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Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103872172A (zh) * 2012-12-10 2014-06-18 中微半导体设备(上海)有限公司 一种太阳能电池的制绒方法
CN103094297B (zh) * 2013-02-17 2016-01-06 中微半导体设备(上海)有限公司 Cmos图像传感器的制造方法及其所用的刻蚀方法
CN104253017B (zh) * 2013-06-27 2018-05-08 北京北方华创微电子装备有限公司 基片刻蚀方法
CN103400799B (zh) * 2013-08-14 2016-03-30 上海华力微电子有限公司 接触孔的刻蚀方法
CN104617033B (zh) * 2013-11-05 2018-09-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 晶圆级封装方法
CN104681406B (zh) * 2013-11-29 2020-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体刻蚀方法
JP6454492B2 (ja) * 2014-08-08 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 多層膜をエッチングする方法
CN105448841B (zh) * 2014-08-28 2019-01-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构的形成方法
CN105655283A (zh) * 2014-11-13 2016-06-08 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法
CN106298502B (zh) * 2015-05-18 2019-04-09 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种利用等离子体对多层材料刻蚀的方法
CN105600740A (zh) * 2015-12-23 2016-05-25 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 一种基于深反应离子刻蚀技术制备高深宽比硅微结构的方法
CN107482010B (zh) * 2016-06-07 2020-11-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件及其制作方法、电子装置
CN106468831B (zh) * 2016-09-28 2019-11-15 擎中科技（上海）有限公司 一种裸眼3d显示设备、视觉屏障及其制备方法
US10163650B2 (en) * 2016-11-18 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for selective nitride etch
CN114270476A (zh) * 2019-06-24 2022-04-01 朗姆研究公司 选择性碳沉积
CN110190027A (zh) * 2019-07-02 2019-08-30 武汉新芯集成电路制造有限公司 半导体器件的制作方法
CN110600376B (zh) * 2019-09-20 2022-04-08 上海华力微电子有限公司 聚合物的去除方法
CN115207203B (zh) * 2022-09-15 2022-12-02 材料科学姑苏实验室 一种铝基超导电路中叠层刻蚀的侧壁陡直性实现方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958244A (zh) * 2009-07-21 2011-01-26 中微半导体设备(上海)有限公司 深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
CN102446832A (zh) * 2011-09-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种避免双刻蚀阻挡层引起的接触孔不通的方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6846746B2 (en) * 2002-05-01 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Method of smoothing a trench sidewall after a deep trench silicon etch process
JP4512533B2 (ja) * 2005-07-27 2010-07-28 住友精密工業株式会社 エッチング方法及びエッチング装置
JP4812512B2 (ja) * 2006-05-19 2011-11-09 オンセミコンダクター・トレーディング・リミテッド 半導体装置の製造方法
US8049327B2 (en) * 2009-01-05 2011-11-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Through-silicon via with scalloped sidewalls
CN101930918B (zh) * 2009-06-19 2012-05-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构和侧墙间隔方法
CN102031525B (zh) * 2009-09-29 2014-02-12 中微半导体设备(上海)有限公司 一种深硅通孔的刻蚀方法
CN101800175B (zh) * 2010-02-11 2011-07-20 中微半导体设备(上海)有限公司 一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
CN101789372A (zh) * 2010-02-11 2010-07-28 中微半导体设备(上海)有限公司 一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法
CN102130045B (zh) * 2010-12-31 2015-12-02 上海集成电路研发中心有限公司 通孔加工方法
CN102420124B (zh) * 2011-05-26 2014-04-02 上海华力微电子有限公司 一种介质层刻蚀方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101958244A (zh) * 2009-07-21 2011-01-26 中微半导体设备(上海)有限公司 深反应离子刻蚀方法及其气体流量控制装置
CN102446832A (zh) * 2011-09-29 2012-05-09 上海华力微电子有限公司 一种避免双刻蚀阻挡层引起的接触孔不通的方法

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