TWI520929B - 改良的烷基化方法 - Google Patents

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Description

改良的烷基化方法 相關申請案之相互參考
本案請求2011年4月15日申請的PCT/US2011/32661及2010年5月20日申請的美國臨時專利申請案序號61/346,763(2010EM130)之優先權和權益，在此以引用的方式將其全文併入本文。
本發明關於一種從至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流及烷基化劑製造經烷基化的芳族化合物之改良方法，其中該至少部分可烷基化芳族化合物流含有觸媒毒物，該觸媒毒物係藉由與處理組成物接觸而至少部分被除去。特別是，本發明關於自含觸媒毒物的苯流製造乙基苯、異丙基苯和第二丁基苯之方法，該觸媒毒物係藉由與處理組成物接觸而至少部分被除去，該處理組成物較佳為多孔性結晶材料。
由本改良方法而有利製造之烷基芳族化合物當中，乙基苯和異丙基苯，例如，為工業上分別用於製造苯乙烯單體及同時製造酚和丙酮之有價值的化學藥品。事實上，用於製造酚的常見途徑包含涉及利用丙烯將苯烷基化以製造異丙基苯，緊接著將該異丙基苯氧化成對應的氫過氧化物，及接著使該氫過氧化物分裂以製造等莫耳量的酚和丙酮之方法。乙基苯可藉由許多不同化學方法製造。已經達到顯著商業成效之一方法為在固態酸性ZSM-5沸石觸媒存在下利用苯與乙烯的蒸氣相烷基化反應。美國專利第3,751,504號(Keown)、第4,547,605號(Kresge)和第4,016,218號(Haag)中曾述及此乙基苯製造方法的實例。美國專利第5,003,119號(Sardina)描述使用沸石X、Y、L、β、ZSM-5、Ω和絲光沸石及菱沸石於乙基苯合成中。美國專利第5,959,168號(van der Aalst)描述使用沸石Y、β、MCM-22、MCM-36、MCM-49和MCM-56於經設計供氯化鋁為底質的觸媒用之設備中的乙基苯合成。
已經達到顯著商業成效之另一個方法為由苯和乙烯製造乙基苯之液相烷基化反應，因為其於比其蒸氣相的對應方法為低的溫度操作，因而傾向於造成較低副產物產量。例如，美國專利第4,891,458號(Innes)描述利用沸石β的乙基苯之液相合成，而美國專利第5,334,795號(Chu)描述使用MCM-22於乙基苯之液相合成中；及美國專利第7,649,122號(Clark)描述使用MCM-22在維持水含量存在下於乙基苯之液相合成中。美國專利第4,549,426號(Inwood)描述利用經水蒸氣安定化的沸石Y之烷基苯的液相合成。美國專利申請案第2009/0234169 A1號(Pelati)描述在含有藉由包藏稀土金屬離子而改質的第一觸媒之至少一個觸媒床上的液相芳族烷基化反應。
異丙基苯在商業上已經藉由在Friedel-Craft觸媒上，特別是固態磷酸或氯化鋁，利用苯與丙烯的液相烷基化反應而製造。頃發現以沸石為底質的觸媒系統對於苯變成異丙基苯之丙基化反應更具活性及選擇性。例如，美國專利第4,992,606號(Kushnerick)描述利用MCM-22於苯與丙烯的液相烷基化反應中。
其他文獻揭示使用含結晶沸石的觸媒在至少部分液相轉化條件下，將含可烷基化芳族化合物和烷基化劑的原料轉化成烷基芳族轉化產物。這些文獻包括U.S. 2005/0197517A1(Cheng)；U.S. 2002/0137977A1(Hendrickson)；和U.S. 2004/0138051A1(Shan)，其顯示使用之含埋在中孔性支撐物中之微孔性沸石的觸媒；WO 2006/002805(Spano)；及美國專利第6,376,730號(Jan)，其顯示使用層狀觸媒；EP 0847802B1；及美國專利第5,600,050號(Huang)，其顯示使用含30至70重量% H-β沸石、0.5至10重量%鹵素和剩餘的氧化鋁黏合劑之觸媒。
其他文獻包括美國專利第5,600,048號(Cheng)，其描述在酸性固態氧化物如MCM-22、MCM-49和MCM-56、β、X、Y或絲光沸石上藉由液相烷基化而製備乙基苯；美國專利第7,411,101號(Chen)，其描述在酸性固態氧化物如PSH-3、ITQ-2、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56和β上於包括高達482℃的溫度和高達13,788 kPa的壓力之轉化條件製備乙基苯或異丙基苯；及美國專利第7,645,913(Clark)，其描述於多段反應系統中在第一反應區中的酸性固態氧化物觸媒上於轉化條件下藉由液相烷基化而製備烷基芳族化合物，其中該第一反應區中的酸性固態氧化物觸媒比第二反應區中的觸媒具有更多之每單位體積觸媒的酸部位，其中該轉化條件包括關於乙基苯高達270℃的溫度和高達8,300 kPa的壓力，及關於異丙基苯為高達250℃的溫度和高達5,000 kPa的壓力。美國專利申請案第2008/0287720 A1號(Clark)描述在具有被保持於1至900 wppm的水分之反應區中的MCM-22家族材料觸媒上之苯的烷基化。美國專利申請案第2009/0137855 A1號(Clark)描述由也包括烷雜質的稀釋烯原料製造烷基芳族化合物之混合相方法。在後者的申請案中，原料中的液體對蒸氣體積比為0.1至10。
使用沸石的方法，例如，用於製造烷基芳族化合物如乙基苯和異丙基苯之烷基化方法，的常見問題為由於存在於該程序的原料中之多種不同觸媒毒物造成的去活化而降低之觸媒使用壽命。含毒物吸附劑如黏土、樹脂和分子篩等的第一步驟保護床或獨立區可用以限制於原料中之這類毒物。此原料包括，但不限於，可烷基化芳族原料，如苯原料。顯示此種方法的文獻實例包括美國專利第6,894,201 B1號(Schmidt)，其使用黏土、分子篩或樹脂吸附劑；美國專利第5,744,686號(Gajda)，其使用的矽石/氧化鋁比例超過100和平均細孔尺寸低於5.5埃之非酸性子篩，如沸石4A和ZSM-5；及美國專利申請案第2005/0143612 A1號(Hwang)，其於酸性黏土、沸石、活性氧化鋁、活性碳、矽膠和離子交換樹脂上進行蒸餾、萃取或吸附。原料預處理亦揭示於美國專利第7,199,275 B2號(Smith)，其涉及與具有低於5的Si/Al莫耳比的第一分子篩(例如，13X)接觸，緊接著與具有高於5的Si/Al莫耳比的第二分子篩(例如，4A)接觸；及美國專利申請案第2009/0259084 A1號(Smith)，其涉及與含沸石X的第一分子篩接觸，緊接著與含沸石Y的第二分子篩接觸。
在WO98/07673(Samson)中，一種製備經烷基化的苯或經烷基化的苯之混合物的方法，其涉及於預處理區中於高於約130℃但是低於約300℃的溫度使苯原料與固態酸(如酸性黏土或酸沸石)接觸以形成經預處理之苯原料，及其後使該經預處理之苯原料與(a)於烷基化區中的烷基化劑或(b)於轉烷化區中的轉烷化劑，在烷基化/轉烷化觸媒存在下接觸以製備經烷基化的苯或經烷基化的苯之混合物。據稱該預處理步驟係為了改善該烷基化/轉烷化觸媒壽命。較佳產物為乙基苯和異丙基苯。
美國專利第6,888,037 B2號(Dandekar)揭示含具有於預定範圍內的表面積對體積比之觸媒的單烷基化反應區，其中於液相中在具有80至200 in-1(31至79 cm-1)，較佳100至150 in-1(39至59 cm-1)的表面積/體積比之觸媒上製造異丙基苯。美國專利第7,816,574 B2號(Clark)的烷基化方法揭示單反應區，其中該單反應區中的觸媒為表面積/體積高於79 in-1(31 cm-1)且具有尺寸125至790微米之微粒材料。美國專利第5,118,896號(Steigelmann)揭示使用含有觸媒之單烷基化反應區(即，催化性蒸餾反應器)之芳族烷基化方法，其中該觸媒具有0.25至0.50 cc/g的細孔體積及具有高於450埃的半徑之細孔及不大於1/32吋(0.08 cm)的觸媒粒子直徑。美國專利第4,185,040號(Ward)揭示使用帶沸石Y觸媒的單烷基化反應區之芳族烷基化方法，該沸石Y觸媒具有85至160 in-1 (34至63 cm-1)的外表面積/體積比。
美國專利申請案第2009/0306446 A1號(Clark)揭示於具有兩種不同觸媒的單反應區中製造經單烷基化之芳族的方法，第一觸媒具有高於79 cm-1的表面積/體積比，且第二觸媒包含具有介於78與79 cm-1之間的表面積/體積比之粒子。
用於製造烷基芳族化合物(例如，乙基苯及異丙基苯)的現有烷基化方法本質上製造出經多烷基化的物質及所欲之經單烷基化的產物。因此一般藉由將該經多烷基化的物質再循環至烷基化反應器或更常藉由將該經多烷基化的物質供至獨立的轉烷化反應器，而以另外的芳族供料(例如苯)將該經多烷基化的物質轉烷化以製造額外之經單烷基化的產物(例如乙基苯或異丙基苯)。在將該芳族物質烷基化(如利用乙烯或丙烯將苯烷基化)及在將經多烷基化的物質(如多乙基苯類和多異丙基苯類)轉烷化時使用的觸媒之實例係列舉於美國專利第5.557.024號(Cheng)，包括MCM-49、MCM-22、PSH-3、SSZ-25、沸石X、沸石Y、沸石β、經酸脫鋁的絲光沸石及TEA-絲光沸石。美國專利第6,984,764號也揭示於小晶體形(<0.5微米)的TEA-絲光沸石上轉烷化。
於液相中進行烷基化步驟的場合中，也希望在液相條件下進行轉烷化步驟。然而，藉由於相對低溫操作，液相方法對觸媒有更高的要求，特別是在該大量經多烷基化的物質必須被轉化成額外之經單烷基化的產物而不會製造不想要的副產物之轉烷化步驟中。在異丙基苯製造之案例中已經證明這是很大的問題，其中現有之觸媒缺乏所欲的活性或造成相當大量副產物如乙基苯和正丙基苯之產生。
儘管先前技藝已揭示在至少部分液相轉化條件下將含可烷基化芳族化合物和烷基化劑的原料轉化成烷基芳族轉化產物之觸媒係由具有MWW構架結構型的多孔性結晶材料(例如鋁矽酸分子篩)構成，但是本發明之改良方法目前未被揭示。尋找關於此種能延遲烷基化觸媒去活化且不會負面影響單選擇性(即，二-或多烷基產物較低量)之在至少部分液相轉化條件下進行此方法之商業上可接受的方法將使得現有設備容量擴大及基礎設備投資花費降低。
根據本發明，意外地發現一種改良方法，其係用於從至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流及烷基化劑製造經烷基化的芳族化合物，其中該可烷基化芳族化合物流含有觸媒毒物，該等觸媒毒物係藉由與處理組成物接觸而被至少部分除去。尤其是在該方法用於從含觸媒毒物的苯流製造乙基苯、異丙基苯和第二丁基苯的情況，其中該觸媒毒物係藉由與處理組成物接觸而被至少部分除去，且該處理組成物較佳為多孔性結晶材料。
發明總論
根據本發明，提供一種從具有觸媒毒物之至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流及烷基化劑流製造經烷基化的芳族化合物流之改良方法。較佳地，該經烷基化的芳族化合物為經單烷基化的芳族化合物，如乙基苯、異丙基苯和第二丁基苯；較佳地，該可烷基化芳族化合物為苯；及較佳地，該烷基化劑為乙烯、丙烯或丁烯。該未經處理的可烷基化芳族化合物流係利用具有高表面積/體積比之處理組成物及在該烷基化劑存在下處理以減少觸媒毒物。
本發明方法的一個具體實施例包含下列步驟：(a)使具有該觸媒毒物之至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流及烷基化劑流與處理組成物在與烷基化反應區分開(及較佳在該烷基化反應區上游)之處理區中在處理條件下接觸，以除去該觸媒毒物之至少一部分及將該可烷基化芳族化合物之至少一部分烷基化，以形成包含經處理之可烷基化芳族化合物、經烷基化的芳族化合物及減量之觸媒毒物的經處理之流出物流，其中該處理組成物具有高於30 in-1(76 cm-1)之表面積/表面體積比，該處理條件包括約30℃(周遭)至約300℃之溫度及約101 kPa(周遭)至約4601 kPa之壓力，及高於或等於約25:1之未經處理之可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比；及(b)使該流出物流中之該經處理的可烷基化芳族化合物及另外之該烷基化劑流與觸媒組成物在與該處理區分開(及較佳在該處理區下游)之該烷基化反應區中在至少部分液相催化性轉化條件下接觸，以形成包含額外之經烷基化的芳族化合物之經烷基化的流出物流，其中該觸媒組成物包含具有選自由FAU、*BEA、MOR、MWW及其混合物所組成的群組之構架結構型的多孔性結晶材料，其中該至少部分液相催化性轉化條件包括約100℃至約300℃之溫度、約689 kPa至約4601 kPa之壓力、約0.01:1至約25:1之經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比、及約0.5至約500 hr-1之基於烷基化劑的供料重量時空速度(WHSV)。
發明之詳細說明
定義
用於本文時，措辭“可烷基芳族化合物”意指可接受烷基的化合物，及“烷基化劑”意指可提供烷基的化合物。
與可作為此文中的原料之可烷基芳族化合物有關的措辭“芳族”能被理解為依據此技藝普遍接受的範圍。這包括經烷基取代的和未經取代的單-和多環化合物。擁有雜原子之具有芳族性質的化合物也可使用，附帶條件為其不得在所擇的反應條件下產生觸媒毒物之作用。
措辭“觸媒毒物”意指存在於該至少部分未經處理的可烷基芳族化合物流，特別是苯流，中之雜質，該觸媒毒物包含一或多種含下列元素的至少一者之化合物：氮、鹵素、氧、硫、砷、硒、碲、磷和第1族至第12族金屬。
用於本文時，與本改良方法有關的措辭“液相或部分液相”意指該反應混合物包含高於或等於10體積百分比液體，例如高於或等於30體積百分比液體，至多100體積百分比液體。
用於本文時，措辭“表面積/表面體積比”意指將調配的粒子之表面積除以調配的粒子之幾何表面體積而得的比例。用於本文時，措辭“幾何表面體積”意指將該粒子視為實心粒子而不考慮在該調配的粒子表面或內側之任何細孔、通道或室的體積所計算得到之調配的粒子之體積。例如，關於幾何球形，該表面積/表面體積比(S/V)為3/r，其中r為該粒子的半徑。
用於本文時，措辭“未經處理的可烷基芳族化合物”意指在其與本發明的處理組成物接觸前之含可烷基芳族化合物和任何觸媒毒物的物流。為了避免疑慮，此未經處理的可烷基芳族化合物可在上游或下游製程中進行其他處理步驟，其中觸媒毒物之至少一部分可能已經被除去，使剩餘的觸媒毒物藉由本發明之方法除去。
用於本文時，措辭“wppm”意指以重量計之每百萬的份數。
處理組成物
在一或多個具體實施例中，本發明的改良方法使用的處理組成物較佳包含多孔性結晶材料並具有高於或等於30 in-1(12 cm-1)之表面積/表面體積比；或高於或等於50 in-1(20 cm-1)之表面積/表面體積比；或高於或等於75in-1(30 cm-1)之表面積/表面體積比；或高於或等於125 in-1(50 cm-1)之表面積/表面體積比；或高於或等於250 in-1(99 cm-1)之表面積/表面體積比；或高於或等於500 in-1(197 cm-1)之表面積/表面體積比。
該處理組成物的表面積/表面體積比係在高於或等於30 in-1(12 cm-1)至低於或等於70 in-1(28 cm-1)之範圍中；或在高於或等於75 in-1(30 cm-1)至低於或等於125 in-1(49 cm-1)之範圍中；或在高於或等於125 in-1(49cm-1)至低於或等於250 in-1(98 cm-1)之範圍中；或在高於或等於250 in-1(98 cm-1)至低於或等於500 in-1(197 cm-1)之範圍中；或在70 in-1(28 cm-1)至100 in-1(39 cm-1)之範圍中；或180 in-1(71 cm-1)至220 in-1(87 cm-1)之範圍中；或在600 in-1(236 cm-1)至770 in-1(303 cm-1)之範圍中。
具有所欲的表面積/表面體積比之處理組成物的製造方法並沒有特別限制。一或多種長久以來已知的技術，如噴乾、造粒、製丸和擠出，已經且到現在還用以製造呈，例如，球形粒子、擠出物、丸和錠，形態的巨結構。由A.B. Stiles和T.A. Koch所著作的Catalyst Manufacture，Marcel Dekker，New York，1995中有述及這些技術之概要。
具有所欲的表面積/表面體積比之處理組成物可，例如，藉由控制其粒徑(即，經壓碎的粒子)製成。
具有所欲的表面積/表面體積比之處理組成物也可，例如，藉由使用已塑形的處理組成物製成。已塑形的處理組成物之非限定例，包括如美國專利第4,441,990號(Huang)所述藉由擠出製造的中空或實心多葉形擠出物；如美國專利第7,198,845號(Van Hasselt)所述的中空形擠出物；如美國專利第4,432,643號(Kyan)所述的縱長方向流通的圓柱形擠出物；如美國專利第4,328,130號所述的有溝槽之圓柱形擠出物。
例如，具有1/32吋(0.08 cm)的直徑和3/32吋(0.24 cm)的長度之圓柱形處理組成物具有141 in-1(56 cm-1)之表面積/表面體積比。呈美國專利第4,441,990號的第4圖揭示之外形並具有1/16吋(0.16 cm)的最大斷面尺寸和3/16吋(0.48 cm)的長度之四葉形實心擠出物形態的處理組成物具有128 in-1(50 cm-1)之表面積/表面體積比。呈具有1/10吋(0.25 cm)的外徑、1/30吋(0.08 cm)的內徑和3/10吋(0.75 cm)的長度之中空管狀擠出物形態的處理組成物具有136 in-1(54 cm-1)之表面積/表面體積比。
該表面積/體積比可藉由測量該處理組成物粒子的物理尺寸和曲率，及接著根據已知的幾何學方程式算出表面積和體積而求出。
本發明的處理組成物可包含一種分子篩或多種分子篩的混合物，且必須具有任何粒子形狀或構形以便得到需要的表面積/表面體積比。
呈多孔性結晶分子篩的處理組成物之非限定例可具有*BEA的結構，該結構包括沸石β(如美國專利第3,308,069號所述)；FAU的結構，該結構包括八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY，如美國專利第3,293,192號和第3,449,070號所述)、脫鋁Y(Deal Y，美國專利第3,442,795號中有描述其製法)、經稀土交換的Y(REY，如美國專利第4,415,438號所述)、超疏水Y(UHP-Y，如美國專利第4,401,556號所述)；MOR的結構，該結構包括絲光沸石(天然材料)、TEA-絲光沸石(由含四乙基銨導向劑的反應混合物製備之合成絲光沸石，美國專利第3,766,093號和第3,894,104號中有描述)。該處理組成物可包括上述多孔性結晶分子篩的混合物。其他適合的多孔性結晶分子篩包括，但不限於，ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-14、ZSM-18和ZSM-20，包括其混合物在內。
在一或多個具體實施例中，該處理組成物之非限定例亦可選自由黏土、樹脂、固態磷酸、活性氧化鋁、Linde型X(例如13X)、Linde型A(例如4A或5A)及其混合物所組成的群組。
由R. Szostak所著的Molecular Sieves-Principles of Synthesis and Identification，Blackie Academic & Professonal，London，1998，第二版中就分子篩的製造、改性和特徵化的觀點描述分子篩及/或沸石的概要。除了分子篩之外，非晶形材料，主要是矽石、矽酸鋁和氧化鋁，已經用作為吸附劑和觸媒支撐物。
催化性組成物
適用於本發明的催化性組成物包含具有選自由FAU、*BEA、MOR、MWW及其混合物組成的群組之構架結構型，較佳MWW構架結構，之多孔性結晶材料。
具有FAU構架結構型的多孔性結晶材料包括上述的八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY)、脫鋁Y(Deal Y)、稀土Y(REY)、超疏水Y(UHP-Y)或其混合物。
具有*BEA構架結構型的多孔性結晶材料為上述的沸石β。
具有MOR構架結構型的多孔性結晶材料為上述的絲光沸石、TEA-絲光沸石、或其混合物。
具有MWW構架結構型的多孔性結晶材料一般具有包括於12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07及3.42±0.07埃之d-間隔最大值的X-射線繞射圖。用以將該材料特徵化的X-射線繞射數據係藉由標準技術使用銅的K-α二重態作為入射輻射及配備閃爍計數器和輔助電腦作為收集系統的繞射儀獲得。
MWW構架結構型材料的實例包括MCM-22(如美國專利第4,954,325號所述)、PSH-3(如美國專利第4,439,409號所述)、SSZ-25(如美國專利第4,826,667號所描)、ERB-1(如歐洲專利第0293032號所述)、ITQ-1(如美國專利第6,077,498號所述)、ITQ-2(如美國專利第6,231,751號所述)、ITQ-30(如WO 2005-118476所述)、MCM-36(如美國專利第5,250,277號所述)、MCM-49(如美國專利第5,236,575號所述)、MCM-56(如美國專利第5,362,697號所述)及UZM-8(如美國專利第6,756,030號所述)。
較佳地，包含具有MWW構架結構型的多孔性結晶材料之催化性組成物為PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、ITQ-30、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8、EMM-10、EMM-12、EMM-13或其混合物。
在本發明的具體實施例中，該觸媒之相對活性以RA220表示為至少8.6，例如8.6至12.0，或以RA180表示為至少3.5，例如3.5至6.0。
用於製造本發明的用途所需之觸媒的方法包含文中列舉和以引用方式併入文中的申請案所教導者。例如，美國專利第4,954,325號描述結晶性MCM-22和含MCM-22的觸媒，美國專利第5,236,575號描述結晶性MCM-49和含MCM-49的觸媒，及美國專利第5,362,697號描述結晶性MCM-56和含MCM-56的觸媒。
黏合劑
用於本發明的觸媒組成物和處理組成物可包括無機氧化物基質材料或黏合劑。此基質或黏合劑材料包括合成或天然物質及無機材料如黏土、矽石及/或金屬氧化物。後者可為天然或呈包括矽石和金屬氧化物的混合物之凝膠狀沉澱物或凝膠的形式。可與無機氧化物材料複合的天然黏土包括蒙脫石和高嶺土家族，該群組包括變膨潤石和高嶺土(通常被稱為Dixie、McNamee、Georgia和Florida黏土等)，其中主要礦物質構成成分為敍永石、高嶺石、狄克石、珍珠石或富矽高嶺石。此黏土可以原始採礦所得的原態使用或可先進行煅燒、酸處理或化學改性。
文中使用之特定的有用基質或黏合劑材料包括矽石、氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、矽石-氧化鋁、矽石-氧化鎂、矽石-氧化鋯、矽石-二氧化釷、矽石-氧化鈹、矽石-氧化鈦，及三元組成物，例如矽石-氧化鋁-二氧化釷、矽石-氧化鋁-氧化鋯、矽石-氧化鋁-氧化鎂及矽石-氧化鎂-氧化鋯。該基質可呈共凝膠形態。也可使用這些組分的混合物。
關於本發明的改良，結晶性分子篩和黏合劑或基質的相對比例並不是特別重要。
用於本發明的觸媒，或其結晶性分子篩組分，可含或不含有附加的官能團，像是，例如，第VI族金屬(例如，Cr和Mo)、第VII族金屬(例如Mn和Re)或第VIII族金屬(例如，Co、Ni、Pd和Pt)或磷。
可烷基化芳族、烷基化劑和產物
適用於本發明的可烷基化芳族化合物包括可被烷基化之經取代的芳族化合物，該經取代的芳族化合物必須擁有至少一個直接鍵結於該芳族環的氫原子。該芳族環可被一或多個烷基、芳基、烷芳基、烷氧基、芳氧基、環烷基、鹵基及/或其他不會干擾該烷基化反應的基團取代。
適合的可烷基化芳族化合物包括苯、萘、蒽、苯並蒽、苝、蔻和菲，且較佳為苯。
一般以取代基形式存在於芳族化合物上的烷基含有1至約22個碳原子，且通常約1至8個碳原子，且最常約1至4個碳原子。
適合的可烷基化芳族化合物包括經烷基取代的芳族化合物，其包括甲苯、二甲基、異丙基苯、正丙基苯、α-甲基萘、乙基苯、三甲基苯(mesitylene)、四甲基苯(durene)、異丙基甲苯類、丁基苯、三甲基苯(pseudocumene)、鄰-二乙基苯、間-二乙基苯、對-二乙基苯、異戊基苯、異己基苯、五乙基苯、五甲基苯、1,2,3,4-四甲基苯；1,2,3,5-四甲基苯；1,2,4-三乙基苯；1,2,3-三甲基苯；間-丁基甲苯；對-丁基甲苯；3,5-二乙基甲苯；鄰-乙基甲苯；對-乙基甲苯；間-丙基甲苯；4-乙基-間-二甲苯；二甲基萘類；乙基萘；2,3-二甲基蒽；9-乙基蒽；2-甲基蒽；鄰-甲基蒽；9,10-二甲基菲；及3-甲基-菲。較高分子量烷基芳族化合物也可作為起始材料並包括芳族有機物，例如藉由芳族有機物與烯烴寡聚物的烷基化所製造者。這類產物在此技藝中經常被稱作烷基化物並包括己基苯、壬基苯、十二基苯、十五基苯、己基甲苯、壬基甲苯、十二基甲苯、十五基甲苯，等等。烷基化物經常以高沸點餾分獲得，其中接附於該芳族環的烷基之尺寸變化於約C6至約C12。當異丙基苯或乙基苯係所欲產物時，本發明方法製造可接受的極少量副產物如二甲苯類。在此例中製造的二甲苯類可為低於約500 ppm。
含苯、甲苯及/或二甲苯的混合物之重組油(reformate)構成本發明方法的有用供料。
適用於本發明的烷基化劑包括烯烴類，例如乙烯和丙烯；醇類(包括單醇類、二醇類、三醇類，等等)，例如甲醇、乙醇和丙醇類；醛類，例如甲醛、乙醛和丙醛；及烷基鹵化物類，例如甲基氯、乙基氯和丙基氯類等。
輕質烯烴的混合物可作為本發明的烷基化方法中之烷基化劑。因此，乙烯和丙烯的混合物，為各種種精煉流(例如，燃料氣、含乙烯、丙烯等等的氣體設備排氣、含輕質烯烴的萘裂解器排氣、精煉FCC丙烷/丙烯流等等)的主要構成成分，為本發明方法中之有用的烷基化劑。例如，典型FCC輕質烯烴流擁有下列組成：
可由本發明方法獲得的反應產物之非限定例包括來自苯與乙烯的反應之乙基苯、來自苯與丙烯的反應之異丙基苯、來自甲苯與乙烯的反應之乙基甲苯，及來自甲苯與丙烯的反應之異丙基甲苯類。本發明特佳的處理機構係關於藉由苯與丙烯的烷基化製造異丙基苯，及藉由苯與乙烯的烷基化製造乙基苯。
本發明之改良方法的反應物可部分或完全為液相並可為純質的，即，不含故意的混合物或以其他材料稀釋，或該反應物可藉助於載體氣體或稀釋劑(像是，例如，氫或氮)與需要的觸媒組成物接觸。
觸媒毒物及處理方法
該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流可能含有會隨時間起作用而毒化該催化性組成物的雜質。這些觸媒毒物可佔該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流的至多約10 wppm，或至多5 wppm，或至多1 wppm，或至多0.5 wppm，或至多0.1 wppm。此觸媒毒物可為以該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流之重量計在至少1 wppm至5 wppm，或1 wppm 至10 wppm，或甚至5 wppm 至10 wppm的範圍中。此觸媒毒物包含一或多種含下列元素之至少一者的化合物：氮、鹵素、氧、硫、砷、硒、碲、磷和第1族至第12族金屬。
在本發明中，該具有觸媒毒物之至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流係藉由使此流和烷基化劑與處理組成物於與烷基化反應區分開且在該烷基化反應區上游之處理區中接觸。此接觸在處理條件下進行以除去該觸媒毒物的至少一部分並將該可烷基化芳族化合物的至少一部分烷基化，藉以形成包含經處理的可烷基化芳族化合物及小量經烷基化的芳族化合物和減量的觸媒毒物之經處理的流出物流。如上所示，該處理組成物包含具有高表面積/表面體積比的多孔性結晶沸石。
在一或多個具體實施例中，該處理條件包括約30℃(周遭)至約300℃，約100℃至200℃，或約100℃至125℃之溫度。處理壓力係約101 kPa(周遭)至約4601 kPa，約101 kPa至約3000 kPa，及約101 kPa至約2500 kPa。處理重量時空速度(WHSV)係基於該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物之重量為約5至約70 hr-1，較佳12至45 hr-1的範圍中。
處理組成物具有每克處理組成物吸收高於約100，或高於約300，或高於約500，或高於約700，或高於約900微莫耳柯林鹼(collidine)的容量。吸收柯林鹼的容量係在每克處理組成物約50至約150，約150至約300，約300至約500，約500至約700，約700至約900，約900至約1000微莫耳的柯林鹼之範圍中。
處理組成物具有基於該處理組成物之重量吸收高於約900，或高於約1500，或高於約2500，或高於約3500，或高於約5500 wppm N-甲醯基嗎啉(NFM)的容量。NFM的吸收容量係基於該處理組成物之重量為約900至約1500，約1500至約2500，約2500至約3500，約3500至約5500，約5500至約7000 wppm NFM的範圍中。
操作時，將具有該觸媒毒物之至少部分未經處理的可烷基化芳族流與該烷基化劑流一同供至該處理區。使此未經處理的可烷基化芳族化合物混合物與該處理組成物在與烷基化反應區分開之處理區中在處理條件下接觸，以除去該觸媒毒物之至少一部分及將該可烷基化芳族化合物之至少一部分烷基化，以形成包含經處理之可烷基化芳族化合物、經烷基化的芳族化合物及減量之觸媒毒物的經處理之流出物流，其中該處理組成物具有高於30 in-1(76 cm-1)之表面積/表面體積比，該處理條件包括約30℃至約300℃之溫度及約101 kPa至約4601 kPa之壓力，及高於或等於約25:1之未經處理之可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比。在該處理區中，至少一種觸媒毒物係被該處理組成物吸收並強力黏合於該處理組成物，造成該至少一種觸媒毒物係從該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流中至少部分被除去。
該處理組成物的高表面積/體積比和該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的高比例(特別是與烷基化反應中使用的催化性轉化條件相比)使該未經處理的可烷基化芳族化合物流於該處理區中除去觸媒毒物的效果得到實質改良。再者，此觸媒毒物的除去進一步同時將該可烷基化芳族化合物的至少一部分烷基化，以製造所欲之經烷基化的芳族化合物。
在該處理區中，該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比係高於或等於約10:1，或高於或等於約25:1，或高於或等於約50:1，或高於或等於約75:1，或高於或等於約100:1。該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比係在10:1至25:1，或25:1至50:1，或50:1至75:1，或75:1至100:1的範圍中。在一些具體實施例中，關於該處理區的單一床處理組成物，該至少部分未經處理的可烷基化芳族物對烷基化劑的比例係在5:1至50:1的範圍中。
由於本發明的處理步驟藉由使該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流與該處理組成物在上述處理條件下接觸的結果，使該至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流中的至少1重量%、至少5重量%、至少10重量%、至少15重量%、至少25重量%、至少50重量%、至少75重量%或至少99重量%之該觸媒毒物被除去。
此外，供應時，大部分商業上的至少部分未經處理之可烷基化芳族化合物流係被水飽和，並可含有達約50 wppm，一般達約200 wppm的水。本方法提供將商業上的至少部分未經處理之可烷基化芳族化合物流中的這些觸媒毒物的量降至具有上述水量之可接受程度的方法。
烷基化方法
在本發明的方法中，用於該處理區及用於該烷基化反應區的物理設備可，例如，被分開及串聯，藉以接著回收該處理區的流出物並供至下游反應區。而且，相同的設備可同時用於該處理區和該烷基化反應區，只要在包含該經處理的可烷基化芳族化合物之流出物在該反應區的獨立部位中於烷基化轉化條件接觸該烷基化觸媒之前，所有可烷基化芳族化合物在該處理區中於處理條件下接觸到該處理組成物。在後面的情況中，當然，來自上述步驟(a)的處理區之含經處理的可烷基化芳族化合物和任何未經處理的烷基化劑之流出物將會直接通到上述步驟(b)的反應區。
本發明的改良烷基化方法可以使反應物(即，來自包含經處理的可烷基化芳族化合物之處理區的流出物)與該催化性組成物於適當反應區中(像是，例如，於含該觸媒組成物的固定床之流動反應器中)在有效催化性轉化條件下接觸之方式進行。較佳地，至少部分液相催化性轉化條件包括約100℃至約300℃之溫度，較佳約100℃至約285℃，最佳約100℃至約200℃；約689 kPa至約4601 kPa之壓力，較佳約689 kPa至約3102 kPa；約0.1:1至約25:1之經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比，較佳約0.5:1至約10:1；及約0.1至約500 hr-1之基於烷基化劑的供料重量時空速度(WHSV)，較佳約0.5至約100 hr-1。
當該經處理的可烷基化芳族化合物包含經處理的苯及該烷基化劑係乙烯以製造乙基苯時，該烷基化反應較佳在包括下列之至少部分液相催化性轉化條件下進行：約100℃至約280℃之溫度，約100℃至約230℃，較佳約125℃至約260℃；至多約4601 kPa之壓力，較佳約689 kPa至約3102 kPa；約0.1至約20 hr-1之基於乙烯烷基化劑的重量時空速度(WHSV)，較佳約0.5至約6 hr-1；及烷基化反應器中約0.1:1至約30:1之經處理的苯對乙烯莫耳濃度比，較佳約1:1至約20:1。
當該經處理的可烷基化芳族化合物包含經處理的苯及該烷基化劑係丙烯以製造異丙基苯時，該反應也可在包括下列之至少部分液相催化性轉化條件下進行：低於約200℃之溫度，約100℃至約200℃，約125℃至約180℃；約3102 kPa或更低之壓力，例如，約1724 kPa至約3102 kPa；約0.1 hr-1至約25 hr-1之基於丙烯烷基化劑的重量時空速度(WHSV)，較佳約0.3 hr-1至約5 hr-1；及烷基化反應器中約0.1:1至約30:1之經處理的苯對丙烯莫耳濃度比，更佳約1:1至約20:1。
在本發明的反應機構中，該烷基化反應器流出物可含有過量芳族供料、經單烷基化的產物、經多烷基化的產物和各種不同雜質。該芳族供料係藉由蒸餾回收並再循環至該烷基化反應器。通常自該再循環流進行小量洩放以自該迴路排除非反應性雜質。蒸餾的底部物可進一步蒸餾以分離經單烷基化的產物與經多烷基化的產物和其他重質物。
自該烷基化反應器流出物分離出來之經多烷基化的產物可於獨立於該烷基化反應器之轉烷化反應器中在適當轉烷化觸媒上與額外的芳族供料反應。該轉烷化觸媒可包含上述具有沸石β、沸石Y、絲光沸石或MWW構架結構型材料的結構之結晶性分子篩之一者或其混合物。
相對活性
本發明中使用的催化性組成物之觸媒的相對活性以RA220表示為至少8.6，例如8.6至12.0，或以RA180表示為至少3.5，例如3.5至6.0，其允許於較低反應壓力(例如約3102 kPa或更低的反應器出口壓力)及3102 kPa或更低(例如2758 kPa或更低)的較低烷基化劑(例如乙烯或丙烯)供料供應壓力操作。用於文中時，以RA220或RA180測得的相對活性係藉由類似於S. Folger於Elements of Chemical Reactor Engineering，第2版，406至407頁中所述的方法測定。此方法中，此使用絕熱反應器，利用能量平衡將溫度升高與乙烯轉化率串聯起來。利用熱電耦位置、已知的入口溫度、壓力和轉化率，該觸媒的相對活性可利用差示反應器分析測定。關於此分析，該相對活性係藉由溫度升高百分比除以床長度百分比算出。簡言之，相對活性(RA)=△T/L，其中△T為溫度升高百分比及L為床長度百分比。當該絕熱反應器的入口溫度為180℃時，該RA值為RA180及當該絕熱反應器的入口溫度為220℃時，該RA值為RA220。
此RA測定係藉由下列實驗例示，其中將大約28克特定觸媒填充至具多點熱電耦的絕熱式3/4”管反應器中。將該觸媒緊密填充於惰性氧化鋁床間以提供良好的流動分佈。將被加熱至180或220℃的入口溫度之含乙烯和苯(1:1.5莫耳濃度)的供料通過觸媒床以使反應能進行及以流出物形式排出該反應器。將該流出物的一部分再循環回該供料以保持大約40℃的絕熱溫度升高。將再循環對供料(重量)比保持於6比1以保持液相條件。該床中的多點熱電耦由6個熱電耦係組成，該熱電耦係用以測量該床內側6個點的溫度。於下表中描述為相同MWW結構材料的觸媒A和B之結果。
實施例
引用下列實驗描述涉及本發明之改良的烷基化機構之非限定例。在這些實驗中，串聯放置兩個獨立的床、一個處理區和一個烷基化反應區。利用含特定處理組成物的第一床(處理區)處理含氮化合物(觸媒毒物)的苯以保護下游烷基化反應區使能實行烷基化反應化學。將苯與乙烯一同供於該處理區。接著將該處理區流出物與乙烯混合及供於含烷基化觸媒的烷基化反應區。當首次觀察到該烷基化反應區中發生去活化時，即測定穩定烷基化操作的天數(運轉時間長度)。於該烷基化反應區中的觸媒去活化因此與該處理組成物的運轉時間長度和其表觀容量(apparent capacity)(於穩定的流動條件)有關。一旦該處理組成物不再能留住毒物(滑脫)，其必須被再生或替代。下列實施例1至4證實包含文中使用的材料所需之表面積/表面體積比的處理組成物之效率。由投入生產的時間及於該烷基化反應區中觀察到觸媒去活化的時間算出於處理區中的處理組成物之毒物容量。
藉由光學方法利用由Wilsonville，Oregon的Cascade Data Systems購得之Advanced Laboratory Imaging and Analysis System(ALIAS)測量粒子尺寸和粒子曲率而求出表面積/表面體積比。
實施例1
將16克被調配成含MCM-49(其具有MWW構架結構)的1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子之材料均放在處理區(作為處理組成物)和烷基化反應區中(作為催化性組成物)。該四葉形材料具有大約180至220 in-1(71至87 cm-1)的表面積/表面體積比。於周遭壓力、介於50:1與70:1(大約60:1)之間的苯/乙烯莫耳比、大約21 hr-1之基於苯的WHSV及180℃(液相)下，將含0.3 wppm呈N-甲醯基嗎啉形式的氮(後文中稱作“N”)之苯和乙烯供至該處理區中。接著將該處理區的流出物，與乙烯混合，並供至保持於180℃的溫度、具有呈液相的混合物、18:1的苯/乙烯莫耳比及0.77 hr-1之基於乙烯的WHSV之烷基化反應區中。於該反應區中的催化性組成物經過5至7天沒有去活化。因此，算出該處理區中的處理組成物之毒物容量為大約900至1000 wppm的N。
實施例2
將16克被調配成含MCM-49(其具有MWW構架結構)的1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子之材料，壓碎成200至250微米級粒子，放在該處理區中(作為處理組成物)，及將28克被調配成含MCM-49的1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子之材料放在該烷基化反應區中(作為催化性組成物)。該處理區中的壓碎材料(處理組成物)具有大約600至770in-1(236至303 cm-1)之表面積/表面體積比。該烷基化反應區中的四葉形材料(催化性組成物)具有大約180至220 in-1(71至87 cm-1)的表面積/表面體積比。於周遭壓力、介於9:1與26:1之間的苯/乙烯莫耳比、大約20 hr-1之基於苯的WHSV及180℃(液相)下，將含0.3 wppm呈N-甲醯基嗎啉形式的N之苯和乙烯供至該處理區中。接著將該處理區的流出物，與乙烯混合，並供至保持於220℃的溫度、具有呈液相的混合物、大約20:1的苯/乙烯莫耳比及0.85 hr-1之基於乙烯的WHSV之烷基化反應區中。於該反應區中的催化性組成物經過8至9天沒有去活化。因此，算出該處理區中的處理組成物之毒物容量為大約1200 wppm的氮(N)。
實施例3
將16克被調配成具180至220 in-1(71至87 cm-1)的表面積/表面體積比之1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子的含沸石β(具有*BEA構架結構)之處理組成物放在該處理區中，及將28克被調配成含MCM-49的1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子之材料放在該烷基化反應區中。於周遭壓力、大約55:1的苯/乙烯莫耳比、21 hr-1之基於苯的WHSV及180℃(液相)下，將含0.3 wppm呈N-甲醯基嗎啉形式的N之苯和乙烯供至該處理區中。(然而該處理區的選擇性非常差，製造大約2.5至4.0倍於使用呈MWW觸媒的二乙基苯量。)接著將該處理區的流出物，與乙烯混合，並供至保持於180℃的溫度、具呈液相的混合物、18:1的苯/乙烯莫耳比及大約0.77 hr-1之基於苯的WHSV之烷基化反應區中。於該反應區中的催化性組成物經過38至42天沒有去活化。因此，算出該處理區中的處理組成物之毒物容量為大約5950 wppm的N。
實施例4
將16克被調配成具70至100 in-1(28至39 cm-1)的表面積/表面體積比之1/16吋(0.16 cm)圓柱形粒子的含八面沸石(具有FAU構架結構)之處理組成物放在該處理區中(作為處理組成物)，及將28克被調配成含MWW觸媒的1/20吋(0.13 cm)四葉形粒子之材料放在該烷基化反應區中。於周遭壓力、大約75:1的苯/乙烯莫耳比、21 hr-1之基於苯的WHSV及170℃(液相)下，將含0.3 wppm呈N-甲醯基嗎啉形式的N之苯和乙烯供至該處理區中(作為觸媒組成物)。(然而，該處理區的選擇性非常差，製造大約5.0倍於使用MWW觸媒的二乙基苯量。)接著將該處理區的流出物，與乙烯混合，並供至保持於220℃的溫度、具呈液相的混合物、18:1的苯/乙烯莫耳比及大約0.85hr-1之基於苯的WHSV之烷基化反應區中。於該反應區中的催化性組成物經過13至15天沒有去活化。因此，算出該處理區中的處理組成物之毒物容量為大約2000 wppm的N。
所有專利、專利申請案、試驗程序、優先權文件、文章、刊物、手冊和其他文中列舉的文件係以引用的方式完全併入至此揭示內容與本發明沒有不一致的程度，及且在此併入所允許的所有權限內。
當文中列示數值下限和數值上限時，將任何下限至任何上限的範圍均納入考慮。
儘管已經特地描述本發明的例示性具體實施例，但是咸明白多種不同的其他修飾將顯而易見並可由熟於此藝之士輕易完成而不會悖離本發明的精神和範疇。因此，不欲此處所附的申請專利範圍的範疇被限於文中所述的實施例和說明內容，而是將該申請專利範圍理解為包含所有具有存在於本發明的可專利新穎性之特徵，包括所有熟於本發明所屬的技藝之士視為等效例的特徵。

Claims (29)

  1. 一種從具有觸媒毒物之至少部分未經處理的可烷基化芳族化合物流及烷基化劑流製造經烷基化的芳族化合物流之方法，其中該可烷基化芳族化合物流係經處理以減少觸媒毒物，該方法包含下列步驟：(a)使具有該觸媒毒物之該可烷基化芳族化合物流及烷基化劑流與處理組成物在與烷基化反應區分開且位在該烷基化反應區上游之處理區中在處理條件下接觸，以除去該觸媒毒物之至少一部分及將該可烷基化芳族化合物之至少一部分烷基化，以形成包含經處理之可烷基化芳族化合物、經烷基化的芳族化合物及減量之觸媒毒物的經處理之流出物流，其中該處理組成物具有高於30in-1(76cm-1)之表面積/表面體積比，該處理條件包括約30℃至約300℃之溫度及約101kPa至約4601kPa之壓力，及高於或等於約25：1之未經處理之可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比；及(b)使該流出物流中之該經處理的可烷基化芳族化合物及另外之該烷基化劑流與觸媒組成物在與該處理區分開之該烷基化反應區中在至少部分液相催化性轉化條件下接觸，以形成包含額外之經烷基化的芳族化合物之經烷基化的流出物流，其中該觸媒組成物包含具有選自由FAU、*BEA、MOR、MWW及其混合物所組成的群組之構架結構型的多孔性結晶材料，其中該至少部分液相催化性轉化條件包括約100℃至約300℃之溫度、約689kPa至約4601 kPa之壓力、約0.01：1至約25：1之經處理的可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比、及約0.5至約500hr-1之基於烷基化劑的供料重量時空速度(WHSV)。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該觸媒毒物包含下列元素之至少一者：氮、鹵素、氧、硫、砷、硒、碲、磷及第1族至第12族金屬。
  3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中在該接觸步驟(a)中除去該可烷基化芳族化合物流中之觸媒毒物的至少10重量%。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該處理組成物包含多孔性結晶材料。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該處理組成物之多孔性結晶材料係選自由沸石β、八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY)、脫鋁Y(Deal Y)、稀土Y(REY)、超疏水Y(UHP-Y)、絲光沸石、TEA-絲光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-14、ZSM-18、ZSM-20及其組合所組成的群組之分子篩。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該處理組成物係選自由黏土、樹脂、固態磷酸、活性氧化鋁、Linde型X、Linde型A及其組合所組成的群組。
  7. 如申請專利範圍第6項之方法，其中該Linde型X為13X，及該Linde型A為4A或5A。
  8. 如申請專利範圍第4項之方法，其中該多孔性結晶材料或該處理組成物另包含黏合劑，該黏合劑係選自由 氧化鋁、矽石、氧化鈦、氧化鋯、黏土及其混合物所組成的群組。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有FAU構架結構型之多孔性結晶材料為八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY)、脫鋁Y(Deal Y)、稀土Y(REY)、超疏水Y(UHP-Y)或其混合物。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有*BEA構架結構型之多孔性結晶材料為沸石β。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有MOR構架結構型之多孔性結晶材料為絲光沸石、TEA-絲光沸石或其混合物。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有MWW構架結構型之多孔性結晶材料的初-合成或煅燒形態具有包括於12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07及3.42±0.07埃之d-間隔最大值的X-射線繞射圖。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該具有MWW構架結構型之多孔性結晶材料為PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、ITQ-30、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8、EMM-10、EMM-12、EMM-13或其混合物。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化芳族化合物係選自由苯、萘、蒽、並四苯、苝、蔻、菲及其混合物所組成的群組。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化 芳族化合物為苯，該烷基化劑為乙烯，及該經烷基化的芳族化合物為乙基苯。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化芳族化合物為苯，該烷基化劑為丙烯，及該經烷基化的芳族化合物為異丙基苯。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化芳族化合物為苯，該烷基化劑為丁烯，及該經烷基化的芳族化合物為第二丁基苯。
  18. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化芳族化合物為苯，該烷基化劑為乙烯，該經烷基化的芳族化合物為乙基苯，及該至少部分液相轉化條件包括約100℃至約280℃之溫度，約3102kPa或更低之壓力，約0.1至約20hr-1之基於乙烯的重量時空速度(WHSV)，及烷基化反應器中約0.5：1至約30：1之苯對乙烯莫耳濃度比。
  19. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該處理組成物係選自由沸石β、八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY)、脫鋁Y(Deal Y)、稀土Y(REY)、超疏水Y(UHP-Y)、絲光沸石、TEA-絲光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-14、ZSM-18、ZSM-20及其混合物所組成的群組之分子篩。
  20. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該處理組成物係選自由黏土、樹脂、固態磷酸、活性氧化鋁、Linde型X、Linde型A及其混合物所組成的群組。
  21. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該具有 MWW構架結構型之多孔性結晶材料具有包括於12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07及3.42±0.07埃之d-間隔最大值的X-射線繞射圖。
  22. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該具有MWW構架結構型之多孔性結晶材料為PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、ITQ-30、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8、EMM-10、EMM-12、EMM-13或其混合物。
  23. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該可烷基化芳族化合物包含苯，該烷基化劑為丙烯，該經烷基化的芳族化合物為異丙基苯，及該至少部分液相轉化條件包括低於約200℃之溫度，約3102kPa或更低之壓力，約0.1至約250hr-1之基於丙烯烷基化劑的重量時空速度(WHSV)，及烷基化反應器中約0.5：1至約30：1之苯對丙烯莫耳濃度比。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該處理組成物係選自由沸石β、八面沸石、沸石Y、超安定Y(USY)、脫鋁Y(Deal Y)、稀土Y(REY)、超疏水Y(UHP-Y)、絲光沸石、TEA-絲光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-14、ZSM-18、ZSM-20及其混合物所組成的群組之分子篩。
  25. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該處理組成物係選自由黏土、樹脂、固態磷酸、活性氧化鋁、Linde型X、Linde型A及其混合物所組成的群組。
  26. 如申請專利範圍第23項之方法，其中該具有MWW構架結構型之多孔性結晶材料具有包括於12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07及3.42±0.07埃之d-間隔最大值的X-射線繞射圖。
  27. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該具有MWW構架結構型之多孔性結晶材料為PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、ITQ-30、MCM-22、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8、EMM-10、EMM-12、EMM-13或其混合物。
  28. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該接觸步驟(a)之處理條件包括介於約5至70hr-1之基於該可烷基化芳族化合物的處理重量時空速度(WHSV)。
  29. 如申請專利範圍第1項之方法，該處理組成物吸收以該處理組成物重量計高於900wppm之N-甲醯基嗎啉(NFM)。
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