TWI536444B - Apparatus and method for processing flat substrates - Google Patents

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TWI536444B
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Dirk Bareis
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Description

用於處理平的襯底的設備和方法
本發明涉及一種用於在連續的處理過程中處理平的襯底的設備,包括a)槽容器,所述槽容器用液態的處理介質填充直到一定液位;b)運輸裝置,借助於所述運輸裝置,襯底能夠通過引導元件在水準的運輸平面中沿運輸方向引導地運輸通過處理介質,使得襯底的至少一個處理側浸入到處理介質中;c)迴圈裝置,處理介質借助於所述迴圈裝置能夠在槽容器中迴圈,並且所述迴圈裝置包括抽吸裝置和輸出裝置,處理介質通過所述抽吸裝置從槽容器中抽出,抽出的處理介質通過所述輸出裝置又輸出到槽容器中。
此外,本發明涉及一種用於處理平的襯底、尤其是用於半導體工業和太陽能工業的襯底的方法,其中a)襯底通過引導元件引導地在水準的運輸平面中沿運輸方向運輸通過液態的處理介質,使得襯底的至少一個處理側浸入到處理介質中;b)處理介質借助於迴圈裝置迴圈。
這種處理設備和方法從市場中已知,並且例如在處理平的襯底時使用,如所述襯底在半導體和太陽能工業中例 如以矽片的形式、也就是說以所謂的晶圓、矽板和玻璃板的形式經受不同類型的濕法工藝。在本文中,尤其有興趣的是對所述襯底進行濕法化學的刻蝕處理。
對此,將其表面應當被改變的待處理的襯底輸送通過液體刻蝕處理介質。在刻蝕過程中,襯底的表面得到對其隨後的使用目的而言必要的特性。在此,例如運輸輥用作為供襯底在其通過處理介質期間的引導元件,所述襯底平放在所述運輸輥上。存在下述設備,其中將襯底在液位之下引導通過處理介質,同樣存在下述設備,其中將襯底一定程度漂浮在處理介質表面上地引導,使得所述襯底的上側未浸潤地從處理介質中突出。
在化學的刻蝕處理中,總體上,在襯底位置處的處理介質的組分對刻蝕結果的品質而言是決定性的參數。在刻蝕過程期間,在襯底上除直接的反應產物之外也形成在實際的刻蝕過程之後的反應中形成的副產物。尤其地,在襯底上例如形成氧化氮NOx,所述氧化氮在緊鄰的襯底附近處起催化作用並且對均勻的蝕像而言也需要在襯底處的特定的濃度範圍。在槽容器中,通常在開始所述類型的已知設備中構成氧化氮NOx的濃度梯度,其中NOx濃度隨著槽深度的增加而降低。
然而,當氧化氮NOx沒有從襯底中導出時,引起在襯底附近的局部的過飽和,這又導致在襯底上出現不均勻的蝕像。
因為氧化氮NOx能夠從處理液體中逸出到高於液位 的大氣中,所以此外,當襯底上消耗的處理介質沒有由新鮮的處理介質更換時,在可能的生產停頓中刻蝕速度非常快地下降。當引起與生產相關的中斷時,必須在每次恢復處理時,在襯底上再建立氧化氮NOx的濃度,並且必須重新設定例如處理槽溫度和運輸速度的其他刻蝕參數。
由此,能夠引起刻蝕結果品質的明顯波動;同時,這在處理設備的下降的產量中體現出來。
為了實現在槽容器中均勻混合處理介質並且由此實現氧化氮NOx在處理介質中的均勻分佈,在已知的設備和方法中使用在處理槽中迴圈處理介質的迴圈裝置,由此,將反應產物和氧化氮NOx從處理位置導出並且尤其將氧化氮NOx均勻地分佈在處理槽中。
對此已知的是,經由輸出設備從下方朝向襯底輸出迴圈的處理介質,使得朝向兩個相鄰的引導元件之間的、例如兩個相鄰的運輸輥之間的中間空間輸出迴圈的處理介質的主要部分。然而,經驗示出,在此也仍引起蝕像的局部的不均勻性,並且在與生產相關的停頓中,迅速地失去浴活性。通過改變並重新設定例如為運輸速度或槽溫度的其他的工藝參數,能夠部分地抵消所述效應。然而,這在每次中斷之後是必要的,這導致每次必須重新評估刻蝕結果。工藝的設定過程能夠是非常耗費時間的並且每次需要幾分鐘。因此總體上,整個進程不是令人滿意的。
本發明的目的是,實現開始提及類型的設備和方法,其中在處理位置快速地以及可靠地用未消耗的處理介質來更換消耗的處理介質,並且尤其地,確保處理介質的均勻混合並且由此確保氧化氮NOx在處理介質中的均勻分佈,而沒有引起上述困難或者至少減小了上述困難。
所述目的在開始所述類型的設備中如下實現,d)迎流元件在槽容器中設置在低於運輸平面的高度水準上;e)迴圈裝置的輸出裝置包括輸出噴嘴,所述輸出噴嘴設置在低於迎流元件的高度水準上並且設計成,使得輸出噴嘴中的每一個都目的明確地朝向迎流元件的每一個輸出處理介質的主要部分。
其中應當理解的是,儘管由確定的輸出噴嘴輸出的處理介質的一部分能夠流過迎流元件,而流動路徑沒有明顯地被迎流元件影響。然而,由確定的輸出噴嘴輸出的處理介質的主要部分目的明確地流到相關聯的迎流元件上,使得通過所述迎流元件隔斷迴圈的處理介質的直接的流動路徑。
本發明以如下知識為基礎,在該情況下能夠實現均勻的流型並且在處理位置處均勻地並有效地進行處理介質的更換,由此,尤其能夠實現氧化氮NOx在處理介質中的均勻分佈。
在此,尤其適宜的是,輸出噴嘴設置在從上方觀察位於迎流元件的淨輪廓之內的區域中,其中相應的淨輪廓通 過如下的迎流元件限定,相應的輸出噴嘴將處理介質輸出到所述迎流元件上。
在結構方面有利的是,輸出裝置包括多個帶有輸出開口的噴嘴條,其中每個輸出開口形成輸出噴嘴。
優選地,所述噴嘴條彼此平行並且平行於襯底運輸方向地設置。
替選地,噴嘴條能夠垂直於運輸方向地設置。
因此,在所有載入有處理介質的迎流元件處引起相同的或相似的流動效應,適宜的是,噴嘴條設置在共同的水平面中,也就是說相關的噴嘴條距迎流元件的距離相等。
能夠有利的是,輸出裝置包括分別形成輸出噴嘴的多個的單獨噴嘴。
那麼,單獨噴嘴能夠單獨地或者以由兩個或多個單獨噴嘴組成的組的形式被輸送有迴圈的處理介質。由此,能夠在寬的範圍內調節處理槽中的流動分佈。
通常優選的是,能夠調節輸送給輸出裝置的迴圈的處理介質的體積流。
迴圈裝置能夠設計成,使得a)總是以相同的體積流將迴圈的處理介質傳輸給全部的輸出噴嘴;或者b)能夠將處理介質的單獨的體積流輸送給各個輸出噴嘴或由兩個或多個輸出噴嘴組成的組,而與其餘的輸出噴嘴無關或者與由兩個或多個輸出噴嘴組成的其餘的組無 關。
在後一情況下,在槽容器中能夠實現對流動性能進行尤其精細的調節。
尤其有利的是,迎流元件由運輸裝置的引導元件形成。在該情況下,不需要其他的構件。這意味著,輸出裝置的輸出噴嘴目的明確地從下方朝運輸裝置的引導元件輸出處理介質。
如上已經說明的是,迎流元件能夠優選地構造成運輸輥,襯底平放到所述運輸輥上。
在開始所述類型的方法方面,上述目的通過以下內容實現,c)迴圈的處理介質的主要部分從低於迎流元件的高度水準目的明確地朝向迎流元件輸出,所述迎流元件本身在槽容器中設置在低於運輸平面的高度水準上。
該優點對應於上面針對處理設備闡明的優點。
如同以上已經針對處理設備所討論的是,在所述方法中有利的是,處理介質從由上方觀察存在於迎流元件的淨輪廓之內的區域朝向相應的迎流元件輸出,其中每個淨輪廓通過如下的迎流元件限定,輸出噴嘴將處理介質輸出到所述迎流元件上。
在此,也適宜的是,引導元件用作為迎流元件。
還優選的是,運輸輥用作為迎流元件,襯底平放到所述運輸輥上。
在圖1和2中,用於處理平的襯底的設備整體標記為2,其中示例地示出多個例如用於製造太陽能電池的矽板4。
處理設備2包括槽容器6,用液態的處理介質10填充所述槽容器6直至一定液位8。槽容器在其第一端壁中具有水準的進料口12並且在其對置的第二端壁中具有水準的出料口14。借助於運輸裝置16,矽板4在水準位置中沿通過箭頭表示的運輸方向18運輸通過處理介質10,由此限定在圖1、3、6和7中表明的、水準的運輸平面20。在進料口12和出料口14處分別存在在此不進一步關注的密封裝置21,使得在那裏處理介質10不能夠向外滲透。這種密封裝置是自身已知的。
液位8僅少量地、例如位於矽板4的上側22的0.1至10毫米之上。因此,矽板4在本實施例中在通過槽容器6時完全地浸入到處理介質10中。
對此,作為引導元件的運輸裝置16包括下部的運輸輥24,在所述運輸輥24上,矽板4以其下側26平放在所述運輸輥上地運輸通過處理介質10。所述下側26是矽板4的應當經受刻蝕處理的處理側。
也能夠存在其他結構作為引導元件來代替運輸輥24,例如,也可以考慮簡單的滑移元件,矽板4平放在所述滑移元件上並且在通過處理介質10時,經由所述滑移元件移動矽板4。
在變型形式中,矽板4僅以其處理側26浸入到處理介質10中,而其上側22未浸潤地突出到位於處理介質10之上的大氣中。處理介質10的液位元8在該情況下相應較低。
此外,運輸裝置16在本實施例中包括上部的運輸輥28,所述運輸輥28分別在矽板4的上側22上滾動。在此每隔一個下部的運輸輥24對置地設置一個上部的運輸輥28,使得襯底板4容納在所述滾輪對24、28之間。在圖中,相應地僅運輸輥24和28中的一些設有附圖標記。在圖2中透視地示出運輸輥28和24。
下部的和上部的運輸輥24和28沿橫向於運輸方向18的水平線延伸,並且本身在槽容器6之外安放在支承塊30中。上部的運輸輥28能夠借助於一個或多個在此沒有特意示出的馬達驅動。
運輸輥28同時用於,使矽板4總是平放在下部的運輸輥24上並且不向上升起矽板4。上部的輸送滾輪20安放成,使得所述輸送滾輪在一定範圍內可豎直地移動。必要時,例如上部的運輸輥28能夠是柔性的或者可豎直移動地安放。通過所述措施確保:上部的運輸輥28能夠使其豎直位置適應於矽板4的厚度差。
為了實現處理介質10的以及由此氧化氮NOx在槽容器6中的開始所提及的均勻混合,處理設備2包括迴圈裝置32。借助於迴圈裝置32,從運輸輥24、28的區域吸出處理介質10,並且從下方再次輸出到仍位於槽容器6中 的處理介質10中。
對此,迴圈裝置32包括抽吸裝置34和輸出裝置36,處理介質10通過所述抽吸裝置從槽容器6抽出,所述抽出的處理介質通過所述輸出裝置又輸出到槽容器6中。
迴圈單元屬於抽吸裝置34,所述迴圈單元在本實施例中以所謂的流料箱38的形式存在。所述迴圈單元經由多個進氣接管40--在本實施例中存在三個這種進氣接管40--從處理槽的區域抽出處理介質10,下部的運輸輥24設置在所述區域中。因此,流料箱38在矽板4的下側26附近從處理槽的區域中抽出處理介質10。
流料箱38將所述抽出的處理介質10運送至輸出裝置36,所述輸出裝置36包括多個帶有多個輸出噴嘴44的噴嘴條42,其中每個所述輸出噴嘴通過噴嘴條42中的輸出開口46形成。在圖中僅一些噴嘴條42、輸出噴嘴44和輸出開口46設有附圖標記。
噴嘴條42進而輸出噴嘴44設置在低於運輸輥24的高度水準上並且設計成,使得輸出噴嘴44中的每個將迴圈的處理介質10的通過箭頭表示的主要部分48目的明確地朝向下部的運輸輥24中的每個輸出。
如同開始已經提及地,在此應理解的是,儘管由確定的輸出噴嘴44輸出的處理介質10的一部分能夠流動到下部的運輸輥24之上的區域中並且因此流向矽板4,而沒有流到與所述輸出噴嘴44相關聯的下部的運輸輥24上。 然而,由確定的輸出噴嘴44輸出的處理介質10的主要部分40目的明確地流到相關聯的下部的運輸輥24上,使得通過下部的運輸輥24隔斷迴圈的處理介質10到矽板4的直接的流動路徑。
在此,輸出噴嘴44在本實施例中設置成,使得輸出噴嘴44從上方觀察位於下部的運輸輥24的淨輪廓之內的區域中,所述淨輪廓通過如下的下部的運輸輥24限定,確定的輸出噴嘴44將處理介質10輸出到所述下部的運輸輥上。下部的運輸輥24的淨輪廓在圖1中通過虛線表明並且設有附圖標記50。由此,當輸出噴嘴44以相應的距離設置在運輸輥24之下時,處理介質從輸出噴嘴44出來遇到確定的下部的運輸輥24的角度始終能夠保持相對大。
然而在沒有特意示出的處理設備2的變型形式中,只要迴圈的處理介質10的主要部分48以上述方式遇到相應的下部的運輸輥24,就也能夠將一些或全部的輸出噴嘴44設置在運輸輥24的相應的淨輪廓50之外。
同樣不必在每個運輸輥24之下設置一個或多個輸出噴嘴44;同樣能夠存在不被迴圈的處理介質10流到的運輸輥24。因此,輸出噴嘴44例如能夠僅與每隔一個或每隔兩個下部的運輸輥24相關聯。
因此,一般來說,通過運輸輥24構成迎流元件,所述迎流元件在槽容器6中設置在運輸平面20之下並且輸出噴嘴44將處理介質10的主要部分48輸出到所述迎流 元件上。在一個變型形式中,迎流元件也能夠作為槽容器6中單獨的構件存在。這僅在圖1中通過虛線示出的迎流元件51來表明,所述迎流元件在那裏設置在運輸輥24之下。這種單獨的迎流元件51的幾何尺寸能夠是不同的。再次一般來說,當前重要的是,迎流元件設置在低於襯底的運輸平面20的高度水準上,並且輸出噴嘴44位於低於迎流元件的高度水準上,其中所述迎流元件可能獨立的迎流元件51或者引導元件例如運輸輥24。再次一般來說,所述淨輪廓50相應地是相應迎流元件51的淨輪廓。
下面,現在再參考作為迎流元件的運輸輥24,其中為此所述的內容意義上也相應地適用於獨立的迎流元件。
在圖3中示出處理設備2的未按照比例的斷面,其中能夠識別帶有設置在噴嘴條之上的運輸輥24的噴嘴條42的剖面,矽板4在所述運輸輥24上運輸。在所述噴嘴條42中,在每個運輸輥24之下,多個輸出噴嘴46沿所述的傳遞滾輪24的縱向方向分佈在噴嘴條42的環周上,使得處理介質扇形地朝向所述的運輸輥24輸出,其中流動扇面在運輸輥24的縱向方向上展開。這在圖3中通過相應的箭頭表明,其中並非全部的輸出開口46都具有附圖標記。
輸出開口46的數量能夠在大的範圍內變化。能夠總是分別僅存在唯一的輸出開口46,如同在圖2中的噴嘴條42中示出的那樣。輸出開口46的最大可能的數量尤其與所觀察的噴嘴條42的直徑以及各個輸出開口46的直徑 和彼此間的間距相關。
在實際中尤其證實:多個輸出開口46以超過160°的角度範圍設置和分佈,也就是說在始於垂線V的兩個方向上分別設置和分佈超過80°。然而,所述角度範圍也能夠被減小並且例如僅為120°。輸出開口46的分別對於特定的設備而言尤其有效的佈置能夠借助常見的機構通過試驗來確定。
當迴圈的處理介質10現在從相應的輸出噴嘴44出來遇到下部的運輸輥24時,流動總體上被均勻化,其中中斷以及減小存在於從輸出噴嘴44中向上流動的處理介質10中的渦流。
由此,迴圈的處理介質10均勻地流向在矽板4的下側26處的進行刻蝕處理的位置,並且整體上,在矽板4的區域中以及在處理介質10的液位8處形成均勻的流型。這通過圖4和5來表明。
在圖4中能夠識別在處理設備2中出現的在液位8處的流型;圖5示出在處理介質M的液位S處的流型,所述流型能夠在處理設備A中出現,所述處理設備從市場中已知並且在所述處理設備中,迴圈的處理介質M流入在此處的運輸輥T之間。
在後一情況中,當矽板4沒有堵塞路徑時,迴圈的處理介質M在相對於液位元S的直接路徑上流動。因此,在液位S處通過強的並且直接指向上方的流動而形成“流蘑菇頂”P,局部不期望的刻蝕和反應產物能夠聚集在所述 流蘑菇頂中,所述刻蝕和反應產物也影響到在刻蝕位置處的、即在矽板下側的處理介質的成分,使得生成的蝕像不具有期望的品質。
相反地,圖4示出:如何通過帶有噴嘴條42的輸出裝置36產生均勻的流型,其中在處理介質10的液位8處的渦流是適度的,使得在此所述處理介質在上部的運輸輥28之間僅造成輕微的流突起部52。在此,處理介質10更均勻地在槽容器6中迴圈並且氧化氮NOx在處理介質10中均勻地分佈,使得保證高品質的刻蝕均勻性,如其在開始所闡述的那樣。
流料箱38對每個噴嘴條42提供迴圈的處理介質10,所述處理介質穿流過相應的噴嘴條42並且經由位於所述噴嘴條42中的輸出開口46再次離開。由流料箱38輸送給輸出裝置38的迴圈的處理介質10的體積流能夠是可調節的。在此,流料箱38能夠設計成,使得將迴圈的處理介質10始終以相同的體積流輸送給全部的噴嘴條42。替選地,流料箱38也能夠設計成,使得處理介質10的單獨的體積流能夠輸送給每個噴嘴條42而與其餘的噴嘴條42無關。
矽板4通常劃分成所謂的軌道,在所述軌道上設置之後的有效表面。在實際中,證實為尤其有利的是,輸出噴嘴44平行於所述軌道地分別相繼地設置,因此,噴嘴條42根據所述軌道平行於運輸方向18並且彼此平行地設置在共同水平面中。然而在沒有特意示出的變型形式中,噴 嘴條42例如也平行於下部的運輸輥24、或通常來說垂直於運輸方向18延伸,使得在確定的運輸輥24下存在噴嘴條42,其輸出噴嘴44因此將迴圈的處理介質10的主要部分48全部輸出到所述確定的運輸輥24上。
在圖6和7中,現在示出修改的處理設備2’作為第二實施例。在所述處理設備中,相應於根據圖1至4的那些處理設備2中部件和構件的部件和構件具有相同的附圖標記,並且在意義上相應地適用上面的處理設備2的內容。
處理設備2’與處理設備2的不同之處在於修改的輸出裝置36。在所述處理設備2’中,輸出噴嘴44通過單獨噴嘴54形成,其中每個單獨噴嘴經由單獨的輸送通道56與流料箱38連接,其中僅一些單獨噴嘴設有附圖標記。以所述方式,迴圈的處理介質10能夠單獨地從流料箱38輸送給每個單獨噴嘴54。
在沒有特意示出的變型形式中,具有兩個或多個單獨噴嘴54的各個單獨噴嘴54的組也能夠分別經由相應的共同輸送管道輸送輸送有迴圈的處理介質10。
此外,單獨噴嘴54也能夠與一個或多個噴嘴條42組合地使用,如同其在處理設備2中所設置的。
M‧‧‧處理介質
S‧‧‧液位
V‧‧‧垂線
A‧‧‧處理設備
T‧‧‧運輸輥
2‧‧‧處理設備
2’‧‧‧處理設備
4‧‧‧矽板
6‧‧‧槽容器
8‧‧‧液位
10‧‧‧處理介質
12‧‧‧進料口
14‧‧‧出料口
16‧‧‧運輸裝置
18‧‧‧運輸方向
20‧‧‧運輸平面
21‧‧‧密封裝置
22‧‧‧上側
24‧‧‧運輸輥
26‧‧‧下側、處理側
28‧‧‧運輸輥
32‧‧‧迴圈裝置
34‧‧‧抽吸裝置
36‧‧‧輸出裝置
38‧‧‧流料箱
40‧‧‧進氣接管
42‧‧‧噴嘴條
44‧‧‧輸出噴嘴
46‧‧‧輸出開口
48‧‧‧主要部分
50‧‧‧標記、淨輪廓
51‧‧‧迎流元件
52‧‧‧流突起部
54‧‧‧單獨噴嘴
以下將根據附圖詳細闡明本發明的實施例。其中示出: 圖1示出按照根據第一實施例的用於處理平的襯底的設備的根據圖2中的剖切線I-I的垂直剖面圖,其中存在迴圈裝置;圖2示出圖1的設備的沿著圖1的剖切線II-II剖開的剖面圖;圖3示出帶有多個輸出開口的噴嘴條的不按比例的剖面圖;圖4和5示出在根據本發明的設備中和在根據現有技術的設備中對槽表面上的流動情況進行比較的示意圖;圖6示出按照根據第二實施例的用於處理平襯底的設備的根據圖5中的剖切線IV-IV的垂直剖面圖;圖7示出圖4的設備的沿圖4的剖切線VII-VII剖開的剖面圖。
2‧‧‧處理設備
2’‧‧‧處理設備
4‧‧‧矽板
6‧‧‧槽容器
8‧‧‧液位
10‧‧‧處理介質
12‧‧‧進料口
14‧‧‧出料口
16‧‧‧運輸裝置
18‧‧‧運輸方向
20‧‧‧運輸平面
21‧‧‧密封裝置
22‧‧‧上側
24‧‧‧運輸輥
26‧‧‧下側、處理側
28‧‧‧運輸輥
32‧‧‧迴圈裝置
34‧‧‧抽吸裝置
36‧‧‧輸出裝置
38‧‧‧流料箱
40‧‧‧進氣接管
42‧‧‧噴嘴條
44‧‧‧輸出噴嘴
46‧‧‧輸出開口
48‧‧‧主要部分
50‧‧‧標記、淨輪廓
51‧‧‧迎流元件

Claims (16)

  1. 一種用於在連續的過程中處理平的襯底的設備,帶有a)槽容器(6),該槽容器用液態的處理介質(10)填充直到一定液位(8);b)運輸裝置(16),借助於該運輸裝置,襯底(4)能夠透過引導元件(24)在水準的運輸平面(20)中沿運輸方向(18)引導地運輸通過該處理介質(10),使得該襯底(4)的至少一個處理側(26)浸入到該處理介質(10)中;c)迴圈裝置(32),該處理介質(10)借助於該迴圈裝置能夠在該槽容器(6)中迴圈,並且該迴圈裝置包括抽吸裝置(34)和輸出裝置(36),透過該抽吸裝置將處理介質(10)從該槽容器(6)中抽出,抽出的該處理介質(10)透過該輸出裝置又輸出到該槽容器(6)中,其特徵在於,d)迎流元件(24;51)在該槽容器(6)中設置在低於該運輸平面(20)的高度水準上;e)該迴圈裝置(32)的該輸出裝置(36)包括輸出噴嘴(44),該輸出噴嘴設置在低於該迎流元件(24;51)的高度水準上並且設計成,使得該輸出噴嘴(44)中的每一個都目的明確地朝向該迎流元件(24;51)中的每一個輸出該處理介質(10)的主要部分(48)。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述的設備,其中,輸 出噴嘴設置在從上方觀察位於迎流元件(24;51)的淨輪廓(50)之內的區域中,其中相應的淨輪廓(50)透過如下的該迎流元件(24;51)限定,相應的輸出噴嘴(44)將該處理介質(10)輸出到該迎流元件上。
  3. 根據申請專利範圍第1項所述的設備,其中,該輸出裝置(36)具有多個帶有輸出開口(46)的噴嘴條(42),其中每個輸出開口(46)形成輸出噴嘴(44)。
  4. 根據申請專利範圍第3項所述的設備,其中,噴嘴條(42)彼此平行地並且平行於該襯底(4)的該運輸方向(18)設置。
  5. 根據申請專利範圍第3項所述的設備,其中,噴嘴條(42)垂直於該運輸方向(18)設置。
  6. 根據申請專利範圍第4項所述的設備,其中,噴嘴條(42)設置在共同的水平面中。
  7. 根據申請專利範圍第1項所述的設備,其中,該輸出裝置(36)包括多個分別形成輸出噴嘴(44)的單獨噴嘴(54)。
  8. 根據申請專利範圍第7項所述的設備,其中,該單獨噴嘴(54)能夠單獨地或者以由兩個或多個單獨噴嘴(54)組成的組的形式被輸送有迴圈的處理介質(10)。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述的設備,其中,輸送給該輸出裝置(36)的迴圈的處理介質(10)的體積流是能夠調節的。
  10. 根據申請專利範圍第1項所述的設備,其中,該 迴圈裝置(32)設計成,使得a)將迴圈的處理介質(10)始終以相同的體積流輸送給全部輸出噴嘴(44);或者b)能夠將處理介質(10)的單獨的體積流輸送給各個輸出噴嘴(44)或由兩個或多個輸出噴嘴(44)組成的組,而與其餘的該輸出噴嘴(44)無關或者與由兩個或多個輸出噴嘴(44)組成的其餘的組無關。
  11. 根據申請專利範圍第1至10項之任一項所述的設備,其中,該迎流元件(24)透過該運輸裝置(16)的該引導元件(24)形成。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述的設備,其中,該迎流元件(24)構造成運輸輥(24),該襯底(4)平放在該運輸輥(24)上。
  13. 一種用於處理平的襯底的方法,其中a)將該襯底(4)透過引導元件(24)在水準的運輸平面(20)中沿運輸方向(18)在連續的過程中引導地運輸通過液態的處理介質(10),使得該襯底(4)的至少一個處理側(26)浸入到該處理介質(10)中;b)該處理介質(10)借助於迴圈裝置(32)迴圈,其特徵在於,c)將迴圈的處理介質(10)的主要部分(48)從低於迎流元件(24;51)的高度水準目的明確地朝向該迎流元件(24;51)輸出,該迎流元件(24;51)本身在該槽 容器(6)中設置在低於該運輸平面(20)的高度水準上。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述的方法,其中,從由上方觀察位於迎流元件(24)的淨輪廓(50)之內的區域中朝向相應的迎流元件(24)輸出處理介質(10),其中相應的淨輪廓(50)透過如下迎流元件(24)限定,處理介質(10)輸出到該迎流元件上。
  15. 根據申請專利範圍第13或14項所述的方法,其中,該引導元件(24)用作為迎流元件(24)。
  16. 根據申請專利範圍第15項所述的方法,其中,運輸輥(24)用作為迎流元件(24),該襯底(4)平放在該運輸輥(24)上。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101538431B1 (ko) * 2013-12-11 2015-07-22 주식회사 엠엠테크 글라스 강화 처리 장치
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Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005012093A (ja) * 2003-06-20 2005-01-13 Sumitomo Precision Prod Co Ltd エッチング装置
EP1733418B2 (de) * 2004-03-22 2018-01-17 RENA Technologies GmbH Verfahren zur elektrischen isolation beider seiten von siliziumscheiben durch deren einseitige nasschemische behandlung unter verwendung eines flüssigkeitsbades
DE102005062528A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
JP4776380B2 (ja) * 2006-01-20 2011-09-21 株式会社東芝 処理装置及び処理方法
DE102007054090A1 (de) * 2007-11-13 2009-05-20 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur einseitigen Nassbehandlung von Gut
JP2011100872A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Mitsubishi Electric Corp 基板表面処理装置、基板処理方法および光起電力装置の製造方法
JP2011198892A (ja) * 2010-03-18 2011-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄処理装置
JP6621273B2 (ja) * 2015-02-23 2019-12-18 株式会社マキタ 送風装置および当該送風装置が装着される衣服

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