TWI469401B - 發光二極體的製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 240000003380 Passiflora rubra Species 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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Description
本發明涉及一種發光二極體的製造方法。
發光二極體(Light-emitting diode,LED)產業係近幾年最受矚目的產業之一,發展至今,發光二極體產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期時間長、且不含汞、具有環保效益等優點,因此被認為係新世代綠色節能照明的最佳光源。為將發光二極體的出光角度拓寬,一般採取蝠翼形透鏡作為發光二極體的透鏡,以使得光線從晶片出射後即可以通過透鏡擴散,以得到出光光場較寬的發光二極體。習知的形成蝠翼形光場的透鏡的方法較為複雜,造成了製程上的不便。
有鑒於此,有必要提供一種簡單的發光二極體製造方法。
一種發光二極體的製造方法,其包括如下步驟:提供一具有一對電極的基板,該基板開設一凹穴;設置一LED晶片於該凹穴內並與該對電極電連接;形成一未固化的透鏡於該凹穴內;提供一壓合模具,該壓合模具包括壓頭;將該壓合模具朝向基板移動,使壓頭壓入該未固化的透鏡中;固化該透鏡並移走該壓合模具,該透鏡頂部形成將LED晶片的光朝向透鏡側向偏折的溝槽;其中,該壓合模具包括載板,該壓頭設置於該載板上,該壓合模具的載
板兩端包括二導引槽,該二導引槽內伸出二可相對載板滑動及固定的頂針,將壓合模具朝向基板移動的過程中,該頂針的端部先抵接於該基板上再於導引槽內滑動,直至壓頭壓入該未固化的透鏡頂部,調整頂針在導引槽中的位置,可以改變壓頭插入該未固化的透鏡頂部的深度。
通過以上方法製造成的發光二極體的透鏡頂部具有偏折光線的凹槽,因此發光二極體的LED晶片發出的光線透過該透鏡後形成蝠翼形光斑,拓寬了發光二極體的光場。並且透鏡的溝槽由壓頭壓成,因此透鏡的成型過程較為簡單,從而簡化了發光二極體的製造過程。
10‧‧‧基板
12‧‧‧電極組
13‧‧‧凹穴
14‧‧‧絕緣部
20‧‧‧LED晶片
30‧‧‧透鏡
31‧‧‧第一溝槽
32‧‧‧第二溝槽
33‧‧‧第三溝槽
40‧‧‧壓合模具
41‧‧‧第一壓頭
42‧‧‧第二壓頭
43‧‧‧第三壓頭
44‧‧‧載板
45‧‧‧頂針
46‧‧‧導引槽
100‧‧‧發光二極體
圖1係本發明的發光二極體的製造方法的第一步驟。
圖2係本發明的發光二極體的製造方法的第二步驟。
圖3係本發明的發光二極體的製造方法的第三步驟。
圖4係本發明的發光二極體的製造方法的第四步驟。
圖5係本發明的發光二極體的製造方法的第五步驟。
圖6係本發明的發光二極體的製造方法的第六步驟。
圖7係本發明的發光二極體的製造方法的第七步驟。
下面結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。
請參閱圖1-7,本發明發光二極體100的製造方法主要包括如下各步驟:
步驟一:如圖1所示,提供一基板10。該基板10底部嵌有多對電極組12。在本實施例中,該基板10嵌有三對電極組12。基板10對應每一對電極組12開設有一凹穴13。基板10在這些凹穴13之間形成多個絕緣部14。相鄰的兩對電極組12通過絕緣部14連接並彼此電絕緣。每一凹穴13呈一倒截頂錐形狀,其剖面呈上底大於下底的梯形狀。每一電極組12位於相應的每一凹穴13的底部,並且每一電極組12的底部及頂部均外露。每一電極組12隔開成彼此絕緣的兩部分。
步驟二:如圖2所示,於各凹穴13內設置LED晶片20,並使每一LED晶片20與相應的電極組12達成電性連接。該LED晶片20位於凹穴13的底部的中間位置處。
步驟三:如圖3所示,分別於每一凹穴13內形成一球狀的透鏡30。透鏡30填滿截頂倒錐形的凹穴13且相對於基板10上表面凸出形成一半球狀凸起。該透鏡30由環氧樹脂、二氧化矽等透明材料製成。當然,該透鏡30內也可以根據需求摻雜螢光粉。該透鏡30通過點膠的方法將處於流體狀態的材料點到凹穴13上形成。該LED晶片20位於該透鏡30的中心線上。
步驟四:如圖4所示,提供一壓合模具40於基板10上方。該壓合模具40包括載板44。該載板44朝向透鏡30的表面設置有第一壓頭41、第二壓頭42、第三壓頭43三壓頭。該三個壓頭41、42、43由易脫模材料製成,並且形成該三個壓頭41、42、43的材料不與形成透鏡30的材料發生反應。該載板44的兩端分別包括一組頂針45與導引槽46。該導引槽46設置於載板44內,並從上下方向上貫穿該載板44。該頂針45可在該導引槽46內滑動並在不同位置處固定
。該第一壓頭41呈一倒圓錐狀,其剖面呈一三角形。該第二壓頭42呈一漏斗狀,其剖面的兩側邊呈內凹弧線狀,底部為平整的形狀。該第三壓頭43呈一子彈頭狀,其剖面大致呈一底邊為弧線的矩形狀。此時,透鏡30並未固化。
步驟五:如圖5所示,將該壓合模具40朝向該基板10移動,直至壓合模具40的頂針45的下端部抵接於基板10上表面的兩端處。此時,該載板44上的三個壓頭41、42、43並未接觸該透鏡30。調整該頂針45在該導引槽46中的位置,使頂針45在導引槽46內滑動,進而帶動該載板44向基板10移動。該三個壓頭41、42、43插入該未固化的透鏡30中。可以理解地,可根據需求調整頂針45在導引槽46中的位置,使得該三個壓頭41、42、43插入至不同的深度。此外,該載板44還可接觸該透鏡30的頂端,從而使得該未固化的透鏡30的頂端根據需求變形。
步驟六:如圖6所示,固化該透鏡30並移開該壓合模具40。利用例如烘烤等方法固化該透鏡30後,通過調整壓合模具40的頂針45與導引槽46之間的相對位置使得該三個壓頭41、42、43離開該透鏡30。然後再移走該壓合模具40。由於該三個壓頭41、42、43均由易脫模材料製成,因此在插入透鏡30頂部以及固化透鏡30的過程中,並未與透鏡30發生黏合,保證移除脫離過程對透鏡30的形狀不造成影響。該三個透鏡30的頂端對應該壓合模具40的第一壓頭41、第二壓頭42與第三壓頭43分別形成第一溝槽31、第二溝槽32以及第三溝槽33。該三個溝槽31、32、33的形狀與該三個壓頭41、42、43的形狀形同。也即每一透鏡30的頂端均形成一溝槽31、32、33。當光線從LED晶片20透過該透鏡30射出後,由於溝槽
31、32、33的折射及反射作用,形成蝠翼形的光斑。可以理解地,該三壓頭41、42、43也可以為其他形狀,或者三壓頭41、42、43為相同的形狀。則形成的透鏡30底端的三溝槽31、32、33相應地改變形狀。為保證壓合的溝槽31、32、33的形狀,該三壓頭41、42、43均為朝向透鏡30的一端較遠離透鏡30的另一端更為尖銳的形狀。
步驟七:如圖7所示,切割該基板10形成發光二極體100。切割相鄰二透鏡30之間的絕緣部14得到三發光二極體100。每一發光二極體100包括一由剩餘的絕緣部14形成的一反射杯,一電極組12,一LED晶片20以及一頂端包含溝槽31、32、33的透鏡30。
通過以上方法製造成的發光二極體100具有呈一四周凸起中間凹陷的形狀的透鏡30,故發光二極體100的LED晶片20透過該透鏡30將光線進行擴散,將發光二極體100的出光角度拓寬,使得該發光二極體100的出光光場較寬。並且壓合模具40的壓頭41、42、43的形狀為固定形狀,通過壓合、固化後於透鏡30頂部形成的溝槽31、32、33的形成也根據壓頭41、42、43的形狀為固定形狀。因此,可通過改變壓頭41、42、43的形狀改變溝槽31、32、33的形狀。並且壓頭41、42、43係待透鏡30固化後才移走的,因此固化後的透鏡30的溝槽31、32、33的形狀得到保持。
14‧‧‧絕緣部
31‧‧‧第一溝槽
32‧‧‧第二溝槽
33‧‧‧第三溝槽
41‧‧‧第一壓頭
42‧‧‧第二壓頭
43‧‧‧第三壓頭
44‧‧‧載板
Claims (7)
- 一種發光二極體的製造方法,其包括如下步驟:提供一具有一對電極的基板,該基板開設一凹穴;設置一LED晶片於該凹穴內並與該對電極電連接;形成一未固化的透鏡於該凹穴內;提供一壓合模具,該壓合模具包括壓頭;將該壓合模具朝向基板移動,使壓頭壓入該未固化的透鏡中;固化該透鏡並移走該壓合模具,該透鏡頂部形成將LED晶片的光朝向透鏡側向偏折的溝槽;其中,該壓合模具包括載板,該壓頭設置於該載板上,該壓合模具的載板兩端包括二導引槽,該二導引槽內伸出二可相對載板滑動及固定的頂針,將壓合模具朝向基板移動的過程中,該頂針的端部先抵接於該基板上再於導引槽內滑動,直至壓頭壓入該未固化的透鏡頂部,調整頂針在導引槽中的位置,可以改變壓頭插入該未固化的透鏡頂部的深度。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該凹穴呈截頂倒錐形狀。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該LED晶片位於該空穴的底部的中心位置處。
- 如申請專利範圍第3項所述的發光二極體的製造方法,其中:該LED晶片位於該透鏡的中心線上。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該壓頭由易脫模材料製成,該透鏡通過烘烤的方式固化。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該未固化的 透鏡凸伸出基板表面。
- 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體的製造方法,其中:該壓頭的形狀為倒圓錐狀、漏斗狀、子彈頭狀中的一種。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201210187374.XA CN103474562B (zh) | 2012-06-08 | 2012-06-08 | 发光二极管的制造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201351727A TW201351727A (zh) | 2013-12-16 |
TWI469401B true TWI469401B (zh) | 2015-01-11 |
Family
ID=49715590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101123927A TWI469401B (zh) | 2012-06-08 | 2012-07-03 | 發光二極體的製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8956893B2 (zh) |
CN (1) | CN103474562B (zh) |
TW (1) | TWI469401B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI610470B (zh) * | 2016-06-13 | 2018-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200841495A (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Alti Electronics Co Ltd | Method for manufacturing lens for LED package |
TW200849671A (en) * | 2007-02-13 | 2008-12-16 | 3M Innovative Properties Co | LED devices having lenses and methods of making same |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9944031B2 (en) * | 2007-02-13 | 2018-04-17 | 3M Innovative Properties Company | Molded optical articles and methods of making same |
KR101360732B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2014-02-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
KR101534848B1 (ko) * | 2008-07-21 | 2015-07-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그발광 소자 제조방법 |
US8497519B2 (en) * | 2011-05-24 | 2013-07-30 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Batwing LED with remote phosphor configuration |
-
2012
- 2012-06-08 CN CN201210187374.XA patent/CN103474562B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-07-03 TW TW101123927A patent/TWI469401B/zh not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-05-30 US US13/905,155 patent/US8956893B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200849671A (en) * | 2007-02-13 | 2008-12-16 | 3M Innovative Properties Co | LED devices having lenses and methods of making same |
TW200841495A (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-16 | Alti Electronics Co Ltd | Method for manufacturing lens for LED package |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI610470B (zh) * | 2016-06-13 | 2018-01-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體晶片級封裝結構、直下式背光模組及發光裝置的製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130330854A1 (en) | 2013-12-12 |
TW201351727A (zh) | 2013-12-16 |
US8956893B2 (en) | 2015-02-17 |
CN103474562A (zh) | 2013-12-25 |
CN103474562B (zh) | 2016-11-23 |
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