TWI518937B - Manufacture of solar cells - Google Patents
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Description
本發明係關於根據太陽電池的製造方法，特別是背面鈍態(passivation)型的太陽電池。
以往，構成太陽電池之一般的矽太陽電池的製造步驟中，在p型矽基板的受光面側，形成使用POCl3(三氯氧化磷)的熱擴散產生的n+型射極，且背面印刷鋁膏(Al paste)的狀態下，藉由燒成在p型矽基板內擴散Al(鋁)，形成p+背面電場(Back Surface Field，BSF)，形成n+pp+構造。此步驟中，Al不只用作電極，同時用作擴散源，與電極形成可以同時執行擴散處理之簡略製程(process)。又，由於抑制背面的再結合效果高，且單晶矽的話，得到19%左右的變換效率，是一般的製程。
不過，關於背面的長波長反射率，有改善的餘地，為了鈍態(passivation)使用氧化膜等，又，為了提高電池背面的反射率，形成背面反射膜等，藉此可以實現超過20%的變換效率。
根據非專利文件1，藉由在背面形成鈍態膜及反射膜，得到超過變換效率20%的輸出。又，根據專利文件1，揭示兩面受光型的太陽電池製造步驟。
[專利文件1]國際第2012/008061號公開公報
[非專利文件1]IEEE 23th PVSC,J.Knobloch,etal,“High-efficiency solar cells from Fz,Cz and mc silicon material(電子電機工程師協會第23屆光打伏生專家會議,J.Knobloch等，單晶矽和多晶矽材料製的高效率太陽電池)”1993,第271-276頁
不過，上述非專利文件1的背面鈍態型太陽電池，雖然對效率改善有效，與習知相較帶來步驟的複雜化、或由於新步驟的裝置追加所伴隨的成本(cost)增大，成為問題。根據背面鈍態型太陽電池的非專利文件1產生的步驟、根據專利文件1產生的步驟，成為複雜的步驟。具體而言，相較於習知的太陽電池製造步驟，追加的製程，例如，用以只形成單面擴散層之步驟、n+pp+或p+nn+構造時的BSF或在背面形成射極時形成正面電場(Front Surface Field,FSF)之擴散步驟、以及背面的鈍態膜之形成步驟。
首先的課題係兩面形成擴散層。首先，對於只形成單面擴散層，例如在單面形成光罩(mask)後，實施擴散處理的方法，或全面形成擴散層後，以藥品等在單面蝕刻的方法，或是注入離子的方法。又，形成兩面不同導電性的擴散層的情況下，更在第2回擴散之際也追加單面的擴散保護光罩形成步驟。
其次的課題係背面的鈍態膜。p+層的鈍態膜，SiN(氮化矽)的話不夠。雖然必須使用SiO2(氧化矽)或Al2O3(氧化鋁)，但熱氧化的話兩面形成膜，例如兩面的氧化膜用作鈍態膜時，由於對受光面側的反射率有影響，必須在數十nm(毫微米)左右以下，背面也必須追加形成SiN膜等的步驟。又，如專利文件1所示，也檢討兩面同時形成SiN膜的方法，但相較於習知的裝置，擔心裝置成本的增加。
本發明係有鑑於上述而形成，以得到容易製造並高效率的背面鈍態型的太陽電池為目的。
為了解決上述課題，達成目的，本發明係在半導體基板的正面及背面，具有不同導電型的擴散層之太陽電池的製造方法，包括形成步驟，為了覆蓋上述半導體基板的至少一部分的區域，形成包含不純物的擴散保護光罩；以及擴散步驟，上述半導體基板的至少一部分的區域，以包含不純物的擴散保護光罩覆蓋的狀態下，實施包含熱步驟的擴散步驟，並在上述擴散保護光罩覆蓋的第1區域中形成第1不純物擴散層的同時，從上述擴散保護光罩暴露的第2區域中，形成與上述擴散保護光罩不同不純物濃度或不同導電性之第2不純物擴散層。
根據本發明，首先形成擴散源，以及作為次步驟的擴散保護光罩，形成單面包含不純物的膜。其次，擴散不同於單面形成的膜中包含的不純物之不純物。因此，由於在受光面側與背面形成不同摻雜物的擴散層，以一次擴散處理形成兩面擴散層，達到可以以低成本製造高效率的太陽電池的效果。
以下，根據圖面，詳細說明本發明的太陽電池的製造方法的實施例。又，本發明不限於本實施例。又，以下的實施例中使用的太陽電池剖面圖係模式，層的厚度與寬度之間的關係或各層的厚度比率等會與實際不同的情況。
第1圖係顯示根據本發明的太陽電池的製造方法的第一實施例的步驟流程圖，第2圖係顯示以同一步驟流程形成的太陽電池；第3-1~3-8圖係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖。本實施例中，提出簡化製程的高效率電池(cell)的製造方法。首先形成擴散源，以及作為次步驟的擴散保護光罩，單面包含不純物的膜。其次，藉由擴散不同於單面形成的膜中包含的不純物之不純物，因為在受光面側與背面形成不同摻雜物的擴散層，以一次擴散處理形成兩面擴散層。在此，由於背面的平坦化，會有高效率化有效的情況，在結構化(texture)處理前形成包含不純物的擴散保護光罩，可以只在受光面形成結構化構造。
又，背面鈍態膜的形成步驟也是追加步驟，在先形成受光面的SiN等的反射防止膜的狀態下，藉由實施氧化處理，可以只單面形成鈍態效果高的氧化膜。隨著上述構造，藉由在背面形成Al、Ag等的長波長反射率高的膜，可以更高效率化。
本實施例中，半導體基板，說明關於使用p型單結晶矽晶圓1的情況。太陽電池的製作中，首先，半導體基板，例如準備電阻率0.5~20歐姆/平方左右、數百μm(微米)厚的p型單結晶矽晶圓1(第3-1圖)。p型單結晶矽晶圓1，因為冷卻固化熔解的矽而完成的晶棒以鋼線鋸切下製造，表面上留下切片時的損傷。於是，在p型單結晶矽晶圓1在酸或加熱的鹼溶液中，例如浸泡在氫氧化鈉水溶液內，蝕刻表面，藉此除去切下時發生並存在於p型單結晶矽晶圓1表面附近的損傷區域。以例如數至20重量%的氫氧化鈉、碳酸氫鈉只除去10μm~20μm厚度的表面(損傷層除去步驟S101)。
之後，如第3-2圖所示，p型單結晶矽晶圓1在例如1重量%左右的氫氧化鈉水溶液中，浸泡在添加0.1重量%左右多醣類構成的添加劑的蝕刻溶液內，進行非等向性蝕刻，在正面及背面形成凹凸部1T而形成結構化構造(結構化形成步驟S102)。結構化構造，係在表面上形成凹凸，並利用多重反射降低反射率的方法，本發明中使用的結構化構造形成，怎麼樣的方法都沒關係，最好是反射率降低效果大的構造。
p型單結晶矽晶圓的情況，對結晶方位(100)面的晶圓，由於使用氫氧化鈉(NaOH)或氫氧化鉀(KOH)內混合添加劑的溶液，利用結晶面方位的蝕刻比(rate)差之非等向性蝕刻是有效的，但使用多晶矽作為半導體基板時，因為晶圓面內的結晶方位不均一而無效，使用氟硝酸系(fluonitric acid type)的溶液，利用切下時形成的加工形狀，只除去損傷層的等向性蝕刻的方法係一般性的。
在此，電池的構造，考慮藉由形成一部分背面的電極，利用來自背面的入射光之兩面受光型(Bifacial)，以及形成背面全面反射膜(Back Surface Reflector，BSR)並提高矽內部吸收不了的長波長反射的構造。前者的情況，當利用來自背面的入射光時，有時背面也有結構化構造較有利，後者的情況，根據鈍態的觀點，有時最好是背面平坦。因此，包含次步驟中說明的不純物之膏擴散源(摻雜膏，DP)印刷在結構化處理前實施，用作蝕刻保護光罩，藉此可以製作只有背面平坦化的電池。後述關於此步驟。
其次，如第3-3圖所示，在p型單結晶矽晶圓1的單面形成擴散保護光罩3(單面光罩形成步驟S103)。在此，擴散保護光罩3中，先導入與擴散時的不純物源不同之不純物。例如，包含P(磷)的氧化膜、包含B(硼)的氧化膜。本實施例中，以印刷法形成膜厚1μm左右的BSG膜。擴散保護光罩的形成方法為印刷法、旋轉塗佈法、CVD(化學氣相沉積)法、濺鍍法等任一方法都沒關係。又，為了防止來自光罩的不純物飛散，可以再堆疊形成不包含SG膜等不純物之光罩。
於是，擴散光罩3形成後，根據熱擴散處理，如第3-4圖所示，在p型單結晶矽晶圓1的兩面同時形成擴散層(兩面同時擴散步驟S104)。受光面的正面側擴散磷等的n型不純物，從n型擴散層6、BSG膜構成的擴散保護光罩，擴散硼元素等的p型不純物，在背面側形成p型擴散層4。在此，擴散源，考慮起泡液狀物並流動氣體的方法、或根據使用固體、使用氣體、旋轉塗佈產生的方法等。又，因為受光面與背面的擴散最適當溫度可能不同，藉由對熱擴散時的詳細步驟設法，可以分別成為適當的熱處理步驟。此時，受光面側表面上形成摻雜玻璃(doping glass)5，另一方面雖然背面側的擴散保護光罩3上也未圖示，但堆疊摻雜玻璃。
例如，受光面上產生使用POCl3(三氯氧化磷)的熱擴散時，必要的擴散溫度在背面擴散層必須900℃左右，受光面擴散為850℃左右時，先實施高溫處理，其次流過POCl3實施低溫處理的話，可以形成各個最適當的擴散層。在此，各個擴散層的角色，可以成為射極、BSF、FSF。又，擴散光罩不必全部的區域均等，例如使用印刷膏時，分開2次印刷不同不純物濃度的膏並圖案化(patterning)的話，也可以形成選擇擴散層。
其次，為了接合分離而蝕刻端部(端面蝕刻步驟S105)。例如有，堆疊(stack)晶圓，在保護上面側及下面側的狀態下，流動CF4等的氣體的同時，實施電漿處理，並蝕刻除去側面的膜之方法。又，其他也有在電極形成後以雷射加工電池端部的方法等。
之後，如第3-5圖所示，以使用氫氟酸(Hydrofluoric Acid)的溶液，除去擴散時形成的摻雜玻璃(doping glass)5(摻雜玻璃除去步驟S106)。其次，形成受光面側的反射防止膜以及背面的鈍態膜。最簡便的步驟，例如，以熱氧化處理全面形成氧化膜，可以用作鈍態膜兼反射防止膜，但反射效果，例如SiN、TiO2較有效。在此，說明在受光面側形成SiN，在背面形成氧化膜時的步驟。
首先，如第3-6圖所示，在受光面形成SiN等的反射防止膜7(SiN形成步驟S107)。藉由只在受光面形成SiN的狀態下，實施氧化處理，如第3-7圖所示，只有背面可以形成熱氧化膜8(熱氧化膜形成步驟S108)。
氧化處理，可以是乾氧化(dry oxidation)處理、溼氧化處理其中任一，但低溫處理，擴散層的不純物因為再擴散的影響小，較容易控制。溼氧化的話，也依賴擴散層的不純物濃度，但例如800℃的氧化處理也可以形成100nm(毫微米)左右及充分厚度的氧化膜作為鈍態效果，又，SiN膜作為氧化保護膜也可以期待充分的效果。
最後，如第3-8圖所示，印刷受光面側電極9及背面電極10(電極印刷步驟S109)，燒成(燒成步驟S110)，藉此形成第2圖所示的太陽電池。受光面及背面，藉由印刷Ag等的膏並燒成，可以形成正背電極。在此，不限定於使用電極膏的塗佈膜，也可以使用薄膜。
又，背面電極10，基板背面全體形成膜也可以，藉由用以改善背面的反射率或導電性的膜，可以期待特性的改善。改善反射率與導電率兩者的方法，例如Al(鋁)、Ag(銀)等。
如此構成的太陽電池中，太陽光從太陽電池的受光面側照射至半導體基板的p型單結晶矽晶圓1時，產生電洞與電子。由於pn接合部(p型單結晶矽晶圓1與n型擴散層6的接合面)的電場，產生的電子往n型擴散層6移動，電洞往p型單結晶矽晶圓1移動。因此，成為n型擴散層中電子過剩，而p型單結晶矽晶圓1中電洞過剩的結果，產生光電動勢。此光電動勢順方向往偏壓方向產生pn接合，連接n型擴散層6的受光面側電極9為負極，連接至高濃度的p型擴散層4的背面電極10為正極，電流流入未圖示的外部電路。
於是，根據本實施例，受光面側及背面側的擴散步驟可以以同一步驟實現，提高生產性，製造容易，並可以得到高效率的背面鈍態型太陽電池。
第4圖係顯示根據本發明的太陽電池的製造方法的第二實施例的步驟流程主要部分圖，第5圖係顯示以同一步驟流程形成的太陽電池圖，以及第6-1~6-9圖係顯示同一太陽電池製造步驟的主要部分之步驟剖面圖。本實施例中，說明使用n型單結晶矽晶圓1n作為半導體基板時的步驟。到正背的擴散層形成步驟為止，替換擴散不純物的施體(donor)與受體(acceptor)的話，與p型單結晶矽晶圓相同。到第6-5圖為止，只是導電型相反，係與到第3-5圖為止的步驟相同的圖。從之後的第6-6圖開始說明。在此，受光面側形成p型擴散層6p的同時，在背面側形成n型擴散層4n。
使用n型單結晶矽晶圓1n時，射極為p+層，SiN(氮化矽)的正固定電化密度高，對於p+層，鈍態效果低。因此，例如成為使用氧化膜7s作為鈍態膜，使用SiN作為反射防止膜的堆疊構造。成為堆疊構造時，首先如第6-6圖所示，形成熱氧化不會對反射率帶來壞影響的數十nm以下的氧化膜7s(熱氧化步驟S108a)。此時，背面側也形成薄的氧化膜8s。
之後，如第6-7圖所示，形成SiN等的反射防止膜7(SiN形成步驟S107)。
其次，如第6-8圖所示，以熱氧化處理等的方法，只增加背面的氧化膜(熱氧化步驟S108b)，藉此在背面形成充分厚度的熱氧化膜8構成的鈍態膜。
之後，與第一實施例相同，如第6-9圖所示，印刷電極(電極印刷步驟S109)，燒成(燒成步驟110)，藉此形成第5圖所示的太陽電池。
於是，根據本實施例，可以得到製造容易且高效率的背面鈍態型太陽電池。
第7圖係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第三實施例的步驟流程主要部分圖，而第8-1~8-3圖係顯示同一太陽電池的製造步驟之主要部分的步驟剖面圖。本實施例中，與第二實施例相同，說明使用n型單結晶矽晶圓1n時省略1次氧化膜形成步驟的情況。在此也是，在受光面側形成p型擴散層6p的同時，在背面側形成n型擴散層4n。
氧化速度依賴擴散層的不純物密度。藉由對受光面與背面的不純物濃度設法，即使一次的氧化處理，也有背面與受光面可以同時形成適當的膜厚之情況。可以在受光面形成數十nm的氧化膜而在背面形成100nm左右的氧化膜之情況是不需要的，以第7及8-1~8-3圖所示的製造步驟，可以製作與第二實施例相同的太陽電池。
即，到第6-5圖所示的步驟為止，與上述第二實施例相同，但本實施例中，第1次的熱氧化步驟中，先形成必須最低限膜厚的氧化膜，不實施用以增加背面的氧化膜之第2次的熱氧化步驟S108b而形成。成為堆疊構造時，首先如第8-1圖所示，形成熱氧化不會對反射率帶來壞影響的數十nm以下的氧化膜7s以及背面的熱氧化膜8(熱氧化步驟S108)。
之後，如第8-2圖所示，形成SiN等的反射防止膜7(SiN形成步驟S107)。
於是，最後，如第8-3圖所示，與第二實施例相同，印刷電極(電極印刷步驟S109)，燒成(燒成步驟110)，藉此形成第5圖所示的太陽電池。
根據此方法，成為與背面的熱氧化膜8同時形成的受光面側的氧化膜7s用作鈍態膜，使用SiN作為反射防止膜7之堆疊構造。藉此，以一次的熱氧化步驟，可以形成對p+層也具有充分鈍態效果的膜。
第9圖係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第四實施例的步驟流程之一部分的圖，第10-1~10-8圖係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖。本實施例的特徵係第一實施例中，在用以結構化形成的蝕刻步驟S102前，在背面側形成單面光罩(S103)，且抑制在背面側形成結構化。其他與上述第一實施例相同。
根據此構成，包含不純物的膏擴散源(摻雜膏，DP)的印刷在結構化處理前實施，用作蝕刻保護光罩，藉此製作只維持背面平坦的電池。根據鈍態的觀點，有時背面平坦較理想。
如第10-1圖所示，準備p型單結晶矽晶圓1，並如第10-2圖所示，在此p型單結晶矽晶圓1的單面形成擴散保護光罩3(單面光罩形成步驟S103)。在此，擴散保護光罩3中，先導入與擴散時的不純物源不同的不純物。例如，包含P(磷)的氧化膜、包含B(硼)的氧化膜。本實施例中，以印刷法形成膜厚1μm左右的BSG膜。擴散保護光罩的形成方法為印刷法、旋轉塗佈法、CVD(化學氣相沉積)法、濺鍍法等任一方法都沒關係。又，為了防止來自光罩的不純物飛散，可以再堆疊形成不包含SG膜等不純物之光罩。
於是，擴散保護光罩3形成後，p型單結晶矽晶圓1在例如1重量%左右的氫氧化鈉水溶液中，浸泡在添加0.1重量%左右多醣類構成的添加劑的蝕刻溶液內，進行非等向性蝕刻，如第10-3圖所示在正面形成凹凸部1T並形成的結構化構造(結構化形成步驟S102)。此時，因為p型單結晶矽晶圓1的單面以擴散保護光罩3覆蓋，只對從擴散保護光罩3露出的面進行蝕刻，只有成為受光面的面，形成結構化。
之後與第一實施例相同，根據熱擴散處理，如第10-4圖所示，在p型單結晶矽晶圓1的兩面同時形成擴散層(兩面同時擴散步驟S104)。受光面的正面側形成n型擴散層6，在背面側形成p型擴散層4。在此也是，擴散源，考慮起泡液狀物並流動氣體的方法、或根據使用固體、使用氣體、旋轉塗佈產生的方法等。又，因為受光面與背面的擴散最適當溫度可能不同，藉由對熱擴散時的詳細步驟設法，可以分別成為適當的熱處理步驟。此時，受光面側表面上形成摻雜玻璃(doping glass)5，另一方面雖然背面側的擴散保護光罩3上也未圖示，但堆疊摻雜玻璃。
本實施例中也與第一實施例的情況相同，受光面上產生使用POCl3(三氯氧化磷)的熱擴散時，必要的擴散溫度在背面擴散層必須900℃左右，受光面擴散為850℃左右時，先實施高溫處理，其次流過POCl3實施低溫處理的話，可以形成各個最適當的擴散層。
其次，為了接合分離而蝕刻端部(端面蝕刻步驟S105)。例如有，堆疊(stack)晶圓，並流動CF4等的氣體的同時，實施電漿處理之方法。又，其他也有在電極形成後以雷射加工電池端部的方法等。
之後，如第10-5圖所示，以使用氫氟酸的溶液，除去擴散時形成的摻雜玻璃(摻雜玻璃除去步驟S106)。
之後，形成受光面側的反射防止膜7、與作為背面的鈍態膜的熱氧化膜8。首先，如第10-6圖所示，在受光面形成SiN等的反射防止膜7(SiN形成步驟S107)。藉由只在受光面形成SiN的狀態下，實施氧化處理，如第10-7圖所示，只有背面可以形成熱氧化膜8(熱氧化膜形成步驟S108)。
最後，如第10-8圖所示，印刷電極(電極印刷步驟S109)，燒成(燒成步驟S110)，藉此形成太陽電池。
於是，根據本實施例，可以得到背面具有平坦面，容易製造並高效率的背面鈍態型的太陽電池。
又，上述第一~四實施例中，說明關於使用單晶矽晶圓的範例，但不限定於單晶矽，使用多晶矽晶圓或化合物半導體晶圓，也可以適用於擴散型太陽電池。
如上述，根據本發明的太陽電池的製造方法，對於簡化製造工數有用，特別適於高效率且低成本的太陽電池的製造。
1‧‧‧p型單結晶矽晶圓
1n‧‧‧n型單結晶矽晶圓
1T‧‧‧凹凸部
3‧‧‧擴散保護光罩
4‧‧‧p型擴散層
4n‧‧‧n型擴散層
5‧‧‧包含擴散時形成的不純物之氧化膜
6‧‧‧n型擴散層
6p‧‧‧p型擴散層
7‧‧‧反射防止膜
7s‧‧‧氧化膜
8‧‧‧熱氧化膜
8s‧‧‧氧化膜
9‧‧‧背面側電極
10‧‧‧背面電極
[第1圖]係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第一實施例的步驟流程圖；[第2圖]係顯示以同一步驟流程形成的太陽電池圖；[第3-1圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-2圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-3圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-4圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-5圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-6圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-7圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第3-8圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第4圖]係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第二實施例的步驟流程主要部分圖；[第5圖]係顯示以同一步驟流程形成的太陽電池圖；[第6-1圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-2圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-3圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-4圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-5圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-6圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-7圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-8圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第6-9圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第7圖]係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第三實施例的步驟流程主要部分圖；[第8-1圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第8-2圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第8-3圖]係顯示同一太陽電池的製造步驟之步驟剖面圖；[第9圖]係顯示根據本發明的太陽電池製造方法的第四實施例的步驟流程圖；[第10-1圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-2圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-3圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-4圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-5圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-6圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；[第10-7圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖；以及[第10-8圖]係顯示本發明的第四實施例的製造步驟之步驟剖面圖。
S101．．．除去損傷層
S102．．．形成結構化
S103．．．形成單面光罩
S104．．．兩面同時擴散
S105．．．蝕刻端面
S106．．．除去摻雜玻璃
S107．．．形成SiN膜
S108．．．熱氧化
S109．．．電極印刷
以及
S110．．．燒成
Claims (8)
- 一種太陽電池的製造方法，上述太陽電池在半導體基板的正面及背面，具有不同導電型的擴散層，其特徵在於包括：形成步驟，為了覆蓋上述半導體基板的至少一部分的區域，形成包含不純物的擴散保護光罩；以及擴散步驟，上述半導體基板的至少一部分的區域，以包含不純物的上述擴散保護光罩覆蓋的狀態下，在含有第2不純物的不純物氣體氣氛中，實施包含熱步驟的擴散步驟，並包括同時擴散步驟，其在上述擴散保護光罩覆蓋的第1區域中形成第1不純物擴散層的同時，從上述擴散保護光罩暴露的第2區域中，形成與上述擴散保護光罩不同不純物濃度或不同導電性之第2不純物擴散層。
- 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池的製造方法，其中，形成上述擴散保護光罩的步驟，係以包含第1不純物的擴散保護光罩覆蓋上述半導體基板的背面側之步驟；以及上述擴散步驟，係在受光面側擴散第2不純物的同時，在背面側擴散第1不純物之步驟。
- 如申請專利範圍第1項所述的太陽電池的製造方法，更包括：形成鈍態膜步驟，上述擴散保護光罩用作氧化保護光罩，從上述擴散保護光罩暴露的面上，形成鈍態膜。
- 如申請專利範圍第3項所述的太陽電池的製造方法，其中，上述擴散保護光罩是形成於受光面側；以及 形成上述鈍態膜的步驟之後，更包含在上述受光面側層積反射防止膜的步驟。
- 如申請專利範圍第3項所述的太陽電池的製造方法，更包含：上述同時擴散步驟之後，在受光面側層積反射防止膜的步驟；以及在已形成上述反射防止膜的狀態進行氧化步驟而在上述半導體基板的背面形成氧化膜的步驟。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的太陽電池的製造方法，其中，形成上述擴散保護光罩的步驟，係以印刷法形成含有不純物的膜之步驟。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的太陽電池的製造方法，其中，上述半導體基板正面形成結構化構造的步驟之前，包含形成上述擴散保護光罩的步驟；以及其中，形成上述結構化構造的步驟，係除了上述擴散保護光罩形成的區域以外形成結構化構造之步驟。
- 如申請專利範圍第6項所述的太陽電池的製造方法，其中，上述半導體基板正面形成結構化構造的步驟之前，包含形成上述擴散保護光罩的步驟；以及其中，形成上述結構化構造的步驟，係除了上述擴散保護光罩形成的區域以外形成結構化構造之步驟。
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