TWI521567B - 磊晶矽晶圓的製造方法、磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法 - Google Patents

磊晶矽晶圓的製造方法、磊晶矽晶圓及固體攝影元件的製造方法 Download PDF

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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140009565A (ko) * 2011-05-13 2014-01-22 가부시키가이샤 사무코 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법
JP5776669B2 (ja) * 2012-11-13 2015-09-09 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
DE102014208815B4 (de) * 2014-05-09 2018-06-21 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silizium
JP6566683B2 (ja) * 2014-07-02 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄装置
US10026843B2 (en) 2015-11-30 2018-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Fin structure of semiconductor device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of active region of semiconductor device
JP6504082B2 (ja) 2016-02-29 2019-04-24 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハおよびその製造方法ならびに固体撮像素子の製造方法
JP6299835B1 (ja) * 2016-10-07 2018-03-28 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハおよびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法
JP2020501997A (ja) 2016-12-19 2020-01-23 ユーピーエル リミテッドUpl Limited 水分バリア包装体
JP6724824B2 (ja) * 2017-03-08 2020-07-15 株式会社Sumco 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法、品質予測方法および品質評価方法
CN110164959A (zh) * 2019-05-15 2019-08-23 中国电子科技集团公司第十三研究所 一种衬底及外延片
JP7207204B2 (ja) * 2019-07-02 2023-01-18 信越半導体株式会社 炭素ドープシリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP7259706B2 (ja) * 2019-11-06 2023-04-18 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハのパッシベーション効果評価方法
CN111273158B (zh) * 2020-02-26 2022-04-15 上海韦尔半导体股份有限公司 一种排查弹坑的测试方法、装置及智能打线设备
US11551904B2 (en) * 2020-09-09 2023-01-10 Applied Materials, Inc. System and technique for profile modulation using high tilt angles
CN117316798B (zh) * 2023-09-28 2025-03-21 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 确定产生外延缺陷的部件的方法、装置及介质

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3311004B2 (ja) * 1991-03-28 2002-08-05 株式会社東芝 固体撮像装置
JP3384506B2 (ja) 1993-03-30 2003-03-10 ソニー株式会社 半導体基板の製造方法
JP3460551B2 (ja) 1997-11-11 2003-10-27 信越半導体株式会社 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
JP3816484B2 (ja) * 2003-12-15 2006-08-30 日本航空電子工業株式会社 ドライエッチング方法
WO2005079318A2 (en) * 2004-02-14 2005-09-01 Epion Corporation Methods of forming doped and un-doped strained semiconductor and semiconductor films by gas-cluster ion irradiation
WO2007070321A2 (en) * 2005-12-09 2007-06-21 Semequip Inc. System and method for the manufacture of semiconductor devices by the implantation of carbon clusters
WO2007146395A2 (en) * 2006-06-13 2007-12-21 Semequip, Inc. Ion beam apparatus and method employing magnetic scanning
JP2008294245A (ja) 2007-05-25 2008-12-04 Shin Etsu Handotai Co Ltd エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
JP5374883B2 (ja) * 2008-02-08 2013-12-25 富士電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2010040864A (ja) * 2008-08-06 2010-02-18 Sumco Corp エピタキシャルシリコンウェーハ及びその製造方法
JP2010114409A (ja) * 2008-10-10 2010-05-20 Sony Corp Soi基板とその製造方法、固体撮像装置とその製造方法、および撮像装置
JP5099023B2 (ja) 2009-01-27 2012-12-12 信越半導体株式会社 エピタキシャルウエーハの製造方法及び固体撮像素子の製造方法
JP5515406B2 (ja) * 2009-05-15 2014-06-11 株式会社Sumco シリコンウェーハおよびその製造方法
JP2011054879A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Sumco Corp 裏面照射型イメージセンサ用エピタキシャル基板およびその製造方法。
JP2011151318A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2012059849A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Shin Etsu Handotai Co Ltd シリコンエピタキシャルウェーハおよびシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法
JP5776670B2 (ja) 2012-11-13 2015-09-09 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
JP5776669B2 (ja) * 2012-11-13 2015-09-09 株式会社Sumco エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法

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