TWI498571B - 絕緣檢測裝置及絕緣檢測方法 - Google Patents

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Description

絕緣檢測裝置及絕緣檢測方法
本發明關於一種在被檢測基板上形成的配線圖形間進行絕緣檢測的絕緣檢測裝置及其相關技術。
在具有複數個配線圖形的基板(電路基板)中，藉由判定從該複數個配線圖形中依次選擇的一對配線圖形相互間的絕緣狀態的良好與否，來進行該基板是否為良品的絕緣檢測。
具體來講，針對一對配線圖形開始施加電壓後，基於在該電壓變穩定的所定時間一對配線圖形相互間的電壓以及在該所定時間一對配線圖形相互間流動的電流，算出該一對配線圖形相互間的電阻值，且基於該電阻值進行被檢測基板的良品判定。
在這種絕緣檢測中，向一對配線圖形相互間施加較高的電壓。鑒於此，存在著在一對配線圖形相互間(更詳細地來講，具有不充分絕緣狀態的部分)產生電火花的同時產生因該電火花而引起的不良之情況。
對此，存在一種能更準確地將產生這種電火花的基板區別為不良品的技術(參考專利文獻1)。
在專利文獻1記載的技術中，在開始向一對配線圖形施加電壓的 時間起至該電壓變穩定的所定時間為止的期間，檢測出根據電壓施加而產生的一對配線圖形的電壓。且在該期間若檢測出檢測電壓的電壓降，則將檢測對象的基板判定為不良品。
但在如上所述絕緣檢測中，為了縮短該絕緣檢測所需的時間，較佳地應盡可能縮短從開始向一對配線圖形施加電壓的時間起至該電壓變穩定的所定時間為止的期間。鑒於此，在該期間向一對配線圖形施加電壓時，使較大電流在一對配線圖形中流動。
但在進行專利文獻1記載的檢測時，若針對從複數個配線圖形中提取的任意一對配線圖形也統一流過較大電流，則會存有不能適當地檢測電壓降，從而不能適當地檢測電火花產生的情況。
【現有技術文獻】 【專利文獻1】
日本專利公開第2003-172757號公報
本發明的目的是提供一種能更好地檢測電火花的產生，進而更好地將產生電火花的基板區別為不良品的絕緣檢測技術。
根據一個實施形態的本發明，提供了一種絕緣檢測裝置，用於進行被檢測基板的絕緣檢測，絕緣檢測裝置包括：電源設備，向在被檢測基板上形成的複數個配線圖形中作為絕緣檢測對象配線圖形而被選擇的上流側配線圖形和下流側配線圖形的兩配線圖形間，進行電壓施加；電流調整設備，調整電壓施加時來自電源設備的供給電流；電壓檢測設備，檢測根據電壓施加而產生的兩配線圖形間的電壓；電壓降檢測設備，在電壓施加的開始至兩配線圖 形間的電壓變穩定的所定時間(timing)為止的期間，檢測在兩配線圖形間因產生的電火花而引起的電壓降的產生與否；判定設備，根據電壓降檢測設備若檢測電壓降，則將被檢測基板判定為不良品；記憶部，記憶在複數個配線圖形的各個配線圖形上形成的檢測點的數量，電流調整設備根據在上流側配線圖形上形成的檢測點的數量即第一檢測點數量調整供給電流。
根據一個實施例，電流調整設備在第一檢測點數量大於所定數量時，將供給電流設定為第一電流值，在第一檢測點數量小於所定數量時，將供給電流設定為小於第一電流值的第二電流值。
根據一個實施例，電流調整設備將記憶設備所記憶的檢測點數量分類為所定數量的組，進而將與第一檢測點數量所屬的組對應的電流值作為供給電流而設定，根據與較少檢測點數量相對應的組而設定的電流值，小於根據與較複數檢測點數量相對應的另一組而設定的電流值。
根據一個實施例，判定設備基於所定時間的兩配線圖形間的電壓以及所定時間的兩配線圖形間流動的電流，算出兩配線圖形間的電阻值，且進一步進行基於電阻值的被檢測基板的良好與否判定。
根據一個實施形態的本發明，提供了一種絕緣檢測方法，用於進行被檢測基板的絕緣檢測，絕緣檢測方法包括：步驟a，向在被檢測基板上形成的複數個配線圖形中作為絕緣檢測對象配線圖形而被選擇的上流側配線圖形和下流側配線圖形的兩配線圖形間，開始電壓施加，步驟b，在電壓施加的開始至兩配線圖形間的電 壓變穩定的所定時間為止的期間，檢測根據電壓施加而產生的兩配線圖形間的電壓，在期間，根據在上流側配線圖形上形成的檢測點的數量即第一檢測點數量，調整電壓施加時的供給電流，在期間，若檢測到在兩配線圖形間因產生的電火花而引起的電壓降，則將被檢測基板判定為不良品。
根據本發明，能更好地檢測因電火花而引起的電壓降，進而能更好地檢測電火花的產生。進一步能更好地檢測不良的被檢測基板。
1‧‧‧絕緣檢測裝置
11‧‧‧電流調整部
12‧‧‧電壓降檢測部
13‧‧‧判定部
2‧‧‧電源
3‧‧‧電壓計
4‧‧‧開關
5‧‧‧電流計
7‧‧‧控制部
8‧‧‧記憶部
90‧‧‧被檢測基板
L1、L2、L3‧‧‧畫線
LC、LD‧‧‧曲線
P11、P12、P21~P23、P31~P37‧‧‧電極(檢測點)
PA‧‧‧上流側配線圖形
PB‧‧‧下流側配線圖形
PT1~PT3‧‧‧配線圖形
R‧‧‧絕緣電阻值
Rref‧‧‧臨界值
S11~S22‧‧‧步驟
TM‧‧‧期間
t0~t2、t5‧‧‧時間
Vα‧‧‧電壓值
V‧‧‧電壓
△V1、△V2‧‧‧下降量
第1圖是表示本發明之絕緣檢測裝置的概略構成之示意圖。
第2圖是表示被檢測基板的一個示例之示意圖。
第3A圖和第3B圖是表示電壓計測定的電壓隨時間變化之示意圖。
第4圖是表示絕緣檢測裝置的動作之流程圖。
第5圖是放大示出第3A圖的一部分之示意圖。
以下，將基於圖式對本發明的實施形態進行說明。
<1、裝置構成>
第1圖是表示絕緣檢測裝置1的概略構成的概略構成圖。
絕緣檢測裝置1是在被檢測基板(電路基板)上形成的複數個配線圖形相互間進行絕緣檢測的絕緣檢測裝置。被檢測基板例如可以是印刷配線基板、軟性(flexible)基板、複數層配線基板以及半導體封裝用封裝基板等各種基板。
如第1圖所示，絕緣檢測裝置1包括電源2、電壓計3、電流計5、 控制部7和記憶部8。
電源2針對複數個配線圖形中依次選擇的絕緣檢測的對象配線圖形(絕緣檢測對象配線圖形)相互間，施加較高的電壓(例如，200V)。絕緣檢測的對象配線圖形分為兩種配線圖形，即在絕緣檢測的電壓施加時與電源2的上流側(陽極側或高電位側)端子連接的上流側配線圖形PA，以及該電壓施加時與電源2的下流側(陰極側或低電位側)端子連接的下流側配線圖形PB。上流側配線圖形PA與電源2的上流側端子利用探針而電連接，下流側配線圖形PB與電源2的下流側端子利用另外的探針而電連接。
在此電源2由可變電壓源構成。電源2更可將施加電壓時的供給電流調整為一定值。即，電源2在供給一定值的電流(供給電流)而為配線圖形PA和PB相互間的靜電容量「充電」的同時，能使配線圖形PA和PB相互間的電壓達到任意的輸出電壓值Vα。若配線圖形PA和PB相互間的靜電容量充電結束，由於從根本上講來自電源2的電流降低為小於上述一定值的值，因此將上述一定值還稱為供給電流的限定值(上限值)。且如後述，來自電源2的供給電流(詳細來講為其限定值)可設定為複數個值(例如值I1，I2)中的任意一個。
電壓計3檢測隨電源2的電壓施加而產生的絕緣檢測對象配線圖形PA和PB間的電壓(具體來講，上流側配線圖形和下流側配線圖形相互間的電壓)的值。
電流計5檢測根據電源2的電壓施加時在絕緣檢測對象配線圖形PA和PB間流動的電流的值。
記憶部8針對每個配線圖形記憶在複數個配線圖形的各個配線圖形中形成的檢測點(尤其是導通檢測用檢測點)(後述)的數量。
控制部7是包括電流調整部11、電壓降檢測部12和判定部13等的控制器(controller)。
電流調整部11是調整根據電源2的電壓施加時來自電源2的供給電流的處理部。
電壓降檢測部12是檢測絕緣檢測對象配線圖形間因所產生電火花而引起的電壓降的產生與否的處理部。電壓降檢測部12在從向絕緣檢測對象配線圖形間施加電壓開始至絕緣檢測對象配線圖形間的電壓變穩定的所定時間為止的期間TM(參考第3A圖和第3B圖)，檢測是否產生電壓降。藉由檢測是否產生電壓降，可以檢測出因電壓施加而產生的電火花，因此電壓降檢測部12也可稱為檢測電火花的電火花檢測部。
判定部13是判定被檢測基板90(參考第2圖)的良好與否的處理部。例如，判定部13根據電壓降檢測部12的檢測結果等，判定被檢測基板90的良好與否。更具體地來講，若根據電壓降檢測部12檢測到電壓降，則將被檢測基板90判定為不良品。並且，判定部13基於所定時間的與絕緣檢測對象配線圖形PA和PB相關的電壓和電流，算出絕緣檢測對象配線圖形PA和PB間的電阻值，進一步進行基於該電阻值的被檢測基板的良好與否判定。
第2圖是示出被檢測基板90的一個示例的示圖。在第2圖的被檢測基板90中，在基板的上面側和下面側設置複數個電極。且上面側 的電極和下面側的電極根據基板內部的配線圖形互相電連接。例如，上面側的電極P11和下面側的電極P12互相電連接。且上面側的電極P21和下面側的電極P22、P23互相電連接。更具體地來講，電極P21、P22、P23根據設置在基板內部的導體，互相電連接。同樣地，上面側的電極P31和下面側的電極P32至P37互相電連接。更具體地來講，電極P31至P37根據設置在基板內部的導體，互相電連接。
在此，這些電極作為後述的絕緣檢測和導通檢測中的檢測點使用。
例如，在導通檢測中，上面側的電極P11和下面側的電極P12作為檢測點使用，從而確定兩個電極P11、P12相互間的導通狀態(良好的導電狀態)。同樣地，在導通檢測中，電極P21、P22、P23作為檢測點使用，從而確定三個電極P21、P22和P23相互間的導通狀態(良好的導電狀態)。與更複數的電極相關的導通檢測也同樣如此，各個電極作為導通檢測中的檢測點使用。
且在絕緣檢測中也將這些電極中至少一部分作為檢測點使用。例如，設置在配線圖形PT1的兩個電極P11和P12中的任一電極與設置在配線圖形PT2的三個電極P21、P22和P23中的任一電極作為檢測點使用，從而進行兩個配線圖形PT1和PT2相互間的絕緣檢測。設置在配線圖形PT1的兩個電極P11和P12中的任一電極與設置在配線圖形PT3的七個電極P31至P37中的任一電極作為檢測點使用，從而進行兩個配線圖形PT1和PT3相互間的絕緣檢測。同樣地，設置在配線圖形PT2的三個電極P21至P23中的任一電極與設置在配線圖形PT3的七個電極P31至P37中的任一電極作為檢測點使用 ，從而進行兩個配線圖形PT2和PT3相互間的絕緣檢測。
如上所述，各個電極P11、P12、P21至P23、P31至P37作為在各種檢測(包括導通檢測和絕緣檢測)中的檢測點使用。
在此，配線圖形PT1中設有兩個檢測點P11和P12，配線圖形PT1的檢測點的數量為兩個。同樣地，配線圖形PT2中設有三個檢測點P21至P23，配線圖形PT2的檢測點的數量為三個。同樣地，配線圖形PT3中設有七個檢測點P31至P37，配線圖形PT3的檢測點的數量為七個。
在基板內部形成的配線圖形中存在由用於傳遞各種訊號等的訊號線構成的配線圖形以及電源接地用配線圖形。形成在前者的訊號線用配線圖形中的電極(檢測點)的數量比較少，例如兩個至十個。另外，形成在後者的電源接地用配線圖形(VG線)中的電極(檢測點)的數量比較複數，例如一百個至兩百個。
記憶部8記憶形成在複數個配線圖形之每個圖形上的如上所述檢測點的數量(每個配線圖形)。
<2、絕緣檢測概要>
根據此絕緣檢測裝置1的絕緣檢測，判定形成在被檢測基板(電路基板)上的複數個配線圖形中絕緣檢測對象配線圖形PA和PB間的絕緣狀態的良好與否。這種絕緣檢測對象配線圖形PA和PB間的絕緣狀態的良好與否判定動作，針對根據全部組合的配線圖形對而實行，若根據全部組合的配線圖形對的絕緣狀態被判定為良好，則將該基板判定為良品。此外，若與根據全部組合中任意一個組合的配線圖形對相關的絕緣狀態被判定為不良，則將該基板判 定為不良品。
絕緣檢測裝置1在向一對配線圖形(上流側配線圖形PA和下流側配線圖形PB)開始施加電壓後，在電壓變穩定的所定時間，檢測一對配線圖形PA和PB相互間的電壓V以及在一對配線圖形PA和PB相互間流動的電流I。絕緣檢測裝置1基於檢測的兩個值(電壓值和電流值)算出該一對配線圖形PA和PB相互間的電阻值，且基於該電阻值進行被檢測基板的良品判定。
第3A圖和第3B圖是示出電壓計測定的電壓隨時間變化的示圖。參考第3A圖和第3B圖，針對絕緣檢測進行詳細說明。
首先，根據控制部7使開關4處於ON狀態時(時間t0)，電源2向一對配線圖形PA和PB相互間施加較高的輸出電壓Vα(例如200V)。電壓計3檢測(測定)一對配線圖形PA和PB相互間的電壓V，且向控制部7輸入檢測結果(電壓測定值)，電流計5檢測一對配線圖形PA和PB相互間流動的電流I，且向控制部7輸入檢測結果(電流測定值)。按如上所述，控制部7檢測(測定)一對配線圖形PA和PB相互間的電壓V和電流I。這種檢測動作至少在從施加電壓的開始時間t0至達到時間t2為止的期間TM中進行。
第3A圖是表示電壓計3測定的電壓V隨時間變化之示意圖。如第3A圖所示，隨著電源2的電壓施加，電壓V急劇上升且達到所定電位Vα後維持在所定電位Vα。第3B圖是表示絕緣電阻值R隨時間變化之示意圖。
判定部13在絕緣檢測對象配線圖形間的電壓V變穩定的所定時間(時間t2)，以電壓計3的電壓測定值V和電流計5的電流測定值I 為基礎，算出絕緣檢測對象配線圖形間的電阻值R(絕緣電阻值)。且判定部13基於絕緣電阻值R判定一對配線圖形PA和PB的絕緣狀態的良好與否。具體來講，絕緣電阻值R大於所定的臨界值Rref時，將一對配線圖形PA和PB的絕緣狀態判定為良好。另外，絕緣電阻值R小於所定的臨界值Rref時，將一對配線圖形PA和PB的絕緣狀態判定為不良。在針對一對配線圖形PA和PB開始輸出施加之後電流值不穩定。鑒於此，較佳地，並不在針對一對配線圖形PA和PB開始輸出施加之後，而是在一對配線圖形PA和PB的電壓V達到施加電壓Vα進而穩定後的時間t2進行絕緣狀態判定動作。
<3、根據電壓降檢測的電火花檢測>
接下來，針對根據電壓降檢測的電火花檢測進行說明。
在如上所述絕緣檢測中，向絕緣檢測對象配線圖形間施加較高的電壓Vα。鑒於此，如上所述，在絕緣檢測對象配線圖形間(更具體來講，具有不充分絕緣狀態的部分)存在產生電火花之情況。電火花產生的部位因大電流的藉由而受到損傷，因此相關部位的絕緣特性的可靠性下降。不提倡將受到該損傷的基板判定為良品。
在產生電火花時，絕緣電阻例如按曲線LC或曲線LD發生變化。在此，絕緣電阻按曲線LD的顯示發生變化時，只根據時間t2時的判定結果就能適當地檢測絕緣不良。但絕緣電阻按曲線LC的顯示發生變化時，只根據時間t2時的判定結果則不能適當地檢測絕緣不良。如此，在只利用時間t2的判定結果時，不良基板的檢測精密度下降。
在此，若產生電火花，根據依此電火花的電流流動，電壓計3的檢測值V本質上減小。利用這種性質，基於絕緣檢測裝置1，根據電壓降檢測部12在期間TM(從時間t0至時間t2的期間)中檢測到如上所述電壓V的減小(即電壓降)時，則判定產生了電火花。且在判定產生了電火花時，判定部13將當前的檢測對象的基板判定為不良品。
根據這種判定處理，能更準確地將產生電火花的基板區別為不良品。
但在絕緣檢測中，為了縮短該絕緣檢測所需的時間，較佳地，應盡可能縮短期間TM(從開始向一對配線圖形施加電壓的時間t0至該電壓變穩定的所定時間t2為止的期間)，尤其是從時間t0至電壓幾乎達到所定值Vα的時間t5為止的期間。鑒於此，在該期間TM向一對配線圖形施加電壓時，使較大電流(例如數十mA)在一對配線圖形中流動。
但若針對從複數個配線圖形中提取的任意一對配線圖形也統一供給較大的電流，則會存在不能適當地檢測電壓降從而不能適當地檢測電火花產生的情況。
例如，針對由短訊號線構成的配線圖形(例如PT1)供給較大電流且施加電壓時，存在檢測不出電壓降的情況。
一般來說，在施加電壓時若流過電火花電流，則產生根據電火花電流的電壓降。例如，在第5圖的點畫線L1中，表示了產生下降量△V1的電壓降的形態。且第5圖是放大表示第3A圖的一部分之示意圖。
但針對由較短訊號線構成的配線圖形(具體來講，上流側配線圖形)供給較大電流I1時，會存在此供給電流I1具有與電火花電流IS較相似的大小之情況。且此時由於進一步供給此電流I1，因此如第5圖的點畫線L2所示，電壓降的下降量△V停留在較小的值△V2(△V2<△V1)。若下降量△V2小於檢測精度(能檢測的最小值)，則不能恰當地檢測因電火花而引起的電壓降。即，不能適當地檢測電火花的產生。
另外，供給電流I1大於電火花電流IS時，根據進一步供給較大的電流I1，如第5圖的點畫線L3所示，會存在不產生電壓降的情況。此時，也不能恰當地檢測電火花的產生。
在此，電火花電流是在期間TM施加電壓時，根據從電源2向上流側配線圖形PA供給而累積的正電荷在絕緣不良部分(銅粉附著部分等)流動而產生。因此，(若電壓相同)隨著上流側(陽極側)配線圖形PA的靜電容量增大，電火花電流也增大。反之，隨著上流側配線圖形PA的靜電容量變小，電火花電流也變小。
其結果，在上流側配線圖形的靜電容量大從而電火花電流IS大時，相對供給電流I1，由於電火花電流IS也變得相對足夠大，因此電壓降的檢測也變容易(參考點畫線L1)。
此外，在上流側配線圖形的靜電容量小從而電火花電流IS小時，相對供給電流I1，由於電火花電流IS變得相對不夠大(例如，供給電流I1和電火花電流IS具有較相似的大小)，因此電壓降的檢測也變難(參考點畫線L2和L3)。
上述現象被認為是根據如此情況而發生的。
因此，在一實施形態中，在所有一對配線圖形的絕緣檢測中，並不統一流過較大的電流，而是根據檢測對象的配線圖形(具體來講，上流側配線圖形PA)的特性，調整在期間TM中來自電源2的供給電流。
在此，使用在配線圖形(具體來講，上流側配線圖形PA)上形成的檢測點的數量N來表現檢測對象的配線圖形(具體來講，上流側配線圖形PA)的特性。
如上所述在配線圖形上形成的檢測點的數量N與配線圖形的靜電容量(配線圖形的長度或面積等)之間具有一定程度的相關關係。一般來說，具有較少檢測點(例如，N=2)的配線圖形的長度(更進一步為面積)小於具有較複數檢測點(例如，N=100)的配線圖形的長度(更進一步為面積)。因此，具有較少檢測點(例如，N=2)的配線圖形的靜電容量小於具有較複數檢測點(例如，N=100)的配線圖形的靜電容量。因此，在此實施形態中，根據在配線圖形上形成的檢測點的數量N判斷配線圖形的靜電容量。
另外，並不容易得到各個配線圖形的實際長度(面積)。對此，若使用在各個配線圖形上形成的檢測點的數量，就能比較容易地考慮配線圖形的靜電容量。尤其，與檢測點的數量相關，存在指示(10個級別或100個級別等)互不相同的差異時，如上所述檢測點的數量能非常良好地反映配線圖形的面積等。
絕緣檢測裝置1根據在檢測對象的配線圖形(具體來講，上流側配線圖形PA)上形成的檢測點的數量N，調整在期間TM中的來自 電源2的供給電流。更具體來講，在施加電壓時來自電源2的供給電流的設定值(換言之，供給電流的限定值(上限值))，根據此檢測點的數量N而變化。
更具體來講，在配線圖形PA上形成的檢測點的數量N大於所定數量Nr(例如50個)時，電流調整部11將供給電流(具體來講，限定值)設定為較大的電流值I1(例如，I1=數十mA)。另外，在檢測點的數量N小於所定數量Nr時，電流調整部11將供給電流(具體來講，限定值)設定為較小的電流值I2(I2<I1)(例如，I2=數mA)。
檢測點的數量N大於所定數量Nr(例如80個)時，藉由將來自電源2的供給電流設定為較大的電流值I1，能防止期間TM的冗長化。換言之，藉由縮短期間TM，能降低絕緣檢測的所需時間。
檢測點的數量N小於所定數量Nr時，由於將來自電源2的供給電流設定為較小的電流值I2(I2<I1)，因此能抑制上述現象(電火花電流產生時，根據來自電源的過剩電流供給，難以發生電壓降的現象)。因此，能更準確地檢測電火花的產生。
在第3A圖和第5圖中，雖然表示了在上流側配線圖形的電位從0上升至Vα的期間電火花產生的形態，但並不限定於此。在時間t5(上流側配線圖形的電位幾乎上升至所定值Vα的時間)至所定時間t2為止的期間中也有產生電火花之情況。若按如上所述調整來自電源2的供給電流，則也能適當地檢測這種電火花(具體來講，因該電火花而引起的電壓降)。
<4、詳細動作>
接下來，參考第4圖，針對絕緣檢測裝置1的動作進行更詳細的說明。第4圖是表示絕緣檢測裝置1的動作之流程圖。
如第4圖的步驟S11所示，首先設定來自電源2的供給電流(具體來講，限定值)。具體來講，如上所述，根據在檢測對象的配線圖形(具體來講，上流側配線圖形PA)上形成的檢測點的數量N，設定期間TM中來自電源2的供給電流。例如，N=3時，將來自電源2的供給電流設定為較小的電流值I2(I2<I1)。且在步驟S11中，也設定將向一對配線圖形PA和PB相互間施加的電壓(例如，200V)。
在步驟S12中，開關4處於ON狀態，從而根據電源2開始施加電壓。且也開始根據控制部7內的計數器(未圖示)的計數(步驟S13)。
在步驟S14中，若判定計數值達到所定值(換言之，從開始施加電壓起的時間達到值t2)，則進行步驟S15。
在步驟S15中，根據電壓計3測定電壓V，同時根據電流計5測定電流I。且以此測定值(電壓值、電流值)為基礎，算出絕緣電阻值R(步驟S16)。
在步驟S17中，判定如上所述電壓降在期間TM(從開始施加電壓的時間t0至所定時間t2為止的期間)內是否被檢測即電火花是否被檢測。
當檢測到電火花時，針對檢測對象的一對配線圖形PA和PB，判定存在絕緣不良，從而將此被檢測基板判定為不良品(步驟S18)。
此外，當未檢測到電火花時，進行步驟S19。在步驟S19中，判定絕緣電阻值R是否大於所定的臨界值Rref。絕緣電阻值R小於所定的臨界值Rref時，針對檢測對象的一對配線圖形PA和PB，判定存在絕緣不良，從而將此被檢測基板判定為不良品(步驟S18)。絕緣電阻值R大於所定的臨界值Rref時，針對檢測對象的一對配線圖形PA和PB，判定不存在絕緣不良(步驟S20)，進而進行步驟S21。
在步驟S21中，針對根據與形成在被檢測基板上的複數個配線圖形相關的全部組合的一對配線圖形，判定步驟S11至步驟S20的處理是否結束。當存在相關處理未結束的組合時，返回至步驟S11，進而針對未結束的一對配線圖形PA和PB繼續執行相關處理。此外，針對全部組合，在上述處理結束時，將此被檢測基板判定為良品(步驟S22)，從而結束絕緣檢測。
<5、其他>
以上，雖然對本發明的實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述說明的內容。
例如，在上述實施形態中，雖然表示了電壓降檢測部12等設置在控制器內的形態，但並不限定於此，電壓降檢測部12等也可按不同於控制器的其他硬件電路構成。電壓降檢測部12例如更可構成為具有採樣保持電路(sample and hold circuit)和比較器等。更具體來講，電壓降檢測部12按下述構成即可：按所定週期對電壓計3輸出的電壓訊號進行採樣且將前次採樣時的電壓訊號與本次採樣時的電壓訊號進行比較，若檢測到電壓波形的下降，則 輸出電火花產生檢測訊號。
且在上述實施形態中，雖然表示了使用一組探針進行一組配線圖形的絕緣檢測的絕緣檢測裝置1，但並不限定於此。例如，在絕緣檢測裝置中，也可使用複數個探針連續進行複數組配線圖形的絕緣檢測。具體來講，事先單獨將N個探針與N個配線圖形連接，且設置將N個探針中的任意探針作為檢測對象而選擇的轉換電路，進而針對在N個配線圖形中提取的上流側配線圖形PA和下流側配線圖形PB的複數個組合，依次切換，從而進行檢測。
且在上述實施形態中，雖然示出了絕緣檢測對象的配線圖形即上流側配線圖形PA和下流側配線圖形PB的兩配線圖形構成為各個單獨的配線圖形的形態，但並不限定於此。例如，下流側配線圖形PB可構成為複數個配線圖形。更具體來講，在五個配線圖形(PT1至PT3)中，可將配線圖形PT1與電源2的上流側端子連接，而將其他配線圖形(PT2至PT3)與電源2的下流側端子連接。如此，可將(上流側配線圖形PA構成為單獨的配線圖形PT1)下流側配線圖形PB構成為複數個配線圖形(PT2至PT3)。並且同樣地，也可將上流側配線圖形PA構成為複數個配線圖形。
如此，在絕緣檢測對象的兩個以上配線圖形中，將與電源2的上流側端子電連接的至少一個配線圖形作為上流側配線圖形PA，而將與電源2的下流側端子電連接的至少一個配線圖形作為下流側配線圖形PB即可。
且在上述實施形態中，雖然示出了根據在上流側配線圖形PA上形成的檢測點的數量N將來自電源2的供給電流(具體來講，限定值 )設定為兩階段的值(I1、I2)中的任意一個的形態，但並不限定於此。也可將來自電源2的供給電流(具體來講，限定值)設定為複數階段的值Ij(j=1，2，...，K；K是3以上的自然數)中的任意一個。更詳細來講，將記憶部8中記憶的檢測點的數量(在複數個配線圖形的各個配線圖形上形成的檢測點的數量)區分為所定數量的組(group)，進而可將與在檢測對象的上流側配線圖形PA上形成的檢測點的數量N所屬的組對應的電流值設定為供給電流。可將針對與較少檢測點數量相對應的組而設定的電流值，設定為小於針對與較複數檢測點數量相對應的另外組而設定的電流值。
例如，K=3時，將100以上檢測點的數量N分類為第一組GP1，將10個以上不滿100的檢測點的數量N分類為第二組GP2，且將2個以上不滿10個的檢測點的數量N分類為第三組GP3。在檢測對象的上流側配線圖形PA上形成的檢測點的數量N屬於第一組GP1時(例如N=200時)，可將與第一組GP1相對應的電流值I1設定為供給電流。同樣地，在該檢測點的數量N屬於第二組GP2時(例如N=50時)，可將與第二組GP2相對應的電流值I2(I2<I1)設定為供給電流。且在該檢測點的數量N屬於第三組GP3時(例如N=3時)，可將與第三組GP3相對應的電流值I3(I3<I2)設定為供給電流。如此，隨著檢測點的數量N變小，可將來自電源2的供給電流設定為較小的值。
S11~S22‧‧‧步驟

Claims (4)

  1. 一種絕緣檢測裝置，用於進行被檢測基板之絕緣檢測，該絕緣檢測裝置包括：電源設備，向在該被檢測基板上形成的複數個配線圖形中作為絕緣檢測對象配線圖形而被選擇的上流側配線圖形和下流側配線圖形的兩配線圖形間，進行電壓施加；電流調整設備，調整該電壓施加時來自該電源設備的供給電流；電壓檢測設備，檢測根據該電壓施加而產生的該兩配線圖形間的電壓；電壓降檢測設備，在該電壓施加的開始至該兩配線圖形間的該電壓變穩定的所定時間(timing)為止的期間，檢測在該兩配線圖形間因產生的電火花而引起的電壓降的產生與否；判定設備，根據該電壓降檢測設備若檢測該電壓降，則將該被檢測基板判定為不良品；以及記憶部，記憶在該複數個配線圖形的各個配線圖形上形成的檢測點的數量；該電流調整設備根據在該上流側配線圖形上形成的檢測點的數量即第一檢測點數量調整該供給電流；該電流調整設備將該記憶設備所記憶的檢測點數量分類為所定數量的組，進而將與該第一檢測點數量所屬的組對應的電流值作為該供給電流而設定；根據與較少檢測點數量相對應的組而設定的電流值，小於根據與 較複數檢測點數量相對應的另一組而設定的電流值。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之絕緣檢測裝置，其中該電流調整設備在該第一檢測點數量大於所定數量時，將該供給電流設定為第一電流值，在該第一檢測點數量小於該所定數量時，將該供給電流設定為小於該第一電流值的第二電流值。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之絕緣檢測裝置，其中該判定設備基於該所定時間的該兩配線圖形間的電壓以及該所定時間的該兩配線圖形間流動的電流，算出該兩配線圖形間的電阻值，且進一步進行基於該電阻值的該被檢測基板的良好與否判定。
  4. 一種絕緣檢測方法，用於進行被檢測基板之絕緣檢測，該絕緣檢測方法包括：步驟a，向在該被檢測基板上形成的複數個配線圖形中作為絕緣檢測對象配線圖形而被選擇的上流側配線圖形和下流側配線圖形的兩配線圖形間，開始電壓施加；以及步驟b，在該電壓施加的開始至該兩配線圖形間的電壓變穩定的所定時間為止的期間，檢測根據該電壓施加而產生的該兩配線圖形間的電壓；在該期間，根據在該上流側配線圖形上形成的檢測點的數量即第一檢測點數量，調整該電壓施加時的供給電流；將檢測點數量分類為所定數量的組，進而將與該第一檢測點數量所屬的組對應的電流值作為該供給電流而設定；將根據與較少檢測點數量相對應的組而設定的電流值，設定為小於根據與較複數檢測點數量相對應的另一組而設定的電流值；在該期間，若檢測到在該兩配線圖形間因產生的電火花而引起的電壓降，則將該被檢測基板判定為不良品。
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