TWI480541B - 晶圓之圖案檢查方法及裝置 - Google Patents

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TWI480541B TW098133424A TW98133424A TWI480541B TW I480541 B TWI480541 B TW I480541B TW 098133424 A TW098133424 A TW 098133424A TW 98133424 A TW98133424 A TW 98133424A TW I480541 B TWI480541 B TW I480541B
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Description

晶圓之圖案檢查方法及裝置
本發明係關於檢查晶圓圖案之圖案檢查方法及裝置。
自先前以來，已知例如如日本特開平5-281151所示之晶圓之圖案檢查裝置，其具備：輸入晶圓之檢查圖像之機構；比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之原版圖像之機構；由比較圖像之差異量判斷晶圓良否之機構；當前述差異量在特定值以下時，將前述輸入之檢查圖像作為新的原版圖像予以記憶之機構；及輸出前述良否之判斷結果之機構。
但，先前之圖案匹配檢查中若圖案差異較大，則無法檢查。其原因為，差異量過大，有判斷結果經常變為「否」之虞。
另一方面，現狀也有因製造程序之不同，而以圖案不同之晶圓，即圖案偏差、顏色不均等不同之晶圓成為檢查對象之情況。
另，也有因製品不同，而有圖案之差異不成為品質、性能上問題之情形。如此之製品在晶圓圖案匹配檢查中無法適當地檢查。
另一方面，圖案不同之晶圓之情形下，關於差異，若使利用學習處理之參考圖像之平均化與檢查靈敏度較寬鬆，則可進行某種程度的檢查。
但，利用差異之學習處理之參考圖像之平均或檢測靈敏度若過於寬鬆，則缺陷檢測性降低。
並且，自動進行學習處理時，難以保證期望的缺陷檢測性。
本發明之課題為提供一種晶圓之圖案檢查方法及裝置，而可對於圖案不同之晶圓進行自動學習作用。
若例示用以解決前述問題之本發明之解決方式，則為如下所示。
(1)一種晶圓之圖案檢查方法，其特徵係具備下列步驟：輸入作為檢查對象之晶圓之圖案或晶片之檢查圖像，比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之參考圖像，由比較圖像之差異量，以判斷圖案或晶片良否；其中，當檢查中良品率下降至一定的臨界值以下時，利用檢查中之圖案或晶片之圖像再度進行學習處理，作成新的參考圖像，或以學習處理學習圖案後，尋找均勻之圖案，若為均勻之圖案部分，則以圖案匹配檢查以外之間距檢查等之檢查進行晶圓之檢查，或以均勻之圖案部分同時進行圖案匹配檢查與間距檢查，由間距檢查之結果決定圖案匹配檢查之靈敏度，以決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
(2)一種晶圓之圖案檢查裝置，其特徵係具備輸入作為檢查對象之晶圓之圖案或晶片之檢查圖像之機構；比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之參考圖像之機構；具有基於比較結果判斷晶圓良否之判斷機構之運算處理機構；其中，該運算處理機構，在檢查中良品率下降至一定的臨界值以下時，利用檢查中之圖案或晶片之圖像再度進行學習處理，作成新的參考圖像，或以學習處理學習圖案後，尋找均勻之圖案，若為均勻之圖案部分，則以圖案匹配檢查以外之間距檢查等之檢查進行晶圓之檢查，或以均勻之圖案部分同時進行圖案匹配檢查與間距檢查，由間距檢查之結果決定圖案匹配檢查之靈敏度，以決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
即使於與原來之參考之圖案偏差、顏色斑駁有較大差異之圖案或間距時，亦可判斷是否為作為晶圓不會成為製品性能上問題之良品，可保持檢查之作業效率、原來良品率之維持。
以下說明用以實施本發明之最佳形態。
(1)檢查中大量地發生過度檢測時(良品率極端下降時)，再次進行學習處理。若詳述，則係以學習處理學習圖案後尋找均勻之圖案，若為均勻之圖案部分，則以間距檢查等之圖案匹配檢查以外之檢查，進行晶圓之檢查。
(2)以均勻圖案部分同時進行圖案匹配檢查與間距檢查，由間距檢查之結果決定圖案匹配檢查之靈敏度。
(3)以如前述決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
由於如此，即使圖案有較大差異之情形，亦可判斷是否為作為晶圓不成為製品性能上問題之良品，而可保持檢查之作業效率、原來良品率之維持。
良品率極端地下降成為一定的臨界值以下時，再次進行學習處理，但其一定的臨界值，可由裝置之使用者任意地設定(例如90~95%間之良品率)。其中，特定的臨界值，可僅固定於1個期望值，可僅固定最低值，亦可使期望值成為可變而對應於必要加以調整。例如，亦可將最低值固定為90%，設定其以上之任意臨界值(例如95%)。尤其較好可對應於檢查對象調整至期望之臨限值。
本發明係改良晶圓之圖案檢查方法及裝置者，其具備下列步驟：輸入晶圓之圖案或晶片之檢查圖像，比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之參考圖像，由比較圖像之差異量，判斷晶圓良否。
本發明中，檢查中良品率極端地下降成為特定值(例如90%或95%，或其他值)以下時，利用檢查中之圖案或晶片之圖像再度進行學習處理，作成新的參考圖像，或以學習處理學習圖案後，尋找均勻之圖案，若為均勻之圖案部分，則以圖案匹配檢查以外之間距檢查等之檢查進行晶圓之檢查，或以均勻之圖案部分同時進行圖案匹配檢查與間距檢查，由間距檢查之結果決定圖案匹配檢查之靈敏度，以決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
 實施例
參照附圖，說明本發明之較佳實施例。
圖1係顯示本發明中實施晶圓之圖案(外觀)檢查方法之較適宜外觀檢查裝置10。
圖1(A)中，外觀檢查裝置10係用於判斷例如如圖1(B)所示之於半導體晶圓11上排列形成之多數半導體晶片11a中所形成之各個電路圖案之缺陷是否在容許範圍內。以下，以使用於檢查在半導體晶圓11上所形成之半導體晶片11a為例說明本發明。
外觀檢查裝置10，如圖1(A)所示，具備光學攝影機構10a及控制該光學攝影機構之動作且用以對由該光學攝影機構10a所得之圖像資訊進行運算處理之控制運算機構10b。
光學攝影機構10a，具有：設有保持半導體晶圓11之台12a之移動部12；用以使該移動部之台12a在XY平面上，於X軸方向、Y軸方向移動，繞著Z軸旋轉之驅動器13；藉由照明部14之照明下，用以對台12a上之於半導體晶圓11上所形成之期望的半導體晶片11a之表面圖像進行攝影之攝像部15。該攝像部15。如先前所知，以如CCD攝像元件及其光學系統所構成。
控制運算機構(運算處理部)10b具有運算處理電路16，該運算處理電路16可藉由例如按照記憶於記憶體17之程式動作之中央處理裝置(CPU)所構成。運算處理電路16，通過控制電路18，控制光學攝影機構10a之驅動器13、照明部14及攝像部15之各動作，另，依據記憶體17中所儲存之資訊對由攝像部15所得之圖像實施缺陷檢測處理。
該運算處理電路16，設有區域設定部16a，用以將藉由攝像部15所得之圖像之檢查區域區劃成複數區域；缺陷抽出部16b，其藉由比較前述圖像之檢查區域與檢查用之模版而抽出缺陷部位；判斷部16c，其判斷由該缺陷抽出部所抽出之缺陷部位是否在容許內；學習機能部16d，其在為容許內但有作為製品無性能上問題之圖案偏差時，以其偏差之圖案之圖像或晶片之圖像或以該等之平均圖像作為參考圖像(參考圖像或基準圖像)加以學習。
另，運算處理電路16，連接有具有例如以液晶或CRT構成之顯示部之終端機19，與以例如鍵盤及滑鼠等所構成之輸入部20。終端機19可顯示以攝像部15攝影之圖像及以運算處理電路16處理之圖像，且顯示必須操作光學攝影機構10a之資訊。基於該等終端機19中顯示之資訊，可自輸入部20適當輸入必須操作外觀檢查裝置10之命令。
攝像部15對參考圖像(參考圖像或基準圖像)及被檢查體用之圖像進行攝影。自由攝像部15所攝影之半導體晶片11a之表面圖像，切出期望之檢查區域，顯示於終端機19上。
圖2中，左側之圖像係如前述切出之檢查區域之顯示畫面21A之一例。該顯示畫面21A係顯示半導體晶片11a係記憶體晶片之例。
圖6顯示圖案圖像、晶片圖像。表面圖像中，於星號即★記號所示處觀察到缺陷部位。所觀察之缺陷，為電路圖案上之異物附著或電路圖案之部分缺損等之缺陷。
參考圖像(基準圖像)，係自由半導體晶圓11之各半導體晶片11a所得之前述表面圖像21A中，選擇由缺損或異物所成之前述缺陷較少之最優質半導體晶片11a之表面圖像(21A)或平均圖像，以此作為參考圖像(基準圖像)而使用。該參考圖像(基準圖像)，與檢查對象即被檢查體之其他半導體晶片11a之表面圖像21A，藉由運算處理電路16加以比較以抽出缺陷。
運算處理電路16，如先前所知，進行參考圖像(基準圖像)與被檢查體之半導體晶片11a之圖像比較。就圖案圖像全體或圖案圖像中之一部分晶片圖像，就參考圖像(基準圖像)與被檢查體之圖案全體或晶片，進行靈敏度調整。
此時，作為前處理，進行用以除去藉由照明部14引起之照明不均之遮蔽處理；用以促進邊緣明確化之多值化處理；用於減低邊緣檢測時圖案之粗密或圖像濃淡之影響之色調變換處理；使用用以使識別圖案變容易之色度變換或用以除去雜訊之膨脹/收縮過濾器之膨脹/收縮處理等。該等處理，可以先前已知之方法實施。此等可適宜地選擇並組合。
運算處理電路16，係對參考圖像(基準圖像)與被檢查體之施加圖像前處理之圖像進行比較，由圖案之粗密或圖像之濃淡、色度等，利用參考圖像(基準圖像)調整檢測靈敏度。
以下，說明最合適之檢查順序之一例。
如圖2所示，於圖案匹配檢查中，事前登記成為比較對象之圖像。
首先，作成成為檢查基準之參考圖像(基準圖像)(作成處理方法)。此時，參考圖像(基準圖像)，如圖2之左側所示，為例如1晶片。但亦可以是複數之晶片圖像為一組作為基準圖像。
於裝置之與運算處理部另外設置之記憶部(記憶體)中，記憶該參考圖像(基準圖像)，通過運算處理部之學習機能進行學習。學習後，如圖2之右側所示，以平均圖像作為參考圖像(基準圖像)並記憶於記憶部。
其結果，如圖3所示，左側之圖案由於與參考圖像(基準圖像)一致，因此判斷為檢查OK，但右側之圖案，由於圖案與參考圖像(基準圖像)不同，因此判斷為檢查NG。
但此時，由於圖案偏差，因此檢查之晶圓之圖案(或晶片)成為NG，但稍微圖案偏差有於作為製品時不成為問題而成為OK者。因此，若良品率(與基準圖像差異量較少之良品所佔之比例)下降至特定值以下，則自動地重作參考圖像(基準圖像)。例如，以約97%之良品率持續圖案檢查作業中，於良品率突然下降至95%時，若臨界值設定為95%，則自動地重作參考圖像(基準圖像)，以其良品率再開圖案檢查。
如圖4所示，使左側之變更前之參考成為右側之參考(再學習，平均圖像變更)。例如良品率下降至95%時，可將作為製品不成為問題之有偏差之晶圓之圖案(或晶片)作為基準圖像重作參考圖像。變更平均圖像，再學習參考圖像(基準圖像)，以此參考圖像(基準圖像)作為基本再次進行晶圓之圖案或晶片之檢查。
如圖5所示，若修正參考圖像(基準圖像)，則即使與參考圖像修正前之圖案不同，檢查結果亦成為OK。
根據本發明，較好在例如良品率比最低之90%小，例如為85%，或下降至其他特定值時馬上進行再學習處理，重作參考圖像(基準圖像)。
再者，本發明中，不限於一定的固定良品率(95%或其他設定值)，作業者可在特定的最低良品率(例如90%，但不限於此)為止之範圍內以任意臨界值自由地再學習之方式，調整學習機能。
又，較好具有以參考圖像(基準圖像)作為基本進行圖案匹配檢查同時自動調整檢測靈敏度之機能之運算控制部。此處，所謂靈敏度調整，意指比較圖案匹配檢查與間距檢查之檢測性而自動決定靈敏度之機能。
如圖6所示，圖案匹配檢查，通常，如左側所示，使晶片全體與參考圖像(基準圖像)之全體進行比較，進行一致與否之檢查，但較好如右側所示，亦同時在檢查圖像內僅對圖案中均勻之圖案部分進行比較檢查之間距檢查。
較好，比較圖案匹配檢查之結果與間距檢查之結果，以可檢測相同缺陷之方式調整圖案匹配檢查之靈敏度。以相同檢查圖像，進行圖案匹配檢查與間距檢查，以缺陷檢測性能大致成為相同之方式，調整圖案檢查之檢測靈敏度。
再者，圖案匹配檢查雖可檢查晶片全體，但間距檢查通常只檢查均勻圖案部分。
圖7顯示流程。
該圖示例中，以第一片晶圓作成檢查方法，進行晶圓檢查。良品率比設定之值(例如90%)更低時，以檢查中之晶圓進行學習處理。以再學習後之參考圖像(基準圖像)為基本進行再次檢查。將再學習後之參考圖像(基準圖像)之檢查結果作為晶圓檢查結果加以保存，並結束檢查。
對於圖案產生偏差之晶片較好進行如下對應。
即使每個批次或每個晶圓圖案有偏差之情況，亦有可能成為良品。圖案產生偏差後，對所發生之晶片重新學習處理並進行重新檢查。
再者，以裝置自動判斷良品率下降之原因是否為圖案偏差並不容易，但較佳為於良品率變成特定的臨界值以下後重作學習處理並檢查。
本發明較佳之樣態為，良品率低於特定臨界值時重作學習處理。
實驗例中，若良品率下降時進行再次學習處理並檢查，則可大幅抑制圖案偏差之過度檢出地加以檢查。
再者，依據晶圓而異，而有藉由學習之檢測性能下降者。例如，顏色不均過甚之晶圓或於相同位置缺陷連續之晶圓等，顯著地出現檢測性能之下降，但即使該等晶圓中，與間距檢查併用，藉由進行檢測靈敏度之調整，可將作為製品其性能上不成問題之圖案或晶片判斷為良品，而可保持檢查之作業效率，維持原本之良品率。
10．．．外觀檢查裝置
10a．．．光學攝影機構
10b．．．控制運算機構
11．．．半導體晶圓
11a．．．半導體晶片
12．．．移動部
12a．．．台
13．．．驅動器
14．．．照明部
15．．．攝像部
16．．．運算處理電路
16a．．．區域設定部
16b．．．缺陷抽出部
16c．．．判斷部
17．．．記憶體
18．．．控制電路
19．．．終端機
20．．．輸入部
21A．．．畫面
圖1(A)、(B)係顯示本發明之晶圓之圖案檢查裝置之概略圖；
圖2係用以說明作成處理程式(參考)之圖；
圖3係用以說明本發明中作為對象之發生圖案偏差之晶片之圖；
圖4係用以說明藉由再學習作成參考圖像之圖；
圖5係用以說明再學習後檢查之圖；
圖6係用以說明圖案檢查與間距檢查差異之圖；及
圖7係顯示流程圖。
10．．．外觀檢查裝置
10a．．．光學攝影機構
10b．．．控制運算機構
11．．．半導體晶圓
11a．．．半導體晶片
12．．．移動部
12a．．．台
13．．．驅動器
14．．．照明部
15．．．攝像部
16．．．運算處理電路
16a．．．區域設定部
16b．．．缺陷抽出部
16c．．．判斷部
17．．．記憶體
18．．．控制電路
19．．．終端機
20．．．輸入部

Claims (2)

  1. 一種晶圓之圖案檢查方法，其特徵為具備下列步驟：輸入作為檢查對象之晶圓之圖案或晶片之檢查圖像；比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之參考圖像，並檢查是否一致；及藉由比較圖像之差異量來判斷晶圓之良否；其中，當檢查中良品率下降至特定的臨界值以下時，將檢查中之圖案或晶片之圖像作為參考圖像來使用並再度進行學習處理以自動地重作參考圖像，此時，將具有圖案雖有偏差但製品之性能上不成為問題之偏差的晶圓之圖案作為參考圖像使用並再學習；基於再學習之上述參考圖像來進行圖案檢查及間距檢查；以圖案檢查之結果與間距檢查之結果來決定圖案檢查之靈敏度，以所決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
  2. 一種晶圓之圖案檢查裝置，其特徵為具備：輸入作為檢查對象之晶圓之圖案或晶片之檢查圖像之機構；比較所輸入之檢查圖像與預先記憶之參考圖像，並檢查是否一致之機構；及具有基於比較結果來判斷晶圓之良否之判斷機構的運算處理機構；其中，在檢查中良品率下降至特定的臨界值以下時，將檢查中之圖案或晶片之圖像作為參考圖像來使用並再度進行學習處理以自動地重作參考圖像，此時，將具有圖案雖有偏差但製品之性能上不成為問題之偏差的晶圓之圖案作為參考圖像使用並再學習； 基於再學習之上述參考圖像來進行圖案檢查及間距檢查；以圖案檢查之結果與間距檢查之結果來決定圖案檢查之靈敏度，以所決定之靈敏度檢查晶圓全面之圖案或晶片。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5941782B2 (ja) * 2012-07-27 2016-06-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ マッチング処理装置、マッチング処理方法、及びそれを用いた検査装置
WO2014038419A1 (ja) * 2012-09-05 2014-03-13 コニカミノルタ株式会社 光学特性測定装置、プログラム、および制御装置
KR101661023B1 (ko) * 2014-07-23 2016-09-29 에스엔유 프리시젼 주식회사 패턴의 결함 검사 방법
US10186028B2 (en) * 2015-12-09 2019-01-22 Kla-Tencor Corporation Defect signal to noise enhancement by reducing die to die process noise
CN105702597B (zh) * 2016-02-05 2019-03-19 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 多工作台或多腔体检测系统
US10192302B2 (en) * 2016-05-25 2019-01-29 Kla-Tencor Corporation Combined patch and design-based defect detection
WO2020071234A1 (ja) * 2018-10-05 2020-04-09 日本電産株式会社 画像処理装置、画像処理方法、外観検査システムおよびコンピュータプログラム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004202356A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Alps Electric Co Ltd 振動発生器
JP2008014717A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査システムおよび欠陥検査方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0416752A (ja) * 1990-05-11 1992-01-21 Toshiba Corp 欠陥検査装置
JPH11326231A (ja) * 1998-05-21 1999-11-26 Hitachi Electron Eng Co Ltd パターン付きウエハの異物検査装置
JP4079250B2 (ja) * 2002-06-17 2008-04-23 株式会社北電子 印刷物検査方法及び装置
DE102004055250A1 (de) * 2004-11-16 2006-05-18 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Verfahren zur Inspektion eines Wafers
JP2006226792A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Fujitsu Ltd パターン欠陥検査方法
JP4703327B2 (ja) * 2005-09-15 2011-06-15 株式会社東京精密 画像欠陥検査装置及び画像欠陥検査方法
JP2007147376A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Nikon Corp 検査装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004202356A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Alps Electric Co Ltd 振動発生器
JP2008014717A (ja) * 2006-07-04 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査システムおよび欠陥検査方法

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