TWI525183B - 用於研磨相變合金之化學機械研磨組成物及方法 - Google Patents
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- TWI525183B TWI525183B TW101112579A TW101112579A TWI525183B TW I525183 B TWI525183 B TW I525183B TW 101112579 A TW101112579 A TW 101112579A TW 101112579 A TW101112579 A TW 101112579A TW I525183 B TWI525183 B TW I525183B
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 159
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 145
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 96
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims description 52
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 26
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 21
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 21
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 17
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- -1 phthalic acid ester compound Chemical class 0.000 claims description 13
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 229920001446 poly(acrylic acid-co-maleic acid) Polymers 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical group OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims description 7
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N o-dicarboxybenzene Natural products OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical class CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C(C)CN(CC(O)=O)CC(O)=O XNCSCQSQSGDGES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[bis(carboxymethyl)amino]-2-hydroxypropyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane-1,2-diaminetetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)C1CCCCC1N(CC(O)=O)CC(O)=O FCKYPQBAHLOOJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N diammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol bis(2-aminoethyl)tetraacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCOCCOCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DEFVIWRASFVYLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001853 inorganic hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 2
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBKADZMAZVCJMR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid;dihydrate Chemical compound O.O.OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O PBKADZMAZVCJMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026551 ZrC Inorganic materials 0.000 description 1
- JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] Chemical compound [B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[B].[Al] JXOOCQBAIRXOGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N [C].[Zr] Chemical compound [C].[Zr] OTCHGXYCWNXDOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WMOJAWPGEQWAMM-UHFFFAOYSA-N [Ir].[Ru].[Ru] Chemical compound [Ir].[Ru].[Ru] WMOJAWPGEQWAMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000008365 aqueous carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 1
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DWPHWVJZBHLVPI-UHFFFAOYSA-N bromophosphonic acid Chemical compound OP(O)(Br)=O DWPHWVJZBHLVPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- UZLGHNUASUZUOR-UHFFFAOYSA-L dipotassium;3-carboxy-3-hydroxypentanedioate Chemical compound [K+].[K+].OC(=O)CC(O)(C([O-])=O)CC([O-])=O UZLGHNUASUZUOR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000002356 laser light scattering Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L tellurite Chemical compound [O-][Te]([O-])=O SITVSCPRJNYAGV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
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Description
本發明係關於化學機械研磨(CMP)組成物及其使用方法。更特別地，本發明係關於用於研磨具有鍺-銻-碲相變合金之基板的化學機械研磨組成物。
使用可於通常為非晶態之絕緣性與通常為結晶態之導電性之間電性轉變之相變材料的相變隨機存取記憶體(PRAM)裝置，業經變成下一代記憶體裝置的先導者。此等下一代PRAM裝置可替換常規之固態記憶體裝置，如動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置、靜態隨機存取記憶體(SRAM)裝置、可擦除可程式化唯讀記憶體(EPROM)裝置、以及於每一記憶體位元採用微電子電路元件之電性可擦除可程式化唯讀記憶體(EEPROM)裝置。此等常規固態記憶體裝置消耗大量晶片空間以存儲訊息，因而限制晶片密度；且其程式化亦相對緩慢。
可用於PRAM裝置之相變材料係包括硫屬化合物(chalcogenide)材料，如鍺-碲(Ge-Te)及鍺-銻-碲(Ge-Sb-Te)相變合金。PRAM裝置之製造係包括化學機械研磨步驟，於該等步驟中，硫屬化合物相變材料被選擇性地移除且該裝置表面被平坦化。
碲易於硫屬化合物相變合金膜中進行相對移動。於CMP條件下，碲可能於平坦化過程中易遷移並聚集於(agglomerate)晶圓之表面上。這導致具有非均質組成物之
膜，且晶圓之表面特徵處處不同。
一種用於研磨具有硫屬化合物相變材料之基板的研磨組成物係由Dysard等人於美國專利公開第20070178700號中揭露。Dysard等人揭露了用於研磨含有相變合金之基板的化學機械研磨組成物，該組成物係包含：(a)顆粒化之研磨劑材料，其量不超過約3重量(wt)%；(b)至少一種螯合劑，可螯合該相變合金、該相變合金之成分或於化學機械研磨過程中自該相變合金材料形成之物質；以及(c)用於上述物質之水性載劑。
對發展能以高移除速率選擇性地移除相變材料且亦提供降低之總缺陷及Te殘質缺陷(residue defect)之新化學機械研磨組成物仍具有持續之需求。
本發明係提供一種用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%之研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基
板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除。
本發明亦提供用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130奈米(nm)之膠質氧化矽研磨劑；其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；以及，其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200毫升(mL)/分鐘(min)、且於200毫米(mm)研磨機上之標稱下壓力(nominal down force)為8.27千帕(kPa)(1.2磅/平方吋(psi))時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000埃(Å)/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微
粒及聚胺酯灌注之非織次墊(non-woven subpad)。
本發明亦提供用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130nm之膠質氧化矽研磨劑；其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/min、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000Å/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；以及，其中，該化學機械研磨組成物促成鍺-銻-碲相變合金移除速率為1,000Å/分鐘，且研磨後
SP1缺陷(>0.16μm)數為200。
本發明亦提供用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130nm之膠質氧化矽研磨劑；其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/min、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000埃(Å)/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；其中，該化學機械研磨組成物促成鍺-銻-碲相變合金移除速率為1,000Å/分鐘，且研磨後
SP1缺陷(>0.16μm)數為200；以及，其中，175之該研磨後SP1缺陷係碲殘質缺陷。
本發明亦提供用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130nm之膠質氧化矽研磨劑；其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/min、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000埃(Å)/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；其中，該化學機械研磨組成物促成
鍺-銻-碲相變合金移除速率為1,000Å/分鐘，且研磨後SP1缺陷(>0.16μm)數為200；其中，175之該研磨後SP1缺陷係碲殘質缺陷；其中，該基板係進一步包含Si3N4；其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為15：1。
本發明亦提供用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑；其中，該化學機械研磨組成物之pH係7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130nm之膠質氧化矽研磨劑；其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/min、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械
研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000埃(Å)/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；其中，該化學機械研磨組成物促成鍺-銻-碲相變合金移除速率為1,000Å/分鐘，且研磨後SP1缺陷(>0.16μm)數為200；其中，175之該研磨後SP1缺陷係碲殘質缺陷；其中，該基板係進一步包含原矽酸四乙酯(TEOS)；其中，至少部份該TEOS係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對TEOS移除速率選擇性為15：1。
本發明之化學機械研磨方法可用於研磨含有硫屬化合物相變合金之基板。於本發明之方法中使用之化學機械研磨組成物係提供高硫屬化合物相變合金移除速率以及較該基板上其他材料所見者更有利的選擇性，且總缺陷低，Te殘質缺陷低。
適用於本發明之化學機械研磨方法的基板係包含鍺-銻-碲(GST)相變合金。
視需要，適用於本發明之化學機械研磨方法的基板係進一步包含選自磷矽酸鹽玻璃(PSG)、溴磷矽酸鹽玻璃(BPSG)、未摻雜之矽酸鹽玻璃(USG)、旋塗式玻璃(spin-on-glass,SOG)、原矽酸四乙酯(TEOS)、電漿增強TEOS(PETEOS)、可流動氧化物(FOx)、高密度電漿化學氣相沉積(HDP-CVD)氧化物、以及氮化矽(如，Si3N4)之額外材料。較佳地，該
基板係進一步包含選自Si3N4與TEOS之額外之材料。
適用於本發明之化學機械研磨方法之化學機械研磨組成物中的研磨劑係包括，舉例而言，無機氧化物、無機氫氧化物、無機氫氧化物氧化物、金屬硼化物、金屬碳化物、金屬氮化物、聚合物粒子以及包含前述之至少一者的混合物。適當之無機氧化物係包括，舉例而言，氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、氧化鈰(CeO2)、氧化錳(MnO2)、氧化鈦(TiO2)或包含前述氧化物之至少一者的組合。若需要，亦可使用此等無機氧化物之修飾形式，如有機聚合物包覆之氧化物粒子及無機塗覆之粒子。適當之金屬碳化物、金屬硼化物及金屬氮化物係包括，舉例而言，碳化矽、氮化矽、碳氮化矽(SiCN)、碳化硼、碳化鎢、碳化鋯、硼化鋁、碳化鉭、碳化鈦或包含前述之金屬碳化物、金屬硼化物及金屬氮化物之至少一者的組合。較佳地，所使用之研磨劑係膠質氧化矽研磨劑。更佳地，所使用之研磨劑係平均粒徑為1至200nm(更佳係100至150nm，最佳係110至130nm)之膠質氧化矽，該平均粒徑係藉由習知之雷射光散射技術測定之。
於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.1至5wt%，更佳0.5至3wt%，再佳1至3wt%，再更佳1.5至2.5wt%之研磨劑。較佳地，該研磨劑係膠質氧化矽研磨劑。最佳地，本發明之化學機械研磨組成物係包含，作為起始成分之1.5至2.5wt%之平均粒徑為110至130nm的膠質氧化
矽研磨劑。
較佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物係包含，作為起始成分之0.001至5wt%(更佳係0.05至5wt%，再佳係0.1至4wt%，最佳係0.2至0.4wt%)之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物之至少一者。較佳係透過添加酞酸酯化合物如，舉例而言，酞酸氫鉀；或透過添加酞酸衍生物如，舉例而言，酞酸氫銨，從而將酞酸併入所使用之化學機械研磨組成物中。最佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物係包含，作為起始成分之0.2至0.4wt%之酞酸氫銨。
較佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.001至5wt%(更佳0.01至5wt%，最佳0.15至0.25wt%)之螯合劑。其中，該螯合劑較佳係選自乙二胺四乙酸(EDTA)及其類似物及鹽。較佳之EDTA的類似物係包括氮基三乙酸(Nitrilotriacetic acid，NTA)；乙二醇四乙酸(EGTA)；1,2-環己烷二胺四乙酸(CyDTA)；六亞甲基二胺四乙酸(HDTA)；1,2-二胺基丙烷-N,N,N’,N’-四乙酸(Methyl-EDTA)；1,3-二胺基-2-丙醇-N,N,N’,N’-四乙酸(DPTA-OH)；二伸乙基三胺五乙酸(DTPA)；N-(2-羥基乙基)伸乙二胺-N,N,N’,N’-三乙酸(HEDTA)；三伸乙基四胺-N,N,N’,N",N"’,N"’-六乙酸(TTHA)；及其鹽。其中，該螯合劑最佳係選自乙二胺四乙酸及其鹽。其中，所使用之
化學機械研磨組成物最佳係包含，作為起始成分之0.15至0.25wt%之螯合劑，其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽(如，二水合乙二胺四乙酸二鉀鹽)。
較佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.001至0.1wt%(更佳0.01至0.1wt%，最佳0.04至0.06wt%)之聚(丙烯酸-共-馬來酸)。再佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.001至0.1wt%(再佳0.01至0.1wt%，最佳0.04至0.06wt%)之聚(丙烯酸-共-馬來酸)，其中，該聚(丙烯酸-共-馬來酸)之重量平均分子量為2,500至10,000(較佳係2,500至5,000；最佳係2,500至3,500)。
較佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.001至3wt%(更佳0.01至3wt%，再佳0.05至0.15wt%)之氧化劑。較佳地，該氧化劑係過氧化氫。最佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物較佳係包含，作為起始成分之0.05至0.15wt%之過氧化氫。
較佳地，於本發明之化學機械研磨方法中使用之化學機械研磨組成物中使用的水係經去離子化者及經蒸餾者之至少之一，以限制夾帶之雜質。
視需要，於本發明之化學機械研磨方法中使用的化學機械研磨組成物係進一步包含選自pH調節劑、分散劑、界面活性劑、緩衝劑及殺生物劑之額外添加劑。
於本發明之化學機械研磨方法中使用之化學機械研磨組成物的較佳pH為7.1至12(較佳係7.5至10，更佳係7.5至9，最佳係7.5至8.5)。適用於調節該化學機械研磨組成物之pH的酸係包括，舉例而言，硝酸、硫酸及鹽酸。適用於調節該化學機械研磨組成物之pH的鹼係包括，舉例而言，氫氧化銨、氫氧化鉀、氫氧化四甲基銨及碳酸氫鹽；較佳係氫氧化四甲基銨。
視需要，於本發明之化學機械研磨方法中，該基板係進一步包含Si3N4；其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除；以及，其中，所使用之該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為10：1(更佳係15：1；最佳係18：1)。
視需要，於本發明之化學機械研磨方法中，該基板係進一步包含原矽酸四乙酯(TEOS)；其中，至少部份該TEOS係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金與TEOS移除速率選擇性為10：1(較佳係15：1；更佳係16：1)。
較佳地，本發明之化學機械研磨方法係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包含(主要由其組成)作為起始成分之下列者：水；0.1至5wt%(較佳係0.5至3wt%，更佳係1至3wt%，最佳係1.5至2.5wt%)之研磨劑(較佳地，其中，該研磨劑係膠質氧化矽研磨劑，更佳係平均粒徑為1至200nm，再佳係100至150nm，最
佳係110至130nm之膠質氧化矽研磨劑)；0.001至5wt%(較佳係0.05至5wt%，更佳係0.1至4wt%，最佳係0.2至0.4wt%)之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者(較佳係酞酸氫銨)；0.001至5wt%(較佳係0.01至5wt%，更佳係0.15至0.25wt%)之螯合劑(較佳地，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽)；0.001至0.1wt%(較佳係0.01至0.1wt%，更佳係0.04至0.06wt%)之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%(較佳係0.01至3wt%，更佳係0.05至0.15wt%，最佳係0.05至0.15wt%)之氧化劑(較佳地，該氧化劑係過氧化氫)；其中，該化學機械研磨組成物之pH為7.1至12(較佳係7.5至10，更佳係7.5至9，最佳係7.5至8.5)；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及，將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/分鐘、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為1,000Å/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；其中，該化學機械研磨組成物促成鍺-銻-碲相變合金移除速率為1,000Å/分鐘，且研磨後
SP1缺陷(>0.16μm)數為200(更佳係0至200，最佳係0至190)；其中，175(更佳係0至170，最佳係0至165)之該研磨後SP1缺陷係碲殘質缺陷；視需要，其中，該基板係進一步包含Si3N4，其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除，以及，其中，所使用之該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為15：1(較佳係18：1)；以及，視需要，其中，該基板係進一步包含原矽酸四乙酯(TEOS)其中，至少部份該TEOS係自該基板移除，以及，其中，該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金對TEOS移除速率選擇性為15：1(較佳係16：1)。
現在將於下述實施例中詳細揭示本發明之某些具體實施態樣。
化學機械研磨組成物
所測試之化學機械研磨組成物(CMPC)係揭示於表1中。該等化學機械研磨組成物A至D係比較性配方，其係不處於本發明申請專利範圍之範疇。
研磨測試
使用表1中揭示之化學機械研磨組成物於取自SKW Associates Inc.之覆鍺-銻-碲(GST)晶圓(Si/1k Å熱氧化物/200Å TiN/1500Å GST膜)上施行研磨實驗。使用配備ISRM偵檢器系統之應用材料公司(AppliedMaterials,Inc.)之Mirra ® 200mm研磨機，使用IC1010TM聚胺酯研磨墊(商購自羅門哈斯電子材料公司)，於1.2psi(8.27kPa)下壓力、化學機械研磨組成物流速為200mL/分鐘、平台速度為60rpm以及載體速度為55rpm之條件下施行該等研磨實驗。使用Diagrid ® AD3BG-150855鑽石墊調節機(商購自中國砂輪企業股份有限公司(Kinik Company))以調節該研磨墊。於研磨之前，以該調節機使用14.0lbs
(6.35kg)下壓力作用該研磨墊20分鐘，隨後以9.0磅(lbs)(4.08kg)下壓力作用10分鐘，破裂(broken)該研磨墊。於使用9.0lbs(4.08kg)下壓力研磨晶圓過程中，原位調節該研磨墊。使用Jordan Valley JVX-5200T計量工具測量GST移除速率資料並於表2中報導之。來自SVTC與Advantiv之覆Si3N4與TEOS晶圓亦分別於標注之條件下研磨。藉由使用KLA-Tencor FX200計量工具於研磨之前及之後測量膜厚來確定Si3N4與TEOS之移除速率，並報導於表2中。使用來自KLA-Tencor之SP1計量工具施行>0.16μm之缺陷的缺陷計數分析。使用來自KLA-Tencor之SEM EDR5200計量工具對給定數目(表2中標注者)之隨機選擇的缺陷再次分析，以辨識出Te殘質缺陷。隨後，將此等數值外推得知其餘缺陷，以評估Te殘質缺陷之總數。研磨測試之結果係存在於表2中。
Claims (8)
- 一種用於化學機械研磨基板之方法，係包含：提供基板，其中，該基板係包含鍺-銻-碲相變合金；提供化學機械研磨組成物，其中，該化學機械研磨組成物係包括下列初始成分：水；0.1至5wt%之研磨劑，其中，該研磨劑係平均粒徑為110至130nm之膠質氧化矽研磨劑；0.001至5wt%之酞酸、酞酸酐、酞酸酯化合物及酞酸衍生物的至少一者；0.001至5wt%之螯合劑，其中，該螯合劑係選自乙二胺四乙酸及其鹽；0.001至0.1wt%之聚(丙烯酸-共-馬來酸)；0.001至3wt%之氧化劑，其中，該氧化劑係過氧化氫；其中，該化學機械研磨組成物之pH為7.1至12；提供化學機械研磨墊；於該化學機械研磨墊與該基板間之介面產生動態接觸；以及將該化學機械研磨組成物分注於該化學機械研磨墊上的該化學機械研磨墊與該基板之介面處或接近該介面處；其中，至少部份該鍺-銻-碲相變合金係自該基板移除；其中，當平台速度為每分鐘60轉、載體速度為每 分鐘55轉、化學機械研磨組成物流速為200mL/分鐘、且於200mm研磨機上之標稱下壓力為8.27kPa(1.2psi)時，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金之移除速率為至少1,000Å/分鐘，其中，該化學機械研磨墊係包含聚胺酯研磨層，該聚胺酯研磨層係含有聚合物空心芯之微粒及聚胺酯灌注之非織次墊；以及，其中，該化學機械研磨組成物促成鍺-銻-碲相變合金移除速率為至少1,000Å/分鐘，且研磨後SP1缺陷(>0.16μm)數為不大於200。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該基板係復包含Si3N4；其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為10：1。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該基板係復包含原矽酸四乙酯(TEOS)；其中，至少部份該TEOS係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物係顯現鍺-銻-碲相變合金對TEOS移除速率選擇性為10：1。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該基板係復包含Si3N4；其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為15：1。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該基板係復包含原矽酸四乙酯(TEOS)；其中，至少部份該TEOS係 自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對TEOS移除速率選擇性為15：1。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，175之該研磨後SP1缺陷係碲殘質缺陷。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該基板係復包含Si3N4；其中，至少部份該Si3N4係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對Si3N4移除速率選擇性為15：1。
- 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中，該基板係復包含原矽酸四乙酯(TEOS)；其中，至少部份該TEOS係自該基板移除；以及，其中，該化學機械研磨組成物顯現鍺-銻-碲相變合金對TEOS移除速率選擇性為15：1。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/096,707 US8790160B2 (en) | 2011-04-28 | 2011-04-28 | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201247856A TW201247856A (en) | 2012-12-01 |
| TWI525183B true TWI525183B (zh) | 2016-03-11 |
Family
ID=47007822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101112579A TWI525183B (zh) | 2011-04-28 | 2012-04-10 | 用於研磨相變合金之化學機械研磨組成物及方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8790160B2 (zh) |
| JP (1) | JP5960489B2 (zh) |
| CN (1) | CN102756325B (zh) |
| DE (1) | DE102012007812A1 (zh) |
| FR (1) | FR2974531B1 (zh) |
| TW (1) | TWI525183B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8790160B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-07-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
| JP2013080751A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-02 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP2013084876A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| KR102028217B1 (ko) | 2011-11-25 | 2019-10-02 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
| JP6139975B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2017-05-31 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JP2016524325A (ja) * | 2013-05-15 | 2016-08-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ | 少なくとも１種のｉｉｉ−ｖ族材料を含有する基板または層を研磨するための化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物を使用する方法 |
| JP6366952B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2018-08-01 | 住友化学株式会社 | ニオブ酸系強誘電体薄膜素子の製造方法 |
| KR102212377B1 (ko) | 2014-06-16 | 2021-02-04 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 소자의 제조 방법 |
| CN112353753A (zh) * | 2020-11-17 | 2021-02-12 | 四川大学华西医院 | 一种靶向中枢神经系统的纳米药物载体 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7064070B2 (en) * | 1998-09-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| US6176895B1 (en) * | 1998-11-04 | 2001-01-23 | Desimone Joseph M. | Polymers for metal extractions in carbon dioxide |
| EP2194570A1 (en) * | 1998-12-28 | 2010-06-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Materials for polishing liquid for metal, polishing liquid for metal, mehtod for preparation thereof and polishing method using the same |
| KR100464429B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법 |
| US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
| US6884144B2 (en) * | 2002-08-16 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for planarizing microelectronic devices with Ge-Se-Ag layers |
| JP4212861B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
| US7300601B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
| US7485162B2 (en) * | 2003-09-30 | 2009-02-03 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| KR100672940B1 (ko) * | 2004-08-03 | 2007-01-24 | 삼성전자주식회사 | 금속막을 위한 화학적기계적 연마 슬러리 및 이를 이용한금속막의 화학적기계적 연마 방법 |
| CN1300271C (zh) * | 2004-09-24 | 2007-02-14 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用 |
| EA014409B1 (ru) * | 2005-01-18 | 2010-12-30 | Айдахо Рисерч Фаундейшн, Инк. | Способ извлечения металла из металлосодержащего материала экстракцией |
| EP1899111A2 (en) * | 2005-06-06 | 2008-03-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing |
| US7897061B2 (en) * | 2006-02-01 | 2011-03-01 | Cabot Microelectronics Corporation | Compositions and methods for CMP of phase change alloys |
| US8518296B2 (en) * | 2007-02-14 | 2013-08-27 | Micron Technology, Inc. | Slurries and methods for polishing phase change materials |
| JP5529736B2 (ja) * | 2007-07-26 | 2014-06-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 相変化材料を化学的機械的に研磨するための組成物及び方法 |
| US7915071B2 (en) * | 2007-08-30 | 2011-03-29 | Dupont Air Products Nanomaterials, Llc | Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials |
| KR101198100B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2012-11-09 | 삼성전자주식회사 | 상변화 물질층 패턴의 형성 방법, 상변화 메모리 장치의제조 방법 및 이에 사용되는 상변화 물질층 연마용 슬러리조성물 |
| CN101372606B (zh) * | 2008-10-14 | 2013-04-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 用氧化铈化学机械抛光液抛光硫系化合物相变材料的方法 |
| US8735293B2 (en) * | 2008-11-05 | 2014-05-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| US20100130013A1 (en) * | 2008-11-24 | 2010-05-27 | Applied Materials, Inc. | Slurry composition for gst phase change memory materials polishing |
| KR20130066561A (ko) * | 2010-06-01 | 2013-06-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 구리 웨이퍼 폴리싱의 화학적 평탄화 |
| US20120003834A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Koo Ja-Ho | Method Of Polishing Chalcogenide Alloy |
| US20120001118A1 (en) * | 2010-07-01 | 2012-01-05 | Koo Ja-Ho | Polishing slurry for chalcogenide alloy |
| US8309468B1 (en) * | 2011-04-28 | 2012-11-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing germanium-antimony-tellurium alloys |
| US8790160B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-07-29 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing composition and method for polishing phase change alloys |
-
2011
- 2011-04-28 US US13/096,707 patent/US8790160B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-04-10 TW TW101112579A patent/TWI525183B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-04-18 DE DE102012007812A patent/DE102012007812A1/de not_active Withdrawn
- 2012-04-24 JP JP2012098808A patent/JP5960489B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-26 CN CN201210139124.9A patent/CN102756325B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-27 FR FR1253892A patent/FR2974531B1/fr not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102756325A (zh) | 2012-10-31 |
| US20120276819A1 (en) | 2012-11-01 |
| JP2012235111A (ja) | 2012-11-29 |
| DE102012007812A1 (de) | 2012-10-31 |
| FR2974531A1 (fr) | 2012-11-02 |
| CN102756325B (zh) | 2015-06-17 |
| FR2974531B1 (fr) | 2016-03-04 |
| TW201247856A (en) | 2012-12-01 |
| JP5960489B2 (ja) | 2016-08-02 |
| US8790160B2 (en) | 2014-07-29 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |