JP5734575B2 - 有機積層膜 - Google Patents
有機積層膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5734575B2 JP5734575B2 JP2010044937A JP2010044937A JP5734575B2 JP 5734575 B2 JP5734575 B2 JP 5734575B2 JP 2010044937 A JP2010044937 A JP 2010044937A JP 2010044937 A JP2010044937 A JP 2010044937A JP 5734575 B2 JP5734575 B2 JP 5734575B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- organic
- laminated film
- electron
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
さらには、従来のテトラチアフルバレン誘導体は強いドナー性を有しているが同時にイオン化ポテンシャルが低く過ぎ、酸素に対する耐久性に乏しい欠点を有していた。
すなわち有機エレクトロニクスに適応可能なプロセスアビリティーに優れた有機電極のため高い電気伝導度を有する有機膜の実用化が待たれているが、上記理由により未だ実用化には至っていない。
すなわち本発明は以下の(1)〜(2)の積層膜を包含する。
(1)「一般式(I)で表されるテトラチアフルバレン誘導体と、分子性電子受容性化合物の積層膜
(2)「前記分子性電子受容性化合物がフラーレンであることを特徴とする前記(1)に記載の積層膜。」。
すなわち、本発明によれば、有機電子デバイスに有用な製造プロセスに有利な高い電気伝導度を有する積層膜が得られる。
これらのテトラチアフルバレン(TTF)誘導体は、一種類、または複数種の混合物として使用することができる。
TTF・TCNQ電荷移動錯体で知られるように、テトラチアフルバレン構造は、ヘテロ環部位のπ電子が7πであり、1個の電子を放出してヒュッケル則満たす6πになり易く、テトラチアフルバレン構造は強い電子ドナー性を示す。この電子ドナー性により、ラジカルカチオンになり易く、さらにそのラジカルカチオンの状態で安定であるため、電子受容性材料を積層する事により容易に電荷移動錯体を形成する。
前記一般式(I)中の、R1〜R16としては、以下のものを挙げることができる。
水素原子、ハロゲン原子、置換もしくは無置換のアルキル基またはアルコシキ基もしくはチオアルコキシ基から選択される基であり同一でも異なっていても良い。
置換もしくは無置換のアルキル基としては、炭素数が1以上の直鎖、分岐又は環状のアルキル基であり、これらのアルキル基は更にハロゲン原子(たとえばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子)、シアノ基、フェニル基又は直鎖乃至分岐のアルキル基で置換されたフェニル基を含有してもよい。
具体的には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、t−ブチル基、s−ブチル基、n−ブチル基、i−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデカン基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、3,7−ジメチルオクチル基、2−エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロオクチル基、トリフルオロドデシル基、トリフルオロオクタデシル基、2−シアノエチル基、ベンジル基、4−クロロベンジル基、4−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
さらに、詳細な本発明の誘導体を示す。
すなわち、一例を挙げれば、原料の1,3−ジチオール−2−オン化合物のカップリング反応(非特許文献4 のJ.Org,Chem.,2000,65, 5794-5805参照)により製造することができる。そしてこの場合の原料の1,3−ジチオール−2−オン化合物は、例えば非特許文献5のJ. Org. Chem. 1994, 59, 6519-6527, 非特許文献6のChem. Commun. 1998, 361-362, 非特許文献7 のChem. Commun. 1998, 2197-2198, 非特許文献8 のTetrahedron Letters 2000, 41, 2091-2095記載の反応、ジェノフイルと所望構造に対応するジエンとの間で公知のDiels-Alder反応(触媒としてルイス酸使用)により得たキノン化合物を、これのカルボニル基を金属水素化合物でヒドロキシ化合物に還元し、このヒドロキシ化合物の分子内脱水により1,3−ジチオール−2−チオン化合物となし、この化合物から化1,3−ジチオール−2−オン化合物に変換(この変換反応は、上記J.Org,Chem.,2000,65, 5794-5805参照)すること等の方法により入手することができる。
以下、図面を参照して、本発明に係わる積層膜の構造の概要を説明する。
図1の(A)〜(F)は本発明に係わる積層膜の概略構造である。本発明に係わるテトラチアフルバレン誘導体層(1)は、前記一般式(I)で示したテトラチアフルバレン誘導体を主成分とする。本発明の電子受容性化合物層(2)は電子受容性を有しておれば特に限定されるものではないが、電子受容性の高いフラーレンが特に好ましい。
本発明に係わるテトラチアフルバレン誘導体層および電子受容性化合物層の成膜方法は、共に、特に制限されるものではないが、たとえば蒸着法によって薄膜を形成することができる。それぞれの化合物を真空中にて加熱することにより蒸気とし、それを所望の領域に堆積させ、薄膜を形成する。
積層膜の厚みは、一般に1μm以下、特に5〜200nmが好ましい。
本発明の積層膜において、基材とテトラチアフルバレン誘導体層の接着性を向上、リーク電流低減等の目的で、これら層間に有機薄膜を設けても良い。有機薄膜はテトラチアフルバレン誘導体層に対し、化学的悪影響を与えなければ、特に限定されないが、例えば、有機分子膜や高分子薄膜が利用できる。
有機分子膜としては、オクタデシルトリクロロシラン、オクチルトリクロロシラン、ヘキサメチレンジシラザン等を具体的な例としたカップリング剤が挙げられる。また、高分子薄膜としては、上述の高分子絶縁膜材料を利用することができ、これらが絶縁膜の一種として機能していても良い。また、この有機薄膜をラビング等により、異方性処理を施していても良い。
また、本発明の積層膜は、必要に応じて引出し電極を設けることができる。引き出し電極は図1(A)〜(F)に示すようにテトラチアフルバレン誘導体層と電子受容層の間にあってもよいし、また、電子受容層上にあってもよい、また、テトラチアフルバレン誘導体層下にあってもよい。
本発明の積層膜は、水分、大気及びガスからの保護、またはデバイスの集積の都合上の保護等のため必要に応じて保護層を設けることもできる。
本発明の積層膜は、液晶、有機EL、電気泳動等の表示画像素子を駆動するための電極として利用でき、これらの集積化により、いわゆる「電子ペーパー」と呼ばれるディスプレイを製造することが可能である。
膜厚300 nmの熱酸化膜を有するN型のシリコン基板を濃硫酸に24時間浸漬させ洗浄した。洗浄済みのシリコン基板をシランカップリング剤(オクチルトリクロロシラン)のトルエン溶液 (1 mM)に浸漬させ、5分間超音波処理を行い、シリコン酸化膜表面に単分子膜を形成させた。
さらに積層膜の電気伝導度測定を行うためにシャドウマスクを用いて金を真空蒸着(背圧 〜10-4 Pa, 蒸着レート1〜2 Å/s、膜厚:50 nm)することによりカソード、アノード電極を形成した(チャネル長50 μm, チャネル幅 2 mm)。
実施例1において電子供与性化合物としてビス(アントラ[2,3-d])テトラチアフルバレン:(1)の代わりに、つぎの構造の5,5’−ビス(4-ヘキシルオキシフェニル)-2,2’-ビチオフェン:(23)を用いた以外実施例1と同様に作製した積層膜を用いて、実施例1同様に電流―電圧測定を行った。
2 電子受容性化合物層
3 アノード電極
4 カソード電極
5 基材
Claims (2)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010044937A JP5734575B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 有機積層膜 |
US13/037,930 US20110215306A1 (en) | 2010-03-02 | 2011-03-01 | Organic semiconductor element and organic electrode |
EP11250234A EP2363904A3 (en) | 2010-03-02 | 2011-03-01 | Organic semiconductor element and organic electrode |
CN201110050041.8A CN102194998B (zh) | 2010-03-02 | 2011-03-02 | 有机半导体元件和有机电极 |
KR1020110018508A KR101259711B1 (ko) | 2010-03-02 | 2011-03-02 | 유기 반도체 소자 및 유기 전극 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010044937A JP5734575B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 有機積層膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011181363A JP2011181363A (ja) | 2011-09-15 |
JP5734575B2 true JP5734575B2 (ja) | 2015-06-17 |
Family
ID=44692669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010044937A Expired - Fee Related JP5734575B2 (ja) | 2010-03-02 | 2010-03-02 | 有機積層膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5734575B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200093728A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 한밭대학교 산학협력단 | 전하이동 착물의 형성효율을 전기전도도로부터 결정하는 방법 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5569774B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-08-13 | 株式会社リコー | テトラチアフルバレン誘導体 |
JP5951539B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2016-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子ならびにこれを用いた熱電発電用物品およびセンサー用電源 |
JP5976604B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-08-23 | 富士フイルム株式会社 | 熱電変換材料、熱電変換素子、熱電発電用物品及びセンサー用電源 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62222669A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Toshiba Corp | 有機薄膜素子 |
JP2004165513A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機光電変換素子及び有機光電変換素子用封止部材 |
JP4096877B2 (ja) * | 2003-02-07 | 2008-06-04 | 松下電器産業株式会社 | 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置 |
JPWO2009125647A1 (ja) * | 2008-04-11 | 2011-08-04 | 東レ株式会社 | 電子供与性有機材料、光起電力素子用材料および光起電力素子 |
JP5569774B2 (ja) * | 2009-03-25 | 2014-08-13 | 株式会社リコー | テトラチアフルバレン誘導体 |
-
2010
- 2010-03-02 JP JP2010044937A patent/JP5734575B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200093728A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 한밭대학교 산학협력단 | 전하이동 착물의 형성효율을 전기전도도로부터 결정하는 방법 |
KR102175243B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2020-11-09 | 한밭대학교 산학협력단 | 전하이동 착물의 형성효율을 전기전도도로부터 결정하는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011181363A (ja) | 2011-09-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ju et al. | Transparent active matrix organic light-emitting diode displays driven by nanowire transistor circuitry | |
US9142781B2 (en) | Compound for organic electronic device | |
US8138501B2 (en) | Switching element and manufacturing method thereof | |
Iwan et al. | Synthesis, materials characterization and opto (electrical) properties of unsymmetrical azomethines with benzothiazole core | |
JP5308532B2 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体薄膜および有機薄膜トランジスタ | |
WO2014061745A1 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
JP5734575B2 (ja) | 有機積層膜 | |
US10186664B2 (en) | N-fluoroalkyl-substituted dibromonaphthalene diimides and their use as semiconductor | |
US20220002156A1 (en) | Method for transferring graphene film | |
US20100171108A1 (en) | Use of n,n'-bis(1,1-dihydroperfluoro-c3-c5-alkyl)-perylene-3,4:9,10- tetracarboxylic diimides | |
Etschel et al. | An unsymmetrical pentacene derivative with ambipolar behavior in organic thin-film transistors | |
KR20160028406A (ko) | 유기전자재료 | |
EP3343656A1 (en) | Photoelectric conversion element | |
Wang et al. | A new dibenzo [gp] chrysene derivative as an efficient anode buffer for inverted polymer solar cells | |
KR101259711B1 (ko) | 유기 반도체 소자 및 유기 전극 | |
KR101715219B1 (ko) | 퀴녹살린 화합물 및 반도체 재료 | |
WO2014133100A1 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
JP4729721B2 (ja) | スイッチング素子 | |
WO2007105473A1 (ja) | 有機半導体材料、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタ | |
JP5730493B2 (ja) | 新規有機導電性膜を使用した有機電極 | |
Stanculescu et al. | Investigation of the properties of indium tin oxide-organic contacts for optoelectronic applications | |
JP5730492B2 (ja) | 有機電極を用いた有機薄膜トランジスタとその製造方法 | |
JP6497560B2 (ja) | 新規縮合多環芳香族化合物及びその用途 | |
Fu et al. | Synthesis and characterization of benzothiazole derivatives for blue electroluminescent devices | |
JP2012184310A (ja) | 高分子化合物、高分子有機半導体材料及び有機半導体デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140403 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150319 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5734575 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |