TWI531056B - 有機發光顯示裝置及製造其之方法 - Google Patents

有機發光顯示裝置及製造其之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI531056B
TWI531056B TW099129244A TW99129244A TWI531056B TW I531056 B TWI531056 B TW I531056B TW 099129244 A TW099129244 A TW 099129244A TW 99129244 A TW99129244 A TW 99129244A TW I531056 B TWI531056 B TW I531056B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
insulating layer
layer
metal
forming
organic light
Prior art date
Application number
TW099129244A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201117375A (en
Inventor
鄭現中
朴鎮成
鄭棕翰
鄭在景
牟然坤
金民圭
安泰瓊
梁熙元
金光淑
金恩賢
姜帝旭
任章淳
Original Assignee
三星顯示器有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 三星顯示器有限公司 filed Critical 三星顯示器有限公司
Publication of TW201117375A publication Critical patent/TW201117375A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI531056B publication Critical patent/TWI531056B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/80—Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Description

有機發光顯示裝置及製造其之方法
本發明關於一種內含一薄膜電晶體(TFT)之有機發光顯示裝置及製造其之方法。
一種主動矩陣型有機發光顯示裝置包含一薄膜電晶體(TFT)、和連接至每一個像素之薄膜電晶體之有機發光二極體。該薄膜電晶體中之作用層係由非晶矽或多晶矽所形成。最近，也嘗試使用一氧化物半導體來形成該作用層。然而，該氧化物半導體中例如臨界電壓及次臨界斜率係數之特性會輕易地受到外部濕氣或氧氣滲入該有機發光顯示裝置影響而有所變化。因為濕氣或氧氣所導致之臨界電壓這類變化在驅動該薄膜電晶體時受到一閘極直流(DC)偏壓所加速。而直流穩定性在使用該氧化物半導體時係一重要因子。
為了增強對抗濕氣或氧氣之氧化物半導體阻障特性曲線，一氧化鋁(AlOx)層或一氮化鈦(TiN)層可被施加至一基板，但是既然該氧化鋁或氮化鈦層係使用一反應性濺鍍方法或一原子層沉積(ALD)方法來備製之，將該氧化鋁或氮化鈦層施加至一大尺寸基板係困難的且它的量產率係低的。
本揭示的一些態樣係關於一種內含薄膜電晶體(TFT)之有機發光顯示裝置，其建構以阻止外部濕氣或氧氣滲入該有機發光顯示裝置。本揭示其它態樣係關於一種製造有機 發光顯示裝置之方法。
在一態樣中，一種有機發光顯示裝置可被輕易地施加至一大尺寸顯示裝置。
在另一態樣中，一種有機發光顯示裝置可被輕易地量產。
在另一態樣中，一種製造有機發光顯示裝置之方法被揭示。
在另一態樣中，一種有機發光顯示裝置包含例如一薄膜電晶體(TFT)以及一電性連接至該薄膜電晶體之有機發光二極體，該薄膜電晶體包括一閘極、一與該閘極絕緣之作用層、與該閘極絕緣並接觸該作用層之源極和汲極、一置於該源極和汲極與該作用層之間之絕緣層。
在一些實施例中，該絕緣層包含例如接觸該作用層之第一絕緣層以及實質上由一金屬氧化物所形成並形成於該第一絕緣層上之第二絕緣層。在一些實施例中，該第二絕緣層具有相對於它厚度之金屬含量梯度。在一些實施例中，該金屬含量朝該第一絕緣層方向降低。在一些實施例中，該金屬實質上係由鋁、鈦或其合金所形成。在一些實施例中，該絕緣層進一步包括實質上由一金屬氧化物或一金屬氮化物所形成並形成於該第二絕緣層上之第三絕緣層。在一些實施例中，該絕緣層進一步包括形成於該第三絕緣層上之第四絕緣層。在一些實施例中，該第三絕緣層實質上係由氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦所形成。在一些實施例中，該金屬層實質上係由鋁、鈦或其合金所形 成。在一些實施例中，該作用層實質上係由一氧化物半導體所形成。在一些實施例中，該第一絕緣層實質上係由氧化矽所形成。
在另一態樣中，一種製造有機發光顯示裝置之方法包含例如在一基板上形成一閘極；形成一閘絕緣層以覆蓋在該基板上之閘極；在該閘絕緣層上形成一作用層；形成一絕緣層以覆蓋該作用層之一通道區域；在該絕緣層上形成接觸該作用層之源極和汲極；以及形成電性連接至該源極和汲極中之一者之一有機發光二極體。
在一些實施例中，該絕緣層形成步驟包含例如形成一第一絕緣層以覆蓋該作用層之通道區域以及在該第一絕緣層上由一金屬氧化物中形成一第二絕緣層。在一些實施例中，形成該第二絕緣層包含例如在該第一絕緣層上形成一金屬層以及至少熱處理該金屬層藉以將接觸該第一絕緣層之部分金屬層形成為一金屬氧化物。在一些實施例中，該第二絕緣層具有相對於它厚度之金屬含量梯度。在一些實施例中，該金屬含量朝該第一絕緣層方向降低。在一些實施例中，該金屬實質上係由鋁、鈦或其合金所形成。在一些實施例中，該方法進一步包括例如形成一第三絕緣層，該第三絕緣層實質上係由在該第二絕緣層上之金屬氧化物或金屬氮化物所形成。在一些實施例中，該第三絕緣層形成步驟包含例如在該第一絕緣層上形成一金屬層並藉由氧化或氮化該金屬層中相對於該第一絕緣層之表面而將部份金屬層形成為該第三絕緣層。在一些實施例中，該方法進 一步包含例如在該第三絕緣層上形成一第四絕緣層。在一些實施例中，該第三絕緣層實質上係由氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦所形成。在一些實施例中，一金屬層係形成於該第二絕緣層和該第三絕緣層之間。在一些實施例中，該金屬層實質上係由鋁、鈦或其合金所形成。在一些實施例中，該作用層實質上係由一氧化物半導體所形成。在一些實施例中，該第一絕緣層實質上係由氧化矽所形成。
在下列詳細說明中，只有一些示範性實施例已被顯示並說明，單純的舉例說明而已。如那些熟習此項技術之人士所理解的，所述實施例可以各種方式進行修改而全都未偏離本揭示精神或範圍。進一步地，在一些示範性實施例中，具有相同構造之構件係指相同參考符號且結合第一示範性實施例進行代表性地說明。在其餘示範性實施例中，不同於該第一示範性實施例的構件會被說明之。為了清楚說明該些示範性實施例，相同參考符號會被使用以參考遍及該些圖式中之相同或雷同部件。進一步地，該些圖式中所示每一個構件之尺寸和厚度係基於更加了解和易於說明而隨意顯示，且該些實施例不受限於此。
此外，在該些圖式中，各層、薄膜、面板、區域等等之厚度係基於清晰起見而被誇大。該些圖式中之層、薄膜、面板、區域等等之厚度係基於更加了解和易於說明而放大。據此，該些圖式和說明自然被視為說明而非限制。會了解到當例如一層、薄膜、區域、或基板之構件被稱之為 在另一構件“上”時，可以是直接在另一構件上，或插入中介構件於其中。同時，當一構件被稱之為“連接至”另一構件時，可以是直接連接至另一構件，或間接連接至具有一或更多中介構件插入其中之另一構件。
第1圖係根據本揭示一實施例略示一有機發光顯示裝置之剖面圖。參考至第1圖，一薄膜電晶體(TFT)2及一有機發光二極體3係置於一基板1上。第1圖係該有機發光顯示裝置中一像素的一部分，且該有機發光顯示裝置包含多個像素。該薄膜電晶體可包含形成於該基板1上之閘極21、覆蓋該閘極21之閘絕緣層22、形成於該閘絕緣層22上之作用層、形成於該閘絕緣層22上用以覆蓋該作用層23之絕緣層24、和接觸該作用層23並置於該絕緣層24上之源極和汲極25和26。第1圖薄膜電晶體2具有一底部閘極結構；然而，該薄膜電晶體2之結構不受限於此而可為一頂部閘極結構。
一緩衝層(未顯示)可被形成於該基板1上，其中，該緩衝層係由例如氧化矽之無機材料所形成。形成於該基板1上之閘極21可包含由導電材料所形成之單層或複層。該閘極21可包含鉬。該閘絕緣層22可由氧化矽、氧化鉭、或氧化鋁所形成，但形成該閘絕緣22之材料不受限於此。該作用層23係使用一圖案化方法來形成無該閘絕緣層22。該作用層23可由一氧化物半導體形成之。例如，該作用層23可為例如一(三氧化二銦)a(三氧化二鎵)b(氧化鋅)c層之鎵銦鋅氧化物(G-I-Z-O)層，其中，a、b、和c係各為一實數， 且其中，a0、b0、和c>0。
該絕緣層24被形成以覆蓋該作用層23。該絕緣層24也可被形成以保護該作用層23之通道區域23a，且如第1圖所示，該絕緣層24可被形成以覆蓋整個作用層23，但接觸到該源極和汲極25和26之區域除外。如此，如第1圖所述，該絕緣層24係形成於該作用層23上且同時延伸於一保護層27(進一步說明於下)和該作用層23任一側上之閘絕緣層22之間。該絕緣層24之形成位置不受上述所限或不受限於第1圖實施例。例如，該絕緣層24可以只形成於該作用層23之通道區域23a上。
形成於該絕緣層24上之源極25和汲極26被建構以接觸該作用層23。一保護層27可形成於該絕緣層24上以覆蓋源極和汲極25和26。該有機發光二極體3之第一電極31可形成於該保護層27上且可藉由在該保護層27中形成一導孔29來接觸該汲極26。露出部分第一電極31之像素定義層28係形成於該保護層27上，且一有機層32和一第二電極33係形成於該像素定義層28中所露出之第一電極31上。該第一電極31可根據每一個像素而被圖案化。
當該有機發光顯示裝置係一朝向該第二電極33產生影像之頂部射出類型時，該第一電極31可以是一反射電極。據此，該第一電極31可包含由包括鋁(Al)、銀(Ag)類之合金所形成之反射層。當該第一電極31係一陽極時，該第一電極31可由具有一高絕對值功函數之金屬氧化物所形成，例如，銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、氧化銦(In2O3)、 或氧化鋅(ZnO)。在另一方面，當該第一電極31係一陰極時，該第一電極31可由具有低絕對值功函數之高導電金屬所形成，例如，銀、鎂(Mg)、鋁、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、或鈣(Ca)。據此，當該第一電極31係一陰極時，該第一電極31可以不包含一反射層。
該第二電極33可以是一透射電極。據此，該第二電極33可包含由銀、鎂、鋁、鉑、鈀、金、鎳、釹、銥、鉻、鋰、或鈣所形成之薄半透射反射層或例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、或氧化鋅之透射金屬氧化物。當該第一電極31係一陽極時，該第二電極33係一陰極，且當該第一電極31係一陰極時，該第二電極33係一陽極。置於該第一電極31和該第二電極33間之有機層32可包含一導孔射入層、一導孔傳輸層、一射出層、一電子射入層、和一電子傳輸層中之一者或更多。在此，第1圖實施例中包含該射出層。雖未示於第1圖中，一保護層可被形成於該第二電極33上，且可使用玻璃來密封該有機發光顯示裝置。
該絕緣層24可如第2圖所示般地被形成。第2圖係根據本揭示實施例之第1圖區域“A”之剖面圖。參考至第2圖，該絕緣層24包含接觸該作用層23之第一絕緣層242、置於該第一絕緣層242上之第二絕緣層244、置於該第二絕緣層244上之第三絕緣層246、置於該第三絕緣層246上之第四絕緣層248。該第一絕緣層242可包含例如使用一電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)方法或一濺鍍方法由氧化矽 (SiOx)所形成之氧化層。如稍後所述地，該第一絕緣層242可於形成一金屬層時保護該作用層23免受污染並可根據後述熱製程來擴散一金屬。
該第二絕緣層244可由一金屬氧化物所形成且可具有相對於其厚度之金屬含量梯度。在此，該第二絕緣層244之金屬含量可朝該第一絕緣層242方向降低。據此，該第二絕緣層244之金屬含量靠近該第三絕緣層246處係最高且靠近該第一絕緣層242處係最低。該第二絕緣層244之金屬可包含例如鋁、鈦、或其合金。據此，鋁或鈦含量可被擴散進入氧化矽內以根據該第二絕緣層244之厚度而具有該濃度梯度。該第三絕緣層246可由金屬氧化物或金屬氮化物所形成，例如，氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦。置於該第三絕緣層246上之第四絕緣層248可由例如像該第一絕緣層242之氧化矽所形成。
如上所述，該絕緣層24可具有包含該第一絕緣層242至第四絕緣層248之堆疊結構，且因此相較於由氧化矽或氧化氮單層形成之傳統絕緣層，對該作用層23可具有較高阻障效應。據此，該絕緣層24足以保護該作用層23免受濕氣或氧氣滲入。同時，如同稍後所述地，形成該第一至第四絕緣層242至248之方法係簡單，因而該絕緣層24可輕易地被施加至一大尺寸顯示器。
第3圖係根據本揭示另一實施例之第1圖中該部分A之剖面圖。參考至第3圖，將該第似絕緣層248自第2圖之絕緣層24中省略之。若該絕緣層24藉由堆疊該第一至 第三絕緣層242至246以具有充足阻障效應，則該第四絕緣層248可以不被形成。
第4圖係根據本揭示另一實施例之第1圖中該部分A之剖面圖。參考至第4圖，該絕緣層24進一步包含介於第2圖之第二絕緣層244和第三絕緣層246之間之金屬層245。該金屬層245可由鋁、鈦或其合金所形成。藉由放置該金屬層245，可增加該絕緣層24之阻障特性曲線。雖未詳示，但在氧化或氮化該金屬.層245時，可藉由氧化或氮化該金屬層245末端使形成之金屬層245不接觸到第1圖源極和汲極25和26。
第5圖係根據本揭示另一實施例之第1圖中該部分A之剖面圖。參考至第5圖，該絕緣層24進一步包含介於第3圖之第二絕緣層244和第三絕緣層246之間之金屬層245。有關該金屬層245細節係如上第4圖所述。雖未詳示，但是若該金屬層245具有只夠擴散至該第一絕緣層242之厚度時，該絕緣層24可以只包含該第一和第二絕緣層242和244。
現在詳述一種製造絕緣層24之方法。第6A圖至第6E圖係描述製造第2圖絕緣層24之方法之剖面圖。首先，參考至第6A圖，該第一絕緣層242被形成以覆蓋如參考第1圖所述般地進行圖案化之作用層23。該第一絕緣層242可使用一電漿輔助化學氣相沉積方法或一濺鍍方法由氧化矽所形成。如上所述，該第一絕緣層242被建構以在形成該金屬層245時保護該作用層23免受污染，也被建構以根據 後述熱製程來擴散一金屬。
接著，參考至第6B圖，該金屬層245係形成於該第一絕緣層242上。該金屬層245係由鋁、鈦、或其合金所形成，此因鋁或鈦之氧化層或氮化層係堅硬之故。該金屬層245之厚度約為50埃，但不限於此。
接著，如第6C圖所示，該金屬層245之頂部被轉變成第三絕緣層246。該第三絕緣層246係藉由熱處理氧氣下之金屬層245來形成一金屬氧化物或藉由熱處理氮氣下之金屬層245來形成一金屬氮化物而形成。詳言之，該第三絕緣層246可由具有優良阻障特性曲線之氧化鋁系列或氮化鈦所形成，且該第三絕緣層246之厚度自該金屬層245頂部算起可約為20埃。在此，當以約250℃至約350℃溫度執行一額外熱製程時，該金屬層245之金屬擴散至該第一絕緣層242之氧化物中，因而該第一絕緣層242頂部和該金屬層245轉變成由具有一金屬含量梯度之金屬氧化物所形成之第二絕緣層244，如第6D圖所示。因此，完全由該金屬形成之金屬層245消失，並形成三層，即第一至第三絕緣層242至246。該第二絕緣層244可在透過氮化或氧化形成該第三絕緣層246之前藉由執行該熱處理而被形成。進一步，該第三絕緣層246可不形成於氮化或氧化期間。
接著，為了增加該絕緣層24之厚度或生產力，該第四絕緣層248可透過一電漿輔助化學氣相沉積方法或一濺鍍方法使用氧化矽來選擇性地形成於該第三絕緣層246上，如第6E圖所示。如上所述，既然未使用一反應性濺鍍方法 或原子層沉積(ALD)方法來形成由氧化鋁系列或氮化鈦所形成之具有優良阻障特性曲線之絕緣層24，則該絕緣層24可輕易地被施加至一大尺寸基板並可輕易地進行量產。
第7A圖至第7E圖係說明本發明另一實施例之第4圖絕緣層24之製造方法之剖面圖。在第7A圖至第7E圖之方法中，第7A圖至第7C圖所示製程係分別與參考至第6A圖至第6C圖之說明製程一模一樣。在第7D圖中，在藉由熱處理該金屬層245來形成該第二絕緣層244時，一部分金屬層245被保留以取代將全部金屬層245擴散至該第一絕緣層242中，如此，該金屬層245係置於該第二絕緣層244和第三絕緣層246之間。據此，該絕緣層24具有一四層結構。接著，為了增加該厚度或生產力，該第四絕緣層248可透過一電漿輔助化學氣相沉積方法或一濺鍍方法使用氧化矽來選擇性地形成於該第三絕緣層246上，如第7E圖所示。一絕緣層可被使用以增加對一作用層之阻障效應，因而足以保護該作用層免受濕氣或氧氧滲入。同時，既然未使用一反應性濺鍍方法或原子層沉積方法來製造由氧化鋁系列或氮化鈦所形成之具有優良阻障特性曲線之絕緣層，則該絕緣層24可輕易地被施加至一大尺寸基板並可輕易地進行量產。
那些熟知此項技術之人士要理解各種修改或變化可被進行而不偏離本揭示範圍。那些熟知此項技術之人士也理解到一實施例中所包含之部件係可與期它實施例互換；一描述實施例中之一或更多部件可以任何結合方式來納入其 它描述實施例。例如，在此所述及/或圖形中所示各種構件中之任一者可納入其它實施例中、與其它實施例互換、或自其它實施例中剔除。相對於在此使用之實質上任何多個及/或單個用語，那些熟知此項技術之人士可由多個轉變成單個及/或由單個轉變成多個以合適該內文及/或申請書。在此基於清晰起見可明確地提出各種單複數互換。進一步，儘管本揭示已描述某些示範性實施例，要了解到本揭示範圍不是要限制所揭示實施例，反之，是要涵蓋包含於所附申請專利範圍及其等效例之精神和範圍內之各種修改例及等效安排。
1‧‧‧基板
2‧‧‧薄膜電晶體
3‧‧‧有機發光二極體
21‧‧‧閘極
22‧‧‧閘絕緣層
23‧‧‧作用層
23a‧‧‧通道區域
24‧‧‧絕緣層
25‧‧‧源極
26‧‧‧汲極
27‧‧‧保護層
28‧‧‧像素定義層
29‧‧‧導孔
31‧‧‧第一電極
32‧‧‧有機層
33‧‧‧第二電極
242‧‧‧第一絕緣層
244‧‧‧第二絕緣層
245‧‧‧金屬層
246‧‧‧第三絕緣層
248‧‧‧第四絕緣層
本揭示特性從結合附圖所進行之下列說明和所附申請專利範圍中變得更徹底明顯。會了解到這些圖式只是說明本揭示某些實施例，因而並不被認為是要限制它的範圍；本揭示透過使用該些附圖而具有額外具體且詳細的說明。根據所述之一些實施例中，一裝置可具有一些態樣，其中沒有任一者係單獨地承擔所要之裝置屬性。在考慮本討論後，且特別地在讀取命名為“實施方式”段落後，將會了解到如何使用所示特性來說明本揭示某些原理。
第1圖係根據本揭示一實施例略示一有機發光顯示裝置之剖面圖。
第2圖係根據本揭示一實施例之第1圖部分A之剖面圖。
第3圖係根據本揭示另一實施例之第1圖部分A之剖 面圖。
第4圖係根據本揭示另一實施例之第1圖部分A之剖面圖。
第5圖係根據本揭示另一實施例之第1圖部分A之剖面圖。
第6A圖至第6E圖係根據本揭示一實施例說明製造第2圖絕緣層之方法。
第7A圖至第7E圖係根據本揭示一實施例說明製造第4圖絕緣層之方法。
1‧‧‧基板
2‧‧‧薄膜電晶體
3‧‧‧有機發光二極體
21‧‧‧閘極
22‧‧‧閘絕緣層
23‧‧‧作用層
24‧‧‧絕緣層
25‧‧‧源極
26‧‧‧汲極
27‧‧‧保護層
28‧‧‧像素定義層
29‧‧‧導孔
31‧‧‧第一電極
32‧‧‧有機層
33‧‧‧第二電極

Claims (22)

  1. 一種有機發光顯示裝置，其包含：一薄膜電晶體(TFT)，其包括一閘極、與該閘極絕緣之一作用層、與該閘極絕緣並接觸該作用層之源極和汲極以及形成於該源極和汲極與該作用層之間之一絕緣層；以及電性連接至該薄膜電晶體之一有機發光二極體，其中，該絕緣層包括：接觸該作用層之一第一絕緣層；實質上由一金屬氧化物所形成並形成於該第一絕緣層上之一第二絕緣層；以及實質上由一金屬氧化物或一金屬氮化物所形成且形成於該第二絕緣層上之一第三絕緣層。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，該第二絕緣層具有相對於其厚度之金屬含量梯度。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機發光顯示裝置，其中，該金屬含量朝該第一絕緣層方向降低。
  4. 如申請專利範圍第3項之有機發光顯示裝置，其中，該金屬實質上係由鋁、鈦或其合金所形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，該絕緣層進一步包括形成於該第三絕緣層上之一第四絕緣層。
  6. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，該第三絕緣層實質上係由氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化 鈦所形成。
  7. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，一金屬層係形成於該第二絕緣層和該第三絕緣層之間。
  8. 如申請專利範圍第7項之有機發光顯示裝置，其中，該金屬層實質上係由鋁、鈦或其合金所形成。
  9. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，該作用層實質上係由一氧化物半導體所形成。
  10. 如申請專利範圍第1項之有機發光顯示裝置，其中，該第一絕緣層實質上係由氧化矽所形成。
  11. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括：在一基板上形成一閘極；形成一閘絕緣層以覆蓋在該基板上之閘極；在該閘絕緣層上形成一作用層；形成一絕緣層以覆蓋該作用層之一通道區域；在該絕緣層上形成接觸該作用層之源極和汲極；以及形成電性連接至該源極和汲極中之一者之一有機發光二極體，其中，該絕緣層形成步驟包括：形成一第一絕緣層以覆蓋該作用層之通道區域；及在該第一絕緣層上由一金屬氧化物中形成一第二絕緣層，其中，該第二絕緣層形成步驟包括：在該第一絕緣層上形成一金屬層；及至少熱處理該金屬層藉以將接觸該第一絕緣層之部分 該金屬層形成為一金屬氧化物。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中，該第二絕緣層具有相對於它厚度之金屬含量梯度。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，該金屬含量朝該第一絕緣層方向降低。
  14. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，該金屬實質上係由鋁、鈦、或其合金所形成。
  15. 如申請專利範圍第11項之方法，其中，該作用層實質上係由一氧化物半導體所形成。
  16. 如申請專利範圍第11項之方法，其中，該第一絕緣層實質上係由氧化矽所形成。
  17. 一種製造有機發光顯示裝置之方法，該方法包括：在一基板上形成一閘極；形成一閘絕緣層以覆蓋在該基板上之該閘極；在該閘絕緣層上形成一作用層；形成一絕緣層以覆蓋該作用層之一通道區域；形成接觸該作用層且形成於該絕緣層上之源極和汲極；以及形成電性連接至該源極和該汲極中之一者之一有機發光二極體，其中，該絕緣層形成步驟包括：形成一第一絕緣層以覆蓋該作用層之該通道區域； 在該第一絕緣層上由一金屬氧化物形成一第二絕緣層；以及形成一第三絕緣層在該第二絕緣層上，該第三絕緣層實質上係由一金屬氧化物或一金屬氮化物所形成。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該第三絕緣層的形成包含：在該第一絕緣層上形成一金屬層；以及藉由氧化或氮化該金屬層中相對於該第一絕緣層之表面而將部份金屬層形成為該第三絕緣層。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，其進一步包括在該第三絕緣層上形成一第四絕緣層。
  20. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該第三絕緣層實質上係由氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、或氮化鈦所形成。
  21. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，一金屬層係形成於該第二絕緣層和該第三絕緣層之間。
  22. 如申請專利範圍第21項之方法，其中，該金屬層實質上係由鋁、鈦、或其合金所形成。
TW099129244A 2009-10-27 2010-08-31 有機發光顯示裝置及製造其之方法 TWI531056B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090102282A KR101084173B1 (ko) 2009-10-27 2009-10-27 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201117375A TW201117375A (en) 2011-05-16
TWI531056B true TWI531056B (zh) 2016-04-21

Family

ID=43897626

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW099129244A TWI531056B (zh) 2009-10-27 2010-08-31 有機發光顯示裝置及製造其之方法

Country Status (4)

Country Link
US (4) US8330150B2 (zh)
JP (1) JP5674100B2 (zh)
KR (1) KR101084173B1 (zh)
TW (1) TWI531056B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101084173B1 (ko) * 2009-10-27 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법
US20140131688A1 (en) * 2011-05-24 2014-05-15 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Interconnection structure including reflective anode electrode for organic el displays
JP6142166B2 (ja) * 2012-06-21 2017-06-07 株式会社Ｊｏｌｅｄ Ｔｆｔ基板の製造方法および有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2014045175A (ja) * 2012-08-02 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
TW201417374A (zh) * 2012-10-26 2014-05-01 Ultimate Image Corp Ｏｌｅｄ平面照明裝置的製作方法
US8981359B2 (en) 2012-12-21 2015-03-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
KR102090458B1 (ko) * 2013-01-09 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102070951B1 (ko) * 2013-05-23 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
DE102013111501B4 (de) * 2013-10-18 2024-02-08 Universität Stuttgart Dünnschichttransistor und Verfahren zu seiner Herstellung
CN104576745B (zh) * 2013-10-25 2018-12-18 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法和应用
KR102337370B1 (ko) * 2014-10-22 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법
CN106024706B (zh) * 2016-06-22 2019-02-19 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
JP6751613B2 (ja) 2016-07-15 2020-09-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100215768B1 (ko) 1997-06-14 1999-08-16 구자홍 유기 전계 발광 소자
KR100252953B1 (ko) 1997-07-31 2000-04-15 구자홍 유기 전계 발광 소자
KR100380141B1 (ko) * 2000-09-25 2003-04-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법
US7648861B2 (en) * 2004-08-03 2010-01-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating a semiconductor device including separately forming a second semiconductor film containing an impurity element over the first semiconductor region
KR100751360B1 (ko) 2006-01-02 2007-08-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 이로부터 제조된 유기박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
JP2009231664A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Idemitsu Kosan Co Ltd 電界効果トランジスタ及びその製造方法
KR100936871B1 (ko) 2008-04-03 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2010056541A (ja) * 2008-07-31 2010-03-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2010182819A (ja) * 2009-02-04 2010-08-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
KR101084173B1 (ko) * 2009-10-27 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20110095274A1 (en) 2011-04-28
JP5674100B2 (ja) 2015-02-25
TW201117375A (en) 2011-05-16
US20150340417A1 (en) 2015-11-26
US20130341614A1 (en) 2013-12-26
JP2011097022A (ja) 2011-05-12
KR20110045628A (ko) 2011-05-04
US20130109119A1 (en) 2013-05-02
KR101084173B1 (ko) 2011-11-17
US9105862B2 (en) 2015-08-11
US8330150B2 (en) 2012-12-11
US8546175B2 (en) 2013-10-01
US9373669B2 (en) 2016-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI531056B (zh) 有機發光顯示裝置及製造其之方法
US10283529B2 (en) Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor substrate, and flat panel display apparatus
JP5584960B2 (ja) 薄膜トランジスタおよび表示装置
JP5685989B2 (ja) 表示装置および電子機器
JP6725335B2 (ja) 半導体装置
US9748276B2 (en) Thin film transistor and method of manufacturing the same, array substrate and display device
US9768322B2 (en) Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability
US8421084B2 (en) Organic light emitting display and manufacturing method thereof
US20160204126A1 (en) Thin-film transistor substrate and method for fabricating the same
TW201025614A (en) Thin-film transistor and display device
TWI535000B (zh) 有機發光顯示裝置及製造其之方法
CN104934437B (zh) 薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机el显示装置
TWI597835B (zh) 有機發光顯示器及製造其之方法
EP3621105A1 (en) Oled display panel and method for manufacturing same
KR102162885B1 (ko) 어레이기판 및 이의 제조방법
KR20180035954A (ko) 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법
JP2019036615A (ja) 表示装置および表示装置の製造方法
KR20210004356A (ko) 산화물 반도체 패턴을 포함하는 디스플레이 장치
KR20130040342A (ko) 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
TW201413978A (zh) 形成多晶矽膜之方法、包含多晶矽膜之薄膜電晶體及包含多晶矽膜之顯示裝置