TWI480693B - 使用光二聚化化學反應的光阻及利用該光阻製造有機發光二極體顯示器的方法 - Google Patents

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Description

使用光二聚化化學反應的光阻及利用該光阻製造有機發光二極體顯示 器的方法
本發明涉及一種使用光二聚化化學反應的高氟化光阻及利用該光阻製造有機發光二極體顯示器的方法。
當今，各種平板顯示裝置被開發，以用於克服陰極射線管之例如重量重和體積大的眾多缺陷。該平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)、場發射顯示器(Field Emission Display，FED)、電漿顯示面板(Plasma Display Panel，PDP)以及電致發光(Electroluminescence，EL)裝置。
第1圖為說明根據習知技術之具有主動開關元件(如，薄膜電晶體)的有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode Display，OLED)顯示器的結構的平面圖。第2圖為說明根據習知技術沿著第1圖中切割線I-I’的OLED顯示器的結構的剖視圖。
參見第1圖和第2圖，該OLED顯示器包含薄膜電晶體(Thin Film Transistor，TFT)基板以及帽部ENC，其中該TFT基板具有薄膜電晶體ST和DT以及有機發光二極體OLED，該有機發光二極體OLED連接至該等薄膜電晶體ST和DT並由該等薄膜電晶體ST和DT驅動，該帽部ENC利用其間的有機黏合劑POLY(未顯示)結合該TFT基板。該TFT基板包括開關薄膜電晶體ST、連接至該開關薄膜電晶體ST的驅動薄膜電晶體DT以及連接至該驅動薄膜電晶體DT的有機發光二極體OLED。
在透明基板SUB上，該開關薄膜電晶體ST形成於閘極線GL和資料線DL相互交叉之處。該開關薄膜電晶體ST選擇連接至該開關 薄膜電晶體ST的像素。該開關薄膜電晶體ST包括：自該閘極線GL分支的閘極電極SG；與該閘極電極SG重疊的半導體通道層SA；源極電極SS；以及汲極電極SD。該驅動薄膜電晶體DT驅動設置在由該開關薄膜電晶體ST選擇的像素處之有機發光二極體OLED的陽極電極ANO。該驅動薄膜電晶體DT包括閘極電極DG、半導體通道層DA、源極電極DS以及汲極電極DD，其中該閘極電極DG連接至該開關薄膜電晶體ST的汲極電極SD，該源極電極DS連接至該驅動電流線VDD。該驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD連接至該有機發光二極體OLED的陽極電極ANO。
作為一個實例，第2圖顯示了頂部閘極結構的薄膜電晶體。在該情況中，該開關薄膜電晶體ST和該驅動薄膜電晶體DT的半導體通道層SA和DA首先形成在基板SUB上並且該閘絕緣層GI覆蓋它們，然後該閘極電極SG和DG通過與該半導體通道層SA和DA的中心部分重疊而形成於其上。之後，在該半導體通道層SA和DA的兩側，該等源極電極SS和DS以及該等汲極電極SD和DD藉由穿透一絕緣層IN的接觸孔而往該處連接。該等源極電極SS和DS以及該等汲極電極SD和DD形成在該絕緣層IN上。
此外，在設置該像素區域的顯示區域周圍的外部區域，排列閘極墊GP、資料墊DP以及驅動電流墊VDP，其中該閘極墊GP形成在該閘極線GL的一端，該資料墊DP形成在該資料線DL的一端，該驅動電流墊VDP形成在該驅動電流線VDD的一端。設置鈍化層PAS以覆蓋具有該開關和驅動薄膜電晶體ST和DT的基板SUB的整個上表面。之後，形成該等接觸孔以暴露該閘極墊GP、該資料墊DP、該驅動電流墊VDP以及該驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD。在該基板SUB內的顯示區域之上塗佈一平面層PL。該平面層PL使該基板SUB的上表面的粗糙度處於更平滑狀態，以用於在該基板SUB的平滑和平面狀態下塗佈組成該有機發光二極體的有機材料。
在該平面層PL上，形成陽極電極ANO以通過該等接觸孔連接該驅動薄膜電晶體DT的汲極電極DD。另一方面，在無該平面層PL的顯示區域的外部區域處，形成閘極墊電極GPT、資料墊電極DPT以及驅動電流電極VDPT，該閘極墊電極GPT、該資料墊電極DPT以及該驅動電 流電極VDPT分別連接至通過該等接觸孔暴露的該閘極墊GP、該資料墊DP以及該驅動電流墊VDP。在該基板SUB上，形成堤岸(bank)BA以覆蓋除了該像素區域之外的顯示區域。最後，襯墊(spacer)SP可形成在該堤岸BA的一部分之上。
帽部ENC連接至該TFT基板。在該情況下，較佳的是，該TFT基板和該帽部ENC被其間的有機黏合劑完全密封。該閘極墊電極GPT和該資料墊電極DPT被暴露並可經由各種連接裝置連接至外部裝置。
隨著有機發光二極體顯示器需求增加及更先進的製造技術發展，高解析度和大面積的有機發光二極體顯示器的技術還有待發展。到目前為止，有一些用於形成有機發光二極體於大玻璃基板上的方法，例如精細金屬掩膜(Fine Metal Mask，FMM)圖案化技術、噴墨印刷技術及雷射圖案化技術。作為用於製造大面積有機發光二極體顯示器的可選方法，還可使用沉積一個具有圖案化的彩色濾光片層之大的白色有機發光二極體層的方法。
利用這些圖案化技術或方法，可製造具有大面積和高解析度的有機發光二極體顯示器。然而，產品收率及/或成本不適於批量生產。為了在大面積基板上製造高解析度的像素區域，最合理的方法是光刻法。當圖案化該有機發光材料時，使用該光刻法還存在一個嚴重問題。例如，該有機發光材料很容易被光阻本身及用於顯影及/或移除該光阻的溶劑破壞。
為了克服上述提及的缺陷，本發明的目的在於提供一種與有機發光材料相互影響較少的高氟化光阻，以及利用該光阻製造有機發光二極體顯示器的方法。本發明的另一個目的在於提供一種高氟化光阻及利用該光阻製造有機發光二極體顯示器的方法，其中該高氟化光阻通過蒽(anthracene)的光二聚化反應改變溶解性以最小化有機發光二極體材料的破壞。
在一實施例中，揭露了一種用於光阻的共聚物。該共聚物通過以下方法形成，該方法包括提供由結構式(1)表示的第一單體以及由結構式(2)表示的第二單體： 其中x：y為該第一單體與該第二單體的比例以及x：y選自x：y=1：0.1至x：y=1：1的範圍。該共聚物由該第一單體和該第二單體形成。
當該共聚物用作一光阻時，該光阻具有當暴露至具有365奈米(nm)波長的紫外光時該光阻變得不溶的特性。
在一實施例中，x：y選自x：y=1：0.19至x：y=1：0.77的範圍。在一些實施例中，x：y可為1：0.19，x：y可為1：0.25，x：y可為1：0.38，x：y可為1：0.58或x：y可為1：0.77。
在一實施例中，本發明包括一種用於製造有機發光二極體顯示器的方法，該方法包含：在一基板上形成一電極；在該電極上沉積一有機發光層；在該有機發光層上沉積一光阻，該光阻包括上述共聚物；通過一遮罩，藉由將該光阻暴露至紫外光，將該光阻圖案化為一圖案化的光阻；利用該圖案化的光阻，將該有機發光層圖案化為一圖案化的有機發光層；以及剝離該圖案化的光阻。
在一實施例中，本發明包括一種用於製造有機發光二極體顯 示器的方法，該方法包含：在一基板上形成一電極；在該電極上沉積一光阻，該光阻包括上述共聚物；通過一遮罩，藉由將該光阻暴露至紫外光，將該光阻圖案化為一圖案化的光阻；在該圖案化的光阻和該電極上沉積一有機發光層；以及移除該圖案化的光阻以及該圖案化的光阻上的有機發光層的部分。
在一實施例中，該紫外光具有365nm的波長。在一實施例中，利用一氟化溶劑圖案化該光阻。
根據本發明的高氟化光阻具有以下特性：該高氟化光阻通過蒽的光二聚化反應而改變它的溶解性並與有機發光材料相互影響較少。由於它沒有蒽，當顯影該光阻時不形成任何強酸材料。結果，通過利用該高氟化光阻與有機發光材料相互影響小，可製造在大面積基板上具有高解析度的有機發光二極體顯示器。此外，在用於製造根據本發明的有機發光二極體顯示器的方法中，由於當顯影該光阻及移除該光阻時可使用相同的材料，從而可簡化製造過程，降低成本，並且產品收率較高。
ANO‧‧‧陽極電極
BA‧‧‧堤岸
DA‧‧‧半導體通道層
DD‧‧‧汲極電極
DG‧‧‧閘極電極
DL‧‧‧資料線
DP‧‧‧資料墊
DPT‧‧‧資料墊電極
DS‧‧‧源極電極
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
EL‧‧‧有機發光層
ENC‧‧‧帽部
GI‧‧‧閘絕緣層
GL‧‧‧閘極線
GP‧‧‧閘極墊
GPT‧‧‧閘極墊電極
IN‧‧‧絕緣層
IPR‧‧‧不溶光阻
MA‧‧‧遮罩
OLED‧‧‧有機發光二極體顯示器
PAS‧‧‧鈍化層
PL‧‧‧平面層
POLY‧‧‧有機黏合劑
PR‧‧‧光阻
SA‧‧‧半導體通道層
SD‧‧‧汲極電極
SG‧‧‧閘極電極
SP‧‧‧襯墊
SPR‧‧‧可溶光阻
SS‧‧‧源極電極
ST‧‧‧開關薄膜電晶體
SUB‧‧‧基板
VDD‧‧‧驅動電流線
VDP‧‧‧驅動電流墊
VDPT‧‧‧驅動電流電極
UV1‧‧‧紫外光
所附圖式其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且與描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。圖式中：第1圖為說明根據習知技術利用薄膜電晶體的有機發光二極體顯示器的平面圖；第2圖為說明根據習知技術沿著第1圖中切割線I-I’切割的有機發光二極體顯示器的結構的剖視圖；第3圖為說明合成根據本發明之高氟化光阻的步驟的示意圖；第4圖為說明根據本發明通過紫外光的波長該高氟化光阻的溶解特性變化的示意圖；第5A圖至第5D圖為說明用於製造根據本發明第一實施例之有機發光二極體顯示器的方法的剖視圖；以及第6A圖至第6D圖為說明用於製造根據本發明第二實施例之有機發 光二極體顯示器的方法的剖視圖。
參見圖式解釋本發明的實施例。貫穿該詳細說明書相似的元件符號表示相似的元件。然而，本發明不限於這些實施例且在不改變技術精神內可應用各種變更或修飾。在以下實施例中，鑒於解釋方便選擇元件名稱，從而它們可不同於實際名稱。
首先，將解釋一種新型高氟化光阻。根據本發明的高氟化光阻包括一共聚物，該共聚物由以下兩個單體3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-十七氟癸丙烯酸異丁烯酯(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10-Heptadecafluorodecyl Methacrylate，FDMA)以及6-(9-蒽基)甲基丙烯酸己酯(6-(anthracene-9-yl)hexyl methacrylate，AHMA)合成： 其中x：y為合成該共聚物所用的單體FDMA與單體AHMA的比例。在一個實施例中，x：y選自x：y=1：0.1至x：y=1：1的範圍， 如下所述。在一個實施例中，FDMA具有532.19的分子量，以及AHMA具有346.46的分子量。
在一個實施例中，自FDMA和AHMA形成之所得的光阻共聚物為一統計或無規共聚物並使用以下化學式表示，其中r指的是該共聚物的無規性：
以下，參見第3圖，將解釋用於合成根據本發明的高氟化光阻共聚物的實例。以下說明僅為合成共聚物的一個實例，從而本發明不限於這個實例。第3圖為說明合成根據本發明之高氟化光阻的步驟的示意圖。
合成實例：化學式1所示的合成
1)6-(9-蒽基)己醇(6-(anthracen-9-yl)hexan-1-ol，AHOH)的合成。
將5-烯己酯(5-Hexenyl acetate)(2.00公克(g)，14.06毫莫耳(mmol))和9-硼雙環[3.3.1]壬烷(9-Borabicyclo[3.3.1]nonane，9-BBN)(0.5M的化合物於THF溶液(0.5M solution in THF))(25.21g，14.06mmol)置於250毫升(ml)的第一燒瓶中。接著，在室溫及氮氣(N2 )氣體條件下，執行攪拌過程3小時。在將3M的氫氧化鈉(NaOH)溶液(9.14ml)、9-溴蒽(9-Bromoanthracene)(3.30g，12.80mmol)以及無水THF(25立方公分(cm3 ))置於100ml的第二燒瓶之後，執行起泡過程3次。之後，將四(三苯基膦)鈀(Tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0))(Pd(PPh3)4)(0.44g，0.38mmol)加入第二燒瓶，接著再次執行起泡過程3次。在N2 氣體條件下，將第一燒瓶的5-烯己酯和9-BBN的混合物與第二燒瓶的混合物置於一起，從而在85℃的溫度下進行反應過程18小時。反應之後，將溫度降至室溫，然後添加蒸餾水(22.85ml)以及甲苯(57.14ml)，完成該反應。之後，利用氯化氫(HCl)，進行中和過程。使用乙酸乙酯(Ethyl Acetate，EA)和鹽水，對該中和 產物進行後處理(work-up)過程。利用硫酸鎂(MgSO4 )，移除水分。在純化該複合材料之後，利用己烷(30cm3 )和甲苯(10cm3 )進行重結晶過程。在過濾及在真空烘箱內乾燥該材料之後，得到黃色粉末合成(或複合)材料(2.78g,71%)。
2)AHMA的合成
將合成的6-(9-蒽基)己醇(AHOH)(2.78g,10.00mmol)、4-二甲氨基吡啶(Dimethylaminopyridine，DMAP)(1.830g,14.98mmol)、2,6-二叔丁基對甲酚(2,6-Di-Tert-butyl-4-methylphenol)(BHT)(聚合抑制劑，0.01g)、甲基丙烯酸酐(Methacrylic anhydride)(3.079g,1997mmol)以及無水二氯甲烷(Dichloromethane，DCM)(30cm3 )置於250ml的燒瓶中。在室溫下執行攪拌過程4小時。之後，添加甲醇(MeOH)(1cm3 )，並再次執行攪拌過程1小時。在純化該複合材料之後，得到淺黃色的油型合成材料(1.94g,56%)。
3)FDMA-AHMA共聚物的合成
將FDMA(4.00g)和AHMA(0.65g)置於25cm3 的管中。添加α,α,α-三氟甲苯(α,α,α-trifluorotoluene)(5.00cm3 )以及純化的偶氮二異丁腈(Azobisisobutyronitrile，AIBN)(0.048g)。密封該管之後，利用真空泵和N2 氣體，通過三個凍融循環(freeze-thaw cycle)執行N2 取代過程。在氮取代之後，在N2 氣體條件下，將該溶液於72℃的溫度下攪拌12小時。之後，利用己烷執行沉澱過程，並且該溶劑於真空烘箱中被去除，產生白色粉末合成材料(3.834g)。
在其他實施例中，使用相同固定質量的FDMA(4.00g)但不同質量的AHMA(例如：0.50g、1.00g、1.50g和2.00g的AHMA質量)合成該FDMA-AHMA共聚物。下表說明了合成該FDMA-AHMA共聚物所用的FDMA和AHMA的不同結合：
表1的每個FDMA-AHMA共聚物被檢測並發現具有相同的光學特性。具體地，用作新型合成高氟化光阻的共聚物的光學特性顯示於第4圖中。第4圖為說明根據本發明通過紫外光的波長該高氟化光阻的溶解特性變化的示意圖。參見第4圖，僅在合成之後，該新型高氟化光阻溶於氫氟醚(Hydrofluoroethers，HFEs)。然而，在暴露至365nm波長的紫外光之後，高氟化光阻的結構改變，從而它不溶於氫氟醚。
以下，參見第5A圖至第5D圖，現解釋用於製造根據本發明實施例之有機發光二極體顯示器的方法。第5A圖至第5D圖為說明用於製造根據本發明第一實施例之有機發光二極體顯示器的方法的剖視圖。
在基板SUB上，沉積陽極電極ANO。對於主動型有機發光二極體顯示器的情況，如第1圖和第2圖所示，可首先形成薄膜電晶體。之後，形成陽極電極ANO以連接至薄膜電晶體的汲極電極。由於本實施例涉及圖案化有機發光材料的方法，因此可能無法詳細提及包括薄膜電晶體的顯示器的其他元件的說明。
如第5A圖所示，在陽極電極ANO上，沉積一有機發光材料以形成有機發光層EL。在有機發光層EL上，沉積高氟化光阻PR。在將具有預定遮罩圖案的遮罩MA置於光阻PR之上後，將具有365nm波長的第一紫外光UV1照射遮罩MA之上。然後，根據遮罩MA的圖案，光阻PR的一部分被暴露至第一紫外光UV1，並且光阻PR的另一部分未被第一紫外光UV1影響。由於高氟化光阻PR的特性，被第一紫外光UV1曝光的光阻PR的部分變為不溶光阻IPR。反之，未被第一紫外光UV1曝光的部分未改變並保持為可溶光阻SPR。
在曝光之後，使用一氟化溶劑(如：氫氟醚)顯影光阻PR，可移除可溶光阻SPR。然而，不溶光阻IPR仍保留在有機發光層EL上，如第5B圖所示。
利用不溶光阻IPR作為遮罩，有機發光層EL被圖案化。因此，有機發光層EL可形成與不溶光阻IPR相同的圖案，如第5C圖所示。
之後，利用一化學塗層剝除劑，移除不溶光阻IPR，如第 5D圖所示。在根據本發明的第一實施例的光刻製程中，不溶光阻IPR通過遮罩MA的圖案形成在有機發光層EL上，並且根據不溶光阻IPR的形狀圖案化有機發光層EL。
以下，參見第6A圖至第6D圖，將解釋用於製造根據本發明第二實施例之有機發光二極體顯示器的方法。第6A圖至第6D圖為說明用於製造根據本發明第二實施例之有機發光二極體顯示器的方法的剖視圖。
在基板SUB上，沉積陽極電極ANO。對於主動型有機發光二極體顯示器的情況，如第1圖和第2圖所示，可首先形成薄膜電晶體。之後，形成陽極電極ANO以連接至薄膜電晶體的汲極電極。由於本實施例涉及圖案化有機發光材料的方法，可能無法詳細提及包括薄膜電晶體的顯示器的其他元件的說明。
如第6A圖所示，在陽極電極ANO上，沉積根據本發明的高氟化光阻PR。在將具有預定遮罩圖案的遮罩MA置於光阻PR之上後，將具有365nm波長的第一紫外光UV1照射遮罩MA之上。然後，根據遮罩MA的圖案，光阻PR的一部分被暴露至第一紫外光UV1，並且光阻PR的另一部分未被第一紫外光UV1影響。由於根據本發明的光阻PR的特性，被第一紫外光UV1曝光的部分可變為不溶光阻IPR。反之，未被第一紫外光UV1曝光的部分未改變並保持為可溶光阻SPR。
在曝光之後，使用一氟化溶劑(如氫氟醚)顯影光阻PR，可移除可溶光阻SPR。然而，不溶光阻IPR仍保留在有機發光層EL上，如第6B圖所示。
藉由沉積一有機發光材料於不溶光阻IPR和基板SUB的整個表面之上，可形成有機發光層EL，如第6C圖所示。即使圖式中未顯示，但是不溶光阻IPR可在其邊緣處具有倒錐形形狀。
在沉積有機發光層EL之後，不溶光阻IPR被剝離。同時，沉積在可溶光阻IPR上的有機發光層EL部分也被移除。結果，連接陽極電極ANO的有機發光層EL部分保留，從而完成圖案化，如第6D圖所示。在本發明的第二實施例中，當顯影光阻時，可使用高氟化溶劑(如氫氟醚)。此外，在根據本發明的第二實施例的光刻製程中，被遮罩MA暴露的光阻 IPR的暴露部分保留，並且有機發光層EL形成為與不溶光阻IPR反轉的圖案。
在本發明的第一和第二實施例中，藉由利用高氟化光阻圖案化有機發光層，解釋了用於製造有機發光二極體顯示器的方法。該有機發光材料可包括發紅色、綠色或藍色光的材料或者包括發白色光的材料。例如，對於白色光的情況，一彩色濾光片沉積在該有機發光材料層上，並且利用根據本發明的高氟化光阻圖案化該彩色濾光片。
在藉由圖案化光阻而無需使用一光產酸劑(Photo Acid Generator，PAG)的圖案化製程期間，根據本發明的製造方法阻止有機發光材料破壞。此外，根據本發明的光阻可不僅用於圖案化有機發光材料，還可用於圖案化其他層。
參見圖式已詳細描述本發明的實施例，熟悉本領域的人員可以理解的是在不改變本發明的技術精神或基本特徵下本發明可實施其他特定形式。因此，應注意的是，前述實施例在各方面僅僅是說明性的並不被解釋為限制本發明。本發明的範圍通過所附申請專利範圍而不是本發明的詳細說明所定義。該等申請專利範圍的含義及範圍內進行的所有變更或修飾或其等量應被解釋為落入本發明的範圍內。
【本案指定代表圖】：第(3)圖。

Claims (15)

  1. 一種通過下述方法形成的光阻的共聚物，該方法包含：提供由結構式(1)表示的一第一單體以及由結構式(2)表示的一第二單體；以及 自該第一單體和該第二單體形成該共聚物，其中x：y為該第一單體與該第二單體的比例以及x：y選自x：y=1：0.1至x：y=1：1的範圍。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y選自x：y=1：0.19至x：y=1：0.77的範圍。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y為1：0.19。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y為1：0.25。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y為1：0.38。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y為1：0.58。
  7. 依據申請專利範圍第1項所述的共聚物，其中x：y為1：0.77。
  8. 一種用於製造有機發光二極體顯示器的方法，包含：在一基板上形成一電極；在該電極上沉積一有機發光層；在該有機發光層上沉積一光阻，該光阻包括一共聚物，該共聚物由以下方法形成，該方法包含：提供由結構式(1)表示的第一單體以及由結構式(2)表示的第二單體；以及 自該第一單體和該第二單體形成該共聚物，其中x：y為該第一單體與該第二單體的比例以及x：y選自x：y=1：0.1至x：y=1：1的範圍； 利用一遮罩，藉由將該光阻暴露至紫外光，將該光阻圖案化為一圖案化的光阻；利用該圖案化的光阻，將該有機發光層圖案化為一圖案化的有機發光層；以及剝離該圖案化的光阻。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中該紫外光具有365nm的波長。
  10. 依據申請專利範圍第8項之用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中該光阻係利用一氟化溶劑而圖案化。
  11. 依據申請專利範圍第8項之用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中x：y選自x：y=1：0.19至x：y=1：0.77的範圍。
  12. 一種用於製造有機發光二極體顯示器的方法，包含：在一基板上形成一電極；在該電極上沉積一光阻，該光阻包括一共聚物，該共聚物由以下方法形成，該方法包含：提供由結構式(1)表示的一第一單體以及由結構式(2)表示的一第二單體 ；以及 自該第一單體和該第二單體形成該共聚物，其中x：y為該第一單體與該第二單體的比例以及x：y選自x：y=1：0.1至x：y=1：1的範圍；利用一遮罩，藉由將該光阻暴露至紫外光，將該光阻圖案化為一圖案化的光阻；在該圖案化的光阻和該電極上沉積一有機發光層；以及移除該圖案化的光阻以及在該圖案化的光阻上的部分該有機發光層。
  13. 依據申請專利範圍第12項所述之用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中該紫外光具有365nm的波長。
  14. 依據申請專利範圍第12項用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中該光阻係利用一氟化溶劑而圖案化。
  15. 依據申請專利範圍第12項所述之用於製造有機發光二極體顯示器的方法，其中x：y選自x：y=1：0.19至x：y=1：0.77的範圍。
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