KR20110090901A

KR20110090901A - 웨이퍼의 패턴 검사 방법 및 장치

Info

Publication number: KR20110090901A
Application number: KR1020117009386A
Authority: KR
Inventors: 다쿠토 가미무라; 다카시 이토; 다카아키 이시이
Original assignee: 가부시키가이샤 토프콘
Priority date: 2008-10-16
Filing date: 2009-09-30
Publication date: 2011-08-10
Also published as: JP5460023B2; WO2010044358A1; TW201024716A; TWI480541B; JP2010117132A; CN102177429B; CN102177429A

Abstract

웨이퍼 패턴 검사 방법 및 장치는, 검사 대상인 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하고, 입력한 검사 화상과 미리 기억된 레퍼런스 화상을 비교하여, 비교 화상의 상위량으로부터 패턴 또는 칩의 양부를 판정하는 단계를 구비한다. 검사중에 양품율이 소정의 역치 이하로 저하한 경우, 어긋난 패턴 또는 칩의 화상으로 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성한다. 그리고 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 패턴 매칭 검사 이외의 피치 검사 등의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사한다.

Description

웨이퍼의 패턴 검사 방법 및 장치{METHOD AND DEVICE FOR INSPECTING WAFER PATTERN}

본 발명은, 웨이퍼의 패턴을 검사하는 패턴 검사 방법 및 장치에 관한 것이다.

종래로부터, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평성5-281151에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼의 검사 화상을 입력하는 수단과, 입력한 검사 화상과 미리 기억된 마스터 화상을 비교하는 수단과, 비교 화상의 상위량(相違量)으로부터 웨이퍼의 양부(良否)를 판정하는 수단과, 상기 상위량이 소정치 이하일 때에, 상기 입력된 검사 화상을 새로운 마스터 화상으로서 기억하는 수단과, 상기 양부의 판정 결과를 출력하는 수단을 구비한 웨이퍼 패턴 검사 장치가 알려져 있다.

그러나, 종래의 패턴 매칭 검사에서는 패턴이 크게 다르면, 검사가 불가능하였다. 왜냐하면, 상위량이 너무 커서, 판정 결과가 항상 불량이 되어 버릴 우려가 있었기 때문이다.

한편, 현 상황에서는 제조 프로세스에 따라서 패턴이 다른 웨이퍼, 즉 패턴의 어긋남, 색불균일 등이 다른 웨이퍼가 검사 대상이 되는 경우가 있다.

또한, 제품에 따라서는 패턴의 차이가 품질, 성능상 문제가 되지 않는 경우가 있다. 이러한 제품은 웨이퍼의 패턴 매칭 검사로는 적정하게 검사할 수 없다.

다른 한편, 패턴이 다른 웨이퍼의 경우, 차이에 대하여 학습 처리에 의한 레퍼런스 화상의 평균화와 검사 감도를 완화시키면, 어느 정도 검사를 행할 수 있다.

그러나, 차이의 학습 처리에 의한 레퍼런스 화상의 평균화나 검출 감도를 너무 완화시키면, 결함 검출성이 저하해 버린다.

게다가, 학습 처리를 자동으로 행할 경우, 원하는 결함 검출성을 보증하는 것이 어렵다.

본 발명의 과제는, 패턴이 다른 웨이퍼에 대하여 자동 학습 기능을 가능하게 하는 웨이퍼 패턴 검사 방법 및 장치를 제공하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 해결 수단을 예시하면, 다음과 같다.

(1)검사 대상인 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하고, 입력한 검사 화상과 미리 기억되어 있던 레퍼런스 화상을 비교하여, 비교 화상의 상위량으로부터 웨이퍼의 양부를 판정하는 단계를 구비한 웨이퍼의 패턴 검사 방법으로서,

검사중에 양품율이 소정의 역치 이하로 저하한 경우, 검사중의 패턴 또는 칩의 화상을 이용하여 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성하거나, 또는, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 패턴 매칭 검사 이외의, 피치 검사 등의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 피치 검사의 결과로부터 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 패턴 검사 방법.

(2)검사 대상인 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하는 수단과, 입력한 검사 화상과 미리 기억되어 있던 레퍼런스 화상을 비교하는 수단과, 비교한 결과에 기초하여 웨이퍼의 양부를 판정하는 판정수단을 가진 연산 처리 수단을 구비한 웨이퍼의 패턴 검사 장치로서,

연산 처리 수단은, 검사중에 양품율이 소정의 역치 이하로 저하한 경우, 검사중의 패턴 또는 칩의 화상을 이용하여 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성하거나, 또는, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 패턴 매칭 검사 이외의, 피치 검사 등의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 피치 검사의 결과로부터 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 패턴 검사 장치.

본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태를 이하에 설명한다.

(1)검사중에 과잉 검출이 대량으로 발생한 경우(양품율이 극단적으로 저하한 경우), 학습 처리를 재차 행한다. 상세히 서술하면, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 피치 검사 등의 패턴 매칭 검사 이외의 검사로 웨이퍼의 검사를 행한다.

(2)균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 피치 검사의 결과로부터 패턴 매칭 검사의 감도를 결정한다.

(3)상기와 같이 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사한다.

이와 같이 함으로써, 패턴이 크게 다른 경우에도, 제품의 성능상 문제가 되지 않는 웨이퍼로서 양품을 판정하여, 검사의 작업 효율, 본래의 양품율의 유지를 보증할 수 있다.

양품율이 극단적으로 저하하여 소정의 역치 이하가 되는 경우, 학습 처리를 재차 행하지만, 그 소정의 역치는, 장치의 사용자가 임의로 설정 가능하다(예를 들면 90∼95%의 사이의 양품율). 다만, 소정의 역치는, 1개의 소망의 값에만 고정해도 좋고, 최저의 값만을 고정해 두고, 소망의 값을 가변으로 해 두어 필요에 따라서 조정하도록 해도 좋다. 예를 들면, 최저의 값을 90%에 고정하고, 그 이상의 임의의 역치(예를 들면 95%)을 설정하도록 해도 좋다. 특히, 검사 대상에 따라 소망의 역치로 조정하는 것을 가능하게 하는 것이 바람직하다.

본 발명은, 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하고, 입력한 검사 화상과 미리 기억되어 있던 레퍼런스 화상을 비교하여, 비교 화상의 상위량에 의해서 웨이퍼의 양부를 판정하는 단계를 구비한 웨이퍼의 패턴 검사 방법 및 장치를 개량한 것이다.

본 발명에서는, 검사중에 양품율이 극단적으로 저하하여 소정치(예를 들면 90%나 95%, 혹은 다른 값) 이하가 된 경우, 검사중의 패턴 또는 칩의 화상으로 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성하거나, 또는, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 피치 검사 등의 패턴 매칭 검사 이외의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사한다.

본래의 레퍼런스로부터의 패턴 어긋남, 색불균일 등이 크게 다른 패턴이나 칩이 있는 경우에도, 제품의 성능상 문제가 되지 않는 웨이퍼로서 양품인지의 여부를 판정하여, 검사의 작업 효율, 본래의 양품율의 유지를 보증할 수 있다.

도 1의 (A), (B)는, 본 발명에 따른 웨이퍼의 패턴 검사 장치를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는, 레시피(레퍼런스) 작성을 설명하기 위한 도면.
도 3은, 본 발명에서 대상으로 한 패턴 어긋남이 발생하고 있는 칩을 설명하기 위한 도면.
도 4는, 재학습에 의한 레퍼런스 화상의 작성을 설명하기 위한 도면.
도 5는, 재학습한 후의 검사를 설명하기 위한 도면.
도 6은, 패턴 검사와 피치 검사의 차이를 설명하기 위한 도면.
도 7은, 플로차트를 도시한 도면.

도면을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.

도 1은 본 발명에 관한 웨이퍼의 패턴(외관) 검사 방법을 실시하기에 적합한 외관 검사 장치(10)를 도시한다.

도 1의 (A)에서, 외관 검사 장치(10)는, 예를 들면 도 1의 (B)에 도시한 반도체 웨이퍼(11)상에 정렬하여 형성된 다수의 반도체 칩(11a)에 형성된 각각의 회로 패턴의 결함이 허용 내인지의 여부를 판정하는데 사용된다. 이하에 본 발명을 반도체 웨이퍼(11) 상에 형성된 반도체 칩(11a)의 검사에 적용한 예에 따라서 설명한다.

외관 검사 장치(10)는, 도 1의 (A)에 도시하는 바와 같이, 광학적 촬영기구 (10a)와, 상기 광학적 촬영기구의 동작을 제어하고 또한 이 광학적 촬영기구(10a)에 의해 얻어진 화상 정보를 연산 처리하기 위한 제어 연산 수단(10b)을 구비한다.

광학적 촬영기구(10a)는, 반도체 웨이퍼(11)를 유지하는 스테이지(12a)가 마련된 이동부(12)와, 상기 이동부의 스테이지(12a)를 XY평면상에서 X축 방향, Y축 방향으로 이동시켜, Z축의 둘레에 회전시키기 위한 드라이버(13)와, 조명부(14)에 의한 조명하에서 스테이지(12a) 상의 반도체 웨이퍼(11)에 형성된 소망의 반도체 칩(11a)의 표면 화상을 촬영하기 위한 촬상부(15)를 가진다. 이 촬상부(15)는, 종래 잘 알려져 있는 바와 같이, 예를 들면 CCD 촬상 소자 및 그 광학계로 구성된다.

제어 연산 수단(연산 처리부)(10b)은 연산 처리 회로(16)를 가지며, 상기 연산 처리 회로(16)는, 예를 들면 메모리(17)에 격납된 프로그램에 따라서 동작하는 중앙처리장치(CPU)에 의해 구성할 수 있다. 연산 처리 회로(16)는, 제어 회로(18)를 통하여, 광학적 촬영기구(10a)의 드라이버(13), 조명부(14) 및 촬상부(15)의 각 작동을 제어하고, 또한 메모리(17)에 격납된 정보에 따라서 촬상부(15)에 의해 얻어진 화상에 결함 검출 처리를 실시한다.

이 연산 처리 회로(16)에는, 촬상부(15)에 의해 얻어진 화상의 검사 영역을 복수의 에어리어로 구획하기 위한 에어리어 설정부(16a)와, 상기 화상의 검사 영역과 검사를 위한 템플릿과의 비교에 의해 결함 부위를 추출하는 결함 추출부(16b)와, 상기 결함 추출부에 의해 추출된 결함 부위가 허용 내인지의 여부를 판정하는 판정부(16c)와, 허용 내이지만 제품의 성능상 문제가 없는 패턴의 어긋남이 있는 경우에, 그 어긋난 패턴의 화상 혹은 칩의 화상, 혹은 그들 평균 화상을 레퍼런스 화상(참조 화상 또는 기준 화상)으로서 학습하는 학습 기능부(16d)가 마련되어 있다.

또한, 연산 처리 회로(16)에는, 예를 들면 액정 혹은 CRT로 구성된 표시부를 가진 모니터(19)와, 예를 들면 키보드 및 마우스 등으로 구성된 입력부(20)가 접속되어 있다. 모니터(19)에는, 촬상부(15)로 촬영된 화상 및 연산 처리 회로(16)로 처리된 화상을 표시할 수 있고, 또한 광학적 촬영기구(10a)의 조작에 필요한 정보가 표시된다. 이들 모니터(19)에 표시되는 정보에 기초하여, 입력부(20)로부터 외관 검사 장치(10)의 조작에 필요한 명령을 적절히 입력할 수 있다.

촬상부(15)는, 레퍼런스 화상(참조 화상 또는 기준 화상) 및 피검사체를 위한 화상을 촬영한다. 촬상부(15)에 의해 촬영된 반도체 칩(11a)의 표면 화상으로부터 소망의 검사 영역이 잘려져, 모니터(19)상에 표시된다.

도 2에서, 좌측의 화상은, 상술과 같이 하여 잘려진 검사 영역의 표시 화면 (21A)의 일례이다. 이 표시 화면(21A)은, 반도체 칩(11a)이 메모리 칩인 예를 도시하고 있다.

도 6에는, 패턴 화상, 칩 화상이 도시되어 있다. 표면 화상중에, 별표 즉 ★표로 도시한 부분에 결함 부위가 관찰된다. 관찰되는 결함은, 회로 패턴에의 이물의 부착 혹은 회로 패턴의 부분적인 결손 등의 결함이다.

레퍼런스 화상(기준 화상)에는, 반도체 웨이퍼(11)의 각 반도체 칩(11a)으로부터 얻어지는 상기한 표면 화상(21A) 중에, 결손이나 이물로 이루어진 상기 결함이 적은 가장 양질의 반도체 칩(11a)의 표면 화상(21A), 혹은 평균 화상이 선택되고, 이것이 레퍼런스 화상(기준 화상)으로서 사용된다. 이 레퍼런스 화상(기준 화상)과 검사 대상 즉 피검사체인 다른 반도체 칩(11a)의 표면 화상(21A)이, 연산 처리 회로(16)에 의해, 결함의 추출을 위해서 비교된다.

연산 처리 회로(16)는, 종래 잘 알려져 있는 바와 같이, 레퍼런스 화상(기준 화상)과 피검사체의 반도체 칩(11a)의 화상과의 비교를 행한다. 패턴 화상 전체, 혹은 패턴 화상 중의 일부의 칩 화상에 대해서, 레퍼런스 화상(기준 화상)과 피검사체의 패턴 전체, 혹은 칩에 대해서, 감도 조정을 행한다.

그때, 전처리로서 조명부(14)에 의한 조명 얼룩을 제거하기 위한 셰이딩 (shading) 처리, 에지의 명확화를 촉진하기 위한 다치화 처리, 에지 검출시에 패턴의 조밀이나 화상의 농담의 영향을 줄이기 위한 색조 변환 처리, 패턴의 인식을 용이하게 하기 위한 색도 변환 혹은 노이즈를 제거하기 위한 팽창/수축 필터를 이용한 팽창/수축 처리 등의 처리를 행한다. 이러한 처리는, 종래 잘 알려져 있는 방법으로 실시할 수 있다. 이들은, 적절히 선택하여 조합할 수 있다.

연산 처리 회로(16)는, 레퍼런스 화상(기준 화상)과 피검사체의 화상 전처리가 실시된 화상을 비교하여, 패턴의 조밀이나 화상의 농담, 색도 등으로부터, 레퍼런스 화상(기준 화상)을 이용한 검출의 감도를 조정한다.

이하에 최적의 검사 순서의 일례를 설명한다.

도 2에 도시하는 바와 같이, 패턴 매칭 검사에서, 사전에 비교 대상이 되는 화상을 등록한다.

먼저, 검사의 기준으로 하는 레퍼런스 화상(기준 화상)을 작성한다(레시피 작성).

이 경우, 레퍼런스 화상(기준 화상)은, 도 2의 좌측에 도시하는 바와 같이, 예를 들면 1칩으로 한다. 다만, 복수의 칩 화상을 조(組)로 하여 기준 화상으로 해도 좋다.

장치의 연산 처리부와 별체에 마련된 기억부(메모리)에, 이 레퍼런스 화상(기준 화상)을 기억시켜, 연산 처리부의 학습 기능을 통하여, 학습시켜 둔다. 학습 후, 도 2의 우측에 도시하는 바와 같이, 평균 화상이 레퍼런스 화상(기준 화상)으로서 기억부에 기억된다.

그 결과, 도 3에 도시하는 바와 같이, 좌측의 패턴은, 레퍼런스 화상(기준 화상)과 일치하므로, 검사 OK로 판정되지만, 우측의 패턴은, 레퍼런스 화상(기준 화상)과 패턴이 다르기 때문에, 검사 NG로 판정된다.

그러나, 이 경우, 패턴이 어긋나 있으므로, 검사하는 웨이퍼의 패턴(혹은 칩)이 NG가 되어 버리지만, 제품에는 다소의 패턴 어긋남은 문제가 되지 않기 때문에 OK로 하고자 하는 것이 있다. 여기서, 양품율(기준 화상과의 상위량이 적은 양품이 차지하는 비율)이 소정치 이하로 내려가면, 자동적으로 레퍼런스 화상(기준 화상)을 다시 만든다. 예를 들면, 97%의 양품율로 패턴 검사 작업을 계속하는 중에, 갑자기 양품율이 95%로 내려가 버리는 경우, 역치가 95%로 설정되어 있으면, 여기서 자동적으로 레퍼런스 화상(기준 화상)을 다시 만들어, 그 양품율로 패턴 검사를 재개한다.

도 4에 도시하는 바와 같이, 좌측의 변경전의 레퍼런스를 우측의 레퍼런스(재학습, 평균 화상 변경)로 한다. 예를 들면 95%로 양품율이 내려가 버렸지만, 제품에는 문제가 되지 않는 어긋남이 있는 웨이퍼의 패턴(혹은 칩)을 기준 화상으로서 레퍼런스 화상을 다시 작성한 것이다. 평균 화상을 변경하여, 레퍼런스 화상(기준 화상)을 재학습하고, 그 레퍼런스 화상(기준 화상)을 바탕으로 웨이퍼의 패턴 혹은 칩의 검사를 재개한다.

도 5에 도시하는 바와 같이, 레퍼런스 화상(기준 화상)이 수정되면, 레퍼런스 화상 수정전의 패턴과 달라도, 검사 결과는 OK가 된다.

본 발명에 의하면, 예를 들어, 양품율이 최저의 90%보다 작은, 예를 들면, 85%, 혹은 다른 소정치로 내려가 버린 경우에 즉시 재학습 처리를 행하여, 레퍼런스 화상(기준 화상)을 다시 만드는 것이 바람직하다.

한편, 본 발명은, 일정한 고정된 양품율(95%나 기타 설정치)에 한정되지 않고, 작업자가 소정의 최저 양품율(예를 들면 90%이지만, 이에 한정되지 않는다)까지의 범위내의 임의의 역치로 자유로이 재학습하도록, 학습 기능을 조정할 수 있다.

또한, 바람직하게는, 레퍼런스 화상(기준 화상)을 바탕으로 한 패턴 매칭 검사와 아울러, 검출 감도를 자동조정하는 기능을 연산제어부가 가진다. 여기서, 감도의 자동조정이란, 패턴 매칭 검사와 피치 검사의 검출성을 비교하여 감도를 자동 결정하는 기능을 말한다.

도 6에 도시한 바와 같이, 패턴 매칭 검사에서는, 통상적인 예로, 좌측에 도시한 바와 같이, 칩 전체를 레퍼런스 화상(기준 화상)의 전체와 비교하여, 일치하는지의 여부를 검사하지만, 우측에 도시한 바와 같이, 패턴 중의 균일한 패턴 부분만을 검사 화상내에서 비교 검사하는 피치 검사도 동시에 행하는 것이 바람직하다.

바람직하게는, 패턴 매칭 검사의 결과와 피치 검사의 결과를 비교하여, 동일한 결함을 검출할 수 있도록 패턴 매칭 검사의 감도를 조정한다. 동일한 검사 화상으로 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 행하여 결함 검출 성능이 거의 동일이 되도록, 패턴 검사의 검출 감도를 조정한다.

한편, 패턴 매칭 검사는 칩 전체를 검사할 수 있지만, 피치 검사는, 통상적으로, 균일 패턴 부분 밖에 검사할 수 없다.

도 7은, 플로차트를 도시한다.

이 도시예에서는, 1매째의 웨이퍼로 검사 레시피를 작성하여, 웨이퍼 검사를 행한다. 양품율이 설정한 값(예를 들면 90%)보다 낮은 경우는 검사중의 웨이퍼로 학습 처리를 행한다. 재학습 후의 레퍼런스 화상(기준 화상)을 바탕으로 재차 검사를 행한다. 재학습 후의 레퍼런스 화상(기준 화상)에서의 검사 결과를 웨이퍼의 검사 결과로서 보존하여 검사를 종료한다.

패턴에 어긋남이 발생한 칩에 대해서 다음과 같은 대응을 하는 것이 바람직하다.

로트마다 또는 웨이퍼마다 패턴에 어긋남이 있는 경우에도 양품으로 하는 것을 가능하게 한다. 패턴에 어긋남이 발생하면, 발생한 웨이퍼를 다시 학습 처리하여 검사를 행한다.

한편, 양품율 저하의 원인이 패턴 어긋남인지의 여부를 장치로 자동적으로 판단하는 것은 용이하지 않지만, 양품율이 소정의 역치 이하가 되면 학습 처리를 다시 하여 검사하는 것이 바람직하다.

본 발명의 바람직한 형태에서는, 양품율이 소정의 역치를 밑돌았을 때에 학습 처리를 다시 한다.

실험예에서, 양품율이 저하한 경우에 재차 학습 처리를 행하여 검사하면, 패턴 어긋남의 과잉 검출을 대폭 억제한 검사가 가능하였다.

한편, 웨이퍼에 따라서는 학습에 의해서 검출 성능이 떨어지는 것이 있다. 예를 들면, 색불균일이 심한 웨이퍼나 동일 위치에 결함이 연속적인 웨이퍼 등에서 검출 성능의 저하가 현저하게 나타나지만, 그들 웨이퍼에서도, 피치 검사와의 병용, 검출 감도의 조정을 행하는 것에 의해서, 제품의 성능상 문제가 되지 않는 패턴 또는 칩을 양품으로 판정하고, 검사의 작업 효율, 본래의 양품율의 유지를 보증할 수 있다.

Claims

검사 대상인 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하고, 입력한 검사 화상과 미리 기억되어 있던 레퍼런스 화상을 비교하여, 비교 화상의 상위량(相違量)으로부터 웨이퍼의 양부를 판정하는 단계를 구비한 웨이퍼의 패턴 검사 방법으로서,
검사중에 양품율이 소정의 역치 이하로 저하한 경우, 검사중의 패턴 또는 칩의 화상을 이용하여 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성하거나, 또는, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 패턴 매칭 검사 이외의, 피치 검사 등의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 피치 검사의 결과로부터 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 패턴 검사 방법.
검사 대상인 웨이퍼의 패턴 또는 칩의 검사 화상을 입력하는 수단과, 입력한 검사 화상과 미리 기억되어 있던 레퍼런스 화상을 비교하는 수단과, 비교한 결과에 기초하여 웨이퍼의 양부를 판정하는 판정수단을 가진 연산 처리 수단을 구비한 웨이퍼의 패턴 검사 장치로서,
연산 처리 수단은, 검사중에 양품율이 소정의 역치 이하로 저하한 경우, 검사중의 패턴 또는 칩의 화상을 이용하여 학습 처리를 재차 행하여 새로운 레퍼런스 화상을 작성하거나, 또는, 학습 처리로 패턴을 학습한 후에 균일한 패턴을 탐색하여, 균일한 패턴 부분이면, 패턴 검사 이외의, 피치 검사 등의 검사로 웨이퍼의 검사를 행하거나, 혹은 균일 패턴 부분에서 패턴 매칭 검사와 피치 검사를 동시에 행하여, 피치 검사의 결과로부터 패턴 매칭 검사의 감도를 결정하고, 결정한 감도로 웨이퍼 전체면의 패턴 또는 칩을 검사하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 패턴 검사 장치.