TWI475689B - 閘流體元件及其製造方法 - Google Patents

Description

閘流體元件及其製造方法

本發明是有關於一種電子元件，且特別是有關於一種閘流體元件(thyristor)及其製造方法。

閘流體元件(thyristor)是一種用來保護電路(circuitry)的電子元件，其能使電路中的電子元件免於遭受不可預期的電壓突波(surge)所干擾或破壞，其中電壓突波例如是靜電放電、雷電感應以及感應電壓。因此，現今閘流體元件被應用於許多電子裝置，例如數據機、通用性串列匯流排(Universal Serial Bus，USB)、非對稱數位用戶迴路(Asymmetric Digital Subscriber Line，ADSL)、路由器(router)以及數位視訊轉換盒(Set-Top Box，STB)等。

有些電子裝置，例如非對稱數位用戶迴路、路由器與數位視訊轉換盒等通訊設備，具有偏高的電壓敏感度，以至於這類電子裝置容易被電壓值不是很高的電壓突波所干擾或破壞。因此，用來保護這類電子裝置的閘流體元件通常須要具有偏低的崩潰電壓(breakdown voltage)，以避免被電壓突波干擾或破壞。

閘流體元件的崩潰電壓通常是由基底區的摻雜濃度來決定。一般而言，基底區的摻雜濃度越高，閘流體元件的崩潰電壓越低。反之，基底區的摻雜濃度越低，閘流體元件的崩潰電壓越高。因此，應用於以上電子裝置的閘流體元件多半是由高摻雜濃度的矽基板製成，所以這類閘流體元件的基底區通常具有偏高的摻雜濃度。

本發明提供一種閘流體元件，其具有偏低的崩潰電壓。

本發明提供一種閘流體元件的製造方法，其用來製造上述閘流體元件。

本發明提出一種閘流體元件，其包括一基底區、一對第一摻雜區、至少一第二摻雜區、至少一第三摻雜區以及一對金屬層。基底區具有一第一側以及一相對第一側的第二側。這對第一摻雜區分別形成於基底區的第一側與第二側，並接觸基底區。第二摻雜區形成在其中一個第一摻雜區與基底區之間，並接觸基底區與第一摻雜區。第三摻雜區形成於其中一個第一摻雜區中，並接觸第一摻雜區，其中第三摻雜區未接觸基底區。第一摻雜區的摻雜類型不同於第二摻雜區、第三摻雜區以及基底區三者的摻雜類型。這對金屬層分別接觸這些第一摻雜區，而這些第一摻雜區與第三摻雜區皆位在這些金屬層之間，其中一層金屬層更接觸第三摻雜區。

本發明提出一種閘流體元件的製造方法。首先，提供一具有一第一類型摻雜的基板，其中基板具有一第一表面以及一相對第一表面的第二表面。接著，對第一表面與第二表面進行摻雜，以形成一對第一摻雜區、至少一第二摻雜區與一位在這些第一摻雜區之間的基底區。基底區接觸這些第一摻雜區，而這第二摻雜區形成在其中一個第一摻雜區與基底區之間，並接觸基底區與第一摻雜區。第一摻雜區具有一不同於第一類型摻雜的第二類型摻雜，而第二摻雜區具有第一類型摻雜。之後，對這些第一摻雜區進行摻雜，以形成至少一第三摻雜區，其中第三摻雜區具有第一類型摻雜，且未接觸基底區。接著，於這些第一摻雜區分別形成一對金屬層，其中這些金屬層分別接觸這些第一摻雜區，而其中一層金屬層更接觸第三摻雜區。

綜上所述，利用上述第二摻雜區，第二摻雜區與第一摻雜區之間會產生內電場，以使本發明的閘流體元件得以具有偏低的崩潰電壓。

為使能更進一步瞭解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下詳細說明與圖式，但是此等說明與所附圖式僅用來說明本發明，而非對本發明的權利範圍作任何的限制。

圖1A是本發明第一實施例之閘流體元件的俯視示意圖，而圖1B是圖1A中線I-I的剖面示意圖。請參閱圖1A與圖1B，閘流體元件100包括一基底區110、一對第一摻雜區120、一對第二摻雜區130以及一對第三摻雜區140。基底區110具有一第一側112、一第二側114以及一對凹陷側面116a、116b，其中第一側112相對於第二側114。凹陷側面116a圍繞並相連於第一側112，且凹陷側面116b圍繞並相連於第二側114。

這對第一摻雜區120分別形成於基底區110的第一側112以及第二側114，而各個第一摻雜區120可具有不均勻的摻雜濃度。詳細而言，各個第一摻雜區120可以包括一重摻雜區122以及一輕摻雜區124，其中重摻雜區122的摻雜濃度會明顯大於輕摻雜區124，以至於第一摻雜區120內的摻雜濃度會不均勻。

承上述，重摻雜區122接觸基底區110、第二摻雜區130以及輕摻雜區124，而各個輕摻雜區124位於其中一個重摻雜區122與基底區110之間。這些輕摻雜區124分別形成於基底區110的第一側112以及第二側114，且接觸基底區110以及這些重摻雜區122。

這些第三摻雜區140分別形成於這些第一摻雜區120中，並且接觸這些第一摻雜區120，其中這些第三摻雜區140分別形成於這些第一摻雜區120的重摻雜區122中，且分別與這些重摻雜區122接觸。不過，這些第三摻雜區140皆未接觸基底區110與輕摻雜區124。

第三摻雜區140的形狀為網狀，而第三摻雜區140具有多個網格140a與多個短路區170，其中這些網格140a呈陣列排列，而各個短路區170位在相鄰二個網格140a之間。也就是說，各個短路區170是第三摻雜區140中相鄰二個網格140a之間的區域，而在圖1A中，各個網格140a可被四個相鄰的短路區170所圍繞。

各個第二摻雜區130形成於其中一個第一摻雜區120與基底區110之間，並接觸基底區110與第一摻雜區120，其中這些第二摻雜區130接觸這些重摻雜區122，但未接觸輕摻雜區124。第二摻雜區130的形狀為梳狀，且其中一個第二摻雜區130從凹陷側面116a延伸至第三摻雜區140，並局部裸露於凹陷側面116a。另一個第二摻雜區130從凹陷側面116b延伸至第三摻雜區140，並局部裸露於凹陷側面116b。此外，這些第二摻雜區130可以皆未與任何網格140a重疊。

第一摻雜區120的摻雜類型不同於第二摻雜區130、第三摻雜區140以及基底區110三者的摻雜類型。舉例而言，在本實施例中，第一摻雜區120的摻雜類型可以為P型摻雜，而第二摻雜區130、第三摻雜區140以及基底區110三者的摻雜類型皆可以為N型摻雜。不過，在其他實施例中，第一摻雜區120的摻雜類型可以為N型摻雜，而第二摻雜區130、第三摻雜區140以及基底區110三者的摻雜類型皆可以為P型摻雜。

此外，第二摻雜區130的摻雜濃度大於基底區110的摻雜濃度，並且小於第三摻雜區140的摻雜濃度。也就是說，在上述三個同類型的摻雜區中，依摻雜濃度由小至大的排列順序為基底區110、第二摻雜區130以及第三摻雜區140。此外，閘流體元件100的整體摻雜濃度可以介於1E13 ion/cm² 至1E15 ion/cm² 之間。

閘流體元件100更包括一對金屬層160，而這對金屬層160分別接觸並覆蓋這些第一摻雜區120與第三摻雜區140，其中所有第一摻雜區120與第三摻雜區140皆位在這對金屬層160之間。所以，這些金屬層160分別位於閘流體元件100的相對二外側。此外，這些金屬層160可由鋁、銅或鋁銅合金等導電材料所製成。

承上述，這些金屬層160的功用是用來作為閘流體元件100的電極，即陽極(anode)與陰極(cathode)，因此這些金屬層160可以連接外部線路，其例如是金屬線或是電路板上的走線(trace)，以使電壓能經由外部線路，從金屬層160傳遞至閘流體元件100。

在圖1B所示的實施例中，以電路結構來看，閘流體元件100實質上為二顆閘流體元件的結合。詳細而言，在第一摻雜區120的摻雜類型為P型摻雜，而第二摻雜區130、第三摻雜區140以及基底區110三者摻雜類型皆為N型摻雜的條件下，輕摻雜區124及其鄰接的部分重摻雜區122可作為陽極擴散區，第三摻雜區140可作為陰極擴散區，而其他部分的重摻雜區122，即短路區170，可作為陰極短路區(cathode short hole)。

基於上述，並根據一般半導體元件技術中有關PN接面(P-N junction)的知識，可以得知閘流體元件100能讓電壓突波通過，而各層金屬層160可以作為陰極或陽極。因此，閘流體元件100的各層金屬層160可以作為電壓的輸入端或輸出端，而這些金屬層160可分別電性連接電源端與接地端。

當接近第一側112的金屬層160(即圖1B中位於上方的金屬層160)作陽極，而接近第二側114的金屬層160(即圖1B中位於下方的金屬層160)作陰極時，自電源端來的電壓突波從接近第一側112的金屬層160進入閘流體元件100，並依序通過位於第一側112的第一摻雜區120與基底區110。之後，電壓突波從基底區110的第二側114，依序通過第二摻雜區130、第一摻雜區120、第三摻雜區140與金屬層160而離開閘流體元件100，從而傳遞至接地端。

反之，當接近第一側112的金屬層160(即圖1B中位於上方的金屬層160)作陰極，而接近第二側114的金屬層160(即圖1B中位於下方的金屬層160)作陽極時，自電源端來的電壓突波從接近第二側114的金屬層160進入閘流體元件100，並依序通過位於第二側114的第一摻雜區120與基底區110。之後，電壓突波從基底區110的第一側112，依序通過第二摻雜區130、第一摻雜區120、第三摻雜區140與金屬層160。如此，電壓突波同樣能離開閘流體元件100而傳遞至接地端。

由此可知，本實施例的閘流體元件100能讓電壓突波通過，並且可將電壓突波導引至接地端，以保護電路免於遭受電壓突波的破壞。此外，由於閘流體元件100實質上為二個閘流體元件的結合，因此各層金屬層160可以作為電壓的輸入端或輸出端。

然而，必須說明的是，在本實施例中，第二摻雜區130的數量為二個，而第三摻雜區140的數量為二個，但是在其他實施例中，第二摻雜區130與第三摻雜區140的數量皆可以只有一個，以至於閘流體元件100只有單一顆閘流體元件的功能，即其中一層金屬層160被限定只能作為陽極，另一層金屬層160被限定只能作為陰極。所以，圖1B所示的第二摻雜區130與第三摻雜區140的數量僅供舉例說明，並非限定本發明。

另外，由於閘流體元件100包括接觸基底區110與重摻雜區122的第二摻雜區130，加上重摻雜區122與第二摻雜區130二者摻雜類型不同，因此重摻雜區122與第二摻雜區130之間會產生足夠強度的內電場(inner electric field)，從而能降低閘流體元件100的崩潰電壓。相較於習知閘流體元件而言，本實施例的閘流體元件100是利用第二摻雜區130來降低崩潰電壓。

其次，在本實施例中，這些第二摻雜區130分別局部裸露於凹陷側面116a與116b，以至於這些第二摻雜區130鄰近基底區110與第一摻雜區120二者的邊緣。根據一般電磁學的知識，物體的邊緣通常具有偏高的電荷密度，因此這些第二摻雜區130不需要在閘流體元件100內占據太多空間，即能產生足夠強度的內電場，從而有效降低閘流體元件100的崩潰電壓。

此外，現今一些通訊設備，例如非對稱數位用戶迴路、路由器以及數位視訊轉換盒，不僅具有偏高的電壓敏感度，而且這些通訊設備內部所傳遞的電信號容易受到電容的影響而失真。因此，應用於這類通訊設備的閘流體元件，其陽極與陰極之間的電容須要受到控制。

上述電容通常由基底區的摻雜濃度來決定，其中基底區的摻雜濃度越高，電容越高。反之，基底區的摻雜濃度越低，電容越低。然而，為了降低崩潰電壓，習知應用於上述通訊設備的閘流體元件，其基底區多半具有偏高的摻雜濃度，導致電容偏高。

對此，由於閘流體元件100是利用第二摻雜區130來降低崩潰電壓，而閘流體元件100在這些金屬層160之間的電容值主要是由基底區110的摻雜濃度來決定，因此在本實施例中，即使降低基底區110的摻雜濃度，整體上不會影響閘流體元件100的崩潰電壓。如此，利用基底區110的摻雜濃度降低，不僅可以降低這些金屬層160之間的電容值，例如閘流體元件100在這些金屬層160之間的電容值可介於15皮法拉(picofarad，簡稱pF)至30皮法拉之間，而且還能讓閘流體元件100保有偏低的崩潰電壓。

值得一提的是，閘流體元件100可以更包括一對絕緣層150，而這些絕緣層150分別配置於這些凹陷側面116a與116b上，並且覆蓋這些凹陷側面116a與116b，以至於這些絕緣層150會接觸於基底區110。此外，這些絕緣層150更接觸於第一摻雜區120的重摻雜區122與第二摻雜區130，如圖1B所示。

圖2是本發明第二實施例之閘流體元件的俯視示意圖。請參閱圖2，本實施例的閘流體元件200與第一實施例的閘流體元件100相似，例如閘流體元件100與200二者功效相似，也包括一些相同的元件，而且也具有如圖1B所示的剖面結構。惟二者的差異在於：閘流體元件200所包括的第二摻雜區230不同於第一實施例中的第二摻雜區130，而以下將主要介紹閘流體元件100與200之間的差異。

詳細而言，第二摻雜區230具有多個間隔232，而且這些間隔232沿著凹陷側面116a分布，其中各個間隔232與第三摻雜區140的多個網格140a呈直線分佈，如圖2所示。此外，比較圖1A與圖2，可以得知第二摻雜區130從凹陷側面116a延伸約一個網格140a的距離，而第二摻雜區230從凹陷側面116a延伸約二個網格140a的距離。因此，第二摻雜區230從凹陷側面116a延伸的距離可以不同於第二摻雜區130從凹陷側面116a延伸的距離。

然而，必須說明的是，圖1A中的第二摻雜區130可從凹陷側面116a延伸超過一個網格140a的距離，而圖2中的第二摻雜區230可從凹陷側面116a延伸約一個網格140a的距離或超過二個網格140a的距離。因此，不論是圖1A的第二摻雜區130，還是圖2的第二摻雜區230，都是用來舉例說明，並非限定本發明。

以上僅介紹本發明的閘流體元件的結構。接下來，將配合圖3A至圖3F來說明閘流體元件的製造方法。須說明的是，閘流體元件100與200的製造方法都相同，而以下將以閘流體元件100為例來進行詳細說明。

圖3A至圖3F是圖1B中的閘流體元件的製造方法的流程剖面示意圖。請參閱圖3A，首先，提供一具有第一類型摻雜的基板110’。基板110’具有一第一表面112’、一相對於第一表面112’的第二表面114’以及一對側面116a’、116b’，其中這些側面116a’、116b’皆位在第一表面112’的第二表面114’之間。此外，基板110’可以是由矽等半導體材料所製而成，而第一類型摻雜可以是N型摻雜以及P型摻雜二者其中之一。

接著，於基板110’的第一表面112’及第二表面114’分別形成一對第一遮蔽層116與118，其中第一遮蔽層116具有一第一開口116h，而第一遮蔽層118具有一第一開口118h。這些第一遮蔽層116與118可以是由熱氧法或沉積法來形成，其中熱氧法是加熱基板110’，讓位於表面上的基板110’氧化，從而形成氧化層。由於基板110’可由矽所製成，所以利用熱氧法，這些第一遮蔽層116與118可為二氧化矽(SiO₂ )層。此外，第一開口116h與118h可經由微影(photolithography)與蝕刻(etching)而形成，其中此蝕刻可以是濕蝕刻或乾蝕刻。

請參閱圖3B，接著，對位在這些第一開口116h、118h處的基板110’進行第二類型的摻雜，以形成二個輕摻雜區124’，所以這些輕摻雜區124’皆具有第二類型摻雜。第二類型摻雜也可以是N型摻雜以及P型摻雜二者其中之一，但第二類型摻雜不同於第一類型摻雜。例如，當第二類型摻雜為N型摻雜時，第一類型摻雜為P型摻雜。當第二類型摻雜為P型摻雜時，第一類型摻雜為N型摻雜。

進行第二類型的摻雜的方法可以是離子植入(ion implant)或熱驅入(thermal drive-in)。當採用熱驅入來進行第二類型的摻雜時，先在裸露於第一開口116h與118h的基板110’上形成摻雜材料，例如磷或硼。之後，對此摻雜材料加熱，以使摻雜材料擴散至基板110’內，從而以形成這些輕摻雜區124。

請參閱圖3B與圖3C，接著，移除第一遮蔽層116、118，其中第一遮蔽層116、118可以用蝕刻液(etchant)或電漿(plasma)來移除，而蝕刻液例如是氫氟酸(HF)。然後，於第一表面112’與第二表面114’分別形成一對第二遮蔽層117、119，其中這些第二遮蔽層117、119完全遮蔽輕摻雜區124’，並具有第二開口117h、119h。第二遮蔽層117、119的形成方法可相同於第一遮蔽層116、118的形成方法，而以下不再重複介紹。

在形成第二遮蔽層117、119之後，對位在這些第二開口117h與119h處的基板110’進行第一類型的摻雜，以形成二個具有第一類型摻雜的第二摻雜區130’，其中形成這些第二摻雜區130’的摻雜的方法可以為離子植入或熱驅入。

請參閱圖3C與圖3D，接著，移除第二遮蔽層117、119，以使基板110’的第一表面112’與第二表面114’裸露出來，其中移除第二遮蔽層117、119的方法可以相同於移除第一遮蔽層116、118的方法，即第二遮蔽層117、119可用氫氟酸等蝕刻液或電漿來移除。

之後，對第一表面112’以及第二表面114’進行第二類型的摻雜，以於第一表面112’以及第二表面114’分別形成一對接觸第二摻雜區130’的重摻雜區122’，其中重摻雜區122’的摻雜濃度高於輕摻雜區124’，而重摻雜區122’的摻雜方法可為離子植入或熱驅入。在形成重摻雜區122’之後，閘流體元件100的基底區110、輕摻雜區124與第二摻雜區130也已形成。

請參閱圖3D與圖3E，接著，形成一對第三遮蔽層101、111分別於這些重摻雜區122’。這些第三遮蔽層101、111分別具有開口101h與111h，而這些開口101h與111h皆用於之後所要進行的第一類型的摻雜，其中這些開口101h與111h的形狀皆為網狀。此外，形成這些第三遮蔽層101、111與開口101h、111h的方法可相同於前述形成這些第一遮蔽層116、118與開口116h、118h的方法，而以下不再重複介紹。

在形成第三遮蔽層101、111之後，對位在這些開口111h與101h處的重摻雜區122’進行第一類型的摻雜，以形成這些形狀為網狀的第三摻雜區140，其中形成第三摻雜區140的摻雜方法可以是離子植入或熱驅入。此時，圖1B所示的重摻雜區122已形成，即閘流體元件100的第一摻雜區120已形成。

請參閱圖3E與圖3F，接著，移除第三遮蔽層101、111，以使這些第一摻雜區120裸露出來，其中移除第三遮蔽層101、111的方法可以相同於移除第二遮蔽層117、119的方法。之後，於基板110’的側面116a’、116b’進行局部性的蝕刻，以使這些側面116a’、116b’分別形成凹陷，即形成圖1B所示的凹陷側面116a、116b。

承上述，在第三遮蔽層101、111皆被移除，而凹陷側面116a、116b形成之後，在這些第一摻雜區120上分別形成二層金屬層160，並進行旋轉塗布，以在凹陷側面116a、116b上形成這些絕緣層150，如圖1B所示。上述旋轉塗布在凹陷側面116a、116b上所塗的材料可以是含矽的金屬氧化物，其例如是含有矽的氧化鋁，而金屬層160可以是用濺鍍(sputter)或蒸鍍(evaporation)。至此，閘流體元件100(請參閱圖1B)基本上已製造完成。

值得一提的是，在電路結構方面，圖1B所示的閘流體元件100實質上為二顆閘流體元件的結合，但是在其他實施例中，第二摻雜區130與第三摻雜區140的數量皆可以只有一個，以使閘流體元件100只有單一顆閘流體元件的功能。因此，基於不同電路結構的閘流體元件100，以上圖3A至圖3F所示的製造方法可以只形成一個第二摻雜區130與一個第三摻雜區140，並非一定要形成二個第二摻雜區130與二個第三摻雜區140。

以上所述，僅為本發明的具體實施例知詳細說明及圖是而已，並非用以限定本發明，本發明之所有範圍應以下述之申請專利範圍為準，任何熟悉該項技藝者在本發明之領域內，可以變化或是修飾皆可涵蓋在以下本案所界定之申請專利範圍。

100、200．．．閘流體元件

101、111．．．第三遮蔽層

101h、111h．．．開口

110．．．基底區

110’．．．基板

112．．．第一側

112’．．．第一表面

114．．．第二側

114’．．．第二表面

116、118．．．第一遮蔽層

116a、116b．．．凹陷側面

116a’、116b’．．．側面

116h、118h．．．第一開口

117、119．．．第二遮蔽層

117h、119h．．．第二開口

120．．．第一摻雜區

122、122’．．．重摻雜區

124、124’．．．輕摻雜區

130、130’、230．．．第二摻雜區

140．．．第三摻雜區

140a．．．網格

150．．．絕緣層

160．．．金屬層

170．．．短路區

232．．．間隔

圖1A是本發明第一實施例之閘流體元件的俯視示意圖。

圖1B是圖1A中閘流體元件的剖面示意圖。

圖2是本發明第二實施例之閘流體元件的俯視示意圖。

圖3A至圖3F是圖解本發明第一實施例的閘流體元件100的製造流程。

110．．．基底區

112．．．第一側

114．．．第二側

116a、116b．．．凹陷側面

120．．．第一摻雜區

122．．．重摻雜區

124．．．輕摻雜區

130．．．第二摻雜區

140．．．第三摻雜區

150．．．絕緣層

160．．．金屬層

170．．．短路區

Claims (17)

1. 一種閘流體元件，包括：一基底區，具有一第一側以及一相對該第一側的第二側；一對第一摻雜區，分別形成於該第一側與該第二側，並接觸該基底區；至少一第二摻雜區，形成在其中一個第一摻雜區與該基底區之間，並接觸該基底區與該第一摻雜區；至少一第三摻雜區，形成於其中一個第一摻雜區中，並接觸該第一摻雜區，其中該第三摻雜區未接觸該基底區；其中該些第一摻雜區的摻雜類型不同於該第二摻雜區、該第三摻雜區以及該基底區三者的摻雜類型；以及一對金屬層，分別接觸該些第一摻雜區，而該些第一摻雜區與該第三摻雜區皆位在該些金屬層之間，其中一層金屬層更接觸該第三摻雜區。
2. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該第二摻雜區的摻雜濃度大於該基底區的摻雜濃度，小於該第三摻雜區的摻雜濃度。
3. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該閘流體元件的一整體摻雜濃度介於1E13 ion/cm² 至1E15 ion/cm² 之間，而該閘流體元件在該些金屬層之間的電容值介於15皮法拉至30皮法拉之間。
4. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該第三摻雜區的形狀為網狀，並具有多個呈陣列排列的網格，而該第二摻雜區未與該些網格重疊。
5. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該基底區具有一對凹陷側面，其中一面凹陷側面圍繞並相連該第一側，而另一面凹陷側面圍繞並相連該第二側，該第二摻雜區局部裸露於其中一面凹陷側面。
6. 如申請專利範圍第5項所述之閘流體元件，更包括一對絕緣層，該些絕緣層分別配置在該些凹陷側面上。
7. 如申請專利範圍第5項所述之閘流體元件，其中該第二摻雜區的形狀為梳狀，並從該凹陷側面延伸至其中相鄰二個網格之間的區域。
8. 如申請專利範圍第7項所述之閘流體元件，其中該第二摻雜區具有多個間隔，該些間隔沿著該凹陷側面分佈，而各該間隔與多個該網格呈直線分佈。
9. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該些第一摻雜區的至少其中一者包括：一重摻雜區，接觸該基底區；以及一輕摻雜區，位在該重摻雜區與該基底區之間，並接觸該重摻雜區與該基底區。
10. 如申請專利範圍第1項所述之閘流體元件，其中該第二摻雜區的數量為二個，而該第三摻雜區的數量為二個，該些第三摻雜區分別形成於該些第一摻雜區中，並且接觸該些第一摻雜區，其中該些第三摻雜區皆未接觸該基底區，而各該第二摻雜區形成在其中一個第一摻雜區與該基底區之間，並接觸該基底區與該第一摻雜區。
11. 一種閘流體元件的製造方法，包括下列步驟：提供一具有一第一類型摻雜的基板，其中該基板具有一第一表面以及一相對該第一表面的第二表面；對該第一表面與該第二表面進行摻雜，以形成一對第一摻雜區、至少一第二摻雜區與一位在該些第一摻雜區之間的基底區，該基底區接觸該些第一摻雜區，而該第二摻雜區形成在其中一個第一摻雜區與該基底區之間，並接觸該基底區與該第一摻雜區，該第一摻雜區具有一不同於該第一類型摻雜的第二類型摻雜，而該第二摻雜區具有該第一類型摻雜；對至少一個第一摻雜區進行摻雜，以形成至少一第三摻雜區，其中該第三摻雜區具有該第一類型摻雜，且未接觸該基底區；以及於該些第一摻雜區分別形成一對金屬層，其中該些金屬層分別接觸該些第一摻雜區，而其中一層金屬層更接觸該第三摻雜區。
12. 如申請專利範圍第11項所述之閘流體元件的製造方法，其中對該第一表面與該第二表面進行摻雜的步驟包括：在該第一表面上形成一第一遮蔽層，其中該第一遮蔽層具有一第一開口；對位在該第一開口處的該基板進行摻雜，以形成一輕摻雜區；在形成該輕摻雜區之後，移除該第一遮蔽層；在移除該第一遮蔽層之後，在該第一表面上形成一完全遮蔽該輕摻雜區的第二遮蔽層，其中該第二遮蔽層具有一第二開口；對位在該第二開口處的該基板進行摻雜，以形成說第二摻雜區；在形成該第二摻雜區之後，移除該第二遮蔽層；以及在移除該第二遮蔽層之後，對該第一表面與該第二表面進行摻雜，以於該第一表面與該第二表面分別形成一對重摻雜區，其中一個重摻雜區接觸該第二摻雜區，而該輕摻雜區與該些重摻雜區皆具有該第二類型摻雜。
13. 如申請專利範圍第12項所述之閘流體元件的製造方法，其中該第一開口與該第二開口是由蝕刻所形成。
14. 如申請專利範圍第11項所述之閘流體元件的製造方法，其中該第一遮蔽層與該第二遮蔽層是由熱氧法所形成。
15. 如申請專利範圍第11項所述之閘流體元件的製造方法，其中該第二摻雜區的摻雜濃度大於該基底區的摻雜濃度，且小於該第三摻雜區的摻雜濃度。
16. 如申請專利範圍第11項所述之閘流體元件的製造方法，其中在形成該第三摻雜區之後，分別形成一對絕緣層於該基板的一對側面。
17. 如申請專利範圍第16項所述之閘流體元件的製造方法，其中形成該些絕緣層的步驟包括：在該基板的該些側面進行局部性蝕刻，以形成至少一凹陷；以及在形成該些凹陷後，進行旋轉塗布，以形成該些絕緣層。