TWI534968B - 封裝基板、覆晶封裝電路及其製作方法 - Google Patents
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Description
本發明係關於一種封裝基板、覆晶封裝電路及其製作方法。
新一代的電子產品不僅追求輕薄短小,更朝多功能與高性能的方向發展,因此,積體電路(Integrated Circuit,簡稱IC)技術不斷地高密度化與微型化,以期在有限的晶片空間容納更多的電子元件,而其後端的封裝基板及其構裝技術亦隨之進展,以符合此新一代的電子產品趨勢。
由於目前應用於鑄模互連基板(Molded Interconnection Substrate,簡稱MIS)技術的覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package,簡稱FCCSP)基板10,如第1圖所示,其採用感光型底層塗料(primer)材料來製作鑄模化合物層16上的介電材料層17,因此對於介電材料的光微影蝕刻製程(Photolithography)所需解析度要求高,尤其是對於腳距密集化(Fine Pitch)的封裝製程,更需要使用特定且高價位的介電材料。此外,在現有FCCSP基板的製造程序中,連接上層電路導線14與下層電路導線12之間的導電銅柱,其製造包含了在鑄模化合物層16與介電材料層17共二次的光微影蝕刻製程,這二段的導電銅柱18及19可能因製程上對位精度的偏差而造成上下位置偏移的狀況,以及介電材料與導電銅柱之間及介電材料與鑄模化合物層材料之間的界面親合力較差,而影響其製成品良率與可靠度。因此,有必要發展新的封裝基板技術,以對治及改善上述的問題。
為達成此目的,根據本發明的一方面,係以一實施例提供一種封裝基板,其包括:一第一導線層,其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;一導電柱層,形成於該第一導線層上,該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層,該金屬柱狀物連接該第一金屬走線,該第二介電材料層形成於該鑄模化合物層上,該凸出部圍繞該金屬柱狀物;一第二導線層,形成於該導電柱層上,該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線;以及一保護層,形成於該第二導線層上。
根據本發明的另一方面,另一實施例提供一種覆晶封裝電路,其包括:一第一導線層,其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;一導電柱層,形成於該第一導線層上,該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層,該金屬柱狀物連接該第一金屬走線,該第二介電材料層形成於該鑄模化合物層上,該凸出部圍繞該金屬柱狀物;一第二導線層,形成於該導電柱層上,該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線;一保護層,形成於該第二導線層上,並具有一露出該第二金屬走線的開口;一電路晶片,設置於該第一導線層之下,並電性連接該第一金屬走線;以及一電路板,設置於該保護層上,並透過該保護層的開口而電性連接該第二金屬走線。
根據本發明的另一方面,另一實施例提供一種封裝基板之製作方法,其包括:(A)提供一承載板(carrier);(B)形成一第一導線層於該承載板上,該第一導線層包含一第一金屬走線與一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;(C)形成一金屬柱狀物於該第一導線層上,使得該金屬柱狀物連接該第一金屬走線;(D)形成一鑄模化合物層於該承載板上,該鑄模化合物層完全包覆該承載板上的該第一導
線層與該金屬柱狀物;(E)移除部分的該鑄模化合物層,使得該剩餘的鑄模化合物層包含一第一區域及一第二區域,該第一區域的上表面低於該金屬柱狀物的上端面,且該第二區域圍繞該金屬柱狀物;(F)形成一第二介電材料層於該剩餘的鑄模化合物層上,使得該第二介電材料層的上表面高於該金屬柱狀物的上端面;(G)移除部分的該第二介電材料層及/或該鑄模化合物層,使得該等金屬柱狀物的上端面露出;(H)形成一包含一第二金屬走線的第二導線層於該第二介電材料層上,使得該第二金屬走線連接該金屬柱狀物;以及(I)形成一保護層於該第二導線層上,並移除該承載板。
在一實施例中,該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。
在一實施例中,該凸出部具有一凹斜的側面。
在一實施例中,該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層所包覆。
100‧‧‧封裝基板
12、14‧‧‧導線
18、19‧‧‧導電銅柱
110‧‧‧承載板
120‧‧‧第一導線層
121~124‧‧‧第一金屬走線
126‧‧‧第一介電材料層
130‧‧‧導電柱層
131~133‧‧‧金屬柱狀物
135‧‧‧凸出部
16、136‧‧‧鑄模化合物層
17、138‧‧‧第二介電材料層
140‧‧‧第二導線層
141~144‧‧‧第二金屬走線
150‧‧‧保護層
200‧‧‧製作方法
S210~S290‧‧‧步驟
300‧‧‧覆晶封裝電路
360‧‧‧電路晶片
370‧‧‧封裝材料
380‧‧‧錫球
390‧‧‧電路板
第1圖為習知的覆晶式晶片尺寸封裝基板之結構剖面圖。
第2圖為根據本發明實施例的封裝基板之剖面示意圖。
第3圖為本實施例的封裝基板製作方法的流程示意圖。
第4A~4H圖為對應本實施例製作方法各步驟的封裝基板結構剖面圖。
第5圖為根據本發明另一實施例的覆晶封裝電路之剖面示意圖。
為使對本發明之特徵、目的及功能有更進一步的認知與瞭解,茲配合圖式詳細說明本發明的實施例如後。在所有的說明書及圖示中,將採用相同的元件編號以指定相同或類似的元件。
在各個實施例的說明中,當一元素被描述是在另一元素之「上方/上」或「下方/下」,係指直接地或間接地在該另一元素之上或之下的情況,其可能包含設置於其間的其他元素;所謂的「直接
地」係指其間並未設置其他中介元素。「上方/上」或「下方/下」等的描述係以圖式為基準進行說明,但亦包含其他可能的方向轉變。所謂的「第一」、「第二」、及「第三」係用以描述不同的元素,這些元素並不因為此類謂辭而受到限制。為了說明上的便利和明確,圖式中各元素的厚度或尺寸,係以誇張或省略或概略的方式表示,且各元素的尺寸並未完全為其實際的尺寸。
第2圖為根據本發明實施例的封裝基板100之剖面示意圖。該封裝基板100包含:一第一導線層120、一導電柱層130、一第二導線層140、以及一保護層150。如第1圖所示,該第一導線層120包含一第一介電材料層126及至少一第一金屬走線121~124,其被圖案化成該封裝基板100的下層電路布局,例如,金屬走線121~124;此外,該第一介電材料層126充填於該第一導線層120內該等金屬走線121~124以外的其餘部分。
該導電柱層130形成於該第一導線層120上,並且包含至少一金屬柱狀物131~133、一具有一凸出部135的鑄模化合物層136、及一第二介電材料層138;其中,該導電柱層130被圖案化以形成複數個金屬柱狀物131~133,用以連接該第一導線層120與該第二導線層140。如圖所示,該鑄模化合物層136直接形成於該第一導線層120上,該等金屬柱狀物131、132、133分別連接該等金屬走線121、122、124,該第二介電材料層138形成於該鑄模化合物層136上,且該鑄模化合物層136圍繞各個該金屬柱狀物131~133,而該凸出部135圍繞各個該金屬柱狀物131~133的上半部。如圖所示,該第二介電材料層138與該鑄模化合物層136共同充填於該導柱層130內該等金屬柱狀物131~133以外的其餘部分。該鑄模化合物層136可由適合鑄模(Molding)技術的絕緣材料所組成,例如,環氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)之環氧樹脂鑄模化合物(Epoxy molding compound,簡稱EMC)或是聚亞醯胺(Polyimide),而該第二介電材料層138的組成材料亦可以是環氧基樹脂或聚亞醯胺。在另一實施例中,該第一導線層120的其餘部分亦可直接以該鑄模化合物層136來充填,也就是第1圖的第一介
電材料層126可選用與該鑄模化合物層136相同組成材質的材料。
該第二導線層140形成於該導柱層130上,並包含至少一第二金屬走線141~144,其被圖案化成該封裝基板100的上層電路布局,例如,金屬走線141~144;如圖所示,該等金屬走線141、142、144分別連接該等金屬柱狀物131、132、133。在本實施例中,該等金屬柱狀物131~133可為導電銅柱,藉以作為上層電路的該第二導線層140與下層電路的該第一導線層120之電性連接。此外,該保護層150為絕緣材料層,其形成於該第二導線層140上,為該封裝基板100的最外層或最底層,用以保護該封裝基板100免於受到來自外部環境或後續製程(例如,焊接)的可能傷害。在本實施例中,該封裝基板100可作為應用於鑄模互連基板(MIS)技術的覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package)之基板。
由於現有的FCCSP基板採用感光型介電材料來製作鑄模化合物層上的介電材料層,因此對於介電材料的光微影蝕刻製程所需解析度要求高,尤其是對於腳距密集化的封裝製程,更需要使用特定且高價格的介電材料。此外,在現有FCCSP基板的製造程序中,其導柱層中的導電銅柱之製造包含了在鑄模化合物層與在介電材料層共二次的光微影蝕刻製程,這二段的導電銅柱可能因製程上對位精度的偏差而造成上下位置偏移的狀況,以及介電材料與導電銅柱之間及介電材料與鑄模化合物層材料之間的界面親合力較差,而影響其製成品良率與可靠度。因此,為了免除上述須採用高解析度的感光型介電材料製作介電材料層,以及導電銅柱的二段式加工所致如第1圖所示的缺點,該鑄模化合物層136可分成一第一區域A及一第二區域B(請參閱第4E圖),該第二區域B在高度上比該第一區域A多出了圍繞各個金屬柱狀物131~133上半部的該凸出部135;也就是說,各個金屬柱狀物131~133的側面完全被該鑄模化合物層136的第二區域B所包覆。在本實施例中,該凸出部135的上半部窄於其下半部,其寬度係由上而下逐漸增大;較佳者,該凸出部具有一凹斜的側面,例如,雙曲線式或拋
物線式的凹面。藉此,選用適當的該鑄模化合物層136與該第二介電材料層138材料,並設計適當的該導電柱層130製作程序,則導電銅柱可以單段式加工來改善上述的缺點。
第3圖為本實施例的封裝基板製作方法200的流程示意圖,而第4A~4H圖及第2圖為對應本實施例製作方法200各步驟S210~S290的該封裝基板100之結構剖面圖。該製作方法200的步驟詳述如下。
步驟S210,如第4A圖所示,提供一承載板110,其可以是金屬承載板或玻璃纖維承載板,用以承載或支持其上的導電線路及電子元件;例如,如第2圖所示之該第一導線層120、該導電柱層130、該第二導線層140以及該保護層150。上述的金屬基板包含鐵(Fe)、鐵/鎳(Fe/Ni)、銅(Cu)、鋁(Al)及其組合或合金,但本發明不以此為限。
步驟S220,如第4B圖所示,形成一第一導線層120於該承載板110上,與一第一介電材料層126,該第一介電材料層126充填於該第一導線層120內該第一金屬走線以外的其餘部分;並圖案化成該封裝基板100所預先設定的下層電路布局,例如,金屬走線121~124。該第一導線層120可藉由金屬的電鍍(Electrolytic Plating)或蒸鍍(Evaporation)技術來製作,例如,銅、鋁、或鎳,而其導電走線的圖案化可藉由光微影蝕刻(Photolithography)技術來製作。例如,藉由習知的積體電路載板之增層技術或旋轉塗佈技術,沉積一第一光阻層(圖中未示)於該承載板110上,並以曝光顯影的方式圖案化該第一光阻層;形成一第一金屬層(圖中未示)於該圖案化後的第一光阻層上;藉由舉離法(Lift-off),在移除該圖案化後的第一光阻層的同時,一併將位於該圖案化後的第一光阻層上的該第一金屬層移除,而非位於該圖案化後的第一光阻層上的該第一金屬層則被保留下來,藉以達成該第一金屬層的圖案化而形成該等金屬走線121~124。此外,步驟S320亦可以利用雷射加工方式來達成,例如,形成一第一金屬層(圖中未示)於該承載板110上;以雷射雕刻技術移除部份的該第一金屬層,藉以使餘留的該第一
金屬層之圖案形成該等金屬走線121~124。
步驟S230,如第4C圖所示,形成複數個金屬柱狀物131~133於該第一導線層120上,例如,銅柱或鋁柱,用以連接該封裝基板100的該第一導線層120與後續製程將要製作的該第二導線層140。該等金屬柱狀物131~133可藉由金屬的電鍍或蒸鍍技術來製作,例如,銅或鋁,而該等金屬柱狀物131~133的圖案化可藉由光微影蝕刻技術來製作。例如,以壓合乾膜光阻製程形成一第二光阻層(圖中未示)於該承載板110及該第一導線層120上,並以曝光顯影的方式圖案化該第二光阻層;形成一第二金屬層(圖中未示)於該圖案化後的第二光阻層上;藉由舉離法,在移除該圖案化後的第二光阻層的同時,一併將位於該圖案化後的第二光阻層上的該第二金屬層移除,而非位於該圖案化後的第二光阻層上的該第二金屬層則被保留下來,藉以達成該第二金屬層的圖案化而形成該等金屬柱狀物131~133。
步驟S240,如第4D圖所示,形成一鑄模化合物層136於該承載板110上,該鑄模化合物層136完全覆蓋該承載板110的全部表面,使得該鑄模化合物層136包覆該承載板110上所有的該等金屬走線121~124與該等金屬柱狀物131~133,並作為該第一導線層120與該第二導線層140之間的絕緣層。該鑄模化合物層136可由適合鑄模技術(例如,壓縮鑄模、轉換鑄模、或注射鑄模等)的絕緣膠體材料所組成,例如,環氧樹脂鑄模化合物(EMC)。首先,提供一鑄模容器(圖中未示),並放置一鑄模化合物(圖中未示)於該鑄模容器中;再適當地對應該鑄模容器與該承載板110,使得該等金屬走線121~124及該等金屬柱狀物131~133位於該鑄模容器與該承載板110之間;接著,上下壓合該鑄模容器與該承載板110,並同時進行該鑄模化合物的固化,藉以形成該鑄模化合物層136,其完全包覆該承載板110上所有的該等金屬走線121~124及該等金屬柱狀物131~133;最後再將該鑄模容器移除,即可形成如第4D圖之剖面圖。此外,該鑄模化合物層136的鑄模成型亦可以如下方式來實施:首先,提供一鑄模容器(圖中未示)
及一粉狀或片狀的鑄模化合物(圖中未示);以例如加熱方式,將該鑄模化合物成流體,並注入該鑄模容器中;適當地對應該鑄模容器與該承載板110,使得該等金屬走線121~124及該等金屬柱狀物131~133位於該鑄模容器與該承載板110之間;接著,上下壓合該鑄模容器與該承載板110,並同時進行該鑄模化合物的固化,藉以形成該鑄模化合物層136,其完全包覆該承載板110上所有的該等金屬走線121~124及該等金屬柱狀物131~133;最後再將該鑄模容器移除,即可形成如第4D圖之剖面圖。其中,該鑄模化合物可以是酚醛基樹脂(Novolac-Based Resin)、環氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)、或矽基樹脂(Silicone-Based Resin)等絕緣材料所組成,但不以此為限。在本實施例中,該鑄模化合物層136選用環氧基樹脂之環氧樹脂鑄模化合物(EMC)。
步驟S250,如第4E圖所示,移除部分的該鑄模化合物層136,使得該剩餘的鑄模化合物層136包含如圖所示的第一區域A及第二區域B,該第一區域A的上表面低於該等金屬柱狀物131~133的上端面,且該第二區域B圍繞該等金屬柱狀物131~133。例如,本步驟可採用研磨、噴砂、電漿或化學蝕刻等方式來進行。該第二區域B在高度上比該第一區域A多出了圍繞各個金屬柱狀物131~133上半部的該凸出部135;也就是說,各個金屬柱狀物131~133的側面完全被該鑄模化合物層136的第二區域B所包覆。在本實施例中,該凸出部135的上半部窄於其下半部,其寬度係由上而下逐漸增大;較佳者,該凸出部具有一凹斜的側面,例如,雙曲線式或拋物線式的凹面。
步驟S260,如第4F圖所示,形成一第二介電材料層138於該剩餘的鑄模化合物層136上,使得該第二介電材料層138的上表面高於該等金屬柱狀物131~133的上端面;例如,藉由習知的積體電路載板之增層技術或旋轉塗佈技術來沉積該第二介電層138,使得該介電層138包覆該鑄模化合物層136以及所有的該等金屬柱狀物131~133。該第二介電材料層138的組成材料可以是環氧基樹脂或聚亞醯胺。
步驟S270,如第4G圖所示,移除部分的該第二介電材料層138,使得該等金屬柱狀物131~133的上端面露出,而倘若該等金屬柱狀物131~133的上端面上仍有部份殘留的該鑄模化合物層136,則本步驟會將此部份的該鑄模化合物層136去除,以露出該等金屬柱狀物131~133的上端面。該鑄模化合物層136與該第二介電材料層138包覆該承載板110上所有的該等金屬走線121~124與該等金屬柱狀物131~133,但它除了作為該第一導線層120與該第二導線層150之間的絕緣層,另外須使該等金屬柱狀物131、132、133可分別連接該等金屬走線121、122、124與該等金屬走線141、142、144;因此,必須先將該等金屬柱狀物131~133上端面之上的該第二介電材料層138及/或該鑄模化合物層136移除,以露出該等金屬柱狀物的上端面。本實施例藉由研磨(Polishing)、磨削(Grinding)、噴砂、電漿或化學蝕刻方式,自上而下去除該第二介電材料層138及/或該鑄模化合物層136的上半部,直到該等金屬柱狀物131~133的上端面露出即可停止。至此,該等金屬柱狀物131~133、該鑄模化合物層136及該第二介電材料層138共同組成了該導電柱層130。
步驟S280,如第4H圖所示,形成一第二導線層140於該第二介電材料層138與該等金屬柱狀物131~133的露出端面上,並圖案化成該封裝基板100的下層電路布局,例如,金屬走線141~144。該第二導線層140可藉由金屬的電鍍或蒸鍍技術來製作,例如,銅、鋁、或鎳,而其導電走線的圖案化可藉由光微影蝕刻技術來製作。例如,旋轉塗佈一第三光阻層(圖中未示)於該第二介電材料層138上,並以曝光顯影的方式圖案化該第三光阻層;形成一第三金屬層(圖中未示)於該圖案化後的第三光阻層上;藉由舉離法(Lift-off),在移除該圖案化後的第三光阻層的同時,一併將位於該圖案化後的第三光阻層上的該第三金屬層移除,而非位於該圖案化後的第三光阻層上的該第三金屬層則被保留下來,藉以達成該第三金屬層的圖案化而形成該第二導線層140。藉此,該等金屬走線141、142、144可分別連接該等金屬柱狀物131、132、133。
步驟S290,如第2圖所示,形成一保護層150於該第二導線層150及該第二介電材料層138上,其具有絕緣該第二導線層140的各走線之間電性的功效,並可用以保護該第二導線層140不受外部物或後續製程的傷害。至此,已完成本實施例的封裝基板,而該承載板110亦已達成其階段性任務,因此可將之移除,使最後的該封裝基板100如第2圖所示;但此為該第一介電材料層126選用與該鑄模化合物層136相同材料之實施例。此外,亦可不將該承載板110完全移除,而針對仍承載於該承載板110上的該封裝基板100進行所謂的「背端製程(Backend processing)」,也就是適當地藉由光微影蝕刻技術來移除該承載板110下半部的部分區域,藉以形成一可使該第一導線層120露出的窗口(圖中未示),使得一外接電子元件(圖中未示)可設置於該窗口中,並電性連結該等金屬走線121~124。
我們可以該封裝基板100為基礎,將它進一步製作成封裝電路元件。第5圖為根據本發明另一實施例的覆晶封裝電路300之剖面示意圖。該覆晶封裝電路300除了包含第2圖實施例的該封裝基板100之外,更進一步包含一電路晶片360以及一電路板390。該電路晶片360設置於該封裝基板100之下,其具有複數個導電接腳361~364,用以分別電性連接該等金屬走線121~124;也就是說,該電路晶片360係以覆晶型式設置於該封裝基板100的該第一導線層120上,再以封裝材料370將整個該電路晶片360以及該封裝基板100的下半部封裝起來。此外,該封裝基板100的上半部可藉由光微影蝕刻技術而適當地圖案化該保護層150,以形成可將該第二導線層140連接至外部電路的開口,則該電路板390可透過該保護層150的開口以及設置於開口上的電性連接物(例如,錫球380),而連接該等金屬走線141、142、144。
唯以上所述者,僅為本發明之較佳實施例,當不能以之限制本發明的範圍。即大凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化及修飾,仍將不失本發明之要義所在,亦不脫離本發明之精神和範圍,故都應視為本發明的進一步實施狀況。
100‧‧‧封裝基板
120‧‧‧第一導線層
121~124‧‧‧第一金屬走線
126‧‧‧第一介電材料層
130‧‧‧導電柱層
131~133‧‧‧金屬柱狀物
135‧‧‧凸出部
136‧‧‧鑄模化合物層
138‧‧‧第二介電材料層
140‧‧‧第二導線層
141~144‧‧‧第二金屬走線
150‧‧‧保護層
Claims (19)
- 一種封裝基板,其包括:一第一導線層,其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;一導電柱層,形成於該第一導線層上,該導電柱層包含一金屬柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層,該金屬柱狀物連接該第一金屬走線,該第二介電材料層形成於該鑄模化合物層上,該凸出部圍繞該金屬柱狀物;一第二導線層,形成於該導電柱層上,該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線;以及一保護層,形成於該第二導線層上。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該封裝基板為覆晶式晶片尺寸封裝(Flip-Chip Chip Size Package)基板。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該鑄模化合物層的材料包含環氧基樹脂(Epoxy-Based Resin)或聚亞醯胺(Polyimide)。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該第二介電材料層的材料包含環氧基樹脂或聚亞醯胺。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該凸出部的寬度係由上而下逐漸增大。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該凸出部具有一凹斜的側面。
- 如申請專利範圍第1項所述之封裝基板,其中,該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層所包覆。
- 一種覆晶封裝電路,其包括:一第一導線層,其包含一第一金屬走線及一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;一導電柱層,形成於該第一導線層上,該導電柱層包含一金屬 柱狀物、一具有一凸出部的鑄模化合物層、及一第二介電材料層,該金屬柱狀物連接該第一金屬走線,該第二介電材料層形成於該鑄模化合物層上,該凸出部圍繞該金屬柱狀物;一第二導線層,形成於該導電柱層上,該第二導線層包含一連接該金屬柱狀物的第二金屬走線;一保護層,形成於該第二導線層上,並具有一露出該第二金屬走線的開口;一電路晶片,設置於該第一導線層之下,並電性連接該第一金屬走線;以及一電路板,設置於該保護層上,並透過該保護層的開口而電性連接該第二金屬走線。
- 如申請專利範圍第8項所述之覆晶封裝電路,其中,該凸出部的寬度係由上而下逐漸增大。
- 如申請專利範圍第8項所述之覆晶封裝電路,其中,該凸出部具有一凹斜的側面。
- 如申請專利範圍第8項所述之覆晶封裝電路,其中,該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層所包覆。
- 一種封裝基板之製作方法,包括下列步驟:(A)提供一承載板;(B)形成一第一導線層於該承載板上,該第一導線層包含一第一金屬走線與一第一介電材料層,該第一介電材料層充填於該第一導線層內該第一金屬走線以外的其餘部分;(C)形成一金屬柱狀物於該第一導線層上,使得該金屬柱狀物連接該第一金屬走線;(D)形成一鑄模化合物層於該承載板上,該鑄模化合物層完全包覆該承載板上的該第一導線層與該金屬柱狀物;(E)移除部分的該鑄模化合物層,使得該剩餘的鑄模化合物層包含一第一區域及一第二區域,該第一區域的上表面低於該金屬柱狀物的上端面,且該第二區域圍繞該金屬柱狀物;(F)形成一第二介電材料層於該剩餘的鑄模化合物層上,使得該 第二介電材料層的上表面高於該金屬柱狀物的上端面;(G)移除部分的該第二介電材料層及/或該鑄模化合物層,使得該等金屬柱狀物的上端面露出;(H)形成一包含一第二金屬走線的第二導線層於該第二介電材料層上,使得該第二金屬走線連接該金屬柱狀物;以及(I)形成一保護層於該第二導線層上,並移除該承載板。
- 如申請專利範圍第12項所述之製作方法,其中,該鑄模化合物層的材料包含環氧基樹脂。
- 如申請專利範圍第12項所述之製作方法,其中,該第二介電材料層的材料包含環氧基樹脂或聚亞醯胺。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中,步驟(E)係以研磨、噴砂、電漿或化學蝕刻方式進行。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中,該鑄模化合物層的第二區域包含一凸出部,且步驟(E)使得該凸出部的寬度由上而下逐漸增大。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中,該鑄模化合物層的第二區域包含一凸出部,且步驟(E)使得該凸出部具有一凹斜的側面。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中,步驟(E)使得該金屬柱狀物的側面完全被該鑄模化合物層的該第二區域所包覆。
- 如申請專利範圍第12項所述之製造方法,其中的步驟(G)包括:藉由研磨、噴砂、電漿或化學蝕刻方式,自上而下去除該第二介電材料層及/或該鑄模化合物層,直到該等金屬柱狀物的上端面露出。
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