TWI525206B - Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target - Google Patents

Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target Download PDF

Info

Publication number
TWI525206B
TWI525206B TW098103816A TW98103816A TWI525206B TW I525206 B TWI525206 B TW I525206B TW 098103816 A TW098103816 A TW 098103816A TW 98103816 A TW98103816 A TW 98103816A TW I525206 B TWI525206 B TW I525206B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
target material
vickers hardness
sputtering
less
Prior art date
Application number
TW098103816A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200936793A (en
Inventor
Shiro Tsukamoto
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW200936793A publication Critical patent/TW200936793A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI525206B publication Critical patent/TWI525206B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/02—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working in inert or controlled atmosphere or vacuum
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/16—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of other metals or alloys based thereon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

鐿製濺鍍靶及該靶之製造方法
本發明，係關於一種使靶原材料之最後精加工後之靶表面上存在的凹凸(凹痕)減少之鐿製濺鍍靶及該靶之製造方法。
鐿(Yb)係於稀土類元素中含有者，作為礦物資源、作為混合複合氧化物而含有於地殼。稀土類元素係自較稀有之礦物中分離，因此具有此種名稱，然而自地殼整體來看絕非稀少者。
鐿之原子序為70，係原子量為173.0之灰色金屬，於常溫下具有立方細密結構。熔點為819℃、沸點為1194℃、密度為6.97g/cm3 ，於空氣中，表面會氧化，可溶解於酸。稀土類元素通常係氧化數為3之化合物，較穩定，鐿亦為3價，亦有2價者。本發明係包含此等者。
最近，將鐿利用作為金屬閘材料、High-k材料等電子材料之研究開發正在進行，係受到矚目之金屬。
通常，上述電子材料係藉由濺鍍而形成。所謂濺鍍，係一面向真空中導入惰性氣體(主要為Ar氣)，一面於基板與濺鍍靶之間施加直流電壓或高頻電壓，使離子化之Ar碰撞於濺鍍靶上，使彈出之靶物質於基板上成膜之方法。
關於鐿製濺鍍靶之製造方法，提出有一種將高純度鐿錠切割成規定尺寸，並將其研削、研磨而製造高純度鐿靶之方法(例如專利文獻1)。
然而，鐿於室溫下脆弱且軟質，因此於對表面進行車刀切削時，於分離切削粉(多呈較細之線狀)時，於表面切削痕跡之兩側附近產生細小凹凸(凹痕)。該凹凸(凹痕)，係可以目視識別之程度，具體而言係數十μm～數百μm左右。
然而，該細微之凹凸(凹痕)實際上會產生較大之問題。以車刀進行切削時，隨著車刀進給而碾碎，於鐿靶表面殘留較多之傷痕。尤其是靶原材料為高純度之情形時，於室溫下之鐿柔軟具有以指甲即可劃傷之程度，因此成為較大之問題。
又，靶為圓盤狀之情形時，需將靶表面切削成同心圓狀，因此會產生於同心圓狀上留下較細之傷痕的問題。
作為先前技術，揭示有於W合金所構成之濺鍍靶，為了除去於機械加工時產生之細小裂痕等加工缺陷層，藉由將研削表面部等機械精加工，對凹凸較少之極小之光澤面進行精加工的技術(例如專利文獻2)。
又，揭示有於濺鍍用矽化物靶，將表面之加工變質層之一部分除去，使表面粗糙度成為0.05～1.0μm，藉此使濺鍍時產生之粒子大幅度減少之技術(例如專利文獻3)。
進而，揭示有藉由精密切削對濺鍍靶之表面進行濺鍍面之精加工，選擇加工條件，使中心線平均粗糙度Ra≦0.2μm，加工變質層之厚度為15μm，藉此減少於濺鍍時產生粒子之技術(例如專利文獻4)。然而，此等技術均係注重對濺鍍靶之表面進行機械加工等之加工條件，以獲得具備表面粗糙度小、加工變形少之表面之靶者。
另一方面，作為注重控制靶表面之性狀之例子，揭示有如下之發明：於以Al為主成分之濺鍍靶，為了防止異常放電，使維克氏硬度為30～80，使其偏差為20%以內。然而，此係對於藉由控制靶之表面加工後之性狀，使用其濺鍍成膜時之課題者，並無關於解決材料完全不同之鐿靶所固有之課題即於製作階段(表面之機械加工)所產生之「凹痕」之課題、動機。
本發明人為抑制上述凹凸(凹痕)之產生，對與以往相同之加工條件下功夫，即，嘗試調節最後精加工時之車刀之切口角度、切口深度、切削速度。然而，藉由降低此等之切口角度或減小該等之切口深度，雖存在凹痕之凹凸稍微變小之傾向，但並不充分。
其原因在於：若降低切削速度，則凹痕之數量雖減少，但存在凹凸變大之傾向；若提高切削速度，則凹痕之數量增加，且產生切削粉著火之問題，若僅僅調整該等之車刀切削之條件，則無法確實地抑制凹痕之產生。
該等之凹凸(凹痕)成為於濺鍍時產生粒子之原因。假設於機械加工後因刮刀等弄碎凹痕，而以0.2mm左右之壓力量進行壓延使凹凸不明顯時，亦會產生粒子產生之抑制並不充分，相反地粒子增加之情形。
又，鐿係化學活性金屬，容易與大氣中之氧、水分、二氧化碳反應，因此例如亦會產生若藉由濕式研磨進行靶表面之精加工，則會形成氧化膜或碳化膜等，產生氧或碳之污染，進而產生研磨劑之污染，於濺鍍開始時無法產生電漿等問題。
專利文獻1：日本特願2007-274808
專利文獻2：日本特開平3-257158號公報
專利文獻3：日本特開平6-322529號公報
專利文獻4：日本特開平11-001766號公報
專利文獻5：日本特開2004-204284號公報
本發明之課題在於：於鐿製濺鍍靶中，顯著減少於靶原材料之最後精加工後的靶表面存在之凹凸(凹痕)，並且抑制於濺鍍時產生粒子。
為解決上述課題，本發明人等進行努力研究，結果獲得如下見解：對於鐿製濺鍍靶，藉由將最後精加工前之該靶原材料之表面硬度調整至規定之範圍，可解決上述課題。
本發明係基於此見解，提供：
1.一種鐿製濺鍍靶之製造方法，其特徵在於：預先製造表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下之鐿靶原材料，藉由機械加工對具有此表面硬度之鐿靶原材料之表面進行最後精加工；
2.一種鐿製濺鍍靶之製造方法，其特徵在於：預先製造表面之維克氏硬度(Hv)為18以上、40以下之鐿靶原材料，藉由機械加工對具有此表面硬度之鐿靶原材料之表面進行最後精加工；
3.如上述1或2所記載之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，以鐿靶原材料之表面之維克氏硬度為標準，使鐿靶原材料之厚度方向之維克氏硬度(Hv)為-3以上、5以下；
4.如上述1至3中任一項記載之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，對鐿之鑄造錠進行冷壓延後，將其於真空或惰性氣體中，於350℃以上、700℃以下進行退火，藉由機械加工對所得之鐿靶原材料之表面進行最後精加工；
5.如上述1至4中任一項記載之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，使鐿靶原材料為純度3N以上；
6.如上述1至4中任一項記載之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，使鐿靶原材料為純度4N以上；
7.如上述1至6中任一項記載之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中於最後精加工中，進行乾式切削加工。
本發明亦提供：
8.一種鐿製濺鍍靶，其特徵在於：其純度為3N以上，表面粗糙度Ra為5μm以下；
9.一種鐿製濺鍍靶，其特徵在於：其純度為4N以上，表面粗糙度Ra為10μm以下；
10.如上述8或9所記載之鐿製濺鍍靶，其中，最後精加工後之鐿靶之表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下。
本發明之鐿製濺鍍靶，即使是對靶原材料之表面進行機械加工後之情形，亦具有可顯著減少產生於該靶表面(濺鍍面)之凹凸(凹痕)，其結果可抑制因凹凸(凹痕)所造成產生粒子之優異效果。
於鐿製濺鍍靶，藉由使最後精加工前之靶原材料之表面的維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下，即使對靶原材料之表面進行機械加工，亦可顯著減少上述之凹凸(凹痕)之產生，其結果可確實地抑制濺鍍時產生粒子。藉由較佳為使靶原材料之表面之維克氏硬度(Hv)在18以上，可更加減少凹凸(凹痕)之產生。
於上述靶原材料之表面之維克氏硬度(Hv)未達15之情形時，靶原材料柔軟且具有黏性，因此若進行機械加工，則會在分離切削粉時，會在表面切削痕跡之兩側附近於表面整體產生細小凹凸(凹痕)，於濺鍍時由於該凹凸(凹痕)而產生大量粒子，因而欠佳。
另一方面，若上述靶原材料之表面之維克氏硬度(Hv)超過40，則會增加靶原材料之脆弱性，而自車刀切削部分產生細小裂痕，因而欠佳。
於最後精加工中，若機械加工之切削進行至靶原材料之內部，則內部之柔軟且脆弱部分會露出，因此切削該部分而會自其處產生較多之凹凸(凹痕)。因此，於靶之厚度方向，較佳為以表面之維克氏硬度(Hv)為標準，使其維克氏硬度為-3以上、5以下。
為獲得上述所欲之維克氏硬度(Hv)，可藉由對鐿之鑄造錠進行冷壓延，將其於真空或惰性氣體中，於350℃、700℃以下進行退火而獲得。若退火溫度未達350℃，則由於不能使其充分再結晶化，故欠佳。另一方面，若超過700℃，則會出現高溫相(bcc)，組成加工特性發生變化而使結晶組織不均勻，且會殘留該高溫相，故欠佳。
以上係藉由調整退火溫度來調整維克氏硬度(Hv)者，如上所述，此方法係非常合適之方法。然而，若有其他調整維克氏硬度(Hv)之方法，並非防礙其者。即，應當容易理解若上述之靶原材料之表面硬度可達成本發明之條件，則達成本發明之目的之一部分。
另一方面，為發揮其特性，要求鐿高純度化，鐿本身於室溫中係脆弱且軟質之金屬，若提高純度，則存在進一步提高鐿之性質之傾向。因此，於使用高純度鐿切削靶原材料之表面之情形時，存在容易產生更多之凹凸(凹痕)之狀況。因此，不產生凹凸(凹痕)之本發明，於3N以上，進而4N以上之高純度化之鐿中尤其有效。
又，鐿為化學活性金屬，容易與空氣中之氧反應，因此例如若藉由濕式研磨對靶原材料進行表面精加工，則於其表面會形成氧化膜等。較佳為可將該氧化膜等污染儘可能消除。因此，於本發明中，於靶原材料之表面最後精加工中利用乾式切削加工尤其有效。
於鐿製濺鍍靶之製造方法中，藉由使靶原材料之表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下，於純度為3N以上之情形時，可獲得表面粗糙度(Ra)為5μm以下之靶表面(濺鍍面)，於純度為4N以上之情形時，則可獲得表面粗糙度(Ra)為10μm以下之靶表面(濺鍍面)，並且可抑制於濺鍍時產生粒子。
實施例
繼而對實施例加以說明。另，該實施例係用以使理解容易，而並非限制本發明。即，於本發明之技術思想之範圍內，其他實施例及變形亦包含於本發明。
(實施例1～4)
將純度為4N之鐿之鑄造錠(直徑為100mm)進行冷壓延，進而於真空中或惰性氣體中於350℃～700℃下退火1小時，獲得厚度為10mm、直徑為150mm之鐿靶原材料。
藉由改變到達退火溫度，使精加工前之維克氏硬度變化。另，若退火時間較短，則表面之維克氏硬度會變得不均勻，而於1小時以上之情形時，並無特別之問題。
然後，以乾式進行利用車床之切削加工，對鐿靶原材料之表面進行精加工。加工條件係以被認為最好的以下條件來進行。另，本發明並不受到該加工條件之任何限制。
工件旋轉速度：100rpm
車刀角度：45°
車刀移動速度：0.1mm/rpm
最後切削深度：0.07mm
對以上述條件進行表面精加工後之鐿靶進行濺鍍，檢查初期粒子之產生情況。將其結果示於表1中。
於實施例1中，製作了表面精加工前之表面維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之15，且靶之厚度方向之硬度分布為12～16之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則顯示出靶表面上幾乎無凹凸(凹痕)，表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少的良好結果。
於實施例2中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之18，且靶之厚度方向之硬度分布為16～23之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則顯示出靶表面上毫無凹凸(凹痕)，表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少之最佳結果。
於實施例3中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之25，且靶之厚度方向之硬度分布為19～25之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則顯示出靶之表面上毫無凹凸(凹痕)，表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少之最佳結果。
於實施例4中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之36，且靶之厚度方向之硬度分布為33～38之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則顯示出靶表面上毫無凹凸(凹痕)，表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少之最佳結果。
根據上述之結果，於純度為4N之靶原材料中，表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下，且以表面之維克氏硬度為標準，靶之厚度方向之硬度分布為-3以上、5以下的鐿靶材顯示出如下之優異結果：即使進行表面精加工，靶表面亦幾乎無凹凸(凹痕)，或毫無凹凸(凹痕)，濺鍍時粒子之產生少。
(實施例5、6)
實施例5、6係藉由與實施例1～4相同之方法製作靶原材料。對到達退火溫度為700℃，以珠擊(shot peening)法僅使表面硬化者以乾式進行利用車床之切削加工，獲得厚度為10mm、直徑為150mm之靶原材料。
此處，所謂珠擊，係將被稱為撞擊材料之粒徑為40μm～1.3mm左右之硬質小球利用投射裝置進行加速而使其噴射，以高速碰撞被加工零件之冷加工方法。被珠擊之被加工零件於表面上會形成一定程度之粗糙度，使表層部分加工硬化，賦予較高之壓縮殘留應力。
加工條件係在與實施例1～4相同之條件下進行。另，本發明並不受到該加工條件之任何限制。
工件旋轉速度：100rpm
車刀角度：45°
車刀移動速度：0.1mm/rpm
最後切削深度：0.07mm
對以上述條件進行表面精加工後之靶進行濺鍍，檢查初期粒子之產生情況。將其結果示於表1中。
於實施例5中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之27，僅使表面硬化之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則於靶之表面上殘留些許凹凸(凹痕)，表面稍微粗糙，濺鍍時粒子之產生較實施例1～4變多，但仍在可實用之範圍內。
於實施例6中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之19，僅使表面硬化之靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則於靶之表面上殘留些許凹凸(凹痕)，表面稍微粗糙，濺鍍時粒子之產生較實施例1～4變多，但仍在可實用之範圍內。
根據上述結果，於純度為4N之靶原材料中，表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下，僅使表面硬化之鐿之靶原材料，雖可減少凹凸(凹痕)之產生，但並不能完全消除。然而，實施例5、6之濺鍍時粒子之產生數仍在實用上可使用之範圍內。
(實施例7、8)
對純度為3N之鐿之鑄造錠(直徑為100mm)進行冷壓延，並且於真空中或惰性氣體中，於350℃～700℃下退火1小時，獲得厚度為10mm、直徑為150mm之靶原材料。
藉由改變到達退火溫度，使精加工前之維克氏硬度變化。另，若退火時間較短，則表面之維克氏硬度將會變得不均勻，於1小時以上之情形時，並無特別之問題。
然後，以乾式進行利用車床之切削加工，對靶表面進行精加工。加工條件係以被認為最佳之以下條件來進行。
又，本發明並不受到該加工條件之任何限制。
工件旋轉速度：100rpm
車刀角度：45°
車刀移動速度：0.1mm/rpm
最後切削深度：0.07mm
對以上述條件進行表面精加工後之靶進行濺鍍，檢查初期粒子之產生情況。將其結果示於表1中。
於實施例7中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之20，且靶之厚度方向之硬度分布為19～32之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則顯示出於靶之表面上幾乎無凹凸(凹痕)，表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少之良好結果。
於實施例8中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍內之31，且靶之厚度方向之硬度分布為28～33之鐿靶原材料。顯示出靶表面上毫無凹凸(凹痕)且表面加工均勻，濺鍍時粒子之產生亦少之最佳結果。
根據上述結果，於純度為3N之靶原材料中，表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下，以表面之維克氏硬度為標準，靶之厚度方向之硬度分布為-3以上、5以下之鐿之靶材顯示出如下之優異效果：即使進行表面精加工，靶表面上亦幾乎無凹凸(凹痕)，濺鍍時粒子之產生少。
(比較例1、2)
將作為比較例1之純度4N之鐿的靶原材料、作為比較例2之純度3N之鐿的靶原材料，自熔解、鑄造之錠切斷，然後以乾式進行利用車床之切削加工，對靶表面進行精加工。加工條件係以被認為最佳之以下條件進行。
工件旋轉速度：100rpm
車刀角度：45°
車刀移動速度：0.1mm/rpm
最後切削深度：0.07mm
對以上述條件進行表面精加工之靶進行濺鍍，檢查初期粒子之產生情況。將其結果示於表1中。
於比較例1中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍外之11，且靶之厚度方向之硬度分布為10～12之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則於靶之表面上整個面產生凹凸(凹痕)，且濺鍍時粒子之產生亦非常多。
於比較例2中，製作了表面精加工前之表面之維克氏硬度(Hv)為本發明之範圍外之13，且靶之厚度方向之硬度分布為11～14之鐿靶原材料。若對該靶原材料進行最後精加工，則與比較例1相同，於靶之表面整個面產生凹凸(凹痕)，且濺鍍時粒子之產生亦非常多。
根據上述結果，於純度為3N及4N之靶原材料中，表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下之本發明之範圍外的鐿之靶材，若進行表面精加工，則靶之整個面的凹凸(凹痕)之產生顯著，濺鍍時粒子之產生非常多，無法實際應用。
 [產業上之可利用性]
藉由本發明而獲得之鐿製濺鍍靶，即使對濺鍍材料進行最後精加工，於表面幾乎不產生凹凸(凹痕)，其結果，可於濺鍍時顯著減少粒子之產生。
因此，具有可高效率且穩定地提供以使用鐿製濺鍍靶所得之鐿作為主成分的金屬閘用薄膜之優異效果。

Claims (10)

  1. 一種鐿製濺鍍靶之製造方法，預先製造表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下之鐿靶原材料，該鐿靶原材料之純度在3N以上，藉由機械加工對具有此表面硬度之鐿靶原材料之表面進行最後精加工。
  2. 一種鐿製濺鍍靶之製造方法，預先製造表面之維克氏硬度(Hv)為18以上、40以下之鐿靶原材料，該鐿靶原材料之純度在3N以上，藉由機械加工對具有此表面硬度之鐿靶原材料之表面進行最後精加工。
  3. 如申請專利範圍第1項之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，以鐿靶原材料之表面之維克氏硬度為標準，使鐿靶原材料之厚度方向之維克氏硬度(Hv)為-3以上、5以下。
  4. 如申請專利範圍第2項之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，以鐿靶原材料之表面之維克氏硬度為標準，使鐿靶原材料之厚度方向之維克氏硬度(Hv)為-3以上、5以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，將鐿之鑄造錠加以冷壓延後，將其於真空中或惰性氣體中，於350℃以上、700℃以下進行退火，藉由機械加工對所得之鐿靶原材料之表面進行最後精加工。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，使鐿靶原材料為純度4N以上。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之鐿製濺鍍靶之製造方法，其中，於最後精加工中，進行乾式切削加 工。
  8. 一種鐿製濺鍍靶，其純度為3N以上，其特徵在於：最後精加工後之鐿靶表面的表面粗糙度Ra為10μm以下，最後精加工後之鐿靶之表面之維克氏硬度(Hv)為15以上、40以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之鐿製濺鍍靶，其中，鐿靶之厚度方向之維克氏硬度(Hv)，以表面之維克氏硬度為基準，在-3以上、5以下。
  10. 如申請專利範圍第8至9項中任一項之鐿製濺鍍靶，其中，靶表面之凹痕的產生，在7個/面以下。
TW098103816A 2008-02-08 2009-02-06 Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target TWI525206B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008028631 2008-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200936793A TW200936793A (en) 2009-09-01
TWI525206B true TWI525206B (zh) 2016-03-11

Family

ID=40952194

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW098103816A TWI525206B (zh) 2008-02-08 2009-02-06 Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9328411B2 (zh)
EP (1) EP2241649B1 (zh)
JP (2) JP5379010B2 (zh)
TW (1) TWI525206B (zh)
WO (1) WO2009099121A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2008253545B2 (en) 2007-05-21 2012-04-12 Orbite Aluminae Inc. Processes for extracting aluminum and iron from aluminous ores
KR101269796B1 (ko) * 2007-10-23 2013-05-30 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 이테르븀, 고순도 이테르븀으로 이루어지는 스퍼터링 타겟, 고순도 이테르븀을 함유하는 박막 및 고순도 이테르븀의 제조 방법
US9328411B2 (en) * 2008-02-08 2016-05-03 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ytterbium sputtering target and method of producing said target
CA2829049C (en) 2011-03-18 2014-12-02 Orbite Aluminae Inc. Processes for recovering rare earth elements from aluminum-bearing materials
EP3141621A1 (en) 2011-05-04 2017-03-15 Orbite Aluminae Inc. Processes for recovering rare earth elements from various ores
WO2012162817A1 (en) 2011-06-03 2012-12-06 Orbite Aluminae Inc. Methods for preparing hematite
JP5758204B2 (ja) * 2011-06-07 2015-08-05 日本発條株式会社 チタン合金部材およびその製造方法
US10041155B2 (en) 2011-07-06 2018-08-07 Jx Nippon Mining & Metals Corporation High-purity yttrium, process of producing high-purity yttrium, high-purity yttrium sputtering target, metal gate film deposited with high-purity yttrium sputtering target, and semiconductor element and device equipped with the metal gate film
AU2012308068B2 (en) 2011-09-16 2015-02-05 Aem Technologies Inc. Processes for preparing alumina and various other products
CA2857574C (en) 2012-01-10 2015-03-24 Orbite Aluminae Inc. Processes for treating red mud
US9181603B2 (en) 2012-03-29 2015-11-10 Orbite Technologies Inc. Processes for treating fly ashes
BR112015000626A2 (pt) 2012-07-12 2017-06-27 Orbite Aluminae Inc processos para preparação de óxido de titânio e outros produtos variados
JP2014043643A (ja) * 2012-08-03 2014-03-13 Kobelco Kaken:Kk Ｃｕ合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2014046040A1 (ja) * 2012-09-18 2014-03-27 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット
BR112015006536A2 (pt) 2012-09-26 2017-08-08 Orbite Aluminae Inc processos para preparar alumina e cloreto de magnésio por lixiviação com hcl de vários materiais.
AU2013344721A1 (en) 2012-11-14 2015-07-02 Orbite Aluminae Inc. Methods for purifying aluminium ions

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03257158A (ja) 1990-03-07 1991-11-15 Toshiba Corp スパッタリングターゲット
JP2794382B2 (ja) 1993-05-07 1998-09-03 株式会社ジャパンエナジー スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法
JP3755559B2 (ja) 1997-04-15 2006-03-15 株式会社日鉱マテリアルズ スパッタリングターゲット
US6139701A (en) * 1997-11-26 2000-10-31 Applied Materials, Inc. Copper target for sputter deposition
US6946039B1 (en) * 2000-11-02 2005-09-20 Honeywell International Inc. Physical vapor deposition targets, and methods of fabricating metallic materials
JP4237479B2 (ja) 2002-12-25 2009-03-11 株式会社東芝 スパッタリングターゲット、Ａｌ合金膜および電子部品
JP4468302B2 (ja) 2003-09-12 2010-05-26 日鉱金属株式会社 スパッタリングターゲット及び同ターゲットの表面仕上げ方法
JP4268085B2 (ja) * 2004-04-16 2009-05-27 日本電信電話株式会社 酸窒化シリコン膜の形成方法及び形成装置
US7803209B2 (en) 2004-11-30 2010-09-28 Nippon Mining & Metals Co., Ltd Sb-Te alloy sintered compact sputtering target
ATE463314T1 (de) 2005-01-18 2010-04-15 Nippon Mining Co Pulver auf sb-te basierender legierung zum sintern und ein durch sintern des pulvers hergestelltes gesintertes sputtertarget und verfahren zur herstellung des pulvers auf sb-te basierender legierung zum sintern
EP1865090B1 (en) 2005-03-28 2010-04-07 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Deep-pot-shaped copper sputtering target
CN101395296B (zh) * 2006-03-06 2012-03-28 陶斯摩有限公司 溅射靶
JP4780398B2 (ja) 2006-03-31 2011-09-28 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 ステータコア、ステータ、回転電機、及びステータの製造方法
JP4874879B2 (ja) 2007-06-21 2012-02-15 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 エルビウムスパッタリングターゲット及びその製造方法
KR101269796B1 (ko) 2007-10-23 2013-05-30 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 이테르븀, 고순도 이테르븀으로 이루어지는 스퍼터링 타겟, 고순도 이테르븀을 함유하는 박막 및 고순도 이테르븀의 제조 방법
US9328411B2 (en) * 2008-02-08 2016-05-03 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Ytterbium sputtering target and method of producing said target

Also Published As

Publication number Publication date
JP5744958B2 (ja) 2015-07-08
EP2241649A1 (en) 2010-10-20
JPWO2009099121A1 (ja) 2011-05-26
EP2241649A4 (en) 2011-02-02
TW200936793A (en) 2009-09-01
US9328411B2 (en) 2016-05-03
US20100044223A1 (en) 2010-02-25
JP5379010B2 (ja) 2013-12-25
JP2013177687A (ja) 2013-09-09
WO2009099121A1 (ja) 2009-08-13
EP2241649B1 (en) 2015-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525206B (zh) Ytterbium sputtering target and manufacturing method of the target
US8663402B2 (en) Sputtering target with few surface defects, and surface processing method thereof
KR100994663B1 (ko) 스퍼터링 타깃
JP5426173B2 (ja) Ｍｏ系スパッタリングターゲット板，および，その製造方法
JP5301531B2 (ja) パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット
JP2010012564A (ja) 硬質皮膜被覆切削工具
JP2010284787A (ja) 硬質皮膜被覆切削工具
WO2014192730A1 (ja) 冷間加工用金型の製造方法
TWI715466B (zh) 鉬合金靶材及其製造方法
WO2006076333A2 (en) High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same
EP1704266A2 (en) High integrity sputtering target material and method for producing bulk quantities of same
WO2024048664A1 (ja) モリブデンスパッタリングターゲット、その製造方法、及びモリブデンスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング膜の製造方法
WO2024084878A1 (ja) Ａｕスパッタリングターゲット
TWI715467B (zh) 鉬合金靶材及其製造方法
TWI665325B (zh) Tantalum sputtering target
WO2021039712A1 (ja) Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ系ターゲット
WO2020195566A1 (ja) Ｖ合金ターゲット
WO2021039711A1 (ja) Ｆｅ－Ｃｏ－Ｓｉ－Ｂ－Ｎｂ系ターゲット
WO2020195565A1 (ja) Ｖ合金ターゲット