TWI469401B - 發光二極體的製造方法 - Google Patents

發光二極體的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI469401B
TWI469401B TW101123927A TW101123927A TWI469401B TW I469401 B TWI469401 B TW I469401B TW 101123927 A TW101123927 A TW 101123927A TW 101123927 A TW101123927 A TW 101123927A TW I469401 B TWI469401 B TW I469401B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
lens
light
emitting diode
substrate
manufacturing
Prior art date
Application number
TW101123927A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201351727A (zh
Inventor
Lung Hsin Chen
Wen Liang Tseng
Original Assignee
Advanced Optoelectronic Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Optoelectronic Tech filed Critical Advanced Optoelectronic Tech
Publication of TW201351727A publication Critical patent/TW201351727A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI469401B publication Critical patent/TWI469401B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

發光二極體的製造方法
本發明涉及一種發光二極體的製造方法。
發光二極體(Light-emitting diode,LED)產業係近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,發光二極體產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點,因此被認為係新世代綠色節能照明的最佳光源。為將發光二極體的出光角度拓寬,一般採取蝠翼形透鏡作為發光二極體的透鏡,以使得光線從晶片出射後即可以通過透鏡擴散,以得到出光光場較寬的發光二極體。習知的形成蝠翼形光場的透鏡的方法較為複雜,造成了製程上的不便。
有鑒於此,有必要提供一種簡單的發光二極體製造方法。
一種發光二極體的製造方法,其包括如下步驟:提供一具有一對電極的基板,該基板開設一凹穴;設置一LED晶片於該凹穴內並與該對電極電連接;形成一未固化的透鏡於該凹穴內;提供一壓合模具,該壓合模具包括壓頭;將該壓合模具朝向基板移動,使壓頭壓入該未固化的透鏡中;固化該透鏡並移走該壓合模具,該透鏡頂部形成將LED晶片的光朝向透鏡側向偏折的溝槽;其中,該壓合模具包括載板,該壓頭設置於該載板上,該壓合模具的載 板兩端包括二導引槽,該二導引槽內伸出二可相對載板滑動及固定的頂針,將壓合模具朝向基板移動的過程中,該頂針的端部先抵接於該基板上再於導引槽內滑動,直至壓頭壓入該未固化的透鏡頂部,調整頂針在導引槽中的位置,可以改變壓頭插入該未固化的透鏡頂部的深度。
通過以上方法製造成的發光二極體的透鏡頂部具有偏折光線的凹槽,因此發光二極體的LED晶片發出的光線透過該透鏡後形成蝠翼形光斑,拓寬了發光二極體的光場。並且透鏡的溝槽由壓頭壓成,因此透鏡的成型過程較為簡單,從而簡化了發光二極體的製造過程。
10‧‧‧基板
12‧‧‧電極組
13‧‧‧凹穴
14‧‧‧絕緣部
20‧‧‧LED晶片
30‧‧‧透鏡
31‧‧‧第一溝槽
32‧‧‧第二溝槽
33‧‧‧第三溝槽
40‧‧‧壓合模具
41‧‧‧第一壓頭
42‧‧‧第二壓頭
43‧‧‧第三壓頭
44‧‧‧載板
45‧‧‧頂針
46‧‧‧導引槽
100‧‧‧發光二極體
圖1係本發明的發光二極體的製造方法的第一步驟。
圖2係本發明的發光二極體的製造方法的第二步驟。
圖3係本發明的發光二極體的製造方法的第三步驟。
圖4係本發明的發光二極體的製造方法的第四步驟。
圖5係本發明的發光二極體的製造方法的第五步驟。
圖6係本發明的發光二極體的製造方法的第六步驟。
圖7係本發明的發光二極體的製造方法的第七步驟。
下面結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖1-7,本發明發光二極體100的製造方法主要包括如下各步驟:
步驟一:如圖1所示,提供一基板10。該基板10底部嵌有多對電極組12。在本實施例中,該基板10嵌有三對電極組12。基板10對應每一對電極組12開設有一凹穴13。基板10在這些凹穴13之間形成多個絕緣部14。相鄰的兩對電極組12通過絕緣部14連接並彼此電絕緣。每一凹穴13呈一倒截頂錐形狀,其剖面呈上底大於下底的梯形狀。每一電極組12位於相應的每一凹穴13的底部,並且每一電極組12的底部及頂部均外露。每一電極組12隔開成彼此絕緣的兩部分。
步驟二:如圖2所示,於各凹穴13內設置LED晶片20,並使每一LED晶片20與相應的電極組12達成電性連接。該LED晶片20位於凹穴13的底部的中間位置處。
步驟三:如圖3所示,分別於每一凹穴13內形成一球狀的透鏡30。透鏡30填滿截頂倒錐形的凹穴13且相對於基板10上表面凸出形成一半球狀凸起。該透鏡30由環氧樹脂、二氧化矽等透明材料製成。當然,該透鏡30內也可以根據需求摻雜螢光粉。該透鏡30通過點膠的方法將處於流體狀態的材料點到凹穴13上形成。該LED晶片20位於該透鏡30的中心線上。
步驟四:如圖4所示,提供一壓合模具40於基板10上方。該壓合模具40包括載板44。該載板44朝向透鏡30的表面設置有第一壓頭41、第二壓頭42、第三壓頭43三壓頭。該三個壓頭41、42、43由易脫模材料製成,並且形成該三個壓頭41、42、43的材料不與形成透鏡30的材料發生反應。該載板44的兩端分別包括一組頂針45與導引槽46。該導引槽46設置於載板44內,並從上下方向上貫穿該載板44。該頂針45可在該導引槽46內滑動並在不同位置處固定 。該第一壓頭41呈一倒圓錐狀,其剖面呈一三角形。該第二壓頭42呈一漏斗狀,其剖面的兩側邊呈內凹弧線狀,底部為平整的形狀。該第三壓頭43呈一子彈頭狀,其剖面大致呈一底邊為弧線的矩形狀。此時,透鏡30並未固化。
步驟五:如圖5所示,將該壓合模具40朝向該基板10移動,直至壓合模具40的頂針45的下端部抵接於基板10上表面的兩端處。此時,該載板44上的三個壓頭41、42、43並未接觸該透鏡30。調整該頂針45在該導引槽46中的位置,使頂針45在導引槽46內滑動,進而帶動該載板44向基板10移動。該三個壓頭41、42、43插入該未固化的透鏡30中。可以理解地,可根據需求調整頂針45在導引槽46中的位置,使得該三個壓頭41、42、43插入至不同的深度。此外,該載板44還可接觸該透鏡30的頂端,從而使得該未固化的透鏡30的頂端根據需求變形。
步驟六:如圖6所示,固化該透鏡30並移開該壓合模具40。利用例如烘烤等方法固化該透鏡30後,通過調整壓合模具40的頂針45與導引槽46之間的相對位置使得該三個壓頭41、42、43離開該透鏡30。然後再移走該壓合模具40。由於該三個壓頭41、42、43均由易脫模材料製成,因此在插入透鏡30頂部以及固化透鏡30的過程中,並未與透鏡30發生黏合,保證移除脫離過程對透鏡30的形狀不造成影響。該三個透鏡30的頂端對應該壓合模具40的第一壓頭41、第二壓頭42與第三壓頭43分別形成第一溝槽31、第二溝槽32以及第三溝槽33。該三個溝槽31、32、33的形狀與該三個壓頭41、42、43的形狀形同。也即每一透鏡30的頂端均形成一溝槽31、32、33。當光線從LED晶片20透過該透鏡30射出後,由於溝槽 31、32、33的折射及反射作用,形成蝠翼形的光斑。可以理解地,該三壓頭41、42、43也可以為其他形狀,或者三壓頭41、42、43為相同的形狀。則形成的透鏡30底端的三溝槽31、32、33相應地改變形狀。為保證壓合的溝槽31、32、33的形狀,該三壓頭41、42、43均為朝向透鏡30的一端較遠離透鏡30的另一端更為尖銳的形狀。
步驟七:如圖7所示,切割該基板10形成發光二極體100。切割相鄰二透鏡30之間的絕緣部14得到三發光二極體100。每一發光二極體100包括一由剩餘的絕緣部14形成的一反射杯,一電極組12,一LED晶片20以及一頂端包含溝槽31、32、33的透鏡30。
通過以上方法製造成的發光二極體100具有呈一四周凸起中間凹陷的形狀的透鏡30,故發光二極體100的LED晶片20透過該透鏡30將光線進行擴散,將發光二極體100的出光角度拓寬,使得該發光二極體100的出光光場較寬。並且壓合模具40的壓頭41、42、43的形狀為固定形狀,通過壓合、固化後於透鏡30頂部形成的溝槽31、32、33的形成也根據壓頭41、42、43的形狀為固定形狀。因此,可通過改變壓頭41、42、43的形狀改變溝槽31、32、33的形狀。並且壓頭41、42、43係待透鏡30固化後才移走的,因此固化後的透鏡30的溝槽31、32、33的形狀得到保持。
14‧‧‧絕緣部
31‧‧‧第一溝槽
32‧‧‧第二溝槽
33‧‧‧第三溝槽
41‧‧‧第一壓頭
42‧‧‧第二壓頭
43‧‧‧第三壓頭
44‧‧‧載板

Claims (7)

  1. 一種發光二極體的製造方法,其包括如下步驟:提供一具有一對電極的基板,該基板開設一凹穴;設置一LED晶片於該凹穴內並與該對電極電連接;形成一未固化的透鏡於該凹穴內;提供一壓合模具,該壓合模具包括壓頭;將該壓合模具朝向基板移動,使壓頭壓入該未固化的透鏡中;固化該透鏡並移走該壓合模具,該透鏡頂部形成將LED晶片的光朝向透鏡側向偏折的溝槽;其中,該壓合模具包括載板,該壓頭設置於該載板上,該壓合模具的載板兩端包括二導引槽,該二導引槽內伸出二可相對載板滑動及固定的頂針,將壓合模具朝向基板移動的過程中,該頂針的端部先抵接於該基板上再於導引槽內滑動,直至壓頭壓入該未固化的透鏡頂部,調整頂針在導引槽中的位置,可以改變壓頭插入該未固化的透鏡頂部的深度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該凹穴呈截頂倒錐形狀。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該LED晶片位於該空穴的底部的中心位置處。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體的製造方法,其中:該LED晶片位於該透鏡的中心線上。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該壓頭由易脫模材料製成,該透鏡通過烘烤的方式固化。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該未固化的 透鏡凸伸出基板表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該壓頭的形狀為倒圓錐狀、漏斗狀、子彈頭狀中的一種。
TW101123927A 2012-06-08 2012-07-03 發光二極體的製造方法 TWI469401B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210187374.XA CN103474562B (zh) 2012-06-08 2012-06-08 发光二极管的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201351727A TW201351727A (zh) 2013-12-16
TWI469401B true TWI469401B (zh) 2015-01-11

Family

ID=49715590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101123927A TWI469401B (zh) 2012-06-08 2012-07-03 發光二極體的製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8956893B2 (zh)
CN (1) CN103474562B (zh)
TW (1) TWI469401B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI610470B (zh) * 2016-06-13 2018-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200841495A (en) * 2007-04-11 2008-10-16 Alti Electronics Co Ltd Method for manufacturing lens for LED package
TW200849671A (en) * 2007-02-13 2008-12-16 3M Innovative Properties Co LED devices having lenses and methods of making same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
KR101360732B1 (ko) * 2007-06-27 2014-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR101534848B1 (ko) * 2008-07-21 2015-07-27 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법
US8497519B2 (en) * 2011-05-24 2013-07-30 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Batwing LED with remote phosphor configuration

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200849671A (en) * 2007-02-13 2008-12-16 3M Innovative Properties Co LED devices having lenses and methods of making same
TW200841495A (en) * 2007-04-11 2008-10-16 Alti Electronics Co Ltd Method for manufacturing lens for LED package

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI610470B (zh) * 2016-06-13 2018-01-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130330854A1 (en) 2013-12-12
TW201351727A (zh) 2013-12-16
US8956893B2 (en) 2015-02-17
CN103474562A (zh) 2013-12-25
CN103474562B (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102738357B (zh) 具有微结构透镜的发光二极管
KR102071463B1 (ko) 형광체 변환 층에 높은 열 전도도 입자를 갖는 led 및 그 제조 방법
US8541802B2 (en) Phosphor placement in white light emitting diode assemblies
JP2010177501A (ja) 光学素子パッケージおよび光学素子パッケージの製造方法
CN102203965A (zh) 用于led的过模磷光体透镜
CN103199187B (zh) 一种发光二极管封装基板与封装结构及其制作方法
US8846424B2 (en) Multi-lens solid state lighting devices
US20090023234A1 (en) Method for manufacturing light emitting diode package
KR101575366B1 (ko) 발광소자 패키지
CN103887410B (zh) 发光二极管制造方法
TW201327939A (zh) 發光二極體光源及其封裝方法
JP2005513816A (ja) 導光式ledモジュールの空間/時間的に分割した2工程による製造方法
CN104993032B (zh) 一种白光led器件及其制备方法
TW201318219A (zh) Led封裝結構的製作方法
CN103633229A (zh) 发光二极管模组及其制造方法
TWI469401B (zh) 發光二極體的製造方法
CN104916755B (zh) 发光装置及该发光装置的制造方法
TWI462349B (zh) 發光二極體及其光分配結構
CN101621092B (zh) 一种发光二极管
TWI455370B (zh) 發光二極體的製作方法
TWI614109B (zh) 發光裝置用之反射體的壓縮成形方法與裝置
US20100277891A1 (en) Led casing structure
JP5816479B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法。
CN107833947B (zh) 一种led封装方法
CN202503030U (zh) 一种led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees