TWI493766B - Organic EL element for illumination and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

照明用有機EL元件及其製造方法

本發明係關於一種適用於照明之大面積之有機EL(Electroluminescence，電致發光)元件及其製造方法，尤其係關於一種圖案化形成絕緣膜之有機EL元件及簡單地圖案化形成之製造方法。

有機發光元件係藉由對第1電極與第2電極之間施加電壓，而夾持於第1電極與第2電極之間的有機發光層發光者。作為有機發光元件，有機EL(電致發光)元件已經用於以液晶顯示器為代表之平板顯示器中。平板顯示器係由於像素數量較多而一個像素較細微。使用有機EL元件之顯示器亦同樣係像素較細微，且利用細微之蒸鍍罩圖案化有機EL元件。又，近年來，有機EL元件正用於固體照明中。

固體照明係與顯示器相比要求更高亮度之產品。例如，相對於顯示器所要求之亮度為1,000 cd/m² 左右，則固體照明要求3,000 cd/m² ~5,000 cd/m² 左右之亮度。為此，需要每單位面積之大電流值流通於各電極中。

於使用有機EL元件之顯示器中，一個發光元件之大小係不足1 mm見方。另一方面，於使用有機EL元件之固體照明中，由於需要與顯示器相比更大之光束，所以一個發光元件係要求100 mm見方以上之大小。

圖7係表示通常之有機EL元件之一個發光元件的平面圖。再者，於最終產品中為了保護該有機EL元件免受環境影響而需要密封構件，但於圖7中省略。

有機EL元件之一個發光元件係於基板1上積層第1電極2、有機發光層3及第2電極4而成。第1電極(陽極)2係於基板1上藉由光微影法而圖案化形成。有機發光層3係以與第1電極2相交叉之方式積層。第2電極4係以與有機發光層3及第1電極2相交叉之方式積層，藉由對第1電極2與第2電極4之間施加電壓，而僅使處於該電極相交叉部分中之有機發光層3發光。

於有機EL元件中，為了取出光而第1電極2及第2電極4之任一者需要透明導電膜。通常，第1電極2為透明導電膜。使用氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)等作為透明導電膜之材料。ITO係於透明導電膜之材料中體積電阻率最小，但與金屬相比則ITO之體積電阻率明顯較高。

有機發光層3係包含有機發光材料之有機多層膜。有機發光層3通常係將具有開口部之蒸鍍罩配置於形成有第1電極2之基板上之後，藉由於真空蒸鍍裝置內連續地蒸鍍而形成。

使第2電極4為金屬膜等，使用真空蒸鍍裝置或濺鍍裝置而製膜。第2電極4通常係配置具有與用於有機發光層3之蒸鍍罩不同之開口部的蒸鍍罩後，形成於有機發光層3上。

若將上述構成之有機EL元件形成為單一大面積並流通大電流，則由於電壓下降而變暗。又，於大電流密度且大面積之有機EL元件之情形時，則產生元件周邊部變亮、中央部變暗之現象(亮度不均)。其係起因於透明導電膜之電阻值較高及由於大電流而產生電壓下降之情況。

為了使電壓下降較小並均勻地改善明亮度，較佳為將透明導電膜之膜厚做厚至100 nm~500 nm左右而降低薄膜電阻值。以此，可抑制亮度不均。

然而，若藉由光微影法而形成厚的透明導電膜(第1電極)，則第1電極2之邊緣部變成陡峭之剖面。圖8係表示圖7之(a)線之剖面圖。若於剖面陡峭之第1電極2上積層有機發光層3(膜厚：100 nm~300 nm左右)，則於與第1電極2之邊緣部重疊之部分的有機發光層3中易產生薄膜化、針孔、裂痕等缺陷。依此，於第1電極2與第2電極4之間易產生洩漏電流或短路，而成為導致有機EL元件之品質下降及良率下降之原因。

為了解決上述問題，提出有如專利文獻1或專利文獻2般之有機EL元件。

於專利文獻1中，為了得到精度較高之發光區域，使用光微影技術設置絕緣層，而以高精度形成圖案。圖9係表示絕緣層之圖案化加工步驟。首先，清洗作為第1電極之透明導電膜被圖案化之基板，並使之乾燥。其次，於上述基板上以旋塗法整面塗佈感光劑(光阻劑)。藉由預烘烤而半乾燥光阻後，使用曝光罩進行圖案化，藉由曝光器照射紫外線而感光。其後，進行顯影(蝕刻及清洗)、經過後烘烤而圖案化加工高精度之絕緣層。

於專利文獻2中，揭示有藉由輥式印刷法而形成絕緣層之方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平3-250583號公報(請求項1)

[專利文獻2]日本專利特開2005-310404號公報(段落[0013]及[0014])

專利文獻1中所揭示之圖案化加工方法係於半導體或平面顯示器中通常所使用之高精度之加工技術，但需要大規模且高價之製造設備。又，於專利文獻1中所揭示之方法中，由於暫時先整面塗佈光阻劑，其後圖案化加工，所以大量地消耗不需要之光阻材料。光阻材料及曝光器價格高，且顯影液之廢棄處理亦需要花費費用及工夫。因此，存在製造成本變高之問題。上述成本提高係於如顯示器般之高附加值產品中可容許，但於照明產品中為非常大之問題。

於照明產品中，即使基板尺寸相同，元件面板之尺寸亦為各種各樣，要求適應於多品種之製造方法。於使用光微影技術之方法中，曝光罩之更換及調整成為必需。於輥式印刷法中，輥版之更換及調整成為必需。因此，存在對於元件尺寸不同之品種變更之準備中需要時間，使生產性下降之問題。

圖10係表示圖7之(b)線之剖面圖。如圖10中所示般，於(b)線之剖面中，於第1電極2之平坦部分上積層有有機發光層3。於有機EL元件中，由於第2電極4僅於必需部分製膜，所以製膜時於有機發光層3上使用第2電極用蒸鍍罩8。於使用第2電極用蒸鍍罩8覆蓋時，若端部即使少許產生變形或扭轉，則亦會損傷有機發光層3而產生缺陷。因此，即使於第1電極2之平坦部分上積層有機發光層3之情形時，亦會易於在第1電極2及第2電極4之間產生洩漏電流或短路之狀態，而成為導致有機EL元件之品質下降及良率下降之原因。

本發明係有鑒於上述課題而開發者，其目的係提供一種製造有機EL元件之方法，該方法無需高價之製造設備，可適用於多品種之產品中且低成本。

為了解決上述課題，本發明係提供一種照明用有機EL元件之製造方法，該有機EL元件係於基板上依序積層第1電極、有機發光層及第2電極，於俯視之情形時上述第2電極以與上述第1電極相交叉之方式配置，該照明用有機EL元件之製造方法係包含：絕緣膜形成步驟，其僅於對應於形成有第1電極之基板上的上述第1電極與上述第2電極相交叉之區域之特定部分中，以非接觸方式非圖案化加工地塗佈絕緣材料而形成絕緣膜；有機發光層形成步驟，其於該絕緣膜形成步驟之後，使用具有開口部之蒸鍍罩，於位於上述交叉區域內之上述第1電極上，藉由真空蒸鍍而形成有機發光層；及第2電極形成步驟，係於該有機發光層形成步驟之後，使用具有與上述蒸鍍罩不同之開口部之其他蒸鍍罩，於上述有機發光層上形成第2電極。

依據上述發明，可僅於必需之部分中形成絕緣膜。依此，由於無需多餘地塗佈絕緣材料，所以可抑制材料成本。由於無去除於先前光微影法中所進行之預烘烤、曝光及顯影等之多餘地塗佈之絕緣材料的步驟，所以亦不需要配合於清潔劑、廢液處理及圖案之高價之曝光罩。由於無去除絕緣材料之步驟，所以塗佈絕緣材料後，僅進行將其硬化之步驟即可形成絕緣膜。依據上述發明，藉由於特定部分設置絕緣層，則可防止製造過程中所產生之有機發光層之損傷，而可製成包含無缺陷之有機發光層之照明用有機EL元件。

於上述發明之一態樣中，較佳為上述絕緣膜形成步驟係包含以下步驟：相對於上述第1電極空開間隔而配置單一噴嘴，自上述單一噴嘴向形成有上述第1電極之基板之上述特定部分斷續地噴出上述絕緣材料；及使上述基板或上述單一噴嘴相對地移動，於上述特定部分中形成連續之絕緣膜。

依據上述發明之一態樣，可無需高價之製造設備僅於必要之特定的位置中形成絕緣膜。又，即使於元件尺寸變更之情形時，亦藉由僅選擇變更塗佈位置控制程式，而可瞬間地進行準備變更。

依據上述發明之一態樣，若將上述特定部分設為對應於下述區域之至少一者的部分則較佳：於俯視之情形時上述第1電極之邊緣部與上述第2電極之面相交叉之區域，或上述第1電極之面與上述第2電極之邊緣部相交叉之區域。

若將特定部分設為對應於第1電極之邊緣部與第2電極之面相交叉之區域的部分，則可抑制於第1電極之邊緣部上形成之有機發光層的薄膜化、針孔、裂痕等缺陷產生。依此，由於在電極間之洩漏電流或短路等不易產生，所以進而可抑制品質下降或良率下降。

若將特定部分設為對應於第1電極之面與第2電極之邊緣部相交叉之區域的部分，則由於在第2電極形成時使用之蒸鍍罩之端部與非發光元件部分重疊，所以可防止損傷發光元件部分之有機發光層。依此，由於在電極間之洩漏電流或短路等不易產生，所以進而可抑制品質下降或良率下降。

又，本發明係提供一種照明用有機EL元件，其係包含於基板上依序積層有第1電極、有機發光層及第2電極之發光元件，且於俯視之情形時上述第2電極以與第1電極相交叉之方式而配置的有機EL元件，且其包含僅於對應於形成有第1電極之基板上的上述第1電極與上述第2電極相交叉之區域之特定部分中，以非接觸方式非圖案化加工地塗佈有機絕緣材料而形成之有機絕緣膜。

依據上述發明，由於以非接觸方式僅於必需之部分中形成絕緣膜，所以不需要圖案化加工之步驟及設備，從而可抑制製造成本。又，可製成一種照明用有機EL元件，其包含於特定部分中包含絕緣膜之製造過程中所產生之有機發光層的損傷下降、缺陷較少之有機發光層。

於上述發明之一態樣中，若將上述特定部分設為上述第1電極之邊緣部與上述第2電極之面相交叉之區域，或上述第1電極之面與上述第2電極之邊緣部相交叉之區域的至少一者則較佳。

若將特定部分設為對應於第1電極之邊緣部與第2電極之面相交叉之區域的部分，則可製成薄膜化、針孔、裂痕等之缺陷較少之有機發光層。依此，成為於電極間之洩漏電流或短路等不易產生之有機EL元件。

若將特定部分設為對應於第1電極之面與第2電極之邊緣部相交叉之區域的部分，則於第2電極形成時使用之蒸鍍罩之端部與非發光元件部分重疊。因此，可製成於發光元件部分中損傷較少之有機發光層。依此，成為於電極間之洩漏電流或短路等不易產生之照明用有機EL元件。

依據本發明，由於以非接觸方式形成絕緣膜，所以可抑制絕緣膜之材料成本。又，不需要清潔劑及廢液處理，可於元件尺寸之變更時瞬間地進行準備變更。又，亦不需要使用高價之製造設備。依此，可製造更廉價、缺陷較少之照明用有機EL元件。

以下，參照圖式說明本發明之照明用有機EL元件及其製造方法之一實施形態。

<第1實施形態>

圖1係表示本實施形態之照明用有機EL元件之一個發光元件的一例之概略平面圖。

本實施形態之照明用有機EL元件係包含於基板1上依序積層有第1電極2、有機發光層3及第2電極4之發光元件。於俯視有機EL元件之情形時，第1電極2之面的外周與第2電極4之面的外周係未完全重疊，第2電極4與第1電極2相交叉而配置。於第1電極2與有機發光層3之間或基板1與有機發光層3之間的特定部分中，設置有絕緣膜5。所謂特定部分係指設為對應於第1電極2與第2電極4相交叉之區域之部分。上述相交叉之區域係於俯視有機EL元件之情形時，可設為第1電極2之邊緣部與第2電極4之面相交叉之區域，或第1電極2之面與第2電極4之邊緣部相交叉之區域。於本實施形態中，將特定部分設為對應於第1電極2之邊緣部與第2電極4之面相交叉之區域的部分。即，僅於上面積層有有機發光層3/第2電極4之第1電極2之圖案化階差部分中設置絕緣膜5。因此，必需絕緣膜之區域非常少，從而可簡單地形成絕緣膜。

於第1基板上依序積層有第1電極2/有機發光層3/第2電極4之部分作為發光元件起作用。即，藉由對第1電極2與第2電極4之間施加電壓，而發光元件之有機發光層3發光，光穿過基板1而向外部放射。於本實施形態中，該發光元件係設為50 mm見方~300 mm見方之大小。

於第1基板上依序積層有第1電極2/絕緣膜5/有機發光層3/第2電極4或絕緣膜5/有機發光層3/第2電極4之部分係設為非發光元件部分。

基板1係設為透光性基板。

第1電極2係設為具有導電性之透明之膜。例如可使用氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)等之金屬氧化膜等。第1電極2之厚度係設為100 nm~500 nm左右。第1電極2亦可於邊緣部具有陡峭之剖面。

有機發光層3係設為包含有機發光材料之有機多層膜。例如，有機多層膜之構成係設為電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層等。有機發光層3之厚度係設為100 nm~300 nm左右。

第2電極4係設為具有導電性之膜。例如，第2電極4係包含鋁(Al)或銀(Ag)之金屬膜或金屬氧化膜等。

絕緣膜5係設為電性絕緣之膜。例如，可使用正型光阻、負型光阻或其他硬化型樹脂等。絕緣膜5之厚度係相對於第1電極2與第2電極4之間之施加電壓，若能夠耐壓則足夠，但較理想為第1電極2之厚度以上，100 nm~10 μm之範圍較佳。絕緣膜5之寬度係於顯示器之情形時被要求為非常狹小之寬度，但於100 mm見方尺寸以上之有機EL照明中，由於未要求狹小之寬度，亦未要求精度，所以較佳為0.05 mm~2 mm。

其次，說明本實施形態之有機EL元件之製造方法。本實施形態之有機EL元件之製造方法係包含：絕緣膜形成步驟、有機發光層形成步驟、第2電極形成步驟。

圖2係表示說明本實施形態之有機EL元件之製造方法的一例之圖。圖2(a)至圖2(d)係觀察圖(1)之(a)線中之剖面之圖。

(1)　圖2(a)

於基板1上，圖案化第1電極2。

(2)　圖2(b)：絕緣膜形成步驟

於絕緣膜形成步驟中，首先，清洗形成有第1電極2之基板1之表面。其後，於形成有第1電極2之基板1上之特定部分中塗佈絕緣材料，且使之硬化。硬化方法係對應於所使用之絕緣材料而適當地選擇。圖3係例示使用正型之光阻作為絕緣材料之情形時的絕緣膜形成之步驟圖。依據圖3，藉由清洗、光阻描畫(塗佈)及後烘烤之步驟可形成絕緣膜5。於正型光阻塗佈後，僅以加熱(後烘烤)而硬化該正型光阻，使其成為絕緣膜5。由於僅於特定部分中塗佈絕緣材料，所以不需要藉由先前之光微影法而形成絕緣膜時所必需之預烘烤、曝光及顯像之步驟。

絕緣材料係以非接觸方式塗佈。作為以非接觸方式塗佈絕緣膜5之方法係點狀噴出型之分注器最適宜。作為點狀噴出型之分注器，例如，可使用艾訊公司製造之JET MASTER(註冊商標)2等。絕緣材料之塗佈係相對於一個發光元件使用單一之噴嘴6進行。噴嘴6之噴出口的大小等係對應於所使用之絕緣材料之種類或作為對象之發光元件的大小而適當設定。

於絕緣材料中較理想的是低溫下可硬化之有機材料，於絕緣材料(光阻)之噴出中，如噴墨般配置有複數個噴嘴之噴墨頭可謂比較有效。但是，由於噴墨係為了噴出低黏度之油墨者，用作本實施形態之絕緣材料之黏性較高之液體(光阻液)無法使用噴墨來印刷。又，由於噴墨係每一噴嘴之噴出量因微小而較少，不適合於1 μm左右之厚度之膜的形成。進而，雖然噴墨適合於基板面整面地圖案化，但不適合塗佈於較少之縱橫之線。

於使用點狀噴出型之分注器之情形時，首先，將單一噴嘴6之前端面向形成有第1電極2之基板1，以前端不接觸第1電極2之方式空開間隔而配置單一噴嘴6。例如，相對於第1電極2之邊緣部(圖案化階差部分)，若自第1電極2之表面起空開0.1 mm~1.0 mm之間隔而配置單一噴嘴6則較佳。

其次，自單一噴嘴6向形成有第1電極2之基板1上之特定部分斷續地噴出絕緣材料。又，一面噴出絕緣材料一面使基板1或單一噴嘴6相對地移動，藉此可於特定部分中形成連續之線形之絕緣膜5。絕緣材料之噴出量、基板1或單一噴嘴6之移動速度等係考慮到塗佈對象表面之潤濕性、絕緣材料之種類及黏度，以絕緣膜5成為所需之厚度及寬度之方式而適當設定。

圖4係表示絕緣膜形成之一例之模式圖。圖4(a)係自噴嘴噴出之絕緣材料之噴出粒子。噴出量相當於5 nL，噴出粒子直徑相當於0.2 mm。於將噴出重複速度設為200 dot/sec、將移動速度設為100 mm/sec之條件時，噴出粒子以0.5 mm間隔塗佈於基板上。圖4(b)及圖4(c)係表示噴著於基板後之絕緣材料之情況。噴出之絕緣材料噴著後，如圖4(b)所示般擴散，最終如圖4(c)般呈線狀連接，形成厚度5 μm、寬度2.0 mm之絕緣膜5。雖然於100 mm見方以上之照明用有機EL元件中該寬度係可足夠容許，但藉由變更噴出量及間隔而容易地變更寬度。

(3)　圖2(c)：有機發光層形成步驟

將經過絕緣膜形成步驟之基板1搬入至真空蒸鍍裝置內。於基板1上覆蓋有機用蒸鍍罩7，積層蒸鍍有機材料而形成有機發光層3。有機用蒸鍍罩7例如係具有於圖1之(a)線之朝向上與第1電極2之面相等或比第1電極2之面更大的開口部。於覆蓋有機用蒸鍍罩7時，該開口部覆及第1電極2。其他之有機材料之蒸鍍條件為任意。

(4)圖2(d)：第2電極形成步驟

將經過有機發光層形成步驟之基板1搬入至別的真空蒸鍍裝置內。於基板1上覆蓋第2電極用蒸鍍罩8，積層蒸鍍導電性材料而形成第2電極4。第2電極用蒸鍍罩8例如係使用具有於圖1之(a)線之朝向上比第1電極2更大、於圖1之(b)線之朝向上比第1電極2更小的開口部者。其他之導電性材料之蒸鍍條件為任意。第2電極形成步驟後，適當形成密封構件(未圖示)。

再者，雖然於本實施形態中藉由真空蒸鍍第2電極而製膜，但並不限定於此，亦可藉由濺鍍法而製膜。

<第2實施形態>

除形成絕緣膜之特定部分不同以外，本實施形態之照明用有機EL元件為與第1實施形態相同之構成。

圖5係表示本實施形態之照明用有機EL元件之一個發光元件的一例之概略平面圖。本實施形態之絕緣膜5係於俯視有機EL元件之情形時，設置於第1電極2之邊緣部與第2電極4之面相交叉之區域、及第1電極2之面與第2電極4之邊緣部相交叉之區域中。即，除積層有有機發光層3/第2電極4之第1電極2之圖案化階差部分以外，於第2電極4形成時，於有機發光層3上對應於有可能接觸第2電極用蒸鍍罩8之部位之部分形成絕緣膜5。

圖6係表示圖5之(b)線之剖面圖。於圖6中，絕緣膜5設置於第1電極2上之平坦部分中。第2電極用蒸鍍罩8係以開口部之端部罩於絕緣膜5上之方式使用。如此使用時，由於第2電極用蒸鍍罩8與有機發光層3相接觸之部分成為非發光元件部分，所以不會損傷發光元件中之有機發光層3而完成。

於本實施形態中，縱橫地、連續地形成絕緣膜5。若使絕緣膜5之塗佈條件設為圖4之所示之條件，則於100 mm見方之發光元件之情形時，可用4秒進行絕緣膜5之描畫，即使為15倒角之主基板亦可用1分鐘進行描畫。

進而於使用大型之基板之情形時，亦可藉由以對一個發光元件配置單一噴嘴6之方式於基板1上配置複數個單一噴嘴6，而於複數個發光元件中同時描畫絕緣膜5。依此，亦可容易地進一步提高處理速度。

依據上述第1實施形態及第2實施形態，不使用光微影法，僅於所欲直接形成之部分中直接塗佈描畫光阻劑，僅用烘烤而可形成絕緣膜5。因此，與先前之光微影技術相比，可減少絕緣材料之使用量之外，僅使用先前之烘烤爐而無需新的設備。

又，以噴嘴為一軸，進而以基板為一軸，藉由變動程式，可瞬時地對應於多種多樣之元件尺寸之變更。

又，由於無需如輥式印刷般直接接觸於基板而轉印，所以可相對於如基板之凹凸、起伏及變形之不良產生主要原因，完全不受其影響而進行製造。

1．．．基板

2．．．第1電極

3．．．有機發光層

4．．．第2電極

5．．．絕緣膜

6．．．單一噴嘴

7．．．有機用蒸鍍罩

8．．．第2電極用蒸鍍罩

圖1係表示第1實施形態之照明用有機EL元件之一個發光元件的一例之概略平面圖；

圖2(a)-(d)係說明第1實施形態之照明用有機EL元件之製造方法之圖；

圖3係表示絕緣膜形成之一例之步驟圖；

圖4(a)-(c)係表示絕緣膜形成之一例之模式圖；

圖5係表示第2實施形態之照明用有機EL元件之一個發光元件的一例之概略平面圖；

圖6係圖5之(b)線之剖面圖；

圖7係通常之有機EL元件之一個發光元件之概略平面圖；

圖8係圖7之(a)線之剖面圖；

圖9係先前之圖案化加工之步驟圖；及

圖10係圖7之(b)線之剖面圖。

1．．．基板

2．．．第1電極

3．．．有機發光層

4．．．第2電極

5．．．絕緣膜

6．．．單一噴嘴

7．．．有機用蒸鍍罩

8．．．第2電極用蒸鍍罩

Claims (6)

1. 一種照明用有機EL元件之製造方法，上述有機EL元件係於基板上依序積層有第1電極、有機發光層及第2電極，且於俯視之情形時上述第2電極以與上述第1電極及上述有機發光層相交叉之方式而配置，該製造方法包含：絕緣膜形成步驟，其於形成有第1電極之基板上的對應於上述第1電極的面與上述第2電極的邊緣部所重疊之區域Y的部分，以非接觸方式非圖案加工地塗佈絕緣材料而形成絕緣膜；有機發光層形成步驟，其於該絕緣膜形成步驟之後，將具有開口部之蒸鍍罩以使上述開口部覆及上述對應於區域Y之部分及位於上述第2電極與上述第1電極交叉之區域內之上述第1電極之方式而配置，於上述第1電極上，藉由真空蒸鍍而形成有機發光層；及第2電極形成步驟，其於該有機發光層形成步驟之後，使用具有與上述蒸鍍罩不同之開口部之其他蒸鍍罩，於上述有機發光層上形成第2電極。
2. 如請求項1之照明用有機EL元件之製造方法，其中於上述絕緣膜形成步驟，進而於形成有第1電極之基板上的對應於上述第1電極的邊緣部與上述第2電極的面所重疊之區域X的部分，以非接觸方式非圖案加工地塗佈絕緣材料而形成絕緣膜。
3. 如請求項1之照明用有機EL元件之製造方法，其中上述絕緣膜形成步驟係包含以下步驟： 相對於上述第1電極空開間隔而配置單一噴嘴，自上述單一噴嘴向形成有上述第1電極之基板的上述對應於區域Y之部分斷續地噴出上述絕緣材料；及使上述基板或上述單一噴嘴相對地移動，於上述對應於區域Y之部分中形成連續之絕緣膜。
4. 如請求項2之照明用有機EL元件之製造方法，其中上述絕緣膜形成步驟係包含以下步驟：相對於上述第1電極空開間隔而配置單一噴嘴，自上述單一噴嘴向形成有上述第1電極之基板的上述對應於區域Y之部分及上述對應於區域X之部分斷續地噴出上述絕緣材料；及使上述基板或上述單一噴嘴相對地移動，於上述對應於區域Y之部分及上述對應於區域X之部分中形成連續之絕緣膜。
5. 一種照明用有機EL元件，其係包含於基板上依序積層有第1電極、有機發光層及第2電極之發光元件，且於俯視之情形時上述第2電極以與上述第1電極及上述有機發光層相交叉之方式而配置，其包含：於形成有第1電極之基板上的對應於上述第1電極的面與上述第2電極的邊緣部所重疊之區域Y之部分，以非接觸方式非圖案加工地塗佈有機絕緣材料而形成之有機絕緣膜。
6. 如請求項5之照明用有機EL元件，其中於形成有第1電極之基板上的對應於上述第1電極的邊緣部與上述第2電極的面所重疊之區域X的部分，亦形成有上述有機絕緣膜。