TWI486333B - 有機電致發光裝置 - Google Patents

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TWI486333B
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Eiji Fukuzaki
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Description

有機電致發光裝置
本發明關於一種可將電能量轉化成光而發射光之發光裝置，特別是一種有機電致發光裝置(發光裝置或EL裝置)。
有機電致發光(EL)裝置吸引大眾注意成為可以低電壓發射高光度光之未來顯示裝置。有機電致發光裝置之一個重要特徵值為消耗之電力。消耗之電力係以電壓與電流之積表示，而且得到所希望亮度所需之電壓值越低及電流值越低，則可使裝置消耗之電力越小。
至於降低流向裝置之電流值的試驗，其報告使用來自Ir(ppy)3 ：銥(III)與2-苯基吡啶之参-正金屬化錯合物的光發射之發光裝置(參考例如US 2008-0297033號專利)。相較於單線態之習知發光裝置，這些磷光裝置大為改良外部量子效率，而且確已減低電流值。
現已報告一種使用其耐久性改良且因將烷基引入指定位置中而使光發射光譜鮮明之磷光材料的裝置(參考WO 09/073,245號專利)，但是仍希望進一步改良耐久性(特別是在照明用等之高光度驅動時)。
至於具有高光發射效率及改良耐久性之磷光裝置，其報告使用一種具有聯苯鍵聯咔唑結構之化合物作為主材料的裝置(參考WO 00/070,655與WO 04/101,707號專利)，但是這些裝置關於耐久性仍需要進一步之改良。
此外在製造有機電致發裝置時，為了形成提供於電極對間之有機層之膜，其使用真空沉積法作為沉積法，而且使用旋塗法、印刷法與噴墨法作為濕式法。
尤其是使用濕式程序，其亦可使用一種藉乾式程序(如沉積等)難以形成膜之聚合有機化合物。因此關於耐久性(如用於撓性顯示器等之撓性與膜強度)，藉濕式程序得到之膜為合適的，而且在作為大面積膜之情形特佳。
然而其仍有藉濕式程序得到之有機電致發光裝置的裝置耐久性不良之問題。
本發明之一個目的為提供一種具有高耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且裝置退化後之色度像差極小的有機電致發光裝置。
以上之目的已藉以下手段達成。
[1]
一種有機電致發光裝置，其包括一基板，其上具有一對電極及在電極對間之至少一有機層(包括含光發射材料之光發射層)，其中光發射層至少含各由下式(1)表示之化合物及由下式(D-1)表示之化合物。
在式(1)中，各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)。
在式(Cz-1)中，各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示下示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；R1 表示烷基；R2 表示氫原子或烷基；R3 表示氫原子或烷基；及n表示0或1之整數。
在式(D-1)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為0至3之整數，而且在k為0時，R1 ’至R8 ’之碳原子總和為2或更大。
[2]
依照[1]之有機電致發光裝置，其中由式(1)表示之化合物為由下式(2)表示之化合物。
在式(2)中，各R21 至R28 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz21 與Cz22 獨立地表示以下部分結構(Cz-2)。
在式(Cz-2)中，各R29 至R215 獨立地表示氫原子或取代基；及S21 表示以上取代基(S)。
[3]
依照[1]之有機電致發光裝置，其中由式(1)表示之化合物為由下式(3)表示之化合物。
在式(3)中，各R31 至R38 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz31 與Cz32 獨立地表示以下部分結構(Cz-3)。
在式(Cz-3)中，各R39 至R315 獨立地表示氫原子或取代基；及S31 表示以上取代基(S)。
[4]
依照[1]之有機電致發光裝置，其中式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基、新戊基、苯基或甲苯基。
[5]
依照[1]之有機電致發光裝置，其中式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基或新戊基。
[6]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-2)表示之化合物。
在式(D-2)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1至3之整數。
[7]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-3)表示之化合物。
在式(D-3)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1至3之整數。
[8]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-4)表示之化合物。
在式(D-4)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1至3之整數。
[9]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-5)表示之化合物。
在式(D-5)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基或新戊基；D1 表示選自氟原子、三氟甲基與氰基之拉電子基，D1 取代R5 ’至R8 ’任一，而且多個D1 各可與其他之D1 相同或不同；k表示1至3之整數；及p表示1至4之整數。
[10]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-6)表示之化合物。
在式(D-6)中，各R1 ’至R7 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 ’至R7 ’至少之一表示烷基；及B1 表示甲基、異丁基或新戊基。
[11]
依照[1]至[3]任一之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-7)表示之化合物。
在式(D-7)中，各R1 ’至R7 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 ’至R7 ’至少之一表示烷基；及B1 表示甲基、異丁基或新戊基。
[12]
依照[1]至[11]任一之有機電致發光裝置，其中至少含各由上式(1)表示之化合物及由上式(D-1)表示之化合物的光發射層係藉濕式程序形成。
[13]
一種組成物，其至少含各由下式(1)表示之化合物及由下式(D-1)表示之化合物。
在式(1)中，各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)。
在式(Cz-1)中，各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示上示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；及n表示0或1之整數。
在式(D-1)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為0至3之整數。
[14]
一種光發射層，其至少含各由下式(1)表示之化合物、及由下(D-1)表示之化合物。
在式(1)中，各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)。
在式(Cz-1)中，各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示上示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；及n表示0或1之整數。
在式(D-1)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為0至3之整數。
[15]
一種光發射設備，其使用[1]至[12]任一所述之有機電致發光裝置。
[16]
一種顯示設備，其使用[1]至[12]任一所述之有機電致發光裝置。
[17]
一種照明設備，其使用[1]至[12]任一所述之有機電致發光裝置。
本發明可提供一種具有高耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且裝置退化後之色度像差極小的有機電致發光裝置。
依照本發明之有機電致發光裝置包括一基板，其上具有一對電極、及在電極對間之至少一有機層(包括含光發射材料之光發射層)，其中光發射層至少含各由式(1)表示之化合物及由式(D-1)表示之化合物。
由式(1)表示之化合物為一種稱為3,3’-二咔唑基聯苯之化合物，其中咔唑結構經3,3’-聯苯鍵聯。因由式(1)表示之化合物的最小三線激態(T1)能階(例如3,3’-二咔唑基聯苯為68仟卡/莫耳)較一般作為光發射層主材料之CBP(4,4’-二咔唑基聯苯)的T1能階(60仟卡/莫耳)大，據信易於由激態發生分解反應，而且易於發生裝置之驅動耐久性之降低。然而本發明組合使用由式(1)表示之化合物、及由式(D-1)表示之化合物而可改良裝置之耐久性(特別是在高光度驅動時)。
相較於CBP，由式(1)表示之化合物在循環伏安法(CV)測量中氧化電位高[例如3,3’-二咔唑基聯苯之氧化電位：E=1.4伏特，CBP之氧化電位：E=1.3伏特(比較顯示最大電流值之電位，參考電極：Ag/Ag+ )]，而且據信難以形成化學不安定雙陽離子態。此外經3,3’-聯苯鍵聯之雙陽離子態由式(1)表示之化合物不形成醌型結構(guinoid structure)，因而該化合物難以變成低T1之發射消化體，即使是在將雙陽離子態去活化時。另一方面，據信由於在雙陽離子態，CBP可為醌型結構，其易於形成低T1之發射消化體。
注射至裝置中之電洞與電子在光發射層中重組且形成激子，如此有機電致發光裝置發射光。由於注射至裝置中之電洞係主要注射至光發射層之電洞材料中，裝置壽命時間依陽離子態主材料之耐久性而定。在使用由式(1)表示之化合物作為主材料時，據信相較於CBP其難以形成化學不安定雙陽離子態，使得減少主材料由雙陽離子分解及消化體之產生，結果延長裝置壽命時間。特別是在高光度驅動時，大量電流流至裝置且注射至光發射層之電洞量增加，及光發射層之電荷平衡因電荷移動力(電洞與電子)之差異而變成電洞過多。如此推論較易產生主材料之雙陽離子，而且因使用難以形成雙陽離子態之由式(1)表示之化合物作為主材料而大為增加裝置之耐久性。
此外組合使用由式(1)表示之化合物、及由式(D-1)表示之化合物(其在指定位置以烷基保護)，則光發射材料與主材料間之分子內距離增加，使得據信陽離子態主材料與光發射材料間之二聚合反應及分解反應受限，而且進一步改良裝置之耐久性。引入烷基之效果在主材料之化學較不安定雙陽離子的二聚合反應及分解反應中更強烈地顯現，而且推論在高光度驅動時可增加裝置之耐久性。
此外因二聚合反應及分解反應減少，對色度施加有害影響之電荷設陷(charge trapping)產生及低T1能量之光發射分量(長波長之發射分量)受限，使得預期減小驅動退化時之色度像差。
[由式(1)表示之化合物]
以下詳述由式(1)表示之化合物。
在式(1)中，各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基。各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)。
在式(Cz-1)中，各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基。S11 表示下示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一。R1 表示烷基，R2 表示氫原子或烷基，及R3 表示氫原子或烷基。n表示0或1之整數。
取代基(S)
在式(1)中，各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基。至於由R11 至R18 表示之取代基的實例，其適用以下之A組取代基。
(A組取代基)
A組取代基之實例包括烷基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至10個碳原子，其例示例如甲基、乙基、異丙基、第三丁基、正辛基、正癸基、正十六碳基等)、脂環烴基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至10個碳原子，其例示例如金剛烷基、環丙基、環戊基、環己基等)、烯基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至10個碳原子，其例示例如乙烯基、烯丙基、2-丁烯基、3-戊烯基等)、炔基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至10個碳原子，其例示例如炔丙基、3-戊炔等)、芳基(較佳為具有6至30個碳原子，更佳為6至20個碳原子，而且特佳為6至12個碳原子，其例示例如苯基、對甲基苯基、萘基、蒽基等)、胺基(較佳為具有0至30個碳原子，更佳為0至20個碳原子，而且特佳為0至10個碳原子，其例示例如胺基、甲胺基、二甲胺基、二乙胺基、二苄胺基、二苯胺基、二甲苯胺基等)、烷氧基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至10個碳原子，其例示例如甲氧基、乙氧基、丁氧基、2-乙基己氧基等)、芳氧基(較佳為具有6至30個碳原子，更佳為6至20個碳原子，而且特佳為6至12個碳原子，其例示例如苯氧基、1-萘氧基、2-萘氧基等)、雜環氧基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如吡啶氧基、吡唑氧基、嘧啶氧基、喹啉氧基等)、醯基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如乙醯基、苯甲醯基、甲醯基、三甲基乙醯基等)、烷氧基羰基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至12個碳原子，其例示例如甲氧基羰基、乙氧基羰基等)、芳氧基羰基(較佳為具有7至30個碳原子，更佳為7至20個碳原子，而且特佳為7至12個碳原子，其例示例如苯氧基羰基等)、醯氧基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至10個碳原子，其例示例如乙醯氧基、苯甲醯氧基等)、醯基胺基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至10個碳原子，其例示例如乙醯基胺基、苯甲醯基胺基等)、烷氧基羰基胺基(較佳為具有2至30個碳原子，更佳為2至20個碳原子，而且特佳為2至12個碳原子，其例示例如甲氧基羰基胺基等)、芳氧基羰基胺基(較佳為具有7至30個碳原子，更佳為7至20個碳原子，而且特佳為7至12個碳原子，其例示例如苯氧基羰基胺基等)、磺醯基胺基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如甲磺醯基胺基、苯磺醯基胺基等)、胺磺醯基(較佳為具有0至30個碳原子，更佳為0至20個碳原子，而且特佳為0至12個碳原子，其例示例如胺磺醯基、甲基胺磺醯基、二甲基胺磺醯基、苯基胺磺醯基等)、胺甲醯基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如胺甲醯基、甲基胺甲醯基、二乙基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等)、烷硫基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如甲硫基、乙硫基等)、芳硫基(較佳為具有6至30個碳原子，更佳為6至20個碳原子，而且特佳為6至12個碳原子，其例示例如苯硫基等)、雜環硫基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如吡啶硫基、2-苯并咪唑硫基、2-苯并唑硫基、苯并噻唑硫基等)、磺醯基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如甲磺醯基、甲苯磺醯基等)、亞磺醯基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如甲亞磺醯基、苯亞磺醯基等)、脲基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如脲基、甲基脲基、苯基脲基等)、磷醯胺基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至20個碳原子，而且特佳為1至12個碳原子，其例示例如二乙基磷醯胺基、苯基磷醯胺等)、羥基、巰基、鹵素原子(例如氟原子、氯原子、溴原子與碘原子)、氰基、硫醯基、羧基、硝基、羥肟酸基、亞硫醯基、肼基、亞胺基、雜環基(較佳為具有1至30個碳原子，更佳為1至12個碳原子，雜原子之實例包括例如氮原子、氧原子與硫原子，而且其特別地例示咪唑基、吡啶基、喹啉基、呋喃基、噻吩基、哌啶基、嗎啉基、苯并唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、咔唑基、氮雜環庚三烯基等)、矽烷基(較佳為具有3至40個碳原子，更佳為3至30個碳原子，而且特佳為3至24個碳原子，其例示例如三甲基矽烷基、三苯基矽烷基等)及矽烷氧基(較佳為具有3至40個碳原子，更佳為3至30個碳原子，而且特佳為3至24個碳原子，其例示例如三甲基矽烷氧基、三苯基矽烷氧基等)。
各R11 至R18 可進一步具有取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。二或更多種這些取代基可彼此鍵結形成環。
各R11 至R18 較佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、胺基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、氰基、雜環基、矽烷基或矽烷氧基，更佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、氰基、矽烷基或雜環基，仍更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基或氰基，而且特佳為氫原子、芳基或烷基。
各R19 至R116 表示氫原子或取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。
各R19 至R116 可進一步具有取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。此外二或更多種這些取代基可彼此鍵結形成環。
各R19 至R116 較佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、胺基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、氰基、雜環基、矽烷基或矽烷氧基，更佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、氰基、矽烷基或雜環基，仍更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基或氰基，又仍更佳為氫原子或烷基，仍進一步較佳為氫原子或具有1至3個碳原子之烷基，而且特佳為氫原子。
S11 表示上示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一。
R1 表示烷基。R1 較佳為表示甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基或第三丁基，更佳為甲基、乙基、丙基、異丙基或第三丁基，仍更佳為甲基、乙基、異丙基或第三丁基，而且特佳為甲基、乙基或第三丁基。
R2 表示氫原子或烷基。R2 較佳為表示氫原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基或第三丁基，更佳為氫原子、甲基、乙基或丙基，仍更佳為氫原子或甲基，而且特佳為甲基。
R3 表示氫原子或烷基。R3 較佳為表示氫原子或甲基，而且更佳為甲基。
R1 、R2 與R3 可彼此鍵結形成環。在形成環之情形，環之員數並未特別地限制，但是其較佳為5-或6-員環，而且更佳為6-員環。
至於取代基(S)，其可較佳地例示以下(a)至(x)，更佳為(a)至(j)與(w)，仍更佳為(a)至(g)，又仍更佳為(a)至(e)，而且特佳為(a)至(c)。
在式(1)中，n表示0或1之整數，而且較佳為1。引入由S11 表示之取代基，則保護陽離子或陰離子態咔唑結構中之活化位置，結果減小裝置中主材料之分解反應且進一步改良裝置之耐久性。
由式(1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(2)表示之化合物。其保護陽離子態咔唑結構中由式(2)表示之化合物的活化位置，結果減小裝置中主材料之分解反應且進一步改良裝置之耐久性。
在式(2)中，各R21 至R28 獨立地表示氫原子或取代基。各Cz21 與Cz22 獨立地表示以下部分結構(Cz-2)。
在式(Cz-2)中，各R29 至R215 獨立地表示氫原子或取代基。S21 表示以上取代基(S)。
在式(2)中，R21 至R28 、Cz21 、Cz22 、R29 至R215 及S21 各具有如式(1)中R11 至R18 、Cz11 、Cz12 、R19 至R116 及S11 之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
由式(1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(3)表示之化合物。其保護陽離子態咔唑結構中由式(3)表示之化合物的活化位置，結果減小裝置中主材料之分解反應且進一步改良裝置之耐久性。
在式(3)中，各R31 至R38 獨立地表示氫原子或取代基。各Cz31 與Cz32 獨立地表示以下部分結構(Cz-3)。
在式(Cz-3)中，各R39 至R315 獨立地表示氫原子或取代基。S31 表示以上取代基(S)。
在式(3)中，R31 至R38 、Cz31 、Cz32 、R39 至R315 及S31 各具有如式(1)中R11 至R28 、Cz11 、Cz12 、R19 至R116 及S11 之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
以下顯示由式(1)至(3)任一表示之化合物的較佳指定實例，但是本發明絕不受其限制。
由式(1)至(3)任一表示之化合物可藉由組合各種已知之合成方法而合成。
關於咔唑化合物最常例示為以芳基肼與環己烷衍生物之縮合產物的Aza-Cope重組後脫氫芳化之合成(L.F. Tietze與Th. Eicher，Takano與Ogasawara譯，Precision Organic Syntheses，第339頁，Nanko-Do出版)。此外關於所得咔唑化合物與芳基鹵化合物使用鈀觸媒之偶合反應，其例示Tetrahedron Letters，第39卷，第617頁(1998)，同上第39卷，第2367頁，(1998)，及同上第40卷，第6393頁(1999)所述之方法。反應溫度及反應時間並未特別地限制，而且其可適用以上文件中所述之條件。
至於由式(1)表示之化合物的合成實例，以下顯示例示化合物C-2之合成實例。例示化合物C-2可依照以下之反應流程圖合成。
(例示化合物C-2之合成)
將1當量之4-第三丁基環己酮加入苯基肼之乙醇-氫氯酸溶液，及將溶液在加熱回流下攪拌4小時而得到產率為90%之化合物”a”。在二甲苯溶劑中藉鈀/碳(10%)將化合物”a”還原而合成產率為61%之化合物”b”。在氮大氣下在二甲苯溶劑中將0.45當量之3,3’-二溴聯苯、0.05當量之乙酸鈀、與5當量之碳酸銣加入化合物”b”，然後對其加入0.15當量之參第三丁基膦，及藉由在沸騰溫度回流使反應溶液接受反應經8小時，因而得到產率為84%之例示化合物C-2。
本發明為了改良耐久性(特別是在高光度驅動時之耐久性)而將由式(1)表示之化合物含於光發射層中，但是用法不受其限制，而且在有機層中除了光發射層，該化合物可含於任何層。除了光發射層，由式(1)表示之化合物可含於電洞注射層、電洞運輸層、電子運輸層、電子注射層、激子阻擋層與電荷阻擋層任一，或者可將該化合物含於這些層之二或更多者。
由式(1)表示之化合物可含於光發射層與其接續層兩者。
(由式(D-1)表示之化合物)
以下敘述由式(D-1)表示之化合物。
在式(D-1)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基。各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基。R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基。k為0至3之整數，而且在k為0時，R1 ’至R8 ’之碳原子總和為2或更大。
各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基，而且可使用以上例示作為A組取代基之基作為取代基。
各R1 至R12 可進一步具有取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。此外二或更多種這些取代基可彼此鍵結形成環。
各R1 至R12 較佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、胺基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、氰基、雜環基、矽烷基或矽烷氧基，更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、氰基、矽烷基或雜環基，仍更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基或氰基，而且特佳為氫原子或烷基。
各R1 ’至R8 ’表示氫原子或取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。
各R1 ’至R8 ’可進一步具有取代基，而且以上A組取代基可適用於該取代基。二或更多種這些取代基可彼此鍵結形成環。
各R1 ’至R8 ’較佳為表示氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、三氟甲基、胺基、烷氧基、芳氧基、雜環氧基、烷硫基、芳硫基、雜環硫基、氰基、雜環基、矽烷基或矽烷氧基’更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、三氟甲基、氰基、矽烷基或雜環基’仍更佳為氫原子、烷基、脂環烴基、芳基、氟基、三氟甲基與氰基’而且特佳為氫原子、烷基、氟基、三氟甲基或氰基。
取代R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一的烷基或芳基較佳為甲基、異丁基、新戊基、苯基或甲苯基’更佳為甲基、異丁基或新戊基’而且仍更佳為甲基或異丁基。
在k為0時，其較佳為R1 ’至R8 ’至少之二表示烷基或芳基。這些基較佳為甲基、異丁基、新戊基、苯基與甲苯基’更佳為甲基、異丁基與新戊基’而且仍更佳為甲基與異丁基。
k較佳為1 。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-2)表示之化合物。
在式(D-2)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基。各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基。B1 表示甲基、異丁基或新戊基。k表示1至3之整數。
在式(D-2)中，R1 至R11 及R1 ’至R8 ’各具有如式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
B1 表示甲基、異丁基或新戊基，而且較佳為甲基或異丁基。
k表示1至3之整數，而且較佳為1。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-3)表示之化合物。
在式(D-3)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基。各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基。B1 表示甲基、異丁基或新戊基。k表示1至3之整數。
在式(D-3)中，R1 至R11 及R1 ’至R8 ’各具有如式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
B1 表示甲基、異丁基或新戊基，而且較佳為甲基或異丁基。
k表示1至3之整數，而且較佳為1。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-4)表示之化合物。
在式(D-4)中，各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基。各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基。B1 表示甲基、異丁基或新戊基。k表示1至3之整數。
在式(D-4)中，R1 至R11 及R1 ’至R8 ’各具有如式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
B1 表示甲基、異丁基或新戊基，而且較佳為甲基或異丁基。
k表示1至3之整數，而且較佳為1。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-5)表示之化合物。
在式(D-5)中，各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基。各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基。R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基或新戊基。D1 為選自氟原子、三氟甲基與氰基之拉電子基。D1 取代R5 ’至R8 ’任一。各D1 可與其他之D1 相同或不同。k表示1至3之整數。p表示1至4之整數。
在式(D-5)中，R1 至R12 及R1 ’至R8 ’各具有如式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一較佳為甲基、異丁基或新戊基，而且更佳為甲基或異丁基。
D1 為由氟原子、三氟甲基或氰基表示之拉電子基，而且更佳為氰基。D1 取代R5 ’至R8 ’任一，而且各D1 可與其他之D1 相同或不同。
p表示1至4，而且較佳為1至3之整數。在以三氟甲基或氰基作為D1 取代R5 ’至R8 ’任一時，三氟甲基與氰基之數量較佳為一。
k表示1至3之整數；而且較佳為2。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-6)表示之化合物。
在式(D-6)中，各R1 ’至R7 ’獨立地表示氫原子或取代基。R1 ’至R7 ’至少之一表示烷基。B1 表示甲基、異丁基或新戊基。
在式(D-6)中，R1 ’至R7 ’各具有如式(D-1)中R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
B1 表示甲基、異丁基或新戊基，較佳為甲基或異丁基，而且更佳為甲基。
取代R1 ’至R7 ’至少之一的烷基較佳為甲基、異丁基或新戊基，而且更佳為甲基或異丁基。
在B1 表示甲基時，其較佳為R3 ’亦表示甲基。
由式(D-1)表示之化合物的較佳具體實施例之一為由下式(D-7)表示之化合物。
在式(D-7)中，各R1 ’至R7 ’獨立地表示氫原子或取代基。R1 ’至R7 ’至少之一表示烷基。B1 表示甲基、異丁基或新戊基。
在式(D-7)中，各R1 ’至R7 ’各具有如式(D-1)中R1 ’至R8 ’之相同意義，而且較佳範圍亦相同。
B1 表示甲基、異丁基或新戊基，較佳為甲基或異丁基，而且更佳為甲基。
取代R1 ’至R7 ’至少之一的烷基較佳為甲基、異丁基或新戊基，而且更佳為甲基或異丁基。
在B1 為甲基時，其較佳為R5 ’亦表示甲基。
以下顯示由式(D-1)至(D-7)任一表示之化合物的較佳指定實例，但是本發明不受其限制。
由式(D-1)至(D-7)任一表示之化合物可藉由組合各種已知之合成方法而合成，例如這些化合物可依照WO 2009/073245與WO 2009/073246號專利揭示之方法合成。
本發明亦關於一種至少含各由式(1)表示之化合物、及由式(D-1)表示之化合物的組成物。
使用本發明之組成物，則可得到一種具有高耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且裝置退化後之色度像差極小的有機電致發光裝置。
亦可將其他成分加入本發明之組成物。例如其可將式(1)之化合物以外之主材料、式(D-1)之化合物光發射材料以外之光發射材料及含烴基材料單獨(較佳為下示烴化合物)加入本發明之組成物。
較佳為本發明有機電致發光裝置之有機層的任何層均進一步含一種烴化合物，而且更佳為光發射層含該烴化合物。
此外烴化合物較佳為由下式(VI)表示之化合物。
適當地與光發射材料一起使用由式(VI)表示之化合物，則可適當地控制材料分子間之交互作用，及可使接續分子間之能隙交互作用均勻，使得可進一步降低驅動電壓。
此外用於有機電致發光裝置之由式(VI)表示之化合物的化學安定性優良，附帶裝置驅動期間之材料改變極小，使得可防止因材料之分解產物造成有機電致發光裝置之效率減小及裝置壽命時間降低。
以下敘述由式(VI)表示之化合物。
在式(VI)中，各R4 、R6 、R8 、R10 、及X4 至X15 獨立地表示氫原子、烷基或芳基。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 、及X4 至X15 表示之烷基可具有金剛烷結構或芳基結構作為取代基，而且烷基之碳原子數量較佳為1至70，更佳為1至50，進一步較佳為1至30，仍進一步較佳為1至10，特佳為1至6。最佳烷基為具有2至6個碳原子之線形烷基。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 、及X4 至X15 表示之烷基的實例包括n-C50 H101 基、n-C30 H61 基、3-(3,5,7-三苯基金剛烷-1-基)丙基(碳原子數量：31)、三級基(碳原子數量：19)、3-(金剛烷-1-基)丙基(碳原子數量：13)、9-癸基(碳原子數量：10)、苄基(碳原子數量：7)、環己基(碳原子數量：6)、正己基(碳原子數量：6)、正戊基(碳原子數量：5)、正丁基(碳原子數量：4)、正丙基(碳原子數量：3)、環丙基(碳原子數量：3)、乙基(碳原子數量：2)、與甲基(碳原子數量：1)。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 、及X4 至X15 表示之芳基可具有金剛烷結構或烷基結構作為取代基，而且芳基之碳原子數量較佳為6至30，更佳為6至20，進一步較佳為6至15，特佳為6至10，最佳為6。
式(VI)中由各R4 、R6 、R8 、R10 、及X4 至X15 表示之芳基的實例包括1-芘基(碳原子數量：16)、9-蒽基(碳原子數量：14)、1-萘基(碳原子數量：10)、2-萘基(碳原子數量：10)、對第三丁基苯基(碳原子數量：10)、2-間二甲苯基(碳原子數量：8)、5-間二甲苯基(碳原子數量：8)、鄰甲苯基(碳原子數量：7)、間甲苯基(碳原子數量：7)、對甲苯基(碳原子數量：7)、與苯基(碳原子數量：6)。
雖然式(VI)中之各R4 、R6 、R8 與R10 可為氫原子或烷基或芳基，由高玻璃轉移溫度較佳之觀點較佳為其中至少之一為芳基，更佳為其中至少之二為芳基，而且特佳為其中之3或4為芳基。
雖然式(VI)中之各X4 至X15 可表示氫原子或烷基或芳基，其較佳為各表示氫原子或芳基，特別是氫原子。
有機電致發光裝置係使用真空沉積程序或溶液塗覆程序製造，因此關於真空沉積適用性與溶解度，本發明由式(VI)表示之化合物的分子量較佳為2,000或更小，更佳為1,200或更小，特別是1,000或更小。又由真空沉積適用性之觀點，分子量較佳為250或更大，更佳為350或更大，特佳為400或更大。其乃因為在化合物之分子量太低時，其蒸氣壓變低且不發生由氣相至固相之變化，因此化合物難以形成有機層。
由式(VI)表示之化合物較佳為在室溫(25℃)為固相，更佳為在室溫至40℃之範圍為固相，特佳為在室溫至60℃之範圍為固相。
在使用雖由式(VI)表示但在室溫不為固相之化合物的情形，其可藉由將該化合物組合其他物質而在常溫形成固相。
由式(VI)表示之化合物的用法未限制，而且可將該化合物併入任何有機層中。其中引入本發明由式(VI)表示之化合物之層較佳為選自光發射層、電洞注射層、電洞運輸層、電子運輸層、電子注射層、激子阻擋層與電荷阻擋層之層，或二或更多這些層之組合，更佳為選自光發射層、電洞注射層、電洞運輸層、電子運輸層與電子注射層之層，或二或更多這些層之組合，特佳為選自光發射層、電洞注射層與電洞運輸層，或二或更多這些層之組合，最佳為光發射層。
在將由式(VI)表示之化合物用於一有機層時，其含量必須受限以抑制電荷運輸力，因此較佳為0.1%至70質量%，更佳為0.1%至30質量%，特佳為0.1%至25質量%。
在將由式(VI)表示之化合物用於二或更多有機層時，其在各有機層中之含量較佳為以上指定之範圍。
在任何有機層中可僅含一種由式(VI)表示之化合物，或者可以任意之比例組合含多種由式(VI)表示之化合物。
以下描述烴化合物之指定實例，但是本發明不受其限制。
由式(VI)表示之化合物可藉由適當地組合金剛烷或鹵金剛烷與鹵烷屬烴或鹵化烷基鎂(格任亞試劑)(Grignard reagent)而合成。例如其可使用銦提供鹵金剛烷與鹵烷屬烴間之偶合(參考資料1)。或者可將鹵烷屬烴轉化成烷基銅試劑且進一步將該試劑偶合芳族化合物之格任亞試劑(參考資料2)。此外亦可使用合適之芳基硼酸與鈀觸媒實行鹵烷屬烴之偶合(參考資料3)。
參考資料1：Tetrahedron Lett. 39,9557-9558(1998)
參考資料2：Tetrahedron Lett. 39,2095-2096(1998)
參考資料3：J. Am. Chem. Soc. 124,13662-13663(2002)
具有芳基之金剛烷結構可藉由適當地組合金剛烷或鹵金剛烷與對應之芳烴或鹵芳烴而合成。
另外即使是在經定義取代基於這些製法中在特定合成條件下發生變化，或者其不適合用於進行這些方法時，其可採用例如將官能基保護及去保護之方法(T.W. Greene,Protective Groups in Organic Synthesis,John Wiley & Sons Inc.(1981))而容易地製造意圖之化合物。此外，如果需要則亦可適當地改變反應步驟之次序，包括取代基引入步驟。
在本發明之組成物中，由式(1)表示之化合物的含量按組成物中之全部固體含量計較佳為15質量%或更大及95質量%或更小之範圍，而且更佳為40質量%或更大及95質量%或更小之範圍。由式(D-1)表示之化合物的含量按組成物中之全部固體含量計較佳為1質量%或更大及30質量%或更小之範圍，而且更佳為5質量%或更大及20質量%或更小之範圍。
(有機電致發光裝置)
依照本發明之有機電致發光裝置包括一基板，其上具有一對電極及在電極對間之至少一有機層(包括含光發射材料之光發射層)，其中光發射層至少含各由式(1)表示之化合物、及由式(D-1)表示之化合物。
在本發明之有機電致發光裝置中，光發射層為有機層，而且可進一步包括二或更多有機層。
關於發光裝置之性質，其較佳為兩個電極(陽極與陰極)至少之一為透明或半透明。
第1圖顯示本發明有機電致發光裝置之結構的一個實例。第1圖所示之本發明有機電致發光裝置10在自撐基板2上具有包夾於陽極3與陰極9間之光發射層6。更特定言之，其在陽極3與陰極9之間依所述之次序堆疊電洞注射層4、電洞運輸層5、光發射層6、電洞阻擋層7與電子運輸層8。
(有機層之結構)
有機層之層結構並無特殊限制，而且其層結構可依照使用有機電致發光裝置之目的而適當地選擇。然而較佳為將有機層形成於透明電極或背電極上。在此情形，有機層係形成於透明電極或背電極之前方或全部之上。
例如有機層之形狀、大小及厚度並無特殊限制，而且這些因素可依照有機層之特定目的而適當地選擇。
以下為層結構之指定實例，但是這些層結構不應視為限制本發明之範圍。
‧陽極/電洞運輸層/光發射層/電子運輸層/陰極
‧陽極/電洞運輸層/光發射層/阻擋層/電子運輸層/陰極
‧陽極/電洞運輸層/光發射層/阻擋層/電子運輸層/電子注射層/陰極
‧陽極/電洞注射層/電洞運輸層/光發射層/阻擋層/電子運輸層/陰極
‧陽極/電洞注射層/電洞運輸層/光發射層/阻擋層/電子運輸層/電子注射層/陰極
有機電致發光裝置之結構、基板、陰極與陽極敘述於例如JP-A-2008-270736號專利，而且此參考資料所述之品目亦適用於本發明。
(基板)
用於本發明之基板較佳為一種不散射或阻止自有機層發射之光的基板。在基板係由有機材料製成時，其較佳為該有機材料具有優良之耐熱性、尺寸安定性、溶劑抗性、電絕緣與作業力。
(陽極)
在一般之情形，僅陽極可作為將電洞供應至有機層中之電極為重要的，而且對例如陽極之形狀、結構與大小並無特殊限制。電極材料可依照發光裝置之用途及目的適當地選自迄今已知者。如上所述，陽極通常以透明之狀態提供。
(陰極)
在一般之情形，僅陰極可作為將電子供應至有機層中之電極為重要的，而且對例如陰極之形狀、結構與大小並無特殊限制。電極材料可依照發光裝置之用途及目的適當地選自迄今已知者。
關於基板、陽極與陰極，JP-A-2008-270736號專利，[0070]至[0089]段之說明可適用於本發明。
(有機層)
以下敘述本發明之有機層。
-有機層之形成-
在本發明之有機電致發光裝置中，各有機層可較佳地由任何乾膜形成法(如真空沉積法、濺射法等)及濕膜形成法(濕式程序)(如轉印法、印刷法、旋塗法等)形成。
本發明由製造成本降低之觀點較佳為藉濕式程序形成至少含各由式(1)表示之化合物、及由式(D-1)表示之化合物的光發射層。
(光發射層)
本發明之光發射層至少含各由式(1)表示之化合物及由式(D-1)表示之化合物。
(光發射材料)
本發明之光發射材料較佳為由式(D-1)表示之化合物。
關於耐久性及外部量子效率，光發射層中之光發射材料較佳為以按通常形成光發射層之全部化合物的質量計為0.1質量%至50質量%，更佳為1質量%至50質量%，而且仍更佳為2質量%至40質量%之量含於光發射層。
關於耐久性及外部量子效率，光發射層中由式(D-1)表示之化合物較佳為以1質量%至30質量%，而且更佳為5質量%至20質量%之量含於光發射層。
光發射層之厚度並未特別地限制，但是關於外部量子效率通常較佳為2奈米至500奈米，更佳為3奈米至200奈米，而且仍更佳為5奈米至100奈米。
本發明裝置中之光發射層可為光發射材料與主材料之混合層。光發射材料可為一種螢光材料或一種磷光材料，而且摻雜劑可由一或二或更多種組成。主材料較佳為一種電荷運輸材料。主材料可由一或二或更多種組成，而且其例示例如電子運輸主材料與電洞運輸主材料之混合物之組成。此外光發射層可含一種無電荷運輸性質且不發射光之材料。
光發射層可為單層或包含二或更多層之多層結構。此外，各光發射層可發射光色不同之光。
(主材料)
用於本發明之主材料可含以下之化合物。其實例包括吡咯、吲哚、咔唑[包括CBP(4,4’-二(9-咔唑基)聯苯基)]、氮吲哚、氮咔唑、三唑、唑、二唑、吡唑、咪唑、噻吩、多芳基烷屬烴、吡唑啉、吡唑哢、伸苯二胺、芳基胺、經胺基取代查酮、苯乙烯基蒽、茀酮、腙、二苯乙烯、矽氮烷、芳族三級胺化合物、苯乙烯基胺化合物、卟啉化合物、聚矽烷化合物、聚(N-乙烯基咔唑)、苯胺共聚物、噻吩寡聚物、導電性聚合物(如聚噻吩)之寡聚物、有機矽烷、碳膜、吡啶、嘧啶、三、蒽醌二甲烷、蒽酮、二苯基醌、二氧化噻喃、羰二醯亞胺、亞茀基甲烷、二苯乙烯基吡、經氟取代芳族化合物、縮合芳環化合物(如萘與苝)之四羧酸酐、酞青、各種金屬錯合物(以8-喹啉酚衍生物之金屬錯合物、與其配位基為金屬錯合酞青之金屬錯合物為代表)、苯并唑或苯并噻唑分子及上列金屬錯合物之衍生物(例如經取代基取代者或與其他之環縮合者)。
在本發明之光發射層中，關於顏色純度、光發射效率與驅動耐久性，其較佳為主材料之最小三線激態能量(T1能量)高於磷光材料之T1能量。
主材料較佳為由式(1)表示之化合物。
此外本發明主化合物之含量並未特別地限制，但是由光發射效率與驅動電壓之觀點，該含量按組成光發射層之全部化合物的質量計較佳為15質量%或更大及95質量%或更小。
由光發射效率與驅動電壓之觀點，由式(1)表示之化合物在光發射層中之含量按形成光發射層之全部化合物的質量計較佳為15質量%或更大及95質量%或更小，而且更佳為40質量%或更大及95質量%或更小。
(螢光材料)
可用於本發明之螢光材料的實例包括苯并唑衍生物、苯并咪唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯乙烯基苯衍生物、多苯基衍生物、二苯基丁二烯衍生物、四苯基丁二烯衍生物、萘醯亞胺衍生物、異丙苯衍生物、縮合芳族化合物、紫環酮衍生物、二唑衍生物、衍生物、醛聯氮衍生物、吡咯啶衍生物、環戊二烯衍生物、貳苯乙烯基蒽衍生物、喹吖酮衍生物、吡咯基吡啶衍生物、噻二唑吡啶衍生物、環戊二烯衍生物、苯乙烯基胺衍生物、二酮基吡咯基吡咯衍生物、芳族二次亞甲基衍生物、各種錯合物(以8-喹啉酚衍生物之錯合物、與吡咯亞甲基衍生物之錯合物為代表)、聚合化合物(如聚噻吩、聚亞苯與聚苯乙炔)、及如有機矽烷衍生物之化合物。
(磷光材料)
可用於本發明之磷光材料的實例包括如US 6303238B1、US 6097147號專利、WO 00/57676、WO 00/70655、WO 01/08230、WO 01/39234A2、WO 01/41512A1、WO 02/02714A2、WO 02/15645A1、WO 02/44189A1、WO 05/19373A2號專利、JP-A-2001-247859、JP-A-2002-302671、JP-A-2002-117978、JP-A-2003-133074、JP-A-2002-235076、JP-A-2003-123982、JP-A-2002-170684號專利、EP 1211257號專利JP-A-2002-226495、JP-A-2002-234894、JP-A-2001-247859、JP-A-2001-298470、JP-A-2002-173674、JP-A-2002-203678、JP-A-2002-203679、JP-A-2004-357791、JP-A-2006-256999、JP-A-2007-19462、JP-A-2007-84635與JP-A-2007-96259號專利揭示之磷光材料。這些化合物中之更佳發光摻雜劑包括Ir錯合物、Pt錯合物、Cu錯合物、Re錯合物、W錯合物、Rh錯合物、Ru錯合物、Pd錯合物、Os錯合物、Eu錯合物、Tb錯合物、Gd錯合物、Dy錯合物與Ce錯合物。這些錯合物中特佳為Ir錯合物、Pt錯合物與Re錯合物，特別是各具有至少一種選自金屬-碳、金屬-氮、金屬-氧、與金屬-硫配位鍵之配位鍵的Ir錯合物、Pt錯合物與Re錯合物。關於發光效率、驅動下耐久性、色度等，各具有多牙配位基(包括三牙配位基或更高)之Ir錯合物、Pt錯合物與Re錯合物優於其他。
磷光材料在光發射層中之含量按光發射層之總質量計較佳為0.1質量%或更大及50質量%或更小之範圍，更佳為0.2質量%或更大及50質量%或更小之範圍，仍更佳為0.3質量%或更大及40質量%或更小之範圍，而且最佳為20質量%或更大及30質量%或更小之範圍。
可用於本發明之磷光材料之含量按光發射層之總質量計較佳為0.1質量%或更大及50質量%或更小之範圍，更佳為1質量%或更大及40質量%或更小之範圍，而且最佳為5質量%或更大及30質量%或更小之範圍。特別是在5質量%或更大及30質量%或更小之範圍，有機電致發光裝置之光發射色度對磷光材料之添加濃度的依附性極小。
-電洞注射層與電洞運輸層-
電洞注射層與電洞運輸層為具有接收來自陽極或陽極側之電洞且將電洞運輸至陰極側的功能之層。
本發明較佳為包括含電子接受摻雜劑之電洞注射層與電洞運輸層作為有機層。
-電子注射層與電子運輸層-
電子注射層與電子運輸層為具有接收來自陰極或陰極側之電子且將電子運輸至陽極側的功能之層。
關於電洞注射層、電洞運輸層、電子注射層與電子運輸層，JP-A-2008-270736號專利，段號[0165]至[0167]所述之事項適用於本發明。
-電洞阻擋層-
電洞阻擋層為具有阻擋自陽極側運輸至光發射層之電洞通過陰極側的功能之層。本發明可提供電洞阻擋層作為相鄰陰極側光發射層之有機層。
形成電洞阻擋層之有機化合物的實例包括鋁錯合物[如貳(2-甲基-8-喹啉基)4-苯基酚化鋁(III)(簡寫成BAlq)]、三唑衍生物、及啡啉衍生物(如2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(簡寫成BCP))。
電洞阻擋層之厚度較佳為1奈米至500奈米，更佳為5奈米至200奈米，進一步較佳為10奈米至100奈米。
電洞阻擋層可具有由一或超過一種上列材料組成之單層結構或由組成物相同或不同之二或更多層組成之多層結構。
-電子阻擋層-
電子阻擋層為具有防止自陰極側運輸至光發射層之電子通過陽極側的功能之層。本發明可提供電子阻擋層作為相鄰陽極側光發射層之有機層。
至於組成電子阻擋層之化合物的實例，其可應用例如上述之電洞運輸材料。
電子阻擋層之厚度較佳為1奈米至500奈米，更佳為5奈米至200奈米，仍更佳為10奈米至100奈米。
電子阻擋層可具有由一或多種上列材料組成之單層結構，或者可為由具有相同組成物或不同組成物之二或更多層組成之多層結構。
(保護層)
本發明可將有機EL裝置全部塗以保護層。
關於保護層，JP-A-2008-270736號專利，段號[0169]至[0170]所述之事項適用於本發明。
(密封外殼)
本發明之裝置可使用密封外殼將全部密封。
關於密封外殼，JP-A-2008-270736號專利，段號[0171]所述之事項適用於本發明。
(驅動)
在陽極與陰極之間施加直流電(如果需要則可包括交流電分量)電壓(通常為2至15伏之範圍)或直流電時，本發明之有機電致發光裝置各可產生發光。
本發明有機電致發光裝置之驅動方法可應用如JP-A-2-148687、JP-A-6-301355、JP-A-5-29080、JP-A-7-134558、JP-A-8-234685、JP-A-8-241047號專利、日本專利第2784615號、美國專利第5828429與6023308號揭示之驅動方法。
本發明之有機電致發光裝置可利用各種周知改良提高光萃取效率。例如其可藉由對基板之表面外形加工(例如在基板表面上形成微觀粗糙圖案)，或者藉由控制基板、ITO層與有機層之折射率，或者藉由控制基板、ITO層與有機層之厚度等，而改良光萃取效率及增加外部量子效率。
本發明之發光裝置可為所謂自陽極側收集光發射之頂部發射系統。
本發明之有機EL裝置可具有共振結構。例如各裝置在透明基板上具有彼此重疊之由折射率不同之多積層膜組成之多層膜鏡、透明或半透明電極、光發射層、及金屬電極。在光發射層中產生之光反射在多層膜鏡與作為反射板之金屬電極間重複地發生，因而產生共振。
在另一個態樣中，透明或半透明電極及金屬電極各作為透明基板上之反射板，而且在光發射層中產生之光反射在反射板間重複發生，因而產生共振。
為了形成共振結構，其將由兩個反射板之有效折射率及包夾於兩個反射板間之各層的折射率與厚度決定之光學距離調整成具有得到所希共振波長之最適值。第一態樣情形之計算式敘述於JP-A-9-180883號專利，及第二態樣情形者敘述於JP-A-2004-127795號專利。
本發明有機電致發光裝置之外部量子效率較佳為5%或更大，而且更佳為7%或更大。至於外部量子效率之值，其可使用在20℃驅動裝置時外部量子效率之最大值，或者在20℃驅動裝置時接近100至300 cd/平方米之外部量子效率之值。
本發明有機電致發光裝置之內部量子效率較佳為30%或更大，更佳為50%或更大，而且仍更佳為70%或更大。裝置之內部量子效率係將外部量子效率除以光收集效率而計算。一般有機EL裝置之光收集效率為約20%，但是光收集效率可因多樣地設計基板之形狀、電極之形狀、有機層之厚度、無機層之厚度、有機層之折射率、無機層之折射率等而為20%或更大。
本發明之有機電致發光裝置較佳為具有350奈米或更大及700奈米或更小，更佳為350奈米或更大及600奈米或更小，仍更佳為400奈米或更大及520奈米或更小，而且最佳為400奈米或更大及465奈米或更小之最大光發射波長(光發射光譜之最強波長)。
(本發明發光裝置之用途)
本發明之發光裝置可適當地用於發光設備、像素、指示裝置、顯示器、背光、電子攝影裝置、照明光源、記錄光源、曝光光源、閱讀光源、信號、告示板、內部裝飾或光學通訊，特佳為在高強度發光區域驅動之裝置，如照明設備與顯示設備。
接下來，參考第2圖解釋本發明之發光設備。
本發明之發光設備合併任何一種本發明之有機電致發光裝置。
第2圖為略示地顯示本發明發光設備之一個實例的橫切面圖。
第2圖之發光設備20包括透明基板2(自撐基板)、有機電致發光裝置10、密封外殼16等。
有機電致發光裝置10係藉由在基板2上依所述之次序堆疊陽極3(第一電極)、有機層11與陰極9(第二電極)而形成。此外在陰極9上重疊保護層12，及在保護層12上經黏著層14進一步提供密封外殼16。附帶地，在第2圖中省略部分之電極3與9、隔膜與絕緣層。
在此可將光硬化黏著劑(如環氧樹脂)或熱固性黏著劑用於黏著層14。或者可使用熱固性黏著片作為黏著層14。
本發明發光設備之用途並無特殊限制，而且特定言之可作為例如不僅照明設備，亦及電視機、個人電腦、行動電話、電子紙等之顯示設備。
然後參考第3圖解釋關於本發明之一個具體實施例的照明設備。
第3圖為略示地顯示關於本發明之一個具體實施例的照明設備之一個實例的橫切面圖。
如第3圖所示，本發明之一個具體實施例的照明設備40裝有有機電致發光裝置10與光散射構件30。更特定言之，照明設備40係設計成使有機電致發光裝置10之基板2接觸光散射構件30。
光散射構件30並未特別地限制，只要其可散射光，但是在第3圖中，光散射構件30為一種具有含細粒32分散於其中之透明基板31的構件。至於透明基板31，其較佳地例示例如玻璃基板。至於細粒32，其較佳地例示透明樹脂細粒。至於玻璃基板及透明樹脂細粒，其可使用已知之材料。在此照明設備40中，自有機電致發光裝置10發射之光在光入射面30A處進入光散射構件30，進入光被光散射構件散射，而且散射之光自光出口面30B出現成為照明光。
[實例] (有機電致發光裝置之製造) <實例1> [比較例1-1之裝置之製造]
將經清潔ITO基板置於沉積設備中，將銅酞青以10奈米之厚度沉積在ITO基板上，將NPD[((N,N’-二-α-萘基-N,N’-二苯基)聯苯胺)]以70奈米之厚度沉積在銅酞青膜上(電洞運輸層)，將比例為90/10(質量比例)之化合物H-1(下示)與化合物A-1(下示)以30奈米之厚度沉積在其上(光發射層)，將BA1q[貳(2-甲基-8-喹啉基)4-苯基酚化鋁]以30奈米之厚度沉積在其上(電子運輸層)，將氟化鋰以3奈米之厚度沉積在其上，及將鋁以60奈米之厚度沉積在其上。將所得產物置於以氬氣置換之手套箱中以不接觸空氣，及以不銹鋼密封罐與UV硬化型黏著劑(XNR5516HV，由Nagase-Chiba Ltd.製造)密封而得到比較例1-1之有機電致發光裝置。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物A-1之磷光發射。
[實例1-1至1-42及比較例1-2至1-19之裝置之製造]
以如實例1-1之相同方式製造實例1-1至1-43及比較例1-2至1-19之裝置，除了將用於比較例1-1作為光發射材料與主材料之化合物改成以下表1所示之化合物，及評估。其得到源生自所用各光發射材料之磷光發光。所得結果示於以下表1。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
將各所得有機電致發光裝置固定於OLED測試系統ST-D(由TSK Co.製造)，及在外部空氣溫度為70℃，按固定電流模式以起初光度為1,000 cd/平方米與10,000 cd/平方米之條件驅動，而且測量各光度半生期。
(色度之評估)
對裝置施加D.C.電壓以達到10,000 cd/平方米之光度，及以光發射光譜量測系統ELS1500(由Shimadzu Corporation製造)測量光發射光譜，由其計算色度(CIE 色度)。評估起初色度及降至半光度後之色度作為色度。實得起初色度與降至半光度後之色度之差的絕對值作為色度差。色度差越小則退化後色度偏移越小，及裝置越優良。
由以上之結果明顯可知，相較於比較例之裝置，本發明實例之裝置顯示高驅動耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且退化後之色度像差極小。附帶地，色度差為起初色度與降至半光度後之色度之差的絕對值，例如在比較例1-1中，色度差為(|0.32-0.36|,|0.62-0.60|)=(0.04,0.02)。
<實例2> (實例2-1之裝置之製造)
以如比較例1-1之裝置之製造的相同方式製造實例2-1之有機EL裝置，除了將比例為90/10(質量比例)之光發射層膜組成物的H-1與A-1改成比例為90/10(質量比例)之C-8與B-2而實行沉積(膜厚度：30奈米)。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物B-2之發光。
(實例2-2至2-9之裝置之製造)
以如實例2-1之裝置之製造的相同方式製造實例2-2至2-9之有機EL裝置，除了將用於實例2-1之材料改成以下表2所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的光發射。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表2。比較例1-5、1-9與1-18、及實例1-8、1-14與1-32製造之裝置的結果亦示於該表以比較。
<實例3> (實例3-1之裝置之製造)
以如比較例1-1之裝置之製造的相同方式製造實例3-1之有機EL裝置，除了將比例為90/10(質量比例)之光發射層膜組成物的H-1與A-1改成比例為90/10(質量比例)之C-1與B-8而實行沉積(膜厚度：30奈米)。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物B-8之發光。
(實例3-2至3-21及比較例3-1至3-3之裝置之製造)
以如實例3-1之裝置之製造的相同方式製造實例3-2至3-21及比較例3-1至3-3之有機EL裝置，除了將用於實例3-1之材料改成以下表3所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的發光。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
將各所得有機電致發光裝置固定於OLED測試系統ST-D(由TSK Co.製造)，及在外部空氣溫度為70℃，按固定電流模式以起初光度為1,000 cd/平方米與10,000 cd/平方米之條件驅動，而且測量各半光度時間。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表3。比較例1-1至1-3與1-15至1-17製造之裝置的結果亦示於該表以比較。
由以上之結果明顯可知，相較於比較例之裝置，本發明實例之裝置顯示高驅動耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且退化後之色度像差極小。
<實例4> (實例4-1之裝置之製造)
以如比較例1-1之裝置之製造的相同方式製造實例4-1之有機EL裝置，除了將比例為90/10(質量比例)之光發射層膜組成物的H-1與A-1改成比例為90/10(質量比例)之C-1與B-11而實行沉積(膜厚度：30奈米)。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物B-11之發光。
(實例4-2至4-9及比較例4-1至4-3之裝置之製造)
以如實例3-1之裝置之製造的相同方式製造實例4-2至4-9及比較例4-1至4-3之有機EL裝置，除了將用於實例3-1之材料改成以下表4所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的發光。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表4。比較例1-5、1-9與1-19及實例1-8、1-14、1-38、2-1、2-2、2-4與2-5製造之裝置的結果亦示於該表以比較。
<實例5> (實例5-1之裝置之製造)
以如比較例1-1之裝置之製造的相同方式製造實例5-1之有機EL裝置，除了將比例為90/10(質量比例)之光發射層膜組成物的H-1與A-1改成比例為90/10(質量比例)之C-1與B-16而實行沉積(膜厚度：30奈米)。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物B-16之發光。
(實例5-2至5-17及比較例5-1至5-4之裝置之製造)
以如實例5-1之裝置之製造的相同方式製造實例5-2至5-17及比較例5-1至5-4之有機EL裝置，除了將用於實例5-1之材料改成以下表5所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的發光。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表5。比較例1-1、1-3與4-1及實例4-1至4-3製造之裝置的結果亦示於該表以比較。
由以上之結果明顯可知，相較於比較例之裝置，本發明實例之裝置顯示高驅動耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且退化後之色度像差極小。
<實例6> (實例6-1之裝置之製造)
以如比較例1-1之裝置之製造的相同方式製造實例6-1之有機EL裝置，除了將比例為90/10(質量比例)之光發射層膜組成物的H-1與A-1改成比例為90/10(質量比例)之C-1與B-16而實行沉積(膜厚度：30奈米)。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物B-16之發光。
(實例6-2至6-12之裝置之製造)
以如實例6-1之裝置之製造的相同方式製造實例6-2至6-12之有機EL裝置，除了將用於實例6-1之材料改成以下表6所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的發光。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表6。比較例1-1至1-3，1-12與1-13及實例1-1、1-2、1-4、1-7、1-8、1-10、1-25至1-27、5-1至5-4製造之裝置的結果亦示於該表以比較。
由以上之結果明顯可知，相較於比較例之裝置，本發明實例之裝置顯示高驅動耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且退化後之色度像差極小。
<實例7> (比較例7-1之裝置之製造)
將具有0.5毫米之厚度及2.5公分平方之ITO膜的玻璃基板(由Geomatec Co.,Ltd.製造，表面電阻：10歐姆/平方)置於清潔容器中且在2-丙醇中接受超音波清洗，然後接受UV-臭氧處理經30分鐘。以旋塗器將以純水將聚(3,4-伸乙二氧基噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)稀釋成70%而得之溶液塗覆在ITO膜上，而提供厚50奈米之電洞運輸層。以旋塗器塗覆將比例為93/7之H-1與A-1(質量比例)溶於其中而得之二氯甲烷溶液而提供厚30奈米之光發射層。然後將BAlq[貳(2-甲基-8-喹啉基)4-苯基酚化鋁]以40奈米之厚度沉積在其上。在沉積設備中將氟化鋰以0.5奈米之厚度沉積在有機化合物層上作為陰極緩衝層，及將鋁以150奈米之厚度沉積在其上作為陰極。將所得產物置於以氬氣置換之手套箱中以不接觸空氣，及以不銹鋼密封罐與UV硬化型黏著劑(XNR5516HV，由Nagase-Chiba Ltd.製造)密封而得到比較例7-1之有機電致發光裝置。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自化合物A-1之發光。
(實例7-1至7-21及比較例7-2至7-7之裝置之製造)
以如比較例7-1之裝置之製造的相同方式製造比較例7-2至7-7及實例7-1至7-21之有機EL裝置，除了將用於比較例7-1之材料改成以下表7所示之材料。以電源量測單元2400型(由Toyo Corp.製造)對所得有機EL裝置施加DC固定電壓而發射光，結果得到源自各光發射材料之顏色的光發射。
[裝置之評估] (驅動耐久性之評估)
將各所得有機電致發光裝置固定於OLED測試系統ST-D(由TSK Co.製造)，及在外部空氣溫度為70℃，按固定電流模式以起初光度為1,000 cd/平方米與5,000 cd/平方米之條件驅動，而且測量各半光度時間。
(色度之評估)
以如實例1之相同方式實行評估。
評估之結果示於表7。
由以上之結果明顯可知，相較於比較例之裝置，本發明實例之裝置顯示高驅動耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且退化後之色度像差極小。光發射層係藉實例7之塗料製造，由製造成本觀點而論，其為優良。
工業應用力
依照本發明可提供一種具有高耐久性(特別是在高光度驅動時)，而且裝置退化後之色度像差極小的有機電致發光裝置。
本申請案係基於2009年8月31日提出之日本專利申請案第2009-201154號，其全部內容在此併入作為參考，如同完全敘述。
2．．．基板
3．．．陽極
4．．．電洞注射層
5．．．電洞運輸層
6．．．光發射層
7．．．電洞阻擋層
8．．．電子運輸層
9．．．陰極
10．．．有機電致發光裝置(有機EL裝置)
11．．．有機層
12．．．保護層
14．．．黏著層
16．．．密封外殼
20．．．光發射設備
30．．．光散射構件
30A．．．光入射面
30B．．．光離開面
32．．．細粒
40．．．照明設備
第1圖為顯示依照本發明之有機電致發光裝置的組成之一個實例的略示圖。
第2圖為顯示依照本發明之光發射設備的一個實例之略示圖。
第3圖為顯示依照本發明之照明設備的一個實例之略示圖。

Claims (15)

  1. 一種有機電致發光裝置，其包括一基板，其上具有一對電極、及在電極對間之至少一有機層，該有機層包括含光發射材料之光發射層，其中光發射層至少含各由下式(1)表示之化合物及由下式(D-1)表示之化合物： 其中各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)： 其中各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示下示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；R1 表示烷基；R2 表示氫原子或烷基；R3 表示氫原子或烷基；及n表示0或1之整數：取代基(S) 其中各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為1或2之整數。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中由式(1)表示之化合物為由下式(2)表示之化合物： 其中各R21 至R28 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz21 與Cz22 獨立地表示以下部分結構(Cz-2)： 其中各R29 至R215 獨立地表示氫原子或取代基；及S21 表示以上取代基(S)。
  3. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中由式(1)表示之化合物為由下式(3)表示之化合物： 其中各R31 至R38 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz31 與Cz32 獨立地表示以下部分結構(Cz-3)： 其中各R39 至R315 獨立地表示氫原子或取代基；及S31 表示以上取代基(S)。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基、新戊基、苯基或甲苯基。
  5. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中式(D-1)中R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基或新戊基。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-2)表示之化合物： 其中各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1或2之整數。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-3)表示之化合物： 其中各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1或2之整數。
  8. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-4)表示之化合物： 其中各R1 至R11 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基；B1 表示甲基、異丁基或新戊基；及k為1或2之整數。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電致發光裝置，其中由式(D-1)表示之化合物為由下式(D-5)表示之化合 物： 其中各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示甲基、異丁基或新戊基；D1 表示選自氟原子、三氟甲基與氰基之拉電子基，D1 取代R5 ’至R8 ’任一，而且多個D1 各可與其他之D1 相同或不同；k表示1或2之整數；及p表示1至4之整數。
  10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機電致發光裝置，其中至少含各由上式(1)表示之化合物及由上式(D-1)表示之化合物的光發射層係藉濕式程序形成。
  11. 一種組成物，其至少含各由下式(1)表示之化合物及由下式(D-1)表示之化合物： 其中各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)： 其中各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示上示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；及n表示0或1之整數： 其中各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為1或2之整數。
  12. 一種光發射層，其至少含各由下式(1)表示之化合物及由下式(D-1)表示之化合物： 其中各R11 至R18 獨立地表示氫原子或取代基；及各Cz11 與Cz12 獨立地表示以下部分結構(Cz-1)： 其中各R19 至R116 獨立地表示氫原子或取代基；S11 表示上示取代基(S)，其取代R19 至R112 任一；及n表示0或1之整數： 其中各R1 至R12 獨立地表示氫原子或取代基；各R1 ’至R8 ’獨立地表示氫原子或取代基，而且R1 至R12 及R1 ’至R8 ’至少之一表示烷基或芳基；及k為1或2之整數。
  13. 一種光發射設備，其使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之有機電致發光裝置。
  14. 一種顯示設備，其使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之有機電致發光裝置。
  15. 一種照明設備，其使用如申請專利範圍第1至10項中任一項之有機電致發光裝置。
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