TWI484522B - Charged particle - ray device - Google Patents

Description

帶電粒子射線裝置

本發明是有關一種利用電子束，進行半導體裝置之線寬測量、缺陷檢查、畫像取得的帶電粒子射線裝置，尤其是有關於能有效消除配置在真空室內的試料台等之殘留電荷的帶電粒子射線裝置。

近年對半導體設備圖案的尺寸測定、缺陷檢查是應用帶電粒子射線裝置之一的電子顯微鏡。例如：對半導體設備的閘極尺寸之測定是使用測長SEM(Critical-Dimension Scanning Electron Microscope(臨界尺寸掃描式電子顯微鏡)，以下簡稱CD-SEM)，對缺陷檢查則使用缺陷檢查SEM。並且利用電壓對比(voltage contrast)，對配線用深孔的導通檢查亦為使用掃描式電子顯微鏡。

另一方面，於專利文獻1是揭示一種為了與電子顯微鏡一樣在在具有真空室的裝置內消除試料帶電，因此藉由在真空室內設置紫外光源，進行紫外光照射，來抑制帶電的離子束加工裝置。

[先行技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平第2-117131號公報

如電子顯微鏡、離子束裝置，在真空室內照射帶電粒子射線的裝置，設有保持帶電粒子射線的照射對象的試料的試料台。帶電粒子射線裝置，藉由適當控制該試料台的位置，對所需之處照射帶電粒子射線。試料台具有各式各樣的種類，但其中具有一種利用庫侖力等具備保持試料的靜電夾頭機構的試料台。靜電夾頭機構，為了能以大致均等的力來保持晶圓全面，因此例如：試料為半導體晶圓的情形下，能使其撓曲等平坦化而固定。另一方面，靜電夾頭的試料支撐面，由於以陶瓷等絕緣性高的材料覆蓋，因此具有易產生帶電之特性。此種帶電(殘留電荷)，例如有可能是改變電子束的聚焦條件，或是在使晶圓脫離時產生殘留吸附力的因素造成，因此希望除電。

在專利文獻1中並未揭示有關為了消除靜電夾頭的帶電使用紫外光的情形，並且經由發明人等的檢討，清楚得知對靜電夾頭照射紫外光反而產生引發帶電的情形。

以下，針對以得到高靜電夾頭之帶電消除效果為目的之帶電粒子射線裝置做說明。

作為達成上述目的之一態樣，提供一種帶電粒子射線裝置，針對具備：帶電粒子源、保持照射該帶電粒子射線之試料的靜電夾頭機構、和包括該靜電夾頭機構的空間維持在真空狀態的試料室之帶電粒子射線裝置，其特徵為，具備：用以對前述試料室內照射紫外光的紫外光源、和受到該紫外光照射的被照射構件；該被照射構件，是配置在前述靜電夾頭的吸附面的垂線方向。

若藉由上述構成，就能利用被照射構件使其產生電離的殘留氣體，為了使該殘留氣體具有除電效果，因此可不對靜電夾頭直接照射紫外光，進行靜電夾頭的除電。

1‧‧‧鏡筒

2‧‧‧試料室

3‧‧‧預備排氣室

4‧‧‧X-Y工件台(試料台)

5‧‧‧靜電夾頭

6‧‧‧紫外線光源

7‧‧‧遮蔽板

8‧‧‧紫外線照射區域

第1圖是表示具備設有紫外光源的除電機構的掃描式電子顯微鏡之一例的圖。

第2圖是表示具備由紫外光源直接對靜電夾頭照射紫外光的除電機構的掃描式電子顯微鏡之一例的圖。

第3圖是表示由紫外光源直接對靜電夾頭照射紫外光時的除電效應的圖。

第4圖是表示具備將紫外光照射到與靜電夾頭不同之 位置的除電機構的掃描式電子顯微鏡之一例的圖。

第5圖是表示由紫外光源照射紫外光時的靜電夾頭上的帶電分佈的圖。

第6圖是表示由紫外光源照射紫外光時的重覆次數與除電所需要的時間之關係的圖。

第7圖是表示具有遮斷紫外光直接照射靜電夾頭的遮蔽構件之除電機構的一例之圖。

第8圖是表示遮斷紫外光直接照射靜電夾頭的遮蔽構件之一例的圖。

第9圖是表示由紫外光源對遮蔽構件照射紫外光時的靜電夾頭之除電效應的圖。

第10圖是表示由紫外光源對遮蔽構件照射紫外光時的靜電夾頭上的帶電分佈的圖。

第11圖是表示遮斷紫外光直接照射靜電夾頭的遮蔽構件之一例的圖。

第12圖是表示使用不含除電工程的電子顯微鏡之測定工程的流程圖。

第13圖是表示使用包含除電工程的電子顯微鏡之測定工程的流程圖。

第14圖是表示掃描式電子顯微鏡系統之一例的圖。

第15圖是表示除電工程的流程圖。

第16圖是表示設在試料室內的除電位置與遮蔽構件的位置關係之圖。

第17圖是表示具有遮斷紫外光直接照射靜電夾頭的 遮蔽構件之除電機構的一例之圖。

第18圖是表示具有遮斷紫外光直接照射靜電夾頭的遮蔽構件之除電機構的一例之圖。

以下，作為帶電粒子射線裝置之一例，以CD-SEM為例，簡單說明CD-SEM之測定的基本原理。基本上是與掃描式電子顯微鏡相同。由電子鎗發射一次電子，施加電壓使其加速。然後，藉由電磁透鏡將電子束的束徑縮細小。將該電子束以2次元式對著半導體晶圓等試料上進行掃描。利用檢測器來檢測藉由已掃描的電子束射入到試料所產生的二次電子。該二次電子的強度，反映出試料表面的形狀，因此使得電子束的掃描與二次電子的檢測同步並顯示在監視器，試料上的微細圖案就能圖像化。在CD-SEM中，例如在測定閘極電極之線寬的情形下，根據所得到的圖像之明暗變化來判定圖案的邊界而導出尺寸。以上為CD-SEM的測定原理。

該CD-SEM是使用於半導體製造生產線的設備圖案的尺寸測定，因此不光是作為分解能、測長可重現性的電子顯微鏡之性能，連產量也變得非常重要。決定產量的原因有複數種，但影響特別大的是積載晶圓的工件台之移動速度與取得圖像時之自動對焦所需要的時間。作為有效改善該兩項目的手段，舉例有工件台的靜電夾頭化。亦即，如果能以靜電夾頭穩定的固定晶圓的話，晶圓就不 會從工件台掉落下來，能以高加速度、高速度來運送。而且，若為靜電夾頭，由於能將晶圓全面以大致均等的力撓曲，晶圓等也能平坦化固定，因此晶圓面內的高度分佈為均勻化且對準聚焦，來決定流到對物透鏡之線圈的電流值的時間，亦即自動對焦時間縮短。

像這樣，將靜電夾頭應用在電子顯微鏡就能期待各種性能的改善效果，但也存在該特性所引起的問題。例如：靜電夾頭由於將保持晶圓的面利用電絕緣性高的陶瓷覆蓋，因此藉由晶圓與靜電夾頭之間的接觸、摩擦而產生帶電，形成殘留電荷蓄積在靜電夾頭上。該蓄積的殘留電荷，不光是造成所取得的圖像之對焦不正常的原因，還會產生殘留電荷所引起的殘留吸附力，且可能會引起產量下降和運送錯誤。

而且，也有可能會因靜電力而吸引周圍的異物，使其附著在晶圓上的因素。因該接觸、摩擦所產生的帶電，可藉由減低摩擦量、晶圓的吸附力來抑制，但卻無法完全消除。因而，為了讓應用靜電夾頭的電子顯微鏡穩定作業，因此必須定期消除蓄積在靜電夾頭上的殘留電荷。

作為消除(以下稱除電)殘留電荷的手段，具有以下列舉的三種手段。第1：將靜電夾頭表面以利用醇等有機溶劑浸泡的布來清洗的方法。若藉由本手法，就能經由塗佈在靜電夾頭上的溶劑來消除殘留電荷。但為了清洗必須再次將設置靜電夾頭的真空容器進行大氣釋放，大氣 釋放與下次的真空排氣需要極多的時間。其次，作為第2手段：在設置靜電夾頭的真空容器內使其產生電漿，藉由殘留氣體的解離使帶電中和的手法。若藉由本手法，就能讓真空容器不進行大氣釋放就能除電，但會產生許多電能大的帶電粒子，因此有可能會使裝置內零件受損。最後，作為第3手段：對真空容器內照射紫外線，藉由已電離的殘留氣體離子及電子使帶電中和，使其除電的方法。若藉由本手段，裝置仍然可保持真空進行除電，而且所生成的離子及電子的電能量極小，因此亦不會使裝置內零件受損。

但在因紫外線照射的除電中，如CD-SEM般易受到殘留電荷影響的裝置的情形下，無法忽視因紫外線照射的光電效果之影響。於第2圖表示紫外線除電機能應用於CD-SEM之一例。具備發射電子束之電子鎗等的鏡筒1，是與試料室2連接。而且試料室2，具備晶圓交換用的預備排氣室3。鏡筒1及試料室2經常保持高真空，預備排氣室3在試料交換時進行大氣釋放，晶圓觀察中保持高真空。於設置在試料室2內的X-Y工件台4上，固定著靜電夾頭5，晶圓觀察時，將圖未表示的晶圓保持在靜電夾頭5上，使得與靜電夾頭5一起動作的X-Y工件台4移動，來觀察晶圓上的任意位置。

在試料室2，設置著用來消除蓄積在靜電夾頭5之表面的殘留電荷的紫外線光源6。由紫外線光源6發射的紫外線，在紫外線照射區域8內傳遞。在紫外線照射 區域8內，殘留氣體因紫外線照射產生電離，所生成的殘留氣體離子及電子會到達靜電夾頭上，中和殘留電荷。

於第3圖表示，在此種構成中，藉由紫外線照射來消除靜電夾頭上的殘留電荷時測量除電所需要之時間的結果之一例。藉由紫外線的照射，殘留電荷立刻被消除，但若持續紫外線照射，就會形成正電荷。此乃因為具有比靜電夾頭材料之功函數還大的電能的光在靜電夾頭上引起光電效應，發射電子的靜電夾頭帶正電之故。該正電荷，藉由與紫外線照射所產生的電子結合得到緩和，因此在某一定的位準(level)產生飽和，但在紫外線直接照射到靜電夾頭的構成，並無法完全消除殘留電荷。

為了不讓靜電夾頭上產生因光電效應的正電荷，因此需有形成紫外線不會直接照射到靜電夾頭的構成。例如：如第4圖所示，可考慮將紫外線光源6設置在偏離水平方向的位置之方法。

若藉由此種構成，紫外線照射區域8並未與靜電夾頭重疊，因此紫外線不會直接照射到靜電夾頭。但是將紫外線光源6配置在此種位置的情形下，除電的對象物的靜電夾頭與紫外線光軸的對稱性會崩壞，因此在除電進行中會產生空間上的不均。

第5圖是以此種構成配置實施除電之後，測量靜電夾頭上的帶電分佈之結果的一例。離紫外線光源6近的區域完全除電，但離紫外線光源6遠的區域殘留帶電。此種局部性的殘留電荷，其區域愈小，靜電夾頭上全體 的平均殘留電荷就愈少，因此像觀察上不成問題。但是要求在極短時間接連測量試料內之測量位置的情形下，必須增大每個測量位置實施的自動對焦之振幅，因此會引起裝置的產量下降。而且，如果該局部性的殘留電荷產生蓄積的話，除電所需要的時間大增。

於第6圖表示此種構成時重複實施除電時間之測量的例示。每追加次數，局部性的殘留電荷就會蓄積，因此除電的時間常數大增。若長時間實施紫外線照射，遠離紫外線光源6的區域也會被除電，因此除電的時間常數會返回到原來的值。但是此種長時間照射，會使裝置的停機時間長期化。

以下說明的實施例中，以靜電夾頭來保持晶圓，使用電子束來測量、分析、或圖像取得晶圓上的設備的掃描式電子顯微鏡中，針對用來消除蓄積在靜電夾頭的殘留電荷的紫外線光源，配置在其光軸與靜電夾頭的中心軸之同心上，且將遮蔽板設成從該紫外線光源照射的紫外線不會直接到達前述靜電夾頭，且在遮蔽板將開口部設成僅藉由照射紫外線所生成的殘留氣體離子及電子能效率良好的到達前述靜電夾頭上的構成做說明。

具體上，在具備真空排氣的試料室的掃描式電子顯微鏡中，針對在試料室內，將包含保持試料的靜電夾頭的試料台、紫外光源、照射來自該紫外光源的紫外光之被照射構件，設置在面對靜電夾頭之吸附面的位置的掃描式電子顯微鏡做說明。

而且，亦針對由靜電夾頭的側面方向照射紫外線，使紫外線均勻的通過靜電夾頭上的空間，且設置成不會直接照射到靜電夾頭的遮蔽板的掃描式電子顯微鏡一併做說明。

若藉由以下說明的實施例，即可將蓄積在靜電夾頭上的殘留電荷，在短時間確實且均勻的消除。

首先使用第1圖，表示應用第一實施例的CD-SEM的概略圖。在保持10^-4 ~10^-5 Pa之高真空的試料室2內的X-Y工件台4上，固定著靜電夾頭5，圖未表示的晶圓保持在靜電夾頭5上。靜電夾頭大體上具有：介電質膜的特定電阻率為1×10⁹ Ωcm至10¹² Ωcm左右的所謂約翰森．拉貝克(Johnsen-Rahbeck)式的靜電夾頭、和特定電阻率為此以上之所謂庫侖式的靜電夾頭之兩種方式。各個靜電夾頭方式雖具有特徵，但本實施例對任一種方式也很有效果。在本實施例中，洩漏電流實際上為0，因此針對將晶圓電位的安定性優異，且以適於測量中之電位安定為重要的CD-SEM的Al₂ O₃ (氧化鋁)為素材的庫侖式之靜電夾頭應用於CD-SEM的情形做說明。

在此靜電夾頭之上，以該光軸與靜電夾頭同軸的配置來設置紫外線光源6。由該紫外線光源照射的紫外線之波長為400nm以下。一旦物質為照射具有比該物質特定的功函數還大之電能的波長之光，就會引起光電效應發射電子，但Al₂ O₃ 的功函數相當於波長140nm，因此一旦比140nm還短的波長之光照射到Al₂ O₃ ，就會引起光 電效應，使絕緣物質的Al₂ O₃ 帶正電。本實施例在靜電夾頭5與紫外線光源6之間，將遮蔽板7設置成紫外線不直接到達靜電夾，僅電離的殘留氣體會效率良好的到達靜電夾頭上為其特徵，一面防止因光電效應的正電荷、一面消除殘留電荷。於第7圖表示詳細表示本實施例之特徵的圖。靜電夾頭5、紫外線光源6及遮蔽板7全都配置在同軸上，且由紫外線光源6使開口角α(圖中尺寸11)的區域受紫外線照射。而且對靜電夾頭5的吸附面(上面)，在垂線方向設置遮蔽板7，並且遮蔽板7的紫外光之被照射部中心，是以配置成與靜電夾頭5的吸附面中心同軸的狀態，完成紫外光照射。而且被照射部與靜電夾頭75的吸附面，是以既定間隔形成分離，因此在被照射部產生的氣體，會一面擴散、一面到達吸附面，就能實現除電效應的均勻化。

遮蔽板7是設置在僅離紫外線光源6距離1(圖中尺寸12)的位置，且在未與紫外線照射區域8重疊的位置設置通過孔9。於第8圖表示由紫外線光源6側觀看遮蔽板7的圖。在本實施例中，將圓形孔作為通過孔自遮蔽板7的中心起於同一半徑上均等(軸對稱)的設置八處。遮蔽板7上的紫外線照射區域8(被照射部)，自遮蔽板的中心起，以數式1所示的值r(圖中尺寸13)以下的範圍。

通過孔9，是配置成紫外線照射區域8不與通過孔9重疊的自遮蔽板中心起的距離R(圖中尺寸14)及通過孔的徑D(圖中尺寸15)為保持數式2所示的關係。

若藉由此種構成，由紫外線光源6照射的紫外線，藉由遮蔽板7被遮蔽，因此不會直接照射到靜電夾頭5，且在紫外線照射區域8內生成的的殘留氣體離子及電子，會藉由擴散、蓄積在靜電夾頭5上的殘留電荷所產出的電場通過通過孔9到達靜電夾頭5的表面，使殘留電荷中和。於第9圖表示有關應用本實施例的CD-SEM中，用來測量蓄積在靜電夾頭上的殘留電荷進行除電所需要之時間的結果之一例。與直接照射紫外線的情形相同可立刻完全除電，且不必進行直接照射，因此也不會隨著持續照射產生正電荷，可確實為零。

於第10圖表示應用本實施例的情形，用來測量除電實施後的靜電夾頭上的帶電分佈的結果之一例。於同軸上配置靜電夾頭與紫外線光源，因此可保持空間上的對稱性，無除電的不均性。因而，若應用本實施例，即可將靜電夾頭上的殘留電荷，在短時間確實且均勻的消除。

接著，說明第二實施例。在第二實施例中，取代第8圖所示的遮蔽板7，利用第11圖所示的遮蔽板7a。遮蔽板7a是設置在與第1圖所示的遮蔽板7相同之 處。遮蔽板7a，是在未與紫外線照射區域8重疊的位置，保留十字狀的樑柱10及外周環16而設置四處的通過孔9a。通過孔9a之內側的徑R′(圖中尺寸15)，是保持數式3所示的關係，由紫外線光源6照射的紫外線，是藉由遮蔽板7a遮蔽。

[數3]R' >r…(式3)

另一方面，藉由紫外線照射所生成的殘留氣體離子及電子，可通過通過孔9a。因而，若藉由本實施例，紫外線並不會直接照射到靜電夾頭，只會令已電離的殘留氣體到達靜電夾頭上。

而且上述特徵，是不讓紫外線直接照射靜電夾頭，只讓已電離的殘留氣體均勻的到達靜電夾頭上，因此並不限於靜電夾頭與紫外線光源被配置在同軸上的情形。例如：即使是設成由靜電夾頭的側面方向照射紫外線，使紫外線均勻的通過靜電夾頭上的空間，且不會直接照射到靜電夾頭的遮蔽板之構成的情形，仍可期待同樣的效果。

但若藉由使靜電夾頭中心與遮蔽構件的中心一致的構成，就可利用較簡單的構成來確保帶電抑制效應的面內均勻性。

在此，說明本實施例之CD-SEM的測量順序。第12圖是表示靜電夾頭之無除電工程的測量順序之流 程圖的一例，第13圖是表示包含靜電夾頭之除電工程的測量順序之流程圖的一例。

首先，針對第12圖的測量流程圖做說明。首先，藉由圖未表示的運送機構運入晶圓(18)，積載在靜電夾頭上(19)。接著，藉由靜電夾頭電源施加電壓(20)，以靜電吸附晶圓。接著，使X-Y工件台動作，且晶圓上應測量的晶片朝既定的座標位置移動成到達電子束照射位置(21)。朝既定位置移動完成的話，即實施自動對焦來對合圖像的聚焦(22)，掃描電子束取得圖像(25)，根據已取得的圖像進行圖像處理，算出目的之尺寸(26)。事先設定的配方(recipe)完成(27)的話，即使晶圓藉由X-Y工件台與靜電夾頭一起移動到初期位置(28)。如果，配方未完成，即進行下一個晶圓的測量、圖像取得的情形下，再次移動到下一個晶圓的既定座標重覆測量(27)。移動到初期位置的靜電夾頭，則停止直流電源的供電(29)，運出裝置外(30)。觀察對象的晶圓為複數的情形下，依序對複數個晶圓重覆進行該一連串的順序，但藉由重覆晶圓與靜電夾頭之間的接觸、摩擦，一旦殘留電荷蓄積在靜電夾頭表面的話，晶圓上的表面電位就會逐漸偏離。晶圓上的表面電位產生變動的話，伴隨而來的自動對焦所對合的聚焦值也會變動，但表面電位的變動量比某一定之值還大的話，自動對焦則無法追隨，對焦失敗。聚焦失敗的情形下，變更偏焦的範圍(24)再度實施自動對焦(23)，但該次測定所需要的時間會增加，使裝置產量下降。

接著，針對第13圖的測量流程圖做說明。本流程圖，是將觀察對象的晶圓運入到裝置之前，根據比對象晶圓更早運入的晶圓之觀察資訊，事先得知靜電夾頭上的帶電量，該帶電量比某一定之值還大的情形下，在對象晶圓運入前實行紫外線的除電為特徵。靜電夾頭的帶電量，記錄在後述的控制裝置內的記憶體(記錄媒體)等，在運入晶圓之前，判斷帶電量是否為比某一定之值還大。如果帶電量比某一定之值還大(31)的話，就實行紫外線照射的除電(32)，若帶電量比某一定之值還小的話，不實行除電就運入晶圓(18)。該判斷基準的某一定之值，設定為未使自動對焦失敗，且不會引起運送精度之劣化、異物附著之增加的程度之值，亦即就算不實行除電仍可使裝置安定運作之值。而且，靜電夾頭的帶電量，是由對每一個晶圓面內的測量處實施自動對焦之際的聚焦變動量算出來(33)，其平均值記錄到記錄媒體(34)。該值，於每個晶圓更新，觀察對象的晶圓，是根據其中一個前面的晶圓所測量的帶電量，來判斷運入前是否須要除電(31)。若為此種流程圖，蓄積在靜電夾頭上的殘留電荷是可在裝置運用上成問題之前，以自動實行靜電夾頭的除電，因此不會令裝置產量下降，可提供穩定持續作動的CD-SEM。再者，在本實施例中揭示應重新測量且於運入晶圓之前，實施紫外線照射的例示，但也可對測量中的晶圓測量電位，在運出該晶圓之後實施紫外線照射。而且，直接對晶圓照射紫外線的話，可能會使晶圓受到損傷，因此當然可使安全電路組裝成 在晶圓運入中不做紫外線照射。

再者，在本順序中，說明由自動對焦的變動量算出靜電夾頭上的帶電量之手法，但例如：也可使用表面電位計等之電位測量手段直接來測量靜電夾頭表面的帶電，根據其結果來判斷是否要除電的構成。

若藉由上述實施例，有關應用靜電夾頭的電子顯微鏡，可將蓄積在裝置運用中的靜電夾頭上的殘留電荷，在短時間確實且均勻的消除，就能提供一種可一面使裝置作業下降率抑制在最小限、一面穩定且持續發揮性能的掃描式電子顯微鏡。

第14圖是表示由：掃描式電子顯微鏡本體1401、和控制掃描式電子顯微鏡的控制裝置1402所成的掃描式電子顯微鏡系統之一例的圖。在控制裝置1402，包含：控制掃描式電子顯微鏡本體1401的光學條件的光學條件調整部1403、和依據檢測電子進行圖像形成、波型形成，並且依據該圖像訊號等，進行測定、檢查的檢測訊號演算部1404。並且，包含：進行施行靜電夾頭(圖未表示)之除電的紫外光源之控制的紫外光源控制部1405；以及控制試料台，並且進行靜電夾頭之電源的ON/OFF控制之工件台控制部1406；以及事先記憶控制裝置之控制條件的記憶體1407。

具備如以上之構成的掃描式電子顯微鏡系統，根據如第15圖舉例所示的流程圖，來實行靜電夾頭的除電。首先，在晶圓殘留於試料室內的情形下，將晶圓運 送到試料室外(步驟1501)，關閉設在試料室與預備排氣室之間的真空幫浦(步驟1502)。接著，在進行除電的場所，移動搭載著靜電夾頭的試料台4(步驟1503)。進行除電的場所，例如：第16圖舉例所示的靜電夾頭除電位置1601。第16是表示設置在試料室1602內的遮蔽構件1603與靜電夾頭除電位置1601之位置關係的圖，為試料室1602的俯視圖。藉由使靜電夾頭移動到靜電夾頭除電位置1601之後，自紫外光光源(圖未表示)，將紫外線照射到遮蔽構件1603上的紫外線照射區域1604(步驟1504)，產生已電離的殘留氣體進行除電。結束除電之後，通常應該回復到測定、檢測工程，使工件台移動到真空幫浦前的晶圓收取位置(步驟1505)。

紫外線照射區域1604設定的比遮蔽構件1603的遮蔽部還小，因此可一面避免對靜電夾頭之紫外線的直接照射、一面使已電離的殘留氣體選擇性的到達靜電夾頭。

第17圖是表示在紫外光源6之下方(靜電夾頭側(向著重力場的方向))設置遮蔽件1701的其他例之圖。在第17圖的例中，遮蔽構件1701與其他例相比為較簡單的構造。若藉由此種構成，就能一面以較簡單的構成來抑制直接照射的紫外光、一面使已電離的殘留氣體選擇性的到達靜電夾頭，但沒有如第7圖的遮蔽板7的外框，因此第7圖舉例所示的遮蔽板，但使殘留氣體選擇性的到達存在靜電夾頭的區域為更理想的構造。

第18圖是表示紫外光不會直接照射到靜電夾頭，使其產生已電離的殘留氣體之又另一構成的圖。紫外光1801是由試料室側照射到被紫外光照射部1802。在被紫外光照射部1802產生的已電離的殘留氣體，會由氣體供給口1803被供給到位在下方的靜電夾頭。即使藉由此種構成，仍可一面抑制直接的照射紫外光、一面使已電離的殘留氣體選擇性的到達靜電夾頭。但若由除電效應的均勻化之觀點來看的話，如第7圖等舉例所示，希望在紫外光之光軸、遮蔽構件的中心位置和靜電夾頭中心位置為位在同軸上的狀態下，進行紫外光照射。

1‧‧‧鏡筒

2‧‧‧試料室

3‧‧‧預備排氣室

4‧‧‧X-Y工件台(試料台)

5‧‧‧靜電夾頭

6‧‧‧紫外線光源

7‧‧‧遮蔽板

8‧‧‧紫外線照射區域

Claims (5)

1. 一種帶電粒子射線裝置，具備：帶電粒子源、保持照射從該帶電粒子源所放出的帶電粒子射線之試料的靜電夾頭機構、和包括該靜電夾頭機構的空間維持在真空狀態的試料室；其特徵為：具備：在從前述試料室搬出前述試料之後且搬入該試料到前述試料室之前用以對前述試料室內照射紫外光的紫外光源、和受到該紫外線照射且同時遮斷到達前述靜電夾頭的紫外線之被照射構件；該被照射構件，是配置在前述靜電夾頭的吸附面的垂線方向。
2. 如申請專利範圍第1項所記載的帶電粒子射線裝置，其中，具備：搭載前述靜電夾頭的試料台、和控制該試料台及紫外光源的控制裝置；該控制裝置是控制成當前述靜電夾頭定位在前述被照射部下時，由前述紫外光源照射紫外線。
3. 如申請專利範圍第1項所記載的帶電粒子射線裝置，其中，前述被照射構件具備：受到前述紫外線照射的被照射部；和在以該被照射部為中心的軸對稱具備複數個開口。
4. 如申請專利範圍第3項所記載的帶電粒子射線裝置，其中，前述被照射部具備：比前述紫外線的照射範圍還大的被照射面。
5. 如申請專利範圍第1項所記載的帶電粒子射線裝置，其中，具備：測量蓄積在前述靜電夾頭的電荷的控制 裝置；該控制裝置是當前述測量結果超過既定值時，實行使用前述紫外光源的除電。