TWI515171B - Manufacture of glass plates - Google Patents

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TWI515171B
TWI515171B TW102114452A TW102114452A TWI515171B TW I515171 B TWI515171 B TW I515171B TW 102114452 A TW102114452 A TW 102114452A TW 102114452 A TW102114452 A TW 102114452A TW I515171 B TWI515171 B TW I515171B
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    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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Description

玻璃板之製造方法
本發明係關於一種玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置,更具體而言係關於一種利用溢流下拉(overflow down draw)法之玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置。
所謂溢流下拉法係如下方法,即,(1)將熔融玻璃供給至於上部形成有熔融玻璃之供給槽且具有楔形剖面之成形裝置,(2)將自供給槽溢出之熔融玻璃引導至與成形裝置中之上述楔形之兩側面相當之一對壁面,使熔融玻璃沿該壁面流下,(3)使沿各壁面流下之熔融玻璃於成形裝置之下端融合,而使玻璃帶連續成形。之後,所獲得之玻璃帶經過厚度調整、緩冷等步驟,被切斷成所需之尺寸,而成為玻璃板。溢流下拉法適合製造大面積且較薄之玻璃板、例如於液晶顯示器、有機EL(Electroluminescence,電致發光)顯示器、電漿顯示器等平板顯示器(FPD,Flat Panel Display)中使用之玻璃基板。
有於成形裝置之寬度方向之兩端部、更具體而言、熔融玻璃流下之壁面之寬度方向兩側之端部,設置以自該端部突出之方式相互對向地形成之一對導件(guide)之情況。藉由配置導件,而限制沿壁面流下之熔融玻璃之寬度。專利文獻1(日本專利特開2010-189220號公報)中揭示有包括具有特定形狀之導件之成形裝置。專利文獻1中記載有利用該成形裝置,即便於熔融玻璃之黏度相對較高之情形時,亦可使兩端部(耳部)之形狀穩定之玻璃帶成形。
專利文獻2(日本專利特開2010-215428號公報)中揭示有防止玻璃帶之端部之形狀不良之技術。更具體而言,專利文獻2中揭示有如下技術,即,於成形裝置之下端與位於最靠近該裝置之位置之玻璃帶之搬送輥之間之空間,配置加熱器,一面利用該加熱器局部地加熱剛融合後之玻璃帶之端部,一面實施玻璃帶之成形及搬送。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2010-189220號公報
[專利文獻2]日本專利特開2010-215428號公報
於溢流下拉法中使用包括導件之成形裝置之情形時,當欲使液相黏度小之玻璃成形時,有容易於在導件附近流下之熔融玻璃中產生失透、即、於已成形之玻璃帶之寬度方向之端部(以下將「寬度方向之端部」簡稱為「端部」)產生失透之問題。專利文獻1中無與上述玻璃帶端部之失透相關之記載。專利文獻2中記載有可藉由利用配置於成形裝置之下端與較成形裝置靠下游側之搬送輥之間之加熱器加熱導件下端,而僅防止導件下端附近之熔融玻璃長時間保存於容易產生失透之溫度範圍內。然而,於專利文獻2之技術中,上述加熱器所加熱者僅為導件之下端,不能說必定可充分抑制於導件附近流下之熔融玻璃之失透。尤其係於構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度小之情形時,難以抑制已成形之玻璃帶之端部之失透。作為液相黏度小之玻璃組合物,例如可列舉使應變點上升以使熱收縮率減小之低溫多晶矽(p-Si)用玻璃組合物。
本發明之目的在於提供一種利用溢流下拉法之玻璃板之製造方法及製造裝置、且抑制已成形之玻璃帶端部之失透之效果高、儘管構 成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度小亦可獲得抑制該端部之失透之效果之製造方法及製造裝置。
本發明之玻璃板之製造方法包括使用成形裝置且利用溢流下拉法使玻璃帶成形之成形步驟,該成形裝置包括:上表面,其形成有供給熔融玻璃之供給槽;及一對壁面,其引導溢出至上述供給槽之兩側且自上述上表面之兩端部向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於下端融合,而製成玻璃帶。於本發明之玻璃板之製造方法中,構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為120000dPa.s以下,該玻璃組合物之液相溫度為1100℃~1250℃。於本發明之玻璃板之製造方法之上述成形步驟中,(1)利用於上述壁面之寬度方向兩側之端部以自該端部突出之方式相互對向地形成之一對導件,一面限制該熔融玻璃之寬度,一面使上述熔融玻璃沿上述壁面流下,(2)以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之黏度自上述成形裝置之上表面至下端保持未達上述液相黏度之方式,沿上述導件加熱該部分。
本發明之玻璃板之製造方法及製造裝置之抑制已成形之玻璃帶端部之失透之效果較高。根據本發明之玻璃板之製造方法或製造裝置,儘管構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度小而為120000dPa.s以下,亦可獲得抑制該端部之失透之效果。
1‧‧‧成形裝置
2‧‧‧供給槽
2a‧‧‧供給槽的底面
3‧‧‧上表面
3a、3b‧‧‧(上表面之)端部
4‧‧‧下端
5‧‧‧壁面
5a、5b‧‧‧端部
6a、6b‧‧‧導件
7‧‧‧液面
8‧‧‧加熱裝置
11a、11b、11c‧‧‧電極
50‧‧‧玻璃帶
50a‧‧‧(玻璃帶之)端部
圖1係表示於本發明之製造方法中可使用之成形裝置之一例之示意圖。
圖2係使用圖1所示之裝置之本發明之製造方法之一例之示意圖。
圖3係表示於本發明之製造方法中加熱熔融玻璃之導件附近之部 分之加熱裝置之一例之示意圖。
圖4係表示於本發明之製造方法中加熱熔融玻璃之導件附近之部分之加熱裝置之另一例之示意圖。
圖5係表示使用圖1所示之裝置之本發明之製造方法之另一例之示意圖。
圖6係表示對在本發明之製造方法中可使用之成形裝置之導件通電使其發熱時之電極之配置之一例之示意圖。
以下,參照圖式對本發明之實施形態進行說明。以下所示之實施形態係本發明之一例,本發明並不限定於該等實施形態。
圖1係表示於本發明之製造方法中可使用之成形裝置之一例,圖2係表示使用圖1所示之成形裝置之本發明之製造方法之一例。成形裝置1包括:上表面3,其形成有供給熔融玻璃之供給槽2;一對壁面5(圖1、圖2中僅圖示有一壁面),其引導溢出至供給槽2之兩側且自上表面3之兩端部3a、3b向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於裝置1之下端4融合,而製成玻璃帶50;及一對導件6a、6b,其形成於壁面5之寬度方向兩側之端部5a、5b。導件6a、6b分別以自端部5a、5b突出之方式相互對向地形成。自供給槽2溢出之熔融玻璃分別沿一對壁面5流下。壁面5包括:垂直壁面,其供自供給槽2溢出之熔融玻璃沿鉛垂方向流下;及傾斜壁面,其將沿垂直壁面流下之熔融玻璃引導至成形裝置之下端4,且與垂直壁面相連接。沿壁面5流下之熔融玻璃之一對液流於成形裝置1之下端4合流,而相互融合。此時,利用導件6a、6b限制沿壁面5流下之熔融玻璃之寬度,例如連續形成寬度方向之厚度之均勻性高之玻璃帶50。成形裝置1之下端4形成一對壁面5彼此(傾斜壁面彼此)連接而成之直線狀脊線。圖1、圖2所示之符號2a為供給槽2之底面2a,圖2所示之符號7為供給至供給槽2之熔融玻璃之液面7。
如圖2所示,於各導件6a、6b之附近,以自成形裝置1之上表面3側延伸至下端4側之方式配置有加熱器8,包括成形裝置1之未表示於圖2中之一側(於該側亦以與圖2所示之一側相同之方式配置有加熱器8)在內,均利用該加熱器8加熱沿一對壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分。該加熱係以沿壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之黏度自成形裝置1之上表面3至下端4(熔融玻璃之該部分自成形裝置1之上表面3流下而到達下端4)保持未達構成該熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度(以下亦簡稱為「液相黏度」)之方式,沿導件6a、6b進行。
於利用使用包括導件之成形裝置之溢流下拉法進行之玻璃帶之成形(及對該玻璃帶進行冷卻而獲得之玻璃板之製造)中,容易於導件附近、即、成形之玻璃帶之端部(圖2所示之符號50a)產生失透。可認為其原因在於:收納成形裝置之成形爐以於成形裝置之下端使熔融玻璃為適合成形之黏度為目的,而通常設定為不僅以玻璃帶之成形為目的而且以熔融玻璃之冷卻為目的之溫度、即、較熔融玻璃低之溫度,故而導件奪取熱,藉此,導致導件附近之熔融玻璃之溫度與熔融玻璃之其他部分之溫度相比容易降低,且由於上述溫度之降低及由與導件之接觸引起之物理阻力,而導致導件附近之熔融玻璃之流下速度與熔融玻璃之其他部分相比容易降低,從而自接觸於導件起至離開成形裝置為止需要長時間等。
根據專利文獻2(日本專利特開2010-215428號公報)之技術,有可抑制於導件之下端產生之失透之可能性。然而,於專利文獻2之技術中,難以抑制於較導件之下端靠上游之區域、尤其係於熔融玻璃與導件接觸而開始冷卻之初期產生失透,亦無法利用導件之下端之加熱消除一旦產生之失透。又,於使包含適合用於FPD之玻璃基板之無鹼玻璃、含微量鹼之玻璃等液相溫度高且液相黏度小之玻璃組合物、例如 於本發明之製造方法中使用之液相黏度為120000dPa.s以下且液相溫度處於1100℃~1250℃之範圍內之玻璃組合物之玻璃帶成形之情形時,尤其容易產生上述失透。
於本發明之製造方法中,以沿成形裝置1之壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之黏度自成形裝置1之上表面3至下端4保持未達液相黏度之方式(以該部分之溫度自成形裝置1之上表面3至下端4成為液相溫度以上之方式),沿導件6a、6b加熱熔融玻璃之該部分。藉此,可獲得抑制熔融玻璃之導件附近之部分(熔融玻璃之端部)之失透之高效果,於構成熔融玻璃之玻璃組合物具有120000dPa.s以下之小液相黏度,且具有1100℃~1250℃之範圍之液相溫度之情形時,亦可抑制於該端部產生失透。
於本說明書中,所謂液相溫度係指熔融體與結晶之初相之間之平衡溫度,且係若為該溫度以上則不存在結晶之溫度,所謂液相黏度係指玻璃成為上述液相溫度之黏度。
於本發明之製造方法中,較佳為以沿成形裝置1之壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之溫度自成形裝置1之上表面3至下端4成為較液相溫度高10℃以上之溫度之方式加熱該部分,更佳為以成為較液相溫度高15℃以上之溫度之方式加熱該部分。於該等情形時,可更確實地抑制於成形之玻璃帶之端部產生失透。具體之液相溫度因玻璃組合物之組成而異。
於本發明之製造方法中,於成形步驟中,較佳為以沿成形裝置1之壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之溫度自成形裝置1之上表面3至下端4較液相溫度高10℃~150℃之方式(以成為較液相溫度高10℃以上、且液相溫度加上150℃所得之溫度以下之方式),沿導件加熱該部分。藉此,可抑制成形裝置1之變形、及成形後之玻璃帶50沿寬度方向之收縮。進而較佳為以沿成形裝置1之壁面5流下之熔融 玻璃之導件6a、6b附近之部分之溫度自成形裝置1之上表面3至下端4較液相溫度高15℃~100℃之方式,沿導件加熱該部分。
藉由與於熔融玻璃離開成形裝置1後進行之端部之急冷(玻璃帶50端部之急冷)組合,而進一步確實地抑制於該端部產生失透。
根據本發明之製造方法,理論上,藉由以沿成形裝置1之壁面5流下之熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之溫度自成形裝置1之上表面3至下端4與液相溫度相比充分高之方式,使沿成形裝置1流下之熔融玻璃整體之溫度與液相溫度相比充分為高溫,而非加熱該部分,亦可抑制失透。然而,於製造液相溫度高之玻璃之情形時,現實情況下無法於溢流下拉法中應用此種方法。其原因在於:於利用溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中存在適當之熔融玻璃之黏度(為不使如下所述之玻璃帶之鬆弛或玻璃帶之寬度收縮之問題產生,成形裝置之下端之熔融玻璃之黏度較佳為40000dPa.s以上,更佳為70000dPa.s以上)。若以熔融玻璃之導件附近之部分之溫度與液相溫度相比充分高之方式,使沿成形裝置流下之熔融玻璃整體之溫度與液相溫度相比充分為高溫,或過度地於成形裝置之下端進行加熱,則有成形裝置之下端之熔融玻璃之黏度會小於上述適當之範圍之可能性。於是,產生以下問題,即,離開成形裝置後之玻璃帶之黏度未充分上升,玻璃帶以配置於成形裝置之下游側之搬送輥之拉伸速度以上之速度落下,而導致玻璃帶於該輥上鬆弛,或玻璃帶之寬度收縮。又,亦產生以下問題,即,成形裝置之溫度越高,成形裝置之潛變(creep)現象越明顯,隨著成形開始後之時間之經過,而玻璃帶之中央部下垂等。若考慮玻璃板所需之厚度及於成形後之緩冷步驟中實施之玻璃帶之溫度控制,則搬送輥之拉伸速度之增加存在極限(若考慮於緩冷步驟中實施之玻璃帶之溫度控制,則玻璃帶之搬送速度較佳為50~500m/小時,更佳為100~400m/小時,進而較佳為120~300m/小時)。若成形之玻璃帶之 寬度收縮,則無法確保玻璃板之製品寬度。若潛變現象變得明顯,則製造之玻璃板之板厚之均勻性降低。
於本發明之製造方法中,並非使沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃整體之溫度均勻地上升,來使熔融玻璃之導件附近之部分之溫度為液相溫度以上。藉由使尤其容易產生失透之、熔融玻璃之導件附近之部分之溫度自成形裝置之上表面至下端為液相溫度以上,即,藉由對沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃局部地進行加熱,可抑制熔融玻璃整體及成形裝置整體過熱,且可使該部分之黏度自成形裝置之上表面至下端未達液相黏度,而抑制於玻璃帶之端部產生失透。
於本發明之製造方法中,沿導件加熱熔融玻璃之導件附近之部分之方法只要可使該部分之黏度自成形裝置1之上表面3至下端4保持未達液相黏度,便無限定。
如圖2所示,加熱方法之一例係利用以自成形裝置1之上表面3側延伸至下端4側之方式配置於導件6a、6b之附近之加熱裝置進行之加熱。根據該方法,可相對簡便地進行熔融玻璃之導件附近之部分之加熱及該加熱之控制。
加熱裝置只要可以該部分之熔融玻璃之黏度未達液相黏度之方式、即、以該部分之熔融玻璃之溫度成為液相溫度以上之方式,加熱熔融玻璃,便無限定。加熱裝置例如為加熱器。
加熱器之種類只要可於玻璃帶成形爐之溫度環境下使用,且可藉由利用該加熱器對熔融玻璃進行加熱,使熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之黏度未達液相黏度,便無限定。加熱裝置亦包括利用雷射或電磁波對熔融玻璃進行加熱之加熱裝置。
加熱裝置之配置狀態只要可以自成形裝置之上表面側延伸至下端側之方式配置於成形裝置中之導件附近,且可使沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃之導件附近之部分之黏度自成形裝置之上表面至下端 保持未達液相黏度,便無限定。如圖2所示,較佳為加熱裝置分別配置於存在於1個成形裝置1中之4處「導件附近之部分」。
圖2所示之例中,作為加熱裝置之加熱器8以沿導件6a、6b之方式配置。加熱器8之形狀係自成形裝置之上表面側延伸至下端側之直線狀。加熱器8之形狀只要整體上自成形裝置之上表面側延伸至下端側即可(只要整體上為沿導件6a、6b之形狀即可),亦可不為直線狀。
例如,如圖3所示,加熱裝置亦可為以自成形裝置1之上表面3側垂直地延伸至下端4側之方式配置於成形裝置1中之導件6b之附近之加熱器8。再者,雖圖3中表示成形裝置1之導件6b側,但該垂直地延伸之加熱器8亦可以相同之方式配置於導件6a側。
例如,如圖4所示,加熱裝置亦可為以自成形裝置1之上表面3側向下端4側延伸且亦沿壁面5延伸之方式配置於成形裝置1中之導件6b附近之加熱器8。再者,雖圖4中表示成形裝置1之導件6b側,但亦沿該壁面5延伸之加熱器8亦可以相同之方式配置於導件6a側。
關於導件6a、6b與加熱裝置之位置關係,加熱裝置(加熱器8)例如可如圖2所示配置於導件6a、6b之熔融玻璃側之附近,亦可如圖5所示配置於導件6a、6b之熔融玻璃之相反側之附近。於前者之情形時,可利用加熱裝置直接加熱熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分。於後者之情形時,雖因加熱裝置之具體之配置位置及構成導件6a、6b之材料而異,但亦可利用加熱裝置使導件6a、6b發熱,利用發熱之導件6a、6b加熱熔融玻璃之該導件附近之部分。就加熱效率之觀點而言,較佳為利用加熱裝置直接加熱熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分。
對加熱裝置進行之具體之加熱控制只要可使沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃之導件附近之部分之黏度自成形裝置之上表面至下端保持未達液相黏度,便可自由設定。例如利用加熱裝置進行之加熱可連續亦可間斷。於配置有複數個加熱裝置之情形時,亦可獨立地控制 利用各加熱裝置進行之加熱。亦可預先對1個加熱裝置設定複數個加熱區,而獨立地控制各加熱區之加熱。
加熱方法之另一例係藉由使導件發熱而加熱熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分之方法。
使導件發熱之方法及程度只要可使沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃之導件附近之部分之黏度自成形裝置之上表面至下端保持未達液相黏度,便無限定。
於本發明之製造方法中,使熔融玻璃之導件6a、6b附近之溫度自成形裝置之上表面至下端保持為液相溫度以上。因此,較佳為使導件6a、6b發熱,且使導件6a、6b之與熔融玻璃接觸之部分(沿熔融玻璃流動之全長(路徑)之部分)之溫度為液相溫度以上。亦可使導件6a、6b發熱,且使導件6a、6b整體之溫度為液相溫度以上。
導件6a、6b之發熱較佳為以導件6a、6b之與熔融玻璃接觸之部分之溫度成為較液相溫度高10℃以上之溫度之方式實施,更佳為以成為較液相溫度高15℃以上之溫度之方式實施。於該情形時,可更確實地抑制於成形之玻璃帶之端部產生失透。
導件6a、6b之發熱較佳為以導件6a、6b之與熔融玻璃接觸之部分之溫度成為較液相溫度高10℃~150℃之溫度之方式實施,更佳為以成為較液相溫度高15℃~100℃之溫度之方式實施。於該情形時,可抑制成形裝置1之變形、及成形後之玻璃帶50沿寬度方向之收縮。
使導件發熱之方法之一例係利用加熱器等加熱裝置進行之加熱。用以實現該目的之加熱裝置之配置及控制只要可藉由利用該加熱裝置而發熱之導件,使熔融玻璃之導件6a、6b附近之黏度自成形裝置之上表面至下端未達液相黏度,便無限定。作為一例,利用圖5所示之以自成形裝置1之上表面3側延伸至下端4側之方式配置於導件6a、6b附近之加熱裝置(加熱器8)對導件6a、6b進行加熱。亦可與上述方 法不同地,例如將利用電流而發熱之加熱器配置於導件6a、6b之表面,或埋入於導件6a、6b之表面。該情形時之表面例如係導件6a、6b之面向熔融玻璃之面之相反側之面(未與熔融玻璃接觸之面)。
使導件發熱之方法之另一例係於導件6a、6b包含金屬之情形時藉由對導件6a、6b通電而實現之發熱(通電發熱)。於本發明之製造方法中,亦可藉由導件6a、6b包含金屬,對導件6a、6b通電,使該導件發熱,而加熱熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分。該方法之熱效率高,溫度控制相對容易。
藉由通電而使導件6a、6b發熱之具體方法並無限定。將電極分別連接於導件6a、6b,使電流經由該電極流到導件6a、6b即可。連接於各導件之電極之個數及配置可任意設定。電極可連接於導件6a、6b之面向熔融玻璃之面,亦可連接於該面之相反側之面。
將用以實現導件6b之通電發熱之電極之配置例示於圖6。於圖6所示之例中,於導件6b之下端附近之1個部位及上端附近之相互隔有間隔之2個部位連接有電極11a、11b、11c。可藉由使電流於電極11a-11b間及11a-11c間流動,而使導件6b之與熔融玻璃接觸之部分發熱。進而,亦可以電流於電極11b-11c間流動之方式設定各電極之電位。對於導件6a,亦可以相同之方式配置電極。
於藉由通電使導件6a、6b發熱之情形時,亦可藉由使構成導件6a、6b之與熔融玻璃接觸之部分之金屬之組成為與構成導件6a、6b之其他部分之金屬不同之組成,而使該接觸部分之發熱量大於該其他部分。於該情形時,用以使熔融玻璃之導件附近之部分之黏度未達液相黏度之熱效率進一步升高。各部分之金屬之組成例如可根據該組成表現之導電率來決定。
亦可併用藉由使電流於該導件流動而實現之通電發熱、與利用加熱裝置進行之加熱,而使導件6a、6b發熱。於導件6a與導件6b中亦 可採用不同之發熱方法。
導件6a、6b之發熱溫度(包括加熱裝置之加熱溫度)為液相溫度以上即可,較佳為較液相溫度高10℃以上之溫度,更佳為較液相溫度高15℃以上之溫度。又,導件6a、6b之發熱溫度較佳為較液相溫度高10℃~150℃之溫度,更佳為較液相溫度高15℃~100℃之溫度。於導件包含金屬之情形時,尤其係於包含熱導率高之鉑或鉑合金之情形時,導件6a、6b之發熱溫度、與熔融玻璃之該導件附近之部分之溫度大致相等。
於本發明之製造方法中,對熔融玻璃之導件附近之部分進行之加熱亦可併用利用上述加熱裝置實現之加熱與利用導件之發熱實現之加熱。
於本發明之製造方法中,亦可視需要而併用利用以沿水平方向延伸之方式配置於成形裝置附近之加熱裝置對熔融玻璃進行之加熱。
除使導件6a、6b發熱之情形以外,成形裝置1中之各部分之構成(形狀、材料等)與於溢流下拉法中使用之眾所周知之成形裝置中之該部分之構成相同即可。例如成形裝置1中之除導件6a、6b以外之部分通常包括耐火磚。
構成導件6a、6b之材料並無限定,就耐熱性及耐火性高、且不易污染熔融玻璃之方面而言,較佳為包含鉑或鉑合金。無論熔融玻璃之導件附近之部分之加熱方法如何,上述情況尤其適合藉由使導件發熱而進行該加熱之情形。由於鉑及鉑合金之熱導率高,故而於利用使用包含鉑或鉑合金之導件之現有之溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中,熔融玻璃之導件附近之部分之溫度容易降低,且容易於端部產生失透。然而,於藉由使導件發熱對熔融玻璃之導件附近之部分進行加熱之情形時,藉由使導件包含鉑或鉑合金,反而可利用該熱導率之高低,使發熱之導件6a、6b之熱效率提高,溫度控制亦變得更容易。
無論熔融玻璃之導件附近之部分之加熱方法如何,導件6a、6b之形狀及尺寸本身與於溢流下拉法中使用之周知之成形裝置中之導件相同即可。成形裝置中之一對導件自壁面之高度較佳為於導件自傾斜壁面突出之區域整體中,於熔融玻璃未越過該一對導件之範圍內設定得較沿壁面流動之熔融玻璃之厚度低。藉此,可抑制成形之玻璃帶之耳部開成二叉形狀(當觀察玻璃帶之寬度方向之切斷面時,耳部成為Y字狀),而可使成形之玻璃帶之耳部之形狀穩定。於耳部之形狀開成二叉形狀之情形時,與未開成二叉形狀之情形相比,於切斷玻璃帶之步驟中需要較大之應力。更詳細而言,若耳部之形狀開成二叉形狀,則當於利用切割器將切痕刻到玻璃帶上後,施加應力而切斷該玻璃帶時,切斷所需之應力變大。若切斷玻璃帶所需之應力變大,則有自利用上述切割器形成之切痕線以外之區域切斷玻璃帶之情況,於該情形時,會導致切斷不良。又,若耳部之形狀開成二叉形狀,則玻璃帶容易破碎。即,藉由使導件為上述較佳之構成,可抑制玻璃帶之切斷不良之產生,或可抑制玻璃帶之破碎,而可穩定地連續生產玻璃板。
較佳為成形裝置中之導件距壁面之高度係成形裝置越下方之位置則越低。較佳為成形裝置之下端4係兩側之傾斜壁面彼此連接而成之直線狀脊線,且一對導件自傾斜壁面之高度於該脊線之位置為0(零)。藉此,可進一步抑制玻璃帶之耳部開成二叉形狀,而可更穩定地連續生產玻璃板。
根據本發明之製造方法,即便於構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相溫度高、液相黏度小之情形時,例如於玻璃組合物為無鹼玻璃、含微量鹼之玻璃等之情形時,亦可獲得抑制成形之玻璃帶之端部之失透之效果。即,於構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相溫度高、液相黏度小之情形時,本發明之製造方法所帶來之優點較大。
於本發明之製造方法中,構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏 度為120000dPa.s以下。若為此種玻璃組合物,則以往,於利用溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中容易產生端部之失透問題。然而,於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。
該液相黏度亦可為100000dPa.s以下。於液相黏度為100000dPa.s以下之玻璃組合物中,上述失透之問題變得更明顯,但於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。就可利用溢流下拉法穩定地實施玻璃帶之成形之觀點而言,該液相黏度較佳為40000dPa.s以上。該液相黏度例如為50000dPa.s以上120000dPa.s以下,亦可為50000dPa.s以上100000dPa.s以下,亦可為50000dPa.s以上80000dPa.s以下。
於本發明之製造方法中,構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相溫度為1100℃以上1250℃以下。若為此種玻璃組合物,則以往,於利用溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中容易產生端部之失透問題。然而,於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。
於本發明之製造方法中,熔融玻璃亦可不含氧化鋯及/或氧化錫。含有氧化鋯之熔融玻璃與不含氧化鋯之情況相比,玻璃組合物之液相溫度上升。若為此種熔融玻璃,則以往,於利用溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中容易產生端部之失透問題。然而,於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。氧化鋯除原本便作為玻璃組合物之成分包含於熔融玻璃中之情況以外,亦藉由利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽及成形裝置而溶出至熔融玻璃。尤其係於使用上述熔解槽使玻璃原料電熔解之情形時,有熔融玻璃中之氧化鋯濃度變高之傾向。即,本發明之製造方法更適合利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽使玻璃原料電熔解之情況。
再者,使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽與以往廣泛使用之使用氧化鋁電鑄耐火物構成之熔解槽相比,不易被玻璃腐蝕,作為熔解槽之壽命長。又,亦可抑制熔融玻璃之發泡。因此,適合熔融溫度 (玻璃組合物之黏度成為102.5泊(poise)之溫度)高之玻璃組合物、例如無鹼玻璃及含微量鹼之玻璃之熔融玻璃之形成。
又,於熔解槽中形成之熔融玻璃包括無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃之情形時,玻璃組合物之比電阻容易變高,有電流於高氧化鋯耐火物中流動而非於玻璃原料中流動之傾向。若電流於該耐火物中流動,則氧化鋯溶出至於熔解槽中形成之熔融玻璃。即,本發明之製造方法更適合利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽,藉由電熔解而形成無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃之熔融玻璃之情形。
液晶顯示器、有機EL顯示器等FPD用玻璃基板較佳為包括無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃之玻璃板。其原因在於若鹼成分於面板製造步驟中自玻璃基板中溶出,則有薄膜電晶體(TFT,Thin Film Transistor)等電子元件之特性劣化之虞。即,本發明之製造方法尤其適合利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽使玻璃原料電熔解,使用所獲得之熔融玻璃且利用溢流下拉法製造FPD用玻璃基板之情形。再者,所謂無鹼玻璃係指實質上不含鹼金屬氧化物(含有率未達0.05質量%)之玻璃組合物。含微量鹼之玻璃係指含有0.05~2.0質量%之鹼金屬氧化物之玻璃組合物。
於含有氧化錫之熔融玻璃中,容易因氧化錫之晶化而產生失透。又,於氧化錫與氧化鋯共存之情形時,氧化錫具有使氧化鋯晶化之作用。若為此種熔融玻璃,則以往,於利用溢流下拉法進行之玻璃帶之成形中尤其容易產生端部之失透問題。然而,於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。
於本發明之製造方法中,構成熔融玻璃之玻璃組合物亦可為無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃。與含有超過2.0質量%之鹼金屬氧化物之鹼玻璃相比,有上述無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃之液相溫度高、液相黏度小之傾向,但於本發明之製造方法中,可獲得抑制失透之效果。如 上所述,該效果於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽,藉由電熔解而形成無鹼玻璃或含微量鹼之玻璃之熔融玻璃之情形時尤其明顯。
再者,就防止TFT等電子元件之特性之劣化之觀點而言,FPD用玻璃基板宜為無鹼玻璃。然而,就熔解性及澄清性之觀點而言,FPD用玻璃基板宜為含微量鹼之玻璃。藉由鋌而含有微量鹼金屬氧化物,製成含微量鹼之玻璃,而使玻璃組合物之熔解性及澄清性提昇。玻璃之鹼性度因鹼金屬氧化物之存在而上升、且價數變動之金屬之氧化變得容易有助於澄清性。又,即便於使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽中,藉由玻璃原料之電熔解而形成熔融玻璃之情形時,與無鹼玻璃相比,亦可使玻璃之比電阻減小,且可抑制氧化鋯朝熔融玻璃之溶出,而可抑制熔融玻璃之失透性上升。
於本發明之製造方法中,構成熔融玻璃之玻璃組合物表現102.5泊之黏度之溫度(熔融溫度)亦可為1500℃~1750℃。由於此種玻璃組合物於熔融時需要高溫,故而於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽形成熔融玻璃之情形時,氧化鋯容易溶出。對於此種玻璃組合物,於本發明之製造方法中亦可獲得抑制失透之效果。
以下,表示尤其可利用本發明之製造方法獲得抑制失透之效果之玻璃組合物之例。
(1)用作FPD用玻璃基板之玻璃組合物之例
該例係包括SiO2:50~78質量%、B2O3:0~15質量%、Al2O3:3~25質量%、MgO:0~10質量%、CaO:0~20質量%、SrO:0~20質量%、BaO:0~10質量%、RO:3~20質量%之玻璃組合物。R係選自Mg、Ca、Sr及Ba中之至少1種元素。所謂RO係表示MgO、CaO、SrO與BaO之合量。更佳為包括SiO2:55~65質量%、B2O3:5~14質量%、Al2O3:13~20質量%、MgO:0~5質量%、CaO:2~10質量 %、SrO:0~10質量%、BaO:0~4質量%、RO:7~17質量%之玻璃組合物。就防止TFT等電子元件之特性之劣化之觀點而言,該玻璃組合物較佳為實質上不含鹼金屬氧化物、即為無鹼玻璃。就使玻璃組合物之熔解性及澄清性提昇之觀點而言,較佳為含有微量之鹼金屬氧化物,於該情形時,該玻璃組合物進而包含超過0.05質量%且2.0質量%以下之R'2O,較佳為進而包含超過0.1質量%且2.0質量%以下之R'2O。R'係選自Li、Na及K中之至少1種元素。R'2O表示Li2O、Na2O與K2O之合量。該玻璃組合物較佳為實質上不含As2O3及PbO(含有率為0.05質量%以下)作為澄清劑,且較佳為至少包含氧化錫作為澄清劑。又,較佳為包括含有率為0.01~0.2質量%之氧化鐵。
近年來,若考慮要求FPD之輕量化,則該玻璃組合物中之SrO與BaO之含有率之合計較佳為0~10質量%。若除考慮輕量化以外還考慮作為製品之環境負荷,則BaO之含有率較佳為0~2質量%。
可利用上述玻璃組合物,實現滿足FPD用玻璃基板所要求之特性之玻璃板。更具體而言,可實現滿足應變點為650℃以上之玻璃板、滿足密度為2.6g/cm3以下之玻璃板、滿足楊式模數(Young Modulus)為70GPa以上之玻璃板。進而,可實現液相溫度為1250℃以下之玻璃板,此種玻璃板可利用溢流下拉法製造。但由於難以實現液相溫度未達1050℃且滿足FPD用玻璃基板所要求之上述特性,故而較佳為以液相溫度成為1050℃~1250℃之方式調整玻璃組合物之組成。
(2)用作覆蓋玻璃(化學強化用玻璃)之玻璃組合物之例
該例係可用作化學強化之覆蓋玻璃或太陽電池用玻璃板之玻璃組合物之例。該例係包括SiO2:50~70質量%、Al2O3:5~20質量%、Na2O:6~30質量%、K2O:0~10質量%、MgO:0~10質量%、CaO:0~20質量%之玻璃組合物。
(3)用作多晶矽FPD用玻璃基板之玻璃組合物之例
近年來,為實現FPD之進一步之高精細化,而使用低溫p-Si.TFT或氧化物半導體而非α-Si.TFT之FPD之開發不斷發展。於低溫p-Si.TFT及氧化物半導體之形成步驟中,於與α-Si.TFT之形成步驟相比為高溫下實施熱處理。因此,對形成低溫p-Si.TFT及/或氧化物半導體之玻璃基板要求小熱收縮率。為使熱收縮率減小,較佳為使玻璃組合物之應變點升高,但應變點高之玻璃組合物有液相黏度變小之傾向。又,應變點高之玻璃組合物亦有液相溫度變高之傾向。因此,本發明之製造方法適合搭載有低溫p-Si.TFT之FPD用玻璃基板及搭載有氧化物半導體之FPD用玻璃基板之製造。
構成搭載有低溫p-Si.TFT之FPD用玻璃基板及搭載有氧化物半導體之FPD用玻璃基板之玻璃組合物之應變點例如為665℃以上,較佳為675℃以上,更佳為680℃以上,尤佳為690℃以上。為使應變點之提昇與利用溢流下拉法之成形性之提昇同時實現,該玻璃組合物之液相黏度例如為35000dPa.s以上120000dPa.s以下,較佳為40000dPa.s以上100000dPa.s以下,更佳為50000dPa.s以上80000dPa.s以下。又,為使應變點之提昇與利用溢流下拉法之成形性之提昇同時實現,該玻璃組合物之液相溫度例如為1100℃~1250℃,更佳為1150℃~1250℃,進而較佳為1180℃~1250℃,尤佳為1200℃~1250℃。
該玻璃組合物之具體之一例係具有包括SiO2:52~78質量%、Al2O3:3~25質量%、B2O3:3~15質量%、RO(其中RO為MgO、CaO、SrO與BaO之含有率之合計):3~20質量%之組成、質量比(SiO2+Al2O3)/B2O3為7.5以上、且應變點為670℃以上之玻璃組合物。就使玻璃組合物之應變點進一步升高之觀點而言,質量比(SiO2+Al2O3)/RO較佳為7以上。又,就同一觀點而言,β-OH值較佳為0.1~0.3[mm-1]。該玻璃組合物較佳為無鹼玻璃,但若考慮降低玻璃之比電阻、且抑制電熔解時之氧化鋯之溶出,則亦可包含0.01~0.8質量%之 R'2O(其中R'2O為Li2O、Na2O與K2O之含有率之合計)。亦可藉由包含0.01~1質量%之Fe2O3而降低玻璃之比電阻。為實現高應變點,且抑制液相溫度上升,該玻璃組合物中之質量比CaO/RO較佳為0.65以上,質量比(SiO2+Al2O3)/B2O3較佳為7.5~20。若考慮將FPD用於移動設備等,則就輕量化之觀點而言,SrO與BaO之含有率之合計較佳為未達0~2質量%。
本發明之製造方法只要可獲得本發明之效果,便可包括除上述步驟以外之任意步驟。
該任意步驟例如為使玻璃原料熔解而形成熔融玻璃之熔解步驟。熔解步驟亦可為利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽至少使玻璃原料電熔解之步驟。上述步驟適合無鹼玻璃及含微量鹼之玻璃之熔融玻璃之形成。於該步驟中,氧化鋯自耐火物中溶出至熔融玻璃中(就玻璃之比電阻之關係而言,於形成無鹼玻璃及含微量鹼之玻璃之熔融玻璃時,尤其係於形成無鹼玻璃之熔融玻璃時,有氧化鋯之溶出量較多之傾向),但於本發明之製造方法中,可抑制玻璃帶之端部之失透。
又,熔解步驟亦可為使用氧化錫電極而於熔解槽中使玻璃原料電熔解之步驟。於該步驟中,氧化錫自電極中溶出至熔融玻璃中,但於本發明之製造方法中,可抑制玻璃帶之端部之失透。
上述任意步驟例如為澄清於熔解槽中形成之熔融玻璃之澄清步驟。
上述任意步驟例如為於玻璃帶離開成形裝置後對該玻璃帶端部進行急冷以防止失透之急冷步驟。於該步驟中,較佳為以玻璃帶之端部之黏度成為109~1014泊之方式對玻璃帶進行急冷。
上述任意步驟為對所形成之玻璃帶進行緩冷之緩冷步驟。經過緩冷步驟之玻璃帶被切斷成所需尺寸而成為各種製品。製品之一例為 FPD用玻璃基板。
可實施本發明之製造方法之玻璃板製造裝置例如包括上述本發明之製造方法之說明中所敍述之成形裝置。
該玻璃板製造裝置包括如下熔融玻璃之加熱機構,即,以沿成形裝置之壁面流下之熔融玻璃之導件附近之部分之黏度自成形裝置之上表面至下端保持未達構成該熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度之方式,沿導件加熱該部分。
加熱機構之構成並無特別限定。加熱機構例如包括以自成形裝置之上表面側延伸至下端側之方式配置於導件附近之加熱裝置。加熱裝置可使用於本發明之製造方法之說明中所敍述者。加熱裝置例如為加熱器。此時,加熱機構可包括控制該加熱裝置之控制機構、電力源、將電力自該電力源供給至加熱機構之構件、測定熔融玻璃之導件附近之部分之溫度之構件等。又,加熱機構例如包括導件之發熱機構。發熱機構之構成並無特別限定。於對導件通電使其發熱之情形時,發熱機構例如包括電流(電壓)產生裝置、自該裝置對導件供給電流(施加電壓)之構件、及將該構件與導件電性連接之電極。於利用加熱器等加熱裝置使導件發熱之情形時,發熱機構例如包括加熱裝置、控制該加熱裝置之控制機構、電力源、將電力自該電力源供給至加熱器之構件。
只要可獲得本發明之效果,該玻璃板製造裝置亦可包括除成形裝置及加熱機構以外之任意裝置、機構。
[實施例] (實施例)
利用使用高氧化鋯系耐火物之熔解槽,使以具有下述組成之方式調配而成之玻璃原料電熔解,而形成熔融玻璃。其次,於鉑合金製之澄清槽中於1680℃下澄清所形成之熔融玻璃後,於攪拌槽中進行攪 拌,且冷卻至1250℃。繼而,將熔融玻璃經過鉑合金製之導件構件而供給至圖1所示之成形裝置1,利用溢流下拉法使玻璃帶成形。此時,藉由使電流於鉑合金製之導件6a、6b中流動,對該導件通電使其發熱,而以沿壁面5流下之導件6a、6b附近之熔融玻璃之溫度不小於較作為構成該熔融玻璃之玻璃組合物之液相溫度之1230℃高15℃之1245℃、且不大於較1230℃高100℃之1330℃之方式進行溫度控制。將以此方式成形之玻璃帶冷卻、緩冷後,進行切斷,而獲得厚度為0.7mm、尺寸為2200mm×2500mm之FPD用玻璃基板。再者,該玻璃組合物之液相黏度為50000dPa.s,應變點為715℃。
SiO2:61.5質量%、Al2O3:20質量%、B2O3:8.4質量%、CaO:10質量%、SnO2:0.1質量%
於所獲得玻璃基板中,包括寬度方向之端部在內,均未產生失透。又,亦可確保製品寬度。
(比較例)
除未進行導件之發熱,且根據專利文獻2(日本專利特開2010-215428號公報)所記載之方法,於成形裝置之下端與位於最靠近成形裝置之下游之位置之搬送輥之間之空間配置加熱器,而局部地加熱自成形裝置之下端向下方移動之玻璃帶之端部以外,以與實施例相同之方式獲得FPD用玻璃基板。再者,加熱器沿成形裝置之寬度方向配置於成形裝置之下方,加熱器之溫度以成形裝置下端之熔融玻璃之溫度成為液相溫度以上之方式得到控制。
於所獲得之玻璃基板之寬度方向之端部產生失透。確認出於專利文獻2所記載之方法中,於利用液相溫度高、液相黏度小之玻璃組 合物使玻璃帶成形時,難以抑制端部之失透。
本說明書揭示與玻璃板之製造方法及玻璃板製造裝置相關之以下所示之形態。
第1態樣係一種玻璃板之製造方法,其包括使用成形裝置且利用溢流下拉法使玻璃帶成形之成形步驟,該成形裝置包括:上表面,其形成有供給熔融玻璃之供給槽;及一對壁面,其引導溢出至上述供給槽之兩側且自上述上表面之兩端部向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於下端融合,而製成玻璃帶;且構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為120000dPa.s以下,於上述成形步驟中,利用於上述壁面之寬度方向兩側之端部以自該端部突出之方式相互對向地形成之一對導件,一面限制該熔融玻璃之寬度,一面使上述熔融玻璃沿上述壁面流下,且以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之黏度自上述成形裝置之上表面至下端保持未達上述液相黏度之方式,沿上述導件加熱該部分。
第2態樣係一種玻璃板之製造方法,其包括使用成形裝置且利用溢流下拉法使玻璃帶成形之成形步驟,該成形裝置包括:上表面,其形成有供給熔融玻璃之供給槽;及一對壁面,其引導溢出至上述供給槽之兩側且自上述上表面之兩端部向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於下端融合,而製成玻璃帶;且構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為120000dPa.s以下,液相溫度為1100℃~1250℃,於上述成形步驟中,利用於上述壁面之寬度方向兩側之端部以自該端部突出之方式相互對向地形成之一對導件,一面限制該熔融玻璃之寬度,一面使上述熔融玻璃沿上述壁面流下,且以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之黏度自上述成形裝置之上表面至下端保持未達上述液相黏度之方式,沿上述導件加熱該部分。
第3態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1或第2態樣,於上述成 形步驟中,以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之溫度自上述成形裝置之上表面至下端較上述液相溫度高10℃~150℃之方式,沿上述導件加熱該部分。
第4態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第3態樣中之任一態樣,利用以自上述成形裝置之上表面側延伸至下端側之方式沿上述導件配置之加熱裝置對上述熔融玻璃之上述部分進行加熱。
第5態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第4態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物為包括SiO2:50~78質量%、B2O3:0~15質量%、Al2O3:3~25質量%、MgO:0~10質量%、CaO:0~20質量%、SrO:0~20質量%、BaO:0~10質量%、及RO(其中RO為MgO、CaO、SrO與BaO之合計):3~20質量%之玻璃組合物。
第6態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第5態樣中之任一態樣,上述成形裝置之下端為上述一對壁面彼此連接而成之直線狀脊線,上述成形裝置中之上述導件距上述壁面之高度係上述成形裝置越下方之位置則越低,並且於上述脊線之位置為零。
第7態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第6態樣中之任一態樣,藉由使上述導件發熱而對上述熔融玻璃之上述部分進行加熱。
第8態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第7態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物之液相黏度為35000dPa.s以上120000dPa.s以下。
第9態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第8態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物之液相溫度為1050℃以上。
第10態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第9態樣中之任一態樣,上述熔融玻璃含有氧化鋯及/或氧化錫。
第11態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第10態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物含有0~2.0質量%之鹼金屬氧化物。
第12態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第11態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物表現102.5泊之黏度之溫度為1500℃~1750℃。
第13態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第12態樣中之任一態樣,上述玻璃組合物為含有SiO2:52~78質量%、Al2O3:3~25質量%、B2O3:3~15質量%、RO(其中RO為MgO、CaO、SrO與BaO之合計):3~20質量%、質量比(SiO2+Al2O3)/B2O3為7.5以上、且應變點為670℃以上之玻璃組合物。
第14態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第13態樣中之任一態樣,上述玻璃板為液晶顯示器用玻璃基板或有機EL顯示器用玻璃基板。上述玻璃板亦可為搭載有低溫p-Si.TFT之顯示器用玻璃基板。
第15態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第14態樣中之任一態樣,以上述成形裝置之下端之上述熔融玻璃之黏度成為40000dPa.s以上之方式進行溫度控制。
第16態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第15態樣中之任一態樣,進而包括對在上述成形步驟中成形之玻璃帶進行緩冷之緩冷步驟,上述緩冷步驟中之上述玻璃帶之搬送速度為50~500m/小時。
第17態樣之玻璃板之製造方法係附加於第1~第16態樣中之任一態樣,進而包括:熔解步驟,藉由於包含高氧化鋯系耐火物之熔解槽中,至少利用通電加熱使玻璃原料熔解,而獲得上述熔融玻璃。
第18態樣之玻璃板製造裝置包括成形裝置及下述熔融玻璃之加熱機構,該成形裝置包括:上表面,其形成有供給熔融玻璃之供給槽;一對壁面,其引導溢出至上述供給槽之兩側且自上述上表面之兩端部向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於下端融合,而製成玻璃帶;及一對導件,其於上述壁面之寬度方向兩側之端部以自該端部突出之方式相互對向地形成,且限制沿上述壁面流下之熔融玻璃之寬度;該熔融玻璃之加熱機構係以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分 之黏度自上述成形裝置之上表面至下端保持未達構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度之方式,沿上述導件加熱該部分。
第19態樣之玻璃板製造裝置係附加於第18態樣,上述加熱機構包括以自上述成形裝置之上表面側延伸至下端側之方式配置於上述導件之附近之加熱裝置。
第20態樣之玻璃板製造裝置係附加於第18或第19態樣,上述加熱機構包括上述導件之發熱機構。
第21態樣之玻璃板製造裝置係附加於第18~第20態樣中之任一態樣,上述成形裝置之下端為上述一對壁面彼此連接而成之直線狀脊線,上述成形裝置中之上述導件距上述壁面之高度係上述成形裝置越下方之位置則越低,並且於上述脊線之位置為零。
[產業上之可利用性]
利用本發明之製造方法而得之玻璃板可用於各種用途、例如FPD之玻璃基板。
1‧‧‧成形裝置
2‧‧‧供給槽
2a‧‧‧供給槽的底面
3‧‧‧上表面
4‧‧‧下端
5‧‧‧壁面
6a、6b‧‧‧導件
7‧‧‧液面
8‧‧‧加熱裝置
50‧‧‧玻璃帶
50a‧‧‧(玻璃帶之)端部

Claims (5)

  1. 一種玻璃板之製造方法,其包括使用成形裝置且利用溢流下拉法使玻璃帶成形之成形步驟,該成形裝置包括:上表面,其形成有供給熔融玻璃之供給槽;及一對壁面,其引導溢出至上述供給槽之兩側且自上述上表面之兩端部向下流動之熔融玻璃,使熔融玻璃於下端融合,而製成玻璃帶;且構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為120000dPa.s以下,液相溫度為1100℃~1250℃,於上述成形步驟中,利用於上述壁面之寬度方向兩側之端部以自該端部突出之方式相互對向地形成之一對導件,自上述成形裝置之上表面至下端,一面限制該熔融玻璃之寬度,一面使上述熔融玻璃沿上述壁面流下,且以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之黏度自上述成形裝置之上表面至下端保持未達上述液相黏度,而使自該上表面至下端之上述熔融玻璃不產生失透之方式,沿上述導件加熱該部分。
  2. 如請求項1之玻璃板之製造方法,其中於上述成形步驟中,以上述流下之熔融玻璃之上述導件附近之部分之溫度自上述成形裝置之上表面至下端較上述液相溫度高10℃~150℃之方式,沿上述導件加熱該部分。
  3. 如請求項1或2之玻璃板之製造方法,其中利用以沿著上述導件自上述成形裝置之上表面側延伸至下端側之方式配置之加熱裝置,對上述熔融玻璃之上述部分進行加熱。
  4. 如請求項1或2之玻璃板之製造方法,其中上述成形裝置具備下列面作為上述壁面:垂直壁面,其供自上述供給槽溢出之上述 熔融玻璃沿鉛垂方向流下;及傾斜壁面,其將沿上述垂直壁面流下之上述熔融玻璃引導至上述下端,且與上述垂直壁面相連接;上述導件係自上述垂直壁面橫跨上述傾斜壁面而形成。
  5. 如請求項1或2之玻璃板之製造方法,其中上述成形裝置之下端為上述一對壁面彼此連接而成之直線狀脊線,上述成形裝置中之上述導件距上述壁面之高度係上述成形裝置越下方之位置則越低,並且於上述脊線之位置為零。
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