TWI465497B - Polymer forming method - Google Patents

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Description

聚合物成形方法
本發明係涉及高分子材料，更具體而言(雖然並無排他性)，本發明係涉及形成事先定義形狀之半結晶高分子材料。
按，一個形成非晶聚合物的方法是熱成型。熱成型的作業程序是將一張非晶聚合物加熱至玻璃轉移溫度以上，但是在可形成熔體的溫度以下，將材料很有彈性的變形以定義其成分，同時在玻璃轉移溫度以下一邊持續變形，一邊使其冷卻。玻璃轉移溫度代表高分子材料玻璃橡膠轉移，同時在轉移溫度以下冷卻可限制體節分子運動(segmental molecular movement)，進而透過變形作業程序，限制成分中的應力產生衰變，應力可有效的冷卻形成材料。如果該成分再次加熱至玻璃轉移溫度以上，會產生大量還原，材料會恢復與其原始形狀類似的狀態。同理，如果將材料置於某一應力下，該應力會釋放部份凍結應力(frozen-in stress)，應力移除後，還原變形尺寸(deformed dimensions)不會完整。此一還原不完整與高分子黏彈性特性有關。任何高分子變形均具備可還原與不可還原成分，在施加應力情況下，因為分子間之運動關係，就會產生不可還原情況。
半結晶高分子包括一定成分的結晶材料與一定成分的非晶材料，非晶材料通常較為明顯。因此，有可能運用與上述所討論非晶聚合物類似的方法使材料變形。正如同非晶聚合物一般，經過熱成型後，如果將材料加熱至玻璃轉移溫度以上，將會產生部份還原，同時如果將該材料置於應力之下，會發生類似的行為。
某些情況下，如果將熱成型作業程序所製造之成分置於溫度或應力之下，當高分子材料非晶區還原至某一程度，並朝向其原始形狀運動時，可能會導致成分之形狀或尺寸之變形。
例如利用某一種高分子材料所製造的密封環，該密封環可提供迴轉軸密封功能。此種密封環直徑大約為25mm，使用時密封環置於迴轉軸一個凹槽中，因此密封環外部直徑與軸承室密切吻合。為了使密封環能夠張開並安裝於迴轉軸上，該密封環係屬開口環設計。為確保密封環周邊密封效果之完整性，必須運用一個適切的接頭以封閉密封環的開口，例如一個具備互鎖功能的接頭。此一接頭之構造通常表示該開口環2個接頭端之間有一段距離，而2個接頭端即定義開口環開口的大小。鑄模之後，可對該開口環實施熱接合(實際上就是一種熱成型作業程序)成為正確的形狀，使其接頭端不再分離。要達成此一目的，可將鑄模密封環置於一個金屬軸承上，該密封環通常其結晶性水準為25-35%，並將該軸承與密封環安裝在一個軸承架(housing jig)上，該軸承架內部與密封環外部直徑接觸。然後將軸承架與密封環加熱至高分子材料玻璃轉移溫度以上，裝配時，一方面限制密封環形狀，一方面使其冷卻。其結果是一旦密封環自軸承架拆卸下來後，仍保持受軸承架限制的尺寸。但是當開啟密封環將其安裝在一個軸承時，產生某種程度的無法還原變形，如此一來當最後進行工程裝配時，該密封環已無法和軸承室密切結合。
射出成型等作業程序經常會導致殘留應力，使得最終成分產生無法忍受的彎曲變形，例如一個晶片托盤。晶片托盤係在製程中用來運輸晶片，因此托盤是否平坦相當重要。晶片托盤之設計通常相當複雜，而此一複雜性也導致與製程相關之殘留應力。有鑑於此，晶片托盤通常由高分子材料所製造，而該高分子材料包括纖維與其他填充物，該填充物係用來控制靜電荷之耗散。而該等填充物則會使得前述製程相關之殘留應力惡化，該等填充物通常具有高的長寬比。
渦捲式壓縮機之渦捲通常由很小的橫截面螺旋線圈所組成，該螺旋線圈則是由高分子材料所製造。渦捲通常利用射出成型製造，但為了完全形成成分所需之製程長度，射出成型方式有其限制。因為高分子材料填充模穴時過早冷凍，限制截面與製程長度的組合(截面越小，長度越短)。鑄模製程另一缺點是沿著渦捲長度會發展出不同的殘留應力，因使產生渦捲時，會造成尺寸精確性的問題。此外如果是纖維填充高分子材料，纖維的取向也會隨著長度而改變。理想的方式是纖維之取向應順著渦捲的軸向，使得此一方向的特性最大化，但是如果產生明顯表層或核心取向結構的鑄模成分，則並非如此。
因此，就一般觀點而言，利用鑄模定義一個第一形狀的成分，接著利用熱成型定義一個第二形狀，或是鑄模後包含殘留應力的成分，當置於熱或應力之下，可能會改變形狀或尺寸。
是以，針對上述習知所存在之問題點，如何研發出一種能夠更具理想實用性之創新構造，實有待相關業界再加以思索突破之目標及方向者。
有鑑於此，發明人本於多年從事相關產品之製造開發與設計經驗，針對上述之目標，詳加設計與審慎評估後，終得一確具實用性之本發明。
本發明之主要目的，係在提供一種聚合物成形方法，其所欲解決之問題點，係針對如何解決將半結晶高分子材料形成事先定義形狀有關的缺失之問題點加以思索突破；所述；本發明解決問題之技術特點，係採用諸如聚芳醚酮等高分子材料製造密封環、渦捲式壓縮機之渦捲與晶片托盤，因此當受限於熱度或應力情況下，可使得其形狀或尺寸產生變化的風險最小化；製造涉及在某些條件下以高分子材料形成一個組件，這些條件在尋求限制結晶性的產生；將所望組件限制在所望形狀，例如使用一個軸承架；與在組件受到限制的情形下，將組件加熱至一個充分的高溫，盡可能提升組件結晶性水準。
依據本發明一個第一面向，此處提供形成一個事先定義形狀某一聚合物至少其中一部份的方法。該聚合物成形方法包括：
(a)選取該聚合物一個前驅物(precursor)，其中該前驅物包括一個熱塑性高分子材料，熱塑性高分子材料具備一個第一結晶性水準；
(b)將該前驅物至少其中一部份限制於該事先定義形狀之中；與
(c)使該聚合物至少該部分熱塑性材料結晶性增加5%以上。
該聚合物至少該部份被限制在該事先定義形狀之中，同時當該結晶性大量增加時(最佳方式是橫亙該結晶性增加時間全程)，因為結晶結構有效形成與高分子材料交叉連結，並「閉鎖」在事先定義形狀之中，該事先定義形狀變成該聚合物至少該部份「正常」狀態。由於該「閉鎖」係屬結晶結構，將高分子材料加熱至玻璃轉移溫度以上對成分並無影響。此外只要未達到材料彈性(降伏)極限，對該聚合物施加應力並不會影響該聚合物至少該部份。要破壞結晶結構，高分子材料必須熔解，同理，任何閉鎖在高分子材料內的尺寸資訊會保持接近該高分子材料的熔解點。
高分子材料結晶性水準可運用廣角繞射量測(也稱之為廣角X-ray繞射或WAXS)測量之，例如Blundell與Osborn(高分子材料24 ，953，1983)中所描述，或者可運用掃描式熱差分析儀測量之，請參閱高分子材料Vol. 37，編號20，1996年，第4573頁。
在TA儀器DSC Q100氮流動率為40ml/min時，掃描式熱差分析儀可用來檢測10毫克(正、負10微克)高分子材料樣本。其掃描作業程序如下：步驟1在20℃/min將樣本從30℃加熱至450℃，記錄Tg、Tn與Tm。
步驟2停留(維持)2分鐘。
步驟3在10℃/min冷卻至30℃，並維持5分鐘，記錄Tc。
步驟4在20℃/min從30℃加熱至450℃，記錄Tg與Tm。
依據所獲得曲線，當沿著轉移前基線畫出交叉線以及在轉移過程中沿著最大斜度所畫的曲線，或許可獲得初期Tg。Tn是冷結晶放熱線達到做最大值的主峰溫度，Tm是熔解吸熱達到做最大值的主峰溫度，Tc是熔解吸熱結晶達到做最大值的主峰溫度。
將熔解吸熱(melting endotherm)自相對直線基準偏離的兩點連結，或許可獲得熔解熱(ΔH(J/g))。做為時間函數熔解吸熱底下整合區域可產生轉移焓(mJ)，大量正常化熔解熱之計算係將轉移焓除以樣本數量(J/g)，結晶性水準(%)之計算則是將樣本熔解熱除以完全結晶高分子熔解熱，聚醚醚酮的熔解熱為130J/g。
前述方法是以整批樣本(bulk sample)提供結晶性水準，另一個替代方法是利用傅立葉轉換紅外線光譜儀評估結晶性水準，同時是在一個樣本表面或橫跨其厚度或是表面評估其結晶性水準。參考資料請參閱一篇名為「多重內部反射光譜學高分子結晶性研究(聚芳醚酮)」報告(Polymer Bull，11 ，433(1984))。
在一個所望實例中，掃描式熱差分析儀可用來檢測一個整批樣本的結晶性，傅立葉轉換紅外線光譜儀可用來測量一個表面的結晶性。
一般咸認在步驟(C)中結晶性的增加量越大，閉鎖的效果也就越大。結晶性適切的增量至少必須為10%，所望的增量至少應為15%，增量至少為20%更佳。結晶性增量可能小於35%或小於30%。
步驟(a)中所選取前驅物該第一結晶性水準或許小於20%，所望值是小於18%，小於16%更佳，尤其是小於14%。第一結晶性水準或許至少為1%、至少為5%、至少為8%或至少為10%。
該前驅物或許應在步驟(a)之前製作，是以其結晶性能夠最小化。
該前驅物或許能夠在步驟(a*)中製作之，步驟(a*)在步驟(a)之前，同時步驟(a*)包括以熔解處理一個熱成型成分，該熱成型成分包括該熱成型高分子材料。適切的方式是熔解處理包括該成分之擠出(extruding)或鑄模(moulding)，例如射出成型。所望的方式是熔解處理材料應施加一個冷卻方法，以冷卻成分，以利迅速將該前驅物結晶性水準最小化。例如擠出該成分時，擠出量或許可和水接觸，例如與一個池中的水接觸以冷卻之，水溫可以在80 o C或以下。如果是鑄模前驅物，模具本身可能是冷的，因此當射入成分與模具接觸時可快速冷卻，例如可將模具冷卻，例如以水將模具冷卻，使其溫度高於週邊溫度，但是約低於80 o C。
適切的方式是將該事先定義之形狀限制在步驟(b)中，包括限制該前驅物至少該部份的尺寸-例如步驟(b)中涉及實體限制該前驅物至少該部份任何以及全部尺寸之修訂。因此適切的方式是在步驟(b)中包括對該前驅物施加一個外力，將其限制在該事先定義的形狀之中。步驟(b)中或許可包括在一個第一方向，限制該前驅物至少該部份的尺寸。步驟(b)中或許可包括對該前驅物至少該部份施加一個外力，該外力在一個第一方向具備至少一個成分。步驟(b)中或許可包括在一個第二方向，限制該前驅物至少該部份的尺寸。步驟(b)中或許可包括對該前驅物至少該部份施加一個外力，該外力在一個第二方向具備至少一個成分。該第二方向應與該第一方向垂直。步驟(b)中或許可包括在一個第三方向，限制該前驅物至少該部份的尺寸。步驟(b)中或許可包括對該前驅物至少該部份施加一個外力，該外力在一個第三方向具備至少一個成分。該第三方向應與該第一方向與該第二方向垂直。因此，可在步驟(b)中將該前驅物至少該部份尺寸限制在1個、2個或3個方向。可行的方式是將尺寸限制在2個方向，能夠限制在3個方向更佳。
在步驟(a)中所選取之前驅物或許已經安排成該事先定義形狀(例如前驅物的形狀與該事先定義形狀可能相同)，或是前驅物的形狀與該事先定義形狀可能不同。
當前驅物的形狀與該事先定義形狀相同時，或許可安排一種方法以增加結晶性，同時一方面可維持形狀，進而將形狀閉鎖，因此即使在該聚合物至少該部份受到應力或熱時，該事先定義形狀實際上其尺寸會保持相當穩定或該前驅物執行步驟(b)與(c)時，仍能保持相對的穩定。可能以前述方法處理的一個前驅物範例是微晶片托盤，請參閱以下所述。
如果前驅物形狀與該事先定義形狀不同，步驟(b)中或許包括將該前驅物變形，以律定該事先定義形狀，同時執行步驟(c)時，將前驅物維持在該事先定義的形狀。可能以前述方法處理的前驅物範例包括開口環前驅物與渦捲式壓縮機前驅物，請參閱以下所述。
或許可運用一個擠出製程以產生擠出物，隨後可能對該擠出物實施變形，以定義更複雜的形狀，例如盤繞蜷曲的形状，譬如說螺旋狀結構，此種複雜形狀包括窩捲式壓縮機的渦捲。產生擠出物以後，可能會加以切割，以定義所望長度，然後加以變形，使其成為該事先定義的形狀，並將其限制在步驟(b)該事先定義形狀。步驟(b)或許包括將擠出物與一項工具聯結，該工具具備律定該事先定義形狀所望之檔案。隨後，該擠出物(以該事先定義之形狀呈現)或許會加以處理，以增加在步驟(c)中的結晶性。
或許可運用一個鑄模(例如射出成型製程)以產生某一聚合物的一個前驅物，該前驅物可能已經以該事先定義之形狀安排之，或是該前驅物的形狀與該事先定義的形狀不同。前者的範例是一個該微晶片托盤；後者的範例是一個該開口環。
該聚合物或許具備複雜的形狀，例如盤繞蜷曲的形状。其形狀或許無法單獨鑄模方式製造之，例如射出成型製程。該聚合物或許包括一個螺旋形狀、一個開口環或是一個晶片座，例如托盤。一個該螺旋形狀或許包括一個渦捲式壓縮機的一個渦捲。
適切的方式是該熱塑性高分子材料為半結晶材料，同時該結晶動力如此快速，因此當高分子材料屬於完全非晶狀態時，無法產生一個固體。例如依據J.Brandrup、E.H.Immergut與E.A.Grulke高分子材料指導手冊第4版，Wiley Interscience，1999，ISBN 0-471-47936-5(Vol 1)與0-471-48172-6(Vol 2)中之描述，高於轉移溫度15 o C時，熱塑性高分子材料結晶半衰期(t0.5 )或許小於1000秒、小於500秒、小於250秒或小於150秒。
以前述資料為基礎，在160 o C(接近其轉移溫度15 o C以上)時，聚醚醚酮半衰期為126秒，顯示結晶非常快速的發生。
步驟(c)中或許包括將該熱塑性材料或該前驅物加熱至一個該熱塑性高分子材料轉移溫度以上的一個溫度，或許加熱至至少10 o C，可望溫度至少在轉移溫度以上20 o C，或是至少30 o C以上更佳，尤其至少40 o C以上。在步驟(c)中，適切的方式是該熱塑性高分子材料不被熔解。可行的方式是在步驟(c)中，包括將該熱塑性高分子材料或該前驅物維持在低於該熱塑性高分子材料或該前驅物熔解溫度的一個溫度。在步驟(c)中，或許可將該熱塑性高分子材料或該前驅物維持在該熱塑性高分子材料轉移溫度以上的一個溫度至少10分鐘；可行的方式是至少20分鐘；更好的方式是至少25分鐘。
在步驟(c)中，可將該熱塑性高分子材料或該前驅物加熱至至少160 o C，可行的方式是至少180 o C，更好的方式是至少190 o C(尤其是當該熱塑性高分子材料屬聚芳醚酮，例如聚醚醚酮)。該熱塑性高分子材料或該前驅物或許至少應維持在160 o C、180 o C或190 o 至少10分鐘，可行的方式是至少20分鐘，更好的方式是至少25分鐘。
在步驟(c)中，可將該熱塑性高分子材料或該前驅物加熱至一個溫度，該溫度低於該熱塑性高分子材料或該前驅物的熔解溫度與裂解溫度。將該熱塑性高分子材料或該前驅物加熱至該溫度或許至少為10 o C，適切的方式是至少為20 o C，可行的方式是至少30 o C，更好的方式是至少35 o C，該溫度低於該熱塑性高分子材料或該前驅物的熔解溫度或裂解溫度(以溫度較低者為準)。
在步驟(c)中，可將該熱塑性高分子材料或該前驅物加熱至一個溫度，該溫度至少高於該聚合物該部份期望將運用的最大溫度10 o C以上，以確保該聚合物使用過程中，不會有進一步結晶情形的發生。
在步驟(c)中，或許包括將該熱塑性高分子材料或該前驅物緩慢冷卻，適切的方式是當該前驅物至少一部份限制在該事先定義形狀時，將該熱塑性高分子材料或該前驅物緩慢冷卻。可行的方式是將該前驅物該至少一部份限制在該事先定義形狀，直至該前驅物冷卻至低於該熱塑性高分子材料轉移溫度。
經過步驟(C)以後，該聚合物該至少一部份的該熱塑性高分子材料其結晶性水準至少為25%。結晶性水準或許為35%或更低。
該熱塑性高分子材料適切的方式是其轉移溫度大於50 o C，可行的方式是大於75 o C，更可行的方式是大於100 o C。
該熱塑性高分子材料或許其轉移溫度低於260 o C，例如低於220 o C或低於200 o C。在某些個案中，轉移溫度或許低於190 o C、180 o C或170 o C。
可行的方式是該熱塑性高分子材料轉移溫度高於50 o C，更可行的方式是高於80 o C，尤其是高於120 o C。
適切的方式是該熱塑性高分子材料熔膠黏度(MV)至少為0.06kNsm-2 ，可行的方式是熔膠黏度至少為0.08kNsm-2 ，更可行的方式是熔膠黏度至少為0.085kNsm-2 ，尤其是熔膠黏度至少為0.09kNsm-2 。
適切的方式是以毛細管流變學分析技術(capillary rheometry)來測量熔膠黏度，測量時運用碳化鎢0.5x3.175mm晶粒，作業溫度為400℃，剪應變率為1000s-1 。
該熱塑性高分子材料或許其熔膠黏度低於1.00kNsm-2 ，適切的方式是低於0.5kNsm-2 ，可行的方式是低於0.38kNsm-2 ，更可行的方式是低於0.25kNsm-2 ，尤其是低於0.12kNsm-2 。
依據ASTM D790，該熱塑性高分子材料或許其抗拉強度至少為40MPa，可行方式是至少為60MPa，更可行的方式是至少為80MPa。可行的方式是抗拉強度應介於80-110MPa之間，更可行的方式是介於80-100MPa之間。
依據ASTM D790，該熱塑性高分子材料或許其彎曲強度至少為145MPa，可行的方式是彎曲強度應介於145-180MPa之間，更可行的方式是介於145-165MPa之間。
依據ASTM D790，該熱塑性高分子材料或許其彎曲模數至少為2GPa，可行的方式是至少為3GPa，更可行的方式是至少為3.5GPa。可行的方式是彎曲模數應介於3.5-4.5GPa之間，更可行的方式是介於3.5-4.1GPa之間。
依據ASTM D790，該高分子材料或許其抗拉強度至少為20MPa，可行方式是至少為60MPa，更可行的方式是至少為80MPa。可行的方式是抗拉強度應介於80-110MPa之間，更可行的方式是介於80-100MPa之間。
依據ASTM D790，該高分子材料或許其彎曲強度至少為50MPa，可行方式是至少為100MPa，更可行的方式是至少為145MPa。可行的方式是彎曲強度應介於145-180MPa之間，更可行的方式是介於145-165MPa之間。
依據ASTM D790，該高分子材料或許其彎曲模數至少為1GPa，適切的方式是至少為2GPa，可行的方式是至少為3GPa，更可行的方式是至少為3.5GPa。可行的方式是彎曲模數應介於3.5-4.5GPa之間，更可行的方式是介於3.5-4.1GPa之間。
該熱塑性高分子材料或許是任何材料，該材料必須具備此處所描述之特性。例如可能是聚苯硫醚、聚酯纖維，諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯或是聚對苯二甲酸丁二醇酯，或是聚巰氨纖維，例如尼龍。
該熱塑性高分子材料或許是一種高分子材料型態。該型態包括：
(a)　苯基單體；
(b)　酮或碸單體；
(c)　乙醚或硫醚單體。
可行的方式是該高分子材料其單體方程式為：
或單體方程式為
或單體方程式為
其中m、r、s、t、v、w與z分別代表0或一個正整數，E與E’分別代表一個氧或硫原子或一個直接連結，G代表一個氧或硫原子，一個直接連結或一個-O-Ph-O-單體，其中Ph代表一個苯基，Ar則是選自以下單體其中之一(i)**、(i)至(iv)，透過一個或多個其苯基單體與鄰接單體連結。
除非本規格說明書特別說明，一個苯基單體與所連結單體有1、4-鍵。
在(i)中，中間苯基或許為1、4-或1、3-替代，可行的方式是1、4-替代。
該高分子材料或許包括一個以上不同型態方程式I重複單位；與一個以上不同型態方程式II重複單位；與一個以上不同型態方程式III重複單位；然而，可行的方式是僅提供一種型態方程式I、II或III重複單位。
適切的方式是該單體I、II與III為重複單位。在高分子材料中，適切的方式是單位I、II或III相互連結也就是說單位I、II與III之間並未連結其他原子或群組。
可行的方式是單位I、II與III中的苯基單體並未被替代，可行的方式是該苯基單體並非交錯分子結構。
如果w或z大於0，個別的苯二胺單體或許分別具有1，4-或1、3-鍵與方程式II或III重複單位其他單體連結，可行的方式是該苯二胺單體有1、4-鍵。
可行的方式是高分子材料中的高分子鏈並不包括一個-S-單體。可行的方式是G代表一個直接連結。
適切的方式是「a」代表該高分子材料方程式I單位的莫耳數百分率(mole %)，適切的方式是其中每一單位I均相同；「b」代表高分子材料方程式II單位的莫耳數百分率，適切的方式是其中每一單位II均相同；「c」代表高分子材料方程式III單位的莫耳數百分率，適切的方式是其中每一單位III均相同。可行的方式是a介於45-100之間，更可行的方式是介於45-55之間，尤其是介於48-52之間。可行的方式是b與c之和介於0-55之間，更可行的方式是介於45-55之間，尤其是介於48-52之間。可行的方式是a與b和c之和的比率介於0.9-1.1之間，更可行的方式是大約為1。適切的方式是a、b與c之和至少為90，可行的方式是至少為95，更可行的方式是至少為99，尤其是大約為100。適切的方式是b至少為20，可行的方式是至少為40，更可行的方式是至少為45。可行的方式是a為20或小於20，可行的方式是10或小於10，更可行的方式是5或小於5。可行的方式是該高分子材料包括主要的單體I、II或III。
該高分子材料或許是一個均質聚合物，該均質聚合物具備普通方程式一個重複單位
或是一個均質聚合物，該均質聚合物具備普通方程式一個重複單位
或是一個隨機或塊體共聚合物，至少具備IV或V二個不同單位。
其中，A、B、C與D分別代表0或1，同時E、E’、G、Ar、m、r、s、t、v、w與z如同本說明書任何陳述說明。
可行的方式是m介於0-3之間，更可行的方式是介於0-2之間，尤其是介於0-1之間。可行的方式是r介於0-3之間，更可行的方式是介於0-2之間，尤其是介於0-1之間。可行的方式是t介於0-3之間，更可行的方式是介於0-2之間，尤其是介於0-1之間。可行的方式是s為0或1。可行的方式是v為0或1。可行的方式是w為0或1。可行的方式是z為0或1。
可行的方式是該高分子材料是一個均質聚合物，該均質聚合物具備普通方程式IV一個重複單位。
可行的方式是Ar選自以下單體(xi)**與(vii)至(x)。
在(vii)中，中間苯基或許為1、4-或1、3-替代，可行的方式是1、4-替代。
適切單體A為單體(i)、(ii)、(iii)與(iv)，其中所望單體為(i)、(ii)與(iv)，其他所望單體Ar為單體(vii)、(viii)、(ix)與(x)，其中又以(vii)、(viii)與(x)為特別所望單體。
適切的方式是該高分子材料包括至少60%莫耳數，可行的方式是至少70%莫耳數，更可行的方式是至少80%莫耳數，尤其是重複單位至少90%莫耳數，而該重複單位並不包括-S-或-SO2 -單體。適切的方式是該高分子材料包括至少60%莫耳數，可行的方式是至少70%莫耳數，更可行的方式是至少80%莫耳數，尤其是重複單位至少90%莫耳數，而該重複單位包括苯基單體、乙醚單體與酮單體。
一個特別所望的高分子材料類別為聚合物(或共聚合物)，該聚合物(或共聚合物)包括和酮或乙醚單體連結之苯基單體，也就是說在所望類別中，高分子材料並不包括重複單位，除了苯基以外，該重複單位還包括-S-、-SO2 -或芳基。所望高分子材料型態包括：
(a)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中Ar代表單體(iv)，E與E’代表氧原子，m代表0，w代表1，G代表一個直接連結，s代表0，A與B代表1(例如聚醚醚酮)；
(b)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中E代表一個氧原子，E’代表一個直接連結，Ar代表一個結構單體(i)，m代表0，A代表1，B代表0(例如聚醚酮)；
(c)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中E代表一個氧原子，Ar代表單體(i)，m代表0，E’代表一個直接連結，A代表1，B代表0(例如聚醚醚酮)。
(d)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中Ar代表單體(i)，E與E’代表氧原子，G代表一個直接連結，m代表0，w代表1，r代表0，s代表1，A與B代表1(例如聚醚酮醚酮酮)。
(e)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中Ar代表單體(iv)，E與E’代表氧原子，G代表一個直接連結，m代表0，w代表0，s、r、A與B代表1(例如聚醚醚酮酮)。
(f)　一個聚合物，該聚合物包括方程式IV的單位，其中Ar代表單體(iv)，E與E’代表氧原子，m代表1，w代表1，A代表1，B代表1，r與s代表0，G代表一個直接連結(例如聚醚-二苯-醚-苯基-酮-苯基-)。
該高分子材料熔解吸熱主峰或許至少為300℃。
該高分子材料或許包括前述所定義(a)-(f)單位其中之一。
可行的方式或更可行的方式是該高分子材料包括方程式(XX)一個重複單位。
其中t1與w1分別代表0或1，v1代表0、1或2。所望高分子材料具備一個該重複單位，其中t1=1、v1=0與w1=0；t1=0、v1=0與w1=0；t1=0、w1=1、v1=2；或t1=0、v1=1與w1=0。更可行的是t1=1、v1=0與w1=0；或t1=0、v1=0與w1=0。最可行方式是t1=1、v1=0與w1=0。
在所望的實例中，該高分子材料選取自聚醚醚酮、聚醚酮、聚醚酮醚酮酮與聚醚酮酮。在一個更可行的實例中，該高分子材料選自聚醚酮與聚醚醚酮。在一個尤其可行的實例中，該高分子材料選取自聚醚醚酮。
該高分子材料或許是一個熱塑性成分的一部份，因此在本方法步驟(a)中所選取該前驅物或許由該熱塑性成分所製成，或是包括一個該熱塑性成分。一個該熱塑性成分或許包括該熱塑性材料與一個或多個填充物。
該熱塑性高分子材料或許構成一個熱塑性成分熱塑性高分子材料總量至少60wt%，適切的方式至少為70wt%，可行的方式至少為80wt%，更可行的方式至少為90wt%，尤其至少為95wt%，該熱塑性成分產生該聚合物該前驅物。
可行的方式是該熱塑性高分子材料是該熱塑性成分唯一的熱塑性聚合物，適切的方式是一個熱塑性的參考表示一種聚合物，該聚合物是在該聚合物該前驅物結構中熔解。
該熱塑性成分或許包括一個填充物工具，適切的方式是該填充物工具是一種材料，該材料不是在本方法熔解，適切的方式是其熔解溫度大於350 o C。
該填充物工具或許包括一種纖維填充物或是一種非纖維填充物，該填充物工具或許同時包括一種纖維填充物與一種非纖維填充物。
該一種纖維填充物或許屬連續性或不連續性纖維。該一種纖維填充物所望實例係屬不連續纖維。
該一種纖維填充物或許選取自無機纖維材料、非熔解與高熔點有機纖維材料，諸如芳香族聚醯氨纖維與碳纖維。
該一種纖維填充物或許選取自玻璃纖維、碳纖維、石棉、矽酸纖維、氧化鋁纖維、氧化鋯纖維、氮化硼纖維、氮化矽纖維、硼纖維、氟碳樹指纖維與鈦酸鉀纖維，所望纖維填充物為玻璃纖維與碳纖維。
一種纖維填充物或許包括奈米纖維。
該一種非纖維填充物或許選取自天然雲母、二氧化矽、滑石、高鋁瓷器、高嶺土、硫酸鈣、碳酸鈣、二氧化鈦、氧化鐵磁性材料、紅土、玻璃粉、氧化鋅、碳酸鎳、氧化鐵、石英粉、碳酸鎂、氟碳樹脂、石墨、醋酸丁酸纖維素、碳粉、奈米管與硫酸鋇，該非纖維填充物或許以粉狀或片狀形式呈現。
可行的方式是該填充物工具包括一種或一種以上選取自玻璃纖維、碳纖維、碳墨與一種氟碳樹脂的填充物。更可行的方式是該填充物工具包括玻璃纖維或碳纖維，尤其是不連續纖維，例如切股玻璃纖維或碳纖維。
適切方式是該熱塑性成分包括該熱塑性高分子材料35-100wt%，可行的方式是50-100wt%，更可行的方式是65-100wt%。
適切方式是該熱塑性成分中，填充物工具總數量佔65wt%以下，或是60wt%以下。該熱塑性成分或許包括0-65wt%填充物工具，可行的方式是0-50wt%，更可行的方式是0-35wt%。可行的方式是該熱塑性成分填充物工具佔5wt%以下，更可行的方式是沒有填充物工具。
該熱塑性成分或許包括：
(i)　40-100wt%(適切的方式是60-100wt%，可行的方式是80-100wt%，更可行的方式是90-100wt%，尤其是95-100wt%)熱塑性高分子材料；與
(ii)　0-60wt%(適切的方式是0-40wt%，可行的方式是0-20wt%，更可行的方式是0-10wt%，尤其是0-5wt%)填充物工具。
該熱塑性成分或許包括：
(i)　35-100wt%該熱塑性高分子材料，可行的方式是前述方程式(XX)一個聚合物；
(ii)　0-30wt%一個第二熱塑性高分子材料；
(iii)　0-65wt%填充物工具；
(iv)　0-10wt%或許會選取自其他聚合物的其他添加物，例如加工助劑、顏料。
適切方式是該熱塑性成分至少包括80wt%該第一聚合物，可行的方式是至少90wt%，更可行的方式是至少95wt%，尤其是至少99wt%，尤其是前述方程式(XX)的一個聚合物。
依據本發明一個第二面向，此處提供依據本發明第一個面向已獲得或可獲得的一個聚合物。
依據本發明一個第三面向，此處提供一個聚合物，該聚合物包括一個熱塑性高分子材料，該熱塑性高分子材料具備一個或多個以下特性：
(A)　橫跨該聚合物表面充分常數%結晶性；
(B)　再加熱殘留應力充分不可回復性；
(C)　使用掃描式熱差分析儀測試獲得自該聚合物一個表面　熱塑性高分子材料時，不會偵測到退火峰；
(D)　如果該聚合物包括一個擠出纖維填充高分子材料，該纖維沿著擠出軸整齊排列。
特性(A)或許可運用傅立葉轉換紅外線光譜儀測量之。適切的方式是在該聚合物表面一個第一位置、第二位置與第三位置取樣，其中該第二位置與該第一位置間之線性距離至少必須是該聚合物最大尺寸的50%；該第三位置與該第一位置間之線性距離至少必須是該聚合物最大尺寸的50%。其餘樣本之取樣位置與該第一位置間之距離如同前述，例如一個進一步2、4、6、8或10樣本。
可透過調查該聚合物變形是否再加熱至該熱塑性高分子材料轉移溫度以上來評估特性(B)，可行的方式是當加熱至轉移溫度以上25 o C時，該聚合物並不會充分變形。可行的方式是當加熱至轉移溫度以上50 o C時，該聚合物並不會充分變形。可行的方式是當加熱至轉移溫度以上75 o C時，該聚合物並不會充分變形。可行的方式是當加熱至轉移溫度以上90 o C時，該聚合物並不會充分變形。
該聚合物是否變形或可用目視方式評量之。正如前述實施再加熱後，或許可評量該聚合物最大尺寸(例如長度)。如果最大尺寸變化超過2%以上(例如加熱後最大尺寸小於加熱前最大尺寸)/加熱前最大尺寸大於2%)，則該聚合物視為已經變形。在所望實例中，以如同前述方式評量之，該最大尺寸之變化小於1%。適切的方式是再加熱前後，前述最大尺寸之評量是在相同溫度下實施之。例如或許在環境溫度下評量該聚合物尺寸。
評量特性(C)時，可利用顯微切片(microtoming)自一個表面取樣，同時依據本領域專業人士熟知的作業程序，可確認是否呈現退火峰。
本發明第三個面向一個聚合物或許會至少呈現2個前述該特性，可行的方式是至少呈現3個前述該特性，更可行的方式是至少呈現多個前述該特性。
特性(C)或許可應用於一個渦捲，例如一個渦捲式壓縮機。
本發明第三個面向該聚合物或許包括一個螺旋形狀、一個開口環，或是包括一個晶片座，例如托盤。
此處所描述任何發明或實例任何面向之特色或許可與比照適用所描述任何發明或實例任何面向之任何特色結合之。
茲提出範例說明本發明特定實例。
諸如密封環、渦捲式壓縮機之渦捲與晶片托盤等取材自高分子材料品項之製造，必須使其風險最小化，以免當使用時該品項時因溫度或壓力，造成形狀或尺寸之變形。就這一層面而言，這些組件或許應採用以下製程步驟之造之：
(i)　在某些條件情況下，利用一種高分子材料形成一個組件，這些條件情況在尋求限制所產生結晶性之水準，其目標在運用可獲得最低結晶性水準製造組件。該步驟包括鑄模限制結晶性產生後，迅速將該組件冷卻。
(ii)　將組件限制在所望形狀，例如運用一個軸承架。
(iii)　限制組件後，將組件加熱至一個充分的高溫(例如處理組件至高分子材料轉移溫度以上)，盡可能增加組件之結晶性水準。高分子材料溫度越接近熔解點，結晶程序也會越快發生，同時結晶性的水準也會越高。理想的方式是溫度應高於組件終端使用溫度，以確保使用時不會發生結晶情形。以前述方式加熱，會使得所限制形狀閉鎖在組件結晶結構，如此所限制組件形狀會成為其「正常」形狀。因此，組件變形或加熱至其轉移溫度以上並不會移除此一「記憶」，同時透過結晶作業程序，組件可保持所設定形狀。
前述一般作業程序或許可應用在一個密封環。有關此一問題，一個密封環(該密封環屬開口環型態模組)係運用射出成型由高分子材料所製造，例如聚醚醚酮。然而如果要限制密封環之結晶性，應利用冷的鑄模工具，以利在主要結晶發生之前，使高分子材料固化，該鑄模工具的溫度應盡可能降低。一般而言，工具的溫度應低於高分子材料轉移溫度，適切的方式是至少為25 o C，可行的方式是至少為50 o C，或至少為高分子材料轉移溫度100 o C以下。密封環自工具移除，並安裝在一個軸承架內部，該軸承架是對密封環實施限制或施加外力，使其保持所望形狀。然後將軸承架與密封環的溫度增加至高分子材料轉移溫度以上，以利結晶之發生。其時間端視所使用溫度而定，如果所使用溫度越高，則時間或許越短。舉例而言，使用溫度或許為250 o C，一旦密封環達到此一溫度最大1小時時，則此一溫度必須維持至少30分鐘。此外，組件越厚，時間也越長。可行的方式是將組件限制在軸承架內部，直至組件冷卻至低於高分子材料轉移溫度以下。密封環所增加結晶性會閉鎖在所望密封環形狀之中，是以當組件自軸承架移除時，密封環的形狀或尺寸就會固定下來。當開啟密封環安裝在軸承之上時，不會因鑄模作業程序導致永久變形，同理密封環與設計用途最終工程裝配能夠密切結合。
一般作業程序或許可應用在渦捲式壓縮機之渦捲，例如甚至可用來製造小橫截面之長渦捲，因為小橫截面之長渦捲很難利用現行製程製造之。製程中，一個必要之渦捲輪廓(scroll profile)(必要時，或許可產生一個較複雜的渦捲輪廓)自高分子材料擠出，例如聚醚醚酮，然後浸入冷水中，以限制其結晶性水準。擠出製程會產生一致性的產品，與已知射出成型製程不同，該產品具備較低的殘留應力。如果聚合物成分包括高分子材料，同時纖維被擠出，擠出製程所產生的纖維取向會沿著擠出物的長度排列之，這也是最終渦捲理想的取向。擠出輪廓會被切斷，同時在一個工具中形成，該工具經過機器處理具備所望渦捲輪廓，並熱處理至高分子材料轉移溫度以上，以利結晶發生，結晶的發生會將渦捲閉鎖在所望形狀。如同前述，所需時間端視所使用溫度與組件厚度而定，同時與前述密封環類似。
一般製程或許可應用在其他容易發生彎曲變形的組件，例如晶片托盤。製程中，一個晶片托盤或許利用冷卻之射出成型工具由高分子材料製造而成，例如聚醚醚酮，以限制托盤結晶數量。然後或許會將托盤限制在一個平面制動夾具，然後熱處理至高分子材料轉移溫度以上，以利結晶發生。其結果是產生平坦的托盤，而且在使用中也會維持其平坦的特性，例如無鉛焊料晶片製程。
為了進一步舉例說明前述一般作業程序，對具備低水準結晶性的30μm聚醚醚酮薄膜樣本實施測試，請參閱範例1-7。除非另有說明，否則使用掃描式熱差分析儀測量結晶性水準。
範例1
薄膜樣本纏繞在一根鋼管上，其直徑約25mm。在250 o C爐中加熱30分鐘，然後在爐中慢慢冷卻。樣本自爐中移除後，該薄膜形成一卷，將該薄膜展開並釋放之，該薄膜會立即捲縮回原來形狀。使用掃描式熱差分析儀測量樣本結晶性水準，所得數值為36%。
範例2
將範例1該卷薄膜置於250 o C爐中加熱30分鐘，與範例1所產生薄膜實施對照，觀察到尺寸並未產生變化。
範例3
將範例1一個樣本展開，並置於2塊鋼板之間，使得該樣本保持平坦狀態，然後將其置於200 o C爐中加熱30分鐘，該樣本自2塊鋼板之間移除之前，使其慢慢冷卻。觀察發現該薄膜不再捲縮回原來形狀。
範例4
將範例3所產生的樣本再放回爐中，在樣本不受任何外力限制情形下，再加熱至230 o C，其結果是該薄膜捲縮回原來形狀，其尺寸與範例1所產生樣本尺寸相同。
範例1與2顯示在樣本受限制情形下加熱並發展一個較高水準結晶時，會保持原來的形狀。因此可能對材料實施熱成型處理(其加工處理視聚合物非晶內涵而定)，重新設定其形狀，使其成為範例3所示平坦樣本。然而範例4明顯顯示該薄膜所望形狀為捲縮形狀，因為樣本加熱至轉移溫度以上，令其在應力下冷卻(範例3過程的結果)，然後展開，最後該薄膜會恢復其所望的捲縮形狀。範例3與4所使用溫度低於範例1所使用溫度，如果範例3與4所使用溫度高於範例1所使用溫度，則會產生結晶性改變。
範例5
將一個薄膜樣本置於2塊鋼板之間，加熱至200℃ 30分鐘，然後在樣本仍受限制情形下令其冷卻。其結果是樣本保持平坦形狀，其結晶性水準為32%，此一結晶性水準被視為是典型射出成型樣本的正常水準。
範例6
將範例5所產生樣本纏繞在一根鋼軸上，將該樣本在250℃進一步加熱30分鐘，同時令其在爐中冷卻。其結果是樣本成捲縮形狀，但是尺寸卻較直接結晶(例如範例1樣本)樣本的尺寸大，同時其尺寸也明顯較鋼管尺寸大。導致此一形狀的部份原因係熱成型製程關係，另一方面是因為以較高溫度實施樣本熱處理所產生的結晶性結果。以250℃實施熱處理的樣本結晶性為36%。
範例7
在樣本形狀未受限制情形下，將範例6所產生樣本置於250℃爐中再加熱30分鐘，其結果是雖然樣本並未恢復其原始平坦形狀，捲縮樣本的直徑變大。
範例6程序所產生的薄膜，該薄膜尺寸並未設定與該鋼管尺寸同，與範例1薄膜的情形不同，因為範例1形塑過程中結晶性水準大幅增加的關係，範例1結晶性水準增加24%，範例6結晶性水準增加4%。
依據此處所描述一般製程，由聚醚醚酮所製造之組件(例如範例1所示)或許與依據以下所述先前技術製程所製造之組件特性不同：
(a)產品表面結晶性
就聚醚醚酮射出成型而言，先前技術建議使用工具溫度在160℃以上，此一提升溫度有助於聚醚醚酮結晶，此一工具溫度可產生整批結晶性水準為25-35%，視真正的工具溫度與組件厚度而定。
如果工具各部份溫度相同，則產品表面結晶也會相同；如果工具各部份溫度不同，則產品表面結晶水準也會有所不同。一般而言，由於工具內部冷卻管路配置位置不同，工具表面溫度也會有所不同，因此即使工具設定相同溫度，其表面結晶性也會有所不同。
相反的，依據此處所描述製程，產品表面結晶性水準應維持一樣，因為表面層會在完全相同條件下形成結晶，而且模具工具不會受熱點(hot-spots)情形之影響。工具表面溫度或許會有所不同，但是工具會經過充分冷卻，以產生一個低結晶性水準的表層，因此對隨後之結晶製程不會有限制。
將傅立葉轉換紅外線光譜儀與一個顯微鏡附加裝置連結，可用來執行結晶性水準區域性分析，分析事項如下：
1.與1280cm-1 對照，比較在1305cm-1 紅外線吸光度的比率。
2.與952cm-1 對照，比較在970cm-1 紅外線吸光度的比率。
(b)再加熱殘留應力之恢復
就諸如密封環組件而言，一旦運用先前技術製程生產，必須具備一個熱度設定階段以定義最終形狀。在此一組件情況下，將組件再加熱至轉移溫度以上時，加熱製程所累積之殘留應力會自我釋放，同時組件會恢復其製造設計之形狀。在此一階段過程中，任何結晶性之變化可忽略之，或結晶性之變化程度非常低。因此藉由殘留應力之恢復，組件會產生變形。相反的，依據此處所描述製程，該製程涉及受限制情形下之材料結晶，因此結晶製程會將組件閉鎖在所望形狀，同時將組件加熱至轉移溫度以上，但在該組件受限制時的溫度以下時，未觀察到變形或是殘留應力恢復。
(c)退火峰偵測
運用先前技術在組件退火時(通常均是如此)，當使用掃描式熱差分析儀測試材料時，觀察到一個「退火」峰，此峰是退火製程中與結晶區域熔解有關之吸熱峰。因為其他應力之呈現，區域熔解溫度小於整批結晶網狀結構溫度，該等應力有助於結晶解構之流程。此一退火峰通常在組件退火溫度以上約20 o C時最為明顯，同時此一退火峰通常是掃描式熱差分析儀軌跡相當明顯之特色。
如果是依據此處所描述製程所製造之組件情況下，組件材料不會顯現退火峰，因為結晶結構係屬主要結構，而不像退火過程中通常會形成的次要結構，因此不會受限於運用先前技術製程退火樣本中所發現的應力。但是由於組件中心所呈現之結晶水準，運用此處所描述製程所生產的相當厚的組件或許會呈現小的退火峰。然而取自組件表面樣本不會呈現退火峰。利用諸如顯微切片技術可自表面層取樣。
(d)填充物取向
就渦捲式壓縮機之渦捲而言，先前技術製程涉及射出成型纖維填充高分子材料。此一程序會產生一個纖維取向圖形，該纖維取向圖形會沿著組件長度而變化。纖維填充射出成型組件橫截面會呈現一個表層或核心結構，表層纖維會與流向一致，核心纖維則與流向相反。由於填充製程的本質使然，表層與核心相對厚度沿著鑄模組件長度產生變化，如果依據此處描述製造渦捲，則纖維會沿著擠出軸心長度排列，同時纖維取向圖形不會沿著組件長度產生變化。
此處所描述製程或許可用來製造各種不同型態的組件，運用此一製程或許有許多優勢可以克服組件幾何問題所造成之製造困境，例如無法運用直接射出成型或機器處理之組件。
本發明不受限於前述實例所述之細節，本發明可擴充至本規格說明(包括任何專利申請範圍、摘要與附圖)所公開任何單一或組合特性，或是本規格說明所公開任何單一或組合之方法與製程。
上述實施例所揭示者係藉以具體說明本發明，且文中雖透過特定的術語進行說明，當不能以此限定本發明之專利範圍；熟悉此項技術領域之人士當可在瞭解本發明之精神與原則後對其進行變更與修改而達到等效之目的，而此等變更與修改，皆應涵蓋於如后所述之申請專利範圍所界定範疇中。

Claims (14)

  1. 一種聚合物成形方法，包括：(a)選取該聚合物一個前驅物，其中該前驅物包括一重量百分比35至100的熱塑性高分子材料，該熱塑性高分子材料具備一個第一結晶性水準；該前驅物第一結晶性水準小於20%，且該熱塑性高分子材料包含一個方程式(XX)的重覆單位， 其中t1與w1分別代表0或1，v1代表0、1或2；且該前驅物是以射出成型製造；(b)對該前驅物施加一外力，以將該前驅物至少一部份限制在一事先定義的形狀；(c)該聚合物至少該熱塑性高分子材料部分之結晶增加15%以上；且該前驅物的形狀與該事先定義之型狀相同。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之聚合物成形方法，其中在步驟(c)結晶性增加至少20%。
  3. 依據申請專利範圍第1項或第2項所述之聚合物成形方法，其中在步驟(a)所選取該前驅物該第一結晶性水準至少為5%，同時小於18%。
  4. 依據申請專利範圍第1或2項所述之聚合物成形方法，其中該聚合物包括一個螺旋形狀、一個開口環或一個晶片座。
  5. 依據申請專利範圍第1或2項所述之聚合物成形方法，其中步驟(c)包括對該熱塑性高分子材料加熱至其玻璃轉移溫度以上的一個溫度，其中在步驟(c)中，該熱塑性高分子材料係被加熱至小於該熱塑性高分子材料之熔解溫度與裂解溫度的一個溫度。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述之聚合物成型方法，其中步驟(c)包含對該熱塑性高分子材料至少加熱至其玻璃轉移溫度20℃以上。
  7. 依據申請專利範圍第1或2項所述之聚合物成形方法，其中步驟(c)包括對該前驅物加熱至該熱塑性高分子材料之玻璃轉移溫度以上的一個溫度，其中在步驟(c)中，該前驅物係被加熱至小於該前驅物之熔解溫度與裂解溫度的一個溫度。
  8. 依據申請專利範圍第5項所述之聚合物成形方法，其中步驟(c)包括將該前驅物至少一部份限制在該事先定義形狀的同時，讓該熱塑性高分子材料緩慢冷卻。
  9. 依據申請專利範圍第7項所述之聚合物成形方法，其 中步驟(c)包括將該前驅物至少一部份限制在該事先定義形狀的同時，讓該前驅物緩慢冷卻。
  10. 依據申請專利範圍第1或2項所述之聚合物成形方法，其中該前驅物包括：(i)佔重量百分比35-100之方程式(XX)熱塑性高分子材料；(ii)佔重量百分比0-30之第二熱塑性高分子材料；(iii)佔重量百分比0-65之填充物工具；(iv)0-10wt%其他添加物；前述熱塑性高分子材料、第二熱塑性高分子材料、填充物工具與其他添加物之重量百分比總合為百分之百。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之聚合物成形方法可獲得的一個聚合物，其中包含了重量百分比為35-100的熱塑性高分子材料。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之聚合物成型方法，其中該聚合物所包含之熱塑性高分子材料具備以下特性：(A)橫跨該聚合物表面充分常數%結晶性；(B)再加熱殘留應力充分不可回復性；以及(C)使用掃描式熱差分析儀測試獲得自該聚合物一個表面熱塑性高分子材料時，不會偵測到退火峰。
  13. 依據申請專利範圍第11項所述之聚合物成型方法，其中該聚合物係選取自一個螺旋形狀、一個開口環或是一個晶片座。
  14. 依據申請專利範圍第12項所述之聚合物成型方法，其中該聚合物係選取自一個螺旋形狀、一個開口環或是一個晶片座。
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