TWI478276B - 支撐單元及具有支撐單元的基底處理設備 - Google Patents

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支撐單元及具有支撐單元的基底處理設備 【相關申請案】

本專利申請案主張2010年11月2日申請的第10-2010-0108250號韓國專利申請案的優先權以及由其產生的所有權益，所述申請案的內容以全文引用的方式併入本文中。

本發明涉及加熱器以及具有加熱器的基底處理設備，且更具體來說涉及迅速均勻對基底進行加熱的支撐單元以及具有支撐單元的基底處理設備。

要製造具有縱向結構的典型LED裝置，應將上部基底和下部基底相互接合，在所述上部基底上，半導體層和金屬層堆疊在SiC晶片上，在所述下部基底上，金屬層設置在其上部。此處，利用共晶接合法(eutectic bonding method)使得上部基底和下部基底接合。即，設置上部基底的金屬層，使其面向下圓基底的金屬層，然後按住上部基底和下部基底的金屬層，使它們緊貼在一起以對金屬層進行加熱。此時，上部基底和下部基底的金屬層熔化，使得上部基底和下部基底相互接合。

用於使得上部基底和下部基底相互接合以製造縱向型LED裝置的基底接合設備包括提供內部空間的室(在所述內部空間中實施接合法)、設置在室內部以支撐多個下部基底並對其進行加熱的下部加熱器單元，以及設置在下部加熱器單元上方、面向下部加熱器單元從而支撐多個上部基底並對其進行加熱的多個上部加熱器單元。下部加熱器單元包括下部加熱器塊以及下部冷卻塊，下部加熱器快中插入有由金屬製成的下部加熱絲，下部冷卻快連接到下部加熱器塊一側，其中插入有下部致冷劑管路，致冷劑流經所述管路。同樣，上部加熱器單元包括上部加熱器塊以及上部冷卻塊，上部加熱器塊中插入有由金屬製成的上部加熱絲，上部冷卻塊連接到上部加熱器塊一側，其中插入有上部致冷劑管路，致冷劑流經所述管路。此處，上部基底和下部基底分別安裝在下部加熱器塊的上部和上部加熱器塊的下部。

應對下部基底和上部基底進行加熱以使得上部基底和下部基底相互接合。即，對下部加熱絲進行加熱以對插入有下部加熱絲的下部加熱器塊進行加熱。同樣，對上部加熱絲進行加熱以對插入有上部加熱絲的上部加熱器塊進行加熱。對下部加熱絲和上部加熱絲進行加熱時，下部加熱絲和上部加熱絲由於高溫迅速膨脹。由於下部加熱絲和上部加熱絲的膨脹，使得分別包含下部加熱絲和上部加熱絲的下部加熱器塊和上部加熱器塊的加熱絲部分相對較快地膨脹。因此，下部基底和上部基底分別安裝在下部加熱器塊和上部加熱器塊上時，由於下部加熱器塊與下部基底之間以及上部加熱器塊與上部基底之間的接觸缺陷，可能會在局部傳遞熱量。即，下部基底底面的一部分與下部加熱器塊的頂面接觸，上部基底頂面的一部分與上部加熱器塊的底面接觸。

因此，存在下部基底和上部基底加熱不均勻的局限性。因而，下部基底的金屬層和上部基底的金屬層中可能存在空隙，從而導致下部基底與上部基底之間的接合缺陷。同樣，由於接觸存在缺陷，無法均勻按住上部基底和下部基底。同樣，由於向上部基底和下部基底中每一者局部施加負載，可能會損壞上部基底和下部基底。

為解決上述局限性，相關技術提供用於分別支撐下部基底和上部基底的下部陶瓷板和上部陶瓷板。此處，下部陶瓷板與下部加熱器單元的上部裝配在一起，上部陶瓷板與上部加熱器單元的下部裝配在一起。因此，通過下部加熱器單元的熱傳導和輻射熱量來對下部陶瓷板和下部基底間接進行加熱，通過上部加熱器單元的熱傳導和輻射熱量來對上部陶瓷板和上部基底間接進行加熱。同樣，單獨基座(separate susceptor)設置在下部陶瓷板的上部時，應另外對基座進行加熱。因此，傳熱速率可能進一步降低。因而，需要花費很長的時間來分別對下部基底和上部基底進行加熱。

本發明提供迅速均勻對基底進行加熱的支撐單元以及具有支撐單元的基底處理設備。

本發明還提供防止基底受顆粒污染的支撐單元以及具有支撐單元的基底處理設備。

根據示範性實施例，用於對待處理物體進行加熱的支撐單元包括：加熱器塊，其經配置以對待處理物體進行加熱；傳熱板，其連接到加熱器塊的一側；以及金屬板，其設置在傳熱板與待處理物體之間，所述金屬板的一側連接到傳熱板且另一側連接到待處理物體。

支撐單元可進一步包括設置在金屬板上的基座。

可利用石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者製造傳熱板。

可利用鎢、鉬、鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑、金、汞、鉛、鈾、鈈以及包含前述材料中至少一者的合金中的一者製造金屬板。

支撐單元可進一步包括連接到加熱器塊另一側以使得加熱器塊冷卻的冷卻塊。

根據另一個示範性實施例，用於處理待處理物體的基底處理設備包括：室部分，其經配置以提供內部空間；下部支撐單元，其設置在室部分內部以支撐下部基底並對其進行加熱；以及上部支撐單元，其經設置以對應於下部加熱器從而支撐上部基底並對其進行加熱，其中下部支撐單元和上部支撐單元中的每一者包含經配置以對待處理物體進行加熱的加熱器塊，連接到加熱器塊的一側的傳熱板，及設置在傳熱板與待處理物體之間的金屬板，所述金屬板的一側連接到傳熱板，另一側連接到待處理物體。

可利用石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者製造傳熱板。

基底處理設備可進一步包括連接到加熱器塊另一側以使得加熱器塊冷卻的冷卻塊。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在下文中，將參考附圖對特定實施例進行詳細描述。

然而，本發明可以不同的形式體現且不應當被解釋為局限于本文所述的實施例。提供這些實施例是為了使得本發明詳細且完整，同時向所屬領域的技術人員充分傳達本發明的範圍。

圖1是根據示範性實施例的基底處理設備的截面圖。圖2是根據示範性實施例的下部加熱器單元和上部加熱器單元的圖。

參考圖1和圖2，根據示範性實施例的基底處理設備為接合裝置，其中實施用於使得下部基底S1與上部基底S2接合的接合法。基底處理設備包括：提供內部空間的室部分100，設置在室部分100內部以支撐多個下部基底S1並對其進行加熱的下部支撐單元200，設置在下部支撐單元200上方以對應於下部支撐單元200，從而支撐多個上部基底S2並對其進行加熱的多個上部支撐單元300，連接到下部支撐單元200的下部以支撐下部支撐單元200的下軸410，連接到從室部分100向外凸出的下軸410以向下軸410提供提升力和旋轉力的下部驅動部分420，分別連接到多個上部支撐單元300以分別支撐多個上部支撐單元300的多個上軸510，及分別連接到從室部分100向外凸出的多個上軸510以向上軸510中的每一者提供提升力和旋轉力的上部驅動部分520。同樣，基底處理設備包括設置在室部分100外部以向下部支撐單元200提供熱源的下部電源部分620、用於提供致冷劑的下部致冷劑供應部分720、用於向上部支撐單元300中的每一者提供熱源的上部電源部分820以及用於提供致冷劑的致冷劑供應部分930。雖然未圖示，但基底處理設備可包括用於保持室部分100內部壓力的壓力保持部分以及用於排出室部分100內部副產物和未反應材料的排出部分。

室部分100包括提供空間(在其中實施用於分別使得上部基底S2與下部基底S1接合的接合法)的下室110以及設置在下室110上方以覆蓋下室110的上室120。同樣，上室120的一側經由連接部件(如鉸鏈)連接到下室110。再者，設置用於密封上室120與下室110之間的空間的獨立密封單元。

下部支撐單元200包括用於支撐多個下部基底S1的基座200a以及設置在基座200a下方的下部加熱器200b。此處，基座200a支撐多個下部基底S1，且其尺寸足以支撐多個下部基底S1。舉例來說，可利用陶瓷(如SiC)材料製造根據示範性實施例的基座200a。雖然未圖示，但在基座200a中界定用於利用真空吸附力支撐多個下部基底S1的真空孔。此處，真空處理設備連接到真空孔。然而，本發明並不限於此。舉例來說，可提供用於將多個下部基底S1固定到基座200a的各個單元。再者，雖然未圖示，但可提供用於移動基座200a的基座驅動部分。

下部加熱器200b包括下部加熱器塊210、設置在下部加熱器塊210下方以使得下部加熱器塊210冷卻的下部冷卻塊220、設置在下部加熱器塊210上的下部傳熱板230以及設置在下部傳熱板230上的下部金屬板240。

下部加熱器塊210包括下部加熱板211以及設置在下部加熱板211內部以對下部加熱板211進行加熱的下部加熱器212。雖然根據示範性實施例，下部加熱板211為方板形，但本發明並不限於此。舉例來說，下部加熱板211可具有可支撐下部基底S1的各種形狀。可利用不銹鋼(stainless steel，STS)、鋁、鎳、鉬或鈦等金屬材料製造下部加熱板211。同樣，根據示範性實施例，圓柱形的加熱絲用作下部加熱器212。然而，本發明並不限於此。舉例來說，產生熱量的各個單元均可用作下部加熱器212。下部加熱器212均勻設置在下部加熱板211整個表面上的結構是有效的。雖然根據示範性實施例，下部加熱器212設置在環線形下部加熱板211的內部，但本發明並不限於此。舉例來說，下部加熱器212可均勻設置在各種線形下部加熱板211的整個表面上。此外，下部加熱器212的一端連接到下部電力線610(將在後面進行描述)的一端。

下部冷卻塊220包括設置在下部加熱板211下方的下部冷卻板221以及插入下部冷卻板221中的下部冷卻管路222。根據示範性實施例的下部加熱板221與上述下部加熱板211的形狀相同，例如方板形。同樣，可利用不銹鋼(stainless steel，STS)、鋁、鎳、鉬或鈦等金屬材料製造下部冷卻板221。同樣，在下部冷卻板221內部界定插入有下部冷卻管路222的冷卻管路容置槽(未圖示)。下部冷卻管路222為用於冷卻下部加熱板211的致冷劑流經的通道。如上所述，下部冷卻管路222插入到下部冷卻板221中所界定的下部冷卻管路容置槽(未圖示)中。根據示範性實施例，具有內部空間的圓柱形管道用作下部冷卻管路222。然而，本發明並不限於此。舉例來說，下部冷卻管路222可製造為具有致冷劑流經的內部空間的各種形狀。下部冷卻管路222均勻設置在下部冷卻板221整個表面上的結構是有效的。根據示範性實施例，下部冷卻管路222可為環線形。然而，本發明並不限於此。舉例來說，下部冷卻管路222可均勻設置在各種線形下部冷卻板221的整個表面上。下部冷卻管路222的一端連接到下部致冷劑供應管道710，另一端連接到下部致冷劑排出管道720(將在後面進行描述)。

下部傳熱板230設置在下部加熱板211上方以將下部加熱板211中產生的熱量傳遞到下部金屬板240中。可利用具有較好傳熱性能和柔性的材料製造下部傳熱板230。根據示範性實施例，石墨可層壓在下部加熱板211上以製造下部傳熱板230。然而，本發明並不限於此。舉例來說，矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者可層壓在下部加熱板211上以製造下部傳熱板230。或者，石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者可沉積在下部加熱板211上以製造下部傳熱板230。此處，下部傳熱板230的厚度可為約1毫米到約5毫米。舉例來說，當下部傳熱板230的厚度小於約1毫米或更小時，下部傳熱板230由於外部衝擊可能會彎曲或損壞。此外，當下部傳熱板230的厚度大於約5毫米時，熱傳導可能會減少。因此，根據示範性實施例，下部傳熱板230的厚度可為約1毫米到約5毫米。如上所述，當下部傳熱板230設置在下部加熱器塊210上時，下部加熱器塊210的熱量可均勻傳遞到下部傳熱板230的整個表面上。同樣，由於下部金屬板240設置在下部傳熱板230上，因此熱量可均勻傳遞到下部金屬板240的整個表面上。

如上所述，可利用石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一者製造下部傳熱板230。然而，即使這些材料具有較好的傳熱性能和柔性，這些材料也還是可能會產生顆粒。當上面安裝有下部基底S1中的每一者的基座200a設置在下部傳熱板230上時，下部基底S1可能會受顆粒污染。因此，根據示範性實施例，下部金屬板240設置在下部傳熱板230上。同樣，基座200a設置在下部金屬板240上。根據示範性實施例，利用具有較好導熱性且熱膨脹係數與陶瓷(基座200a的材料)的熱膨脹係數相同的金屬材料製造下部金屬板240。此處，相對於構成基座200a的材料，用於下部金屬板240的材料的熱膨脹係數差可能為約4微米/開(micro/K)到約5微米/開。這樣做是因為下部傳熱板230的熱量很容易轉移，且其防止下部金屬板240與基座200a之間的摩擦面上產生顆粒。因此，根據示範性實施例，鎢(W)層壓在下部傳熱板230上以製造下部金屬板240。然而，本發明並不限於此。舉例來說，下部金屬板240可由鉬、鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑、金、汞、鉛、鈾、鈈及其組合(合金)中的一者製成。同樣，本發明並不限於此。舉例來說，上述材料中的一者可沉積在傳熱板230上以製造下部金屬板240。同樣，可製造單獨的下部金屬板240，然後所述下部金屬板240可焊接到下部傳熱板230。此處，下部加熱金屬板240的有效厚度可為約1毫米到約3毫米。

如上所述，根據示範性實施例，下部傳熱板230和下部金屬板240可相繼堆疊以在下部金屬板240上設置基座200a。因此，由下部加熱器塊210產生的熱量可經由下部傳熱板230均勻傳遞到下部金屬板240的整個表面。同樣，下部金屬板240的熱量傳遞到設置在下部金屬板240上的基座200a以及多個下部基底S1。即，下部傳熱板230的熱量通過設置在基座200a下方的下部金屬板240迅速傳遞到基座200a和多個下部基底S1。與相關技術相比，加熱多個下部基底S1的時間可能減少。此外，由於利用熱膨脹係數與基座200a的熱膨脹係數相似的材料(如鎢(W))製造下部金屬板240，因此在下部金屬板240與基座200a之間的摩擦面上不會產生因熱膨脹係數差而產生的顆粒。同樣，由於下部金屬板240設置在下部傳熱板230上，因此可防止由下部傳熱板230產生顆粒。

下軸410的一端插入室部分100中並連接到下部冷卻塊220的下部，另一端從室部分100向外凸出並連接到下部驅動部分420。此處，下部驅動部分420向下軸410提供提升力和旋轉力。因此，當經由下部驅動部分420提升或旋轉下軸410時，通過下軸410提升或旋轉下部支撐單元200。同樣，用於向下部加熱器塊210的下部加熱器212施加功率的下部電力線610、用於向下部冷卻管路222提供致冷劑的下部致冷劑供應管道710以及用於排出下部冷卻管路222的致冷劑的下部致冷劑排出管道720設置在下軸410內部。此處，下部電力線610的一端穿過下部冷卻板221和下部加熱板211並連接到設置在下部加熱板211內部的下部加熱器212，且另一端凸出到下軸410的一端並連接到下部電源部分620。同樣，下部致冷劑供應管道710的一端插入下部冷卻板221中並連接到下部冷卻管路222，且另一端凸出到下軸410的一端並連接到下部致冷劑供應部分730。同樣，下部致冷劑排出管道720的一端插入下部冷卻板221中並連接到下部冷卻管路222，且另一端連接到下部致冷劑供應部分730。此處，下部致冷劑供應部分730儲存致冷劑以降低致冷劑的溫度，由此將致冷劑提供到下部致冷劑供應管道710中。此外，下部致冷劑供應部分730接收從下部致冷劑排出管道720排出的致冷劑以再次降低致冷劑的溫度，由此將致冷劑提供到下部致冷劑供應管道710中。

多個上部支撐單元300中的每一者均包含設置在基座200a上方以對應於基座200a的陶瓷板300a和設置在陶瓷板300a上方以對陶瓷板300a進行加熱的上部加熱器300b。根據示範性實施例，使用由陶瓷(如SiC)製成的下部基底S1和上部基底S2。

多個上部加熱器300b中的每一者均設置在下部支撐單元200上方以支撐陶瓷板300a並對其進行加熱。此處，上部加熱器300b經製造以支撐一個陶瓷板300a，且提供多個上部加熱器300b。上部加熱器300b中每一者的構造與上述下部加熱器200b的構造相同。多個上部加熱器300b中的每一者均包含上部加熱器塊310、設置在上部加熱器塊310上以使得上部加熱器塊310冷卻的上部冷卻塊320、設置在上部加熱器塊310下方的上部傳熱板330以及設置在上部傳熱板330下方的上部金屬板340。此處，多個上部加熱器300b中每一者的上部加熱器塊310和上部冷卻塊320的構造和結構與上述下部加熱器200b的構造和結構相同。同樣，經由與製造下部傳熱板230和下部金屬板240相同的方法製造多個上部加熱器300b中每一者的上部傳熱板330和上部金屬板340。

多個上部加熱器300b分別連接到多個上軸510。即，多個上軸510中每一者的一端插入室部分100中並連接到上部冷卻塊320的上部，另一端從室部分100向外凸出並連接到上部驅動部分520。因此，當經由上部驅動部分520提升或旋轉上軸510時，通過上軸510提升或旋轉上部支撐單元300。同樣，用於向上部加熱器塊310的上部加熱器312施加功率的上部電力線810、用於向上部冷卻管路322提供致冷劑的上部致冷劑供應管道910以及用於排出上部冷卻管路322的致冷劑的上部致冷劑排出管道920均設置在上軸510內部。此處，上部電力線810的一端穿過上部冷卻板321和上部加熱板311並連接到設置在上部加熱板311內部的上部加熱器312，且另一端朝上軸510的一端凸出並連接到上部電源部分820。同樣，上部致冷劑供應管道910的一端插入上部冷卻板321中並連接到上部冷卻管路322，另一端凸出到上軸510的一端並連接到上部致冷劑供應部分930。同樣，上部致冷劑排出管道920的一端插入上部冷卻板321中並連接到上部冷卻管路322，且另一端連接到上部致冷劑供應部分930。

此處，用於支撐下部基底S1的單獨的基座200a設置在下部金屬板240上方，且用於支撐上部基底S2的單獨的陶瓷板300a設置在上部金屬板340下方。然而，在不提供單獨基座200a和單獨陶瓷板300a的情況下，可直接在下部金屬板240上支撐下部基底S1，且可直接在上部金屬板340下方支撐上部基底S2。即，可直接在下部金屬板240的頂面上支撐下部基底S1的底面，且可直接在上部金屬板340的頂面上支撐上部基底S2的頂面。此處，由於根據示範性實施例，使用由陶瓷(如SiC)製成的下部基底S1和上部基底S2，因此可利用熱膨脹係數與製成下部基底S1和上部基底S2的熱膨脹係數相似的金屬製造下部金屬板240和上部金屬板340中的每一者。即，下部金屬板240和上部金屬板340中的每一者可由鎢、鉬、鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑、金、汞、鉛、鈾及鈈中的至少一者製成。

圖3至圖5是圖解說明根據示範性實施例的利用基底處理設備使得下部基底與上部基底接合的方法的圖。在下文中，將參考圖3至圖5對根據示範性實施例的利用基底處理設備使得下部基底與上部基底接合的方法進行描述。

利用根據示範性實施例的基底處理設備使得下部基底S1和上部基底S2相互接合以製造縱向型LED。為此，將多個下部基底S1裝入室部分100中以在基座200a上安裝下部基底S1。此處，多個下部基底S1與基座200a隔開。同樣，將多個上部基底S2裝入室100中以分別在多個陶瓷板300a上支撐上部基底S2。根據示範性實施例，使用由SiC製成的基座200a和陶瓷板300a。此外，雖然未圖示，但具有低熔點的共熔金屬(如金層)設置在由矽製成的板上以製造下部基底S1。同樣，上部基底S2包含SiC晶片、設置在SiC晶片上的GaN基半導體層以及由設置在半導體層上的錫製成的金屬層。同樣，雖然根據示範性實施例，利用金和錫製成上部基底S2和下部基底S1的金屬層，但本發明並不限於此。舉例來說，金屬層中的每一者均可由具有低熔點的各種共熔金屬製成。下部基底S1安裝在基座200a上以使得設置在其上部的金屬層面向上方。同樣，上部基底S2經設置以使得設置在半導體層上的金屬層面向設置在下部基底S1上部上的金屬層。

參考圖4，下部支撐單元200上升而上部支撐單元300下降以使得上部基底S2的底面與下部基底S1的頂面接觸。然而，本發明並不限於此。舉例來說，上部支撐單元300可在下部支撐單元200固定的狀態下下降，或下部支撐單元200可在上部支撐單元300固定的狀態下上升。其次，如上所述，上部支撐單元300在上部基底S2和下部基底S1相互連接以使得上部基底S2和下部基底S1緊貼的狀態下下降。

隨後，分別利用上部加熱器塊310和下部加熱器塊210對上部基底S2和下部基底S1進行加熱。為此，當利用下部加熱器塊210的下部加熱器212對下部加熱板211進行加熱時，下部加熱板211的熱量經由下部傳熱板230傳遞到下部金屬板240。同樣，下部金屬板240的熱量傳遞到設置在下部金屬板240上的基座200a以及多個下部基底S1。此處，通過設置在下部傳熱板230與基座200a之間的下部金屬板240迅速轉移下部傳熱板230的熱量。因此，與相關技術相比，多個下部基底S1可迅速加熱。同樣，由於由石墨製成的下部傳熱板230設置在下部金屬板240下方，所以下部金屬板240、基座200a以及多個下部基底S1中的每一者均可均勻加熱。同樣，當利用上部加熱器塊310的上部加熱器312對上部加熱板311進行加熱時，上部加熱板311的熱量經由上部傳熱板330傳遞到上部金屬板340。同樣，上部金屬板340的熱量傳遞到設置在上部金屬板340上的陶瓷板300a以及多個上部基底S2。此處，通過設置在上部傳熱板330與陶瓷板300a之間的上部金屬板340迅速轉移上部傳熱板330的熱量。因此，與相關技術相比，多個上部基底S2可迅速加熱。同樣，由於由石墨製成的上部傳熱板330設置在上部金屬板340下方，所以上部金屬板340、陶瓷板300a以及多個上部基底S2中的每一者均可均勻加熱。

如上所述，當對緊貼在一起的下部基底S1和上部基底S2進行加熱時，下部基底S1的金屬層和上部基底S2的金屬層經熔化以使得下部基底S1和上部基底S2連接。因此，下部基底S1和上部基底S2經由接合法共晶接合以製造縱向型LED。

參考圖5，利用上軸510和上部驅動部分520使得上部加熱器300b上升，以將上部基底S2從上部加熱器300b中分離出來。

在下文中，使得下部支撐單元200和上部支撐單元300冷卻。即，將致冷劑提供到下部冷卻塊220的下部冷卻管路222中以使得上部加熱器300b冷卻。同樣，將致冷劑提供到上部冷卻塊320的上部冷卻管路322中以使得上部加熱器300b冷卻。如上所述，通過下部加熱器200b和上部加熱器300b的傳熱板230和330來減少當下部加熱器200b和上部加熱器300b中每一者的溫度突然改變時所發生的衝擊。如上所述，這樣做是因為下部傳熱板230和上部傳熱板330中的每一者均由具有吸收因溫度變化所引起的衝擊的柔性較好的材料製成。

此處，提供設置在室部分100下側的下部支撐單元200以及設置在下部支撐單元200上方的多個上部支撐單元300。同樣，下部支撐單元200和多個上部支撐單元300設置在用於使得下部基底S1和上部基底S2接合的接合設備內部。然而，本發明並不限於此。舉例來說，根據示範性實施例的加熱器200b和300b可適用於對基底進行加熱的各種裝置。

如上所述，根據示範性實施例的加熱器對待處理物體進行加熱。同樣，加熱器包含用於對待處理物體進行加熱的加熱器塊、連接到加熱器塊一側的傳熱板以及設置在傳熱板與待處理物體之間、一側連接到傳熱板而另一側連接到待處理物體的金屬板。此處，利用具有較好傳熱性能和柔性的石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的至少一種材料製造傳熱板。同樣，利用熱膨脹係數與基底或用於支撐待處理物體(即基底)的基座的熱膨脹係數相似的材料製造金屬板。

因此，根據示範性實施例，由加熱器塊產生的熱量經由傳熱板均勻傳遞到金屬板的整個表面。同樣，金屬板的熱量迅速傳遞到設置在金屬板上方的基座或基底。因此，與相關技術相比，加熱基底的時間可能減少。

同樣，由於利用熱膨脹係數與基座(其為待處理物體)或基底的熱膨脹係數相似的材料製造金屬板，因此在金屬板與基座之間或金屬板與基底之間的摩擦面上不會產生因熱膨脹係數差而產生的顆粒。同樣，由於金屬板設置在傳熱板上方，因此可防止由傳熱板產生顆粒。

雖然已參考特定實施例對支撐單元以及具有支撐單元的基底處理設備進行描述，但其並不限於此。因此，所屬領域的技術人員將容易瞭解，可在不脫離由隨附權利要求書界定的本發明的精神和範圍的前提下對其作各種修改和變化。

100．．．室部分

110．．．下室

120．．．上室

200．．．下部支撐單元

200a．．．基座

200b．．．下部加熱器

210．．．下部加熱器塊

211．．．下部加熱板

212．．．下部加熱器

220．．．下部冷卻塊

221．．．下部冷卻板

222．．．下部冷卻管路

230．．．下部傳熱板

240．．．下部金屬板

300．．．上部支撐單元

300a．．．陶瓷板

300b．．．上部加熱器

310．．．上部加熱器塊

311．．．上部加熱板

312．．．上部加熱器

320．．．上部冷卻塊

321．．．上部冷卻板

322．．．上部冷卻管路

330．．．上部傳熱板

340．．．上部金屬板

410．．．下軸

420．．．下部驅動部分

510．．．上軸

520．．．上部驅動部分

610．．．下部電力線

620．．．下部電源部分

710．．．下部致冷劑供應管道

720．．．下部致冷劑供應部分

730．．．下部致冷劑供應部分

810．．．上部電力線

820．．．上部電源部分

910．．．上部致冷劑供應管道

920．．．上部致冷劑排出管道

930．．．致冷劑供應部分

S1、S2．．．基底

根據下文結合附圖的描述可更詳細地理解示範性實施例，圖式中：

圖1是根據示範性實施例的基底處理設備的截面圖。

圖2是根據示範性實施例的下部加熱器單元和上部加熱器單元的圖。

圖3至圖5是圖解說明根據示範性實施例的利用基底處理設備使得下部基底與上部基底接合的方法的圖。

100．．．室部分

110．．．下室

120．．．上室

200．．．下部支撐單元

200a．．．基座

200b．．．下部加熱器

210．．．下部加熱器塊

211．．．下部加熱板

212．．．下部加熱器

220．．．下部冷卻塊

221．．．下部冷卻板

222．．．下部冷卻管路

230．．．下部傳熱板

240．．．下部金屬板

300．．．上部支撐單元

300a．．．陶瓷板

300b．．．上部加熱器

310．．．上部加熱器塊

311．．．上部加熱板

312．．．上部加熱器

320．．．上部冷卻塊

321．．．上部冷卻板

322．．．上部冷卻管路

330．．．上部傳熱板

340．．．上部金屬板

410．．．下軸

420．．．下部驅動部分

510．．．上軸

520．．．上部驅動部分

610．．．下部電力線

620．．．下部電源部分

710．．．下部致冷劑供應管道

720．．．下部致冷劑供應部分

730．．．下部致冷劑供應部分

810．．．上部電力線

820．．．上部電源部分

910．．．上部致冷劑供應管道

920．．．上部致冷劑排出管道

930．．．致冷劑供應部分

S1、S2．．．基底

Claims (7)

1. 一種支撐單元，用於對待處理物體進行加熱，所述支撐單元包括：加熱器塊，其經配置以對所述待處理物體進行加熱；傳熱板，其連接到所述加熱器塊的一側；金屬板，其設置在所述傳熱板與所述待處理物體之間，所述金屬板的一側連接到所述傳熱板且另一側連接到所述待處理物體；以及基座，設置在所述金屬板上，其中所述基座與所述金屬板的材料的熱膨脹係數差為4微米/開(micro/K)到5微米/開。
2. 如申請專利範圍第1項所述之支撐單元，其中利用石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者製造所述傳熱板。
3. 如申請專利範圍第1項所述之支撐單元，其中利用鎢、鉬、鋁、矽、鈦、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、錫、鉑、金、汞、鉛、鈾、鈈以及包含前述材料中至少一者的合金中的一者製造所述金屬板。
4. 如申請專利範圍第1項所述之支撐單元，其進一步包括冷卻塊，連接到所述加熱器塊的另一側以使得所述加熱器塊冷卻。
5. 一種基底處理設備，用於處理待處理物體，所述基底處理設備包括：室部分，其經配置以提供內部空間； 下部支撐單元，其設置在所述室部分內部以支撐下部基底並對其進行加熱；以及上部支撐單元，其經設置以對應於下部加熱器從而支撐上部基底並對其進行加熱，其中，所述下部支撐單元以及所述上部支撐單元中的每一者均包括經配置以對所述待處理物體進行加熱的加熱器塊、連接到所述加熱器塊一側的傳熱板以及設置在所述傳熱板與所述待處理物體之間的金屬板，所述金屬板的一側連接到所述傳熱板且另一側連接到所述待處理物體，以及基座，設置在所述金屬板上，其中所述基座與所述金屬板的材料的熱膨脹係數差為4微米/開(micro/K)到5微米/開。
6. 如申請專利範圍第5項所述之基底處理設備，其中利用石墨基材料、矽基材料、丙烯酸基材料以及尿烷基材料中的一者製造所述傳熱板。
7. 如申請專利範圍第5項所述之基底處理設備，其進一步包括冷卻塊，連接到所述加熱器塊的另一側以使得所述加熱器塊冷卻。