TWI462174B - 具有改良的粒子表現之主動加熱鋁擋板元件及使用方法及其製造方法 - Google Patents

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Description

具有改良的粒子表現之主動加熱鋁擋板元件及使用方法及其製造方法
本發明係關於一種具有改良的粒子表現之主動加熱鋁擋板元件及使用方法及其製造方法。
隨著半導體技術之發展，減小電晶體尺寸對晶圓製程及處理裝備要求甚至更高之精確度、可重複性及清潔度。存在各種類型之裝備用於半導體處理，包括涉及對電漿進行使用(諸如電漿蝕刻、電漿增強化學氣相沈積(PECVD)及抗蝕條)的應用。此等製程所需之類型的裝備包括安置於電漿腔室內且必須運作於該環境中之元件。電漿腔室內部之環境可包括曝露於電漿、曝露於蝕刻劑氣體，及熱循環。用於此等元件之材料必須經調適以耐受腔室中之環境條件，且對許多晶圓之處理進行此操作，該等晶圓中每晶圓可包括多個處理步驟。為了具成本效益，此等元件必須經常耐受上百或上千個晶圓週期同時保持其功能性及清潔度。對於產生粒子(即使彼等粒子很少且不大於幾十奈米)之元件而言，通常存在極低之耐受性。經選定用於電漿處理腔室內部之元件亦需要以具成本效益之方式符合此等要求。
諸如熱控制板或擋環之主動加熱鋁擋板元件包括一藉由電拋光程序形成之曝露的外部氧化鋁層。
用於諸如矽晶圓之半導體基板的電漿處理裝置包括電漿蝕刻腔室，其用於半導體設備製造製程中以將此等材料蝕刻成半導體、金屬及介電質。舉例而言，介電質蝕刻腔室可用於蝕刻諸如二氧化矽或氮化矽之材料。在蝕刻製程期間，蝕刻腔室內之元件加熱並冷卻且因此經受熱應力。對於諸如經加熱之蓮蓬頭組件之擋板元件的主動加熱元件，此溫度循環可導致增加之粒子產生。
在共同擁有之美國專利公開案第2005/0133160A1號中描述具有加熱器以防止蓮蓬頭電極降落至最小溫度以下的蓮蓬頭電極組件，該案之揭示以引用的方式併入本文中。在與形成電漿蝕刻腔室之頂壁之溫度控制頂板的熱轉移中，加熱器與熱控制板進行合作。
圖1描繪電容性耦接之電漿腔室之平行板的蓮蓬頭組件100之一半，該電漿腔室包含頂部電極103及緊固至頂部電極103之可選襯底部件102、熱控制板101及頂板111。頂板111可形成諸如電漿蝕刻腔室之電漿處理裝置的可移除頂壁。頂部電極103較佳地包括內部電極部件105及可選外部電極部件107。內部電極部件105較佳為由單晶矽製成的圓柱體。視需要，內部電極105及外部電極107可由諸如CVD碳化矽、單晶矽或其他合適之材料的單件材料製得。
內部電極部件105可具有小於、等於或大於待處理晶圓之直徑，例如當板由單晶矽製得時直徑可高達200 mm，該200 mm之直徑為當前可用單晶矽材料之最大直徑。對於處理諸如300 mm晶圓之較大半導體基板，外部電極部件107經調適以將頂部電極103之直徑自約15英吋擴展至約17英吋。外部電極部件107可為連續部件(例如，多晶矽或碳化矽部件，諸如擋環)，或分段部件(例如，以擋環組態配置的2至6個獨立片段，諸如單晶矽之片段)。在其中頂部電極103包括多段外部電極部件107之實施例中，該等片段較佳具有彼此重疊以保護下方黏結材料曝露於電漿之邊緣。內部電極部件105較佳包括多個氣體通道104，其用於將處理氣體注入頂部電極103之下的電漿反應腔室中之空間中。外部電極107較佳在電極103之周邊處形成凸起臺階。可在共同擁有之美國專利第6,824,627號中發現臺階狀電極之其他細節，該案之揭示以引用的方式併入本文中。
單晶矽為用於內部電極部件105及外部電極部件107之電漿曝露表面的較佳材料。高純度單晶矽在電漿處理期間最小化基板之污染，此係因為其僅將最小量不良元素引入反應腔室中且在電漿處理期間亦平滑地磨損，進而最小化粒子。
蓮蓬頭電極組件100可經定尺寸以處理諸如具有300 mm之直徑之半導體晶圓的大基板。對於300 mm晶圓而言，頂部電極103之直徑為至少300 mm。然而，蓮蓬頭電極組件可經定尺寸以處理具有非圓形組態之其他晶圓尺寸或基板。
襯底部件102包括底板106且視情況包括墊環108。在此等組態中，內部電極部件105與底板106共同存在，且外部電極部件107與周圍墊環108共同存在。然而，底板106可延伸超過內部電極部件以使得單一底板可用於支撐內部電極部件及分段外部電極部件，或內部電極及外部電極可包含單件材料。內部電極部件105及外部電極部件107較佳藉由諸如彈性黏結材料之黏結材料而附著至襯底部件102。
底板106包括與內部電極部件105中之氣體通道104對準之氣體通道113以將氣流提供入電漿處理腔室中。氣體通道113通常可具有約0.04英吋之直徑，且氣體通道104通常可具有約0.025英吋之直徑。
底板106及墊環108較佳由與用於在電漿處理腔室中處理半導體基板之處理氣體化學相容的材料製得，具有緊密匹配電極材料之熱膨脹係數的熱膨脹係數，且/或導電及導熱的。可用於製得襯底部件102之較佳材料包括(但不限於)石墨及SiC。
頂部電極103可藉由使用適應熱應力之導熱及導電彈性體黏結材料而附著至底板106及墊環108，且在頂部電極103與底板106及墊環108之間轉移熱及電能。在(例如)共同擁有之美國專利第6,073,577號中描述對用於將電極組件之表面黏結在一起之彈性體的使用，該案之全文以引用的方式併入本文中。
底板106及墊環108較佳以合適之扣件(其可為螺紋螺栓、螺釘或其類似物)而附著至熱控制板101。舉例而言，螺栓(未圖示)可插入熱控制板101中之孔中且擰入襯底部件102中之螺紋開口中。熱控制板101與主動控制加熱器之間存在熱轉移關係。參看例如圖1至圖2及共同擁有之美國公開申請案第2005/0133160A1號中所描述之關於其的論述，該案之揭示以引用的方式併入本文中。熱控制板101包括彎曲部分109且較佳由諸如鋁、鋁合金(諸如鋁合金6061)或其類似物之經加工之金屬材料製得。頂板111較佳由鋁或諸如鋁合金6061之鋁合金製得。電漿限制組件110係展示為在蓮蓬頭電極組件100之外部。在共同擁有之美國專利第5,534,751號中描述包括可垂直調整之電漿限制擋環組件的合適電漿限制組件，該案之全文以引用的方式併入本文中。
熱控制板較佳包括至少一加熱器，其可經操作以與溫度控制頂板合作來控制頂部電極之溫度。舉例而言，在較佳實施例中，加熱器係提供於熱控制板之上表面上且包括由第一突出物環繞之第一加熱器區、在第一突出物與第二突出物之間的第二加熱器區及在第二突出物與彎曲部分之間的第三加熱器區。加熱器區之數目可改變；例如，在其他實施例中，加熱器可包括單一加熱器區、兩個加熱器區或三個以上加熱器區。或者加熱器可提供於熱控制板之底部表面上。
加熱器較佳包含一包括電阻加熱材料之層板，該層板安置於可耐受加熱器所達到之操作溫度之聚合材料的相對層之間。可使用之例示性聚合材料為以商標Kapton出售之聚醯亞胺，其可購自E.I.du Pont de Nemours&Company。或者，加熱器可為嵌入熱控制板中之電阻加熱器(例如，澆鑄式熱控制板中之加熱單元或位於形成於熱控制板中之通道中的加熱單元)。加熱器之另一實施例包括安裝於熱控制板之上表面及/或下表面上之電阻加熱單元。可經由傳導及/或輻射來達成對熱控制板之加熱。
加熱器材料可具有提供第一加熱器區、第二加熱器區及第三加熱器區之熱均勻加熱的任何合適圖案。舉例而言，層狀加熱器可具有諸如鋸齒形、蛇狀或同心圖案之規則或不規則圖案之電阻加熱線。藉由以加熱器協同對溫度控制頂板之操作來加熱熱控制板，可在操作蓮蓬頭電極組件期間於頂部電極上提供合意的溫度分佈。
可藉由任何合適技術(例如，施加熱及壓力、黏著劑、扣件或其類似物)而將位於第一加熱器區、第二加熱器區及第三加熱器區中之加熱器區段緊固至熱控制板。
頂部電極可電接地或者可較佳由射頻(RF)電流源供電。在較佳實施例中，頂部電極接地，且將在一或多個頻率下之電力施加至底部電極以在電漿處理腔室中產生電漿。舉例而言，可藉由兩個獨立控制之射頻電源在2 MHz及27 MHz之頻率下對底部電極供電。在已處理基板(例如，已對半導體基板進行電漿蝕刻)之後，將對底部電極之電力供應切斷以終止電漿產生。將經處理之基板自電漿處理腔室移除，且將另一基板置放於基板支架上以供電漿處理。在較佳實施例中，啟動加熱器以加熱熱控制板，且接著當切斷至下電漿之電力時加熱頂部電極。因此，較佳防止頂部電極溫度下降至所要最小溫度以下。對於蝕刻介電材料而言，在連續基板處理運作之間，頂部電極溫度較佳保持在諸如150至250℃之約恆定溫度，以使地基板經更均勻地處理，進而改良製程良率。電源較佳為可控制的，從而基於頂部電極之實際溫度及所要溫度而以所要位準及速率將電力供應至加熱器。
用於電漿處理腔室中之主動加熱鋁元件之另一實例為用於在電漿腔室中分配處理氣體的鋁擋環配置120。圖1中之鋁擋環配置120包括由鋁或諸如6061鋁之鋁合金製得的六個環，該鋁合金以重量計包含約96%至約98%之Al、約0.8%至約1.2%的Mg、約0.4%至約0.8%的Si、約0.15%至約0.4%的Cu、約0.04%至約0.35%的Cr，且視情況包含Fe、Mn、Zn及/或Ti。6個同心L形環位於充氣室內襯底部件102之上及熱控制板101之下。舉例而言，中心充氣室可包括單一環，鄰近充氣室可包括兩個分離開至1英吋之間隙的環，下一鄰近充氣室可包括兩個分離開至1英吋之間隙的環且外部充氣室可包括單一擋環。以螺釘將該等環安裝至熱控制板101。舉例而言，每一環可包括沿圓周隔開之間隙或突起(其中具有通孔以收納螺釘)，例如，可使用以120°間隔配置之三個突起。圖2中展示單一擋環之一區段的代表性橫截面。每一環可具有厚度為約0.040英吋之水平區段及長度為約英吋之垂直凸緣。該環包括平坦表面121及邊緣122。
電漿處理腔室中所使用之習知鋁元件具有藉由稱作第III類陽極化之製程所產生的表面修整，該製程導致形成約25微米至75微米厚度之氧化鋁層。在電解槽中執行第III類陽極化(亦稱作"硬質"陽極化)，該電解槽包括濃度為約14重量%至17重量%之硫酸且視情況包括濃度為約2.5重量%至7.5重量%的草酸。將該槽保持於約－4℃至11℃之溫度，且將工件在約50 V至75 V之電壓下於約10分鐘至80分鐘內保持為電解池的陽極。所得層主要由氧化鋁組成，且包含在Al/氧化物界面附近之約1000埃(0.1微米)之緻密氧化鋁，及剩餘厚度之多孔氧化物。由於溫度在環境溫度與高溫之間循環(該高溫超過100℃、125℃、150℃、175℃、200℃或更高)，具有陽極化層之擋環顯示破裂且引起粒子污染。
在處理腔室中對半導體基板進行處理期間，熱自加熱器配置或自藉由內部電極部件105及外部電極部件107產生之熱而轉移至熱控制板及擋環。由於此熱轉移，諸如熱轉移板鋁擋環120之元件的溫度可被主動加熱至150℃、160℃、170℃、180℃、190℃、200℃或更高之溫度。因此，主動加熱鋁擋板元件可在自環境溫度至150℃及以上溫度的溫度循環中進行熱循環。因此，本體材料及鋁元件之表面氧化材料的熱膨脹係數α之相對值在正常處理條件下受到考驗。鋁之熱膨脹係數α為約25×10－ 6 /℃，而對於氧化鋁而言，值為約8×10－ 6 /℃。此差異使氧化鋁層在熱循環期間受到應力，且該現象在非平坦表面上會惡化。此係因為在膨脹期間，在非平坦構形區域上之表面層必須比其在平坦表面上膨脹得更厲害。因此，預期應力在邊緣處較高。在溫度增加期間，例如，引入至邊緣處之氧化物的張應力超過僅僅歸因於熱膨脹係數之差異而會被引入至平坦表面上之氧化物的應力。
已觀察到，表面層之破裂發生於在正常使用電漿處理裝置期間的熱循環之後的第III類陽極化主動加熱鋁擋板元件上。沿此等元件之邊緣，破裂最為可見。任何此破裂皆為腔室內粒子之可能的來源，因此當破裂發生時，通常必須替換破裂元件。此可增加電漿製程之成本且使電漿製程之品質降級。因此，需要在晶圓處理期間產生減少之粒子的用於電漿處理腔室中所用之主動加熱鋁擋板元件的表面修整程序。
根據以上所述與在電漿處理腔室中使用第III類陽極化鋁之主動加熱鋁擋板元件相關聯的缺點，已進行其他研究來開發不同的更合適材料之元件。由於此等研究，已發現，可使用利用替代性表面修整技術的主動加熱鋁擋板元件而無上述缺點。根據較佳實施例，使用電拋光將氧化鋁層提供至元件表面。經電拋光之鋁試樣於在至少125℃、150℃、175℃、200℃或更高的溫度範圍中進行熱循環的條件下展示減少之破裂。
電拋光為電化學製程，其中將工件浸入槽中且在電化學池中將其用作陽極(正電位)以電拋光鋁元件。為了電拋光鋁元件，該槽含有濃縮磷酸，且在電拋光製程期間，該槽在約50℃至70℃之溫度保持約1分鐘至6分鐘，其中施加約12 V至24 V的電壓。此處理通常產生厚度小於約0.5微米之氧化層。該層由主要無孔的、高密度氧化鋁組成。電拋光所產生之氧化鋁層通常為不可剝離的。然而，視需要，可藉由其他合適之技術來產生厚度通常小於約0.5微米之主要無孔高密度、通常不可剝離的氧化鋁。
應瞭解，經受以下序列之主動加熱鋁擋板元件可為"新的"或"已使用過的"。若元件為鋁擋板環或其他元件，則鋁擋板元件可為尚未在電漿腔室中使用之"新的"擋板元件，或"已使用過的"擋板元件，意即，先前已在電漿腔室中已使用過的擋板元件，且其可為裸鋁元件或為包括藉由電拋光或諸如第III類陽極化之其他技術形成之氧化鋁層的元件。此等"新的"及"已使用過的"元件較佳經處理以產生藉由電拋光產生之氧化鋁層。因此，可藉由自電漿腔室移除先前所用之擋板元件，清潔、剝離氧化物並進行電拋光以當經受熱循環時提供耐破裂及耐粒子形成之氧化層，而"恢復""已使用過的"鋁元件。
以下詳細實例描述電拋光製程，其應用於恢復自雙頻率平行板電漿蝕刻腔室移除之已使用過的鋁擋板元件，該鋁擋板元件諸如可購自Lam Research Corporation之2300 ExelanT M 介電質蝕刻系統。其係為說明性的而非排斥性的。
實例1：
根據較佳實施例，最初清潔自電漿蝕刻腔室移除之鋁擋板元件以移除沈積物。此等沈積物可包括諸如碳基聚合物之蝕刻副產物，以及其他物質，諸如AlF3 。該清潔較佳包括首先使用合適之鹼性清潔溶液，諸如可購自位於Madison Heights,Michigan之Henkel Surface Technologies的Novaclean 120LF溶液。此溶液為含有四硼酸鈉及專屬添加劑(proprietary additive)之非矽酸、鹼性清潔溶液。鋁擋板元件較佳浸入約110℉至約130℉溫度之溶液中約5分鐘至約15分鐘，接著以水沖洗鋁擋板元件約3分鐘至約5分鐘以自其移除該溶液。
在實施例中，接著，較佳使用合適之鹼性蝕刻溶液(諸如可購自Henkel Surface Technologies之Novax SC603B溶液)來蝕刻鋁擋板元件外部表面。此溶液為主要含有氫氧化鈉之鹼性蝕刻溶液。鋁擋板元件較佳浸入約110℉至約130℉溫度之溶液中約30秒至約2分鐘，接著以水沖洗足量時間(通常約5分鐘至約10分鐘)以自鋁擋板元件移除該溶液。沖洗水較佳為超純水，其在約環境溫度下具有至少約15 Mohm－cm之抵抗性。
在實施例中，接著，使用合適脫氧溶液(諸如可購自Henkel Surface Technologies之Nova 300A & B溶液)對鋁擋板元件之外部表面進行脫氧且清除掉金屬。鋁擋板元件較佳浸入溶液中足量時間(通常為約5至約10分鐘)以自鋁擋板移除外部氧化鋁層。溶液較佳在約環境溫度。接著，較佳以超純水沖洗鋁擋板元件足量時間(通常約5至約10分鐘)以移除溶液。使用(例如)清潔之乾燥空氣或經過濾之氮來乾燥經沖洗的鋁擋板元件。
在移除氧化鋁層之後，較佳對鋁擋板元件進行再修整以形成供蝕刻腔室使用之所要表面粗糙度。舉例而言，經再修整之表面粗糙度可小於約0.4微米。可使用任何合適之研磨劑(諸如包括氧化鋁研磨劑之砂紙，例如，1200個砂粒之砂紙)對鋁擋板元件進行再修整。可視鋁擋板元件之所要表面修整而亦可或者使用更粗糙或更精細的砂紙。可在重修表面以增強表面修整之均一性期間旋轉鋁擋板元件。較佳使用超純水將經重修表面之鋁擋板元件沖洗足量時間(通常約5至10分鐘)以自鋁擋板元件表面移除鬆散粒子。使用(例如)清潔的乾燥空氣或經過濾之氮來乾燥經沖洗之鋁擋板元件。
在實施例中，移除經再修整之鋁擋板元件表面上所剩餘之污染物；較佳地，首先使用適合之鹼性清潔溶液(諸如Novaclean 120LF)。鋁擋板元件較佳滲入約110℉至約130℉溫度之溶液中約5分鐘至約15分鐘。接著，較佳以超純水沖洗鋁擋板元件約3分鐘至約10分鐘以自鋁擋板元件移除殘餘鹼性清潔溶液。
在鹼性清潔步驟之後，以酸性清潔溶液清潔鋁擋板元件以移除矽及金屬污染物。較佳酸性清潔溶液含有約0.25%磷酸與約0.05%氫氟酸之混合物。鋁擋板元件較佳浸入約環境溫度之酸性清潔溶液中約1分鐘至約3分鐘。接著，較佳以超純水沖洗鋁擋板元件約3分鐘至10分鐘以移除殘餘酸性清潔溶液。
接著，在含有濃縮磷酸(諸如可購自位於Brookfield,WI之Hydrite Chemical Co.之Hydrite 1375)的電拋光容器中電拋光鋁擋板元件。在電拋光製程期間，槽保持於約50℃至70℃之溫度約1分鐘至6分鐘，其中施加約12 V至24 V之電壓。接著，較佳以去離子水噴濺沖洗鋁擋板元件約3分鐘至約10分鐘。
接著，移除鋁擋板元件以清潔諸如10,000或1000級無塵室之環境，且以超純水對鋁擋板元件進行噴濺沖洗。其後為在超純水中以40 kHz之10 W/in2 至20 W/in2 之功率進行超聲波清潔約2分鐘至15分鐘。接著，較佳使用氮或超純空氣乾燥鋁擋板元件。接著，將元件置放於120℃之烘箱中30分鐘以移除水。在冷卻之後，封裝元件同時其仍位於無塵室內。
已參看較佳實施例描述了本發明。然而，熟習此項技術者將易於明白，可在不偏離本發明之精神的情況下以除上述形式之外的特定形式體現本發明。較佳實施例為說明性的且無論如何都不應將其視為限制性的。藉由附加申請專利範圍而非先前描述給出本發明之範疇，且屬於申請專利範圍之範圍內的所有變化及均等物係用以包含在其中。
100．．．蓮蓬頭組件
101．．．熱控制板
102．．．襯底部件
103．．．頂部電極
104．．．氣體通道
105．．．內部電極部件
106．．．底板
107．．．外部電極部件
108．．．墊環
109．．．彎曲部分
110．．．電漿限制組件
111．．．頂板
113．．．氣體通道
120．．．鋁擋環配置
121．．．平坦表面
122．．．邊緣
圖1描繪蓮蓬頭電極組件及主動加熱鋁擋板元件之示意圖。
圖2描繪圖1所示擋環中之一者的橫截面。
100．．．蓮蓬頭組件
101．．．熱控制板
102．．．襯底部件
103．．．頂部電極
104．．．氣體通道
105．．．內部電極部件
106．．．底板
107．．．外部電極部件
108．．．墊環
109．．．彎曲部分
110．．．電漿限制組件
111．．．頂板
113．．．氣體通道
120．．．鋁擋環配置

Claims (26)

  1. 一種鋁擋板元件，當其被安裝於一電漿處理腔室中時可被主動加熱，該鋁擋板元件具有一曝露的外部氧化鋁層，其中該外部氧化鋁層係藉由一電拋光程序所形成，且該外部氧化鋁層係在該鋁擋板元件上之一主要非多孔鋁氧化物。
  2. 如請求項1之元件，其中該外部氧化鋁層包含一在該鋁元件上的不可剝離之層。
  3. 如請求項1之元件，其中該外部氧化鋁層具有一0.5微米之最大厚度。
  4. 如請求項1之元件，其中該元件包含一擋環。
  5. 如請求項1之元件，其中該元件包含一熱控制板。
  6. 如請求項1之元件，其中該元件由一鋁合金製得。
  7. 如請求項1之元件，其中該元件由Al 6061-T6製得。
  8. 如請求項1之元件，其中該元件為新的或已使用過的。
  9. 一種在一電漿蝕刻腔室中安裝如請求項1之元件的方法，其中自一蓮蓬頭電極組件移除一已使用過的擋板元件，清潔及電拋光該元件以形成經電拋光之層，且將該電拋光元件安裝於該蓮蓬頭電極組件中，或以一具有一藉由電拋光形成之外部氧化鋁層之新擋板元件替換該已使用過的擋板元件。
  10. 一種製造一鋁擋板元件的方法，該鋁擋板元件在被安裝於一電漿處理腔室中時可被主動加熱，該方法包含在該 鋁元件上形成一曝露的外部氧化鋁層，該外部氧化鋁層為主要非多孔鋁氧化物，以使得與由一其上具有一第III類陽極化層之相同形狀之鋁元件所產生的缺陷及粒子相比，減少了在電漿處理期間由於該鋁元件及該外部氧化鋁層所經受之不同熱應力而產生的缺陷及粒子。
  11. 如請求項10之方法，其中導致減少之缺陷及粒子的該外部氧化鋁層包含一在該鋁元件上之不可剝離之層。
  12. 如請求項10之方法，其中該外部氧化鋁層具有一0.5微米之最大厚度。
  13. 如請求項10之方法，其中藉由電拋光形成該外部氧化鋁層。
  14. 如請求項10之方法，其中該外部氧化鋁層鄰近於該鋁元件具有一為0.1微米之最大厚度。
  15. 如請求項10之方法，其中該外部氧化鋁層形成於一已使用過的鋁元件上。
  16. 如請求項10之方法，其中該鋁元件包含一擋環。
  17. 如請求項10之方法，其中該鋁元件包含一熱控制板。
  18. 如請求項10之方法，其中該鋁包含一鋁合金。
  19. 如請求項10之方法，其中該鋁包含Al 6061-T6。
  20. 如請求項10之方法，其中該鋁元件為新的或已使用過的。
  21. 如請求項10之方法，其中將該鋁元件機器加工成一所要組態，對其進行清潔及電拋光以形成該氧化層。
  22. 一種電漿處理裝置，其包含： 一電漿處理腔室；及如請求項1之鋁元件。
  23. 如請求項22之電漿處理裝置，其中該電漿處理裝置包含具有一頂部蓮蓬頭電極及一底部電極之電漿蝕刻腔室，該蓮蓬頭電極包含一具有一主動加熱熱控制板之蓮蓬頭電極組件的部分。
  24. 如請求項23之電漿處理裝置，其中該鋁元件包含該熱控制板。
  25. 如請求項23之電漿處理裝置，其中該鋁元件包含一位於一在該熱控制板與該頂部電極之間的充氣室中之擋環。
  26. 一種電漿處理方法，該方法包含在如請求項22之電漿處理裝置中處理一半導體基板。
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