子電解質膜由於擔任防止燃料與氧的直接反應之障壁的機能，故要求燃料的低透過性。此外，可舉出耐得住燃料電池運轉中的強氧化環境用之化學安定性，耐得住薄膜化或膨潤乾燥的重複之機械強度及物理耐久性等當作必要的特性。
於目前的高分子電解質膜中，廣用全氟磺酸系聚合物之Nafion(註冊商標)(杜邦公司製)。Nafion(註冊商標)由於經過多階段合成而製造，故非常高價，有燃料跨越(燃料之透過量)大之問題。又，被指出因膨潤乾燥而喪失膜的機械強度或物理耐久性之問題，軟化點低而無法在高溫使用之問題，更且使用後的廢棄處理之問題或材料的回收再利用困難等問題。
於如此的狀況下，作為可代替Nafion(註冊商標)的便宜且膜特性優異之高分子電解質材料，烴系電解質膜的開發係近年來逐漸活躍化。
例如，有提案具有未導入磺酸基的鏈段及導入有磺酸基的鏈段之嵌段共聚物，前者的鏈段係由聚醚碸(PES)所構成，後者的鏈段係由磺化聚醚碸所構成之嵌段共聚物(專利文獻1、2、3)。然而，於此等中，由於使用玻璃轉移溫度高的非晶性聚合物於基礎骨架，故有脆且物理耐久性差之問題，而且由於含有許多的吸水性高之磺基，故耐熱水性或物理耐久性差。
專利文獻3中，記載前者的鏈段由強韌的聚醚酮(PEK)所構成，後者的鏈段由磺化聚醚醚酮所構成之嵌段共聚物。然而，於此等中，僅作為較佳的構造例記載， 關於結晶性且完全不溶解於溶劑中的未導入有磺酸基之PEK鏈段的合成，毫無記載，沒有詳細研究探討該嵌段共聚物。再者，由於含有醚基與醚基所夾持的電子密度高、反應性高之伸苯基或伸聯苯基，而且於此等的活性化之基中導入磺酸，故對於氧化降解或脫磺化等的化學安定性不足。
如此，以往技術的高分子電解質材料，作為提高經濟性、加工性、質子傳導性、機械強度、化學安定性、物理耐久性之手段，係不充分，得不到產業上有用的高分子電解質材料。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1 日本特開2009-235158號公報
專利文獻2 日本特開2007-515513號公報
專利文獻3 日本特開2005-126684號公報
本發明係鑒於該以往技術的背景，提供即使在低加濕條件下，也具有優異的質子傳導性，而且機械強度及化學安定性優異，加上作為固體高分子型燃料電池時可達成高輸出、優異的物理耐久性之嵌段共聚物及其製造方法、高分子電解質材料，以及使用其之高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池。
本發明為了解決有關的問題，採用如以下的手段。即，本發明的嵌段共聚物係含有各自1個以上之含有離子性基的鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)及連結前述鏈段間的連接物部位之嵌段共聚物，其特徵為：含有離子性基的鏈段(A1)係含有下述通式(S1)所示的構成單元。又，本發明的高分子電解質材料、高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池之特徵為使用該嵌段聚合物所構成者。
(通式(S1)中，Ar1~Ar4表示任意的2價伸芳基，Ar1及/或Ar2含有離子性基，Ar3及Ar4可含有或不含有離子性基；Ar1~Ar4係可被任意地取代，也可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S1)或其它構成單元的鍵結部位)。
依照本發明的嵌段共聚物、高分子電解質材料及使用其之高分子電解質成型體及固體高分子型燃料電池，係即使在低加濕條件下也具有優異的質子傳導性，而且機械強度與化學安定性優異，加上作為固體高分子型燃料電池時可達成高輸出、優異的物理耐久性。
本發明的嵌段共聚物之製造方法係可有效率地製造上述嵌段共聚物。
[實施發明的形態]
以下，詳細說明本發明。
本發明者們為了克服前述問題，重複專心致力地研究探討燃料電池等的高分子電解質材料，結果查明以吸電子性的酮基使全部的伸芳基化學地安定化，而且藉由結晶性賦予所致的強韌化，玻璃轉移溫度降低所致的柔軟化，而提高物理耐久性的由聚醚酮主鏈骨架所成之嵌段共聚物，係作為高分子電解質材料，尤其是作為燃料電池用電解質膜，可在含有低加濕條件下的質子傳導性與發電特性、製膜性等之加工性、耐氧化性、耐自由基性、耐水解性等之化學安定性、膜的機械強度、耐熱水性等之物理耐久性中展現優異的性能，可一舉解決有關的問題，同時更加以各種的研究探討，而完成本發明。
即，本發明的嵌段共聚物含有各自1個以上之含有離子性基的鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)及連結前述鏈段間的連接物部位之嵌段共聚物，其特徵為：含有離子性基的鏈段(A1)係含有下述通式(S1)所示的構成單元，
(通式(S1)中，Ar1~Ar4表示任意的2價伸芳基，Ar1及/或Ar2含有離子性基，Ar3及Ar4可含有或不含有離子性基；Ar1~Ar4係可被任意地取代，也可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S1)或其它構成單元的鍵結部位)。
又，於本發明的嵌段共聚物中，不含有離子性基的鏈段(A2)更佳為含有下述通式(S2)所示的構成單元，
(通式(S2)中，Ar5~Ar8表示任意的2價伸芳基，可被任意地取代，但不含有離子性基；Ar5~Ar8可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S2)或其它構成單元的鍵結部位)。
此處，作為Ar1~Ar8之較佳的2價伸芳基，可舉出伸苯基、伸萘基、伸聯苯基、茀二基等之烴系伸芳基、吡啶二基、喹啉二基、噻吩二基等之雜伸芳基等，但不受此等所限定。
Ar1及/或Ar2含有離子性基，Ar3及Ar4可含有或不含有離子性基。又，亦可被離子性基以外的基所取代，但在質子傳導性、化學安定性、物理耐久性之點，更佳為無取代者。再者，較佳為伸苯基與含有離子性基的伸苯基，最佳為對伸苯基與含有離子性基的對伸苯基。
本發明中，所謂的鏈段(segment)，就是嵌段共聚物中的部分構造，由1種類的重複單元或複數種類的重複單元之組合所成者，分子量表示2000以上者。本發明的嵌段共聚物係含有含有離子性基的鏈段(A1)連同不含有離子性基的鏈段(A2)。再者，於本發明中，雖然記載「不含有離子性基的鏈段」，但該鏈段(A2)係在不對本發明的效果造成不良影響之範圍內，亦可含有少量的離子性基。以下「不含有離子性基」會有以同樣的意思使用之情況。
又，於本發明中，所謂的連接物(linker)，就是將含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)之間予以連結之部位，含有離子性基的鏈段(A1)或不含有離子性基的鏈段(A2)係定義為具有不同的化學構造之部位。此連接物由於可一邊抑制醚交換反應所致的無規化、鏈段切斷、副反應，一邊連結不同的鏈段，故為得到本發明的嵌段共聚物時所必要。當沒有連接物時，由於會發生無規化等的鏈段切斷，無法充分得到本發明的效果。
本發明的嵌段共聚物係藉由連接物部位來連結2種類以上的互相不相溶之鏈段鏈(segment chain)，即含有離子性基的親水性鏈段，與不含有離子性基的疏水性鏈段，而形成1個聚合物鏈。於嵌段共聚物中，藉由化學相異的鏈段鏈間的排斥所發生的短距離相互作用，在由各自的鏈段鏈所成的奈米或微域中進行相分離，鏈段鏈係藉由互相地共價鍵結而產生的長距離相互作用之效果，而使各疇域具有特定的秩序配置。由各鏈段鏈所成的疇域集合而作出的高次構造，係稱為奈米或微相分離構造，關於高分子電解質膜之離子傳導，膜中的離子傳導鏈段之空間配置，即奈米或微相分離構造係變重要。此處，所謂的疇域(domain)，就是意味在1條或複數的聚合物鏈中，類似的鏈段凝聚形成之塊。
本發明的嵌段共聚物係在化學構造上，於含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)中，各自含有前述通式(S1)及(S2)所示的構成單元，而且作為聚合 物高次構造，藉由控制奈米或微相分離構造，可實現化學耐久性或物理耐久性優異之離子傳導性，尤其即使在低加濕條件下也可實現高的質子傳導性。
藉由適宜選擇本發明的嵌段共聚物之化學構造、鏈段鏈長、分子量、離子交換容量等，可控制高分子電解質材料的加工性、疇域大小、結晶性/非晶性、機械強度、質子傳導性、尺寸安定性等之諸特性。
其次，對於本發明的嵌段共聚物，舉出較佳的具體例。本發明的嵌段共聚物，由於含有離子性基的鏈段(A1)係形成疇域，故作為高分子電解質材料或高分子電解質膜，在寬廣的濕度條件下顯示高質子傳導度。
本發明的嵌段共聚物中使用的離子性基，較佳為具有負電荷的原子團，更佳為具有質子交換能力者。作為如此的官能基，較宜使用磺酸基、磺醯亞胺基、硫酸基、磺酸基、磷酸基、羧酸基。此處，磺酸基意味下述通式(f1)所示的基，磺醯亞胺基意味下述通式(f2)所示的基[通式(f2)中，R表示任意的有機基]、硫酸基意味下述通式(f3)所示的基，磺酸基意味下述通式(f4)所示的基，磷酸基意味下述通式(f5)或(f6)所示的基，羧酸基意味下述通式(f7)所示的基。
如此的離子性基包含前述官能基(f1)~(f7)成為鹽之情況。作為形成這樣的鹽之陽離子，可舉出任意的金屬陽離子、NR4 +(R為任意的有機基)等作為例子。於金屬陽離子時，其價數等係可沒有特別的限定而使用。若舉出較佳的金屬離子之具體例，則可舉出Li、Na、K、Rh、Mg、Ca、Sr、Ti、Al、Fe、Pt、Rh、Ru、Ir、Pd等。其中，作為本發明所用的嵌段共聚物，更宜使用便宜且質子可容易取代之Na、K、Li。
此等的離子性基係可在高分子電解質材料中含有2種類以上，組合係按照聚合物的構造等來適宜決定。其中，從高質子傳導度之點來看，更佳為至少具有磺酸基、磺醯亞胺基、硫酸基，從原料成本之點來看，最佳為至少具有磺酸基。
當本發明的嵌段共聚物具有磺酸基時，其離子交換容量，從質子傳導性與耐水性的平衡之點來看，較佳為0.1~5meq/g，更佳為1.5meq/g以上、尤佳為1.8meq/g以 上，最佳為2.1meq/g以上。又，嵌段共聚物的離子交換容量較佳為3.5meq/g以下，更佳為2.9meq/g以下，尤佳為2.6meq/g以下，最佳為2.3meq/g以下。當離子交換容量小於0.1meq/g時，質子傳導性會不足，當大於5meq/g時，耐水性會不足。
作為本發明的嵌段共聚物，含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)的莫耳組成比(A1/A2)較佳為0.2以上，更佳為0.33以上，最佳為0.5以上。又，莫耳組成比(A1/A2)較佳為5以下，更佳為3以下，最佳為2以下。當莫耳組成比A1/A2低於0.2或超過5時，本發明的效果會變不充分，在低加濕條件下的質子傳導性會不足，或耐熱水性或物理耐久性會不足而不宜。
含有離子性基的鏈段(A1)的離子交換容量，從在低加濕條件下的質子傳導性之點來看，較佳為高者，更佳為2.5meq/g以上，尤佳為3meq/g以上，最佳為3.5meq/g以上。又，較佳為6.5meq/g以下，更佳為5meq/g以下，最佳為4.5meq/g以下。當含有離子性基的鏈段(A1)的離子交換容量低於2.5meq/g時，在低加濕條件下的質子傳導性會不足，當超過6.5meq/g時，耐熱水性或物理耐久性會不足而不宜。
不含有離子性基的鏈段(A2)的離子交換容量，從耐熱水性、機械強度、尺寸安定性、物理耐久性之點，較佳為低者，更佳為1meq/g以下，尤佳為0.5meq/g，最佳為0.1meq/g以下。當不含有離子性基的鏈段(A2)之離子交換容量超過1meq/g時，耐熱水性、機械強度、尺寸安定性、物理耐久性會不足而不宜。
此處，所謂的離子交換容量，就是在嵌段共聚物、高分子電解質材料、及高分子電解質膜的每單位乾燥重量中所導入的磺酸基之莫耳量，此值愈大表示磺化的程度愈高。離子交換容量係可藉由元素分析、中和滴定法等來測定。亦可使用元素分析法，自S/C比來算出，但當含有磺酸基以外的硫源時，測定係困難。因此，於本發明中，離子交換容量係定義為藉由中和滴定法所求得之值。本發明的高分子電解質材料及高分子電解質膜，包含如後述由本發明的嵌段共聚物與其以外的成分所成的複合體之態樣，但於該情況下，離子交換容量亦以複合體的全體量作為基準而求得。
中和滴定的測定例係如以下。測定係進行3次以上，取其平均值。
(1)質子置換，擦掉純粹且經充分洗淨的電解質膜之膜表面的水分後，在100℃真空乾燥12小時以上，求得乾燥重量。
(2)於電解質中添加50mL的5重量%硫酸鈉水溶液，靜置12小時以進行離子交換。
(3)使用0.01mol/L氫氧化鈉水溶液，滴定所產生的硫酸。添加作為指示劑的市售之滴定用酚酞溶液0.1w/v%，將變成淡紅紫色之點當作終點。
(4)離子交換容量係藉由下述之式來求得。
離子交換容量(meq/g)=[氫氧化鈉水溶液的濃度(mmol/mL)×滴下量(mL)]/試料的乾燥重量(g)
為了得到本發明的嵌段共聚物而導入離子性基之方法，可舉出使用具有離子性基的單體進行聚合之方法，與藉由高分子反應來導入離子性基之方法。
作為使用具有離子性基的單體進行聚合之方法，可使用在重複單元中具有離子性基之單體。該方法例如記載於Journal of Membrane Science,197,2002,p.231-242中。此方法容易控制聚合物的離子交換容量、且亦容易適用在工業上而特佳。
對於藉由高分子反應來導入離子性基之方法，舉例說明。磺酸基對芳香族系高分子之導入，例如可藉由Polymer Preprints,Japan,51,2002,p.750等中記載的方法。磷酸基對芳香族系高分子之導入，例如可藉由具有羥基的芳香族系高分子之磷酸酯化。羧酸基對芳香族系高分子之導入，例如可藉由將具有烷基或羥烷基的芳香族系高分子予以氧化。硫酸基對芳香族系高分子之導入，例如可藉由具有羥基的芳香族系高分子之硫酸酯化。將芳香族系高分子磺化之方法，即導入磺酸基之方法，例如可使用日本特開平2-16126號公報或日本特開平2-208322號公報等中記載之方法。
具體地，例如可藉由使芳香族系高分子在氯仿等的溶劑中與如氯磺酸之磺化劑進行反應，或在濃硫酸或發煙硫酸中反應而磺化。於磺化劑中，只要是將芳香族系高分子磺化者，則沒有特別的限制，於上述以外，亦可使用三氧化硫等。藉由此方法將芳香族系高分子磺化時，磺化的程度係可藉由磺化劑的使用量、反應溫度及 反應時間來控制。磺醯亞胺基對芳香族系高分子之導入，例如可藉由使磺酸基與胺磺醯基反應之方法。
其次，於本發明的嵌段共聚物中，作為不含有離子性基的鏈段(A2)，從化學安定上、強的分子間內聚力來看，更佳為顯示結晶性的構成單元，其可得到機械強度、尺寸安定性、物理耐久性優異之嵌段共聚物。
作為不含有離子性基的鏈段(A2)所含有之前述通式(S2)所示的構成單元之較佳的具體例，在原料取得性之點，可舉出下述通式(P1)所示的構成單元。其中，從結晶性所致的機械強度、尺寸安定性、物理耐久性之點來看，更佳為下述式(S3)所示的構成單元。不含有離子性基的鏈段(A2)中所含有的前述通式(S2)所示的構成單元之含量，係更多者為佳，較佳為20莫耳%以上，更佳為50莫耳%以上，最佳為80莫耳%以上。當含量低於20莫耳%時，對於結晶性所致的機械強度、尺寸安定性、物理耐久性，本發明的效果會不足而不宜。
作為不含有離子性基的鏈段(A2)，於前述通式(S2)所示的構成單元以外，可共聚合的構成單元之較佳例，可舉出具有含酮基的芳香族聚醚系聚合物，即下述通式(Q1)所示的構成單元，不含有離子性基者。
(通式(Q1)中的Z1、Z2表示含芳香環的2價有機基，各自亦可表示2種類以上的基，但不含有離子性基；a及b各自獨立表示正的整數)。
作為通式(Q1)中的Z1及Z2之較佳的有機基，更佳係Z1為伸苯基，而且Z2為由下述通式(X-1)、(X-2)、(X-4)、(X-5)中選出的至少1種。又，亦可被離子性基以外之基所取代，但無取代者在結晶性賦予之點為更佳。作為Z1及Z2，更佳為伸苯基，最佳為對伸苯基。
(通式(X-1)、(X-2)、(X-4)、(X-5)所示的基，亦可被離子性基以外之基所任意取代)。
作為前述通式(Q1)所示的構成單元之合適的具體例，可舉出下述通式(Q2)~(Q7)所示的構成單元等，惟不受此等所限定，可考慮結晶性或機械強度來適宜選擇。其中，從結晶性與製造成本之點來看，作為前述通式(Q1)所示的構成單元，更佳為下述通式(Q2)、(Q3)、(Q6)、(Q7)，最佳為前述通式(Q2)、(Q7)。
(通式(Q2)~(Q7)係皆以對位表示，但只要是具有結晶性者，則亦可包含鄰位或間位等其它的鍵結位置，惟從結晶性之觀點來看，更佳為對位)。
於本發明的嵌段共聚物中，作為含有離子性基的鏈段(A1)，更佳為化學安定，且藉由吸電子效果提高酸性度，高密度導入有磺酸基之構成單元，其可得到低加濕條件下的質子傳導性優異之嵌段共聚物。
作為含有離子性基的鏈段(A1)所含有的前述通式(S1)所示的構成單元之更佳的具體例，在原料取得性之點，可舉出下述通式(P2)所示的構成單元。其中，從原料取得性與聚合性之點來看，更佳為下述式(P3)所示的 構成單元，最佳為下述式(S4)所示的構成單元。不含有離子性基的鏈段(A2)中所含有的通式(S1)所示的構成單元之含量，較佳為更多者，更佳為20莫耳%以上，尤佳50莫耳%以上，最佳為80莫耳%以上。含量低於20莫耳%時，對於化學安定性與低加濕條件下的質子傳導性，本發明的效果會不足而不宜。
(式(P2)(P3)(S4)中，M1~M4表示氫、金屬陽離子、銨陽離子，M1~M4亦可表示2種類以上之基；又，r1~r4各自獨立表示0~2，r1+r2表示1~8，r1~r4亦可表示2種類以上之數值)。
作為含有離子性基的鏈段(A1)，於前述通式(S1)所示的構成單元以外使共聚合的構成單元之較佳例中，可舉出含酮基的芳香族聚醚系聚合物，且含有離子性基者。
關於本發明中使用之含有離子性基的鏈段(A1)之合成方法，只要是實質上得到充分的分子量之方法，則沒 有特別的限定，例如可利用芳香族活性二鹵化物化合物與2價酚化合物之芳香族親核取代反應，或鹵化芳香族酚化合物之芳香族親核取代反應來合成。
作為含有離子性基的鏈段(A1)中所使用之芳香族活性二鹵化物化合物，使用在芳香族活性二鹵化物化合物中導入有離子酸基之化合物作為單體，從化學安定性、製造成本、可精密控制離子性基的量之點來看為佳。作為具有磺酸基當作離子性基的單體之合適具體例，可舉出3,3’-二磺酸基-4,4’-二氯二苯基碸、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基碸、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氯二苯基酮、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氯二苯基苯基膦氧化物、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基苯基膦氧化物等，惟不受此等所限定。
從質子傳導度及耐水解性之點來看，作為離子性基，最佳為磺酸基，但本發明中使用之具有離子性基的單體亦可具有其它的離子性基。其中，從化學安定性與物理耐久性之點來看，更佳為3,3’-二磺酸基-4,4’-二氯二苯基酮、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮，從聚合活性之點來看，最佳為3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮。
作為具有離子性基的單體，使用3,3’-二磺酸基-4,4’-二氯二苯基酮、3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮所合成之含有離子性基的鏈段(A1)，係變成更含有下述通式(p1)所示的構成單元者而較宜使用。該芳香族聚醚系聚合物，係成為具有酮基所具有的高結晶性之特性，而且比磺基更優異的耐熱水性之成分，由於成為在高溫高濕度 條件下之尺寸安定性、機械強度、物理耐久性優異的材料中有效之成分而更宜使用。此等的磺酸基較佳為在聚合時，磺酸基成為與1價陽離子種之鹽。作為1價陽離子種，可為鈉、鉀或其它金屬種或各種胺類等，並非受此等所限制。此等芳香族活性二鹵化物化合物係可單獨使用，也可併用複數的芳香族活性二鹵化物化合物。
(通式(p1)中，M1及M2表示氫、金屬陽離子、銨陽離子，a1及a2表示1~4之整數；通式(p1)所示的構成單元亦可被任意取代)。
又，作為芳香族活性二鹵化物化合物，亦可藉由將具有離子性基者與不具有者予以共聚合，而控制離子性基密度。然而，作為本發明之含有離子性基的鏈段(A1)，從質子傳導通道的連續性確保之觀點來看，更佳為不共聚合不具有離子性基的芳香族活性二鹵化物化合物。
作為不具有離子性基的芳香族活性二鹵化物化合物之更合適的具體例，可舉出4,4’-二氯二苯基碸、4,4’-二氟二苯基碸、4,4’-二氯二苯基酮、4,4’-二氟二苯基酮、4,4’-二氯二苯基苯基膦氧化物、4,4’-二氟二苯基苯基膦氧化物、2,6-二氯苯甲腈、2,6-二氟苯甲腈等。其中，從結晶性賦予、機械強度或物理耐久性、耐熱水性之點來看，更佳為4,4’-二氯二苯基酮、4,4’-二氟二苯基酮，從 聚合活性之點來看，最佳為4,4’-二氟二苯基酮。此等芳香族活性二鹵化物化合物係可單獨使用，也可併用複數的芳香族活性二鹵化物化合物。
作為芳香族活性二鹵化物化合物，使用4,4’-二氯二苯基酮、4,4’-二氟二苯基酮所合成的高分子電解質材料，係變成更含有下述通式(p2)所示的構成部位者而較宜使用。該構成單元係成為賦予分子間內聚力或結晶性之成分，由於成為在高溫高濕度條件下的尺寸安定性、機械強度、物理耐久性優異之材料而較宜使用。
(通式(p2)所示的構成單元亦可被任意取代，但不含有離子性基)。
又，作為可共聚合之不具有離子性基的單體，可舉出鹵化芳香族羥基化合物。作為鹵化芳香族羥基化合物，亦沒有特別的限制，但可舉出4-羥基-4’-氯二苯基酮、4-羥基-4’-氟二苯基酮、4-羥基-4’-氯二苯基碸、4-羥基-4’-氟二苯基碸、4-(4’-羥基聯苯基)(4-氯苯基)碸、4-(4’-羥基聯苯基)(4-氟苯基)碸、4-(4’-羥基聯苯基)(4-氯苯基)酮、4-(4’-羥基聯苯基)(4-氟苯基)酮等作為例子。此等係可單獨使用，而且亦可作為2種以上的混合物使用。再者，於活性化二鹵化芳香族化合物與芳香族二羥基化合物之反應中，使此等的鹵化芳香族羥基化合物一起反應，亦可合成芳香族聚醚系化合物。
作為含有離子性基的鏈段(A1)，於前述通式(S1)所示的構成單元以外使其共聚合的構成單元之較佳例中，特佳為含有前述通式(p1)及(p2)所示的構成單元之下述通式(T1)及(T2)所示的構成單元所成之芳香族聚醚酮系共聚物。
(通式(T1)及(T2)中，A表示含芳香環的2價有機基，M5及M6表示氫、金屬陽離子、銨陽離子，A亦可表示2種類以上之基)。
藉由改變通式(T1)與(T2)所示的構成單元之組成比，可控制離子交換容量。以前述通式(p1)、(T1)及(T2)所示的構成單元之量為p1、T1及T2時，以T1與T2的合計莫耳量作為基準，p1之導入量較佳為75莫耳%以上，更佳為90莫耳%以上，最佳為100莫耳%。當p1的導入量低於75莫耳%時，質子傳導通道的構築會變得不充分而不宜。
此處，作為前述通式(T1)及(T2)中之含芳香環的2價有機基A，可使用芳香族親核取代反應所致的芳香族聚醚系聚合物之聚合中可用之各種2價酚化合物，並沒有特別的限定。又，亦可使用在此等的芳香族二羥基化合物中導入有磺酸基者作為單體。
作為含芳香環的2價有機基A之合適的具體例，可例示下述通式(X’-1)~(X’-6)所示之基，惟不受此等所限定。
(式(X’-1)~(X’-6)所示的基亦可被任意取代)。
此等亦可具有離子性基。在側鏈具有芳香環者亦為較佳的具體例。又，此等係視需要亦可併用。其中，從結晶性、尺寸安定性、強韌性、化學安定性之觀點來看，更佳為前述通式(X’-1)~(X’-4)所示之基，最佳為前述通式(X’-2)或(X’-3)所示之基。
含有離子性基的鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)之數量平均分子量係與相分離構造的疇域大小有關係，從低加濕下的質子傳導性與物理耐久性之平衡來看，皆較佳為0.5萬以上，更佳為1萬以上，最佳為1.5萬以上。又，較佳為5萬以下，更佳為4萬以下，最佳為3萬以下。
本發明的嵌段共聚物係適合作為高分子電解質材料，特別地適合作為高分子電解質成型體。本發明中所謂的高分子電解質成型體，就是意味含有本發明的高分子電解質材料之成型體。作為本發明的高分子電解質成型體，除了膜類(包含薄膜及薄膜狀者)，還可為板狀、纖維狀、中空絲狀、粒子狀、塊狀、微多孔狀、塗膜類、發泡體類等，按照使用用途可採取各式各樣的形態。由於謀求聚合物的設計自由度之提高及機械特性或耐溶劑性等的各種特性之提高，可適應於廣泛的用途。特別適合於高分子電解質成型體為膜類時。
使用本發明的高分子電解質材料作為固體高分子型燃料電池用時，高分子電解質膜及電極觸媒層等係合適。其中，較適用於高分子電解質膜。此係因為使用作為固體高分子型燃料電池用時，通常以膜之狀態作為高分子電解質膜或電極觸媒層黏結劑使用。
本發明的高分子電解質成型體係可適用於各種的用途。例如，可適用於體外循環管柱、人造皮膚等之醫療用途、過濾用用途、耐氯性逆滲透膜等之離子交換樹脂用途、各種結構材用途、電化學用途、加濕膜、防霧膜、抗靜電膜、太陽電池用膜、阻氣材料。又，亦適合作為人造肌肉、作動器材料。其中，可較佳地利用在各種的電化學用途。作為電化學用途，例如可舉出燃料電池、氧化還原流動電池、水電解裝置、氯鹼電解裝置等，其中最佳為燃料電池。
其次，具體地說明為了得到本發明的高分子電解質成型體之製造方法。
以往之由含有離子性基的鏈段、不含有離子性基的鏈段及連結鏈段間的連接物部位所成之嵌段共聚物，由於在聚合時或製膜時需要溶劑可溶性之合成上的限制，故不僅含有離子性基的鏈段，而且不含有離子性基的鏈段亦以具有溶解性的非晶性聚合物來構成。此等不含有離子性基的非晶性鏈段，由於缺乏聚合物分子鏈的內聚力，在成型為膜狀時，靭性不足，或不抑制含有離子性基的鏈段之膨潤，無法達成充分的機械強度或物理耐久性。又，由於離子性基的熱分解溫度之問題，通常使用澆鑄成型，故以缺乏溶解性的結晶性聚合物，係無法得到均勻且強韌的膜。
本發明的高分子電解質成型體，係由含有前述通式(S2)所示的構成單元，具有不含有離子性基的鏈段(A2)之嵌段共聚物所構成。該不含有離子性基的鏈段(A2)，由於是顯示結晶性的鏈段，故於將至少在不含有離子性基的鏈段(A2)中導入有保護基的嵌段共聚物前驅物予以成型後，可藉由使成型體中所含有的該保護基之至少一部分進行脫保護而製造。於嵌段共聚物中，與無規共聚物比較下，藉由形成有疇域的聚合物之結晶化，由於加工性有變不良的傾向，故較佳為至少在不含有離子性基的鏈段(A2)中導入保護基，以提高加工性，對於含有離子性基的鏈段(A1)，當加工性為不良時，亦較佳為導入保護基。
作為本發明中使用的保護基之具體例，可舉出有機合成所一般使用的保護基，所謂的該保護基，就是以在以後的階段被去除為前提，暫時地導入之取代基，保護反應性高的官能基，對以後的反應為惰性者，在反應後脫保護而可回到原本的官能基。即，成為與被保護的官能基相對者，例如有使用第三丁基作為羥基的保護基之情況，但將相同的第三丁基導入伸烷基鏈中時，不將此稱為保護基。將導入保護基的反應稱為保護(反應)，將去除反應稱為脫保護(反應)。
作為如此的保護反應，例如在Theodora W.Greene、「有機合成中的保護基」(Protective Groups in Organic Synthesis)、美國John Wiley & Sons,Inc、1981中有詳細記載，此等係可較宜使用。可考慮保護反應及脫保護反應的反應性或收率、含有保護基之狀態的安定性、製造成本等來適宜選擇。又，於、聚合反應中導入保護基之階段，可為單體階段、寡聚物階段或聚合物階段，可適宜選擇。
若舉出保護反應的具體例，可舉出以縮酮部位來保護/脫保護酮部位之方法，以縮酮部位的雜原子類似物，例如硫縮酮來保護/脫保護酮部位之方法。關於此等之方法，在前述「有機合成中的保護基」(Protective Groups in Organic Synthesis)第4章中有記載。又，可舉出於磺酸與可溶性酯衍生物之間保護/脫保護之方法，在芳香環中導入有作為可溶性基的第三丁基及以酸來脫第三丁基化之保護/脫保護之方法等。然而，不受此等所限定，只要 是保護基，則可較佳地使用。於使對一般的溶劑的溶解性提高之點中，在立體障礙大之點，較宜使用脂肪族基，尤其含有環狀部分的脂肪族基作為保護基。
於保護反應中，在反應性或安定性之點，更佳為以縮酮部位來保護/脫保護之方法，以縮酮部位的雜原子類似物，例如硫縮酮來保護/脫保護酮部位之方法。於本發明的高分子電解質材料及高分子電解質膜中，作為含有保護基的構成單元，較佳為含有由下述通式(U1)及(U2)中選出的至少1種。
(式(U1)及(U2)中，Ar9~Ar12表示任意的2價伸芳基，R1及R2表示H及由烷基中選出的至少1種之基，R3表示任意的伸烷基，E表示O或S，各自亦可表示2種類以上之基；式(U1)及(U2)所示的基亦可被任意取代；＊表示與通式(U1)、(U2)或其它構成單元之鍵結部位)。
其中，在化合物的臭味或反應性、安定性等之點，於前述通式(U1)及(U2)中，E為O，即以縮酮部位來保護/脫保護酮部位之方法為最佳。
作為前述通式(U1)中的R1及R2，在安定性之點，較佳為烷基，更佳為碳數1~6的烷基，最佳為碳數1~3的 烷基。又，作為前述通式(U3)中的R3，在安定性之點，更佳為碳數1~7的伸烷基，即Cn1H2n1(n1為1~7之整數)所示的基，最佳為碳數1~4的伸烷基。作為R3的具體例，可舉出-CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-、-CH(CH3)CH(CH3)-、-C(CH3)2CH2-、-C(CH3)2CH(CH3)-、-C(CH3)2O20(CH3)2-、-CH2CH2CH2-、-CH2C(CH3)2CH2-等，惟不受此等所限定。作為R3，從安定性、合成的容易度之點來看，最佳為由-CH2CH2-、-CH(CH3)CH2-、或-CH2CH2CH2-中選出的至少1種。
於前述通式(U1)及(U2)所示的構成單元之中，從耐水解性等的安定性之點來看，更宜使用至少具有前述通式(U2)者。
作為前述通式(U1)及(U2)中的Ar9~Ar12，較佳的有機基為伸苯基、伸萘基或伸聯苯基。此等亦可被任意取代。作為本發明的嵌段共聚物，從溶解性及原料取得的容易度來看，更佳為前述通式(U2)中的Ar11及Ar12皆是伸苯基，最佳為Ar11及Ar12皆是對伸苯基。
於本發明中，作為以縮酮來保護酮部位之方法，可舉出使具有酮基的前驅物化合物在酸觸媒存在下與1官能及/或2官能醇反應之方法。例如，可藉由在酮前驅物的4,4’-二羥基二苯基酮與1官能及/或2官能醇、脂肪族或芳香族烴等之溶劑中，於溴化氫等的酸觸媒之存在下使反應而製造。醇係碳數1~20的脂肪族醇。製造本發明中的使用的縮酮單體用之改良法，係由使酮前驅物的4,4’-二羥基二苯基酮與2官能醇在烷基原酸酯及固體觸媒之存在下使反應而構成。
於本發明中，使經縮酮保護的酮部位之至少一部分脫保護而形成酮部位之方法，係沒有特別的限定。前述脫保護反應係可在不均勻或均勻條件下，在水及酸的存在下進行，但從機械強度、物理耐久性、耐溶劑性之觀點來看，較佳係在成型為膜等後，進行酸處理之方法。具體地，可藉由將所成型的膜浸漬在鹽酸水溶液或硫酸水溶液中而脫保護，酸的濃度或水溶液的溫度係可適宜選擇。
相對於聚合物而言，所必要的酸性水溶液之重量比較佳為1~100倍，但亦可使用更大量的水。酸觸媒較佳為以所存在的水之0.1~50重量%的濃度使用。作為合適的酸觸媒，可舉出如鹽酸、硝酸、氟磺酸、硫酸等之強礦酸(強無機酸)，及如對甲苯磺酸、三氟甲磺酸等之強有機酸。可按照聚合物的膜厚等，適宜選擇酸觸媒及過剩水之量、反應壓力等。
例如，若為膜厚25μm之膜，則可藉由浸漬在如6N鹽酸水溶液、5重量%硫酸水溶液所例示的酸性水溶液中，以室溫~95℃加熱1~48小時，而容易地大體上將全量脫保護。又，於25℃的1N鹽酸水溶液中浸漬24小時，亦可實質上將全部的保護基脫保護。惟，作為脫保護的條件，不受此等所限定，亦可藉由酸性氣體、有機酸、熱處理來脫保護。
具體地，例如含有前述通式(U1)及(U2)所示的構成單元之嵌段共聚物的前驅物，係可各自使用下述通式(U1-1)及(U2-1)所示的化合物作為2價酚化合物，藉由芳 香族活性二鹵化物化合物與芳香族親核取代反應來合成。前述通式(U1)及(U2)所示的構成單元亦可來自2價酚化合物、芳香族活性二鹵化物化合物中的任一側，但更佳為考慮單體的反應性，使用來自2價酚化合物者。
(通式(U1-1)及(U2-1)中，Ar9~Ar12表示任意的2價伸芳基，R1及R2表示H及由烷基中選出的至少1種之基，R3表示任意的伸烷基，E表示O或S；通式(U1-1)及通式(U2-1)所示的化合物亦可被任意取代)。
作為本發明中使用的特佳之2價酚化合物的具體例，可舉出下述通式(r1)~(r10)所示的化合物以及來自此等2價酚化合物之衍生物。
於此等2價酚化合物之中，從安定性之點看，較佳為前述通式(r4)~(r10)所示的化合物，更佳為前述通式(r4)、(r5)及(r9)所示的化合物，最佳為前述通式(r4)所示的化合物。
為了得到本發明中使用的鏈段而進行的芳香族親核取代反應所致的寡聚物合成，係可使上述單體混合物在鹼性化合物的存在下反應而得到聚合物。聚合係可在0~350℃之溫度範圍中進行，較佳為50~250℃之溫度。當比0℃低時，反應有不充分進行的傾向，當比350℃高時，亦有開始發生聚合物的分解之傾向。反應亦可在無溶劑下進行，但較佳為在溶劑中進行。作為可使用的溶劑，可舉出N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、環丁碸、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、六甲基磷三醯胺等之非質子性極性溶劑等，惟不受此等所限定，只要是在芳香族親核取代反應中可作為安定的溶劑使用者即可。此等的有機溶劑係可單獨使用，亦可以2種以上的混合物使用。
作為鹼性化合物，可舉出氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀等，但只要是可使芳香族二醇類成為活性的酚鹽構造，則不受此等所限定而可使用。又，為了提高酚鹽的親核性，添加18-冠-6等的冠醚者亦合適。此等冠醚類係配位於磺酸基的鈉離子或鉀離子，會提高在有機溶劑中的溶解性而可較宜使用。
於芳香族親核取代反應中，水會作為副產物生成。此時，與聚合溶劑沒有關係，亦可使甲苯等共存於反應系統中，將水作為共沸物去除至系統外。作為將水去除至系統外之方法，亦可使用分子篩等的吸水劑。
為了去除反應水或在反應中導入的水而使用的共沸劑，一般為不實質上妨礙聚合，與水共蒸餾且在約25℃~約250℃之間沸騰的任意之惰性化合物。於普通的共沸劑中，含有苯、甲苯、二甲苯、氯苯、二氯甲烷、二氯苯、三氯苯、環己酮等。當然，選擇其沸點比所使用的偶極性溶劑之沸點還低的共沸劑係有益。一般使用共沸劑，但於使用高的反應溫度，例如在200℃以上的溫度時，尤其使惰性氣體連續地散佈於反應混合物中時，其常常是不需要。一般地，反應宜在惰性環境下，在氧不存在的狀態中實施。
於溶劑中進行芳香族親核取代反應時，較佳為以所得的聚合物濃度成為5~50重量%之方式，加入單體。比5重量%還少時，聚合度有難以上升之傾向。另一方面，比50重量%還多時，反應系的黏性變過高，反應物的後處理有變困難之傾向。
聚合反應結束後，藉由來自反應溶液的蒸發以去除溶劑，視需要藉由洗淨殘留物，而得到所欲之聚合物。又，藉由將反應溶液加入聚合物的溶解度低、副生成的無機鹽之溶解度高的溶劑中，而去除無機鹽，使聚合物作為固體沈澱，藉由沈澱物的濾取，亦可得到聚合物。所回收的聚合物係視情況而定，以水或醇或其它溶劑來 洗淨，進行乾燥。如果得到所欲的分子量，則鹵化物或酚鹽末端基係可視情況而定，藉由導入能使安定的末端基形成之酚鹽或鹵化物封端劑而使反應。
如此所得之本發明的嵌段共聚物之分子量，以聚苯乙烯換算重量平均分子量計，為0.1萬~500萬，較佳為1萬~50萬。低於0.1萬時，於所成型的膜中發生裂紋等，機械強度、物理耐久性、耐溶劑性中的任一者會不充分。另一方面，超過500萬時，溶解性變不充分，而且溶液黏度高，有加工性變不良等之問題。
再者，本發明的嵌段共聚物之化學構造，係可藉由紅外線吸收光譜，根據1,030~1,045cm-1、1,160~1,190cm-1之S=O吸收、1,130~1,250cm-1之C-O-C吸收、1,640~1,660cm-1之C=O吸收等來確認，此等的組成比係可藉由磺酸基的中和滴定或元素分析而得知。又，可藉由核磁共振光譜(1H-NMR)，例如自6.8~8.0ppm的芳香族質子之波峰來確認其構造。又，藉由溶液13C-NMR或固體13C-NMR，可確認磺酸基的附著位置或排列方式。
其次，例示含有各自1個以上之含有離子性基的鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)及連結前述鏈段間的連接物部位之嵌段共聚物的具體合成方法。惟，本發明係不受此等所限定。
又，本發明的嵌段共聚物係可在合成嵌段共聚物前驅物之後，藉由使前驅物中所含有的保護基之至少一部分脫保護而製造。
作為本發明的嵌段共聚物及嵌段共聚物前驅物之製造方法之具體例，可舉出：方法a.使在兩末端具有-OM基的前述通式(S1)所示的鏈段及/或鏈段前驅物與在兩末端中具有-OM基的前述通式(S2)所示的鏈段及/或鏈段前驅物中的任一個與二鹵化物連接物反應後，使與另一個鏈段交替地聚合，而製造嵌段共聚物之方法，方法b.使在兩末端具有-OM基的前述通式(S1)所示的鏈段及/或鏈段前驅物與在兩末端具有-OM基的前述通式(S2)所示的鏈段及/或鏈段前驅物與二鹵化物連接物無規地聚合，而製造嵌段共聚物之方法，方法c.使用前述通式(S1)所示的鏈段及/或鏈段前驅物之未磺化物，藉由上述方法a或b中記載的方法來製造嵌段共聚物後，在前述通式(S1)所示的鏈段及/或鏈段前驅物之未磺化部分中，選擇地導入離子性基之方法，方法d.上述方法a~c的組合之方法等。
於本發明中，-OM基的O表示氧，M表示H、金屬陽離子、銨陽離子。於金屬陽離子時，其價數等係可沒有特別的限定而使用。若舉出較佳的金屬陽離子之具體例，可舉出Li、Na、K、Rh、Mg、Ca、Sr、Ti、Al、Fe、Pt、Rh、Ru、Ir、Pd等。其中，更佳為Na、K、Li。作為-OM基，例如可例示羥基(-OH基)、-O-NR4 +基(R為H或有機基)、-ONa基、-OK基、-OLi基等。
其中，從可藉由交替共聚合來控制相分離疇域大小，製造化學安定的嵌段共聚物之點來看，最佳為方法a。
即，作為本發明的嵌段共聚物之製造方法，較佳為至少具備下述步驟(1)~(2)。藉由具備此等步驟，可達成高分子量化所致的機械強度與耐久性之提高，而且藉由兩鏈段的交替導入，可得到相分離構造或疇域大小經嚴密控制的低加濕質子傳導性優異之嵌段共聚物。
(1)使含有前述通式(S1)所示的構成單元及/或成為前述通式(S1)所示的構成單元之前驅物的構成單元，在兩末端具有-OM基(M表示H、金屬陽離子、銨陽離子)之含有離子性基的鏈段(A1)，或含有前述通式(S2)所示的構成單元及/或成為前述通式(S2)所示的構成單元之前驅物的構成單元，在兩末端具有-OM基之不含有離子性基的鏈段(A2)之兩末端的-OM基，與連接物化合物反應，而導入連接物部位之步驟，(2)藉由使(1)所合成之導入有連接物部位的鏈段之兩末端連接物部位與另一個鏈段之兩末端的-OM基聚合，以製造嵌段共聚物及嵌段共聚物前驅物之步驟。
其次，說明本發明所使用之連結鏈段間的連接物部位及成為其原料的連接物化合物。於本發明中，所謂的連接物化合物，就是意味在反應後成為連接物部位的二鹵化物化合物或多鹵化物化合物。
作為本發明的嵌段共聚物中所用之連結鏈段間的連接物部位，只要是反應性高、無鏈段切斷之可嵌段共聚合的連接物，則沒有特別的限定，作為其合適的具體例，可舉出八氟伸聯苯基(-C6F4-C6F4-)、四氟伸苯基(-C6F4-)、及下述通式(L1)~(L7)中的任一者所示之化合物。
(通式(L1)中，X表示由H、NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L2)中，Y表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L3)中，Z表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L5)中，R表示任意的有機基，通式(L6)中，Ar表示任意的伸芳基，通式(L7)中，E表示氧或硫；通式(L1)~(L7)係可更被吸電子性基取代，也可互相獨立地使用2種類以上的X~Z、R、Ar及E；＊表示通式(L1)~(L7)與其它鏈段之鍵結部位)。
作為為了聚合本發明的嵌段共聚物而使用之連接物化合物，只要一邊抑制醚交換反應所致的無規化、鏈段切斷，一邊可連結不同鏈段的反應性高之化合物，則沒有特別的限定，但作為合適的具體例，可舉出十氟聯苯、六氟苯、由下述通式(M1)~(M7)中選出的至少1種之連接物化合物。
(通式(M1)~(M7)中，W表示Cl或F；通式(M1)中，X表示由H、NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M2)中，Y表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M3)中，Z表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M5)中，R表示任意的有機基，通式(M6)中，Ar表示任意的伸芳基，通式(M7)中，E表示氧或硫；通式(M1)~(M7)係可更被吸電子性基取代，也可互相獨立地使用2種類以上的X~Z、R、Ar及E)。
本發明的嵌段共聚物，係藉由使用反應性高、無鏈段切斷之可嵌段共聚合的連接物化合物，而可嚴密控制嵌段共聚物的相分離構造，實現優異的低加濕質子傳導性。例如，使用十氟聯苯、六氟苯等的多官能性之多鹵化物連接物時，藉由控制反應條件，可製造具有分枝構造的嵌段共聚物。此時，藉由改變具有式(S1)之未磺化鏈段的聚合物與具有式(S2)之鏈段的聚合物的加入組成，亦可分開地作出直鏈構造的嵌段共聚物與具有分枝構造的嵌段共聚物。
又，使用前述通式(M1)~(M7)時，由於不進行交聯反應或分枝反應，故製膜性良好，分子間相互作用強，可同時實現強韌且物理耐久性。又，於本發明的嵌段共聚物中，由於主鏈骨架為具有比較弱的吸電子性基之酮基的聚醚酮系，而可使用具有比酮基還吸電子性強的磺基或在鄰位具有吸電子性基之前述通式(M1)~(M7)所示的連接物化合物當作比主鏈骨架反應性高之連接物化合物。
作為本發明中合適的連接物化合物之具體例，可舉出十氟聯苯、六氟苯、下述式(M1-1)~(M1-8)所示的二苯基碸系連接物化合物、下述式(M2-1)~(M2-12)所示的苯甲腈系連接物化合物、下述式(M3-1)~(M3-12)所示的硝基苯系連接物化合物、下述式(M4-1)~(M4-12)所示的三氟甲基苯系連接物化合物、下述式(M5-1)~(M5-6)所示的二苯基酮系連接物化合物，以及(M6-1)~(M9-4)所示的化合物等。惟，本發明所使用的連接物化合物係不受此等所限定，此等的位置異構物或在化合物中含有不同的複數之吸電子性基者亦為合適的具體例。
其中，在反應性與高分子量化、交聯或分枝構造導入之點，更佳為十氟聯苯、六氟苯。
又，於原料成本之點，較佳為上述式(M1-1)~(M1-8)所示的二苯基碸系連接物化合物、上述式(M2-1)~(M2-12)所示的苯甲腈系連接物化合物、上述式(M5-1)~(M5-6)所示的二苯基酮系連接物化合物，更佳為上述式(M1-1)~(M1-8)所示的二苯基碸系連接物化合物、上述式(M2-1)~(M2-12)所示的苯甲腈系連接物化合物。於反應性之點，較佳為在側鏈導入有吸電子性基的硝基、氰基、溴基、碘基、甲氧基之(M1-2)、(M1-3)、(M1-5)、(M1-6)、(M1-8)、(M1-9)、(M1-11)、(M1-12)、(M2-1)~(M2-12)、(M3-1)~(M3-12)、(M5-1)、(M5-2)、(M5-4)、(M5-5)、(M7-1)、(M7-2)所示的化合物，於副反應少之點，更佳 為導入有硝基、氰基、甲氧基之(M1-2)、(M1-3)、(M1-8)、(M1-9)、(M2-1)~(M2-12)、(M3-1)~(M3-12)、(M5-1)、(M5-2)、(M5-4)、(M5-5)、(M7-1)、(M7-2)所示的化合物，於原料成本之點，較佳為導入有硝基之(M1-2)、(M1-8)、(M3-1)~(M3-12)、(M5-1)、(M5-4)。
其中，於原料成本、反應性、安定性之平衡，更佳為十氟聯苯、六氟苯、上述式(M1-1)、(M1-2)、(M1-6)、(M2-1)、(M2-2)、(M2-3)、(M5-1)、(M5-4)、(M7-2)所示的化合物，尤佳為十氟聯苯、六氟苯、上述式(M1-1)、(M1-2)、(M1-6)、(M2-1)、(M5-1)所示的化合物，最佳為十氟聯苯、六氟苯、4,4’-二氟二苯基碸(M1-1)、2,6-二氟苯甲腈(M2-1)所示的化合物。
於方法a中，作為兩末端-OM基的前述式(S1)所示的鏈段與兩末端-OM基的前述式(S2)所示的鏈段之具體例，各自可舉出下述式(H3-1)與(H3-2)，作為與二鹵化物連接物反應後之鏈段的具體例，各自可舉出下述式(H3-3)與(H3-4)。惟，本發明不受此等所限定。
(式(H3-1)~(H3-4)中，N1、N2、N3、N4各自獨立表示1~150之整數)。
前述式(H3-1)~(H3-4)中，鹵素原子係以F表示，末端-OM基係以-OK基表示，鹼金屬係以Na及K表示，但可不受此等限定而使用。前述式係以幫助讀者之理解為目的而插入者，未必可說是正確地表示聚合物的聚合成分之化學構造、正確的組成，以及方向、磺酸基的位置、數、分子量等，不受此等所限定。
再者，於前述式(H3-1)~(H3-4)中，對於任一的鏈段，皆導入作為保護基的縮酮基，但於本發明中，只要在結晶性高、溶解性低的成分中導入保護基即可，於前述式(H3-1)或(H3-3)所示的含有離子性基的鏈段(A1)中未必需要保護基，從耐久性或尺寸安定性之觀點來看，亦較宜使用沒有保護基者。
又，前述式(H3-1)所例示的嵌段，係藉由使雙酚成分與芳香族二鹵化物成分以(N1+1)：N1反應，而可合成分子量經控制之寡聚物。前述式(H3-2)亦同樣。
使用連接物的嵌段共聚合之反應溫度，較佳為140℃以下之加溫條件下。更佳為80℃以上120℃以下。藉由使反應溫度成為120℃以下，可充分抑制反應時之因醚交換反應所致的高分子構造之無規化。另一方面，若為80℃以上，則得到具有無規的高分子構造之聚合物。
本發明的嵌段共聚物係可藉由穿透型電子顯微鏡觀察來觀察共連續的相分離構造。藉由控制嵌段共聚物的相分離構造，即含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)之凝聚狀態及其形狀，即使在低加濕條件下，也可實現優異的質子傳導性。相分離構造係可藉由穿透型電子顯微鏡(TEM)、原子力顯微鏡(AFM)等來分析。
作為本發明的嵌段共聚物，以5萬倍進行TEM的觀察時，觀察到相分離構造，藉由影像處理所計測的平均層間距離或平均粒子間距離較佳為8nm以上100nm以下。其中，平均層間距離或平均粒子間距離更佳為10nm以上50nm以下，最佳為15nm以上30nm以下。藉由透射型電子顯微鏡沒有觀察到相分離構造，或平均層間距離或平均粒子間距離低於8nm時，離子通道的連續性係不足，由於傳導度會不足而不宜。又，於層間距離超過5000nm時，機械強度或尺寸安定性會變不良而不宜。
本發明的嵌段共聚物之特徵為一邊具有相分離構造，一邊具有結晶性，藉由微差掃描熱量分析法(DSC)或廣角X射線繞射可看到結晶性。即，藉由差示掃描熱量分析法所測定的結晶化熱量為0.1J/g以上，或藉由廣角X射線繞射所測定的結晶化度為0.5%以上之嵌段共聚物。
於本發明中，所謂的「具有結晶性」，就是意味若將聚合物升溫則可結晶化，具有可結晶化的性質，或已經結晶化者。又，所謂的非晶性聚合物，就是意味不是結晶性聚合物，實質上不進行結晶化之聚合物。因此，即使為結晶性聚合物，當結晶化不充分地進行時，聚合物的狀態也會為非晶狀態。
將本發明的高分子電解質材料成型為高分子電解質膜之方法係沒有特別的限制，但在具有縮酮等的保護基之階段，可為藉由溶液狀態來製膜之方法或藉由熔融狀態來製膜之方法等。於前者中，例如可例示使該高分子電解質材料溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮等之溶劑中，將其溶液流延塗佈在玻璃板等上，去除溶劑而製膜之方法。
作為製膜所用的溶劑，只要是溶解高分子電解質材料，然後可去除者即可，例如可合適地採用N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、二甲亞碸、環丁碸、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、六甲基磷三醯胺等的非質子性極性溶劑、γ-丁內酯、醋酸丁酯等之酯系溶劑、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯等之碳酸酯系溶劑、乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、 丙二醇單乙基醚等之烷二醇單烷基醚，或異丙醇等之醇系溶劑、水及此等的混合物，但非質子性極性溶劑係溶解性最高而較佳。又，為了提高含有離子性基的鏈段(A1)之溶解性，添加18-冠-6等之冠醚者亦合適。
又，於本發明中，使用嵌段共聚物進行溶液製膜時，溶劑的選擇對於相分離構造而言係重要，混合使用非質子性極性溶劑與極性低的溶劑者亦為合適的方法。
將經調製成必要的固體成分濃度之聚合物溶液供常壓的過濾或加壓過濾等，去除高分子電解質溶液中所存在的異物者，係為了得到強韌的膜之較佳方法。此處所用的濾材係沒有特別的限定，但玻璃過濾器或金屬性過濾器係較合適。以該過濾，聚合物溶液通過的最小之過濾器的孔徑較佳為1μm以下。若沒有進行過濾，則變成容許異物的混入，由於發生膜破裂，或耐久性變不充分而不宜。
其次，所得之高分子電解質膜較佳為以金屬鹽的狀態熱處理離子性基的至少一部分。所用的高分子電解質材料若在聚合時以金屬鹽的狀態聚合，則較佳為直接製膜、熱處理。金屬鹽的金屬只要是能與磺酸形成鹽者即可，但從價格及環境負荷之點來看，較佳為Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Zr、Mo、W等，於此等之中，較佳為Li、Na、K、Ca、Sr、Ba，更佳為Li、Na、K。
此熱處理的溫度較佳為80~350℃，更佳為100~200℃，特佳為120~150℃。熱處理時間較佳為10秒~12小 時，更佳為30秒~6小時，特佳為1分鐘~1小時。熱處理溫度若過低，則機械強度或物理耐久性會不足。另一方面，若過高，則膜材料的化學分解會進行。熱處理時間若少於10秒，則熱處理的效果不足。另一方面，若超過12小時，則變容易發生膜材料的劣化。由熱處理所得之高分子電解質膜，係可按照需要浸漬在酸性水溶液中而進行質子置換。藉由此方法來成形，本發明高分子電解質膜係可能使質子傳導度與物理耐久性以更良好的平衡來並存。
於將本發明所使用的高分子電解質材料轉化成膜之方法中，在藉由前述手法來製造由該高分子電解質材料所構成的膜後，使經縮酮保護的酮部位之至少一部分進行脫保護，而成為酮部位。藉由此方法，缺乏溶解性之含有不含離子性基的嵌段之嵌段共聚物的溶液製膜係成為可能，可使質子傳導性與機械強度、物理耐久性並存。
本發明的高分子電解質膜之膜厚，較佳為1~2000μm，可合適地使用其。為了得到耐實用的膜機械強度、物理耐久性，更佳為比1μm厚者，為了膜電阻的減低，即發電性能的提高，較佳為比2000μm薄者。該膜厚的更佳範圍為3~50μm，特佳的範圍為10~30μm。該膜厚係可藉由溶液濃度或在基板上的塗佈厚來控制。
又，於由本發明所得之高分子電解質膜中，在不違反本發明目的之範圍內，可添加通常的高分子化合物所使用之結晶化核劑、可塑劑、安定劑、抗氧化劑或脫模劑等添加劑。
另外，於由本發明所得之高分子電解質膜中，在對前述諸特性不造成不良影響的範圍內，以提高機械強度、熱安定性、加工性等為目的，亦可含有各種聚合物、彈性體、填料、微粒子、各種添加劑等。又，也可被微多孔膜、不織布、網狀物等所補強。
使用該高分子電解質膜作為燃料電池時，高分子電解質膜與電極之接合法係特別的限制，可採用眾所周知的方法(例如，電化學，1985,53,p.269.記載之化學鍍敷法、電化學協會編(J.Electrochem.Soc.)、電化學與技術(Electrochemical Science and Technology),1988,135,9,p.2209.記載之氣體擴散電極的熱壓接合法等)。固體高分子型燃料電池係使用氫離子傳導性高分子電解質膜作為電解質膜，在其兩面依順序積層有觸媒層、電極基材及隔板之構造。其中，在電解質膜的兩面積層有觸媒層者(即觸媒層/電解質膜/觸媒層之層構成者)係稱為附觸媒層的電解質膜(CCM)，更且在電解質膜的兩面依順序積層有觸媒層及氣體擴散基材者(即氣體擴散基材/觸媒層/電解質膜/觸媒層/氣體擴散基材之層構成者)係稱為電極-電解質膜接合體(MEA)。
作為此附觸媒層的電解質膜之製造方法，一般進行在電解質膜表面上，塗佈用於形成觸媒層的觸媒層糊組成物及使乾燥之塗佈方式。然而，若為此塗佈方式，則電解膜會因糊中所含的水、醇等溶劑而膨潤變形，在電解質膜表面上發生難以形成所欲的觸媒層之問題。又，於使乾燥之步驟中，由於電解膜亦暴露在高溫下，而電 解膜發生熱膨脹等，亦發生變形的問題。為了克服此問題，有提案預先在基材上僅製作觸媒層，將此觸媒層轉印，而在電解質膜上積層觸媒層之方法(轉印法)(例如日本特開2009-9910號公報)。
由本發明所得之高分子電解質膜，係因結晶性而強韌且耐溶劑性優異，故即使為前述塗佈方式、轉印法中的任一情況，作為附觸媒層的電解質膜也可特別合適地使用。
藉由加熱加壓來製作MEA時，其溫度或壓力係可按照電解質膜的厚度、含水率、觸媒層或電極基材來適宜選擇。又，於本發明中，即使在電解質膜乾燥的狀態或吸水的狀態下，也可藉由加壓來複合化。作為具體的加壓方法，可舉出已規定壓力或間隙的輥壓或已規定壓力的平板加壓等，從工業的生產性或具有離子性基的高分子材料之熱分解抑制等之觀點來看，較佳為以0℃~250℃之範圍進行。從電解質膜或電極保護之觀點來看，加壓較佳為儘可能地弱，於平板加壓時，較佳為10MPa以下之壓力，不實施加熱加壓步驟所致的複合化，將電極與電解質膜疊合而燃料電池單元化，從陽極、陰極電極的短路防止之觀點來看，亦為較佳的選擇項目之一個。於此方法時，作為燃料電池重複發電時，有抑制短路處被推測為原因之電解質膜的劣化之傾向，作為燃料電池的耐久性變良好。
再者，使用本發明的高分子電解質材料及高分子電解質膜之固體高分子型燃料電池之用途，係沒有特別的 限定，但較佳作為移動體的電力供給源。特別地，較宜使用作為行動電池、個人電腦、PDA、電視、收音機、音樂播放器、遊戲機、耳機、DVD播放器等之攜帶機器、產業用等的人型、動物型的各種機器人、無線吸塵器等之家電、玩具類、電動自行車、摩托車、汽車、巴士、卡車等之車輛或船舶、鐵路等的移動體之電力供給源、固定型發電機等以往的一次電池、二次電池之替代、或與此等的混合電源。
[實施例]
以下，藉由實施例來更詳細說明本發明，惟本發明不受此等所限定。再者，各物性的測定條件係如以下。又，於本實施例中插入化學結構式，但該化學結構式係以幫助讀者之理解為目的而插入者，不受此等所限定。
(1)離子交換容量
藉由中和滴定法來測定。測定係進行3次，取其平均值。
(i)質子置換，擦掉純粹且經充分洗淨的電解質膜之膜表面的水分後，在100℃真空乾燥12小時以上，求得乾燥重量。
(ii)於電解質中添加50mL的5重量%硫酸鈉水溶液，靜置12小時以進行離子交換。
(iii)使用0.01mol/L氫氧化鈉水溶液，滴定所產生的硫酸。添加作為指示劑的市售之滴定用酚酞溶液0.1w/v%，將變成淡紅紫色之點當作終點。
(iv)離子交換容量係藉由下述之式來求得。
離子交換容量(meq/g)=[氫氧化鈉水溶液的濃度(mmol/mL)×滴下量(mL)]/試料的乾燥重量(g)
(2)質子傳導度
將膜狀的試料浸漬在25℃的純水中24小時後，於80℃、相對濕度25~95%的恒溫恒濕槽中，在各自的步驟保持30分鐘，以恒電位交流阻抗法來測定質子傳導度。
測定裝置係使用Solartron製電化學測定系統(Solartron 1287 Electrochemical Interface及Solartron 1255B Frequency Response Analyzer)，以2端子法進行恒電位阻抗測定，求得質子傳導度。交流振幅為50mV。樣品係使用寬度10mm、長度50mm之膜。測定夾具係以酚樹脂製作，測定部分係開放。作為電極，使用白金板(厚度100μm，2片)。電極係電極間距離10mm，在樣品膜的表側與裏側，以互相平行且對樣品膜的長度方向呈正交的方式配置。
(3)數量平均分子量、重量平均分子量
藉由GPC來測定聚合物的數量平均分子量、重量平均分子量。作為紫外檢測器與差示折射計的一體型裝置，使用東曹公司製HLC-8022GPC，而且作為GPC管柱，使用2支東曹公司製TSK gel SuperHM-H(內徑6.0mm，長度15cm)，在N-甲基-2-吡咯啶酮溶劑(含有10mmol/L的溴化鋰之N-甲基-2-吡咯啶酮溶劑)中，於樣品濃度0.1wt%、流量0.2mL/min、溫度40℃下測定，藉由標準聚苯乙烯換算而求得數量平均分子量、重量平均分子量。
(4)膜厚
使用在MITUTOYO公司製Granite Comparator Stand BSG-20上所安裝的MITUTOYO公司製ID-C112型。
(5)藉由透射型電子顯微鏡(TEM)來觀察相分離構造
於作為染色劑的2重量%醋酸鉛水溶液中測漬試料片，在25℃下放置24小時。取出經染色處理的試料，以可見光硬化樹脂來包埋，照射可見光30秒以固定。
使用超薄切片機，在室溫下切削100nm的薄片，在Cu柵上回收所得之薄片，供TEM觀察。觀察係以100kV的加速電壓實施，拍攝係以照相倍率為×8,000、×20,000、×100,000之方式實施拍攝。作為機器，使用TEM H7100FA(日立製作所公司製)。
(6)純度之測定方法
藉由下述條件的氣相層析術(GC)來定量分析。
管柱：DB-5(J&W公司製)L=30m Φ=0.53mm D=1.50μm
載體：氦氣(線速度=35.0cm/sec)
分析條件
Inj.temp.=300℃
Detct.temp.=320℃
Oven=50℃×1min
Rate=10℃/min
Final=300℃×15min
SP ratio=50：1
(7)耐熱水性
電解質膜的耐熱水性係藉由測定95℃熱水中的尺寸變化率而評價。由電解質膜切取長度約5cm、寬度約1cm的長方形，在25℃的水中浸漬24小時後，以游標卡尺來測量長度(L1)。將該電解質膜在95℃的熱水中浸漬8小時後，再度以游標卡尺來測量長度(L2)，目視觀察該尺寸變化之大小。
(8)核磁共振光譜(NMR)
於下述的測定條件下，進行1H-NMR之測定，進行構造確認及含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)之莫耳組成比之定量。該莫耳組成比係由在8.2ppm(來自二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮)與6.5~8.0ppm(來自二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮以外的全芳香族質子)所看到的波峰之積分值來算出。
裝置：日本電子公司製EX-270
共振頻率數：270MHz(1H-NMR)
測定溫度：室溫
溶解溶劑：DMSO-d6
內部基準物質：TMS(0ppm)
累計次數：16次
又，於下述的測定條件下，進行固體13C-CP/MAS光譜之測定，進行縮酮基有無殘存之確認。
裝置：Chemagnetics公司製CMX-300 Infinity
測定溫度：室溫
內部基準物質：Si橡膠(1.56ppm)
測定核：75.188829MHz
脈衝寬度：90°脈衝、4.5μsec
脈衝反覆時間：ACQTM=0.03413sec、PD=9sec
光譜寬度：30.003kHz
試料旋轉：7kHz
接觸時間：4msec
(9)化學安定性
電解質膜的化學安定性係藉由將約10mg的樣品浸漬在80℃之30g的0.05重量%的過氧化氫水中而評價。於浸漬前，測定100小時後的重量平均分子量，計算分子量保持率：(浸漬後的重量平均分子量)/(浸漬前的重量平均分子量)×100(%)。
合成例1
下述通式(G1)所示的2,2-雙(4-羥基苯基)-1,3-二茂烷(K-DHBP)之合成
於具備攪拌器、溫度計及餾出管的500mL燒瓶中，加入溶解49.5g 4,4’-二羥基二苯基酮、134g乙二醇、96.9g鄰甲酸三甲酯及0.50g對甲苯磺酸一水合物。然後，在78~82℃保溫攪拌2小時。再者，將內溫徐徐升溫至120℃為止，加熱直到甲酸甲酯、甲醇、鄰甲酸三甲酯之餾出完全停止為止。將此反應液冷卻至室溫為止後，以醋酸乙酯稀釋反應液，以100mL的5%碳酸鉀水 溶液來洗淨有機層及分液後，餾去溶劑。於殘留物中添加80mL的二氯甲烷而使結晶析出，過濾，乾燥而得到52.0g 2,2-雙(4-羥基苯基)-1,3-二茂烷。GC分析此結晶，結果為99.8%的2,2-雙(4-羥基苯基)-1,3-二茂烷與0.2%的4,4’-二羥基二苯基酮。
合成例2
下述通式(G2)所示的二鈉3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮之合成
使109.1g 4,4’-二氟二苯基酮(ALDRICH試藥)在150mL發煙硫酸(50%SO3)(和光純藥試藥)中，於100℃反應10小時。然後，少量一點一點地投入大量的水中，以NaOH中和後，添加200g食鹽以使合成物沈澱。過濾分離所得之沈澱，於乙醇水溶液中再結晶，得到上述通式(G2)所示的二鈉3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮。純度為99.3%。構造係以1H-NMR來確認。雜質係以毛細管電泳(有機物)及離子層析術(無機物)進行定量分析。
實施例1
(下述通式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a1’之合成)
(式(G3)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的1000mL三口燒瓶中，置入16.59g碳酸鉀(ALDRICH試藥，120mmol)、25.8g(100mmol)前述合成例1所得的K-DHBP及20.3g 4,4’-二氟二苯基酮(ALDRICH試藥，93mmol)，氮氣置換後，在300mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、100mL的甲苯中於160℃脫水後，升溫去除甲苯，於180℃進行1小時聚合。藉由在大量的甲醇中再沈澱以進行精製，得到不含有離子性基的寡聚物a1(末端OM基)。尚且，M表示Na或K，這以後的註記亦仿效此。數量平均分子量為10000。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a1(末端OM基)，於氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後、升溫去除環己酮，置入4.0g十氟聯苯(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到上述式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a1’(末端氟基)。數量平均分子量為11000，不含有離子性基的寡聚物a1’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量630)後的值10400求得。
(下述通式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a2之合成)
(式(G4)中，M表示Na或K；又，n表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的1000mL三口燒瓶中，置入27.6g碳酸鉀(ALDRICH試藥，200mmol)、12.9g(50mmol)前述合成例1所得的K-DHBP及9.3g 4,4’-雙苯酚(ALDRICH試藥，50mmol)、39.3g(93mmol)前述合成例2所得的二鈉3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮及17.9g 18-冠-6醚(和光純藥，82mmol)，於氮氣置換後，在300mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、100mL的甲苯中於170℃脫水後，升溫去除甲苯，於180℃進行1小時聚合。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到上述式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)。數量平均分子量為16000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a2、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a1、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b1之合成)
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入0.56g碳酸鉀(ALDRICH試藥，4mmol)、16g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，於氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入11g(1mmol)不含有離子性基含有的寡聚物a1’(末端 氟基)，於105℃進行24小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到嵌段共聚物b1。重量平均分子量為28萬。
嵌段共聚物b1係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為81%，化學安定性優異。
使用玻璃纖維過濾器，將溶解有所得之嵌段共聚物b1的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液予以加壓過濾後，流延塗佈在玻璃基板上，於100℃乾燥4小時後，在氮氣下以150℃熱處理10分鐘，得到聚縮酮酮膜(膜厚25μm)。聚合物的溶解性為極良好。在95℃的10重量%硫酸水溶液中浸漬24小時以質子置換、脫保護反應後，在大過剩量的純水中浸漬24小時而充分洗淨，得到高分子電解質膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小20nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例2
(前述通式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a3’之合成)
除了將4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成20.7g(ALDRICH試藥，95mmol)以外，藉由實施例1中記載之方法，進行不含有離子性基的寡聚物a3(末端OM基)之合成。數量平均分子量為15000。
又，除了代替不含有離子性基的前述寡聚物a1(末端OM基)，加入30.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a3(末端OM基)以外，藉由實施例1中記載之方法，進行前述式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a3’(末端氟基)之合成。數量平均分子量為16000，不含有離子性基的寡聚物a3’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量630)後的值15400求得。
(前述通式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a4之合成)
除了將3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成40.1g(95mmol)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到前述式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a4(末端OM基)。數量平均分子量為21000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a4、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a3、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b2之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，加入21g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a4(末端OM 基)，代替不含有離子性基的寡聚物a1’(末端氟基)，加入16g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a3’(末端氟基)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物b2。重量平均分子量為40萬。
嵌段共聚物b2係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為83%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b2的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.6meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為40莫耳/60莫耳=0.67，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為200mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為0.8mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到6%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小35nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例3
(前述通式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a5’之合成)
除了將4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成21.4g(ALDRICH試藥，98mmol)以外，藉由與實施例1中記載之方法，進行不含有離子性基的寡聚物a5(末端OM基)之合成。數量平均分子量為20000。
又，除了代替不含有離子性基的前述寡聚物a1(末端OM基)，40.0g(2mmol)加入不含有離子性基的前述寡聚物a5(末端OM基)以外，藉由實施例1中記載之方法，進行前述式(G3)所示之不含有離子性基的寡聚物a5’(末端氟基)之合成。數量平均分子量為21000，不含有離子性基的寡聚物a5’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量630)後的值20400求得。
(前述通式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a6之合成)
除了將3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成41.4g(98mmol)，將雙酚改成25.8g(100mmol)K-DHBP以外，藉由實施例1中記載之方法，得到前述式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a6(末端OM基)。數量平均分子量為33000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a6、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a5、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b3之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，置入33g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a6(末端OM基)，代替不含有離子性基的寡聚物a1’(末端氟基)，置入不含有離子性基的寡聚物a5’(末端氟基)21g(1mmol) 以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物b3。重量平均分子量為36萬。
嵌段共聚物b3係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子45量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b3的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.0meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為50莫耳/50莫耳=1.0，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為290mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為4mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為13%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例4
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a4、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a1、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b4之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，置入21g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a4(末端OM基)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物b4。重量平均分子量為23萬。
嵌段共聚物b4係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為85%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b4的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液。藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.2meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為60莫耳/40莫耳=1.5，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為350mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為15%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小30nm的層狀之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例5
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a6、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a1、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b5之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，置入33g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a6(末端OM基)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物b5。重量平均分子量為22萬。
嵌段共聚物b5係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為86%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b5的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.5meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為67莫耳/33莫耳=2.1，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為400mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為3mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為18%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小43nm的層狀之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例6
(前述通式(G4)所示的含有離子性基的寡聚物a7之合成)
除了將3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成42.2g(99mmol)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到前述式(G4)所示之含有離子性基的寡聚物a7(末端OM基)。數量平均分子量為40000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a7、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a1、作為連接物部位之八氟伸聯苯基的嵌段共聚物b6之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，置入40g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a7(末端OM基)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物b6。重量平均分子量為21萬。
嵌段共聚物b6係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為85%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b6的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.7meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為70莫耳/30莫耳=2.8，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為430mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2.9mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為26%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小53nm的層狀之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
比較例1
使用市售的Nafion(註冊商標)NRE211CS膜(杜邦公司製)，評價各種特性。由中和滴定所求得的離子交換容量為0.9meq/g。目視為透明且均勻的膜，於TEM觀察中沒有看到明確的相分離構造。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為100mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為3mS/cm。又，若浸漬於熱水中則激烈地膨潤，操作困難，抓住時亦會破裂。
比較例2
(不含有離子性基及縮酮基的聚醚酮寡聚物c1之合成)
除了代替25.8g(100mmol)K-DHBP，置入21.4g(100mmol)4,4’-二羥基二苯基酮(DHBP)以外，藉由實施例1中記載之方法，進行不含有離子性基的聚醚酮寡聚物之合成。自聚合初期階段起，聚合物析出，聚合困難。由於溶劑不溶性，嵌段共聚物的聚合困難，無法作為電解質膜評價。
比較例3
藉由日本特開2009-235158號公報中記載之方法，進行聚醚碸系的嵌段共聚物之合成。即，首先在發煙硫酸中使4,4-二氯二苯基碸反應，於反應結束後，使用氯化鈉進行鹽析，而得到3,3’-二磺酸鈉鹽-4,4’-二氯二苯 基碸(以下稱為「SDCDPS」)。其次，於氮氣環境下，在附有迪安-史塔克管的一口茄形燒瓶中，加入前述3.16g(6.0mmol)SDCDPS、1.34g(7.2mmol)4,4’-雙苯酚、1.49g(10.8mmol)碳酸鉀、23mL NMP、20mL甲苯，於150℃保溫2小時以共沸去除系統中的水分。然後，升溫至180℃為止，使反應16小時。放置冷卻後，將反應液注入水中，添加氯化鉀。藉由過濾來回收析出物，在60℃減壓乾燥而得到兩末端為OH基的親水性寡聚物。
其次，於氮氣環境下，在附有迪安-史塔克管的一口茄形燒瓶中，加入4.31g(15.0mmol)4,4’-二氯二苯基碸、3.05g(16.4mmol)4,4’-雙苯酚、3.39g(24.5mmol)碳酸鉀、35mL NMP、20mL甲苯，於150℃保溫2小時以共沸去除系統中的水分。然後，升溫至180℃為止，使反應12小時。放置冷卻後，將反應液注入水中，過濾所得之沈澱物，更進行甲醇洗淨。然後，藉由在100℃減壓乾燥而得到在兩末端具有OH基的疏水性寡聚物。
於氮氣環境下，在附有三通旋塞的一口茄形燒瓶中，加入0.45g上述親水性寡聚物、0.20g疏水性寡聚物、5.5mL NMP，在80℃使親水性寡聚物與疏水性寡聚物溶解。空氣冷卻後，添加0.02g(0.06mmol)十氟聯苯與0.01g(0.07mmol)碳酸鉀，在120℃使反應18小時。放置冷卻後，以NMP稀釋反應液，注入異丙醇中，將所得之沈澱物過濾，以水洗淨。接著，進行所得之聚合物的酸處理。將所得之聚合物在室溫下於1.0M硫酸水溶液中攪拌2日後，藉由過濾來回收聚合物。然後，以純水充分 洗淨聚合物，在60℃乾燥10小時而得到淡茶色的聚合物。重量平均分子量為15萬，高分子量化係困難。分子量維持率為10%，由於前述通式(S1)及(S2)所示的構成單元少，化學安定性差。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g。硬且脆的電解質膜，目視為不透明且不均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為150mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為0.1mS/cm，與實施例1~4相比，低加濕質子傳導性差。又，尺寸變化率L2/L1大到80%，耐熱水性差。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小30nm的層狀(lamellar)之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
比較例4
(下述式(G5)所示的不含有離子性基的寡聚物c2’之合成)
除了代替25.8g(100mmol)K-DHBP，添加33.6(100mmol)2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷以外，藉由實施例1中記載之方法，進行不含有離子性基的寡聚物c2(末端OM基)之合成。數量平均分子量為13000。
又，除了代替不含有離子性基的前述寡聚物a1(末端OM基)，加入不含有離子性基的前述寡聚物c2(末端OM 基)(2mmol)以外，藉由實施例1中記載之方法，進行前述式(G5)所示之不含有離子性基的寡聚物c2’(末端氟基)之合成。數量平均分子量為14000，不含有離子性基的寡聚物c2’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量630)後的值13400求得。
(下述通式(G6)所示的含有離子性基的寡聚物c3之合成)
(式中，M表示Na或K)。
除了代替12.9g(50mmol)K-DHBP及9.3g 4,4’-雙苯酚(ALDRICH試藥、50mmol)，添加33.6g(100mmol)2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷以外，藉由實施例1中記載之方法，得到前述式(G6)所示之含有離子性基的寡聚物c3(末端OM基)。數量平均分子量為19000。
(嵌段共聚物d1之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a2(末端OM基)，置入19g(1mmol)含有離子性基的寡聚物c3(末端OM基)，代替不含有離子性基的寡聚物a1’(末端氟基)，置入14g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物c2’(末端氟基)以外，藉由實施例1中記載之方法，得到嵌段共聚物d1。 重量平均分子量為16萬。
嵌段共聚物d1係含有各自0莫耳%、0莫耳%的前述通式(S1)及(S2)所示的構成單元作為含有離子性基的 鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為31%，由於不是前述通式(S1)及(S2)所示的構成單元，化學安定性差。使用溶解有所得之嵌段共聚物d1的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例1中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.3meq/g。又，若浸漬於熱水中則激烈地膨潤，操作困難，抓住時亦會破裂。
實施例7
(下述通式(G13)所示的不含有離子性基的寡聚物a11’之合成)
(式中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的1000mL三口燒瓶中，置入16.59g碳酸鉀(ALDRICH試藥，120mmol)、25.8g(100mmol)前述合成例1所得之K-DHBP及20.3g 4,4’-二氟二苯基酮(ALDRICH試藥，93mmol)，氮氣置換後，在300mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、100mL的甲苯中於160℃脫水後，升溫去除甲苯，於180℃進行1小時聚合。藉由在大量的甲醇中再沈澱以進行精製，得到不含有離子性基的寡聚物a11(末端OM基)。數量平均分子量為10000。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入3.0g雙(4-氟苯基碸)(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到下述式(G13)所示之不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)。數量平均分子量為11000，不含有離子性基的寡聚物a11’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量470)後的值10530求得。
(下述通式(G14)所示的含有離子性基的寡聚物a12之合成)
(式(G14)中，M表示Na或K；又，n表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的1000mL三口燒瓶中，置入27.6g碳酸鉀(ALDRICH試藥，200mmol)、12.9g(50mmol)前述合成例1所得之K-DHBP及9.3g 4,4’-雙苯酚(ALDRICH試藥，50mmol)、39.3g(93mmol)前述合成例2所得之二鈉3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮及17.9g(和光純藥82mmol)18-冠-6，氮氣置換後，在300mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、 100mL的甲苯中於170℃脫水後，升溫去除甲苯，於180℃進行1小時聚合。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到下述式(G14)所示之含有離子性基的寡聚物a12(末端OM基)。數量平均分子量為16000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a11’、作為連接物部位之二苯基碸的嵌段共聚物b11之合成)
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入0.56g碳酸鉀(ALDRICH試藥，4mmol)、16g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a12(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入11g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，於105℃進行24小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到嵌段共聚物b11。重量平均分子量為28萬，分子量分布為2.1。
嵌段共聚物b11係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式((S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為81%，化學安定性優異。
使用玻璃纖維過濾器，將溶解有所得之嵌段共聚物b11的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液予以加壓過濾後，流延塗佈在玻璃基板上，於100℃乾燥4小時後，在氮氣下以150℃熱處理10分鐘，得到聚縮酮酮膜(膜厚25μm)。聚合物的溶解性為極良好。在95℃的10重量% 硫酸水溶液中浸漬24小時以質子置換、脫保護反應後，在大過剩量的純水中浸漬24小時而充分洗淨，得到高分子電解質膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小20nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例8
(前述通式(G13)所示的不含有離子性基的寡聚物a13’之合成)
除了將4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成20.7g(ALDRICH試藥，95mmol)以外，藉由實施例7中記載之方法，進行不含有離子性基的寡聚物a13(末端OM基)之合成。數量平均分子量為15000。
又，除了代替不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，加入30.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a13(末端OM基)以外，藉由實施例7中記載之方法，進行前述式(G13)所示之不含有離子性基的寡聚物a13’(末端氟基)之合成。數量平均分子量為16000，不含 有離子性基的寡聚物a13’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量470)後的值15530求得。
(下述通式(G14)所示的含有離子性基的寡聚物a14之合成)
除了將3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成40.1g(95mmol)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到前述式(G14)所示之含有離子性基的寡聚物a14(末端OM基)。數量平均分子量為21000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a14、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a13’、作為連接物部位之二苯基碸的嵌段共聚物b12之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a12(末端OM基)，置入21g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a14(末端OM基)，代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入16g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a13’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b12。重量平均分子量為40萬，分子量分布為2.2。
嵌段共聚物b12係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為83%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b12的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.6meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為40莫耳/60莫耳=0.67，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為200mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為0.8mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到6%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小35nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例9
(前述通式(G13)所示的不含有離子性基的寡聚物a15’之合成)
除了將4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成21.4g(ALDRICH試藥，98mmol)以外，藉由實施例7中記載之方法，進行不含有離子性基的寡聚物a15(末端OM基)之合成。數量平均分子量為20000。
又，除了代替不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，加入40.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a15(末端OM基)以外，藉由實施例7中記載之方法，進行前述式(G13)所示之不含有離子性基的寡聚物a15’(末端氟基)之合成。數量平均分子量為21000，不含有離子性基的寡聚物a15’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量470)後的值20530求得。
(前述通式(G14)所示的含有離子性基的寡聚物a16之合成)
除了將3,3’-二磺酸基-4,4’-二氟二苯基酮的加入量改成41.4g(98mmol)，將雙酚改成25.8g(100mmol)K-DHBP以外，藉由實施例7中記載之方法，得到前述式(G14)所示之含有離子性基的寡聚物a16(末端OM基)。數量平均分子量為33000。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a16、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a15’、作為連接物部位之二苯基碸的嵌段共聚物b13之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a12(末端OM基)，置入33g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a16(末端OM基)，代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入21g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a15’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b13。重量平均分子量為36萬，分子量分布為2.1。
嵌段共聚物b13係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b3的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.0meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為50莫耳/50莫耳=1.0，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為290mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為4mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為13%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例10
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a14、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a11、作為連接物部位之二苯基碸的嵌段共聚物b14之合成)
除了代替含有離子性基的寡聚物a12(末端OM基)，置入21g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a14(末端OM基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b14。重量平均分子量為32萬，分子量分布為2.2。
嵌段共聚物b14係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為85%，化學安定性優異。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b14的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為2.2meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為60莫耳/40莫耳=1.5，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為350mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為15%之比較小，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小30nm的層狀之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例11
(下述通式(G15)所示的不含有離子性基的寡聚物a17’之合成)
(式(G15)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入4.1g雙(4-氟-3-硝基苯基碸)(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G15)所示之 不含有離子性基的寡聚物a17’(末端氟基)。數量平均分子量為10800，不含有離子性基的寡聚物a17’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量651)後的值10149求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a17’、作為連接物部位之硝基二苯基碸的嵌段共聚物b15之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a17’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b15。重量平均分子量為40萬，分子量分布為2.2。
嵌段共聚物b15係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b15的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例12
(下述通式(G16)所示的不含有離子性基的寡聚物a18’之合成)
(式(G15)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入4.1g雙(4-氯-3-硝基苯基碸)(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G16)所示之不含有離子性基的寡聚物a18’(末端氯基)。數量平均分子量為10600，不含有離子性基的寡聚物a18’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量651)後的值9949求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a18’、作為連接物部位之硝基二苯基碸的嵌段共聚物b16之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a18’(末端氯基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b16。重量平均分子量為20萬，分子量分布為2.2。
嵌段共聚物b16係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b16的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例13
(下述通式(G17)所示的不含有離子性基的寡聚物a19’之合成)
(式(G17)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥、8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入1.7g 2,6-二氟苯甲腈(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G17)所示之不含有離子性基的寡聚物a19’(末端氟基)。數量平均分子量為10200，不含有離子性基的寡聚物a19’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量101)後的值10100求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a19’、作為連接物部位之苯甲腈的嵌段共聚物b17之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a19’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b17。重量平均分子量為36萬，分子量分布為2.1。
嵌段共聚物b17係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基 的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b17的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例14
(下述通式(G18)所示的不含有離子性基的寡聚物a20’之合成)
(式(G18)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物 a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入1.7g(12mmol)2,4-二氟苯甲腈，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G18)所示之不含有離子性基的寡聚物a20’(末端氟基)。數量平均分子量為10200，不含有離子性基的寡聚物a20’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量101)後的值10100求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a20’、作為連接物部位之苯甲腈的嵌段共聚物b18之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a20’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b18。重量平均分子量為36萬，分子量分布為2.3。
嵌段共聚物b18係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b18的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳 =0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例15
(下述通式(G19)所示的不含有離子性基的寡聚物a21’之合成)
(式(G19)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入2.0g(12mmol)2,5-二氟-1,4-苯并二腈，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G19)所示之不含有離子性基的寡聚物a21’(末端氟基)。數量平均分子量為10300，不含有離子性基的寡聚物a21’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量290)後之值10010求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a21’、作為連接物部位之苯并二腈的嵌段共聚物b19之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a21’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b19。重量平均分子量為20萬，分子量分布為2.3。
嵌段共聚物b19係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b19的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例16
(下述通式(G20)所示的不含有離子性基的寡聚物a22’之合成)
(式(G20)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入3.7g 4,4’二氟-3,3’二硝基二苯基酮(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G20)所示之不含有離子性基的寡聚物a22’(末端氟基)。數量平均分子量為10500，不含有離子性基的寡聚物a22’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量270)後之值10230求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a22’、作為連接物部位之二硝基二苯基酮的嵌段共聚物b20之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a22’(末端氟基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b20。重量平均分子量為20萬，分子量分布為2.3。
嵌段共聚物b20係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b20的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例17
(下述通式(G21)所示的不含有離子性基的寡聚物a13’之合成)
(式(G21)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入4.1g 4,4’二氯-3,3’二硝基二苯基酮(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G21)所示之不含有離子性基的寡聚物a23’(末端氯基)。數量平均分子量為10610，不含有離子性基的寡聚物a23’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量270)後之值10340求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a23’、作為連接物部位之二硝基二苯基酮的嵌段共聚物b21之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a23’(末端氯基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b21。重量平均分子量為20萬，分子量分布為2.3。
嵌段共聚物b21係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b21的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例18
(下述通式(G22)所示的不含有離子性基的寡聚物a24’之合成)
(式(G21)中，m表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、20.0g(2mmol)不含有離子性基的前述寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫 去除環己酮，置入2.2g 2,4-二氯-6-甲氧基-1,3,5-三(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G22)所示之不含有離子性基的寡聚物a24’(末端氯基)。數量平均分子量為10119，不含有離子性基的寡聚物a24’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量109)後之值10010求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a12、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a24’、作為連接物部位之甲氧基三的嵌段共聚物b22之合成)
除了代替不含有離子性基的寡聚物a11’(末端氟基)，置入10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a22’(末端氯基)以外，藉由實施例7中記載之方法，得到嵌段共聚物b22。重量平均分子量為20萬，分子量分布為2.3。
嵌段共聚物b22係含有100莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為95%，化學安定性極優異。判斷為吸電子性基增量之效果。
使用溶解有所得之嵌段共聚物b22的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液，藉由實施例7中記載之方法，進行高分子電解質膜之製膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目 視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小50nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
實施例19
(下述通式(G23)所示的含有離子性基的寡聚物a25’之合成)
(式(G23)中，M表示Na或K；又，n表示正之整數)。
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入1.1g碳酸鉀(ALDRICH試藥，8mmol)、32.0g(2mmol)含有離子性基的前述寡聚物a12(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入3.0g雙(4-氟苯基碸)(ALDRICH試藥，12mmol)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到前述式(G23)所示之含有離子性基的寡聚物a25’(末端氟基)。數量平均分子量為15900，含有離子性基的寡聚物a25’之數量平均分子量係以扣除連接物部位(分子量470)後之值15430求得。
(含有作為含有離子性基的鏈段(A1)之寡聚物a25’、作為不含有離子性基的鏈段(A2)之寡聚物a11、作為連接物部位之二苯基碸的嵌段共聚物b23之合成)
於具備攪拌機、氮氣導入管、Dean-Stark袪水器的500mL三口燒瓶中，置入0.56g碳酸鉀(ALDRICH試藥、4mmol)、10g(1mmol)不含有離子性基的寡聚物a11(末端OM基)，氮氣置換後，在100mL的N-甲基吡咯啶酮(NMP)、30mL的環己酮中於100℃脫水後，升溫去除環己酮，置入15g(1mmol)含有離子性基的寡聚物a25’(末端氟基)，於105℃進行1小時反應。藉由在大量的異丙醇中再沈澱以進行精製，得到嵌段共聚物b23。重量平均分子量為25萬，分子量分布為2.1。
嵌段共聚物b23係含有50莫耳%的前述通式(S1)所示的構成單元作為含有離子性基的鏈段(A1)、100莫耳%的前述通式(S2)所示的構成單元作為不含有離子性基的鏈段(A2)。分子量維持率為81%，化學安定性優異。
使用玻璃纖維過濾器，將溶解有所得之嵌段共聚物b23的25重量%N-甲基吡咯啶酮(NMP)溶液予以加壓過濾後，流延塗佈在玻璃基板上，於100℃乾燥4小時後，在氮氣下以150℃熱處理10分鐘，得到聚縮酮酮膜(膜厚25μm)。聚合物的溶解性為極良好。在95℃的10重量%硫酸水溶液中浸漬24小時以質子置換、脫保護反應後，在大過剩量的純水中浸漬24小時而充分洗淨，得到高分子電解質膜。
由中和滴定所求得的離子交換容量為1.8meq/g，由1H-NMR所求得的莫耳組成比(A1/A2)為44莫耳/56莫耳=0.79，沒有看到縮酮基的殘存。極強韌的電解質膜，目視為透明且均勻的膜。質子傳導度係在80℃、相對濕度85%下為250mS/cm，在80℃、相對濕度25%下為2mS/cm，低加濕質子傳導性優異。又，尺寸變化率為小到10%，耐熱水性亦優異。
再者，於TEM觀察中，可確認疇域大小20nm的共連續樣之相分離構造。含有離子性基的疇域、不含有離子性基的疇域皆形成連續相。
[產業上之利用可能性]
本發明之高分子電解質材料及高分子電解質膜係可適用於各種的電化學裝置(例如燃料電池、水電解裝置、氯鹼電解裝置等)。於此等裝置之中，較適合燃料電池用，特別適合以氫作為燃料之燃料電池。
本發明之固體高分子型燃料電池之用途係沒有特別的限定，但較佳使用作為行動電池、個人電腦、PDA、攝影機、數位相機等之攜帶機器、無線吸塵器等之家電、玩具類、電動腳踏車、摩托車、汽車、巴士、卡車等之車輛或船舶、鐵路等的移動體之電力供給源、固定型發電機等以往的一次電池、二次電池之替代、或與此等的混合電源。

Claims (13)

  1. 一種嵌段共聚物，其係含有各自1個以上之含有離子性基的鏈段(A1)、不含有離子性基的鏈段(A2)及連結該鏈段間的連接物部位之嵌段共聚物，其特徵為：含有離子性基的鏈段(A1)係含有下述通式(S1)所示的構成單元，不含有離子性基的鏈段(A2)係含有下述通式(S2)所示的構成單元，含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)之莫耳組成比(A1/A2)為0.2以上5以下， (通式(S1)中，Ar1~Ar4表示任意的2價伸芳基，Ar1及/或Ar2含有離子性基，Ar3及Ar4可含有或不含有離子性基；Ar1~Ar4係可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S1)或其它構成單元的鍵結部位)， (通式(S2)中，Ar5~Ar8表示任意的2價伸芳基，不含有離子性基；Ar5~Ar8可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S2)或其它構成單元的鍵結部位)。
  2. 如申請專利範圍第1項之嵌段共聚物，其中離子性基係磺酸基。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之嵌段共聚物，其離子交 換容量為1.5meq/g~3.5meq/g。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之嵌段共聚物，其中通式(S2)所示的構成單元係以下述式(S3)表示，
  5. 如申請專利範圍第1或2項之嵌段共聚物，其中通式(S1)所示的構成單元係以下述式(S4)表示， (式(S4)中，M1及M2表示氫、金屬陽離子、銨陽離子，M1及M2亦可表示2種類以上之基)。
  6. 如申請專利範圍第1或2項之嵌段共聚物，其中含有離子性基的鏈段(A1)與不含有離子性基的鏈段(A2)之數量平均分子量為0.5萬以上5萬以下。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之嵌段共聚物，其中連結鏈段間的連接物部位係以下述通式(L1)~(L7)中的任一者表示， (通式(L1)中，X表示由H、NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L2)中，Y表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L3)中，Z表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(L5)中，R表示甲氧基，通式(L6)中，Ar表示任意的伸芳基，通式(L7)中，E表示氧或硫；通式(L1)~(L7)係可更被吸電子性基取代，也可互相獨立地使用2種類以上的X~Z、R、Ar及E；＊表示通式(L1)~(L7)與其它鏈段的鍵結部位)。
  8. 一種如申請專利範圍第1至7項中任一項之嵌段共聚物之製造方法，其特徵為至少具備下述步驟(1)、(2)：(1)使含有下述通式(S1)所示的構成單元及/或成為該通式(S1)所示的構成單元之前驅物的構成單元，且在兩末端具有-OM基(M表示H、金屬陽離子、銨陽離子)之含有離子性基的鏈段(A1)，或含有下述通式(S2)所示的構成單元及/或成為該通式(S2)所示的構成單元之前驅物的構成單元，且在兩末端具有-OM基(M表示 H、金屬陽離子、銨陽離子)之不含有離子性基的鏈段(A2)之兩末端的-OM基，與連接物化合物反應，而導入連接物部位之步驟，(2)藉由使(1)所合成之導入有連接物部位的鏈段之兩末端連接物部位與另一個鏈段之兩末端的-OM基聚合，以製造嵌段共聚物及嵌段共聚物前驅物之步驟， (通式(S1)中，Ar1~Ar4表示任意的2價伸芳基，Ar1及/或Ar2含有離子性基，Ar3及Ar4可含有或不含有離子性基；Ar1~Ar4係可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S1)或其它構成單元的鍵結部位)； (通式(S2)中，Ar5~Ar8表示任意的2價伸芳基，不含有離子性基；Ar5~Ar8可互相獨立地使用2種類以上的伸芳基；＊表示與通式(S2)或其它構成單元的鍵結部位)。
  9. 如申請專利範圍第8項之嵌段共聚物之製造方法，其中使用由下述通式(M1)~(M7)中選出的至少1種之連接物化合物， (通式(M1)~(M7)中，W表示Cl或F；通式(M1)中，X表示由H、NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M2)中，Y表示由NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M3)中，Z表示NO2、CN、CF3、Cl、Br、I中選出的吸電子性基，通式(M5)中，R表示甲氧基，通式(M6)中，Ar表示任意的伸芳基，通式(M7)中，E表示氧或硫；通式(M1)~(M7)係可更被吸電子性基取代，也可互相獨立地使用2種類以上之X~Z、R、Ar及E)。
  10. 如申請專利範圍第8項之嵌段共聚物之製造方法，其使用由下述通式(M1-1)、(M1-2)、(M1-8)、(M2-1)、(M2-2)、(M2-3)、(M5-1)、(M5-4)、(M7-2)中選出的至少1種之連接物化合物，
  11. 一種高分子電解質材料，其特徵為由如申請專利範圍第1至7項中任一項之嵌段共聚物所構成。
  12. 一種高分子電解質成型體，其特徵為由如申請專利範圍第11項之高分子電解質材料所構成。
  13. 一種固體高分子型燃料電池，其特徵為使用如申請專利範圍第11項之高分子電解質材料所構成。
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