TWI515840B - 容忍微電子元件誤置於其中之微電子組件 - Google Patents

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伊黎雅斯 莫罕默德
貝爾格森 哈巴
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英帆薩斯公司
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Description

容忍微電子元件誤置於其中之微電子組件
本申請案的主題是關於一種含有複數個微電子元件的微電子組件，並且尤其是關於一種含有經重構之微電子元件晶圓級封裝的微電子組件以及有關製造該組件的方法。
半導體晶片是一種平坦的本體，而其經設置在前方表面上的接點則是連接至該晶片的內部電路。晶片通常係經封裝以構成具有電性連接至該等晶片接點之終端的微電子封裝。然後再將該封裝的終端連接至像是電路平板的外部微電子元件。
一般說來，會希望將複數個晶片納入在一個微電子組件內。例如，該組件內的晶片可為藉裹封複數個晶片所製造之微電子封裝的一部份，而該等晶片是依照通稱為重構或嵌入晶圓級封裝的模塑結構自一半導體晶圓切割成多個個別晶片。晶片的元件接點通常具有大致均勻放射維度的形狀，像是圓形、正方形等等。此外，元件接點最好是排置在晶片前方面部上，彼此按極為細微的間距所分隔，而在一些範例中此間距通常為10-80微米。
欲納入該等重構晶片封裝的微電子組件通常含有互連結 構，此結構具有多個經排置以接觸該封裝之晶片元件接點的互連元件，藉此可令一晶片的多個元件接點彼此電性互連，或是令一晶片的元件接點接觸到該封裝之另一晶片的元件接點。由於元件接點的間距通常是非常地細微，所以在將晶片裹封於封裝內的過程中需要進行高精確度的晶片設置作業，藉此供以將晶片固定在封裝內的定位處，故而該互連結構中根據該組件之互連設計佈局所排置定位的互連元件能夠接觸到相對應晶片接點之曝出表面區域的足夠局部，俾確保其等間之電性互連的可靠度。
然具備極高精確度並且可依照常用間距以提供晶片放置作業的晶片放置設備非常昂貴。同時，即使是當運用此款設備時，亦並非總是能夠獲得可讓非常細微的互連元件(這些元件的間距可相比於晶片接點的間距)接觸到相對應晶片接點的重構封裝，藉以根據含有該封裝之微電子組件的互連設計佈局而在其等之間構成可靠的電性互連。
一種運用於微電子組件的常見互連結構為矽質中介件，此者通常可用以將晶片接點電性互連於該微電子組件中像是基板之另一元件的導體元件。該中介件的互連元件在其一表面上含有多個非常微小尺寸的微凸塊，這些是用以接觸到相對應的晶片接點；以及位在相對於該表面之表面處的多個較大導體質塊，此等可提供該等晶片接點與該基板之接點間的電性互連。該等微凸塊通常具有20微米的直徑，並且可按照例如40微米的間距而排置。然要製造包含擁有典型間距之微凸塊的中介件確為困難且成本昂貴，理由是欲形成各個微凸塊需要利用僅極為微量的焊劑，並且通常需要運用多個金屬層，像是四個或更多，藉以在該等微凸塊與該中介件之另一側上的較大質塊間構成電性互連。因此，在微電子組件內使用中介件 可能顯著地提高組件成本，同時中介件也會構成增大組件厚度的額外元件。除此之外，當運用較大尺寸的中介件時，中介件可能會在該組件內造成捲曲，而如此將不利地影響到微凸塊與晶片接點之間的連接可靠度。
同時，可利用含有多個晶片的晶圓或其局部來製造含有多個晶片的微電子組件。在通常情況下，欲將多個晶片納入在一微電子組件之內會需要佔用到晶圓中的較大或是整體範圍，使得直徑的尺寸需約為20mm或更大。不過，這種尺寸的晶圓可能會具有較大的捲曲度，故而導致晶片接點的曝出表面區域並非位在相同的平面內。因此，像是中介件之微凸塊的互連元件對於晶片的元件接點之曝出表面區域足夠局部的接觸可能就會由於晶圓捲曲問題而難以達到。從而，含有這些大尺寸晶圓之微電子組件的製造方式對於在晶片接點與微電子組件之其他導體元件間擁有可靠電性互連的微電子組件會具有非常低的良率。
因此，業界希望能夠改善含有複數個微電子元件之微電子組件的生產作業，而對於像是該組件內所含之重構晶圓級封裝裡的微電子元件誤置能夠具有較高的容忍度。
根據一實施例，一種微電子組件可含有至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，此面部在一模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，其中該等微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該等元件接點各者在一平行於該共同平面的第一方向上具有第一維度，並且在一平行於該共同平面的第二方向上具有第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，同時該第一維度為該第二維度的至少兩倍。 此外，該組件可含有一介電層，此者係沿該等第一及第二微電子元件各者的前方面部延伸，並且延伸至一位於該等第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的中間表面上。更進一步，該組件可含有一導體重分佈層，此層含有第一及第二導體通孔，該等通孔穿過該介電層而個別地延伸至該等第一及第二微電子元件的第一及第二元件接點，該等第一及第二導體通孔各者在第三方向上具有第三維度並且在第四方向上具有第四維度，該第四方向為橫越於該第三方向和該第一方向，同時該第四維度大於該第三維度。
根據另一實施例，一種微電子組件可含有至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，此面部在一模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，其中該等微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該等元件接點各者在一平行於該共同平面的第一方向上具有第一維度，並且在一平行於該共同平面的第二方向上具有第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，同時該第一維度為該第二維度的至少兩倍。此外，該組件可含有一介電層，此者係沿該等第一及第二微電子元件各者的前方面部延伸，並且延伸至一位於該等第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的中間表面上。更進一步，該組件可含有一導體重分佈層，此者含有一經設置於該介電層之開口內的導體局部，該局部具有均勻深度且自該第一微電子元件延伸至該第二微電子元件，該導體局部含有一接觸到該第一微電子元件之第一元件接點的第一導體局部，一接觸到該第二微電子元件之第二元件接點的第二導體局部，以及一自該第一導體局部延伸至該第二導體局部的中間導體局部，並且其中該等第一及第二導體局部在第三方向上具有一第三維度並且在第四方向上具有一第四維度，該第四方向為 橫越該第三方向和該第一方向，同時該第四維度大於該第三維度。
根據另一實施例，一種用以製作微電子組件的方法可包含提供一模塑結構，此結構含有至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，此面部在一模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，該等微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該等元件接點各者在一平行於該共同平面的第一方向上具有第一維度，並且在一平行於該共同平面的第二方向上具有第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，該第一維度為該第二維度的至少兩倍。此外，該方法可包含圖案化延伸穿過一介電層的第一及第二導體通孔，該介電層係沿該等第一及第二微電子元件各者的前方面部延伸，並且延伸至一位於該等第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的中間表面上，而至該等第一及第二微電子元件的第一及第二元件接點，該等第一及第二導體通孔各者在第三方向上具有一第三維度且在第四方向上具有一第四維度，該第四方向橫越該第三方向和該第一方向，同時該第四維度大於該第三維度。
10‧‧‧微電子組件
12‧‧‧微電子元件
12A‧‧‧微電子元件
12B‧‧‧微電子元件
16‧‧‧半導體晶圓
18‧‧‧鋸道或鋸帶
20‧‧‧前方表面面部
22‧‧‧後方表面面部
23‧‧‧第三邊緣
24‧‧‧第一邊緣
25‧‧‧第四邊緣
26‧‧‧第二邊緣
28‧‧‧晶片接點
28A’‧‧‧晶片接點
28A”‧‧‧晶片接點
28B’‧‧‧晶片接點
28B”‧‧‧晶片接點
30‧‧‧接點前方表面
32‧‧‧臨時載具
34‧‧‧載具表面
36‧‧‧裹封物
38‧‧‧主要平面表面
39‧‧‧平面表面局部
40‧‧‧模塑結構
42‧‧‧介電材料層
43‧‧‧表面
44‧‧‧光阻層
45‧‧‧表面
47‧‧‧側邊邊緣
50‧‧‧導體重分佈層
60‧‧‧開口
62‧‧‧開口
62A‧‧‧開口局部
62B‧‧‧開口局部
70‧‧‧通孔
70A’‧‧‧通孔
70B’‧‧‧通孔
71‧‧‧導體局部
72‧‧‧導體局部
72A”‧‧‧導體局部
72B”‧‧‧導體局部
76‧‧‧導體跡線
77‧‧‧導體跡線
77A’‧‧‧導體跡線
77B’‧‧‧導體跡線
78‧‧‧導體跡線
78A’‧‧‧導體跡線
78B’‧‧‧導體跡線
79‧‧‧導體跡線
81‧‧‧導體局部
83‧‧‧導體局部
83’‧‧‧導體局部
83’‧‧‧-G維度
83’‧‧‧-H維度
90‧‧‧焊墊
92‧‧‧導體跡線
93‧‧‧介電層表面
94‧‧‧介電層
95‧‧‧導體通孔
96‧‧‧覆層表面
150‧‧‧導體質塊/焊球
152‧‧‧導體焊墊
160‧‧‧基板單元
162‧‧‧表面
165‧‧‧焊墊
166‧‧‧底部填料
167‧‧‧導體質塊
168‧‧‧表面
190‧‧‧導體焊墊
300‧‧‧微電子組件
312‧‧‧微電子元件
320‧‧‧前方面部
336‧‧‧裹封物
340‧‧‧模塑結構
350‧‧‧導體通孔
400‧‧‧微電子組件
420‧‧‧第二或背側導體重分佈層
440‧‧‧模塑結構
450‧‧‧導體通孔
460‧‧‧微電子封裝
475‧‧‧質塊
600‧‧‧系統
606‧‧‧微電子組件
608‧‧‧其他電子元件
610‧‧‧其他電子元件
611‧‧‧機殼
612‧‧‧電路面板
614‧‧‧導體
616‧‧‧透鏡
CP‧‧‧共同平面
MP-A‧‧‧中點
MP-G‧‧‧中點
7D-7D‧‧‧截面線
圖1A、1B及1C說明，根據本揭示之一實施例，一種製造含有複數個微電子元件的模塑結構之方法中的多個階段。
圖2為，根據本揭示之一實施例，一示範性微電子元件的外觀視圖。
圖3-4說明，根據本揭示之一實施例，一種製造含有複數個按逐側方式所排置之微電子元件的模塑結構之方法中的進一步多個階段之概略截面視圖。
圖5及6說明，根據本揭示之一實施例，一種製造含有模塑結構的微電子組件而複數個微電子元件係按逐側方式所排置之方法中的多個階段之概略截面視圖。
圖7A、7B及7C為，根據本揭示之一實施例，一微電子組件之局部在一製造含有模塑結構的微電子組件而複數個微電子元件係按逐側方式所排置之方法中的多個階段之外觀視圖。
圖7D為該組件之局部依圖7C中沿截面線7D-7D所採而顯示的概略截面視圖。
圖7E為，根據本揭示之另一實施例，一微電子組件之局部的概略截面視圖。
圖8為，根據本揭示之一實施例，一接觸到重分佈層的導體局部之晶片的概略平面視圖。
圖9A-9E為，根據本揭示之實施例，一令重分佈導體層的導體局部在不同設置位置處分別地接觸到元件接點之晶片元件接點的概略平面視圖。
圖10為，根據本揭示之一實施例，說明一微電子組件之相鄰晶片的元件接點間之互連的示範性概略平面視圖。
圖11為，根據本揭示之一實施例，一微電子組件之局部在面朝重分佈層之方向上的概略平面視圖。
圖12為如圖11所示之微電子組件局部的展開概略平面視圖。
圖13為，根據本揭示之一實施例，一接觸到重分佈層的導體局部之晶片接點元件的概略平面視圖。
圖14為，根據本揭示之一實施例，一微電子組件的概略截面視圖。
圖15為，根據本揭示之一實施例，一微電子組件的概略截面視圖。
圖16為，根據本揭示之一實施例，一微電子組件的概略截面視圖。
圖17為一根據本揭示實施例之系統的略圖描述。
根據本揭示之一實施例，可製造一種含有多個像是半導體晶片而在一模塑結構40中按逐側方式所排置之微電子元件12的微電子組件10，即如圖1-7所示。各個晶片可具體實作複數個主動裝置(即如電晶體、二極體等等)、複數個被動裝置(即如電阻器、電容器、電感器等等)，或是主動裝置和被動裝置兩者。一般說來，至少一晶片可具體實作主動裝置或是主動及被動裝置兩者。各個晶片可為與該模塑結構中之其他晶片相同的類型，或者這些晶片可為不同類型。
在特定的實施例中，該等晶片的一或更多者可經組態設定以具有作為即如可程式化通用或特殊目的處理器、微控制器、現場可程式化閘器陣列(FPGA)裝置、特殊應用積體電路(ASIC)、數位信號處理器等等之用的主要功能。在此實施例裡，該組件10內的一或更多其他晶片可經組態設定以具有作為除了邏輯晶片以外的主要功能。例如，一或更多邏輯晶片可為合併於一或更多在「系統級封裝(SIP)」組態中具有主要記憶體功能的儲存陣列晶片。這種記憶體儲存陣列晶片可包含揮發性記憶體儲存陣列，即如動態隨機存取記憶體(DRAM)、靜態隨機存取記憶體(SRAM)；非揮發性記憶體儲存陣列，像是快閃記憶體或磁性隨機存取記憶體(MRAM)；或是揮發性與非揮發性儲存陣列的組合。在特定的實施例裡，將邏輯功能及大致其他功能，即如大致記憶體功能，合併在相同晶片上的「晶片上系統(SOC)」 可為合併於該微電子組件10的一或更多額外晶片。
現參照圖1A，一半導體晶圓16或其局部可含有複數個晶片12。該晶圓16可為按圓形晶圓的形狀，同時最好是含有眾多沿正交軸線對齊的晶片12橫列，其中該等晶片是利用傳統半導體處理技術整合於該晶圓16上的另一者所構成。鄰接的晶片在邊緣處彼此接附且形成鋸道或鋸帶18，而該晶圓可沿此切割然不致對個別晶片造成損傷。現參照圖1B，可在該等鋸道18處切割含有該等積體晶片12的晶圓16以獲得個別晶片12。
現參照圖2，此圖說明自該晶圓16所切出之一示範性晶片12的外觀視圖，該晶片12可具有一前方表面面部20、一相反於該前方表面面部20的後方表面面部22、相對且在該等前方與後方表面之間延伸的第一及第二邊緣24和26，以及相對且在該等前方與後方表面之間延伸的第三及第四邊緣23和25，其中該等邊緣24和26為橫越並可正交於該等邊緣23和25。多個元件或晶片接點28可曝出於該晶片12的前方面部20處，並且可為電性連接至該晶片12之內的電路或其他導體元件(未予圖示)。
即如本揭示所使用者，若金屬特性可連取至一接點或施用於一表面的連附材料，則可將導電特性視為是「曝出於」此表面處，像是構成一半導體晶片之頂部或前方表面的表面。因此，自該表面所投射或該表面所佈設的金屬特性係曝出於此表面處；然經設置於一延伸至該表面的金屬層中，像是介電層，之孔洞裡或與其對齊的凹入導體特性亦為曝出於此表面處。
該等接點28可含有鋁質或銅質。在該晶片前方面部20處所曝出之接點28的前方表面30可覆蓋以金屬或其他導電材料，此者可在後續 的處理過程中保護該接點28不受損傷，像是如後文所述在疊覆該晶片前方面部之介電材料的雷射處理過程中可能出現的傷害，而同時可讓該接點能夠經由覆蓋該接點的導電材料以電性連接於其他的導電材料或元件。請參見2011年8月1日申審之美國專利申請案第13/195,187號案文，茲依參考方式併入本案。
現參照圖2，該等接點28的前方表面30可具有在一第一方向上延伸的第一維度A以及在一橫越該第一方向之第二方向上延伸的第二維度B。在一實施例裡，該晶片12之各個元件接點28的前方表面30可具有相同的維度，並且該等接點可為依照一預定間距排置在該晶片的前方面部上。此外，該模塑結構40中所含有的各個晶片12可為自相同晶圓16或另自不同晶圓所切出，同時可具有相同維度之前方表面的接點，並且該等接點是按照相同間距分別地排置在該等晶片的前方面部上。
現參照圖2，圖中參照於一x-y座標系統以說明該晶片12接點28之前方表面30的示範性排置，此座標系統的x及y軸為彼此正交，並且與其中該晶片之前方面部20延展的平面相平行地延伸。在後文中，此x-y座標系統是關聯於伴隨圖7-10及13說明之文字而參照，藉此敘述該等晶片接點相對於該微電子組件10中一導體重分佈層50之導體局部的定位。即如在後文中所詳述，該重分佈層50的導體局部是按照該組件10的預定重分佈層互連布局所組態設定且排置，藉此接觸到並提供對於該組件10之晶片12各個接點28的可靠電性互連。現再度參照圖2，對於該晶片上的各個接點28，該前方表面30具有平行於y軸而延伸的第一維度A以及平行於x軸而延伸的第二維度B。根據本發明，該維度A可相對於該維度B而延長， 並且在一實施例裡，可為該維度B之長度的至少兩倍。在一實施例裡，該前方表面30具有一大致為長方形的曝出表面區域，同時該維度A為15微米且該維度B為5微米。為便於參照，在後文中當述及該等接點或該重分佈層50之導體局部的維度時，應瞭解該等維度為其曝出表面區域。
現仍參照圖2，可根據一間距以將該晶片上的元件接點排置在該晶片上，此間距具有在平行於y軸之方向上延伸的長度C以及在平行於x軸之方向上延伸的長度D。在一實施例裡，C及D可分別為20微米和40微米，並且該晶片可具有約14,000個依照該間距所排置於其上的元件接點。此外，該晶片12的邊緣24、26可在平行於y軸的方向上具有維度E，並且邊緣23、25在平行於x軸的方向上可具有維度F。在一實施例裡，E等於10mm且F等於30mm。
現參照圖1C及圖3，個別的切出晶片12各者最好具有相同維度的元件接點並且是按照相同的預定間距排置在該晶片的前方面部上，同時可利用像是撿拾放置機具的傳統晶片放置設備按照逐側排置之方式將其等放置在一臨時載具32上，而該等晶片的前方面部20是面朝該載具32的一表面34。在一些實施例裡，放置在該載具32上的晶片12則可具有根據複數個不同間距所排置的接點，其中這些不同間距是位於一預定的間距範圍內。該載具平板32可為由介電材料或玻璃所構成。可利用一層黏著劑(未予圖示)以將該等晶片維持在該表面34上由該晶片放置設備放置這些晶片的位置處。例如，此黏著劑層可為流動性黏滯或膠黏(部份地固化)黏著劑，並且在將該等晶片放置在該載體表面上之前先予塗佈於該等晶片的前方面部。該黏著劑層可含有晶粒接附黏著劑，並可為針對於相符性、導熱 度、溼氣或其他污染物的滲透度等性質或是此等性質的組合所選定。或另者，該黏著劑層可為按液體形式沉積在該載具的表面34上，而然後再令該等晶片12接附於該載具上的黏著劑層。圖3雖顯示三個晶片12，然應瞭解確可依照製造含有複數個晶片之模塑結構的需要在一載具的表面上按逐側方式排設任意數量的切出晶片。
現參照圖4，在利用黏著劑將晶片放置在該載具32的表面上之後，即可在該後方面部22及該載具32上構成一平面化裹封物36。該裹封物36通常會環繞該等晶片12各者的邊緣24、26及邊緣23、25(圖2)，並且是構成在該表面34中延伸離於該等晶片12之邊緣23、24、25及26的未經覆蓋局部上。其內嵌入有晶片的裹封物36可構成該模塑結構40。
該裹封物36係自外部環境保護被裹封的部件，並且可含有介電材料或具有絕緣性質的樹脂。在一實施例裡，該裹封物可為由一模製處理所構成，如此形成一相隔且平行於該等晶片12之後方表面22的主要平面表面38；以及多個平面表面局部39，此等相反於該表面38，沿該表面34之未覆蓋局部延伸離於該等晶片的邊緣，並且平行於該表面38。該平面表面38可延伸離於沿該載具上的逐側式晶片排置外部週緣所設置之該等晶片的邊緣。在該模塑結構40裡，該等個別晶片的前方面部20可位於一共同平面(CP)內。而在構成該裹封物36之後，即可藉由像是磨砂、蝕刻等等技術以移除該載具平板32，藉此獲得該模塑結構40本身。
在構成該裹封物36之後，該等晶片於該模塑結構40內的位置，且因此元件接點在個別晶片之前方面部處的位置，即告固定。個別晶片之元件接點相對於所欲位置的定位(其中該等所欲位置係基於應納入該模 塑結構之微電子組件的互連佈局)是按照在模製過程中將晶片放置在載具上的正確度而定。該模塑結構內之個別晶片的接點可或無須為固定位置處，只要提供足夠的元件接點前方表面區域以接觸到用於實作該組件之互連佈局的相對應導體元件，而使得能夠確保在元件處的可靠電性連接即可。即如後文所詳述，根據本發明，一模塑結構內所含有的晶片之元件接點的維度和間距，以及一微電子組件的導體重分佈層中應與相對應元件接點相接觸之導體局部的維度，可有利地提供對於該模塑結構內之晶片誤置(並因此個別晶片之元件接點誤置)的容忍度。按此方式，在該模塑結構內可將個別晶片的元件接點設置在某個位置範圍處，並且仍能在該等元件接點與接觸到該等元件接點的相對應導體局部之間提供可靠的電性連接。
現參照圖4及5，在移除該載具32之後，即可翻覆該模塑結構40而使得該等晶片的前方面部為朝上設置。可構成一像是介電保護層的介電材料層42，而該介電材料層可被形成具有一表面43覆蓋該等晶片12的前方面部20以及該裹封物36的表面局部39並沿此等延伸，同時具有相反於該表面43的表面45。
即如本揭示中所使用者，像是「朝上」、「朝下」、「垂直地」及「水平地」的詞彙應解讀為是指所標定之元件的參考框架而無須符合於一般的重力參考框架。同時，為便於參考，本揭示中所陳述的方向是參照於該模塑結構40之晶片12的「前方」面部，即如圖5中所示者。一般說來，稱為「朝上」或「升起於」的方向是指正交於且遠離於該等晶片12之前方表面的方向。而稱為「朝下」的方向則是指正交於該等晶片12之前方面部且相反於該朝上方向的方向。「垂直」方向是指正交於該等晶片之前方面部 的方向。該詞彙「位居一參考點的上方」是指該參考點上方處的某一點處，並且該詞彙「位居一參考點的下方」是指該參考點下方處的某一點處。任何個別元件的「頂部」是指該元件在朝上方向上延伸最遠的單一或多個點處，同時任何個別元件的「底部」是指該元件在朝下方向上延伸最遠的單一或多個點處。
根據本發明，一導體層，即如一導體重分佈層50，可為構成於該等晶片的前方面部上，並且在該介電層42的開口內含有多個導體局部，而此等局部具有依照一微電子組件之預設導體層或重分佈層佈局的預定維度和預定排置方式。只要將這些具有依照該重分佈層之預定維度和預定間距的元件接點設置在預定的元件接點誤置容忍度之內的位置處，而該容忍度是根據該重分佈層所決定，該等導體局部就能接觸到該模塑結構的相對應元件接點以於該等之間提供可靠的電性連接。此預設元件接點誤置容忍度是對應於該等元件接點相對於元件接點為接觸到相對應導體局部之理想或「完美」設置的位置而移離，然仍能提供接觸於相對應導體局部以在該等之間形成可靠電性連接的位置。後文中將參照圖7-13與示範性模塑結構40以說明根據該重分佈層的預設誤置容忍度。應注意的是，當該等晶片的元件接點是設置在該模塑結構40內，故而缺少該重分佈層之至少一導體局部與該等晶片其一者中按照該重分佈層佈局之元件接點間的電性連接時，就可能無法達到該等組合運作之晶片的預定功能性。
在一些實施例裡，該導體重分佈層50可含有多個導體局部，此等局部是在平行於該等晶片的前方面部之方向上(像是在沿該等晶片之前方面部且沿該裹封物之表面局部39延伸的介電層42開口內)而延伸； 以及多個導體局部，此等局部是沿該介電層42的表面45而延伸。該等導體局部具有根據特定於包含該模塑結構40的微電子組件之重分佈層佈局的維度與排置方式。
在一實施例裡，該介電層42的介電材料可為無機性，像是氧化物或氮化物。在此實施例裡，可藉由首先在該介電層42上塗佈一光阻層44，即如圖6所示者，選擇性地移除該覆層44的局部以露出該介電層的選定局部，然後再蝕刻該被露出的介電層範圍以在該介電層42內形成開口60和62，即如圖7A所示者，藉此在其內構成位於所欲位置處且具有所欲維度的開口。應瞭解確可運用任何傳統微影蝕刻技術以在該介電層內選擇性地構成延伸至該等晶片之前方表面20或是該裹封物之表面局部39的開口。在一實施例裡，可藉由削切處理，像是雷射、沖鑽或蝕刻該介電物，以構成該介電層內的開口，同時可無需施用光阻層。在另一實施例裡，其中該介電物為光敏性材料，即如常用於電子元件上以作為焊燒遮罩之類型的光敏材料，則可藉由光影圖案化該介電物以形成該等開口。
現參照圖7A、7B及7C，此等圖式顯示如圖6的模塑結構40其一局部在經處理以於該介電層42內構成開口之後的外觀視圖，該介電層42可含有一開口60，此開口係至少部份地沿該元件接點28的前方表面30延伸並且具有一在與x軸平行之方向上延伸的主要維度。該重分佈層50中按照金屬化通孔70之形式的一導體局部可為構成在該開口60內，以具有與該開口60相同的維度。此外，參照圖7D，該重分佈層50可含有一導體跡線76，此者是由沿該介電層43之表面45延伸的導體跡線77和78所形成。該導體跡線77可為接觸於該導體通孔70，並且在負x軸的方向上自該 通孔70延伸。該導體跡線78則可在正y軸方向上自該跡線77延伸。該導體跡線77可具有一第一維度，此維度是在與該通孔70維度G延伸之方向平行的方向上延伸；以及一第二維度，此維度橫越於該第一維度延伸並且可與該通孔70的維度H相平行。
此外，可在該介電層42中的開口62之內構成該重分佈層50的一導體局部71。該導體局部71在沿其長度上可具有均勻深度，並且含有一導體局部72，而此局部則是至少部份地沿該開口62中開口局部62A內之元件接點28的前方表面30延伸，同時具有一主要維度，此維度在平行於x軸的方向上延伸，以及一導體局部81，此局部是在平行於y軸的方向上自該開口局部62A沿該開口62中開口局部62B內之晶片12的前方面部延伸。該導體跡線78和該導體局部81各者可具有一寬度L，此寬度為橫越於此等元件之主要維度沿該介電層表面延伸的方向，而其中L為至少約一微米。
該重分佈層50的導體局部可為透過像是光影蝕刻樣式化等等技術所構成，藉以沿該等晶片的前方表面和該裹封物的表面局部39，或是沿該介電層的表面45，延伸。在一實施例裡，可藉由例如導體材料或導體矩陣材料之電鍍或無電金屬鍍置或沉積的沉積處理，或是藉由選擇性地利用一模版將導體膏劑印刷至開口內以依照像是導體通孔的形式俾構成該導體局部，來構成該介電層內之開口中的導體局部。該等導體局部可具有一或更多個別的金屬覆層，同時可為由鎳、金、銅，或者是鎳與銅或鎳與金或者其他金屬的組合，所構成。在一實施例裡，該介電層表面上之導體局部的構成方式則可為藉由在整個表面上塗佈一種源層；施用一光阻層並且圖案化該光阻層；根據該圖案化光阻層以在一些選定局部處移除該種源 層，如此使得在應於該介電層表面上構成該等導體跡線的局部處以及在先前構成的導體通孔上該種源層維持不變；並且接著進行電鍍處理以在該等種源層局部上形成該導體材料。
在一實施例裡，該等通孔70以及導體局部72、81可為同時地藉由相同的金屬沉積作業所構成。此外，該等導體局部77、78以及在該介電層42表面上所構成的任何其他導體局部可為同時地藉由相同的金屬沉積作業所構成。
為說明根據本發明含有該模塑結構40之微電子組件10的重分佈層所提供之誤置容忍度，現參照圖8以說明一示範性重分佈層。參照圖8以及圖7B和7C，該等導體通孔70和該等導體局部72各者可具有一在平行於x軸之方向上延伸的維度G，以及一在平行於y軸之方向上延伸的維度H，其中該維度G大於該維度H，該等維度A和G為正交並且該等維度B和H為正交。此外，該等維度G和A為相同，該等維度B和H為相同，而且該維度A為該維度B的三倍。更進一步，例如該元件接點的維度A和B分別為15微米及5微米，該等接點之間距的維度C和D分別為20微米及40微米，而且該跡線78和該導體局部81的寬度L約為一微米。同時，對於一導體局部所需以確保其間之可靠電性互連的元件接點最小接觸面積為z2，其中z是該維度A的三分之一。
圖9A-9E說明，根據該示範性重分佈層佈局，一晶片之元件接點28相對於該重分佈層之相對應導體局部(通孔70或局部72)的示範性位置範圍，如此可供該等元件接點足夠地接觸到相對應的導體局部，故而能夠獲得其等之間的可靠電性互連，即使按照該重分佈佈局出現接點元件離 於理想設置位置的誤置情況亦然。該位置範圍，亦即該誤置容忍度，是按照重分佈佈局所定，而此佈局對於該微電子組件定義該重分佈層之導體局部的維度和排置方式以及該等晶片之元件接點的維度與間距。對於該示範性重分佈佈局，在該模塑結構40的構成過程中，該等晶片可在x及y軸各者的方向上離於完美設置位置而被誤置達z的距離，即5微米。圖8及9A顯示為完美設置位置，其中，在該組件的厚度方向上，該元件接點之維度A的中點MP-A是對齊於該通孔70之維度G的中點MP-G。圖9B-9E說明該等接點之位置誤置的程度，這是位於該組件之重分佈佈局的誤置容忍度內。在圖9B-9E中，該元件接點的中點MP-A在x及/或y軸方向上是設置在離於該中點MP-G不超過距離z，或5微米，處。當將晶片放置在該模塑結構40內使得該等接點的中點MP-A在x及/或y軸方向方向上離於相對應導體局部的中點MP-G移位不超過5微米時，而這些導體局部是設置在按照該重分佈佈局的完美設置位置處，該等接點就會位於誤置容忍度內。在此條件下，該元件接點上足夠的前方表面面積，亦即25平方微米的面積(z2)，會接觸到相對應的導體局部(通孔70)，藉以在其等之間提供可靠的電性接觸。因此，對於該示範性重分佈佈局來說，該晶片可在該模塑結構中在x及/或y軸方向上離於完美設置位置誤置達5微米，並且仍能對該組件10獲得該接點元件與該導體局部之間的可靠電性互連。現參照圖8，對於該示範性佈局，並假設佈局提供該等接點元件28應為相對於該等導體通孔70而設置使得該元件28的維度A正交於該導體通孔70的維度G，則該接點元件28可為相對於該導體通孔70而放置同時又仍在該誤置容忍度之內的位置範圍可包含位在一(i)B與兩倍z的總和及(ii)A與兩倍z的總和之乘積的區域裡 之位置。
圖10說明一示範性微電子組件實施例，其中該模塑結構40的晶片12A及12B具有按照前文參照圖8所述的示範性佈局之維度的接點，並且是相對於如該示範性佈局所述的理想設置位置而誤置地裝設，其中該誤置是在該示範性佈局的誤置容忍度內。例如，該晶片12A的接點可在正x及y軸方向上相對於一理想設置位置被誤置x1和y1的距離，同時該晶片12B的接點可分別地在正y軸方向上和在負x軸方向上相對於一理想設置位置被誤置x2和y2的距離，其中x1、y1、x2及y2各者小於z。此外，該重分佈層50可為構成故而導體局部可將該晶片12A的元件接點28A’電性互連於該晶片12B的元件接點28B’，其中包含：一導體通孔70B’，此者接觸於該接點28B’並且具有在x軸方向上延伸的維度G；一導體跡線77B’，此者在負x軸方向上自該通孔70B’沿該介電層的表面45延伸；一導體跡線78B’，此者在正y軸方向上自該跡線78B’沿該介電層的表面45延伸至該晶片12B的邊緣26；一導體跡線79，此者自該晶片12B的邊緣26沿該介電層的表面45延伸至該晶片12A的鄰接邊緣24；一導體跡線78A’，此者在正y軸方向上自該跡線79沿該介電層的表面45在該晶片12A的前方面部上延伸；一導體跡線77A’，此者在正x軸方向上自該跡線78A’沿該介電層的表面45延伸；以及一導體通孔70A’，此者在正x軸方向上自該跡線77A’沿該晶片12A的前方面部延伸以接觸到該元件接點28A’。
在一實施例裡，該跡線78A’可在正y軸方向上離於該表面45上的通孔70A’而延伸至一亦位於該表面45上的焊墊90，其中該焊墊90為該重分佈層50的一部份。此外，可將該重分佈層50的焊墊90設置在 該等晶片12A及12B之鄰接邊緣間且接觸到該跡線79的表面45上。
又參照圖10，一位於該晶片12A之元件接點28A”與該晶片12B之元件接點28B”間並且由該重分佈層50之局部所構成的電性互連可包含：一導體局部72B”，此者接觸到該接點28B”並且具有在與x軸平行之方向上延伸的維度G；一導體局部81B”，此者在正y軸的方向上沿該晶片12B的前方面部自該局部72A”延伸至該晶片12B的邊緣；一導體局部83，此者自該晶片12B的邊緣26沿該裹封物的表面局部39延伸至該晶片12A的邊緣24；一導體局部81A”，此者在正y軸的方向上自該晶片12A的邊緣24沿該晶片12B的前方面部延伸；以及一導體局部72A”，此者自該局部81A”在正x軸的方向上沿該晶片12B的前方面部延伸以接觸到該元件接點28A”。
在一些實施例裡，該重分佈層50可含有一位在該介電層中之開口內的導體局部或是一位於該介電層之表面上的導體跡線，該者分別地自一導體通孔或另一導體跡線在橫越且非正交於該導體通孔或該另一導體跡線主要維度所延伸之方向的方向上延伸。例如，參照圖10，一導體局部83’可具有一主要維度83’-G，此維度是在除了平行於x軸之外的方向上延伸。同時，該維度83’-G可在除了平行於x和y軸兩者之外的方向上延伸，而且該局部83’的維度83’-H可按非正交角度在橫越該維度83’-G的方向上延伸。
在一實施例裡，該焊墊90可具有一平行於該晶片之前方表面延伸而在20到150微米之間的維度。在另一實施例裡，該焊墊90可具有與該重分佈層50之導體跡線相同而且沿該介電層之表面45延伸的寬度維 度。
應瞭解該等元件接點的維度與間距以及該重分佈層用以接觸到該等元件接點之導體局部的維度與排置方式可為根據重分佈佈局而改變，其中該維度A為B的至少兩倍並且該維度G超過該維度H，即如前文所述，藉以對於微電子組件提供較小或較大的誤置容忍度。
在一實施例裡，參照圖8，該重分佈佈局可確保一元件接點與接觸到該元件接點之相對應導體局部間的可靠電性互連，其中該元件接點的位置在x軸及/或y軸至少一者之方向上相對於完美設置位置係經誤置達在該x軸及/或y軸方向上大於該元件接點間距之20%而低於100%的程度。而在進一步實施例裡，誤置容忍度則可供元件接點在x軸及/或y軸至少一者之方向上相對於完美設置位置被誤置達在該x軸及/或y軸方向上該元件接點間距之80%的程度。
現參照圖13，在一微電子組件之重分佈佈局的實施例裡，該等元件接點28可為排置在晶片的前方表面上，使得當該重分佈層係經塗佈於該等晶片的前方面部上時，該等元件接點28的維度A會按一α與β之間的角度橫越於相對應導體通孔70的維度G而延伸，其中α為30度且β為60度。此外，即如圖13所示，對於晶片12的各個接點28，維度A及B可為橫越地然非彼此正交地延伸。同時，該重分佈層之導體通孔70的維度G及H亦可為橫越地然非彼此正交地延伸。
在另一重分佈佈局實施例裡，該等元件接點在x及y軸各者的方向上可具有20微米的間距，並且該等元件接點的維度A和B可為15及5微米，藉此令該等元件接點的長度對寬度縱橫比成為3。或另者，在另 一重分佈佈局的實施例裡，該等接點在x及y軸各者方向上的間距為20微米，該等元件接點的維度A和B分別為18及1微米，同時該等導體通孔70可具有一微米的維度H。在一進一步實施例裡，根據一重分佈佈局，該等元件接點在x及y軸各者方向上的間距可為100微米，而且該等元件接點的維度A和B可分別為90及10微米。
在一實施例裡，由一重分佈佈局所提供的誤置容忍度可供在該等元件接點之間距的方向上達五微米的誤置。此誤置容忍度可供有利地運用較為價廉的傳統封裝設備或表面黏著技術(SMT)處理設備以製造含有多個晶片的模塑結構，而不致對含有該模塑結構之微電子組件的可靠度造成影響。
現參照圖7E，在另一實施例裡，用於一微電子組件的重分佈佈局可含有多個導體局部71、導體跡線76及導體通孔70，即類似於前文所述者(參見圖7D)，同時也含有導體跡線92，此等沿一介電層94的表面93延伸；以及導體通孔95，此等自該等跡線92延伸穿過該覆層94而至該覆層94的表面96，此表面相反於該表面93並且面朝該介電層42的表面45。在一些實施例裡，該通孔95可在該表面93處自該跡線92延伸至一導體局部81，或另者延伸至一導體跡線76或導體通孔70，藉此提供該導體跡線92與該晶片12之元件接點28間的電性互連。該等導體跡線92與該等通孔95可為類似如前文所述之跡線76及通孔70的方式構成。
圖11及12說明一微電子組件所含的模塑結構內之晶片12的示範性排置平面視圖，其中根據該組件的重分佈佈局，一重分佈層的導體通孔70接觸到鄰接晶片12A及12B的相對應元件接點，並且該重分佈層 的跡線77、78及79電性互連於該等鄰接晶片12A、12B的通孔70，使得一晶片的接點為電性連接於另一晶片的接點。在此實施例裡，相鄰的導體跡線78及79可具有一微米的線路寬度而且彼此之間相隔約一微米。
現參照圖14，在一實施例裡，該微電子組件10可根據一重分佈佈局含有模塑結構40及該重分佈層50，並且該覆層50的焊墊90可沿該介電層(未予圖示)的表面45位於選定位置處。在此實施例中，該模塑結構40係按覆晶指向所排置，因此該等晶片12的前方面部是面朝該組件10中所含有之基板單元160的表面162，其中該表面162含有導體焊墊152。該等焊墊90的位置是對應於像是焊球150的導電連附材料質塊能夠接合該等焊墊90以及該表面162上之相對應焊墊152的位置。此外，底部填料166可填入該模塑結構40的相遇面部間之導體質塊與該基板單元160之間的空間內，同時環繞該模塑結構40之側邊邊緣47的多個局部。因此，該等導體質塊150可藉由該底部填料166彼此電性絕緣，並且將該模塑結構之晶片的接點28電性互連於該基板單元內的電路(未予圖示)。從而，該重分佈層50可作為離出該組件10內之模塑結構40的晶片之接點28的扇出，藉以達到該模塑結構之微電子元件12的接點28與另一微電子結構，像是該基板單元160，之間的電性互連，而後者結構可為一印刷電路板等等，具有像是焊墊152而擁有大於該等元件接點28之維度的接點。
在一實施例裡，該導體材料質塊可為在該基板單元160之表面162的曝出焊墊152上所提供的焊燒物或金質。該等導體質塊150可含有具有相對較低熔點溫度的可熔金屬，即如焊料、錫質或是包含複數種金屬易熔混合物。或另者，該等導體質塊150可包含具有高於焊料或其他可熔 金屬之熔點溫度的可熔化金屬，即如銅質或是其他的貴金屬或非貴金屬。此可熔化金屬可為接合於相對應特性，即如一電路板的可熔金屬特性，藉以將該微電子組件外部互連至此電路板。在一特定實施例裡，該等導體質塊150可含有散置於一介質之內的導體材料，即如導體膏劑，像是金屬填充膏劑、焊料填充膏劑或是各向同性導體黏著劑或各向異性導體黏著劑。
在一些實施例裡，該基板單元160可含有焊墊165，此等位在一相反於該表面162的表面168上。該等焊墊165可為電性連接於該基板單元160之內的電路(未予圖示)，並經組態設定以使得能夠在該等焊墊165上供置導體質塊167。例如，該等質塊167可令該等焊墊165電性互連於面朝該表面168之另一微電子元件，像是印刷電路板等等(未予圖示)，的焊墊，藉以經由該基板單元160及該等質塊150和165提供另一微電子元件與該晶片12的電性互連。
現參照圖15，在另一實施例裡，一微電子組件300可含有一具有多個晶片12的模塑結構340，其等接點是由一導體重分佈層50以及連接該覆層50之焊墊90和該基板單元160之焊墊152的焊球150所扇出，即類似於針對該組件10所說明者。在此實施例中，該模塑結構340含有，除了按逐側排置而前方面部20是面朝該表面162的微電子元件12之外，按逐側排置而前方面部320是面朝該等晶片12之後方面部22的微電子元件312，使得該等元件12及312是按堆疊組態所設置。在將該裹封物336施用於該等元件12及312上之前，會先將該等微電子元件312排置在該等微電子元件12之上的預設位置處，即類似於前文中針對該組件10所述者，並且在施用該裹封物336之前可先利用黏著劑以將該等元件312暫時地維持固定 於該等元件12。再將該等元件312定位，以使得一導體通孔350能夠自該表面39越過一穿透該裹封物336所構成的孔洞而延伸至該元件312之前方面部上的導體焊墊190。該焊墊190係電性連接至該元件312之內的接點或其他電路。該孔洞可為在模製處理之後藉由鑽鑿所形成，或者是作為該模製處理的一部份。在一實施例裡，該導體通孔350是從該重分佈層50的一導體局部，像是沿位於該表面45上之鄰接晶片或焊墊90間的介電層之表面45延伸的導體跡線79，延伸至位於該等元件312其一者之前方面部處的導體焊墊190。在另一實施例裡，該導體通孔350可位在該裹封物336裡設置於該模塑結構外部週緣處之晶片12邊緣處的一孔洞內，其中該通孔350是從該重分佈層50之一焊墊或導體跡線(參見圖10)延伸至該元件312之前方面部處的焊墊190。
在另一實施例裡，該裹封物336可為預鑄以擁有該等晶片12以及該臨時載體未經覆蓋局部之邊緣的形狀，並且也含有經圖案化以匹配於待予構成之通孔350的預先構形孔洞。然後，在軟化狀態下，可接附該裹封物336，即如將其沖壓至該堆疊晶片上的位置裡，故而可令該孔洞垂直地對齊於該等晶片312上的一焊墊。在一實施例裡，於此情況下，當將該裹封物接附至該堆疊晶片時可令其部份地固化，即如「B階段」材料。
在一特定實施例裡，該等導體通孔350之至少一者可為藉由將導體材料沉積在延伸穿過該平面化裹封物336的開口之內所構成。沉積該導體材料以構成該等導體通孔350可為藉由將金屬鍍置在該開口的內部表面上所達成。該等導體通孔350可為實心，或者該等導體通孔可含有內部空處以供填入介電材料。在另一範例裡，則可藉由將一導體燒結材料沉 積至該裹封物336的開口內，即如藉由網印、鏤花或塗配處理，然後固化該燒結材料以在該開口內形成無空處的導體矩陣來構成該等導體通孔。在又另一範例裡，可利用網印、鏤花或塗配處理以將像是焊料膏劑或銀質填入膏劑的導體膏劑沉積在該等開口內。
現參照圖16，在另一實施例裡，一微電子組件400可含有一具有多個晶片12的模塑結構440，其等接點是由一導體重分佈層50以及連接該覆層50之焊墊90和該基板單元160之焊墊152的焊球150所扇出，即類似於針對該組件10所說明者。在本實施例中，該組件400含有一第二或背側導體重分佈層420，此者是構成於該裹封物36的表面38處。導體通孔450是以類似於該等通孔350的方式所構成，同時可自該表面39，並且選擇性地自該覆層50位於該表面39處的一焊墊，穿過該裹封物中的孔洞而延伸至該覆層420的一焊墊(未予圖示)。該覆層420的導體局部可為由任何適當的金屬沉積技術所構成，這些技術可包含濺鍍處理、無電或電鍍鍍置，或者是導電膏劑或導體矩陣材料的印刷或鏤花處理，即如類似前文中對於該重分佈層50所述者。
此外，在本實施例中，該組件400可包含多個微電子封裝460，即如含有多個記憶體晶片，這些晶片具有面朝該重分佈層420的前方面部，以及多個導體材料的質塊475，即類似於或相同於該等焊球150者，此等係經構成以供接觸到該等封裝460之前方面部處的焊墊(未予圖示)和該覆層420的焊墊(未予圖示)。從而，該等焊球475可經由該重分佈層420、該等導體通孔450和該重分佈層50以將該等封裝460內之晶片的接點電性互連於該模塑結構之晶片12的接點。
有利地，元件接點的維度和排置，其中元件接點的主要維度為其橫越該等元件接點主要維度之另一維度的至少兩倍，以及該重分佈層中之導體局部的維度和排置，而該等局部應接觸到含有一模塑結構內的微電子元件之微電子組件中的元件接點，其中此等導體局部的主要維度大於其橫越該等導體局部之主要維度的另一維度，是根據一重分佈佈局而定，此佈局可提供晶片設置錯誤的容忍度，並因而能夠解決特定的晶片間電性互連問題，即使是當晶片的元件接點是按照非常細微的間距，像是五微米，所排置時亦然。從而，本發明可供製造微電子組件，該等組件各者含有按一模塑結構的多個晶片，此等晶片可藉由非常細微的電性互連以彼此電性互相連接，藉此併同地運作以按相較於當相同單石晶圓上之多個晶片電性互相連接於一可相比本發明微電子組件中所運用之尺寸的電性互連時通常能夠獲得者為更高的良率來提供所欲功能性。
前文所述的微電子組件可運用於建構各種電子系統，即如圖17所示者。例如，一根據本揭示之進一步實施例的系統600含有如前文所述的微電子組件606，同時連同其他的電子元件608及610。在此範例中，該元件608為一半導體晶片，而該元件610為一顯示螢幕，然其他元件亦可加以運用。當然，圖17中雖僅描繪兩個額外元件以便於說明，然該系統確可含有任意數量的此等元件。該微電子組件606可為任何前文所述的組件。在進一步的變化中，可運用任意數量的此等微電子組件。該微電子組件606以及元件608和610係經架置於一共同機殼611內，即如虛線所略圖描述者，並且視需要電性互連於另一者以構成所欲電路。在所示的示範性系統中，該系統含有一像是可撓性印刷電路板的電路面板612，並且該電路面板 含有眾多將該等元件彼此互連的導體614，圖17中僅描繪其中一者。然此者僅為示範性質；任何適合製作電性連接的結構皆可加以運用。該機殼611係經描繪為適用於例如行動電話或個人數位助理之類型的可攜式機殼，並且在該機殼的表面處曝出該螢幕610。在此，該結構606含有像是成像晶片的光敏元件，同時亦可設置透鏡616或是其他的光學裝置以處理該結構的光學路徑。同樣地，圖17所顯示的簡化系統僅為示範性質；其他系統，包含通常被視為固定結構的系統，像是桌上型電腦、路由器等等，亦可利用如前文所述的結構加以製作。
本發明雖係參照於特定實施例所敘述，然應瞭解該等實施例僅為本發明之原理與應用方式的示範說明。因此，應瞭解確能對該等示範性實施例進行無數修改並可設計其他排置，而不致悖離後載申請專利範圍所定義的本發明精神及範疇。
12‧‧‧微電子元件
28‧‧‧晶片接點
30‧‧‧接點前方表面
36‧‧‧裹封物
40‧‧‧模塑結構
42‧‧‧介電材料層
45‧‧‧表面
50‧‧‧導體重分佈層
70‧‧‧通孔
72‧‧‧導體局部
77‧‧‧導體跡線
78‧‧‧導體跡線
81‧‧‧導體局部
7D-7D‧‧‧截面線

Claims (23)

  1. 一種微電子組件，其中包含：至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，其在一模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，該微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該元件接點各者在一平行於該共同平面的一第一方向上具有一第一維度，並且在一平行於該共同平面的一第二方向上具有一第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，該第一維度為該第二維度的至少兩倍；一介電層，其係沿該第一及第二微電子元件各者的該前方面部延伸，並且延伸至一位於該第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的一中間表面上；以及一導體重分佈層，其含有第一及第二導體通孔穿過該介電層而個別地延伸至該第一及第二微電子元件的第一及第二元件接點，該第一及第二導體通孔各者在平行於該共同平面的一第三方向上具有一第三維度並且在平行於該共同平面的一第四方向上具有一第四維度，該第四方向為橫越於該第三方向和該第一方向，而該第四維度大於該第三維度，以使得該第一及第二導體通孔個別地在該第一及第二元件接點之該第二維度上方的該第四方向上延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中，對於該第一及第二微電子元件各者，該元件接點為按照在該第一方向上之一第一距離和在該第二方向上之一第二距離的間距彼此相隔地排置，其中該第一元件接點及該第二元件接點在該第一或第二維度之至少一 者的方向上相對於個別第一及第二預定裝設位置係經誤置而分別達至大於該第一距離或該第二距離之20%且小於該第一距離或該第二距離之100%的程度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該第一方向為大致正交於該第二方向及該第四方向。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該第一方向相對於該第四方向是呈30到60度之間的角度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該第一及第四維度為大致相等。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該第一及第四維度約等於十五微米。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該第一及第二微電子元件之其中一者含有一邏輯晶片，並且該第一及第二微電子元件之另一者含有一記憶體晶片。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該導體重分佈層是按照定義具有該第一及第二微電子元件的接點之電性互連的重分佈層佈局以提供該組件的預定功能性，其中若缺少該電性互連之至少一者則無法獲得該功能性。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之組件，進一步包含：一基板單元，其具有面朝該共同平面的一前方表面和遠離於該前方表面的一後方表面，該基板單元的前方表面含有複數個接點元件；以及至少一焊料質塊，其延伸於該重分佈層及該基板單元的該前方表面之 間，並且分別地經由該第一或第二導體通孔之至少一者將該基板單元之該接點元件的至少一者電性連接於該第一或第二元件接點的至少一者。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之組件，其中該基板單元的後方表面含有至少一接點元件，其係經組態設定故而一焊料質塊可與其相連接。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該模塑結構含有至少一第三微電子元件，其含有至少一元件接點，而該第一或第二微電子元件的至少一者位在該共同平面與該第三微電子元件之間；以及一第三導體通孔，其構成於該模塑結構的一裹封物內，並且該第三通孔是自該共同平面延伸至該第三微電子元件的該元件接點。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之組件，其中該第三導體通孔接觸到該導體重分佈層中與該第一或第二微電子元件至少一者之邊緣相隔的一導體局部。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之組件，其中該第一及第二微電子元件是位在該共同平面與該第三微電子元件之間。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之組件，其中該第三微電子元件含有一記憶體晶片，並且該第一或第二微電子元件之至少一者含有一邏輯晶片。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之組件，進一步包含：一基板單元，其具有面朝該共同平面的一前方表面和遠離於該前方表面的一後方表面，該基板單元的前方表面含有複數個接點元件；以及至少一焊料質塊，其延伸於該重分佈層及該基板單元的該前方表面之間，並且分別地經由該第一或第二導體通孔之至少一者將該基板單元之該接點元件的至少一者電性連接於該第一或第二元件接點的至少一者。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之組件，其中該模塑結構含有相反於該共同平面的一表面，該組件進一步包含：一第二導體重分佈層，其沿該模塑結構的該表面延伸並且含有複數個導體元件，一第三導體通孔，其構成於該模塑結構的裹封物內，並且該第三通孔是自該共同平面延伸至該第二重分佈層之該導體元件的至少一者。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之組件，其中該第三導體通孔接觸到該導體重分佈層中與該第一及第二微電子元件至少一者之邊緣相隔的一導體局部，該組件進一步包含：一基板單元，其具有面朝該共同平面的一前方表面和遠離於該前方表面的一後方表面，該基板單元的前方表面含有複數個接點元件；至少一焊料質塊，其於該重分佈層及該基板單元的該前方表面之間，並且分別地經由該第一或第二導體通孔之至少一者將該基板單元之該接點元件的至少一者電性連接於該第一或第二元件接點的至少一者；一微電子封裝，其具有面朝該第二重分佈層的一前方面部，該微電子封裝的該前方面部含有至少一接點元件；以及至少一第二焊料質塊，其是在該第二重分佈層與該封裝之該前方面部間的延伸，並且經由該第二重分佈層的至少一接點元件將該封裝的至少一接點元件分別地電性連接於該第一或第二微電子元件之第一或第二元件接點的至少一者。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之組件，其中該封裝含有至少一記憶體晶片。
  19. 一種微電子組件，其中包含：至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，該前方面部在一模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，該微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該元件接點各者在平行於該共同平面的一第一方向上具有一第一維度，並且在平行於該共同平面的一第二方向上具有一第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，該第一維度為該第二維度的至少兩倍；一介電層，其係沿該第一及第二微電子元件各者的該前方面部延伸，並且延伸至位於該第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的一中間表面上；以及一導體重分佈層，其含有經設置於該介電層之開口內的一導體局部具有一均勻深度且自該第一微電子元件延伸至該第二微電子元件，該導體局部含有接觸到該第一微電子元件之一第一元件接點的一第一導體局部，接觸到該第二微電子元件之一第二元件接點的一第二導體局部，以及自該第一導體局部延伸至該第二導體局部的一中間導體局部，該第一及第二導體局部在平行於該共同平面的一第三方向上具有一第三維度並且在平行於該共同平面的一第四方向上具有一第四維度，該第四方向為橫越該第三方向和該第一方向，該第四維度大於該第三維度，以使得該第一及第二導體通孔個別地在該第一及第二元件接點之該第二維度上方的該第四方向上延伸。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之組件，其中，對於該第一及第二微電子元件各者，該元件接點為按照在該第一方向上之一第一距離和在該第二 方向上之一第二距離的間距彼此相隔地排置，其中該第一元件接點及該第二元件接點在該第一或第二維度之至少一者的方向上相對於第一及第二預定裝設位置係經誤置而分別達至大於該第一距離或該第二距離之20%且小於該第一距離或該第二距離之100%的程度。
  21. 一種製作微電子組件之方法，其中包含：提供一模塑結構，其含有至少第一及第二微電子元件，各者具有一前方面部，其在模塑結構中係經排置在一共同平面上並且逐側排置，該微電子元件各者在該前方面部處具有複數個元件接點，該元件接點各者在平行於該共同平面的一第一方向上具有一第一維度，並且在平行於該共同平面的一第二方向上具有一第二維度，該第一方向係橫越於該第二方向，該第一維度為該第二維度的至少兩倍；以及形成延伸穿過一介電層的第一及第二導體通孔，該介電層係沿該第一及第二微電子元件各者的該前方面部延伸，並且延伸至位於該第一及第二微電子元件之鄰接邊緣間的一中間表面上，而至該第一及第二微電子元件的第一及第二元件接點，該第一及第二導體通孔各者在平行於該共同平面的一第三方向上具有一第三維度且在平行於該共同平面的一第四方向上具有一第四維度，該第四方向橫越該第三方向和該第一方向，同時該第四維度大於該第三維度，以使得該第一及第二導體通孔個別地在該第一及第二元件接點之該第二維度上方的該第四方向上延伸。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之方法，其中，對於該第一及第二微電子元件各者，該元件接點為按照在該第一方向上之一第一距離和在該第二 方向上之一第二距離的間距彼此相隔地排置，其中該第一元件接點及該第二元件接點在該第一或第二維度之至少一者的方向上相對於個別第一及第二預定裝設位置係經誤置而分別達至大於該第一距離或該第二距離之20%且小於該第一距離或該第二距離之100%的程度。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之方法，其中該形成處理包含：選擇性地移除該介電層的局部以曝出該第一及第二元件接點，在該第一及第二微電子元件的前方面部上沉積導體材料，以及選擇性地在該介電層之一表面上移除該導體材料的一部份。
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