TW201728541A - 玻璃基板之製造方法、及、玻璃基板之製造裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種能夠抑制玻璃片之寬度方向之端部失透之玻璃基板之製造方法及製造裝置。 本發明係一種使用成形體之玻璃基板之製造方法，上述成形體具備一對壁面，引導自形成有供給熔融玻璃之供給槽之上表面流下之熔融玻璃，使其於下端融合而形成玻璃片，且，玻璃組合物之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下，將熔融玻璃之黏度為25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之熔融玻璃供給至供給槽，利用自成形體之寬度方向之端部突出之一對導件，一面限制該熔融玻璃之寬度，一面使熔融玻璃沿著壁面流下，相較沿著上述壁面之中上述寬度方向之兩端部之間之內側部分流下之熔融玻璃，加大提供給沿著上述端部流下之熔融玻璃之加熱量，藉此使上述下端之熔融玻璃之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s。

Description

玻璃基板之製造方法、及、玻璃基板之製造裝置
本發明係關於一種玻璃基板之製造方法及玻璃基板之製造裝置。
所謂溢流下拉法係指如下方法：(1)將熔融玻璃供給至於上部形成有熔融玻璃之供給槽且具有楔形之剖面之成形裝置(成形體)，(2)將自供給槽溢出之熔融玻璃引導至成形裝置中之相當於上述楔形之雙方之側面之一對壁面，並使熔融玻璃沿著該壁面流下，(3)使沿著各壁面流下之熔融玻璃於成形裝置之下端融合而連續地成形為玻璃片(玻璃帶)。所獲得之玻璃片然後經過厚度之調整、緩冷等步驟被切斷為所期望之尺寸，成為玻璃基板。溢流下拉法適合製造大面積且較薄之玻璃基板，例如液晶顯示器、有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器、電漿顯示器等平板顯示器(FPD)中所使用之玻璃基板。 有時於成形裝置中之兩端部，更具體而言，熔融玻璃流下之壁面之熔融玻璃之寬度方向之雙方之端部，以自該端部之壁面突出之方式設置互相對向地形成之一對導件。藉由配置導件，限制沿著壁面流下之熔融玻璃之寬度。於專利文獻1中，揭示有一種具備具有特定之形狀之導件之成形裝置。於專利文獻1中記載有如下情形：利用該成形裝置，於熔融玻璃之黏度相對較高之情形時能夠成形兩端部(耳部)之形狀穩定之玻璃片。 於專利文獻2中，揭示有防止玻璃片之端部之形狀不良之技術。更具體而言，於專利文獻2中揭示有如下技術：於成形裝置之下端與位於距該裝置最近之位置之玻璃片之搬送輥之間之空間配置加熱器，利用該加熱器一面將剛融合後之玻璃片之端部局部地加熱一面實施玻璃片之成形及搬送。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2010-189220號公報 [專利文獻2]日本專利特開2010-215428號公報
[發明所欲解決之問題] 於溢流下拉法中，使用具備上述導件之成形裝置之情形時，存在如下問題：若想要成形液相黏度較小之玻璃，沿著導件附近流下之熔融玻璃容易產生失透，即，已經成形之玻璃片中之寬度方向之端部(以下，將「寬度方向之端部」簡稱為「端部」)容易產生失透。於專利文獻1中，並無與此種玻璃片端部之失透相關之記載。於專利文獻2中記載有如下情形：藉由利用配置於成形裝置之下端與位於較成形裝置靠下游側之搬送輥之間之加熱器來加熱導件下端，故而能夠防止僅導件下端附近之熔融玻璃長期停留於容易產生失透之溫度區域。然而，於專利文獻2之技術中，利用上述加熱器加熱的僅為導件之下端，未必能夠充分抑制沿著導件附近流下之熔融玻璃之失透。尤其，於構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度較小之情形時，難以抑制已經成形之玻璃片之端部失透。作為液相黏度較小之玻璃組合物，例如，可列舉為了使熱收縮率變小而使應變點上升之低溫多晶矽(LTPS：Low Temperature Poly-Silicon)用玻璃組合物。 因此，本發明為利用溢流下拉法而進行之玻璃基板之製造方法及製造裝置，其目的在於提供如下玻璃基板之製造方法及玻璃基板之製造裝置：抑制已經成形之玻璃片之端部失透之效果較高，即便構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度較小，亦能獲得抑制該端部失透之效果。 [解決問題之技術手段] 本發明之一形態係一種玻璃基板之製造方法，其特徵在於：具有成形步驟，於其中使用成形體利用溢流下拉法成形玻璃片，上述成形體具備上表面及一對壁面，上述上表面形成有供給熔融玻璃之供給槽，上述壁面引導自上述供給槽之兩側溢出並自上述上表面流下之熔融玻璃，使其於下端融合而形成玻璃片。 構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下。 於上述成形步驟中， 將熔融玻璃之黏度為25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之熔融玻璃供給至上述供給槽， 利用一對導件，一面限制該熔融玻璃之寬度，一面使上述熔融玻璃沿著上述壁面流下，上述導件以自上述成形體之上表面到達上述下端，於上述壁面之寬度方向之雙方之端部自該端部突出之方式互相對向地形成， 相較沿著上述壁面中上述寬度方向之兩側之端部之間之內側部分流下之熔融玻璃，加大提供給沿著上述端部流下之熔融玻璃之加熱量，藉此以上述下端之熔融玻璃之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s之方式進行加熱。 於上述成形步驟中，較佳為以沿著上述端部流下之熔融玻璃之溫度，自上述成形體之上述上表面到達上述下端為止，較上述液相溫度高出10℃～150℃之方式，沿著上述導件加熱沿著上述端部流下之熔融玻璃。 於上述成形步驟中，較佳為利用設置於與上述一對導件及上述壁面對向之位置之加熱裝置，以上述熔融玻璃之溫度沿著上述壁面之寬度方向變得均勻之方式，加熱沿著上述壁面流下之熔融玻璃。 較佳為上述成形體之下端為將上述一對壁面彼此連接之直線狀之脊線， 上述成形體中，上述導件距上述壁面之高度為，越靠上述下端變得越低，且於上述脊線之位置為零。 本發明之另一形態係一種玻璃基板之製造裝置，使用成形體利用溢流下拉法成形玻璃片。 該製造裝置之上述成形體具備： 供給槽，其供給熔融玻璃； 上表面，其形成有上述供給槽； 一對壁面，其等引導自上述供給槽之兩側溢出並自上述上表面流下之熔融玻璃，使其於下端融合而形成玻璃片；及 一對導件，其等以自上述成形體之上表面到達上述下端為止，於上述壁面之寬度方向之雙方之上述壁面之端部，自該端部突出之方式，相互對向地形成，一面限制該熔融玻璃之寬度，一面使上述熔融玻璃沿著上述壁面流下。 上述供給槽構成為，其中由液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下之玻璃組合物構成之熔融玻璃，以上述熔融玻璃之黏度為25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之狀態流動。 又，上述製造裝置具備加熱裝置，該加熱裝置相較沿著上述壁面中上述寬度方向之兩側端部間之內側部分流下之熔融玻璃，加大提供給沿著上述端部流下之熔融玻璃之加熱量，藉此以上述下端之熔融玻璃之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s之方式進行加熱。 [發明之效果] 根據上述形態之玻璃基板之製造方法及玻璃基板之製造裝置，抑制已經成形之玻璃片之端部失透之效果較高，即便構成熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度較小，亦能獲得抑制該端部失透之效果。
以下，對本發明之玻璃基板之製造方法進行說明。 (玻璃基板之製造方法之整體概要) 圖1係表示本實施形態之玻璃基板之製造方法之步驟之一例之圖。玻璃基板之製造方法主要具有熔解步驟(ST1)、澄清步驟(ST2)、均質化步驟(ST3)、供給步驟(ST4)、成形步驟(ST5)、緩冷步驟(ST6)、及切斷步驟(ST7)。再者，亦可具有研削步驟、研磨步驟、洗淨步驟、檢查步驟、捆包步驟等。所製造出之玻璃基板根據需要於捆包步驟中積層，被搬送至購入方之業者。 於熔解步驟(ST1)中，藉由將玻璃原料加熱而製作熔融玻璃。 於澄清步驟(ST2)中，藉由使熔融玻璃升溫，產生包含熔融玻璃中所含之氧、CO2 或者SO2 之氣泡。該氣泡吸收由熔融玻璃中包含之澄清劑(氧化錫等)之還原反應而產生之氧後成長，上浮至熔融玻璃之液面並釋放。然後，於澄清步驟中，藉由使熔融玻璃之溫度降低，由澄清劑之還原反應所獲得之還原物質進行氧化反應。藉此，殘留於熔融玻璃之氣泡中之氧等氣體成分被再吸收至熔融玻璃中，氣泡消失。澄清劑之氧化反應及還原反應係藉由控制熔融玻璃之溫度而進行。 又，澄清步驟亦可使用減壓脫泡方式，使熔融玻璃中存在之氣泡於減壓環境氣體下成長並脫泡。減壓脫泡方式因不使用澄清劑而有效。然而，減壓脫泡方式有裝置複雜化及大型化之問題。因此，較佳採用使用澄清劑使熔融玻璃溫度上升之澄清方法。 於均質化步驟(ST3)中，藉由使用攪拌器攪拌熔融玻璃，而進行玻璃成分之均質化。藉此，能夠降低作為脈理等之原因之玻璃之組成不均。均質化步驟係於下述攪拌槽中進行。 於供給步驟(ST4)中，將已經攪拌之熔融玻璃供給至成形裝置。 成形步驟(ST5)及緩冷步驟(ST6)係於成形裝置中進行。 於成形步驟(ST5)中，將熔融玻璃成形為玻璃片，而製作玻璃片液流(flow)。成形時使用溢流下拉法。 於緩冷步驟(ST6)中，將成形後流動之玻璃片以成為所期望之厚度、不產生內部應變之方式，且不產生翹曲之方式進行冷卻。 於切斷步驟(ST7)中，藉由將緩冷後之玻璃片切斷為特定之長度，獲得板狀之玻璃基板。經切斷之玻璃基板進而被切斷為特定尺寸，製作目標尺寸之玻璃基板。 圖2係進行本實施形態中之熔解步驟(ST1)～切斷步驟(ST8)之玻璃基板之製造裝置之概略圖。如圖2所示，玻璃基板之製造裝置主要具有熔解裝置100、成形裝置200、及切斷裝置300。熔解裝置100具有熔解槽101、澄清管120、攪拌槽103、移送管104、105、及玻璃供給管106。 於圖2所示之熔解槽101中設置著未圖示之燃燒器等加熱機構。向熔解槽中投入添加了澄清劑之玻璃原料，進行熔解步驟(ST1)。於熔解槽101中熔融之熔融玻璃MG經由移送管104而供給至澄清管102。 於澄清管120中，調整熔融玻璃MG之溫度，利用澄清劑之氧化還原反應進行熔融玻璃MG之澄清步驟(ST2)。具體而言，藉由使澄清管102內之熔融玻璃MG升溫，包含於熔融玻璃MG中之含有氧、CO2 或者SO2 之氣泡，吸收由澄清劑之還原反應而產生之氧後成長，上浮至熔融玻璃MG之液面後釋放至氣相空間。然後，藉由使熔融玻璃MG之溫度降低，由澄清劑之還原反應所獲得之還原物質進行氧化反應。藉此，殘留於熔融玻璃MG中之氣泡中之氧等氣體成分被再吸收至熔融玻璃MG中，氣泡消失。澄清後之熔融玻璃MG經由移送管105而供給至攪拌槽103。 於攪拌槽103中，利用攪拌棒103a攪拌熔融玻璃MG而進行均質化步驟(ST3)。於攪拌槽103中被均質化之熔融玻璃MG經由玻璃供給管106而供給至成形裝置200(供給步驟ST4)。 於成形裝置200中，利用溢流下拉法，自熔融玻璃MG成形玻璃片SG(成形步驟ST5)，並進行緩冷(緩冷步驟ST6)。 於切斷裝置300中，形成自玻璃片SG切出之板狀之玻璃基板(切斷步驟ST7)。 (成形體之構成) 接著，參照圖3、圖4，對成形裝置200所具備之成形體1之構成進行說明。圖3表示本實施形態之製造方法中能夠使用之成形體1之一例，圖4表示使用圖3所示之成形體1之本實施形態之製造方法之一例。成形體1形成特定之剖面，為於一方向上延伸之長條形狀。本說明書中，將沿著成形體1之長邊延伸之方向稱為寬度方向。成形體1具備：上表面3，其形成有供給熔融玻璃之供給槽2；一對壁面5，其等引導自供給槽2之兩側溢出後自上表面3之兩端部3a、3b流下之熔融玻璃，使其於成形體1之下端4融合而形成玻璃片SG(於圖3、4中僅圖示了一個壁面)；及一對導件6a、6b，其等形成於壁面5之寬度方向之雙方之端部5a、5b。導件6a、6b分別以自端部5a、5b之壁面5突出，導件6a、6b互相對向地形成。自供給槽2溢出之熔融玻璃沿著一對壁面5分別流下。壁面5具有：垂直壁面，其使自供給槽2溢出之熔融玻璃向鉛垂方向流下；及傾斜壁面，其將沿著垂直壁面流下之熔融玻璃導向成形體1之下端4，且與垂直壁面連接。沿著壁面5流下之熔融玻璃之一對液流於成形體1之下端4合流，互相融合。此時，利用導件6a、6b，限制沿著壁面5流下之熔融玻璃之寬度，例如連續形成寬度方向之厚度均勻性較高之玻璃片SG。成形體1之下端4形成有將一對壁面5彼此(傾斜壁面彼此)連接之直線狀之脊線。圖3、4所示之符號2a為供給槽2之底面2a，圖3所示之符號7為供給至供給槽2之熔融玻璃之液面7。 如圖3所示，於導件6a、6b之各者之附近，以自成形體1之上表面3側朝向下端4側延伸之方式配置有加熱裝置8，包含成形體1中之圖3未表示之一側在內(於該側與圖3所示之一側相同地亦配置有加熱裝置8)，沿著一對壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分及沿著壁面5流下之熔融玻璃MG由該加熱裝置8加熱。該加熱係以如下方式沿著導件6a、6b進行，即，沿著壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之黏度自成形體1之上表面3到達下端4為止(熔融玻璃之該部分自成形體1之上表面3流下到達下端4為止)，未達構成該熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相黏度(以下，亦簡稱為「液相黏度」)。 於利用使用具備導件6a、6b之成形體1之溢流下拉法而進行之玻璃片SG之成形(及將該玻璃片SG冷卻後獲得之玻璃基板之製造)中，容易於導件6a、6b附近，即成形之玻璃片SG之端部(圖3所示之符號50a)產生失透。認為該情形係由於：收容成形體1之成形爐為了於成形體1之下端使熔融玻璃MG變成適於成形之黏度，通常設定為不僅顧及玻璃片SG之成形且顧及熔融玻璃MG之冷卻之溫度，即較熔融玻璃MG低之溫度，故而導件6a、6b會奪取熱，使得導件6a、6b附近之熔融玻璃MG之溫度容易較熔融玻璃MG中之其他部分之溫度低；及由於此種溫度降低及接觸導件6a、6b引起之物理阻力，導件6a、6b附近之熔融玻璃MG之流下速度容易較熔融玻璃MG中之其他部分低，自接觸導件6a、6b到離開成形體1為止需要長時間；等理由產生。 根據專利文獻2(日本專利特開2010-215428號公報)之技術，存在能夠抑制於導件下端產生失透之可能性。然而，於專利文獻2之技術中，難以抑制於較導件之下端靠上游之區域，尤其於熔融玻璃與導件接觸後開始冷卻之初期所產生之失透，且無法利用導件之下端之加熱消除一次產生之失透。再者，於利用適合對FPD之玻璃基板使用之無鹼玻璃、微量含有鹼之玻璃等之液相溫度較高、液相黏度較小之玻璃組合物、例如本實施形態之製造方法中所使用之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下、液相溫度為1200℃～1220℃之範圍之玻璃組合物，成形玻璃片時，此種失透特別容易產生。 於本實施形態之製造方法中，以沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃中之導件6a、6b附近之部分之黏度，自成形體1之上表面3到達下端4為止，保持未達液相黏度之方式(以該部分之溫度自成形體1之上表面3到達下端4為止成為液相溫度以上之方式)，沿著導件6a、6b加熱熔融玻璃中之該部分。藉此，獲得抑制熔融玻璃之導件6a、6b附近之部分(熔融玻璃MG之寬度方向之兩端部)之失透之較高效果，即便於具有構成熔融玻璃MG之玻璃組合物為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下之較小之液相黏度，且具有1200℃～1220℃之範圍之液相溫度之情形時，亦能抑制該端部之失透產生。 於本說明書中，所謂液相溫度，係指熔融體與結晶之初相之間之平衡溫度，若為該溫度以上則不存在結晶，所謂液相黏度，係指玻璃成為上述液相溫度之黏度。 於本實施形態之製造方法中，成形裝置200中流動玻璃組合物之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下之熔融玻璃MG。這種情形時，構成為以經由玻璃供給管106將熔融玻璃MG供給至成形裝置200(成形體1之供給槽2)時之熔融玻璃之黏度為20000 dPa・s以上且未達40000 dPa・s之方式，製造裝置控制熔融玻璃MG之溫度，又，構成為以黏度變成25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之方式，製造裝置控制熔融玻璃MG之溫度。 若使供給至成形體1之供給槽2之熔融玻璃之黏度變低，即，使熔融玻璃MG之溫度變高，亦產生如下問題：成形體1之蠕變現象變得明顯，自成形開始隨著時間經過而玻璃片SG之中央部下垂等。另一方面，若使供給至成形體1之供給槽2之熔融玻璃MG之黏度變高，即，使熔融玻璃MG之溫度變低，容易於成形步驟中產生失透。因此，必須將能夠防止失透產生且能夠抑制成形體1之蠕變現象之熔融玻璃MG供給至成形體1。於構成熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下之情形時，為了於由成形體1成形之熔融玻璃MG之黏度最高之成形體1之下端防止失透，以使熔融玻璃MG之黏度未達80000 dPa・s之方式控制熔融玻璃之黏度。為了抑制成形體1之蠕變現象，使供給至成形體1之供給槽2之熔融玻璃MG之黏度變高，且於成形體1之下端將熔融玻璃之黏度未達80000 dPa・s之熔融玻璃供給至成形體1之供給槽2。於本實施形態之製造方法中，供給至成形體1之供給槽2之熔融玻璃MG之黏度係下限為20000 dPa・s至25000 dPa・s，上限為35000 dPa・s至40000 dPa・s。 於本實施形態之製造方法中，較佳為以沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃中之導件6a、6b附近之部分之溫度，自成形體1之上表面3到達下端4為止，溫度較液相溫度高出10℃以上之方式加熱該部分，更佳為以溫度較液相溫度高出15℃以上之溫度之方式加熱該部分。於該等情形時，更確實地抑制成形之玻璃片之端部之失透產生。具體之液相溫度根據玻璃組合物之組成而不同。 於本實施形態之製造方法中，於成形步驟中，較佳為以沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃中之導件6a、6b附近之部分(沿著端部流下之熔融玻璃MG)之溫度，自成形體1之上表面3到達下端4為止，較液相溫度高出10℃～150℃之方式(以成為較液相溫度高出10℃以上，於液相溫度上增加150℃之溫度以下之方式)，沿著導件6a、6b而加熱該部分。藉此，能夠抑制成形體1之變形及成形後之玻璃片SG中之寬度方向之收縮。更佳為以沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之溫度，自成形體1之上表面3到達下端4為止，較液相溫度高出15℃～100℃之方式，沿著導件而加熱該部分。 配合熔融玻璃自成形體1離開後之端部之急冷(玻璃片SG端部之急冷)，更確實地抑制該端部之失透產生。 根據本實施形態之製造方法，並非加熱沿著成形體1之壁面5流下之方向上之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分，而是以該部分之溫度自成形體1之上表面3到達下端4為止，較液相溫度足夠高之方式，將沿著成形體1流下之熔融玻璃MG整體之溫度設為較液相溫度足夠高之溫度，理論上而言藉由此亦能抑制失透。然而，於製造液相溫度較高之玻璃之情形時，實際上無法將此種方法應用於溢流下拉法。原因在於，存在對由溢流下拉法進行之玻璃片之成形適當之熔融玻璃之黏度(為了不產生如下所述之玻璃片之鬆弛或玻璃片之寬度之收縮之問題，成形體1之下端之熔融玻璃之黏度較佳為40000 dPa・s以上，更佳為70000 dPa・s以上)。若以熔融玻璃中之導件附近之部分之溫度較液相溫度足夠高之方式，將沿著成形體1流下之熔融玻璃整體之溫度設為較液相溫度足夠高之溫度，或者若於成形體1之下端過度地進行加熱，存在成形體1之下端之熔融玻璃MG之黏度成為小於上述適當之範圍之可能性。於是，產生如下問題：離開成形體1之後之玻璃片SG之黏度無法充分上升，玻璃片以配置於成形體1之下游側之搬送輥之拉伸速度以上之速度落下而於該輥上玻璃片SG鬆弛，或玻璃片SG之寬度收縮。再者，亦產生如下問題：成形體1之溫度越高，則成形體1之蠕變現象越明顯，自成形開始隨著時間之經過而玻璃片SG之中央部下垂等問題。 相對於此，亦考慮增加緩冷步驟中搬送輥對玻璃片SG之拉伸速度之方法，但若考慮作為玻璃基板所期望之厚度及成形後之緩冷步驟中所實施之玻璃片SG之溫度控制，搬送輥之拉伸速度之增加存在極限(若考慮緩冷步驟中所實施之玻璃片之溫度控制，玻璃片之搬送速度較佳為50～500 m/小時，較佳為100～400 m/小時，較佳為120～300 m/小時)。故而，成形之玻璃片之寬度容易收縮，無法確保作為玻璃基板之產品寬度。再者，若蠕變現象變得明顯，所製造之玻璃基板之板厚之均勻性會降低。 於本實施形態之製造方法中，並非使沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃MG整體之溫度於熔融玻璃MG之流動方向及寬度方向均一律地上升，使熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之溫度設為液相溫度以上。藉由將特別容易產生失透之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之溫度自成形體1之上表面3到達下端4為止設為液相溫度以上，即藉由對沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃MG之寬度方向之局部加熱，能夠抑制熔融玻璃MG整體及成形體1整體過熱，且使該部分之黏度自成形體1之上表面3到達下端4為止未達液相黏度，能夠抑制產生於玻璃片之端部失透。 於本實施形態之製造方法中沿著導件6a、6b而加熱熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之方法只要能夠保持該部分之黏度自成形體1之上表面3到達下端4為止未達液相黏度，則並不限定。 如圖4所示，加熱方法之一例為利用加熱裝置8自導件6a加熱到導件6b，上述加熱裝置8以自成形體1之上表面3側延伸至下端4側之方式配置。根據該方法，能夠自導件6a到導件6b，相對簡便地進行沿著壁面5流下之熔融玻璃MG之加熱之控制。加熱裝置8設置於與一對導件6a、6b及壁面5對向之位置，且以使熔融玻璃MG之溫度沿著壁面5之寬度方向均勻之方式加熱沿著壁面5流下之熔融玻璃MG。藉由以使熔融玻璃MG之溫度沿著壁面5之寬度方向均勻之方式加熱熔融玻璃MG，能夠實現所成形之玻璃片之板厚之均勻性。 於本實施形態之製造方法中，沿著導件6a、6b附近流下之熔融玻璃MG之黏度容易變高，於成形體1之下端4之導件6a、6b附近，熔融玻璃MG之黏度容易變得最高。因此，以與沿著導件6a、6b附近流下之熔融玻璃對向之區域8a之溫度，較與於導件6a與導件6b之間沿著壁面5流下之熔融玻璃對向之區域8b之溫度高之方式，設定加熱熔融玻璃MG之加熱裝置8之設定溫度。即，相較沿著與區域8b大致對向之壁面5之部分(寬度方向兩側之端部間之內側部分)流下之熔融玻璃MG，加大提供給沿著與區域8a大致對向之導件6a、6b附近之壁面5之部分(壁面5之端部)流下之熔融玻璃MG之加熱量。如此，藉由使加熱裝置8之區域8b之設定溫度較加熱裝置8之區域8a之設定溫度高，以成形體1之下端4中之熔融玻璃MG之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s之方式進行加熱。藉由此種加熱，沿著壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之黏度，自成形體1之上表面3到達下端4為止，未達構成該熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相黏度，從而可防止失透。加熱裝置8之區域8之寬度方向之位置為與導件6a、6b大致對向之位置，加熱裝置8之區域8a之寬度方向之位置為與成形體1之壁面5之寬度方向之中央部分大致對向之位置。 加熱裝置8只要能夠以該部分中之熔融玻璃MG之黏度未達液相黏度之方式，即以該部分中之熔融玻璃之溫度超過液相溫度之方式加熱熔融玻璃MG，則並不限定。加熱裝置8例如為加熱器。 只要能夠於玻璃片成形爐之溫度環境氣體下使用，且能夠藉由利用該加熱器而進行熔融玻璃MG之加熱，使熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之黏度未達液相黏度，則加熱器之種類並不限定。加熱裝置8除了包含加熱器以外，亦包含利用雷射或者電磁波加熱熔融玻璃MG之裝置。 只要以沿著成形體1中之導件6a、6b之附近及沿著寬度方向延伸之壁面5方式配置，能夠保持使沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之黏度自成形體1之上表面3到達下端4為止未達液相黏度，則加熱裝置8之配置之狀態並不限定。如圖3所示，加熱裝置8較佳為以能夠分別加熱1個成形體1上存在4處之導件6a、6b附近之部分之方式配置。 於圖4所示之例中，加熱器作為加熱裝置8以遍及寬度方向沿著壁面5延伸之方式配置於導件6a、6b之間整體。加熱裝置8之形狀為自導件6a延伸至導件6b為止沿著寬度方向呈直線狀延伸之形狀。加熱裝置8之形狀只要整體上自導件6a沿著寬度方向延伸至導件6b為止(只要為整體上沿著導件6a、6b及沿著成形體1之寬度方向延伸之壁面5之形狀)，則亦可並非直線狀。 例如，如圖4所示，加熱裝置8亦可為於成形體1中之導件6b之附近，以沿著自成形裝置1之上表面3側向下端4側延伸之方向延伸之方式配置之加熱裝置。 關於導件6a、6b與加熱裝置之位置關係，加熱裝置8例如既可如圖2所示，配置於導件6a、6b之熔融玻璃側(相較導件6a、6b更靠導件6a、6b之間一側)之附近，亦可如圖5所示，配置於導件6a、6b之與熔融玻璃相反側(相較導件6a、6b更靠寬度方向之外側)之附近。於前者之情形時，能夠利用加熱裝置8直接地加熱熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分。於後者之情形時，亦根據加熱裝置8之具體之配置之位置及構成導件6a、6b之材料而不同，亦能夠利用加熱裝置8使導件6a、6b發熱，利用已經發熱之導件6a、6b來加熱熔融玻璃MG中之該導件6a、6b附近之部分。自加熱之效率之觀點而言，較佳為利用加熱裝置8直接地加熱熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分。 只要能夠保持使沿著成形體1之壁面5流下之熔融玻璃MG中之導件6a、6b附近之部分之黏度自成形體1之上表面3到達下端4為止未達液相黏度，則由加熱裝置8進行之具體加熱控制能夠自由地設定。例如，由加熱裝置8進行之加熱既可為連續性亦可為斷續性。於配置了多個加熱裝置8之情形時，亦可獨立地控制各加熱裝置8之加熱。亦可對1個加熱裝置8設定多個加熱區，獨立地控制各加熱區之加熱。 較佳為成形體1中，導件6a、6b距壁面5之高度越靠成形體1之下端4、即越靠下方之位置變得越低。成形體1之下端4為將兩側之傾斜之壁面5彼此連接之直線狀之脊線，一對導件6a、6b之傾斜之壁面5中之高度於該脊線之位置較佳為0(零)。藉此，能夠進一步抑制玻璃片SG之端部(耳部)兩股形狀地打開，更穩定地連續地生產玻璃基板。 根據本實施形態之製造方法，於構成熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相溫度較高，且液相黏度較小之情形時，例如，於玻璃組合物為無鹼玻璃、微量含有鹼之玻璃等之情形時，亦可獲得抑制所成形之玻璃片SG之端部失透之效果。即，於構成熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相溫度較高，且液相黏度較小之情形時，由本實施形態之製造方法帶來之優點較大。 於本實施形態之製造方法中，構成熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相黏度為10000 dPa・s以下。於此種玻璃組合物中，先前，於由溢流下拉法而進行之玻璃片之成形中容易產生端部失透之問題。然而，於本實施形態之製造方法中，獲得抑制失透之效果。 本實施形態之製造方法中所使用之熔融玻璃MG之液相黏度為100000 dPa・s以下。於液相黏度為100000 dPa・s以下之玻璃組合物中上述失透之問題變得更明顯，但於本實施形態之製造方法中獲得抑制失透之效果。自能夠穩定地實施由溢流下拉法而進行之玻璃片之成形之觀點而言，液相黏度較佳為80000 dPa・s以上。 於本實施形態之製造方法中，構成熔融玻璃MG之玻璃組合物之液相溫度為1200℃以上且1220℃以下。於此種玻璃組合物中，先前，於由溢流下拉法進行之玻璃片之成形中容易產生端部失透之問題。然而，於本實施形態之製造方法中，獲得抑制失透之效果。 於本實施形態之製造方法中，熔融玻璃MG亦可含有氧化鋯及/或氧化錫。於含有氧化鋯之熔融玻璃MG中，與不含有氧化鋯之情形相比玻璃組合物之液相溫度上升。於此種熔融玻璃MG中，先前，於由溢流下拉法而進行之玻璃片SG之成形中容易產生端部失透之問題。然而，於本實施形態之製造方法中，獲得抑制失透之效果。氧化鋯作為玻璃組合物之成分原本包含於熔融玻璃MG中，除了此情形以外，亦會因利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽及成形裝置而溶出至熔融玻璃MG。尤其，於使用此種熔解槽將玻璃原料電熔解之情形時，存在熔融玻璃MG中之氧化鋯濃度變高之傾向。即，本實施形態之製造方法於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽將玻璃原料電熔解之情形時更適合。 又，使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽與先前廣泛使用之使用氧化鋁電鑄耐火物構成之熔解槽相比，不易腐蝕玻璃，作為熔解槽之壽命較長。再者，亦能夠抑制熔融玻璃MG之發泡。因此，適合於熔融溫度(玻璃組合物之黏度為102.5 泊之溫度)較高之玻璃組合物，例如無鹼玻璃及微量含有鹼之玻璃之熔融玻璃之形成。 再者，於熔解槽中形成之熔融玻璃由無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃構成之情形時，存在如下傾向：玻璃組合物之比電阻容易變高，玻璃原料不通電，而是高氧化鋯耐火物通電。若該耐火物通電，於熔解槽中形成之熔融玻璃MG中就會溶出氧化鋯。即，本實施形態之製造方法於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽由電熔解形成無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃之熔融玻璃MG之情形時更加適合。 於液晶顯示器、有機EL顯示器等FPD用玻璃基板中，較佳為由無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃構成之玻璃基板。其原因在於，若於面板製造步驟中自玻璃基板溶出鹼成分，存在薄膜電晶體(TFT)等電子元件之特性劣化之危險。即，本實施形態之製造方法於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽將玻璃原料電熔解，使用所獲得之熔融玻璃利用溢流下拉法製造FPD用玻璃基板之情形時特別適合。又，所謂無鹼玻璃，係指實質上不含有鹼金屬氧化物(以含有率計未達0.05質量%)之玻璃組合物。所謂微量含有鹼之玻璃，係指含有0.05～2.0質量%之鹼金屬氧化物之玻璃組合物。 於含有氧化錫之熔融玻璃MG中，由於氧化錫之晶化而容易產生失透。再者，於與氧化鋯共存之情形時，氧化錫具有使氧化鋯晶化之作用。於此種熔融玻璃MG中，先前，於由溢流下拉法進行之玻璃片SG之成形中特別容易產生端部失透之問題。然而，於本實施形態之製造方法中，獲得抑制失透之效果。 於本實施形態之製造方法中，構成熔融玻璃MG之玻璃組合物亦可為無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃。與含有鹼金屬氧化物超過2.0質量%之鹼玻璃相比，存在此種無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃之液相溫度較高，液相黏度較小之傾向，於本實施形態之製造方法中獲得抑制失透之效果。該效果於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽由電熔解形成無鹼玻璃或微量含有鹼之玻璃之熔融玻璃之情形時變得特別明顯之情形如上所述。 又，自防止TFT等電子元件之特性劣化之觀點而言，FPD用玻璃基板較佳為無鹼玻璃。然而，自熔解性及澄清性之觀點而言，FPD用玻璃基板較佳為微量含有鹼之玻璃。若使鹼金屬氧化物微量含有而形成微量含有鹼之玻璃，玻璃組合物之熔解性及澄清性會提高。對於澄清性而言，存在鹼金屬氧化物，有助於玻璃鹼性度上升，價數變動之金屬容易氧化。再者，於使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽中藉由玻璃原料之電熔解形成熔融玻璃MG之情形時，與無鹼玻璃相比亦能夠使玻璃之比電阻變小，能夠抑制氧化鋯向熔融玻璃溶出，抑制熔融玻璃之失透性上升。 於本實施形態之製造方法中，關於構成熔融玻璃MG之玻璃組合物，表示102.5 泊之黏度之溫度(熔融溫度)亦可為1500℃～1750℃。由於此種玻璃組合物於熔融時需要高溫，故而於利用使用高氧化鋯系耐火物構成之熔解槽形成熔融玻璃MG之情形時，氧化鋯容易溶出。對於此種玻璃組合物而言，於本實施形態之製造方法中亦可獲得抑制失透之效果。 作為利用本實施形態之製造方法製造之玻璃基板所含之玻璃成分，例如列舉SiO2 、Al2 O3 、B2 O3 、MgO、CaO、SrO、BaO、Li2 O、Na2 O、K2 O、ZrO2 、TiO2 、ZnO、及P2 O5 。 SiO2 係玻璃之骨架成分，因此係必須成分。若含量變少，有應變點下降，熱膨脹係數增加之傾向。又，若SiO2 含量過於少，便難以使玻璃基板低密度化。另一方面，若SiO2 含量過多，則有熔融玻璃MG之比電阻上升，熔融溫度顯著變高而難以熔解之傾向。若SiO2 含量過多，亦有失透溫度上升，耐失透性下降之傾向。而且，若SiO2 含量過多，蝕刻速率會變慢。自此種觀點出發，SiO2 之含量較佳為例如60～80 mol%之範圍。SiO2 之含量更佳為64～73 mol%或65～75 mol%之範圍，尤佳為66～72 mol%之範圍，進而更佳67～71 mol%之範圍。 Al2 O3 係提高應變點之必須成分。若Al2 O3 含量過少，應變點會下降。而且，若Al2 O3 含量過少，則有楊氏模量及酸蝕刻速率亦下降之傾向。另一方面，若Al2 O3 含量過多，則玻璃之失透溫度會上升，耐失透性會下降，故而有成形性變差之傾向。自此種觀點出發，Al2 O3 之含量較佳為8～20 mol%之範圍。Al2 O3 之含量較佳為10～17 mol%之範圍，更佳為10.5～17 mol%之範圍，尤佳為11～15 mol%之範圍，進而更佳12～15 mol%之範圍。 B2 O3 係降低玻璃之高溫黏性、改善熔融性之成分。即，能降低熔融溫度附近之黏性，故而改善熔解性。又，亦係降低失透溫度之成分。若B2 O3 含量較少，則有熔解性及耐失透性下降之傾向。若B2 O3 含量過多，則應變點及楊氏模量會下降。又，因玻璃成形時B2 O3 揮發，容易產生失透。尤其是，應變點高之玻璃有成形溫度變高之傾向，故而加快了上述揮發，有失透生成變得顯著之問題。又，因玻璃熔解時B2 O3 揮發，玻璃之不均質變得顯著，容易產生脈理。自此種觀點出發，B2 O3 含量較佳為0～15 mol%之範圍，更佳為0～8 mol%之範圍，更佳為0～7 mol%之範圍，進而較佳為0.1～6 mol%之範圍，進而更佳1～5 mol%之範圍，最佳為1.5～4.5 mol%之範圍。 MgO係提昇熔解性之成分。又，亦係鹼土類金屬中不易增加密度之成分，故而若相對增加其含量，便容易實現低密度化。含有MgO，能降低熔融玻璃MG之比電阻及熔融溫度。但，若MgO之含量過多，則玻璃之失透溫度會急劇上升，故而尤其於成形步驟中容易產生失透。自此種觀點出發，MgO含量為0～15 mol%之範圍，較佳為1～15 mol%之範圍，更佳為0～6 mol%之範圍，進而較佳為1～6 mol%之範圍。或者，MgO含量較佳為0～15 mol%之範圍，更佳為0～6 mol%之範圍，進而較佳為1～6 mol%之範圍。 CaO係能提昇玻璃熔解性而不會使玻璃之失透溫度急劇上升之有效成分。又，亦係鹼土類金屬酸化物中不易增加密度之成分，故而若相對增加其含量，則容易實現低密度化。若含量過少，則有產生熔融玻璃MG之比電阻之上升及耐失透性下降之傾向。若CaO含量過多，則有熱膨脹係數增加，密度上升之傾向。自此種觀點出發，CaO含量為0～20 mol%之範圍，較佳為1～15 mol%之範圍，更佳為2～11 mol%之範圍，進而較佳為4～9 mol%之範圍。 SrO係能夠降低玻璃之失透溫度之成分。SrO並非必須，但若含有，則耐失透性及熔解性會提昇。但，若SrO含量過多，則密度會過於上升。自此種觀點出發，SrO含量為0～15 mol%之範圍，較佳為0～8 mol%之範圍，更佳為0～3 mol%之範圍，更佳為0～1 mol%之範圍，進而較佳為0～0.5 mol%之範圍，進而更佳為實質上不含有。 BaO係能有效降低玻璃之失透溫度及熔融玻璃MG之比電阻之必須成分。若含有BaO，則耐失透性及熔解性會提昇。但，若BaO之含量過多，則密度會過於上升。又，自減輕環境負擔之觀點出發，且因有熱膨脹係數增大之傾向，故而BaO含量為0～15 mol%或0.1～15 mol%之範圍，較佳為1～15 mol%之範圍，更佳為1～10 mol%之範圍，進而較佳為1.5～6 mol%之範圍。 Li2 O及Na2 O係增大玻璃之熱膨脹係數而於熱處理時有可能導致基板破損之成分。又，亦係降低應變點之成分。另一方面，由於能降低熔融玻璃MG之比電阻，故而若含有便可抑制熔解槽被侵蝕。根據以上觀點，Li2 O之含量較佳為0～0.5 mol%，更佳為實質上不含有。Na2 O之含量較佳為0～0.5 mol%，更佳為0～0.2 mol%。再者，相比Li2 O，Na2 O係不易降低應變點之成分，故而較佳為Na2 O＞Li2 O。再者，自防止上述成分自玻璃基板溶出而導致TFT特性劣化之觀點出發，Li2 O及Na2 O較佳為實質上不含有。 K2 O係提高玻璃之鹼性度、促進澄清性之成分。又，亦係降低熔融玻璃MG之比電阻之成分。若含有，則熔融玻璃MG之比電阻會降低，故而能防止構成熔解槽之耐火物通電，從而可抑制熔解槽被侵蝕。又，當構成熔解槽之耐火物含有氧化鋯時，能抑制熔解槽被侵蝕而氧化鋯自熔解槽溶出至熔融玻璃MG，故而亦能抑制起因於氧化鋯之失透。又，能降低熔解溫度附近之玻璃黏性，故而熔解性和澄清性提昇。另一方面，若K2 O含量過多，則有熱膨脹係數增大及應變點下降之傾向。自此種觀點出發，K2 O含量較佳為0～0.8 mol%之範圍，更佳為0.01～0.5 mol%之範圍，進而較佳為0.1～0.3 mol%之範圍。 ZrO2 及TiO2 係提高玻璃之應變點之成分。但，若ZrO2 量及TiO2 量過多，則失透溫度顯著上升，有耐失透性下降之傾向。尤其是，ZrO2 之熔點高而難熔，故而會引起部分原料堆積於熔解槽底部之類之問題。若該等未熔解之成分混入玻璃生坯，會作為內含物引起玻璃品質變差。又，TiO2 係讓玻璃著色之成分，故而不易用於顯示器用基板。自此種觀點出發，本實施形態之玻璃基板中，ZrO2 及TiO2 之含量分別較佳為0～5 mol%，更佳為0～2 mol%之範圍，進而較佳為實質上不含有。 ZnO係提昇熔解性之成分。但，並非必須成分。若ZnO含量過多，則有失透溫度上升，應變點下降，密度上升之傾向。自此種觀點出發，ZnO含量較佳為0～5 mol%之範圍，更佳為0～2 mol%之範圍，進而較佳為實質上不含有。 P2 O5 係降低高溫黏性且提昇熔解性之成分。但，並非必須成分。若P2 O5 含量過多則應變點會下降。又，因玻璃熔解時P2 O5 揮發，玻璃之不均質變得顯著，容易產生脈理。自此種觀點出發，P2 O5 含量較佳為0～3 mol%之範圍，更佳為0～1 mol%之範圍，進而較佳為0～0.5 mol%之範圍，進而更佳為實質上不含有。 利用本實施形態之製造方法製造之玻璃基板例如包含含以下組成之無鹼玻璃。 SiO2 ：56－65質量% Al2 O3 ：15－19質量% B2 O3 ：8－13質量% MgO：1－3質量% CaO：4－7質量% SrO：1－4質量% BaO：0－2質量% Na2 O：0－1質量% K2 O：0－1質量% As2 O3 ：0－1質量% Sb2 O3 ：0－1質量% SnO2 ：0－1質量% Fe2 O3 ：0－1質量% ZrO2 ：0－1質量% 本實施形態中製造之玻璃基板適合於包含平板顯示器用玻璃基板之顯示器用玻璃基板。適合於使用IGZO(銦、鎵、鋅、氧)等氧化物半導體之氧化物半導體顯示器用玻璃基板及使用LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶矽)半導體之LTPS顯示器用玻璃基板。再者，本實施形態中製造之玻璃基板適合於要求鹼金屬氧化物之含量極少之液晶顯示器用玻璃基板。再者，亦適合於有機EL顯示器用玻璃基板。換言之，本實施形態之玻璃基板之製造方法適合於顯示器用玻璃基板之製造，尤其適合於液晶顯示器用玻璃基板之製造。再者，亦可用作行動終端設備等之顯示器或框體用之覆蓋玻璃、觸控面板、太陽電池之玻璃基板、磁碟用玻璃或覆蓋玻璃。尤其適合於使用多晶矽TFT之液晶顯示器用玻璃基板。 以上，對本發明之玻璃基板之製造方法及玻璃基板之製造裝置詳細地進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態，於不脫離本發明之主旨之範圍內，當然亦可進行各種改良或變更。
1‧‧‧成形體
2‧‧‧供給槽
2a‧‧‧底面
3‧‧‧上表面
3a、3b‧‧‧(上表面之)端部
4‧‧‧下端
5‧‧‧壁面
5a、5b‧‧‧端部
6a、6b‧‧‧導件
7‧‧‧液面
8‧‧‧加熱裝置(加熱器)
8a‧‧‧區域
8b‧‧‧區域
50a‧‧‧成形之玻璃片SG之端部
100‧‧‧熔解裝置
101‧‧‧熔解槽
102‧‧‧澄清管
103‧‧‧攪拌槽
103a‧‧‧攪拌棒
104、105‧‧‧移送管
106‧‧‧玻璃供給管
120‧‧‧澄清管
200‧‧‧成形裝置
300‧‧‧切斷裝置
MG‧‧‧熔融玻璃
SG‧‧‧玻璃片
SGa‧‧‧ (玻璃片之)端部
ST1～ST7‧‧‧步驟
圖1係表示本實施形態之製造方法之一例之流程之圖。 圖2係本實施形態之玻璃基板之製造裝置之一例之概略圖。 圖3係表示本實施形態之製造方法中能夠使用之成形體之一例之模式圖。 圖4係表示使用圖3所示之裝置之本實施形態之製造方法之一例之模式圖。 圖5係表示於本實施形態之製造方法中，對熔融玻璃中之導件附近之部分進行加熱之加熱裝置之一例之模式圖。
1‧‧‧成形體
2‧‧‧供給槽
2a‧‧‧底面
3‧‧‧上表面
4‧‧‧下端
5‧‧‧壁面
6a、6b‧‧‧導件
7‧‧‧液面
8‧‧‧加熱裝置(加熱器)
8a‧‧‧區域
8b‧‧‧區域
SG‧‧‧玻璃片
SGa‧‧‧(玻璃片之)端部

Claims (5)

  1. 一種玻璃基板之製造方法，其特徵在於具有成形步驟，於其中使用成形體利用溢流下拉法成形玻璃片，上述成形體具備上表面及一對壁面，上述上表面形成有供給熔融玻璃之供給槽，上述壁面引導自上述供給槽之兩側溢出並自上述上表面流下之熔融玻璃，使其於下端融合而形成玻璃片；且 構成上述熔融玻璃之玻璃組合物之液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下， 於上述成形步驟中， 將熔融玻璃之黏度為25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之熔融玻璃供給至上述供給槽， 利用一對導件，一面限制該熔融玻璃之寬度，一面使上述熔融玻璃沿著上述壁面流下，上述導件以自上述成形體之上表面到達上述下端為止，於上述壁面之寬度方向之雙方之端部自該端部突出之方式互相對向地形成， 相較沿著上述壁面之中上述寬度方向之兩側之端部之間之內側部分流下之熔融玻璃，加大提供給沿著上述端部流下之熔融玻璃之加熱量，藉此以上述下端之熔融玻璃之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s之方式進行加熱。
  2. 如請求項1之玻璃基板之製造方法，其中 於上述成形步驟中，以沿著上述端部流下之熔融玻璃之溫度，自上述成形體之上述上表面到達上述下端為止，較上述液相溫度高出10℃～150℃之方式，沿著上述導件加熱沿著上述端部流下之熔融玻璃。
  3. 如請求項1或2之玻璃基板之製造方法，其中 於上述成形步驟中，利用設置於與上述一對導件及上述壁面對向之位置之加熱裝置，以上述熔融玻璃之溫度沿著上述壁面之寬度方向變得均勻之方式，加熱沿著上述壁面流下之熔融玻璃。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃基板之製造方法，其中 上述成形體之下端為將上述一對壁面彼此連接之直線狀之脊線， 上述成形體中，上述導件距上述壁面之高度為，越靠近上述下端變得越低，且於上述脊線之位置為零。
  5. 一種玻璃基板之製造裝置，其特徵在於其係使用成形體利用溢流下拉法成形玻璃片者， 上述成形體具備： 供給槽，其供給熔融玻璃； 上表面，其形成有上述供給槽； 一對壁面，其等引導自上述供給槽之兩側溢出並自上述上表面流下之熔融玻璃，使其於下端融合而形成玻璃片；及 一對導件，其等以自上述成形體之上表面到達上述下端為止，於上述壁面之寬度方向之雙方之上述壁面之端部，自該端部突出之方式，相互對向地形成，一面限制該熔融玻璃之寬度，一面使上述熔融玻璃沿著上述壁面流下；且 上述供給槽構成為，其中由液相黏度為80000 dPa・s以上且100000 dPa・s以下之玻璃組合物構成之熔融玻璃，以上述熔融玻璃之黏度為25000 dPa・s以上且35000 dPa・s以下之狀態流動， 上述製造裝置進而具備加熱裝置，該加熱裝置相較沿著上述壁面之中上述寬度方向之兩側端部間之內側部分流下之熔融玻璃，加大提供給沿著上述端部流下之熔融玻璃之加熱量，以上述下端之熔融玻璃之黏度成為40000 dPa・s以上且未達80000 dPa・s之方式進行加熱。
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