TWI453969B - Method for manufacturing organic EL element - Google Patents

Description

有機EL元件之製造方法

本發明係關於一種適合於照明之大面積之有機EL元件的製造方法。

有機發光元件係藉由對第1電極與第2電極之間施加電壓而使夾於第1電極與第2電極之間之有機發光層發光者。作為有機發光元件之有機EL(electro luminescence，電致發光)元件已應用於以液晶顯示器為代表之平板顯示器。平板顯示器之像素數較多，因此單個像素較微細。使用有機EL元件之顯示器之像素亦同樣地較微細，利用微細之蒸鍍遮罩使有機EL元件圖案化。又，近年來有機EL元件被應用於固體照明。

固體照明係較顯示器更要求更高亮度之產品。例如，顯示器所要求之亮度為1,000 cd/m² 左右，與此相對固體照明中要求之亮度為3,000 cd/m² 至5,000 cd/m² 左右。因此，必需使每單位面積較大之電流值流過各電極。

使用有機EL元件之顯示器中，一個發光元件之大小不足1 mm見方。另一方面，使用有機EL元件之固體照明要求較顯示器更大之光束，因此要求一個發光元件為100 mm見方以上之大小。

有機EL元件中為射出光而需要第1電極及第2電極中之任一者為透明導電膜。通常設第1電極為透明導電膜。使用氧化銦錫(ITO，indium tin oxide)等作為透明導電膜之材料。ITO雖係透明導電膜之材料中體積電阻率最小者，但與金屬相比ITO之體積電阻率明顯較高。

若使包含透明導電膜之有機EL元件僅大面積地形成而流過大電流，則會產生元件周邊部較亮而中央部較暗之現象(亮斑)。該現象係起因於透明導電膜之電阻值較高及因大電流而導致產生電壓降。

為減少電壓降且使亮度均勻，使透明導電膜之膜厚變厚至100 nm至500 nm左右而降低薄片電阻值即可。由此可抑制亮斑。

然而透明導電膜之材料昂貴，若使透明導電膜變厚則會產生材料成本變高之問題。因此研究如下方法，即於較大之元件面板內部將發光元件分割為較小之發光元件，並將經分割之元件串聯連接，藉此減小流過各電極之電流(參照專利文獻1至專利文獻7)。由此可使面板整體之電壓變高，因而可減小透明導電膜之電阻而減少電壓降。由此即便為較大之發光面板，亦可降低內部之亮度之分佈。專利文獻1至專利文獻7中揭示有藉由利用光微影法之圖案化加工而形成複數個發光元件之方法，及藉由雷射加工而於發光元件之各層中形成分離槽且形成複數個發光元件之方法。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-29404號公報

[專利文獻2]日本專利特開2008-227326號公報

[專利文獻3]日本專利特表2010-510626號公報

[專利文獻4]日本專利特開2010-21050號公報

[專利文獻5]日本專利特開平5-3076號公報

[專利文獻6]日本專利特開平8-222371號公報

[專利文獻7]日本專利特開2007-157659號公報

專利文獻1中揭示有藉由光微影法而形成有發光元件之有機EL元件。圖4係表示先前之有機EL元件之構成之概略剖面圖。圖4中包含第1電極2/有機發光層3/第2電極4之發光元件排列配置於基板1上，鄰接之發光元件之各自之第1電極2藉由絕緣膜5而電性分離。又，鄰接之發光元件使一方之發光元件之第1電極2接觸於另一方之發光元件之第2電極4，藉此形成串聯連接之有機EL元件。

專利文獻1中藉由利用光微影法之圖案化加工等於基板上形成第1電極。於形成於基板上之第1電極上，使用具有開口部之蒸鍍遮罩藉由真空蒸鍍而形成有機發光層。於有機發光層上，使用其他之具有開口部之蒸鍍遮罩藉由真空蒸鍍而形成第2電極。

藉由圖案化加工而形成之第1電極之端部成為較陡之剖面，因此與基板之間產生階差。若將有機發光層積層於該圖案化周圍之階差部分上，則導致重疊於階差部分之有機發光層薄膜化而易產生缺陷。因此易產生漏電流或短路等問題。

為防止上述問題，於圖案化周圍之階差部分上藉由光微影法形成絕緣膜。專利文獻1中，於第1電極經圖案化加工之基板之整個表面塗佈光阻劑並使光阻劑乾燥。其後對欲加工之圖案罩上曝光遮罩而照射紫外線，經預烘烤、蝕刻、清洗、後烘烤而圖案化加工出高精度之絕緣膜。

光微影法係於半導體或平板顯示器中常用之高精度之加工技術，但需要大規模且昂貴之製造設備。此外亦需要花費於光阻劑、蝕刻液及清洗液之消耗構件之成本及用於廢液處理之高額運轉費用。

又利用蒸鍍遮罩之真空蒸鍍可於基板上直接圖案化。然而若為大型基板，則無法維持高精細之蒸鍍遮罩之精度，因此不適合於作為價格低廉地製造如照明般之大型基板之方法。

專利文獻5至專利文獻7中揭示有藉由雷射加工而使複數個發光元件串聯連接之有機EL元件。

有機EL元件之有機發光層通常設為積層有電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層之有機多層膜。於有機發光層之第1電極側包含電洞傳輸性材料，於第2電極側包含具有與電洞傳輸性材料相反之性質之電子傳輸性材料。有機EL元件係以第1電極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層/第2電極之真空連續成膜而進行製造。尤其第1電極與電洞注入層之界面、及電子注入層與第2電極之界面對表面狀態及環境非常敏感，該界面之狀態對元件特性之影響非常大。

若於真空或惰性氣體環境中對有機發光層照射雷射，則可藉由熱蒸發或剝蝕引起之氣化而除去有機發光層。此時，含有經蒸發或氣化之有機發光層之電洞傳輸性材料之微粒子飛散，以分子級附著於位於有機發光層表面之電子注入層之鏡面。因附著具有不同性質之材料而導致有機EL元件之發光特性降低。

本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種有機EL元件之製造方法，其係藉由雷射加工，而無須利用昂貴之光微影法製造具有穩定之發光特性之適合於照明用之有機EL元件。

為解決上述課題，本發明提供一種有機EL元件之製造方法，其係製造於基板上具有複數個包含第1電極、有機發光層及第2電極之發光元件且使鄰接之發光元件彼此電性串聯連接之有機EL元件之方法，且包括：步驟(A)，於分割形成有上述第1電極之基板上形成上述有機發光層；步驟(B)，於該步驟(A)之後，僅於上述有機發光層上形成特定厚度之下部第2電極；步驟(C)，於該步驟(B)之後，藉由雷射加工除去積層於上述第1電極上之有機發光層/下部第2電極之一部分，而形成將上述有機發光層/下部第2電極分割為複數個有機發光層/下部第2電極之第1分割槽；步驟(D)，於該步驟(C)之後，以填埋上述第1分割槽且覆蓋於上述複數個有機發光層/下部第2電極上之方式形成上部第2電極；及步驟(E)，於該步驟(D)之後，藉由雷射加工除去積層於上述第1電極上之有機發光層/下部第2電極/上部第2電極之一部分，而形成將上述有機發光層/下部第2電極/上部第2電極分割為複數個有機發光層/下部第2電極/上部第2電極之第2分割槽。

根據上述發明，於藉由雷射加工而分離有機發光層時，有機發光層之上表面被下部第2電極覆蓋，因此可防止藉由雷射加工而除去之有機發光層飛散並附著於有機發光層上。藉此可使有機EL元件之發光特性穩定化。

上述發明之一態樣中，較佳為於上述步驟(B)中，使上述下部第2電極之特定厚度為1 nm以上且100 nm以下。

藉由設為上述構成，可確實地形成有機發光層與下部第2電極之界面，且可藉由雷射加工而一併除去有機發光層及下部第2電極。

上述發明之一態樣中，較佳為於內部成為真空或惰性氣體環境之容器內，一面對該容器內進行排氣一面進行上述步驟(C)。

由此可將藉由雷射加工而除去之物質排出至容器外，因而可抑制有機發光層受到汚染。

上述發明之一態樣中，較佳為於內部成為真空或惰性氣體環境之容器內，一面對該容器內進行排氣一面進行上述步驟(E)。

由此可將藉由雷射加工而除去之物質排出至容器外，因而可抑制下部第2電極及上部第2電極附著於雷射加工部之有機發光層剖面。從而可抑制漏電流或短路之產生。

上述發明之一態樣中，較佳為上述第2電極含有導電性金屬，且上述步驟(E)中於真空或惰性氣體環境中混合有氧氣之環境下進行上述雷射加工。

於含氧之環境中進行雷射加工，藉此可使因雷射加工而飛散之下部第2電極及上部第2電極之金屬微粒子氧化而形成絕緣體。由此，即便於飛散之下部第2電極及上部第2電極之金屬微粒子附著於有機發光層之側面等之情形時，亦可防止漏電流或短路之產生。

上述發明之一態樣中，較佳為以筒狀構件包圍雷射光束之通過路徑，於該筒狀構件之雷射光束出口側連接抽吸路徑，一面經由該抽吸路徑進行抽吸一面進行雷射加工。

於雷射光束之出口附近即被雷射照射位置之附近進行抽吸，因此可降低藉由雷射加工而除去之有機發光層或第2電極(下部第2電極及上部第2電極)飛散並再次附著於加工部附近等之污染。藉此可抑制漏電流或短路之產生。

根據本發明，於有機發光層上形成較薄之下部第2電極之後，藉由雷射加工而分離有機發光層，因而可防止具有不同特性之材料附著於有機發光層。由此提供一種有機EL元件之製造方法，其係無須利用昂貴之光微影法，且製造出具有穩定之發光特性之適合於照明用之有機EL元件之方法。

以下參照圖式對本發明之有機EL元件之製造方法之一實施形態進行說明。

圖1係以本實施形態之製造方法製造之有機EL元件之概略平面圖。以本實施形態之有機EL元件之製造方法製造之有機EL元件包含於基板1上依序積層有第1電極2、有機發光層3及第2電極4之發光元件。複數發光元件排列配置於基板上，鄰接之發光元件彼此係藉由使一方之發光元件之第1電極與另一方之發光元件之第2電極相接觸而進行電性串聯連接。於各發光元件之第1電極2之邊緣部設置有絕緣膜5，從而將鄰接之第1電極2彼此電性分離。第2電極4a係用以自第1電極2汲取電之汲取電極。於使用排列配置之複數個發光元件之位於最外側之發光元件之第1電極2作為汲取電極之情形時，可將第2電極4a省略。

基板1設為透光性基板。使用例如300 mm×300 mm×厚度0.7 mm之玻璃基板等。

第1電極2設為具有導電性之透明膜。可使用例如氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnO₂ )、氧化鋅(ZnO)等之金屬氧化膜。第1電極2之厚度設為100 nm至500 nm左右。

有機發光層3設為包含有機發光材料之有機多層膜。例如，有機多層膜之構成設為電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層等。有機發光層3之總厚度設為100 nm至300 nm左右。

第2電極4包含下部第2電極及上部第2電極。下部第2電極及上部第2電極皆包含具有導電性之膜。例如，下部第2電極及上部第2電極設為鋁(Al)或銀(Ag)等之金屬膜。第2電極4之厚度設為10 nm以上且500 nm以下。下部第2電極及上部第2電極可包含相同之導電性材料，亦可包含不同之導電性材料。

下部第2電極僅積層於有機發光層上。藉此發光元件中所包含之下部第2電極作為使電荷注入1個發光元件內之電極而發揮作用。下部第2電極之厚度較佳為1 nm以上且50 nm以下之範圍。上述範圍係考慮到於下部第2電極與有機發光層之間確實地形成界面、及利用雷射加工之除去性。又，下部第2電極之材質亦可為鋰(Li)或鎂(Mg)等鹼性系金屬或與其他氧化物之混合或者積層。

上部第2電極以覆蓋下部第2電極之方式積層於下部第2電極上。上部第2電極具有接觸於第1電極2而配置之部分。藉此除作為使1個發光元件內通電之電極發揮作用以外，亦作為使鄰接之發光元件彼此電性串聯連接之電極而發揮作用。

絕緣膜5設為電性絕緣之膜。可使用例如正型阻劑、負型阻劑、或其他固化型樹脂等。絕緣膜5之厚度可為100 nm至10 μm之範圍。就絕緣膜5之寬度而言，於顯示器之情形時要求為非常狹窄之寬度，而於100 mm見方尺寸以上之有機EL照明中並不需要狹窄之寬度，且亦未對精度作出要求，因此較佳為0.05 mm至2 mm。

其次，對本實施形態之有機EL元件之製造方法進行說明。圖2係表示對本實施形態之有機EL元件之製造方法之一例進行說明之剖面圖。

(1)圖2(a)

使第1電極2於基板1上圖案化。

(2)圖2(b)

清洗形成有第1電極2之基板1之表面。其後於形成有第1電極2之基板1上之特定部分塗佈絕緣材料並使之固化。特定部分係分割而形成之第1電極彼此相對向之邊緣部及其附近。又，特定部分除上述邊緣部及其附近以外，亦可包含自邊緣部起隔開固定距離且位於第1電極2之面方向內側之第1電極2上之一部分。

絕緣材料係以非接觸方式進行塗佈。作為以非接觸方式塗佈絕緣膜5之方法，點狀噴出型之分注器最為合適。作為點狀噴出型之分注器，可使用例如Asymtek公司製造之JET MASTER(登錄商標)2等。對1個發光元件係利用單一之噴嘴6進行絕緣材料之塗佈。噴嘴6之噴出口之大小等可根據所使用之絕緣材料之種類或作為對象之發光元件之大小而適當設定。

於使用點狀噴出型之分注器之情形時，首先，以使單一噴嘴6之前端朝向形成有第1電極2之基板1上，且使前端不與第1電極2接觸之方式與形成有第1電極2之基板1隔開間隔而配置單一噴嘴6。例如，相對於第1電極2之邊緣部(圖案化階差部分)而自第1電極2之表面起隔開0.1 mm至1.0 mm之間隔配置單一噴嘴6。

其次，自單一噴嘴6向形成有第1電極2之基板1上之特定部分斷續性地噴出絕緣材料。又，一面噴出絕緣材料，一面使基板1或單一噴嘴6相對性地移動而於特定部分形成連續之線性之絕緣膜5。絕緣材料之噴出量、及基板1或單一噴嘴6之移動速度等係考慮到塗佈對象表面之濕潤性、絕緣材料之種類及黏度，且以使絕緣膜5成為所需之厚度及寬度之方式適當設定。

例如，於噴出量5 nL、噴出粒直徑約0.2 mm、重複噴出速度設為200 dot/sec、且移動速度設為100 mm/sec之條件下，噴出粒子以0.5 mm間隔塗佈於基板上。所塗佈之絕緣材料噴附於基材上之後形成厚度5 μm、寬度2.0 mm之絕緣膜5。於100 mm見方以上之照明用有機EL元件中可充分容許有該寬度，可藉由改變噴出量及間隔而容易地改變寬度。

塗佈之絕緣材料之固化方法可根據所使用之絕緣材料而適當選擇。絕緣材料較佳為有機材料，於使用正型阻劑作為絕緣材料之情形時，於塗佈後僅進行加熱(後烘烤)便可使其固化。因絕緣材料僅塗佈於特定部分，故而不需要先前之利用光微影法形成絕緣膜時所必需之預烘烤、曝光及顯影之步驟。因此，與先前絕緣膜之形成中所使用之光微影法相比，不僅可減少絕緣材料之使用量，而且可僅使用先前之烘烤爐而不需要新的設備。

(3)圖2(c)：有機發光層形成步驟及下部第2電極形成步驟

將上述中至形成有絕緣膜5之基板1搬入至真空蒸鍍裝置內。於實際之真空蒸鍍室內，基板之成膜面朝向下方，但為易於理解說明而揭示為朝向上方。

於基板1上配置具有開口部之有機用蒸鍍遮罩7，積層蒸鍍有機材料而形成有機發光層3。例如，於以120 nm之厚度形成ITO作為第1電極之基板1上，以120 nm之厚度積層蒸鍍電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/電子注入層作為有機發光層3。有機材料之其他蒸鍍條件並無限制。

形成有機發光層3之後，以使開口部與有機發光層3重疊之方式於基板1上配置有機用蒸鍍遮罩7，將導電性材料積層蒸鍍於有機發光層3上而形成下部第2電極4b。形成下部第2電極4b之步驟較佳為與形成有機發光層3之步驟連續地實施。

(4)圖2(d)：第1分割槽形成步驟

形成下部第2電極4b之後，自積層於第1電極2上之有機發光層3/下部第2電極4b之下部第2電極4b側照射雷射光束9，除去有機發光層3/下部第2電極4b之一部分而形成第1分割槽8。雷射加工條件可根據有機發光層3及下部第2電極4b之材質或厚度等而適當設定。例如，以10 nm之厚度積層蒸鍍鋁作為下部第2電極4b。雷射係使用飛秒雷射，於波長810 nm、脈寬150 fs、雷射輸出100 mJ/cm² 、重複頻率200 kHz、雷射光束直徑20 μm之條件下進行加工。第1分割槽8沿分割形成於基板1上之第1電極2之分割面(邊緣部)方向而形成於第1電極2之端部即可。又，於自上述邊緣部起隔開固定距離且位於較上述邊緣部靠第1電極2內側之第1電極上設置有絕緣膜5之情形時，第1分割槽8與絕緣膜相鄰接而形成於設置於上述第1電極2上之絕緣膜5與上述邊緣部之間即可。

(5)圖2(e)：上部第2電極形成步驟

形成第1分割槽8之後，將基板1搬入至其他真空蒸鍍裝置。於基板1上(形成有下部第2電極4b之側)配置具有開口部之第2電極用蒸鍍遮罩10，積層蒸鍍導電性材料而形成上部第2電極4c。第2電極蒸鍍遮罩10係以開口部與之前形成之第1電極2、有機發光層3及下部第2電極4b重疊之方式進行配置。又，上部第2電極係形成為填埋第1分割槽。例如，以90 nm之厚度蒸鍍鋁作為上部第2電極4c。導電性材料之其他蒸鍍條件並無限制。

(6)圖2(f)：第2分割槽形成步驟

形成上部第2電極4c之後，於積層於第1電極2上之有機發光層3/下部第2電極4b/上部第2電極4c上，自上部第2電極4c側照射雷射光束9，藉由雷射加工除去有機發光層3/下部第2電極4b/上部第2電極4c之一部分而形成第2分割槽11。雷射加工條件可根據有機發光層3、下部第2電極4b及上部第2電極4c之材質或厚度等而適當設定。例如，雷射係與上述同樣地使用飛秒雷射，於波長1045 nm、脈寬500 fs、雷射輸出200 mJ/cm² 、重複頻率200 kHz、雷射光束直徑20 μm之條件下進行加工。第2分割槽11以於與相同地形成於第1電極2上之第1分割槽8之間不存在發光元件之方式形成。例如，於較第1分割槽8更靠第1電極2之面方向內側，以與第1分割槽8相鄰接之方式形成第2分割槽11。又，於自上述邊緣部起隔開固定距離而位於內側之第1電極2上設置有絕緣膜5之情形時，於設置於上述第1電極2上之絕緣膜上以第2分割槽11之底面成為絕緣膜5之方式形成第2分割槽11。該情形時，第2分割槽11可不與第1分割槽8接觸。於第2分割槽形成步驟之後適當地形成密封構件(未圖示)。

再者，本實施樣態中藉由真空蒸鍍而使第2電極4成膜，但並不限定於此，亦可藉由濺鍍法而形成膜。

其次對雷射加工方法進行說明。

用以形成第1分割槽8及第2分割槽11之雷射加工可於真空或惰性氣體環境中實施。例如，雷射加工於內部形成真空或惰性氣體環境之容器內實施即可。本實施形態中於形成惰性氣體環境之容器內進行雷射加工。圖3係表示本實施形態之雷射加工之構成圖。

容器20包含氣體導入口21、雷射光束導入窗22及驅動平台(未圖示)。驅動平台可保持被加工對象物23，且亦可沿水平方向(箭頭X及箭頭Y方向)移動。

容器20較佳為於雷射光束導入窗22之容器內側具有包圍雷射光束路徑之筒狀構件24。筒狀構件24於雷射光束9之出口側附近連接有與筒狀構件24之內部連通之抽吸路徑25。抽吸路徑25之另一端部配置於容器20外。

將實施過雷射加工之被加工對象物23搬入至容器20內，使被加工面朝向雷射光束導入窗22載置並保持於驅動平台。其後，自氣體導入口21向容器20內導入水分濃度較低之高純度之惰性氣體，使容器20內充滿惰性氣體。惰性氣體適用氮氣或氬氣。惰性氣體之純度較佳為99.99%以上，惰性氣體之水分殘留濃度較佳為1 ppm以下。

繼而，經由抽吸路徑25進行抽吸，將雷射光束之出口附近之氣體排出至容器20外。於進行抽吸時，自氣體導入口21導入高純度之惰性氣體而將容器20內之壓力保持於固定。經由雷射光束導入窗22對被加工對象物23照射雷射光束9。使驅動平台適當地水平移動，從而於特定部分形成分割槽。

若對有機發光層3或第2電極4(下部第2電極及上部第2電極)照射雷射光束9，則該等中所含有之物質會因熱而蒸發、及因剝蝕而分解並氣化，從而擴散消失。

根據本實施形態，一面對容器20內進行排氣一面向容器20內導入惰性氣體，藉此可將容器20內之壓力保持於固定，並且將藉由雷射加工而除去之物質排出至容器20外，由此可抑制除去之物質污染有機發光層3。因而可使發光特性穩定化。

又，形成第2分割槽11之步驟之雷射加工中，亦可將氧混合入惰性氣體中並導入至容器20內。氧濃度較佳為0.1體積%以上且20體積%以下(大氣中之氧分壓以下)。

藉由雷射加工而除去之物質有時含有並非完全為氣體之物質。因此，並非完全為氣體而蒸發之物質有可能會飛散至經雷射照射之加工部附近而再次附著於此。該物質通常被稱作碎屑，其會導致加工周邊部受到污染。若將氧混合入惰性氣體中並導入至容器內，則並非完全為氣體之物質中所含有之來自第2電極之金屬微粒子可氧化而形成絕緣體。由此，即便於因雷射加工而飛散之物質再次附著於雷射加工端面或已完成加工部位之情形時，亦可防止漏電流之產生。上述混合氧之方法於使用鋁作為第2電極之情形尤為有效。

1．．．基板

2．．．第1電極

3．．．有機發光層

4．．．第2電極

4a．．．第2電極(汲取用電極)

4b．．．下部第2電極

4c．．．上部第2電極

5．．．絕緣膜

6．．．噴嘴

7．．．有機用蒸鍍遮罩

8．．．第1分割槽

9．．．雷射光束

10．．．第2電極用蒸鍍遮罩

11．．．第2分割槽

20．．．容器

21．．．氣體導入口

22．．．雷射光束導入窗

23．．．被加工對象物

24．．．筒狀構件

25．．．抽吸路徑

X、Y．．．箭頭

圖1係以本發明之一實施樣態之有機EL元件製造方法製造之有機EL元件之概略平面圖。

圖2(a)-(f)係說明本發明之一實施樣態之有機EL元件製造方法之一例之概略剖面圖。

圖3係本發明之一實施樣態之雷射加工之構成圖。

圖4係表示先前之有機EL元件之構成之概略剖面圖。

1．．．基板

2．．．第1電極

3．．．有機發光層

4b．．．下部第2電極

4c．．．上部第2電極

5．．．絕緣膜

6．．．噴嘴

7．．．有機用蒸鍍遮罩

8．．．第1分割槽

9．．．雷射光束

10．．．第2電極用蒸鍍遮罩

11．．．第2分割槽

Claims (9)

1. 一種有機EL元件之製造方法，其係製造於基板上具有複數個包含第1電極、有機發光層及第2電極之發光元件且使鄰接之發光元件彼此電性串聯連接之有機EL元件之方法，且包括：步驟(A)，於分割形成有上述第1電極之基板上形成上述有機發光層；步驟(B)，於該步驟(A)之後，僅於上述有機發光層上形成特定厚度之下部第2電極；步驟(C)，於該步驟(B)之後，藉由雷射加工除去積層於上述第1電極上之有機發光層/下部第2電極之一部分，而形成將上述有機發光層/下部第2電極分割為複數個有機發光層/下部第2電極之第1分割槽；步驟(D)，於該步驟(C)之後，以填埋上述第1分割槽且覆蓋於上述複數個有機發光層/下部第2電極上之方式形成上部第2電極；及步驟(E)，於該步驟(D)之後，藉由雷射加工除去積層於上述第1電極上之有機發光層/下部第2電極/上部第2電極之一部分，而形成將上述有機發光層/下部第2電極/上部第2電極分割為複數個有機發光層/下部第2電極/上部第2電極之第2分割槽。
2. 如請求項1之有機EL元件之製造方法，其中於上述步驟(B)中，將上述下部第2電極之特定厚度設為1 nm以上且100 nm以下。
3. 如請求項1之有機EL元件之製造方法，其中於內部成為真空或惰性氣體環境之容器內，一面對該容器內進行排氣一面進行上述步驟(C)。
4. 如請求項2之有機EL元件之製造方法，其中於內部成為真空或惰性氣體環境之容器內，一面對該容器內進行排氣一面進行上述步驟(C)。
5. 如請求項1至4中任一項之有機EL元件之製造方法，其中於內部成為真空或惰性氣體環境之容器內，一面對該容器內進行排氣一面進行上述步驟(E)。
6. 如請求項5之有機EL元件之製造方法，其中上述第2電極包含導電性金屬，於上述步驟(E)中，於真空或將氧氣混合於惰性氣體環境之環境下進行上述雷射加工。
7. 如請求項3或4之有機EL元件之製造方法，其中以筒狀構件包圍雷射光束之通過路徑，且於該筒狀構件之雷射光束出口側連接有抽吸路徑，一面經由該抽吸路徑進行抽吸一面進行雷射加工。
8. 如請求項5之有機EL元件之製造方法，其中以筒狀構件包圍雷射光束之通過路徑，且於該筒狀構件之雷射光束出口側連接有抽吸路徑，一面經由該抽吸路徑進行抽吸一面進行雷射加工。
9. 如請求項6之有機EL元件之製造方法，其中以筒狀構件包圍雷射光束之通過路徑，且於該筒狀構件之雷射光束出口側連接有抽吸路徑，一面經由該抽吸路徑進行抽吸一面進行雷射加工。