TWI469973B - 四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體 - Google Patents

四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體 Download PDF

Info

Publication number
TWI469973B
TWI469973B TW99108711A TW99108711A TWI469973B TW I469973 B TWI469973 B TW I469973B TW 99108711 A TW99108711 A TW 99108711A TW 99108711 A TW99108711 A TW 99108711A TW I469973 B TWI469973 B TW I469973B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
tetrathiafulvalene
substituted
organic
atom
derivative
Prior art date
Application number
TW99108711A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201105647A (en
Inventor
Masato Shinoda
Satoshi Yamamoto
Toshiya Sagisaka
Takuji Kato
Takashi Okada
Daisuke Goto
Shinji Matsumoto
Masataka Mohri
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Publication of TW201105647A publication Critical patent/TW201105647A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI469973B publication Critical patent/TWI469973B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D339/00—Heterocyclic compounds containing rings having two sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D339/02—Five-membered rings
    • C07D339/06—Five-membered rings having the hetero atoms in positions 1 and 3, e.g. cyclic dithiocarbonates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D495/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D495/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D495/04—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Heterocyclic Compounds Containing Sulfur Atoms (AREA)

Description

四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體
本發明有關新穎四硫富瓦烯衍生物，及使用該新穎四硫富瓦烯衍生物之有機電子裝置，例如有機TFT、電致變色顯示器、EL顯示器、有機半導體材料，及作為電荷輸送材料之原料。
四硫富瓦烯(TTF)及其衍生物係具有強烈電子給予性質之分子，且與電子受體分子(諸如四氰對醌二甲烷(TCNQ))一起形成電荷轉移錯合物。所形成之電荷轉移錯合物展現出金屬導電性。預期將該電荷轉移錯合物用於許多應用，諸如有機超導體、有機磁性材料、有機電致變色材料、及有機電致發光材料。
近年來，使用有機半導體之薄膜電晶體已受到矚目。使用矽製造薄膜電晶體之習用方法需要真空條件與沉積步驟。因此，製造薄膜電晶體的習用方法具有需要非常昂貴製造設施的缺點。然而，由於藉由使用將有機半導體材料溶解於溶劑中所形成之墨水的印刷方法應需製造電晶體，可降低使用有機半導體製造電晶體之方法的成本。此外，採用使用該有機半導體的印刷方法，可加大電子電路之面積，或可製造撓性裝置。
已確認以往所提出之使用TTF衍生物的薄膜電晶體在有機半導體當中具有高場效遷移率。在非專利文獻1與2中，藉由將TTF衍生物溶解於溶劑中，形成晶體，及將該晶體置於源極與汲極之間，以製造有機半導體層，然後測量其電晶體特徵。已確認使用DB-TTF作為有機半導體層的薄膜電晶體具有高遷移率。然而，藉由將單晶置於該薄膜電晶體的有機半導體層上製造元件之方法未實際運用作為考慮工業便利性的方法。此外，典型TTF衍生物具有低游離電位與不良大氣安定性。
非專利文獻3與專利文獻1提出一種含有氮原子之分子結構以改善DB-TTF及DN-TTF之游離電位。與未包含氮原子之-TTF及DN-TTF相較，該等各含有氮原子之DB-TTF及DN-TT的游離電位係經改善，但遷移率顯著降低。
引文列表 專利文獻
PTL 1：日本專利申請案公開(JP-A)第2007-42717號
非專利文獻
NPL 1：J. Am. Chem. Soc. 2004,126,984-985
NPL 2：Appl. Phys. Lett. 2005,86 012110
NPL 3：J. Am. Chem. Soc. 2005,127,10142-10143
有鑒於習用技術之現有狀態，本發明目的係提供一種具有特定結構之四硫富瓦烯衍生物，其保持高遷移率，且具有比習用四硫富瓦烯衍生物深之游離電位；以及提供有機膜、及使用該具有特定結構之四硫富瓦烯衍生物之有機電晶體。
本發明之發明人為獲致本發明目的已進行徹底研究，且發現可將該具有特定結構之四硫富瓦烯衍生物用於有機電子裝置。
如下獲致本發明。
<1>一種通式(I)所表示之四硫富瓦烯衍生物：
於通式(I)中，X表示選自碳原子、硫原子及氮原子之原子，且X可相同或不同；其前提係當X為碳原子或氮原子時，R1 至R8 各表示氫原子、鹵素原子、經取代或未經取代烷基、經取代或未經取代烷氧基，及經取代或未經取代烷硫基其中一者，且可相同或不同；Y1 與Y2 各表示通式(II)及(III)所表示的結構之一，且可相同或不同：
通式(II)與(III)中，R9 至R18 各表示氫原子、鹵素原子、經取代或未經取代烷基、經取代或未經取代烷氧基，及經取代或未經取代烷硫基之一，且可相同或不同；n表示1至3之整數；且其前提係當n為整數2或3時，R17 可相同或不同，且R18 可相同或不同。
<2>一種有機膜，其包括如<1>之四硫富瓦烯衍生物。
<3>一種有機電晶體，其包括如<1>之四硫富瓦烯衍生物。
根據本發明，四硫富瓦烯衍生物適用於有機電子裝置，且有機膜與有機電晶體使用該四硫富瓦烯衍生物。
本發明特徵係通式(I)所表示之四硫富瓦烯衍生物。
四硫富瓦烯具有雜環部分具有7個π電子的結構，所以一個電子易於II釋放出來使該雜環具有6個π電子，以符合Hückel定則。即，該四硫富瓦烯結構展現出優良電子給予性質。藉由該等給予性質，四硫富瓦烯可能為自由基陽離子，且在自由基陽離子態中呈安定狀態。因此， 其較佳係作為p型半導體材料。然而，因該等給予性質之故，四硫富瓦烯具有低游離電位，以及對氧之抗性差。通式(I)所表示之材料具有分子中之共軛系統比習用四硫富瓦烯衍生物更擴展的分子結構。其意味四硫富瓦烯衍生物之給予性質可能因擴展該共軛系統而降低。換言之，通式(I)所表示之四硫富瓦烯衍生物的游離電位提高，因而展現出對於造成惡化之氧的優良抗性。因此，通式(I)所表示之四硫富瓦烯衍生物比習用四硫富瓦烯衍生物更安定。此外，分子中之共軛系統擴展使電子轉移路徑區域加大，因此預期其電子與電洞輸送性優良。
以下茲將說明本發明新穎四硫富瓦烯衍生物之特定實例。
通式(I)中之R1 至R8 的實例包括氫原子、鹵素原子、經取代或未經取代烷基、經取代或未經取代烷氧基、及經取代或未經取代烷硫基，且R1 至R8 可相同或不同。
使用具有1或更多個碳原子之直鏈、分支或環狀烷基作為該經取代或未經取代烷基。此外，該烷基可具有經鹵素原子(例如，氟原子、氯原子、溴原子、碘原子)取代之苯基、氰基、苯基或直鏈及/或分支烷基。
該經取代或未經取代烷基之特定實例包括甲基、乙基、正丙基、異丙基、第三丁基、第二丁基、正丁基、異丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基、十七基、十八基、3,7-二甲基辛基、2-乙基己基、三氟甲基、三氟辛基 、三氟癸基、三氟十八基、2-氰乙基、苄基、4-氯苄基、4-甲苄基、環戊基、及環己基。
該經取代或未經取代烷氧基或該經取代或未經取代烷硫基(thioalkoxy)之特定實例包括藉由將氧原子或硫原子導至每一前文舉例之烷基的鍵結位置而形成。
此外，以下茲將列出本發明之四硫富瓦烯衍生物的特定實例。
合成四硫富瓦烯衍生物
上列(1)至(11)四硫富瓦烯衍生物係藉由下列合成途徑1製造。
第三步驟中所述之「DDQ」係2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌之縮寫。
從第一步驟至第三步驟之反應係參考J. Org. Chem. 1994,59,6519-6527、Chem. Commun. 1998,361-362、Chem. Commun. 1998,2197-2198、Tetrahedron Letters 2000,41,2091-2095中所述之方法進行。
在第四步驟之反應中合成的化合物(1-A)係藉由親二烯物(1-4)和對應於通式(III)所表示之分子結構的二烯之間的狄耳士-阿德爾反應(Diels-Alder reaction)獲得。在該狄耳士-阿德爾反應中，反應性視介於該親二烯物之LUMO與該二烯之HOMO之間的能量差而定。該能量差愈小，則反應性愈高。該能量差愈大，則反應性愈低。當介於該親二烯物之LUMO與該二烯之HOMO之間的能量差大時，較佳係添加路易斯酸作為觸媒以便改善反應性。該路易斯酸與親二烯物(1-4)之羰基氧配位，降低其LUMO能量以加速該狄耳士-阿德爾反應。
上述反應中所使用之路易斯酸實例包括三氟化硼、氯化鋁、氯化鐵、二氯化錫、四氯化錫、氯化鈦、氯化鋅、及N-(三甲矽)雙(三氟甲磺醯)醯亞胺。
第五步驟之反應係使用金屬氫化物將該羰基化合物還原(轉化)成醇化合物。
還原劑之實例包括硼氫化鈉、氫化鋁鋰、氫化二異丁基鋁、氰硼氫化鈉、硼氫化鋰、三乙基硼氫化鋰、硼烷錯合物、三乙基矽烷、雙(2-甲氧基乙氧基)氧化鋁鈉、硼氫化鎳、三(乙醯氧基)硼氫化鈉、硼氫化鋅、及三(第二丁基)硼氫化鈉。
在第六步驟之反應中，化合物(1-C)係藉由分子內脫水而獲得。
在第七與第八步驟之反應中，化合物(1-E)係如J. Org. Chem.,2000,65,5794-5805所述，藉由經由硫酮化合物(1-D)之偶合反應而製造。
具有通式(II)所表示之之分子結構的四硫富瓦烯衍生物可藉由在第九步驟中加熱化合物(1-E)以造成逆狄耳士-阿德爾反應而製造。
上列(12)至(22)四硫富瓦烯衍生物可藉由下列合成途徑2製造。
如合成途徑2所示，使用雙(四正丁銨)雙(1,3-二硫呃-2-硫酮-4,5-二硫醇根)鋅錯合物(2-1)作為起始材料，參考文獻SYNTHSIS 1995,215-235製造化合物(2-2)。對苯醌係藉由狄耳士-阿德爾反應合環加成於化合物(2-2)，然後使用DDQ脫水，由此獲得化合物(2-3)。然後，化合物(2-3)係依照合成途徑1從化合物(1-4)起之相同反應流程處理，如此合成(12)至(22)之四硫富瓦烯衍生物。
上列(23)至(33)四硫富瓦烯衍生物可藉由下列合成途徑3製造。
「THF」係四氫呋喃之縮寫。
如合成途徑3所示，使用氫硫化鉀溶液將二氯化合物(3-1)轉化成二硫醇化合物(3-2)，然後使用三光氣將之形成硫酮化合物。然後，硫酮化合物(3-3)係依照合成途徑1從化合物(1-D)起之相同反應流程處理，如此合成(23)至(33)之四硫富瓦烯衍生物。
上列(34)至(55)四硫富瓦烯衍生物可藉由下列合成途徑4製造。
在合成途徑4中，X代表硫原子或氮原子。
(34)至(55)四硫富瓦烯衍生物係依照與合成途徑3相同之途徑而從二氯化合物(4-1)獲得。
電晶體構造
圖1A至1D顯示根據本發明之有機薄膜電晶體的示意構造。本發明之有機薄膜電晶體的有機半導體層1主要包含通式(I)所表示之四硫富瓦烯衍生物。本發明之有機薄膜電晶體包括源極2、汲極3與閘極4，彼等係以彼此分開之方式設置於該有機半導體層1上。閘極絕緣膜5可設置在閘極4與有機半導體層1之間。該有機薄膜電晶體係經配置以藉由施加電壓於閘極4而控制流經該介於源極2與汲極3之間的有機半導體層1之電流。本發明之有機薄膜電晶體可在基板上形成。至於該基板，可使用由例如玻璃、矽、塑膠等所形成之典型基板。導電性基板可用作該閘極。該閘極與該導電性基板可分層。然而，在預期應用本發明有機薄膜電晶體之裝置具有諸如可撓性、低製造成本與耐衝擊性等性質之實例中，較佳係使用塑膠薄片作為該基板。
該等塑膠薄片之實例包括聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚芳基化合物、聚醯亞胺、聚碳酸酯、三乙酸纖維素、及乙酸丙酸纖維素。
有機半導體層
本發明中所使用之有機半導體材料可為藉由氣相沉積之膜。該有機半導體材料係在真空中加熱，以使氣相沉積在所希望之區域上，藉此形成薄膜。另外，該有機半導體材料係溶解在溶劑(諸如二氯甲烷、四氫呋喃、氯仿、甲苯、二氯苯及/或二甲苯，且將之施加於基板以沉積薄膜。
用於沉積該有機半導體薄膜的方法包括噴塗、旋塗、刮刀塗布、浸漬、澆注、輥塗、棒塗、染料塗布、噴墨，及分配。可根據材料而從上述沉積方法與溶劑適當地選擇沉積方法與溶劑。
在本發明之有機薄膜電晶體中，該有機半導體層之厚度並無特別限制，且該有機半導體層之厚度係經選擇以便沉積均勻薄膜，換言之，不具會對該有機半導體層之載子輸送特徵造成負面影響的縫隙與孔洞之薄膜。
該有機半導體層之厚度通常為1μm或更小，特佳係5 nm至200 nm。
在本發明之有機薄膜電晶體中，該主要由四硫富瓦烯衍生物形成之有機半導體層係形成為與該源極、該汲極及該絕緣膜接觸。
絕緣膜
用於本發明有機薄膜電晶體中之絕緣膜係由各種供絕緣膜用之材料所形成。其實例包括無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化錫、氧化釩、氧化鋇-鍶-鈦、氧化鋇-鈦-鋯、氧化鉛-鋯-鈦、鈦酸鋁鑭、鈦酸鍶、鈦酸鋇、氟化鋇鎂、氧化鉍-鈮-鉭、及三氧化釔。
另外，其實例包括聚合物化合物，諸如聚醯亞胺、聚乙烯醇、聚乙烯酚、聚酯、聚乙烯、聚苯硫醚、未經取代或經鹵素原子取代之聚對二甲苯、聚丙烯腈及氰乙基黏稠性多糖。
該等絕緣材料可合併使用。該絕緣材料並無特定限制，較佳係選擇具有高介電常數與低導電性之絕緣材料。
使用該等絕緣材料沉積絕緣膜之方法實例包括乾式沉積法，諸如化學氣相沉積(CVD)、電漿CVD及電漿聚合作用；以及濕式塗布法，諸如噴塗、旋塗、浸塗、噴墨、刮刀塗布及棒塗。
介於有機半導體與絕緣膜之間的界面改質，諸如HMDS。
在本發明有機薄膜電晶體中，可在該絕緣膜與有機半導體層之間設置有機薄膜以改善其黏著性、降低閘極電壓及減少漏電流。只要該有機薄膜對於有機半導體層不具化學影響，該有機薄膜並無特定限制。例如，可使用有機分子膜與聚合物薄膜。
可使用偶合劑作為該有機分子膜，該偶合劑係諸如十八基三氯矽烷(ODTCS)與六亞甲基二矽氮烷(HMDS)。此外，可使用上述聚合物絕緣材料作為該聚合物薄膜，且彼等可發揮某些絕緣膜功能。可藉由摩擦等對該有機薄膜進行各向異性處理。
電極
只要使用導電性材料，本發明之有機薄膜電晶體中所使用的閘極與源極之材料並無特定限制。其實例包括鉑、金、銀、鎳、鉻、銅、鐵、錫、銻、鉛、鉭、銦、鋁、鋅、鎂，及其合金；導電性金屬氧化物，諸如氧化銦/錫；藉由摻雜等而改善導電性之有機與無機半導體，諸如單晶矽、多晶矽、非晶矽、鍺、石墨、聚乙炔、聚對伸苯基、聚吡咯、聚苯胺、聚伸噻吩乙炔(polythienylene vinylene)、由聚伸乙基二氧噻吩與聚苯乙烯磺酸所組成之錯合物。
在上述導電性材料中，在與該半導體層接觸之表面具有低電阻的材料用於源極與汲極為佳。此外，當本發明之四硫富瓦烯衍生物係藉由形成會變成電接觸點的電極而用於該半導體層時，使用由四硫富瓦烯衍生物與電子受體分子(諸如四氰對醌二甲烷(TCNQ))所組成之電荷轉移錯合物可有效注入電荷。
用於形成電極的方法實例包括藉由習知方法(諸如光微影蝕刻法或舉離(liftoff)技術)將已藉由使用上述材料的沉積或濺鍍作用沉積之導電性薄膜形成電極的方法；以及藉由蝕刻在金屬箔(例如鋁與銅)上之抗蝕劑、藉由熱轉移、噴墨等形成電極之方法。此外，電極可藉由使用導電性聚合物之溶液或分散液體或是導電性粒子之分散液體的噴墨印刷直接圖案化而形成，或可藉由石板印刷術或雷射切除術從經塗布之層形成。亦可能使用包含墨水、導電性糊劑等之導電性聚合物或導電性粒子係藉由印刷方法(諸如凸版印刷、凹版印刷、平版印刷或網版印刷)而圖案化之方法。
提取電極、保護層
視需要，本發明之有機薄膜電晶體可設置來自每一電極之提取電極。
本發明之有機薄膜電晶體可設置用於避免濕氣、大氣及/或氣體及為便利而保護整體裝置的保護層。
應用裝置
本發明之有機薄膜電晶體可用作驅動影像顯示元件的元件，諸如液晶、有機電致發光及電泳遷移元件。當將此等元件整合時，可能製造稱為「電子紙」之顯示器。此外，亦可能使用整合本發明之有機薄膜電晶體作為裝置的IC，諸如IC標籤。
實施例
下文中，茲參考實施例具體解釋本發明。不過，應注意本發明在任一方面均不侷限於該等實施例。
實施例1 <合成雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(3)>
化合物(3)之合成途徑如下。
合成程序<1> <合成4,5-雙(羥甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-2>
將已溶解氯化鋰(1.00 g)之甲醇(100 mL)逐滴添加至硼氫化鈉(10.22 g)，然後於其中添加THF(50 mL)。將所形成的混合物冷卻至-10℃，然後將溶解於THF(100 mL)之1,3-二硫呃-2-硫酮-4,5-二甲基二甲酸酯：1-1(10.0 g)逐滴添加至該經冷卻混合物。於該逐滴添加完成之後，該形成之混合物係在冰浴中攪拌3小時。反應完成後，將該反應溶液倒入冰水(1 L)中且以乙酸乙酯萃取，然後以飽和鹽水溶液清洗之。使用硫酸鎂乾燥該有機層。經由過濾作用移除該硫酸鎂。使用乙酸乙酯進行再結晶作用，如此獲得4,5-雙(羥甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-2，產率為88%。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(DMSO，TMS)σ：4.45(d，2H，J=5.5Hz)，5.88(t，1H，J=5.5Hz)。
合成程序<2> <合成4,5-雙(溴甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-3>
在一容器中，裝入4,5-雙(羥甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-2(5.20 g)、氯仿(60 mL)及四氫呋喃(60 mL)，且在冰浴中予以冷卻。將溶解於氯仿(60 mL)中之溴化磷(3.04 mL)逐滴添加至該經冷卻混合物。所形成之混合物係在5℃或更低之溫度攪拌3小時，以乙酸乙酯萃取，然後以水和飽和鹽水溶液予以清洗。使用硫酸鎂乾燥該有機層。經由過濾作用移除該硫酸鎂。使用乙酸乙酯進行再結晶作用，如此獲得4,5-雙(溴甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-3，產率為85%。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：4.33(s，4H)。
合成程序<3> <合成2-硫酮基萘[2,3-d][1,3]二硫呃-5,8-二酮：1-4>
在一容器中，裝入4,5-雙(溴甲基)-1,3-二硫呃-2-硫酮：1-3(1.10 g)、碘化四乙銨(0.38 g)、對苯醌(2.77 g)、及乙腈(60 mL)，然後使之回流1小時。之後，將二氯二氰苯醌(1.62 g)加入該形成之混合物中，然後使之回流7小時。在該回流完成之後，將溶劑餾除，且將甲醇加入該容器中，然後經由過濾作用收集該沉澱物。該沉澱物係依序以甲醇、蒸餾水及醚予以清洗，將所得之殘留物溶解於氯仿，然後過濾之。將所得之濾液再結晶，如此獲得2-硫酮基萘[2,3-d][1,3]二硫呃-5,8-二酮：1-4，產率為78%。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：7.04(s，2H)，8.15(s，2H)。
合成程序<4> <合成6,9-二氫-6,9-乙橋-2-硫酮基蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-5,10-二酮：1-5>
在甲苯(300 mL)中加入2-硫酮基萘[2,3-d][1,3]二硫呃-5,8-二酮：1-4(0.50 g)，且將之冷卻至-78℃。於冷卻後，將N-(三甲矽)雙(三氟甲磺醯)醯亞胺(1.34 g)加入該形成之混合物，然後另外於其中加入1,3-環己二烯(0.84 g)。在反應完成後，將1M NaHCO3 水溶液加入該形成之混合物。有機層被分離，然後以飽和鹽水溶液予以清洗。使用硫酸鎂乾燥該有機層。經由過濾作用移除該硫酸鎂。以甲苯進行再結晶作用，如此獲得6,9-二氫-6,9-乙橋-2-硫酮基蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-5,10-二酮：1-5，產率為77%。
經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：1.40-1.43(m，2H)，1.78-1.81(m，2H)，3.24-3.25(m，2H)，3.32-3.35(m，2H)，6.16(dd，2H，J1 =3.2Hz，J2 =4.6Hz)，8.08(s，2H)。
合成程序<5> <合成5,10-二羥基-5,10-二氫-6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-6>
在甲醇(60 mL)與THF(160 mL)中加入6,9-二氫-6,9-乙橋-2-硫酮基蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-5,10-二酮：1-5(0.12 g)，且在冰浴中冷卻至0℃。之後，將硼氫化鈉(0.026 g)溶解於該形成之混合物中，且攪拌4小時。反應完成後，將該反應溶液倒入冰水中，且經由過濾作用收集該沉澱物。以水清洗該沉澱物，且真空乾燥以獲得5,10-二羥基-5,10-二氫-6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-6，產率為98%。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(DMSO，TMS)σ：1.00(d，2H，J1 =7.3Hz)，1.42(d，2H，J1 =7.3Hz)，2.57(s，2H)，2.75(s，2H)，4.74(s，2H)，5.16(s，2H)，5.6(s，2H)，7.58(s，2H)。
合成程序<6> <合成6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-7>
在吡啶(30 mL)中水解該5,10-二羥基-5,10-二氫-6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-6(1.03 g)，且於冰浴中冷卻至0℃。之後，將膦醯氯(0.81 mL)加入該經冷卻混合物，且攪拌2小時。反應完成後，將該混合物倒入冰水中，且經由過濾作用收集該獲得之沉澱物。
以水清洗該沉澱物、將之水解於氯仿，且以硫酸鎂乾燥之。之後，經由過濾作用移除該硫酸鎂。將該溶劑餾除，進行管柱層析以分離6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-7，產率為92%。1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：1.55-1.57(m，2H)，1.66-1.69(m，2H)，4.04-4.06(m，2H)，6.56-6.57(dd，2H，J1 =3.1Hz，J2 =4.6Hz)，7.54(s，2H)，7.85(s，2H)。
合成程序<7> <合成6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-酮：1-8>
在氯仿(90 mL)中溶解6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-硫酮：1-7(0.92 g)，且於形成之溶液中逐滴添加溶解在乙酸中之乙酸汞，及在室溫攪拌4小時。反應完成後，對該形成物進行矽藻土過濾作用，然後以氯甲基清洗之。以NaHCO3 水溶液及蒸餾水清洗該濾液，然後以硫酸鎂乾燥之。在經由過濾作用移除該硫酸鎂之後，將溶劑餾除，如此獲得6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-酮：1-8，產率為76%。1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：1.54-1.56(m，2H)，1.66-1.69(m，2H)，4.03-4.06(m，2H)，6.56-6.57(dd，2H，J1 =3.1Hz，J2=4.6Hz)，7.51(s，2H)，7.86(s，2H)。
藉由紅外線測定法(KBr)分析6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-酮：1-8，確認在1718 cm-1 之吸收係因C=O鍵而造成。
合成程序<8> <合成雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：(3)>
將6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-2-酮：1-8(0.20 g)與膦酸三乙酯(2.00 mL)混合，且在140℃攪拌9小時。使反應溶液靜置至冷卻、將之過濾，且以甲醇清洗之。然後以氯仿進一步清洗該反應溶液，如此獲得雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：(3)，產率為67%。
質譜測定法：GC-MS m/z=281[M2+ ]
元素分析
藉由紅外線測定法(KBr)分析雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯(3)，結果係示於圖2。
實施例2
有機膜係藉由下述方法使用實施例1中合成之雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(3)製造。
將包括膜厚為300 nm之經熱氧化膜的N型矽基板浸於濃縮硫酸且清洗24小時，然後浸於矽烷偶合劑(辛基三氯矽烷)之甲苯溶液(1 mM)中。然後，對該基板進行超音波處理5分鐘，以在氧化矽膜之表面上形成單分子膜。
在藉由上述方法製備之基板上方，於背壓至高達10-4 Pa、沉積速率為0.1/s且半導體膜厚度為50 nm之條件下，氣相沉積實施例1中獲得之雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：(3)，如此獲得光滑且均勻之有機膜。
藉由光電子光譜儀AC-2(由RIKEN KEIKI Co.,Ltd.所製造，標準樣本：沉積Au之膜，照射光劑量：5.0 nW)測量該有機膜之游離電位。結果，觀測到雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：(3)之游離電位為4.9 eV。
實施例3 <合成雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)>
化合物(1)之合成途徑如下。
合成程序<9> <合成雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)>
以氮吹洗三頸燒瓶，然後裝入雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(3)(0.20 g)。之後，將該燒瓶置於設為280℃之加熱板上。四硫富瓦烯衍生物(3)之黃色粉末在數分鐘內變成雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)之紅色粉末(產率：99%)。
元素分析
藉由藉由紅外線測定法(KBr)分析雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯，該結果係示於圖3。
實施例4
有機膜係藉由下述方法使用實施例3中合成之雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)製造。
將包括膜厚為300 nm之經熱氧化膜的N型矽基板浸於濃縮硫酸且清洗24小時。然後，將該基板浸於矽烷偶合劑(辛基三氯矽烷)之甲苯溶液(1 mM)中，隨後對其進行超音波處理5分鐘，以在氧化矽膜之表面上形成單分子膜。
在藉由上述方法製備之基板上方，於背壓至高達10-4 Pa、沉積速率為0.1/s且半導體膜厚度為50 nm之條件下，氣相沉積實施例3中獲得之雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)，如此獲得光滑且均勻之有機膜。
藉由光電子光譜儀AC-2(由RIKEN KEIKI Co.,Ltd.所製造，標準樣本：沉積Au之膜，照射光劑量：5 nW)測量該有機膜之游離電位。結果，觀測到雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)之游離電位為4.9 eV。
該有機膜之面外X射線繞射圖案係示於圖4，且該有機膜之面內X射線繞射圖案係示於圖5。
實施例5
具有圖1D所示之結構的場效電晶體係藉由下述方法使用實施例3所合成之雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(1)而製造。
將包括膜厚為300 nm之經熱氧化膜的N型矽基板浸於濃縮硫酸且清洗24小時。然後浸於矽烷偶合劑(苯基三氯矽烷)之甲苯溶液(1 mM)中，隨後對該基板進行超音波處理5分鐘，以在氧化矽膜之表面上形成單分子膜。
在藉由上述方法製備之基板上方，於背壓至高達10-4 Pa、沉積速率為0.1/s且半導體膜厚度為50 nm之條件下，氣相沉積雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯：實施例1中獲得之四硫富瓦烯衍生物(1)，如此獲得光滑且均勻之有機半導體層。
在有機半導體層上，於背壓至高達10-4 Pa、沉積速率為1/s至2/s且半導體膜厚度為50 nm之條件下，經由遮罩氣相沉積Au，如此形成通道長度為50 μm且通道寬度為2 mm之源極與汲極。藉由刮削去除該等電極以外區域的有機半導體層與氧化矽膜，且將導電性糊劑(由Fujikura Kasei Co.,Ltd.製造)施加於該區域中且將溶劑予以乾燥。將電壓通過該區域施加於作為閘極之矽基板，如此製造場效電晶體(FET)元件。
該FET元件之電特徵係藉由半導體參數分析儀4156C(由Agilent Technologies製造)予以評估。該FET元件展現作為p型電晶體元件之性質。該有機薄膜電晶體之轉移特徵係示於圖6。該有機薄膜電晶體之輸出特徵係示於圖7。從該等轉移特徵之飽和獲得場效遷移率。
該有機薄膜電晶體之場效遷移率(μ)係藉由以下方程式計算。
Ids=μCinW(Vg-Vth)2/2L
在該方程式中，Cin係每單位面積閘極絕緣膜的電容，W係通道寬度，L係通道長度，Vg係閘極電壓，Ids係源極-汲極電流，μ係場效遷移率，而Vth係開始形成通道之閘極臨界電壓。
所製造之有機薄膜電晶體的場效遷移率為0.96 cm2 /Vs。
所製造之場效電晶體的通道區域之SEM影像係示於圖8。
實施例6
<合成雙{6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽)[2,3-d]}四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(4)>
化合物(4)係使用實施例1之化合物(1-4)合成。
化合物(4)之合成途徑如下。
<合成6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋)-2-硫酮基蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-5,10-二酮：8-5>
在甲苯(1,000 mL)中加入2-硫酮基萘[2,3-d][1,3]二硫呃-5,8-二酮：1-4(1.87 g)，且將之冷卻至-78℃。然後，在形成之混合物中添加N-(三甲矽)雙(三氟甲磺醯)醯亞胺(3.06 g)，接著另外添加5,5-二甲基-1,3-環己二烯(5.0 g)。在反應完成後，將1M NaHCO3 水溶液加入該形成之混合物。將有機層分離，然後以飽和鹽水溶液清洗之，接著以硫酸鎂乾燥該有機層。經由過濾作用移除該硫酸鎂。以甲苯進行再結晶作用，如此獲得6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋)-2-硫酮基蒽[2,3-d][1,3]二硫呃-5,10-二酮：8-5，產率為70%。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：0.89(s，3 H)，1.19(s，3 H)，2.97-2.99(m,1H)，3.22(d，2H，J=7.4Hz)，3.53-3.56(m，1H)，6.06(t，1H，J=6.6Hz)，6.23(t，1H，J=6.6Hz)，8.08(s，2H)。
使用藉由與實施例1中合成程序<5>至<8>的相同程序所獲得之化合物8-5，製得雙{6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽)[2,3-d]}四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(4)。經由NMR分析確認該標的化合物：1H-NMR(CDCl3 ，TMS)σ：0.66(s，3H)，1.08(s，3H)，1.33(d,1H，J=6.3Hz)，1.49(d，2H，J=6.3Hz)，3.41-3.42(m，1H)，3.86-3.87(m，1H)，7.37(s，2H)，7.61(s，2H)。
元素分析
藉由紅外線測定法(KBr)分析雙{6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽)[2,3-d]}四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(4)，結果係示於圖9。
實施例7
使用與在實施例6中以與實施例2相同程序所合成之雙{6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽)[2,3-d]}四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(4)製造有機膜。
藉由光電子光譜儀AC-2(由RIKEN KEIKI Co.,Ltd.所製造，標準樣本：沉積Au之膜，照射光劑量：25 nW)測量該製造之有機膜的游離電位。結果，觀測到雙{6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽)[2,3-d]}四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(4)的游離電位為5.0 eV。
實施例8 <合成雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(23)>
化合物(23)之合成途徑如下。
合成程序<10> <合成苯並[g]喹噁啉-2,3-二硫醇：3-2>
在四氫呋喃(100 mL)中添加2,3-二氯苯並[g]喹噁啉：3-1(0.43 g)，且另外添加10質量%至20質量%之氫硫化鉀水溶液(2.83 g)。該溶液於室溫下攪拌16小時。將該反應溶液倒入蒸餾水(400 mL)中，且以氫氯酸酸化。以蒸餾水清洗該沉澱物，接著以氯仿清洗，如此獲得苯並[g]喹噁啉-2,3-二硫醇：3-2，產率為98%。
經由NMR與MS分析確認該標的化合物：1H-NMR(DMSO，TMS)σ：7.48(dd，2H，J1=6.3，J2=3.2Hz)，7.84(s，2H)，7.91(dd，2H，J1=6.3，J2=3.5Hz)，GC-MS m/z=244。
合成程序<11> <合成苯並[g][1,3]二硫呃[4,5-b]喹噁啉-2-酮：3-3>
在四氫呋喃(200 mL)中加入苯並[g]喹噁啉-2,3-二硫醇：3-2(0.29 g)，且另外添加三光氣(0.60 g)。該溶液於室溫下攪拌18小時。將該反應溶液倒入蒸餾水(400 mL)中，且過濾該沉澱物。
之後，依序以蒸餾水及甲醇清洗該經過濾之沉澱物，然後將之沉積於氯仿中。使用層析術作為洗提液對該溶液進行管柱層析，如此分離苯並[g][1,3]二硫呃[4,5-b]喹噁啉-2-酮：3-3，產率為40%。
經由NMR、MS，及IR分析確認該標的化合物：1H-NMR(DMSO，TMS)σ：7.64(dd，2H，J1=6.5，J2=3.2Hz)，8.12(dd，2H，J1=6.5，J2=3.2Hz)，8.59(s，2H) GC-MS m/z=270。藉由紅外線測定法(KBr)分析苯並[g][1,3]二硫呃[4,5-b]喹噁啉-2-酮：3-3，確認在1728 cm-1 之吸收係因C=O鍵而造成。
合成程序<12> <合成雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(23)>
將該苯並[g][1,3]二硫呃[4,5-b]喹噁啉-2-酮：3-3(0.21 g)與膦酸三乙酯(6.00 mL)混合，且在140℃攪拌9小時。使反應溶液靜置至冷卻、將之過濾，且以甲醇清洗之。然後以氯仿進一步清洗該反應溶液，如此獲得雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(23)，產率為91%。
質譜測定法：GC-MS m/z=508
進行紅外線測定法(KBr)。結果示於圖10。
實施例9
使用在實施例8中以與實施例2相同程序合成之雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(23)製造有機膜。
藉由光電子光譜儀AC-2(由RIKEN KEIKI Co.,Ltd.所製造，標準樣本：沉積Au之膜，照射光劑量：50 nW)測量該有機膜之游離電位。結果，觀測到雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：(23)之游離電位為5.5 eV。
實施例10
使用在實施例8中以與實施例5相同程序合成的雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯：四硫富瓦烯衍生物(23)製造具有圖1D所示之結構的場效電晶體。所獲得之場效電晶體(FET)元件之電特徵係藉由半導體參數分析儀4156C(由Agilent Technologies製造)予以評估。該FET元件展現作為p型電晶體元件之性質。該有機薄膜電晶體之轉移特徵係示於圖11。該有機薄膜電晶體之輸出特徵係示於圖12。從該等轉移特徵之飽和獲得場效遷移率。
所製造之有機薄膜電晶體的場效遷移率為0.50 cm2 /Vs。
對照實例1
藉由與實施例2相同程序，使用以上述化合式所表示之雙萘四硫富瓦烯製造有機膜。
藉由光電子光譜儀AC-2(由RIKEN KEIKI Co.,Ltd. 所製造，標準樣本：沉積Au之膜，照射光劑量：5.0 nW)測量該製造之有機膜的游離電位。結果，觀測到該雙萘四硫富瓦烯之游離電位為4.7 eV。
1．．．有機半導體層
2．．．源極
3．．．汲極
4．．．閘極
5．．．閘極絕緣膜
圖1A至1D示意顯示本發明之有機薄膜電晶體。
圖2顯示雙(6,9-二氫-6,9-乙橋蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之IR光譜。垂直軸之「%T」表示透射率。
圖3顯示雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之IR光譜。垂直軸之「%T」表示透射率。
圖4顯示雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之沉積膜的面外X射線繞射圖案。
圖5顯示雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之沉積膜的面內X射線繞射圖案。
圖6顯示使用雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之薄膜電晶體實例的轉移特徵。
圖7顯示使用雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之薄膜電晶體實例的輸出特徵。
圖8顯示使用雙(蒽[2,3-d])四硫富瓦烯之薄膜電晶體通道區之SEM影像。
圖9顯示雙{(6,9-二氫-6,9-(11,11-二甲基乙橋蒽[2,3-d]}四硫富瓦烯之IR光譜。垂直軸之「%T」表示透射率。
圖10顯示雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯之IR光譜。垂直軸之「%T」表示透射率。
圖11顯示雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯之薄膜電晶體實例的轉移特徵。
圖12顯示雙(苯並[g]喹噁啉)四硫富瓦烯之薄膜電晶體實例的輸出特徵。

Claims (5)

  1. 一種選自通式(I)、結構式(12)至(22)、結構式(34)至(44)所表示之四硫富瓦烯衍生物， 於通式(I)中，X表示選自碳原子及氮原子之原子，且X可相同或不同；其前提係當X為氮原子時，R1 至R8 不存在；以及當X為碳原子時，R1 至R8 各表示氫原子、鹵素原子、經取代或未經取代烷基、經取代或未經取代烷氧基，及經取代或未經取代烷硫基其中一者，且可相同或不同；Y1 與Y2 各表示通式(II)及(III)之所表示的結構之一，且可相同或不同： 通式(II)與(III)中，R9 至R18 各表示氫原子、鹵素原子、經取代或未經取代烷基、經取代或未經取代烷氧基，及經取代或未經取代烷硫基之一，且可相同或不同； n表示1至3之整數；其前提係當n為整數2或3時，R17 可相同或不同，且R18 可相同或不同，其中，經取代或未經取代烷基係選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、第三丁基、第二丁基、正丁基、異丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一基、十二基、十三基、十四基、十五基、十六基、十七基、十八基、3,7-二甲基辛基、2-乙基己基、三氟甲基、三氟辛基、三氟癸基、三氟十八基、及2-氰乙基，以及其中，經取代或未經取代烷氧基或經取代或未經取代烷硫基係選自藉由將氧原子或硫原子導至前述經取代或未經取代烷基的鍵結位置而形成之基團；
  2. 如申請專利範圍第1項之四硫富瓦烯衍生物，其中，該四硫富瓦烯衍生物係選自結構式(1)至(55)中至少一者：
  3. 如申請專利範圍第2項之四硫富瓦烯衍生物，其中，該四硫富瓦烯衍生物係選自結構式(1)、(3)、(4)與(23)中至少一者：
  4. 一種有機膜，其包含申請專利範圍第1項之四硫富瓦烯衍生物。
  5. 一種有機電晶體，其包含申請專利範圍第1項之四硫富瓦烯衍生物。
TW99108711A 2009-03-25 2010-03-24 四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體 TWI469973B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009073990 2009-03-25
JP2010000319A JP5569774B2 (ja) 2009-03-25 2010-01-05 テトラチアフルバレン誘導体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201105647A TW201105647A (en) 2011-02-16
TWI469973B true TWI469973B (zh) 2015-01-21

Family

ID=42781044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW99108711A TWI469973B (zh) 2009-03-25 2010-03-24 四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8530673B2 (zh)
EP (1) EP2411378B1 (zh)
JP (1) JP5569774B2 (zh)
KR (1) KR101348436B1 (zh)
CN (1) CN102365274B (zh)
TW (1) TWI469973B (zh)
WO (1) WO2010110351A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5730492B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-10 株式会社リコー 有機電極を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法
JP5730493B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-10 株式会社リコー 新規有機導電性膜を使用した有機電極
EP2363904A3 (en) * 2010-03-02 2013-02-27 Ricoh Company, Limited Organic semiconductor element and organic electrode
JP5734575B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-17 株式会社リコー 有機積層膜
JP6085914B2 (ja) 2011-11-28 2017-03-01 株式会社リコー エレクトロクロミック化合物、エレクトロクロミック組成物及び表示素子
JP2013138173A (ja) * 2011-11-28 2013-07-11 Ricoh Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102757353B (zh) * 2012-05-23 2014-08-13 中国科学院化学研究所 有机无机杂化室温金属性分子磁体及其制备方法
JP6789540B2 (ja) * 2017-02-28 2020-11-25 Jnc株式会社 カルコゲン含有有機化合物およびその用途
CN111533948B (zh) * 2020-04-20 2021-05-18 北京邮电大学 一种温和条件下利用有机分子导体制备多孔三维有机力学传感元件的方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070042717A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Lucent Technologies, Inc. Scheduling multi-user transmission in the downlink of a multi-antenna wireless communication system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007042717A (ja) * 2005-08-01 2007-02-15 Tokyo Institute Of Technology テトラチアフルバレン誘導体、テトラセレナフルバレン誘導体及びｐ型有機電界効果トランジスタ
JP5578414B2 (ja) * 2010-02-09 2014-08-27 株式会社リコー テトラチアフルバレン誘導体を用いた有機トランジスタ及びその製造方法
JP5730492B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-10 株式会社リコー 有機電極を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法
JP5730493B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-10 株式会社リコー 新規有機導電性膜を使用した有機電極
JP5734575B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-17 株式会社リコー 有機積層膜

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070042717A1 (en) * 2005-08-16 2007-02-22 Lucent Technologies, Inc. Scheduling multi-user transmission in the downlink of a multi-antenna wireless communication system

Also Published As

Publication number Publication date
KR101348436B1 (ko) 2014-01-06
KR20110132615A (ko) 2011-12-08
WO2010110351A1 (en) 2010-09-30
CN102365274A (zh) 2012-02-29
US8530673B2 (en) 2013-09-10
JP5569774B2 (ja) 2014-08-13
TW201105647A (en) 2011-02-16
EP2411378A4 (en) 2012-02-01
US20120035364A1 (en) 2012-02-09
CN102365274B (zh) 2014-03-12
JP2010248167A (ja) 2010-11-04
EP2411378B1 (en) 2012-12-19
EP2411378A1 (en) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI469973B (zh) 四硫富瓦烯衍生物，以及利用彼之有機膜與有機電晶體
JP5562652B2 (ja) シリルエチニル化されたヘテロアセン類およびそれで作製された電子装置
US7528176B2 (en) Carbonyl-functionalized thiophene compounds and related device structures
KR101490299B1 (ko) 디티에노벤조디티오펜 유도체를 포함하는 유기 반도체 재료 전구체, 잉크, 절연 부재, 전하 수송성 부재 및 유기 전자 디바이스
US7935828B2 (en) Organic semiconductor material, organic semiconductor structure and organic semiconductor apparatus
EP2966077A1 (en) Chalcogen-containing organic compound and use therefor
WO2008047896A1 (fr) Transistor à effet de champ
TWI549327B (zh) 有機場效電晶體及有機半導體材料
JP2010254599A (ja) ジチエノナフトジチオフェン誘導体とこれを用いた有機電子デバイス、有機薄膜トランジスタ及びディスプレイ装置
WO2010104118A1 (ja) 分岐型化合物、並びにこれを用いた有機薄膜及び有機薄膜素子
JP2015199716A (ja) 多環縮環化合物、有機半導体材料、有機半導体デバイス及び有機トランジスタ
KR20100006294A (ko) 자기 조립 유기겔에 기초한 유기 나노섬유 구조와 이를이용한 유기 나노섬유 트랜지스터 및 이들의 제조방법
Song et al. Synthesis, characterization, and transistor applications of new linear small molecules: Naphthyl-ethynyl-anthracene-based small molecules containing different alkyl end group
JP5578414B2 (ja) テトラチアフルバレン誘導体を用いた有機トランジスタ及びその製造方法
JP2010056476A (ja) ｎ型及びヘテロ接合型有機薄膜トランジスタ
JP4934995B2 (ja) 有機半導体材料、有機半導体構造物及び有機半導体装置
WO2021117622A1 (ja) 縮合多環芳香族化合物
Chang et al. High-mobility and solution-processable organic field-effect transistors based on carbazole-dihexylquaterthiophenes with controllable morphology
KR20080088698A (ko) 아릴아세틸렌 구조의 유기반도체 화합물 및 이를 이용한유기박막트랜지스터
Kim et al. H-shaped anthracene-based semiconducting molecules bearing a 9, 10-bis ((4-hexylphenyl) ethynyl) anthracene dimer
JP2013254818A (ja) 有機半導体材料及び有機半導体材料用中間体
TW202120513A (zh) 稠合多環芳香族化合物
JP2013026448A (ja) 薄膜トランジスタ及びそれを用いた電子デバイス
JP2014055117A (ja) フェナセン前駆体化合物とこれを含むインク、それを用いた有機膜とその製造方法、電子デバイスおよび有機薄膜トランジスタ
KR20110068240A (ko) 아릴기가 치환된 안트라센 화합물, 그 제조 방법 및 이를 이용한 유기 박막 트랜지스터

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees