TWI524444B - A manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device, and a recording medium - Google Patents

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TWI524444B
TWI524444B TW103102437A TW103102437A TWI524444B TW I524444 B TWI524444 B TW I524444B TW 103102437 A TW103102437 A TW 103102437A TW 103102437 A TW103102437 A TW 103102437A TW I524444 B TWI524444 B TW I524444B
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Yasutoshi Tsubota
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Hitachi Int Electric Inc
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Description

半導體裝置之製造方法，基板處理裝置及記錄媒體
本發明係關於一種對凸塊進行迴銲處理之半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體。
近年來，為了高積體化地安裝半導體裝置，而要求半導體裝置之封裝之小型化。因此，半導體裝置之電極與導線框架之連接，採用稱為凸塊之凸起形狀之銲料端子已逐漸成為主流。藉由使用此凸塊，使得將半導體裝置與導線框架重疊而連接變為可能，從而可節省安裝基板之平面方向之空間。凸塊不僅用於將半導體裝置與導線框架積層之情況，即使使用於近年頻頻被開發研究之Si貫通電極(TSV：Through-Si Via，以下稱為TSV)之半導體裝置之三次元安裝中，也被使用於其連接部位。
凸塊通常係於半導體裝置上形成電極之後，使用錫膏印刷法或電鍍法於其電極上突起形成銲料。然而，於藉由錫膏印刷法或電鍍法而突起之銲料表面會產生微細之凹凸，若就此進行銲料之連接，會使氣泡進入銲料之內部而造成連接強度及耐性降低。為了預防此情況，需要事先將銲料加熱至融點以上使其暫時熔融而進行將銲料表面平滑化之熱處理。此熱處理被稱為迴銲。
迴銲係被揭示有各種之方法，例如，於日本專利特開2012-9597號公報(以下，稱為專利文獻1)中，揭示有使用電漿除去銲 料之自然氧化膜之步驟、及藉由來自加熱器之幅射熱使銲料熔融之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開2012-9597號公報
本發明之目的在於，提供一種半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體，其可提高半導體裝置之製造品質，並可提高生產率。
根據本發明之一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含有：將於表面具有銲料之基板，載置於在處理室內所設置之基板支持部之步驟，而該銲料係於表面形成有含氧膜；對上述處理室內供給還原性氣體，以上述處理室內之熱傳導率作為第1熱傳導率而將上述含氧膜加以除去之氧化層除去步驟；及對上述處理室內供給熱傳導性氣體，以上述處理室內之熱傳導率作為第2熱傳導率而使上述銲料產生熔融之迴銲步驟。
根據本發明之其他態樣，提供一種基板處理裝置，其包含有：基板支持部，其載置有於表面具有銲料之基板，而該銲料係於表面形成有含氧膜；處理室，其設置有上述基板支持部；還原氣體供給 部，其對上述處理室內供給還原性氣體；熱傳導性氣體供給部，其對上述處理室內供給熱傳導性氣體；及控制部，其控制上述還原氣體供給部及上述熱傳導性氣體供給部而進行以下之步驟：以使上述處理室內成為第1熱傳導率之方式供給還原性氣體而將上述含氧膜加以除去之步驟、及以使上述處理室內成為第2熱傳導率之方式供給熱傳導性氣體而使上述銲料產生熔融之迴銲步驟。
根據本發明之又一其他態樣，提供一種記錄媒體，其記錄有使電腦執行以下之過程之程式，而該等過程係包含有：將於表面具有銲料之基板，載置於在處理室內所設置之基板支持部之過程，而該銲料係於表面形成有含氧膜；對上述處理室內供給還原性氣體，以上述處理室內之熱傳導率作為第1熱傳導率而將上述含氧膜加以除去之氧化層除去過程；及對上述處理室內供給熱傳導性氣體，以上述處理室內之熱傳導率作為第2熱傳導率而使上述銲料產生熔融之迴銲過程。
根據本發明之半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體，可進行品質優良之迴銲處理。
123‧‧‧外部記憶裝置
100‧‧‧EFEM
110、120‧‧‧晶圓輸送盒
130‧‧‧大氣搬送機器人
200‧‧‧負載鎖定室部
210、220‧‧‧緩衝容器單元
211、221‧‧‧晶舟
212、222‧‧‧指標組件
214、224‧‧‧θ軸
250、260‧‧‧負載鎖定室
300‧‧‧傳送模組部
310‧‧‧傳送模組
311、312‧‧‧閘閥
313、314‧‧‧閘閥
320‧‧‧真空臂機器人單元
400‧‧‧處理室部
410‧‧‧處理裝置
411‧‧‧基座平台
413‧‧‧昇降銷
414‧‧‧晶圓支持銷
420‧‧‧電漿處理單元
430‧‧‧電漿產生室
431‧‧‧處理容器
432‧‧‧共振線圈
433‧‧‧氣體導入口
444‧‧‧高頻電源
445‧‧‧處理室
446‧‧‧頻率整合器
448‧‧‧基座板
452‧‧‧外側屏蔽
454‧‧‧頂板
455‧‧‧氣體供給管
458‧‧‧擋環
459‧‧‧基座
460‧‧‧檔板
461‧‧‧支柱
462‧‧‧可動分接頭
463‧‧‧基板加熱部
464‧‧‧固定接地部位
465‧‧‧排氣板
466‧‧‧可動分接頭
467‧‧‧導引軸
468‧‧‧反射波電力計
469‧‧‧底基板
471‧‧‧昇降基板
472‧‧‧顯示裝置(顯示器)
473‧‧‧昇降銷昇降部
474‧‧‧第1排氣室
475‧‧‧排氣連通孔
476‧‧‧第2排氣室
477、483‧‧‧質量流量控制器
478、484‧‧‧開閉閥
479‧‧‧APC閥
480‧‧‧排氣管
481‧‧‧排氣泵
482‧‧‧氣體配管
490‧‧‧昇降驅動部
500‧‧‧控制器
500a‧‧‧CPU
500b‧‧‧RAM
500c‧‧‧記憶裝置
500d‧‧‧I/O埠
500e‧‧‧內部匯流排
501‧‧‧輸入輸出裝置
600‧‧‧晶圓
601‧‧‧鋁墊
602‧‧‧底部凸塊金屬
603‧‧‧鎳板
604‧‧‧凸塊
605‧‧‧氧化膜
610‧‧‧晶粒
611‧‧‧支持基板
L1、L2‧‧‧距離
圖1為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置之構成。
圖2(a)為本發明之一實施形態之處理前之基板之構成例。
圖2(b)為本發明之一實施形態之處理後之基板之構成例。
圖2(c)為本發明之一實施形態之晶片狀態之基板之構成例。
圖3為本發明之一實施形態之搬送系統之構成例之側剖視圖。
圖4為本發明之一實施形態之搬送系統之構成例之上面剖視圖。
圖5為本發明之一實施形態之控制器之構造例。
圖6為本發明之一實施形態之基板處理步驟之流程例。
圖7為本發明之一實施形態之基板處理時之時序例。
圖8為本發明之第二實施形態之基板處理時之時序例。
圖9為本發明之第二實施形態之基板處理時之時序例。
<本發明之一實施形態>
以下，對本發明之一實施形態進行說明。
(1)基板處理裝置之構成
首先，使用圖1，對基板處理裝置之構成例進行說明，該基板處理裝置係實施本實施形態之半導體裝置之製造方法。圖1為基板處理裝置之剖面構成圖。在此，作為電漿產生方式之一例，以高頻無電極放電型之電漿處理裝置為例進行說明。
圖1為顯示處理裝置410之概略構成圖。處理裝置410包含：載置作為後述之基板之晶圓600之基板支持部；氣體供給部；於後述之處理容器431內產生電漿之激發部；及排氣部。
(基板)
如圖2(a)所示，於作為基板之晶圓600形成有鋁墊601、底部凸塊金屬602、鎳(Ni)板603及凸塊(銲料)604，於銲料604上形成有氧化膜605。又，鋁墊601及鎳板603不限為這些元素，也可為Au、Ag、Cu 等。氧化膜605係於形成凸塊之後，在所進行之抗蝕劑之除去步驟、及搬送於基板處理裝置間之過程等中所形成。發明者發現，藉由對此種基板實施除去後述之自然氧化膜之氧化層除去步驟及迴銲步驟，可形成品質優良之銲料，且可將施加於基板之熱應力抑制在最小限。此外，發明者等還發現，於對將不同之2個以上之基板積層而成之基板進行處理時，後述之基板溫度之調整為有效。不同之2個以上之基板，例如係經研磨處理之矽(Si)基板及支持玻璃基板等。於迴銲處理中，必須將基板上之黏著劑或銲料加熱至融點以上，但於加熱過多之情況下，會有在銲料中產生不希望有之合金化反應之問題。更且，無法避免被加熱之基板會受到因熱而引起之應力之情況。於藉由三次元安裝將多片基板積層之情況下，不能無視此熱應力之影響。此外，於採用TSV技術之基板中，具有進行研磨而將Si基板削薄，且以黏著劑與支持玻璃貼合之情況。此情況下，不僅需要留意因熱應力而造成Si基板與支持玻璃之剝離，而且還要留意黏著劑之耐熱溫度。此外，有不同之2個以上之基板之至少一個係晶片狀態之情況。晶片狀態係指如圖2(c)所示將複數個自矽晶圓切成之各個晶片單位之晶粒610載置於支持基板611上之狀態。於對此種狀態之基板進行處理時，需要更加精密之溫度調整。例如，於支持基板611被不均勻地加熱之情況下，會有引起載置於支持基板上之晶粒之位置發生偏移、所載置之晶粒間之溫度分別不同之可能性。
(處理室)
處理容器431通常係藉由非金屬材料之石英玻璃或陶瓷而形成為圓筒狀。處理容器431之上端係由頂板454所封閉，下端由作為架台 之水平之基座板448及底基板469所封閉，並藉由後述之壓力調整機構氣密性地密封。位於處理容器431之上側且與後述之作為激發部之共振線圈432對向之空間，係作為生成電漿之電漿產生室430。此外，比作為激發部之共振線圈432下側且設置有晶圓600之空間，係作為處理室445。
(基板支持部)
於處理室445之底面設置有基座(susceptor)459。基座459具有基座平台411及對基座上之將晶圓進行加熱之基板加熱部463。又，基座459係成為藉由複數根支柱461所支持之構造。且貫通此基座平台411而設置有包含複數根之昇降銷413，於其上部具有晶圓支持銷414。晶圓支持銷414係朝基座459之中心方向延伸。晶圓600載置於基座平台411或晶圓支持銷414上。此外，於基座平台411之下側設置有作為加熱部之加熱器463，其可對晶圓600進行加熱。基板支持部係由晶圓支持銷414所構成。根據情況，也可考慮包含基座平台411及昇降銷413。昇降銷413係連接於昇降基板471，且構成為可藉由昇降驅動部490沿導引軸467進行昇降。
(排氣部)
於基座459之下方設置有排氣部。排氣部具有作為壓力調整部(壓力調整機構)之APC(Auto Pressure Control)閥479及排氣管480。根據情況，也可於排氣部中包含排氣泵481。APC閥479之閥開度，係構成為以處理室445內之壓力為基礎而被反饋控制。處理室445內之壓力係藉由壓力感測器(未圖示)所測量。
(擋環)
此外，為了改善處理氣體之氣流，還可設置圓筒狀之擋環458及排氣板465。擋環458係於圓筒側面均勻地設置有多個通氣孔，於排氣板465在中央部設置有排氣連通孔475。成為藉由基座459、擋環458、排氣板465形成第1排氣室474，且藉由排氣板465及底基板469形成第2排氣室476之構造，第1排氣室474及第2排氣室476係藉由排氣連通孔475連通。又，第2排氣室476上連通有排氣管480。藉由分別設置第1排氣室474及第2排氣室476，可自上述晶圓600之全周方向均勻地排氣，並可提高朝晶圓600之處理均勻性。
(氣體供給部)
處理容器431之上部之頂板454上，於氣體導入口433附設有用以自圖中省略之氣體供給設備供給所需要之複數之反應氣體之氣體供給管455。於氣體供給管455上設置供給氮(N2)氣之第一氣體供給部、及供給其他氣體、於此為氫(H2)氣或氦(He)氣等之第二氣體供給部。於氣體供給部分別設置有作為流量控制部之質量流量控制器477、483及開閉閥478、484，可控制氣體供給量。於此僅對至第二氣體供給部為止之部分有記載，惟也可有第三以後之氣體供給部。又，也可將使用之氣體事先混合後再流入氣體導入口433。又，為了使反應氣體沿處理容器431之內壁流動，於處理容器431內設置大致圓形且包含石英玻璃或陶瓷之擋板460。
藉由流量控制部及APC閥479調整供給量、排氣量，藉此將處理容器431及處理室445之壓力控制在所期望之值。
(激發部)
為了形成既定波長之駐波，作為激發部之共振線圈432，係以一定波長之模式進行諧振之方式對圈徑、圈間間距、圈數進行設定。亦即，共振線圈432之電性長度，係設定為相當於自高頻電源444供給之電力之既定頻率之1波長之整數倍(1倍、2倍、...)或半波長、1/4波長之長度。例如，於27.12MHz之情況下，1波長之長度約為11米。使用之頻率及共振線圈長度，可根據所期望之電漿產生狀態及電漿產生室430之機械尺寸等進行選擇。
更具體而言，共振線圈432係在對所施加之電力、產生 之磁場強度或適用之裝置之外形等詳加思考後，例如以可藉由800kHz~50MHz、0.5~5kW之高頻電力產生0.01~10高斯左右之磁場之方式，構成為50~300mm2之有效截面積且200~500mm之線圈直徑，而於處理容器431之外周側捲繞2~60圈左右。作為構成共振線圈432之原材料，可使用銅管、銅之薄板、鋁管、鋁薄板、於聚合物帶上蒸鍍銅板或鋁之原材料等。共振線圈432係由絕緣性材料形成為平板狀，且藉由鉛直地立設於基座板448之上端面之複數個支持部所支持。
共振線圈432之兩端係電性接地，但為了於裝置之最初 設置時或處理條件之變更時對該共振線圈之電性長度進行微調，共振線圈432之至少一端係經由可動分接頭462接地。例如，藉由固定接地部位464接地。又，於裝置之最初設置時或處理條件之變更時，為了對共振線圈432之阻抗進行微調，於共振線圈432之被接地之兩端之間，藉由可動分接頭466構成供電部。
亦即，共振線圈432係於兩端具備電性接地之接地部， 且於各接地部之間具備自高頻電源444供給電力之供電部。此外，至少一個接地部係可進行位置調整之可變式接地部，供電部也可作為可進行位置調整之可變式供電部。於共振線圈432具有可變式接地部及可變式供電部之情況下，如後述，於對電漿產生室430之共振頻率及負載阻抗進行調整時，可更加簡便地進行調整。
更，也可於共振線圈432之一端(或兩端)插入包含線圈 及屏蔽之波形調整電路，以使相位及逆相位電流相對於共振線圈432之電性中點對稱地流動。上述波形調整電路係藉由將共振線圈432之端部設定為電性非接觸狀態或電性等效狀態而構成為開放電路。又，共振線圈432之端部也可藉由抗流串聯電阻而作為非接地，而直流連接於固定基準電壓。
外側屏蔽452係為了遮蔽電磁波朝共振線圈432之外側 之洩漏，並於其與共振線圈432之間形成構成共振電路所需要之電容成份而設置。外側屏蔽452通常係使用鋁合金、銅或銅合金等之導電性材料而形成為圓筒狀。外側屏蔽452係自共振線圈432之外周間隔例如5~10mm左右之間隔而配置。並且，通常外側屏蔽452係被接地以使電位與共振線圈432之兩端相等，但為了正確地設定共振線圈432之共振數，外側屏蔽452之一端或兩端，可調整分接頭位置、或者也可於共振線圈432與外側屏蔽452之間插入微調電容器。此外，藉由電性接地之外側屏蔽452及共振線圈構成螺旋共振器。
作為高頻電源444，只要是可朝共振線圈432供給必要 之電壓及頻率之電力之電源，可使用RF發電機等之適宜的電源。例如，使用可以頻率80kHz~800MHz供給0.5~5kW左右之電力之高頻電源。
此外，於高頻電源444之輸出側設置有反射波電力計 468，藉由反射波電力計468所檢測出之反射波電力，係輸入於用作為控制部之控制器500。控制器500係不只是單純控制高頻電源444者，例如，還進行包括基板搬送機構及閘閥之動作等在內之該基板處理裝置整體之控制。作為顯示裝置之顯示器472，例如，顯示藉由反射波電力計468所得之反射波之檢測結果等之由設於該基板處理裝置之各種檢測部所檢測出之資料等。又，於高頻電源444設置有控制發信頻率之頻率整合器446。
於本實施形態中，激發部係由共振線圈432所構成，但 也可考慮將高頻電源444、外側屏蔽452、反射波電力計468、頻率整合器446中之一個以上包括在內。
(基板搬送系統)
其次，使用圖3及圖4對本實施形態之基板搬送系統進行說明。搬送基板之搬送系統具有EFEM(Equipment Front End Module)100、負載鎖定室部200及傳送模組部300。
EFEM100係具有晶圓輸送盒(FOUP：Front-Opening Unified Pod)110、120及自各個晶圓輸送盒將晶圓朝負載鎖定室搬送之作為第1搬送部之大氣搬送機器人130。於晶圓輸送盒中搭載有25片之晶圓，大氣搬送機器人130之手臂部，係自晶圓輸送盒中取出每5片之晶圓。
負載鎖定室部200係具有負載鎖定室250、260、及於 負載鎖定室250、260內分別保持自晶圓輸送盒中搬送之晶圓600之緩衝容器單元210、220。緩衝容器單元210、220，係具有晶舟211、221 及其下部之指標組件212、222。晶舟211(221)及其下部之指標組件212(222)，係藉由θ軸214(224)同時進行旋轉。又，負載鎖定室部200內也可為真空環境或惰性氣體環境、供給有惰性氣體之減壓環境。
傳送模組部300係具備用作為搬送室之傳送模組310， 前述之負載鎖定室250、260，係經由閘閥311、312被安裝於傳送模組310。於傳送模組310上設置有用作為第2搬送部之真空臂機器人單元320。又，傳送模組部300內也可為真空環境或惰性氣體環境、供給有惰性氣體之減壓環境。為了一面提高晶圓600之搬送吞吐率，一面抑制無意中朝晶圓600之氧吸附，以將負載鎖定室部200內及傳送模組部300內設為供給有惰性氣體之減壓環境為較佳。
處理室部400係具有用作為處理室之電漿處理單元 410、420、及設置於其上部之電漿產生室430、440。電漿處理單元410、420係經由閘閥313、314被安裝於傳送模組310。在此，電漿處理單元420係與電漿處理單元410為同樣之構成。
(控制器)
控制器500係控制上述各部以進行後述之基板處理步驟。
(控制部)
如圖5所示，作為控制部(控制手段)之控制器500，係作為具有CPU(Central Processing Unit)500a、RAM(Random Access Memory)500b、記憶裝置500c、I/O埠500d之電腦而構成。RAM 500b、記憶裝置500c、I/O埠500d，係構成為經由內部匯流排500e而可與CPU500a進行資料交換。於控制器500連接有例如作為觸控面板等而構成之輸 入輸出裝置501。
記憶裝置500c係由例如快閃記憶體、HDD(Hard Disk Drive)等所構成。於記憶裝置500c內可讀式地儲存有控制基板處理裝置之動作之控制程式、記載有後述之基板處理之過程及條件等之製程配方等。又，製程配方係以使控制器500執行後述之基板處理步驟中之各過程，而可獲得既定之結果之方式所組合而成者，且作為一種程式發揮功能。以下，將此製程配方及控制程式等簡單地統稱為程式。 又，本說明書中使用所謂程式之用語之情況，有時僅包括單獨之製程配方之情況、或僅包括單獨之控制程式之情況、或包括雙方之情況。 此外，RAM 500b係作為暫時保存藉由CPU500a所讀出之程式及資料等之記憶體區域(工作區域)而構成。
I/O埠500d係連接於上述之昇降驅動部490、加熱器 463、APC閥479、質量流量控制器477、483、開閉閥478、484、高頻電源444、可動分接頭466、反射電力計468、頻率整合器446、排氣泵481、大氣搬送機器人130、閘閥313、314、真空臂機器人單元320等。
CPU500a係構成為，自記憶裝置500c讀出且執行控制 程式，並根據來自輸入輸出裝置501之操作指令之輸入等自記憶裝置500c讀出製程配方。並且，CPU500a係構成為遵照所讀出之製程配方之內容，對藉由昇降驅動部490進行之昇降銷413之上下動作、藉由加熱器463進行之晶圓600之加熱動作、藉由APC閥479進行之壓力調整動作、藉由質量流量控制器477、483及開閉閥478、484所進行之處理氣體之流量調整動作、藉由高頻電源444進行之高頻電力供給動作、藉由反射電力計468進行之反射電力之測量動作、藉由頻率整 合器446進行之頻率整合動作等進行控制。又，也可將可動分接頭462、466之一調整自動化，且藉由CPU500a對共振線圈432之阻抗微調動作進行控制。
又，控制器500不限於作為專用之電腦而構成之情況， 也可作為通用之電腦而構成。例如，可藉由準備儲存上述程式之外部記憶裝置(例如，磁帶、軟碟及硬碟等之磁碟、CD及DVD等之光碟、MO等之磁光碟、USB記憶體(USB Flash Drive)及記憶卡等之半導體記憶體)123，使用上述外部記憶裝置123將程式安裝於通用之電腦中等，來構成本實施形態之控制器500。又，用以將程式供給於電腦之手段，不限於經由外部記憶裝置123而供給之情況，例如，也可使用網路及專用回線等之通信手段，且不經由外部記憶裝置123而供給程式。又，記憶裝置500c及外部記憶裝置123係作為電腦可讀取之記錄媒體而構成。以下，將這些簡單地統稱為記錄媒體。又，本說明書中使用所謂記錄媒體之用語之情況，有時僅包括單獨之記憶裝置500c之情況、或僅包括單獨之外部記憶裝置123之情況、或包括雙方之情況。
(2)基板處理步驟
接著，使用圖6對作為本實施形態之半導體製造步驟之一步驟而實施之基板處理步驟進行說明。該步驟係藉由上述基板處理裝置所實施。又，於以下之說明中，構成基板處理裝置之各部分之動作，係藉由控制器500所控制。
(基板之搬入步驟S10)
首先，藉由大氣搬送機器人130自晶圓輸送盒110將晶圓600搬 送至負載鎖定室250。於負載鎖定室250中進行真空排氣，自EFEM內之大氣環境或惰性氣體環境置換為真空環境或惰性氣體環境、供給有惰性氣體之減壓環境。當環境之置換結束，將位於負載鎖定室250與傳送模組310之間之閘閥311開放，藉由真空臂機器人單元320將晶圓600自負載鎖定室250搬送至傳送模組310內。若搬送完成，則將閘閥311關閉。然後，通過設於傳送模組310與電漿處理單元410之間之閘閥313，載置於昇降銷413上之晶圓支持銷414。當晶圓搬送機構朝處理室445之外部退避時，關閉閘閥313。於此晶圓600之搬送時，以利用惰性氣體對搬送路徑進行吹淨且於減壓狀態下進行為較佳。藉由設為惰性氣體環境且減壓狀態，可抑制形成於晶圓600之半導體元件及銲料之氧化(氧吸附)。
接著，使昇降銷413下降，於基座平台411上將晶圓 600設定為使晶圓600(昇降銷413前端)與基座平台411之距離成為既定之第1距離。第1距離係設為比後述之第2距離長之距離L1。例如10~20mm。在此，昇降銷413之昇降係藉由昇降驅動部490昇降而進行。基座459具有之加熱器463係預先被加熱，將晶圓600加熱至室溫~100℃左右之範圍內的既定之晶圓溫度。本實施形態中，於後述之氧化層除去步驟中，將晶圓溫度保持在未滿100℃左右，於此後之迴銲步驟中，使晶圓溫度上昇至基板上之銲料熔融之溫度為止。此外，也可將晶圓600載置於基座平台411上。也可於載置時，不使晶圓600之背面整體接觸於基座平台411，而是點接觸，於晶圓600與基座平台411之間設置間隙。
(處理氣體供給步驟S20)
接著，自氣體供給管445供給既定之處理氣體。處理氣體係使用於電漿狀態下具有還原性之氣體。例如，可使用氫(H2)氣、氨(NH3)氣、一氧化碳(CO)氣體等之至少任一種。此外，也可於不妨礙後述之氧化層除去步驟之範圍內混合惰性氣體或稀有氣體。本實施例中，顯示使用氫氣之例子。此外，藉由APC閥479對排氣量進行調整，將處理室445內之壓力維持於1~1330Pa左右之範圍內之既定的壓力。例如，維持於100Pa。氣體流量係設定於0.1~10SLM左右之範圍內之既定的流量。例如設定為5SLM。此外，也可根據需要，於暫時將處理容器431與處理室445之環境氣體排氣之後，再供給既定之氣體。
(激發步驟(氧化層除去步驟)S30)
待氣體流量、壓力成為所期望之設定值之後，自高頻電源444對共振線圈432施加高頻電力，使處理氣體激發並產生電漿。施加之電力係設定為0.5~5Kw左右之範圍內的既定電力。例如設為1kW。藉由所產生之電漿，依既定時間對晶圓600實施既定處理。本實施例中，產生氫電漿作為還原電漿，而實施形成於晶圓600之氧化層之除去處理。
(加熱步驟(迴銲步驟)S40)
於對晶圓600實施氧化層除去步驟達歸定時間而結束之後，停止朝共振線圈432施加高頻電力。並停止處理氣體之供給，開始供給迴銲用氣體。基板加熱用氣體係以例如氫(H2)氣或氦(He)氣等之非腐蝕性且熱傳導良好之氣體為較佳。又，也可使用惰性氣體而簡便化。於供給迴銲氣體時，也可進行一次真空排氣。接著，使昇降銷413下降而 使晶圓600(昇降銷413前端)與基座平台411之距離成為比第1距離短之第2距離L2，將晶圓600加熱至既定溫度。第2距離係設定為0.5~5mm內之既定距離。例如設為2.5mm。晶圓600之溫度係加熱至銲料之熔融溫度以上且未滿基板之耐熱上限溫度。例如，加熱至200~250℃左右。藉由將晶圓600加熱至既定溫度，使形成於晶圓600上之銲料製凸塊熔融，從而實施將其表面平坦化之迴銲步驟S40。其中特別是於使用之基板為貼合有複數片基板之基板之情況下，考慮到黏著劑之耐熱溫度及基板強度，於不引起基板之剝離及碎裂之範圍內來確定耐熱上限溫度是重要的。
(加熱調整步驟S50)
於迴銲步驟S40中，需要確實地使形成於晶圓600上之黏著劑及銲料熔融，同時為了保護基板而需要抑制過多之加熱。為了調整自加熱器463朝晶圓600之熱的移動量，對存在於晶圓600周圍之氣體而形成之傳導熱進行調整為有效。這是因為進行迴銲步驟之溫度係較低之溫度，因而來自加熱器463之幅射熱量少。更，也是因為自平面狀之加熱器朝晶圓放射之幅射熱之量較難依存於加熱器與晶圓之距離之緣故。
為了調整傳導熱，進行加熱器463與晶圓600之距離調整、處理室445內之壓力調整、氣體種類及氣體濃度之調整為有效。
此外，於迴銲步驟S40中，為了確實地使形成於晶圓600上之黏著材或銲料熔融，以設置持溫時間(soak time)為較佳。持溫時間係維持既定之溫度之時間。此既定溫度係被調整為銲料之融點以上且基板之耐熱溫度以下。上述之傳導熱之調整方法，對此時之調整 為有效。
(冷卻步驟S60)
於迴銲步驟結束後，將晶圓600(昇降銷413前端)與基座平台411之距離調整為第1距離。並且停止氣體之供給，將處理室445內形成為真空環境，進行晶圓600之降溫。此時，也可，以惰性氣體進行置換作為搬出基板之準備。
此外，於冷卻步驟S60中，也可停止氣體之供給，於將 處理室445內真空排氣之後，供給惰性氣體或後述之熱傳導良好之氣體。此外，也可為交互地進行真空排氣與氣體之供給之構成。
藉由進行真空排氣及氣體供給，可除去存在於處理室445內之被加熱之氣體，可縮短基板之冷卻時間。此外，可除去由處理室445內之構件所加熱之氣體，可縮短冷卻時間。
(基板搬出步驟S70)
於結束晶圓600之降溫之後，以上述基板之搬入步驟S10之相反之過程進行搬出。
(3)以下，於氧化層除去步驟(S30)˙迴銲步驟(S40)˙加熱調整步驟S50中，使用圖7、圖8、圖9對氧化層除去步驟S30及迴銲步驟S40之詳細時序進行說明。
如圖7所示，於將晶圓600搬入處理室445時，加熱器 463之溫度係設定為Th。晶圓600(基板)(昇降銷413前端)與基座平台411(基座)之距離係設定為第1距離L1。氣體A(惰性氣體)係以F1之流 量供給於處理室445，處理室445內之壓力係設定為Pt。晶圓600被支持於晶圓支持銷414，若關閉閘閥，則停止氣體A之供給，進行真空排氣。然後，開始氧化層除去步驟S30。
於氧化層除去步驟S30中，將還原性氣體作為氣體B 供給於處理室445內。還原性氣體係例如氫(H2)氣。供給氣體B，將處理室445內之壓力調整為P1。基板與基座之距離維持第1距離L1。待處理室445內之壓力穩定之後，自高頻電源444朝共振線圈432供給高頻，對處理室445內之氣體B進行激發，產生電漿。藉由此被激發之氣體B(還原性電漿)將形成於晶圓600上之銲料及根據情況形成於與銲料相鄰之金屬膜(導電性膜)等之氧化膜還原並除去。於產生電漿達既定時間之後，停止高頻電力之供給，停止氣體B之供給，結束氧化層除去步驟S30。於氧化層除去步驟S30結束之後，開始迴銲步驟S40。
形成於晶圓600上之銲料係有必要確實地熔融。此外， 為了保護基板，需要避免過多之加熱及急遽之加熱。銲料之融點係根據所形成之銲料之種類而異，大致上未滿250℃。因此，應使進行迴銲時之基板到達溫度也在250℃以下，而不希望有此溫度以上之加熱。於使用通常之熱容量之較大之加熱器構造進行此種加熱之情況下，以加熱器之設定溫度，係一定地保持在銲料之融點溫度+α，對自加熱器朝基板之熱的移動量進行調整，以使基板溫度於既定之溫度達到飽和為較佳。另一方面，以+α之溫度係將自加熱器朝基板之熱的移動量考慮在內而進行設定為較佳。例如，成為0~100℃左右之範圍內。於加熱器溫度為此種溫度帶時，由於來自加熱器之熱的幅射量少，因而對經由存在於加熱器與基板之周圍之氣體之傳導熱量之調整為有效。
具體而言，以流量F3供給氣體C，將處理室445內之 壓力調整成為P2。並且，使昇降銷413下降，而使基板(昇降銷413前端)與基座之距離成為第2距離L2。第2距離L2係以例如於0.5~5mm左右範圍內進行調整，而使氣體介於基板與基座之間為較佳。尤其以成為能於基板與基座之間產生氣流之距離為較佳。如此，藉由提高壓力，將基板(昇降銷413前端)與基座之距離設定為第2距離，可使基板之溫度上昇。此外，此時若氣體C為熱傳導率良好之氣體，可提高基板溫度之均勻性。例如，可列舉熱傳導率高之氫(H2)氣、氦(He)氣、氖(Ne)氣等。
又，於此，雖將第2距離L2設定為基板與基座不接觸之距離，惟於因基板與基座接觸而產生之異物、基板之損傷量是在可允許之範圍內之情況、或不會引起因急遽之加熱而造成基板損傷之情況等下，也可使基板與基座接觸進行加熱。
此外，較佳為以於上述氧化層除去步驟S30中為第1熱 傳導率，於迴銲步驟S40中成為第2熱傳導率之方式進行調整。其中，第1熱傳導率係調整為比第2熱傳導率還小。
熱傳導率之調節係藉由於各步驟中供給如上述之熱傳 導率不同之氣體而進行。例如，於氧化層之除去步驟中供給氫及氬，於迴銲步驟中供給氫及氦。或者，藉由於雙方之步驟中供給氫及氬，且於氧化層除去步驟中提高氬氣比率，於迴銲步驟中提高氫氣比率，可將第2熱傳導率設定為高於第1熱傳導率。
此外，藉由使迴銲步驟中之壓力高於氧化層除去步驟之 壓力，可將第2熱傳導率設定為比第1熱傳導率高。
此外，於此顯示了於迴銲步驟中自氣體B轉換為氣體C 之例子，但不限於此，如圖8所示，也可於迴銲步驟中一樣地供給與 氧化層除去步驟同樣之氣體B(還原性氣體)。藉由持續地供給還原性氣體，可防止朝基板之氧吸附。
再者，為了調整基板溫度之昇降溫輪廓，也可對基板溫 度處於過渡狀態時之壓力與氣體流量、及第2距離L2進行調整。例如，如圖9所示，既可調整昇降溫時之壓力之變化量△Pr、△Pf之緩急，也可藉由暫時保持為不同之壓力P12後再保持為最終之壓力P2來進行調整。
如上述，藉由控制經由氣體而朝基板之熱傳導量，可將 基板之昇溫特性、飽和溫度、降溫特性控制為任意之特性。
(4)本實施形態之功效。
根據本實施形態，可獲得以下所示之1個或複數個功效。
(a)根據本實施形態，可除去銲料之自然氧化膜。
(b)此外，可除去形成於銲料表面之微細之凹凸，將銲料表面平滑化。
(c)又，藉由於氧化層除去步驟及迴銲步驟對基板(昇降銷之前端)與基座之距離進行調整，可確實使銲料熔融，並可防止基板之損傷。
(d)此外，可抑制朝基板之熱應力。
(e)此外，藉由進行還原性電漿處理，可於基板溫度低之狀態下進 行還原處理。
(f)此外，即使對晶片狀態之基板進行處理，也可均勻地處理複數之晶粒。
(g)此外，即使對晶片狀態之基板進行處理，仍不會有載置於支持基板之複數之晶粒發生偏移，而可進行處理。
(h)此外，藉由自氧化層除去步驟至迴銲步驟之結束時為止，持續供給還原性氣體，可防止朝基板之氧吸附。
(i)此外，於迴銲步驟中，藉由以使基板暫時保持為不同之壓力，然後保持為最終之壓力之方式進行調整，可使基板之昇溫速度高速化。
(j)此外，於冷卻步驟中，藉由將基板(昇降銷之前端)與基座之距離設定為大於第2距離，可促進基板之冷卻。
(k)此外，於冷卻步驟中，藉由停止供給在迴銲步驟中供給之氣體並進行真空排氣，可促進基板之冷卻。
(L)此外，於冷卻步驟中，藉由控制經由氣體而朝基板之熱傳導量，可防止基板之急遽之冷卻。
(m)藉由將負載鎖定室與傳送模組內設定為惰性氣體環境，可抑制 朝基板之氧吸附。
<本發明之其他實施形態>
以上，對本發明之實施形態進行了具體說明，惟本發明不限於上述實施形態，只要未超出本發明之實質範圍，即可進行各種之變更。
本發明之特徵在於，於銲料迴銲處理之加熱步驟中，藉 由調整反應室內之環境，對經由氣體而朝基板之熱傳導量進行控制，藉以將上述基板之昇溫特性及降溫特性控制為所需之特性，惟本發明並非藉由電漿產生方法、基板之同時處理片數、保持基板之方向、基板處理溫度、基板處理室及加熱器之形狀等而限制實施範圍者。
例如，於本實施形態中，記載有使用共振線圈之電漿產 生方法，惟也可為使用微波之電漿產生方法，也可為藉由平行平板電極來產生電漿。
又，本發明除可應用於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、PVD(Physical Vapor Deposition)法等進行形成氧化膜、氮化膜、金屬膜等之各種膜之成膜處理之情況外，還可應用於進行電漿處理、擴散處理、退火處理、氧化處理、氮化處理、微影處理等之其他基板處理之情況。此外，本發明除可用於薄膜形成裝置外，還可應用於蝕刻裝置、退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、塗佈裝置、成形裝置、顯像裝置、切割裝置、打線裝置、乾燥裝置、加熱裝置、檢查裝置等之其他基板處理裝置。
此外，本發明不限於如本實施形態之基板處理裝置之對 半導體晶圓進行處理之半導體製造裝置等，也可應用於對玻璃基板進 行處理之LCD(Liquid Crystal Display)製造裝置及太陽電池製造裝置等之基板處理裝置。
<本發明之較佳態樣>
以下，附上對本發明之較佳態樣之附記。
<附記1>
根據本發明之一個態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含：將具有銲料之基板載置於設置在處理室內之晶圓支持銷之步驟；還原步驟，其包括，朝上述處理室內供給還原性氣體之還原氣體供給步驟、將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第1距離且將上述基板加熱為第1溫度之步驟、及對上述還原性氣體進行激發之激發步驟；及迴銲步驟，其包括，朝上述處理室內供給熱傳導性氣體之熱傳導性氣體供給步驟、及將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第2距離且將上述基板加熱為第2溫度之步驟。
<附記2>
如附記1記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述第1距離大於上述第2距離。
<附記3>
如附記1或2記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述第1溫度係調整為低於上述第2溫度。
<附記4>
如附記1至3中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述第1溫度係上述銲料不熔融之溫度上述第2溫度係上述銲料熔融之溫度。
<附記5>
如附記4記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述第2溫度係上述銲料之熔融溫度以上且不會損傷上述基板之溫度以下。
<附記6>
根據其他之態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含：將不同之2個以上之基板及具有黏著劑或銲料之基板載置於設置在處理室內之基板支持部之步驟；朝上述處理室內供給處理氣體之步驟；對上述基板支持部之位置進行調整，藉由加熱部將上述基板加熱之步驟；調整上述處理室內之壓力之步驟；對上述處理氣體進行激發之步驟；及 對上述處理室內之壓力進行調整，以控制藉由上述處理氣體朝上述基板之熱傳導量之步驟。
<附記7>
如附記6記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述加熱步驟中，具有根據上述基板之溫度，對上述處理氣體之濃渡、流量進行調整之步驟。
<附記8>
如附記6或7記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述不同之2個以上之基板，係經研磨切削處理之矽基板及支持玻璃基板。
<附記9>
如附記6至8中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述不同之2個以上之基板之至少一個，係晶片狀態。
<附記10>
如附記6至9中任一項之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，惰性氣體環境之負載鎖定鄰接於上述處理室，於上述基板之處理前後，經由該負載鎖定室使該基板進出入上述處理室。
<附記11>
如附記6至10中任一項之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，於上述激發步驟中，藉由被激發之上述處理氣體，一面對上述銲料進行加熱，一面藉由上述處理氣體對上述基板進行冷卻。
<附記12>
根據又一其他之態樣，提供一種基板處理裝置，其包含：晶圓支持銷，其設置於處理室內，用以支持具有銲料之基板；氣體供給部，其朝上述處理室內供給還原性氣體或熱傳導氣體；激發部，其對上述還原性氣體進行激發；基座平台，其設置有對上述基板進行加熱之加熱部；及控制部，其控制上述晶圓支持銷、上述氣體供給部及上述激發部而使其等進行以下之步驟，即、將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第1距離且一面將上述基板加熱為第1溫度一面對上述還原氣體進行激發之步驟、及將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第2距離且一面將上述基板加熱為第2溫度一面供給上述熱傳導氣體之步驟。
<附記13>
如附記12之基板處理裝置，其中較佳為，上述第1溫度係低於上述第2溫度。
<附記14>
如附記12或13之基板處理裝置，其中較佳為，上述第1溫度係上述銲料不熔融之溫度
上述第2溫度係上述銲料熔融之溫度。
<附記15>
如附記14記載之基板處理裝置，其中較佳為，上述第2溫度係上述銲料之熔融溫度以上且不會損傷上述基板之溫度以下。
<附記16>
根據其他之態樣，提供一種基板處理裝置，其包含：處理室，其對不同之2個以上之基板及具有黏著劑或銲料之基板進行處理；基板支持部，其設置於上述處理室內，對上述基板進行支持；氣體供給部，其朝上述處理室內供給處理氣體；加熱部，其將上述基板加熱；壓力調整部，其調整上述處理室內之壓力；激發部，其對上述處理氣體進行激發；及控制部，其對上述處理室內之壓力進行調整，以控制藉由上述處理氣體朝上述基板之熱傳導量。
<附記17>
如附記16記載之基板處理裝置，其中較佳為，上述控制部係於對上述基板進行加熱時，根據上述基板之溫度，調整上述處理氣體之濃度、流量。
<附記18>
如附記16或17記載之基板處理裝置，其中較佳為，上述不同之2個以上之基板，係經研磨切削處理之矽基板及支持玻璃基板。
<附記19>
如附記16至18中任一項之基板處理裝置，其中較佳為，上述不同之2個以上之基板之至少一個，係晶片狀態。
<附記20>
如附記16至19中任一項之基板處理裝置，其中較佳為，惰性氣體環境之負載鎖定鄰接於上述處理室，且經由該負載鎖定室使上述基板搬出入於上述處理室。
<附記21>
如附記16至20中任一項之基板處理裝置，其中較佳為，上述控制部係控制上述氣體供給部、上述激發部及上述壓力調整部，而於對上述處理氣體進行激發時，一面藉由上述被激發之處理氣體將上述黏著劑或銲料加熱一面藉由上述處理氣體對上述基板進行冷卻。
<附記22>
如附記16至21中任一項之基板處理裝置，其中較佳為，於上述壓力調整部之前段具有第1排氣室及第2排氣室。
<附記23>
根據又一其他之態樣，提供一種程式，該程式使電腦執行以下之過程，該過程包含：將具有銲料之基板載置於設置在處理室內之晶圓支持銷之過程；還原過程，其包括，朝上述處理室內供給還原性氣體之還原氣體供給過程、將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第1距離且將上述基板加熱為第1溫度之過程、及對上述還原性氣體進行激發之激發過程；及迴銲過程，其包括，朝上述處理室內供給熱傳導性氣體之熱傳導性氣體供給過程、及將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第2距離且將上述基板加熱為第2溫度之過程。
<附記24>
根據又一其他之態樣，提供一種程式，該程式使電腦執行以下之過程，該過程包含：將不同之2個以上之基板及具有黏著劑或銲料之基板載置於設置在處理室內之基板支持部之過程；朝上述處理室內供給處理氣體之過程；對上述基板支持部之位置進行調整，藉由加熱部將上述基板加熱之過程；調整上述處理室內之壓力之過程； 對上述處理氣體進行激發之過程；及對上述處理室內之壓力進行調整，以控制藉由上述處理氣體朝上述基板之熱傳導量之過程。
<附記25>
根據又一其他之態樣，提供一種記錄媒體，該記錄媒體儲存有使電腦執行以下之過程之程式，該過程包含：將具有銲料之基板載置於設置在處理室內之晶圓支持銷之過程；還原過程，其包括，朝上述處理室內供給還原性氣體之還原氣體供給過程、將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第1距離且將上述基板加熱為第1溫度之過程、及對上述還原性氣體進行激發之激發過程；及迴銲過程，其包括，朝上述處理室內供給熱傳導性氣體之熱傳導性氣體供給過程、及將上述晶圓支持銷前端與基座平台之距離調整為第2距離且將上述基板加熱為第2溫度之過程。
<附記26>
根據其他之態樣，提供一種記錄媒體，該記錄媒體儲存有使電腦執行以下之過程之程式，該過程包含：將不同之2個以上之基板及具有黏著劑或銲料之基板載置於設置在處理室內之基板支持部之過程； 朝上述處理室內供給處理氣體之過程；對上述基板支持部之位置進行調整，藉由加熱部將上述基板加熱之過程；調整上述處理室內之壓力之過程；對上述處理氣體進行激發之過程；及對上述處理室內之壓力進行調整，以控制藉由上述處理氣體朝上述基板之熱傳導量之過程。
<附記27>
根據又一其他之態樣，提供一種半導體裝置之製造方法，其包含：將表面具有於其表面形成有含氧膜之銲料之基板，載置於設置在處理室內之基板支持部之步驟；朝上述處理室內供給還原性氣體，將上述處理室內之熱傳導率作為第1熱傳導率而除去上述含氧膜之氧化層除去步驟；及朝上述處理室內供給熱傳導性氣體，將上述處理室內之熱傳導率作為第2熱傳導率而使上述銲料熔融之迴銲步驟。
<附記28>
如附記27記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，上述第2熱傳導率係調整為高於上述第1熱傳導率。
<附記29>
如附記1至11中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為， 具有於上述迴銲步驟，對上述熱傳導性氣體之流量進行調整而以既定之溫度進行保持之步驟。
<附記30>
如附記1至11中任一項記載之半導體裝置之製造方法，其中較佳為，具有於上述迴銲步驟後，將在上述迴銲步驟中供給於上述處理室之氣體除去而進行冷卻之步驟。
410‧‧‧處理裝置
411‧‧‧基座平台
413‧‧‧昇降銷
414‧‧‧晶圓支持銷
430‧‧‧電將產生室
431‧‧‧處理容器
432‧‧‧共振線圈
433‧‧‧氣體導入口
444‧‧‧高頻電源
445‧‧‧處理室
446‧‧‧頻率整合器
448‧‧‧基座板
452‧‧‧外側屏蔽
454、454a、454b‧‧‧頂板
455‧‧‧氣體供給管
458‧‧‧擋環
459‧‧‧基座
460‧‧‧擋板
461‧‧‧支柱
462‧‧‧可動分接頭
463‧‧‧基板加熱部
464‧‧‧固定接地部位
465‧‧‧排氣板
466‧‧‧可動分接頭
467‧‧‧導引軸
468‧‧‧反射波電力計
469‧‧‧底基板
471‧‧‧昇降基板
472‧‧‧顯示裝置(顯示器)
473‧‧‧昇降銷昇降部
474‧‧‧第1排氣室
475‧‧‧排氣連通孔
476‧‧‧第2排氣室
477、483‧‧‧質量流量控制器
478‧‧‧開閉閥
479‧‧‧APC閥
480‧‧‧排氣管
481‧‧‧排氣泵
482‧‧‧氣體配管
490‧‧‧昇降驅動部
500‧‧‧控制器
600‧‧‧晶圓

Claims (10)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其包含有：將於表面具有銲料之基板，載置於在處理室內所設置之基板支持銷前端之步驟，而該銲料係於表面形成有含氧膜；將供給有還原性氣體之上述處理室內之氣體之熱傳導率調整為第1熱傳導率，將載置於上述基板支持銷前端之上述基板與基座平台之距離調整為第1距離，並將上述含氧膜除去之除去步驟；及將上述處理室內之氣體之熱傳導率調整為第2熱傳導率，將載置於上述基板支持銷前端之上述基板與上述基座平台之上述距離調整為第2距離，並使上述銲料熔融之熔融步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，上述第2熱傳導率係調整為高於上述第1熱傳導率。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述熔融步驟中，具有以保持在既定之溫度的方式將供給於上述處理室內之熱傳導性氣體之流量加以調整之步驟。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述熔融步驟之後，具有將在上述熔融步驟中供給至上述處理室之氣體除去並冷卻之步驟。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，上述第1距離係調整為大於上述第2距離。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置之製造方法，其中，在上述除去步驟中，具有以上述銲料不熔融之溫度進行電漿處理之步驟；在上述熔融步驟中，具有在上述銲料溫度不熔融之溫度以上且上述基板不損傷之溫度以下進行處理之步驟。
  7. 一種基板處理裝置，其包含有：基板支持銷，其於前端載置有於表面具有銲料之基板，而該銲料係於表面形成有含氧膜；處理室，其設置有上述基板支持銷；還原氣體供給部，其對上述處理室內供給還原性氣體；及控制部，其控制下述距離俾進行以下之步驟：將供給有上述還原性氣體之上述處理室內之氣體調整為第1熱傳導率，將載置於上述基板支持銷前端之上述基板與基座平台之距離調整為第1距離，並將上述含氧膜除去之步驟；及將上述處理室內之氣體調整為第2熱傳導率，將載置於上述基板支持銷前端之上述基板與上述基座平台之上述距離調整為第2距離，並使上述銲料熔融之熔融步驟。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，於上述處理室設置有激發部，上述控制部係在除去上述含氧膜之步驟中，以激發被供給於上述處理室內之還原性氣體之方式，控制上述激發部。
  9. 一種記錄媒體，其記錄有使電腦執行以下過程之程式，而該等過程係包含有：將於表面具有銲料之基板，載置於在處理室內所設置之基板支持銷前端之過程，而該銲料係於表面形成有含氧膜；將供給有還原性氣體之上述處理室內之氣體之熱傳導率調整為第1熱傳導率，將載置於基板支持銷前端之上述基板與基座平台之距離調整為第1距離，並將上述含氧膜除去之除去過程；及將上述處理室內之氣體之熱傳導率調整為第2熱傳導率，將載置於上述基板支持銷前端之上述基板與上述基座平台之上述距離調整為 第2距離，而使上述銲料熔融之熔融過程。
  10. 如申請專利範圍第9項之記錄媒體，其中，在上述除去過程中，具有以上述銲料不熔融之溫度進行電漿處理之過程；在上述熔融過程中，具有在上述銲料溫度不熔融之溫度以上且上述基板不損傷之溫度以下進行處理之過程。
TW103102437A 2013-01-24 2014-01-23 A manufacturing method of a semiconductor device, a substrate processing device, and a recording medium TWI524444B (zh)

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JP2013011376 2013-01-24

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