TWI493182B - 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置 - Google Patents

用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI493182B
TWI493182B TW100135356A TW100135356A TWI493182B TW I493182 B TWI493182 B TW I493182B TW 100135356 A TW100135356 A TW 100135356A TW 100135356 A TW100135356 A TW 100135356A TW I493182 B TWI493182 B TW I493182B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
view
platform
substrate
field
electron beam
Prior art date
Application number
TW100135356A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201226893A (en
Inventor
Sean X Wu
Kini Vivekanand
Original Assignee
Kla Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kla Tencor Corp filed Critical Kla Tencor Corp
Publication of TW201226893A publication Critical patent/TW201226893A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI493182B publication Critical patent/TWI493182B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/285—Emission microscopes, e.g. field-emission microscopes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/29—Reflection microscopes
    • H01J37/292—Reflection microscopes using scanning ray
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/10—Lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202—Movement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Description

用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置
本發明大體而言係關於經製造之基板上之缺陷的自動檢測或審視。
可使用用於自動檢測之習知掃描電子顯微鏡(SEM)裝置來檢測半導體晶圓或其他經製造之基板上的大量散佈「熱點」區域。熱點區域為已知或疑似具有一或多個缺陷之相對較高可能性的特定區域。可自設計資料抑或自基板之早先檢測獲得熱點區域之座標。
因為熱點區域可散佈於經製造之基板上之各位置周圍，所以對大量熱點區域之自動檢測花費大量時間。此不利地影響檢測裝置之輸貫量。
非常需要增加檢測經製造之基板上之大量熱點的速度。
一實施例係關於一種使用一電子束裝置自動檢測一經製造之基板上之散佈熱點區域的方法。沿一掃掠路徑移動固持該基板之一平台以便移動該電子束裝置之一視場以使得該移動視場覆蓋該基板上之一目標區域。執行該移動視場內之該等熱點區域的離軸成像。可判定該移動視場內之熱點區域的一數目，且可基於該移動視場內之熱點區域的該數目來調整該平台移動之速度。
另一實施例係關於一種用於檢測一經製造之基板上之散佈區域的電子束裝置。該裝置包括至少一電子源、一透鏡系統、一偵測器、一平台及一系統控制器。該電子源經組態以產生一主要電子束，且該透鏡系統經組態以將該主要電子束聚焦於該基板之一表面上。該偵測器經組態以偵測自該基板所發射之散佈電子，且該平台經組態以固持該基板且以可控方式在該主要電子束下移動該基板。該系統控制器經組態以控制固持該基板之一平台沿一掃掠路徑之移動以便移動該電子束裝置之一視場以使得該移動視場覆蓋該基板上之一目標區域。該系統控制器亦經組態以控制該移動視場內之該等熱點區域的離軸成像。
亦揭示其他實施例、態樣及特徵。
注意，隨此提供之諸圖未必按比例繪製。出於說明之目的提供諸圖以容易理解當前所揭示之本發明。
圖1出於論述之目的描繪在半導體晶圓上之晶粒102的一陣列中之散佈熱點區域104之假想實例的平面圖。雖然圖1之實例為了便於說明而描繪了六個晶粒之陣列，但實際半導體晶圓當然將通常具有六個以上晶粒。
如所展示，熱點區域(以「X」來標記每一熱點區域)104可散佈於晶圓上之各位置處。在一實施例中，該等熱點區域可由使用者基於設計資料及/或先前檢測結果手動地選定。
圖2為用於檢測散佈熱點區域之習知方法200的流程圖。在此方法200中，移動固持晶圓之平台(202)以便使得電子束檢測裝置之視場(FOV)在熱點區域之中心。其後，停止平台運動(204)，且接著執行熱點區域之軸上成像(電子束掃描)(206)。可接著進行關於晶圓上是否還存在更多待成像之熱點區域的判定(208)。若存在更多待成像之熱點區域，則方法200環回且移動平台(202)以使得FOV在待成像之下一熱點區域上之中心。若無待成像之更多熱點區域，則針對此晶圓之熱點掃描完成(210)。
圖3描繪如應用於圖1之假想實例的按照圖2來檢測散佈熱點區域的習知方法。如所展示，移動平台(304)以重新定位中心軸掃描FOV(302)以使得其在熱點區域104上之中心。中心軸FOV 302之大小受成像裝置之規格及能力(詳言之，(例如)受偵測器陣列中之像素大小及像素之數目)所限制。此後，使平台停止，且藉由電子束成像裝置來使FOV 302中之熱點區域104成像，接著移動平台(304)以重新定位FOV 302以便使其在下一熱點區域104上之中心。再次使平台停止，且藉由電子束成像裝置使FOV 302中之熱點區域104成像。且如此進行下去，直至所有熱點區域皆成像為止。
申請人已判定了關於以上所描述之習知熱點掃描技術之缺點及劣勢。詳言之，習知技術具有實質額外時間，其中檢測器並不使電子束掃描熱點區域上以獲得影像資料。實質額外時間係歸因於(a)使平台減速以停止平台且使平台加速以使其再次移動所花費之時間，及(b)使平台在熱點區域之間移動所花費的時間。歸因於最大平台加速度及急動(其依賴於平台之質量)而無法使得此額外時間很短。認為總檢測時間等於額外時間加上掃描時間。在特定情況下，額外時間可高達總檢測時間之30%至40%。
本申請案揭示用於藉由一自動電子束檢測工具來檢測大量散佈熱點區域的方法及裝置，該自動電子束檢測工具可根據每小時所檢測之熱點的數目而明顯增大其輸貫量。如以下進一步描述，可使用目標基板之可變速度掃掠及離軸掃描以在特定狀況下更迅速地掃描目標基板上之熱點。
圖4為根據本發明之一實施例的用於檢測散佈熱點區域之方法400的流程圖。如所展示，在此方法400中，平台係沿一路徑連續地移動(402)。舉例而言，該路徑可為一預定路徑(諸如，遵循光柵掃描圖案之路徑)以使得電子束裝置之FOV覆蓋目標基板區域。此連續移動有利地減小了在使熱點成像之前完全停止平台移動及在使熱點成像之後使平台自一靜止狀態重新加速所需要的額外時間。
如進一步所展示，方法400判定(404)移動FOV內之熱點區域的數目。此為一改變之動態數目，因為一些熱點退出FOV而同時其他熱點進入FOV。因為FOV可具有恆定面積，所以此數目線性地對應於FOV內之熱點的密度。
基於熱點之數目(或密度)，方法400動態地調整(406)沿預定路徑之平台移動的速度。大體而言，對於FOV中之熱點的較高數目(或密度)而言，平台速度減小，且對於FOV中之熱點的較低數目(或密度)而言，平台速度增大。當熱點密度高時，此動態速度調整為FOV中之各熱點之離軸掃描提供足夠時間。另一方面，當熱點密度低時，此動態速度調整減小了FOV行進通過彼路徑區段所花費之時間(而同時仍能夠掃描其中熱點之稀疏群體)。以下關於圖6來描述平台速度(掃掠速率)可如何根據熱點密度來動態地變化之一實例。
根據本發明之一實施例，可藉由離軸成像(離軸電子束掃描)使FOV內之任何熱點區域成像。對於熱點區域之離軸成像而言，電子束裝置之FOV並不在該熱點區域上之中心。換言之，電子束柱之光軸並非經定位而在該熱點區域內。
若在移動之FOV內存在多個熱點區域，則在此方法400中亦可判定(408)用於掃描熱點區域之次序。以下關於圖7來描述掃描FOV內之多個熱點區域之實例次序。
儘管熱點區域之離軸成像可導致經掃描資料中之像差的增加，但申請人相信(在一些狀況下)當需要檢測裝置之較高輸貫量時，此缺點足可藉由總檢測時間之減少而抵消。總檢測時間可歸因於避免了需要在使得FOV在每一熱點區域上之中心之後停止平台移動且在使彼熱點區域成像之後使平台運動重新加速而實質上減少。
圖5描繪如應用於圖1之假想實例的用於按照圖4來檢測散佈熱點區域的方法。如以上關於圖4所論述，平台沿掃掠路徑504連續地移動(402)以使得離軸偏轉FOV 502覆蓋目標晶圓區域。
注意，離軸偏轉FOV 502並不依賴於裝置之成像能力(諸如，偵測器陣列之像素大小及像素之數目)且因而可為習知方法300之中心軸掃描FOV 302的50倍至100倍(或以上)大。在圖5之實例說明中，離軸偏轉FOV 502為單一晶粒102之大小，但離軸偏轉FOV 502不必依賴於晶粒大小且可視電子束裝置之離軸成像能力而定。
所說明之實例掃掠路徑504為一行跡或光柵圖案，該行跡或光柵圖案具有相隔不超過彼尺寸之FOV 502之寬度的線以使得區域可在無間隙之情況下被覆蓋。FOV 502之尺寸相對於熱點104之密度而言可為足夠大的，以使得一個以上熱點可同時存在於FOV 502中。如所展示，平台移動可在該圖案之每一條線的末端處轉向。
因為使FOV 502移動(掃掠)以覆蓋目標基板之區域，所以熱點104移動至FOV 502中及移動出FOV 502。如以上關於圖4所論述，可基於移動之FOV 502內的熱點之數目動態地調整(406)平台運動之速度(掃掠速率)。以下關於圖6論述對應於FOV 502內之實例熱點密度的掃掠速率曲線。
當至少熱點區域存在於FOV 502內時，則可執行該(該等)熱點區域之離軸成像(電子束掃描)410。成像之離軸性質指代以下事實：不同於以上關於圖2及圖3所論述之方法，在執行每一熱點區域之成像之前，不使FOV 502移動以便在彼熱點區域上之中心。實情為，FOV 502之中心保持沿著掃掠路徑504以掃描目標區域上之FOV。
如以上關於圖4所論述，若多個熱點區域存在於FOV 502中，則可判定(408)用於使FOV 502內之熱點成像的次序。以下關於圖7進一步論述用於使得其中具有若干熱點之FOV 502之熱點區域成像的次序之實例判定。
圖6展示根據本發明之一實施例之根據平台位置的FOV內之實例熱點密度602及對應之掃掠速率曲線604。如所展示，較低掃掠速率(速度)對應於較高熱點密度，且較高掃掠速率對應於較低熱點密度。舉例而言，點614處之相對較低的速度對應於點612處之相對較高的熱點密度。作為另一實例，點622處之零熱點密度對應於點624處之最大速度。
圖7為根據本發明之一實施例的描繪用於掃描視場內之熱點之次序的示意圖。該圖展示在實例時間點時離軸偏轉FOV 502的展開圖(「FOV快照」702)。在該實例中，FOV快照702經展示而用於熱點區域704。鄰近於四個熱點區域704之數字指示FOV快照702內之熱點可經成像(藉由電子束進行掃描)的例示性次序。以此例示性次序，掃描熱點數字1，接著掃描數字2，接著掃描數字3，且接著掃描數字4。
舉例而言，熱點數字1可經判定而為該次序中之第一者，因為熱點數字1為將首先退出移動FOV之熱點。熱點數字2可經判定而為該次序中之第二者，因為熱點數字2為將第二個退出移動FOV之熱點。熱點數字3可經判定而為該次序中之第三者，因為熱點數字3為將第三個退出移動FOV之熱點。最後，熱點數字4可經判定而為該次序中之第四者，因為熱點數字4為將第四個退出移動FOV之熱點。換言之，在此實例中，熱點數字n可經判定而為該次序中之第n者，因為其為將第n個退出移動FOV之熱點。
圖8為根據本發明之一實施例的經組態而用於自動缺陷檢測之掃描電子束(e-束)裝置的橫截面圖。如所展示，該電子束裝置包括一電子槍802及一電子束柱(電子柱)810。
在電子槍802中，電子發射器803為電子之一來源，且槍透鏡804聚焦所發射之電子以形成電子束。限束孔隙805可用以限制退出電子槍802且沿柱之光軸801進入至電子柱810中之束的大小。
在電子柱810中，柱束電流選擇孔隙812可用以選擇用以照射目標半導體晶圓(或其他目標基板)816的所要束電流。掃描偏轉器813可經組態而以可控方式掃描(例如，光柵掃描)跨越晶圓818之一區域的束，且掃描控制器846可耦接至掃描偏轉器813且用以控制該偏轉。
物透鏡814經組態以將該以可控方式偏轉之束聚焦於晶圓816上。作為半導體製造程序之一部分，可移動之基板固持器818可經組態以固持晶圓816且在電子柱810下輸送(移動)晶圓816以達成自動檢測及/或審視缺陷或自動量測關鍵尺寸之目的。
偵測器832經配置以偵測次要電子(及/或回應信號電子)，且耦接至偵測器832之資料處理系統848用以儲存並處理所偵測到之資料以便能夠形成有用影像以供分析。
該裝置進一步包括一系統控制器840。系統控制器840可包括一處理器、用於可執行指令及資料之記憶體，及各種其他組件。系統控制器840可以可通信方式耦接至掃描控制器846、資料處理系統848及裝置之各種其他組件(諸如，針對各種透鏡之電壓或電流源，等等)。資料處理系統848亦可包括一處理器、用於可執行指令及資料之記憶體，及各種其他組件。
在以上描述中，給出眾多特定細節以提供對本發明之實施例之透徹理解。然而，本發明之經說明實施例的以上描述並不意欲為排外的或將本發明限於所揭示之精確形式。熟習相關技術者將認識到，可在無特定細節中之一或多者的情況下或藉由其他方法、組件等來實踐本發明。在其他情況中，不詳細展示或描述熟知結構或操作以避免混淆本發明之態樣。如熟習相關技術者將認識到，雖然在本文中出於說明性目的而描述本發明之特定實施例及實例，但在本發明之範疇內各種等效修改係可能的。
可根據以上詳細描述而對本發明進行此等修改。在以下申請專利範圍中所使用之術語不應被理解為將本發明限於本說明書及申請專利範圍中所揭示之特定實施例。實情為，本發明之範疇將由以下申請專利範圍判定，以下申請專利範圍將根據請求項解釋之既定準則來加以理解。
102．．．晶粒
104．．．散佈熱點區域
200．．．用於檢測散佈熱點區域之習知方法
302．．．中心軸掃描視場(FOV)/中心軸FOV
400．．．用於檢測散佈熱點區域之方法
502．．．離軸偏轉FOV
504．．．掃掠路徑
602．．．實例熱點密度
604．．．對應之掃掠速率曲線
612．．．點/相對較高的熱點密度
614．．．點/相對較低的速度
622．．．點/零熱點密度
624．．．點/最大速度
702．．．FOV快照
704．．．熱點區域
801．．．光軸
802．．．電子槍
803．．．電子發射器
804．．．槍透鏡
805．．．限束孔隙
810．．．電子束柱(電子柱)
812．．．柱束電流選擇孔隙
813．．．掃描偏轉器
814．．．物透鏡
816．．．目標半導體晶圓(或其他目標基板)
818．．．可移動之基板固持器
832．．．偵測器
840．．．系統控制器
846．．．掃描控制器
848．．．資料處理系統
圖1出於論述之目的描繪在半導體晶圓上之晶粒的一陣列中之散佈熱點區域之假想實例的平面圖。
圖2為用於檢測散佈熱點區域之習知方法的流程圖。
圖3描繪如應用於圖1之假想實例的用於按照圖2來檢測散佈熱點區域的習知方法。
圖4為根據本發明之一實施例的用於檢測散佈熱點區域之方法的流程圖。
圖5描繪如應用於圖1之假想實例的用於按照圖4來檢測散佈熱點區域的方法。
圖6展示根據本發明之一實施例的根據平台位置之實例熱點密度及對應之掃掠(swath)速率曲線。
圖7為根據本發明之一實施例的描繪用於掃描視場內之熱點之次序的示意圖。
圖8為根據本發明之一實施例的經組態而用於自動缺陷檢測之掃描電子顯微鏡的橫截面圖。
400．．．用於檢測散佈熱點區域之方法

Claims (18)

  1. 一種使用一電子束裝置自動檢測一經製造之基板上之散佈熱點區域的方法，該方法包含：沿一掃掠路徑移動固持該基板之一平台以便移動該電子束裝置之一視場以使得該移動視場覆蓋該基板上之一目標區域；及在該平台持續從該掃掠路徑移動而無誤差之同時，使該移動視場內之該等熱點區域離軸成像。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含：判定該移動視場內之熱點區域的一數目；及基於該移動視場內之熱點區域的該數目來調整該平台移動之一速度。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包含：判定用於使該移動視場內之該等熱點成像的一次序；及以該經判定之次序使該移動視場內之該等熱點區域成像。
  4. 如請求項1之方法，其中該掃掠路徑為預定的，且該平台係沿該掃掠路徑連續地移動。
  5. 如請求項4之方法，其中該平台移動在該離軸成像期間不停止。
  6. 如請求項4之方法，其中該掃掠路徑包含一光柵圖案，且其中該平台移動在該光柵圖案之每一條線之一末端處轉向。
  7. 一種用於檢測一經製造之基板上之散佈區域的電子束裝 置，該裝置包含：一電子源，其用於產生一主要電子束；一透鏡系統，其經組態以將該主要電子束聚焦於該基板之一表面上；一偵測器，其經組態以偵測自該基板所發射之散佈電子；一平台，其經組態以固持該基板且以可控方式在該主要電子束下移動該基板；及一系統控制器，其經組態以控制固持該基板之一平台沿一掃掠路徑之移動以便移動該電子束裝置之一視場以使得該移動視場覆蓋該基板上之一目標區域，且控制該移動視場內之該等熱點區域的離軸成像。
  8. 如請求項7之裝置，其中該系統控制器經進一步組態以判定該移動視場內之熱點區域的一數目，且基於該移動視場內之熱點區域的該數目來調整該平台移動之一速度。
  9. 如請求項7之裝置，其中該系統控制器經進一步組態以判定用於使該移動視場內之該等熱點成像的一次序，且以該經判定之次序來掃描該移動視場內之該等熱點區域。
  10. 如請求項7之裝置，其中該掃掠路徑為預定的，且該平台係沿該掃掠路徑連續地移動。
  11. 如請求項10之裝置，其中該平台移動在該離軸成像期間不停止。
  12. 如請求項10之裝置，其中該掃掠路徑包含一光柵圖案，且其中該平台移動在該光柵圖案之每一條線之一末端處 轉向。
  13. 一種用於檢測一經製造之基板上之散佈區域的電子束裝置，該裝置包含：一掃描控制器，其用於控制在該基板上之一電子束之偏轉；及一系統控制器，其經耦接至該掃描控制器且包含一處理器及記憶體以用於可執行指令及資料，其中該系統控制器控制固持該基板之一平台沿一掃掠路徑之移動以便移動該電子束裝置之一視場以使得該移動視場覆蓋該基板上之一目標區域，且控制該移動視場內之熱點區域的離軸成像。
  14. 如請求項13之裝置，其中該系統控制器判定該移動視場內之熱點區域的一數目，且基於該移動視場內之熱點區域的該數目來調整該平台移動之一速度。
  15. 如請求項13之裝置，其中該系統控制器經進一步組態以判定用於使該移動視場內之該等熱點成像的一次序，且致使以該經判定之次序來掃描該移動視場內之該等熱點區域。
  16. 如請求項13之裝置，其中該掃掠路徑為預定的，且該平台係沿該掃掠路徑連續地移動。
  17. 如請求項13之裝置，其中該平台移動在該離軸成像期間不停止。
  18. 如請求項13之裝置，其中該掃掠路徑包含一光柵圖案，且其中該平台移動在該光柵圖案之每一條線之一末端處轉向。
TW100135356A 2010-12-13 2011-09-29 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置 TWI493182B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/966,906 US9281164B2 (en) 2010-12-13 2010-12-13 Method and apparatus for inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201226893A TW201226893A (en) 2012-07-01
TWI493182B true TWI493182B (zh) 2015-07-21

Family

ID=46198372

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100135356A TWI493182B (zh) 2010-12-13 2011-09-29 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置
TW104112504A TWI567385B (zh) 2010-12-13 2011-09-29 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112504A TWI567385B (zh) 2010-12-13 2011-09-29 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9281164B2 (zh)
JP (3) JP6157357B2 (zh)
KR (2) KR101955870B1 (zh)
TW (2) TWI493182B (zh)
WO (1) WO2012082438A2 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9281164B2 (en) * 2010-12-13 2016-03-08 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate
US8694382B2 (en) * 2011-02-18 2014-04-08 Cnh America Llc System and method for automatic guidance control of a vehicle
US9494856B1 (en) * 2011-06-07 2016-11-15 Hermes Microvision, Inc. Method and system for fast inspecting defects
US9257260B2 (en) 2013-04-27 2016-02-09 Kla-Tencor Corporation Method and system for adaptively scanning a sample during electron beam inspection
JP6101160B2 (ja) * 2013-06-25 2017-03-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置、及び試料検査方法
US9330987B2 (en) * 2013-09-09 2016-05-03 Hermes-Microvision, Inc. Hot spot identification, inspection, and review
US9754761B2 (en) * 2015-05-26 2017-09-05 Kla-Tencor Corporation High-speed hotspot or defect imaging with a charged particle beam system
KR102409943B1 (ko) 2017-11-29 2022-06-16 삼성전자주식회사 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
TWI791197B (zh) * 2020-03-12 2023-02-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 帶電粒子系統中之高產能缺陷檢測之系統和方法
TWI787794B (zh) * 2020-05-28 2022-12-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 多重射束帶電粒子顯微鏡或系統與其操作方法
CN113837983B (zh) * 2020-06-08 2023-09-15 长鑫存储技术有限公司 一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142712A1 (en) * 2004-05-31 2008-06-19 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US20090001267A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and specimen inspection method
US20090208091A1 (en) * 2008-02-14 2009-08-20 Hitachi High-Technoloies Corporation Inspection apparatus for inspecting patterns of substrate
US20090242761A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Hermes-Microvision, Inc. Method and apparatus for charged particle beam inspection
TW201035536A (en) * 2008-12-15 2010-10-01 Hermes Microvision Inc An e-beam defect review system

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4475037A (en) 1982-05-11 1984-10-02 International Business Machines Corporation Method of inspecting a mask using an electron beam vector scan system
TW461008B (en) 1997-01-13 2001-10-21 Schlumberger Technologies Inc Method and apparatus for detecting defects in wafers
US5973323A (en) 1997-11-05 1999-10-26 Kla-Tencor Corporation Apparatus and method for secondary electron emission microscope
JP2002310962A (ja) 2001-04-19 2002-10-23 Hitachi Ltd 画像分類方法並びに観察方法及びその装置
JP3834495B2 (ja) 2001-09-27 2006-10-18 株式会社東芝 微細パターン検査装置、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理装置、微細パターン検査方法、ｃｄ−ｓｅｍ装置の管理方法、プログラムおよびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP4512471B2 (ja) 2004-11-10 2010-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡及び半導体検査システム
JP4914604B2 (ja) 2005-12-07 2012-04-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線検査装置を用いたパターン欠陥検査方法及びそのシステム、並びに写像投影型又はマルチビーム型電子線検査装置
JP4930052B2 (ja) * 2006-02-15 2012-05-09 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板の裏面の反り測定方法
KR20080060000A (ko) 2006-12-26 2008-07-01 삼성전자주식회사 주사 전자 현미경을 이용한 시료 검사 장치
JP4374552B2 (ja) * 2007-04-12 2009-12-02 ソニー株式会社 基板の製造方法および基板製造システム、並びに表示装置の製造方法
JP2009099540A (ja) 2007-09-27 2009-05-07 Hitachi High-Technologies Corp 試料の検査，測定方法、及び走査電子顕微鏡
JP4991499B2 (ja) 2007-11-28 2012-08-01 株式会社日立ハイテクノロジーズ レチクル検査装置及びレチクル検査方法
US7982186B2 (en) * 2008-04-01 2011-07-19 Hermes Microvision, Inc. Method and apparatus for obtaining images by raster scanning charged particle beam over patterned substrate on a continuous mode stage
US20090309022A1 (en) 2008-06-12 2009-12-17 Hitachi High-Technologies Corporation Apparatus for inspecting a substrate, a method of inspecting a substrate, a scanning electron microscope, and a method of producing an image using a scanning electron microscope
JP5315040B2 (ja) 2008-12-26 2013-10-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置及び荷電粒子線装置による画像取得条件決定方法
US8110801B2 (en) * 2009-03-05 2012-02-07 Agilent Technologies, Inc. Layered scanning charged particle microscope package for a charged particle and radiation detector
US9281164B2 (en) * 2010-12-13 2016-03-08 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080142712A1 (en) * 2004-05-31 2008-06-19 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection and charged particle beam apparatus
US20090001267A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam apparatus and specimen inspection method
US20090208091A1 (en) * 2008-02-14 2009-08-20 Hitachi High-Technoloies Corporation Inspection apparatus for inspecting patterns of substrate
US20090242761A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Hermes-Microvision, Inc. Method and apparatus for charged particle beam inspection
TW201035536A (en) * 2008-12-15 2010-10-01 Hermes Microvision Inc An e-beam defect review system

Also Published As

Publication number Publication date
KR101955870B1 (ko) 2019-03-07
US20160260577A1 (en) 2016-09-08
TW201226893A (en) 2012-07-01
JP2014505965A (ja) 2014-03-06
JP6157357B2 (ja) 2017-07-05
KR20140033331A (ko) 2014-03-18
WO2012082438A3 (en) 2012-09-07
WO2012082438A2 (en) 2012-06-21
JP2019145511A (ja) 2019-08-29
US20120145894A1 (en) 2012-06-14
KR101905091B1 (ko) 2018-10-08
TW201530128A (zh) 2015-08-01
JP2017199686A (ja) 2017-11-02
US10217605B2 (en) 2019-02-26
KR20180112085A (ko) 2018-10-11
TWI567385B (zh) 2017-01-21
US9281164B2 (en) 2016-03-08
JP6907257B2 (ja) 2021-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI493182B (zh) 用於在經製造之基板上散佈熱點區域之檢測的方法及裝置
JP4908934B2 (ja) 半導体ウェーハ検査装置および半導体ウェーハ検査方法
US8421010B2 (en) Charged particle beam device for scanning a sample using a charged particle beam to inspect the sample
US20090039258A1 (en) Scanning Electron Microscope And Method For Detecting An Image Using The Same
JP4154282B2 (ja) 回路パターンの検査装置
KR102219788B1 (ko) 자동화 결정 기반 에너지 분산 엑스레이 방법 및 장치
US6828571B1 (en) Apparatus and methods of controlling surface charge and focus
US20230170181A1 (en) Multiple particle beam system with a mirror mode of operation, method for operating a multiple particle beam system with a mirror mode of operation and associated computer program product
JP4164470B2 (ja) 走査電子顕微鏡
JP4136883B2 (ja) 欠陥観察方法
US7732765B2 (en) Scanning electron microscope
WO2016032549A1 (en) Imaging apparatus having a plurality of movable beam columns, and method of inspecting a plurality of regions of a substrate intended to be substantially identical
JP2008159574A (ja) 走査型電子顕微鏡
JP2010237200A (ja) 試料観察方法及び装置、並びにそれらを用いた試料検査方法及び装置
JP5372445B2 (ja) 走査型電子顕微鏡装置およびその焦点あわせ方法
CN113433148A (zh) 用于通过多个带电粒子细束来检查样品的带电粒子束装置
KR20200109246A (ko) 결정띠축 정렬을 위한 방법 및 시스템
JP2008147176A (ja) 走査型電子顕微鏡
JP2007003404A (ja) 回路パターン検査装置
US20190113469A1 (en) Angled beam inspection system for semiconductor devices
JP2008032742A (ja) 回路パターンの検査装置
JPH07286842A (ja) 寸法検査方法及びその装置