TWI460556B - 光阻剝離組成物，使用其之光阻剝離方法及顯示裝置之製造方法 - Google Patents

Description

光阻剝離組成物，使用其之光阻剝離方法及顯示裝置之製造方法 技術領域

本發明係有關於一種光阻剝離組成物、使用其之光阻剝離方法及顯示裝置之製造方法。

背景技術

液晶顯示裝置係利用液晶物質的光學、電性質顯示影像。液晶顯示裝置比起陰極線管(CRT)、電漿顯示裝置等，具有輕量、低電力、低驅動電壓等優點。

一般來說，液晶顯示裝置包含有液晶顯示面板及供應液晶顯示面板光的光源。液晶顯示面板包含有薄膜電晶體顯示板、濾色顯示板、及位於該等顯示板之間的液晶層。從光源產生的光通過液晶層後，液晶層會調節光的透射率並顯示影像。

薄膜電晶體顯示板包含有多數積層構造之薄膜電晶體。薄膜電晶體可藉由反覆進行形成導電性或非導電性薄膜的步驟、以及透過使用光阻之照相蝕刻製程將薄膜圖案化的步驟而形成，此時，照相蝕刻製程包含有於光阻上添加光阻剝離組成物，來剝離殘留光阻的步驟。回收此時所使用的光阻剝離組成物，並以濾器過濾後，有一部分可再度使用。

然而，此時，濾器僅能發揮將與光阻剝離組成物混雜之雜質物理性分離的功能，故無法剝離到溶解於光阻剝離組成物的光阻殘留物。因此，比起原先未曾使用過的光阻剝離組成物，再度使用的光阻剝離組成物的性能會降低。

本發明欲解決之課題係提供可再度使用並且性能不會降低的光阻剝離組成物，又，提供使用該種光阻剝離組成物之光阻剝離方法，並提供使用該種光阻剝離組成物之顯示裝置之製造方法。

本發明之技術性課題不受限於上述提及之技術性課題，所屬技術領域中具有通常知識者可從下述記載明確理解未提及或其他的技術性課題。

本發明之實施例之光阻剝離組成物包含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%。

碸系化合物可包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種。

內酯系化合物可包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種。

烷磺酸可包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。

本發明之實施例之光阻剝離方法包含有以下步驟：於基板上形成多數光阻圖案；於光阻圖案上添加含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%的光阻剝離組成物，剝離光阻圖案；回收光阻圖案上所添加的光阻剝離組成物；在臭氧反應器內對回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，分解光阻剝離組成物所包含之光阻雜質。

更可包含在分解光阻雜質之步驟後，將光阻剝離組成物脫氣，去除光阻剝離組成物所包含之臭氧的步驟。

碸系化合物可包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種，且內酯系溶劑可包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種，並且烷磺酸可包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。

本發明之實施例之顯示裝置之製造方法，包含有以下步驟：形成含有閘極電極之閘極線；於閘極線上形成閘極絕緣膜；於閘極絕緣膜上形成半導體層；於半導體層上形成與閘極線交叉且含有源極電極之資料線以及與源極電極相對之汲極電極；形成與汲極電極連結之像素電極，又，形成閘極線之步驟、形成半導體層之步驟、形成資料線及汲極電極之步驟、形成像素電極之步驟中之至少一步驟係包含：形成光阻圖案之步驟；於光阻圖案上添加含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%的光阻剝離組成物，剝離光阻圖案；回收 光阻圖案上所添加的光阻剝離組成物；對回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，分解光阻剝離組成物所包含之光阻雜質。

碸系化合物可包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種，且內酯系溶劑可包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種，並且烷磺酸可包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。

更可包含在分解光阻雜質之步驟後，將光阻剝離組成物脫氣，去除光阻剝離組成物所包含之臭氧的步驟。

即使反覆使用光阻剝離組成物亦不會降低實質上的剝離性能，因此可減少照相蝕刻製程費用。

實施發明之最佳態樣

其他實施例的具體事項均包含在詳細說明以及圖式中。

只要連同附加圖式一併參照後面詳細敘述的實施例即可明白本發明之優點、特徵、及達成方法。然而，本發明不受限於以下揭示之實施例，可在彼此相異之多種態樣中實現，本實施例僅為了完整揭示本發明，並將發明範圍完整告知本發明所屬技術領域中具有通常知識者而提供，且，本發明係由申請專利範圍所定義。

首先，說明本發明之實施例之光阻剝離組成物。

本發明之實施例之光阻剝離組成物包含有碸系化合物、內酯系化合物、及烷磺酸。

碸系化合物係主剝離劑，可發揮剝離光阻的作用。碸系化合物可選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之1種以上，其中特別是以四氫噻吩1,1-二氧化物為佳。

碸系化合物相對於光阻剝離組成物之總含量含有約80至約98.5重量%。碸系化合物的含有量小於約80重量%時，光阻無法充分剝離，大於約98.5重量%時，光阻剝離組成物的性能會不穩定。

內酯系化合物可發揮輔助主剝離劑的作用，且可發揮得以使主剝離劑維持一定性能的作用。內酯系化合物可選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之1種以上，其中以γ-丁內酯為更佳。

內酯系化合物相對於光阻剝離組成物之總含量含有約1至約10重量%。內酯系化合物的含有量小於約1重量%時，光阻剝離組成物的穩定性會降低，大於約10重量%時，光阻剝離時會產生不良。

烷磺酸不僅可發揮輔助主剝離劑的作用，亦可發揮防止金屬腐蝕的作用。烷磺酸可選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之1種以上，其中以甲磺酸為佳。

烷磺酸相對於光阻剝離組成物之總含量含有約0.1至約5重量%。烷磺酸的含有量小於約0.1重量%時，光阻剝離組成物的性能會不穩定，大於約5重量%時，反而會使金屬受損。

本發明之實施例之光阻剝離組成物具有很高的光阻分解性能，藉此可再度使用。

以下，參照圖式具體說明本發明之實施例之光阻剝離方法。

第1圖係顯示本發明之一實施例之光阻剝離方法的流程圖。本發明之一實施例之光阻剝離方法中，首先，準備形成有光阻圖案的基板，並在光阻圖案上添加光阻剝離組成物(S10)。接著，回收光阻圖案上所添加的光阻剝離組成物(S20)，並對回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，分解光阻剝離組成物所包含之光阻雜質(S30)。

添加至光阻圖案前的光阻剝離組成物包含有碸系化合物約80至約98.5重量%、內酯系化合物約1至約10重量%、及烷磺酸約0.1至約5重量%。

第2圖係顯示可用於本發明之一實施例之光阻剝離方法的光阻剝離裝置的概略圖。

如第2圖所示，光阻剝離裝置10包含有室100、運送構件17、第1桶110’、第2桶120’、第3桶130、臭氧反應器140’、脫氣裝置150、及新液桶160。

含有光阻圖案之顯示板P係藉由運送構件17被移送至室100內。室100的內部可藉由第1隔壁107及第2隔壁108分割，而形成多數槽，例如，第1槽102、第2槽104、及第3槽106。又，室100可含有噴射光阻剝離組成物的第1至第6噴嘴115、116、124’、126、132、134。

運送構件17係可發揮將顯示板P供應至室100之內部的作用者，最好是使顯示板P具有一定傾斜度來通過室100之內部。顯示板P可連續地從一開始經定位之裝載部20通過室100，並往排出顯示板P之卸載部30移動。顯示板P可連續通過各槽，或於噴射光阻剝離組成物的期間在各槽停止一定時間後，再往下一個槽移動。噴射至顯示板P的光阻剝離組成物會因重力而流到各槽的底部。

使運送構件17從裝載部20到卸載部30具有一定傾斜度時，透過噴嘴噴射之光阻剝離組成物會均勻地接觸顯示板P，故製程控制是容易的。又，可防止光阻剝離組成物因顯示板的凹陷等而殘留在顯示板上。

室100含有多數槽時，光阻剝離是容易的，且可依據光阻剝離組成物中的光阻殘留物濃度進行分類並回收光阻剝離組成物。

運送構件17方面可使用輥型的運送構件17以輕易排出液體之光阻剝離組成物，除此之外亦可使用令顯示板P可在室100內部移動的其他移送裝置。

使顯示板P具有一定傾斜度以在室100之內部移動的方法可舉令運送構件17本身相對於水平面往一定角度傾斜的方法。其他方法方面，可在平行運送構件上使用具有一定傾斜角的支撐台(未圖示)。支撐台的下面接合於運送構件17，且顯示板P接合於支撐台的上面。支撐台可具有楔形狀，以使支撐台的上面呈傾斜。

具體而言，顯示板P係藉由裝載部20移動至室100的第1槽102。第1槽102係由室100的壁與第1隔壁107所定義，且含有噴射光阻剝離組成物的第1噴嘴115及第2噴嘴116。

第1噴嘴115可發揮噴射用以剝離顯示板P之光阻的光阻剝離組成物的作用，係在顯示板P的上面垂直噴射或以一定角度噴射光阻剝離組成物。為了剝離流到顯示板P的下面的光阻，第2噴嘴116會將光阻剝離組成物噴射至顯示板P的下面。第2噴嘴116的噴射量可比第1噴嘴115的噴射量少。

透過第1噴嘴115及第2噴嘴116噴射的光阻剝離組成物會溶解顯示板P所形成之光阻圖案，且在流到第1槽102的底部後，會透過第1排出線112流入第1桶110’。

第1桶110’的光阻剝離組成物與第2桶120’所供應之光阻剝離組成物混合後，會在第1槽102再次透過第1噴嘴115及第2噴嘴116噴射至顯示板P。

在第1槽102初次剝離光阻圖案後，顯示板P會移動至第2槽104，且顯示板P會被噴射由第2桶120’所供應之光阻剝離組成物。第2槽104含有將第2桶120’所供應之光阻剝離組成物噴射至顯示板P的第3噴嘴124’及第4噴嘴126。

第3噴嘴124’及第4噴嘴126的噴射方式與第1噴嘴115及第2噴嘴116大略相同。但是，被噴射之光阻剝離組成物係由第2桶120’所供應，故比起儲存於第1桶110’的光阻剝離組成物含有較少的光阻成分等雜質。

在第2槽104噴射至顯示板P的光阻剝離組成物在流到第2槽104的底部後，會透過第2排出線114流入第1桶110’。

在第2槽104再次剝離光阻圖案後，顯示板P會移動至第3槽106，且顯示板P會被噴射由第3桶130所供應之光阻剝離組成物。第3槽106含有將第3桶130所供應之光阻剝離組成物噴射至顯示板P的第5噴嘴132及第6噴嘴134。第5噴嘴132及第6噴嘴134的噴射方式與前述第1噴嘴115及第2噴嘴116大略相同。但是，被噴射之光阻剝離組成物係由第3桶130所供應，故比起第1桶110’與第2桶120’的光阻剝離組成物含有較少的雜質。這是因為為了再度使用而將臭氧處理後之光阻剝離組成物及新液桶160所供應之新的光阻剝離組成物流入第3桶130的緣故。

在第3槽106噴射至顯示板P的光阻剝離組成物在流到第3槽106的底部後，會透過第3排出線122流入第2桶120’。

光阻剝離裝置的室100含有3個槽，但槽的數量依需要可進一步增加，亦可進一步減少。光阻剝離組成物以及儲存光阻剝離組成物之儲存桶的配列亦可依需要多樣地變更。

第1桶110’所儲存之光阻剝離組成物，由於透過第1排出線112流入有在第1槽102噴射至顯示板P的光阻剝離組成物，且透過第2排出線114流入有在第2槽103噴射至顯示板P的光阻剝離組成物，故光阻濃度相對較高。第1桶110’的光阻剝離組成物之一部分會透過第1槽102的第1及第2噴嘴115、116噴射至顯示板P，剩餘部分則會被排出至臭氧反應器140’。光阻剝離組成物的光阻濃度高於標準以上時將不供應至臭氧反應器140’，而會在第1桶110’透過廢液排出口147排出。

臭氧反應器140’可發揮從已使用之光阻剝離組成物剝離光阻殘留物，使光阻剝離組成物再生的作用。光阻係有機皮膜，可藉由光阻剝離組成物透過化學性濕式製程剝離，故使用後之光阻剝離組成物內溶解有光阻成分。使用後之光阻剝離組成物即使含有一定量的光阻殘留物亦可再度執行剝離光阻膜的功能，但顯示板P會受到光阻剝離組成物中所含有之雜質污染，故剝離光阻膜時，效率性會變低。

因此，為了剝離本發明所使用之光阻剝離組成物中的有機物，而使用臭氧氣體。臭氧是比過氧化氫更強力的氧化劑，且溶液內不會生成新的反應物。

臭氧反應器140’的內部含有收容使用後之光阻剝離組成物的空間，且含有對光阻剝離組成物供應臭氧氣體的臭氧氣體注入口145。

將臭氧氣體添加至含有光阻殘留物的光阻剝離組成物的話，溶解分散於光阻剝離組成物中的光阻殘留物會被有機酸分解，而生成二氧化碳跟水。由於臭氧氣體的溶解度比氧氣大上數倍到數十倍，故在氣體狀態下通過光阻剝離組成物的話，可較輕易地與光阻剝離組成物的光阻殘留物反應。再度使用光阻剝離組成物時，殘留於光阻剝離組成物中的有機酸可發揮添加劑的作用，可提高光阻剝離效率。

脫氣裝置150可發揮去除殘留於臭氧處理後之光阻剝離組成物中的臭氧的作用。臭氧可溶解有機皮膜，故亦可提高光阻剝離效率，但臭氧會發揮作為強力氧化劑的作用，故將存在有殘留臭氧的光阻剝離組成物噴射至顯示板時，顯示板會有受損之虞。因此，最好是將殘留臭氧從再生後之光阻剝離組成物當中去除。

脫氣裝置150含有收容經臭氧反應器140’臭氧處理後之光阻剝離組成物的空間，且含有供應氮氣的氮氣注入口155。將氮氣供應至含有臭氧之光阻剝離組成物中的話，臭氧會被分解，而生成氧氣跟水。

如前述般再生後之光阻剝離組成物會透過回收線170供應至第3桶130，且可依需要與新液桶160所供應之新的光阻剝離組成物混合，在第3槽106噴射至顯示板P。因此，顯示板P在排出至卸載部30前，會受到含有較少雜質的光阻剝離組成物洗淨。

本發明之實施例之光阻剝離方法係將臭氧氣體添加至使用後之光阻剝離組成物而可再度使用光阻剝離組成物的方法。又，此時，使用後之前述光阻剝離組成物對臭氧氣體的耐性較強，故供應臭氧氣體時不會有光阻剝離組成物的成分本身產生變質或功能弱化的情形，可選擇性地僅去除與光阻剝離組成物混雜的光阻殘留物。因此，即使多次再生光阻剝離組成物來使用，功能亦不會降低，藉此可顯著減少照相蝕刻製程的花費。

以下，透過具體實驗例說明本發明之一實施例之光阻剝離組成物的性能。

<實施例1>

混合四氫噻吩1,1-二氧化物約94.8重量%、γ-丁內酯約5重量%、及烷磺酸0.2重量%，備妥光阻剝離組成物。

<實驗例1-光阻分解性能評價>

將粉末狀態的光阻混合至實施例1之光阻剝離組成物並攪拌，備妥光阻對全體重量之含量為約5重量%的溶液。將混合溶液倒入反應器並添加臭氧氣體後，分別測定自添加臭氧氣體的時間點經過3小時後、及經過5小時後的光阻含量。藉此所得到之結果顯示於下述表1。

參照表1可得知，對實施例1之光阻剝離組成物添加臭氧時，光阻會較迅速地被分解。

表1的初期光阻含量係為了確認本發明之一實施例之光阻剝離組成物的光阻分解性能而設定成高於實際製程所使用之光阻剝離組成物的光阻濃度者。因此，本發明之一實施例之光阻剝離組成物即使在實際的光阻剝離製程亦可具有優異性能。

<實驗例2-光阻剝離性能評價>

用以調查本發明之實施例1之光阻剝離性能的試片，係在玻璃上塗佈DTFR-3650B(Dongin Semischem、正光阻)後，測定以約150℃烘烤約10分鐘(試片1)、及以約160℃烘烤約10分鐘(試片2)的光阻剝離時間。令試片尺寸為約2cm×4cm，測定對各試片的剝離完畢時間。

又，為了調查臭氧處理前後的剝離性能的變化，將實施例之組成物進行約5小時的臭氧處理後，再度實施本實驗。

其結果可透過表2及第3圖確認，第3圖係本發明之<實驗例2>之實驗結果之試片的SEM照片。參照表2及第3圖可得知剝離性能在臭氧處理後有提高，以顯微鏡觀察試片時未觀察到殘留物。

可知即使再度使用本發明之實施例1之光阻剝離組成物亦不會形成殘留物，具有優異光阻剝離性能。

<實驗例3-光阻剝離組成物的穩定性評價>

將在玻璃顯示板上依序蒸著有200、2000薄膜的鉬跟鋁者作為用以調查應用於本發明之實施例1之光阻剝離組成物製程的配線金屬是否有腐蝕的試片，並在以DTFR-3650B令配線形狀化後，藉濕式蝕刻法進行蝕刻(試片3)。令試片尺寸為約2cm×4cm，以約70℃將各組成物有機化後浸漬約30分鐘，然後以清水洗淨後，透過掃描電子顯微鏡(SEM)觀察下部膜質是否有腐蝕。

其結果可透過表3及第4圖確認，第4圖係本發明之<實驗例3>之實驗結果之試片的SEM照片。參照表3及第4圖，顯示出配線金屬完全未腐蝕。可知即使再度使用本發明之實施例1之光阻剝離組成物亦具有使配線金屬不會產生腐蝕的優異穩定性。

本發明之實施例之光阻剝離方法並非僅使用於如液晶顯示裝置的平板顯示器之製造，亦可使用於半導體記憶體顯示板等之製造。又，亦可使用於利用照相蝕刻製程所製造的其他電子裝置之製造。

以下，說明使用前述本發明之實施例之光阻剝離組成物製造顯示裝置的方法。

第5圖係顯示本發明之實施例之顯示裝置用薄膜電晶體顯示板構造的配置圖。第6圖係顯示沿著VI-VI線切斷第5圖之薄膜電晶體顯示板的截面圖。

絕緣基板110上形成有多數傳達閘極信號的閘極線121。閘極線121往橫向延伸，各閘極線121的一部分會構成多數閘極電極124。

閘極線121係以鉬、鋁、銅等金屬製造。又，雖未圖示，但亦可包含以鉬或鉬合金所製造之下部膜與以鋁或添加有釹的鋁的鋁合金(AlNd)所製造之上部膜。

閘極線121上形成有閘極絕緣膜140，且其上方形成有島形半導體154及電阻接觸層163、165。電阻接觸層163、165及閘極絕緣膜140上分別形成有多數資料線171及多數汲極電極175。

資料線171往縱向延伸並與閘極線121交叉，可傳遞資料電壓。從各資料線171往汲極電極175延伸的多數分支會構成源極電極173。一對的源極電極173與汲極電極175彼此分離，且相對於閘極電極124位於相反側。

含有源極電極173的資料線171以及汲極電極175可由鉬、鋁、銅等金屬製造。或，雖未圖示，但可為包含中間膜、下部膜、上部膜的Mo/Al/Mo構造，該中間膜係含有鋁或鋁合金者，且該下部膜及上部膜係分別位於中間膜之下部及上部且含有鉬或鉬合金者。

閘極電極124、源極電極173、汲極電極175與島形半導體層154共同構成薄膜電晶體，該薄膜電晶體的通道形成於源極電極173與汲極電極175之間的島形半導體層154。

資料線171及汲極電極175上形成有具有接觸孔185之保護膜180，且其上方形成有像素電極191。

以下，參照第7圖至第13圖、第5圖及第6圖詳細說明藉由本發明之實施例製造第5圖及第6圖所示之薄膜電晶體顯示板之方法。又，第7圖至第13圖係依序顯示藉由本發明之實施例製造第5圖及第6圖之薄膜電晶體顯示板之方法的截面圖。

首先，如第7圖所示，利用閘極配線用導電物質將金屬層120積層於絕緣基板110上。之後，如第8圖所示，以旋轉塗佈法將光阻40塗佈於金屬層120上，並在使用包含透光部分50a與遮光部分50b的遮罩50進行曝光後，再進行顯像。接著，如第9圖所示，將金屬層120中除了殘留有光阻圖案40a之部分以外的領域進行蝕刻。接著，於光阻圖案40a上添加前述實施例之光阻剝離組成物，剝離光阻圖案40a。藉此，如第10圖所示，形成含有閘極電極124的閘極線(未圖示)。接著，如第11圖至第13圖所示，形成閘極絕緣膜140、島形半導體層154、及雜質半導體圖案164後，再形成源極電極173及汲極電極175。接著，去除未經源極電極173及汲極電極175覆蓋而露出的雜質半導體層部分，藉此完成多數島形電阻接觸層163、165，並同時露出其下方的島形半導體154。之後，形成包含露出汲極電極175之接觸孔185的保護膜180，並如第6圖所示，於保護膜180上形成像素電極191。

在島形半導體層154、雜質半導體圖案164、源極電極173、汲極電極175、及保護膜180的形成中，雖未圖示，但與形成閘極電極124時相同，係形成光阻圖案，然後利用本發明之實施例之光阻剝離組成物剝離光阻圖案40a，來形成島形半導體層154、雜質半導體圖案164、源極電極173、汲極電極175、及保護膜180。

各步驟所使用之光阻剝離組成物藉由前述光阻剝離裝置回收後，對回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，來分解光阻雜質。接著，可藉由去除光阻剝離組成物所包含之臭氧，與前述實施例同樣地再生光阻剝離組成物。以上，雖參照附加圖式說明了本發明之實施例，但可理解本發明所屬技術領域中具有通常知識者可在不變更本發明之技術思想或必要特徵的情況下，實施在其他具體態樣上。因此，需理解上述實施例係以全方位舉例說明本發明者，而非限定本發明之範圍者。

10．．．光阻剝離裝置

17．．．運送構件

20．．．裝載部

30．．．卸載部

40．．．光阻

40a．．．光阻圖案

50．．．遮罩

50a．．．透光部分

50b．．．遮光部分

100．．．室

102．．．第1槽

104．．．第2槽

106．．．第3槽

107．．．第1隔壁

108．．．第2隔壁

110．．．絕緣基板

110’．．．第1桶

112．．．第1排出線

114．．．第2排出線

115．．．第1噴嘴

116．．．第2噴嘴

120．．．金屬層

120’．．．第2桶

121．．．閘極線

122．．．第3排出線

124．．．閘極電極

124’．．．第3噴嘴

126．．．第4噴嘴

130．．．第3桶

132．．．第5噴嘴

134．．．第6噴嘴

140．．．閘極絕緣膜

140’．．．臭氧反應器

145．．．臭氧氣體注入口

147．．．廢液排出口

150．．．脫氣裝置

154．．．島形半導體

155．．．氮氣注入口

160．．．新液桶

163．．．電阻接觸層

164．．．雜質半導體圖案

165．．．電阻接觸層

170．．．回收線

171．．．資料線

173．．．源極電極

175．．．汲極電極

P．．．顯示板

180．．．保護膜

185．．．接觸孔

191．．．像素電極

第1圖係顯示本發明之實施例之光阻剝離方法的流程圖。

第2圖係概略顯示可用於本發明之實施例之光阻剝離方法的光阻剝離裝置的截面圖。

第3圖係本發明之<實驗例2>之實驗結果之試片的SEM照片。

第4圖係本發明之<實驗例3>之實驗結果之試片的SEM照片。

第5圖係顯示本發明之實施例之顯示裝置的薄膜電晶體顯示板構造的配置圖。

第6圖係沿著VI-VI線切斷第5圖之薄膜電晶體顯示板的截面圖。

第7圖至第13圖係依序顯示製造第5圖及第6圖之薄膜電晶體顯示板之方法的截面圖。

S10,S20,S30．．．步驟

Claims (6)

1. 一種光阻剝離組成物，包含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%，其中前述碸系化合物包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種；前述內酯系化合物包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種；前述烷磺酸包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。
2. 如申請專利範圍第1項之光阻剝離組成物，其中前述碸系化合物係四氫噻吩1,1-二氧化物，且前述內酯系化合物係γ-丁內酯。
3. 一種光阻剝離方法，包含有以下步驟：於基板上形成多數光阻圖案；於前述光阻圖案上添加含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%的光阻剝離組成物，剝離前述光阻圖案；回收前述光阻圖案上所添加的前述光阻剝離組成物；及在臭氧反應器內對前述回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，分解前述光阻剝離組成物所包含之光阻雜質，其中，前述碸系化合物包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇 -1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種；前述內酯系化合物包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種；前述烷磺酸包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。
4. 如申請專利範圍第3項之光阻剝離方法，更包含在分解前述光阻雜質之步驟後，將前述光阻剝離組成物脫氣，去除前述光阻剝離組成物所包含之臭氧的步驟。
5. 一種顯示裝置之製造方法，包含有以下步驟：形成含有閘極電極之閘極線；於前述閘極線上形成閘極絕緣膜；於前述閘極絕緣膜上形成半導體層；於前述半導體層上形成與前述閘極線交叉且含有源極電極之資料線以及與前述源極電極相對之汲極電極；及形成與前述汲極電極連結之像素電極，又，形成前述閘極線之步驟、形成前述半導體層之步驟、形成前述資料線及前述汲極電極之步驟、形成前述像素電極之步驟中之至少一步驟係包含以下步驟：形成光阻圖案之步驟；於前述光阻圖案上添加含有碸系化合物80至98.5重量%、內酯系化合物1至10重量%、及烷磺酸0.1至5重量%的光阻剝離組成物，剝離前述光阻圖案；回收前述光阻圖案上所添加的前述光阻剝離組成物；及 對前述回收後之光阻剝離組成物添加臭氧氣體，分解前述光阻剝離組成物所包含之光阻雜質，其中前述碸系化合物包含選自於四氫噻吩1,1-二氧化物、2-甲基四氫噻吩1,1-二氧化物、四氫噻吩-3-醇-1,1-二氧化物、四氫噻吩-1氧化物之至少1種，且前述內酯系溶劑包含選自於γ-丁內酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、γ-己內酯之至少1種，並且前述烷磺酸包含選自於甲磺酸、乙磺酸、丙磺酸、及丁磺酸之至少1種。
6. 如申請專利範圍第5項之顯示裝置之製造方法，更包含在分解前述光阻雜質之步驟後，將前述光阻剝離組成物脫氣，去除前述光阻剝離組成物所包含之臭氧的步驟。