JPS58164786A - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
- Publication number
- JPS58164786A JPS58164786A JP4827682A JP4827682A JPS58164786A JP S58164786 A JPS58164786 A JP S58164786A JP 4827682 A JP4827682 A JP 4827682A JP 4827682 A JP4827682 A JP 4827682A JP S58164786 A JPS58164786 A JP S58164786A
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- JP
- Japan
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- etching
- foam
- electrode
- soln
- electrodes
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- Pending
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ＩＬ） 発明の技術分野
本発明は電極の形成方法に係り、さらに具体的Ｋａミニ
レフトロルミネッセンス１！！Ｌ）Ｉｎパネルのような
平板形表示パネルや半導体素子噂の電極を湿式エツチン
グ法でパターンニングする方法の改良に―するものであ
る。
レフトロルミネッセンス１！！Ｌ）Ｉｎパネルのような
平板形表示パネルや半導体素子噂の電極を湿式エツチン
グ法でパターンニングする方法の改良に―するものであ
る。
（ｂ） 従来技術上問題点
既に周知のようにＥＬ表示パネルの背面電極や半導体素
子の配線電極＄ｉ’ｊＡｌ電極が用いられている。仁の
ムｌ電極を所定形状にパターン二ンダするＫは、一般に
写ｌ蝕刻技術により１選択的にムＩＩＩをエツチング液
でパターンニングスル、いわゆる湿式エツチング法が採
られている。このようにム１１Ｉをエツチングする際の
エツチング液としては苛性ソーダ（Ｎ！Ｌｏｌりの水都
液が用いられ。
子の配線電極＄ｉ’ｊＡｌ電極が用いられている。仁の
ムｌ電極を所定形状にパターン二ンダするＫは、一般に
写ｌ蝕刻技術により１選択的にムＩＩＩをエツチング液
でパターンニングスル、いわゆる湿式エツチング法が採
られている。このようにム１１Ｉをエツチングする際の
エツチング液としては苛性ソーダ（Ｎ！Ｌｏｌりの水都
液が用いられ。
次式に従ってエツチングされゐ。
２ム１４＋２ＮａＯＨ＋２１１２０−２１１ａムＩｇ＋
３Ｈｚすなわち、エツチングの際、化学反応で水素（Ｈ
２）が発生して気泡とな）、その気泡がエツチングすべ
きムｉｌ１表面Ｋｌ１着してム１１Ｋのエツチングが阻
害される。そこで従来はカーゼ等を用いて気泡を拭き除
く方法でエツチングを行なっていた。しかしながら、電
極パターンが微細になり。
３Ｈｚすなわち、エツチングの際、化学反応で水素（Ｈ
２）が発生して気泡とな）、その気泡がエツチングすべ
きムｉｌ１表面Ｋｌ１着してム１１Ｋのエツチングが阻
害される。そこで従来はカーゼ等を用いて気泡を拭き除
く方法でエツチングを行なっていた。しかしながら、電
極パターンが微細になり。
かつ電極相互間のピッチが小さくなると、気泡の大きさ
が電極のピッチよりも大きくなるため、ガーゼを用いる
方法でＦｉ気泡の＃夫が不均一となシ。
が電極のピッチよりも大きくなるため、ガーゼを用いる
方法でＦｉ気泡の＃夫が不均一となシ。
エツチングａｈによる電極相互間の短絡を生じる。
またエツチング跣シをなくそうとする七エツチングオー
バによる電極断線が生じ易くなる。さらに、大形サイズ
の表示パネルの電極を形成する場合のようにエツチング
面積が大きくなると、気泡を除去するのに時間がかかり
、エツチングむらを生じ、その結果、前述のような電極
の短絡や電極の断線がより一層発生し易くなる。
バによる電極断線が生じ易くなる。さらに、大形サイズ
の表示パネルの電極を形成する場合のようにエツチング
面積が大きくなると、気泡を除去するのに時間がかかり
、エツチングむらを生じ、その結果、前述のような電極
の短絡や電極の断線がより一層発生し易くなる。
またスプレィ法によるエツチングも考えられるが、前述
のような気泡を除去するためにはスフレイ圧を強くすく
必要がある。しかし、エツチング液の粘性が高い場合は
スプレィ圧を強くすることが困難である。さらにスプレ
ィ法によるエツチングの場合は、−ｃッチング容器内に
エツチング液が露状となって浮遊するので、エツチング
のエンドポイントを光学的に判定することが困難で、プ
ロセス制御が難しいといつ、木下都合も生じる。
のような気泡を除去するためにはスフレイ圧を強くすく
必要がある。しかし、エツチング液の粘性が高い場合は
スプレィ圧を強くすることが困難である。さらにスプレ
ィ法によるエツチングの場合は、−ｃッチング容器内に
エツチング液が露状となって浮遊するので、エツチング
のエンドポイントを光学的に判定することが困難で、プ
ロセス制御が難しいといつ、木下都合も生じる。
（０）発明の目的 ゛。
本発明は前述の点Ｋｆｌｋｉみなされたもので、Ｉｉ式
エツチング法で電極をノｉ・−−ンニングする際、化学
反応で発生する気泡やエツチング液中に含まれている気
泡による障害を除去し、もって電極相互間の短絡や電極
の断線等を防止できる電極の形成方法の提供を目的とす
るものである。
エツチング法で電極をノｉ・−−ンニングする際、化学
反応で発生する気泡やエツチング液中に含まれている気
泡による障害を除去し、もって電極相互間の短絡や電極
の断線等を防止できる電極の形成方法の提供を目的とす
るものである。
（＋１１ 発明の構成
本発明による電極の形成方法は、ｉｉ式エツチング法に
より所定形状の電極をパターンニングする方法であって
、前記電極となるべき導電膜を形成した基板を気密容器
内に収容し、当該−密容器内を排気して減圧した状態で
、前記導電膜をエツチングするようにしたことを特徴と
するものである。
より所定形状の電極をパターンニングする方法であって
、前記電極となるべき導電膜を形成した基板を気密容器
内に収容し、当該−密容器内を排気して減圧した状態で
、前記導電膜をエツチングするようにしたことを特徴と
するものである。
（ｅ）発明の実施例 −
以下本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図は本発明による電極の形成方法の一実施例を説明
するための模式的に示した要部概念図である。図におい
てｌＦｉ基板であって、その基板１には電極となる］べ
き例えばム１の等電１１２が形成しである。なおその導
電＃２＊面には９図示を省略したか、当ｄ ”’８．“
こと々から例えば写真露光法でパターンニングし゛良ホ
トレジスト層が形成してあ ゛る。また３Ｆｉ
気密容器であって、その気密容１１３内には例えはＮＩ
ＬＯＨ（苛性ソーダ）の水溶液のエツチング液４か入れ
てあり、そのエツチング液中には前記基板１が浸漬され
ている。そして気密容器３内はロータリポンプ等の排気
装置５により排気されて減圧状ｓＫ保たれている。この
ように気密容器３内を減圧すると、エツチング液４中に
含まれる気泡やエツチング時の化学反応によって生じる
気泡の方の圧力が高くなり、それらの気泡はエツチング
液４中から抜は出ることとなる。その結果、゛導電Ｗｋ
２表面ＫＩＮ着してエツチングの障害となる気泡が除去
される。そのため、従来気泡の存在により生じていた電
極相互間の短絡や電極断線等を生じることなく、極めて
容易に導電１１２を選択的にエツチングして所定形状の
電極をパターンニングすることが可能とな、るのである
。
するための模式的に示した要部概念図である。図におい
てｌＦｉ基板であって、その基板１には電極となる］べ
き例えばム１の等電１１２が形成しである。なおその導
電＃２＊面には９図示を省略したか、当ｄ ”’８．“
こと々から例えば写真露光法でパターンニングし゛良ホ
トレジスト層が形成してあ ゛る。また３Ｆｉ
気密容器であって、その気密容１１３内には例えはＮＩ
ＬＯＨ（苛性ソーダ）の水溶液のエツチング液４か入れ
てあり、そのエツチング液中には前記基板１が浸漬され
ている。そして気密容器３内はロータリポンプ等の排気
装置５により排気されて減圧状ｓＫ保たれている。この
ように気密容器３内を減圧すると、エツチング液４中に
含まれる気泡やエツチング時の化学反応によって生じる
気泡の方の圧力が高くなり、それらの気泡はエツチング
液４中から抜は出ることとなる。その結果、゛導電Ｗｋ
２表面ＫＩＮ着してエツチングの障害となる気泡が除去
される。そのため、従来気泡の存在により生じていた電
極相互間の短絡や電極断線等を生じることなく、極めて
容易に導電１１２を選択的にエツチングして所定形状の
電極をパターンニングすることが可能とな、るのである
。
次に第２図は本発明による電極の形成方法のその他の実
施例を説明するための模式的に示した要部概念図であっ
て、第１図と同等部分には同一符号を付し良。図に示す
ように、電極となるべき導電膜２を形成した基板ＩＦｉ
気密容器３内に傾斜させて配置しである。そして、その
気密容器３内は排気装置１５により排りされて減圧され
る。そして気密容器３内に入れられたエツチング＃１４
′は循環ポンプ６によって循環されるとともに、傾斜し
て配置した基板ｌの導電膜２表面を実線矢印？で示すよ
うに流下している。このようにエツチング液４をエツチ
ングすべき導電膜２表面に沿って流すことＫより、＊電
膜２表面のエツチング液４の液の厚みが薄くなり９ｇＫ
泡の除去がより効果的に行えるようになる。さらにエツ
チング液４が導電膜２表向にＷＩＩｉＨシないのでエツ
チングの側絢性奄良くなる。それ故により一層均−なエ
ツチングが可能となる。
施例を説明するための模式的に示した要部概念図であっ
て、第１図と同等部分には同一符号を付し良。図に示す
ように、電極となるべき導電膜２を形成した基板ＩＦｉ
気密容器３内に傾斜させて配置しである。そして、その
気密容器３内は排気装置１５により排りされて減圧され
る。そして気密容器３内に入れられたエツチング＃１４
′は循環ポンプ６によって循環されるとともに、傾斜し
て配置した基板ｌの導電膜２表面を実線矢印？で示すよ
うに流下している。このようにエツチング液４をエツチ
ングすべき導電膜２表面に沿って流すことＫより、＊電
膜２表面のエツチング液４の液の厚みが薄くなり９ｇＫ
泡の除去がより効果的に行えるようになる。さらにエツ
チング液４が導電膜２表向にＷＩＩｉＨシないのでエツ
チングの側絢性奄良くなる。それ故により一層均−なエ
ツチングが可能となる。
なお前述の実施例でｔｉＡｌ電極を形成する場合につい
て述べたか、それに限らすＣｕ（銅）１１極（エツチン
グ液はセリシアン化カリクム）や工ＴＯ（インジクム錫
酸化物）の透明電極（エッチ、ング液は苛性ソーダ）等
を形成する際に適用しても陶様の効果を得ることができ
る。
て述べたか、それに限らすＣｕ（銅）１１極（エツチン
グ液はセリシアン化カリクム）や工ＴＯ（インジクム錫
酸化物）の透明電極（エッチ、ング液は苛性ソーダ）等
を形成する際に適用しても陶様の効果を得ることができ
る。
（ｆ） 発明の効果
以上の駅、用から明らかなように本発明によれば。
湿式エツチング法で電極をパターンニングする際。
化学反応で発生する気泡やエツチング液中に含まれる気
泡を容易に除去することができ、均−彦エッチングが実
現できるので、プロセスの制御性が高まり、＆計の自由
度が大きくなるとともに、製品の歩留りならびに信頼性
の向上ができる。ま九ガーゼを用いる方法よりも安全で
かつ装置の自動化が容易であり、さらにスプレィ法のよ
うに、エツチング液の粘性やスプレィ部の材質、スプレ
ィの形状等に制約されることがない等、多くの利点を有
し、その実用的効果は極めて大である。
泡を容易に除去することができ、均−彦エッチングが実
現できるので、プロセスの制御性が高まり、＆計の自由
度が大きくなるとともに、製品の歩留りならびに信頼性
の向上ができる。ま九ガーゼを用いる方法よりも安全で
かつ装置の自動化が容易であり、さらにスプレィ法のよ
うに、エツチング液の粘性やスプレィ部の材質、スプレ
ィの形状等に制約されることがない等、多くの利点を有
し、その実用的効果は極めて大である。
第１図は本発明による電極の形成方法の一実施例を訳明
するための模式的に示した要部概念図。 第２図は本発明による電極の形成方法のその他の実施例
を説明するための模に的に示した要部概念□ 図である。 。 図において、１は基板、２は電極となるべき導電膜、３
は気密容器、４はエツチング液、５は排ｇＬ装難、６は
循環ホンダをそれぞれ示す。 第１− 第２図 ４１
するための模式的に示した要部概念図。 第２図は本発明による電極の形成方法のその他の実施例
を説明するための模に的に示した要部概念□ 図である。 。 図において、１は基板、２は電極となるべき導電膜、３
は気密容器、４はエツチング液、５は排ｇＬ装難、６は
循環ホンダをそれぞれ示す。 第１− 第２図 ４１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 湿式エツチング法により所定形状の電極をパターンニン
グする方法であって、前記電極をなるべき導電膜を形成
した基板を気管容器内に収容し。 、当該気密容器内を排気して減圧した状−で、前記導電
膜をエツチングするようにし良ことを特徴とする電極の
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4827682A JPS58164786A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4827682A JPS58164786A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164786A true JPS58164786A (ja) | 1983-09-29 |
Family
ID=12798909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4827682A Pending JPS58164786A (ja) | 1982-03-25 | 1982-03-25 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164786A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485930A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | 配線パターン形成方法 |
| EP0603782A2 (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a thin film resistor |
| EP0673545A1 (en) * | 1993-10-08 | 1995-09-27 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for etching semiconductor wafers |
| JP2013041902A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
| KR20150139045A (ko) * | 2014-05-30 | 2015-12-11 | 제일모직주식회사 | 투명 도전체의 에칭 방법 및 이를 사용하여 제조된 패턴화된 투명 도전체 |
-
1982
- 1982-03-25 JP JP4827682A patent/JPS58164786A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0485930A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-18 | Fujitsu Ltd | 配線パターン形成方法 |
| EP0603782A2 (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing a thin film resistor |
| EP0603782A3 (en) * | 1992-12-21 | 1996-05-01 | Canon Kk | Manufacturing process for a thin film resistor. |
| EP0673545A1 (en) * | 1993-10-08 | 1995-09-27 | MEMC Electronic Materials, Inc. | Process and apparatus for etching semiconductor wafers |
| EP0673545A4 (en) * | 1993-10-08 | 1996-05-29 | Memc Electronic Materials | METHOD AND DEVICE FOR ETCHING SEMICONDUCTOR THROWERS. |
| JP2013041902A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Marketing Japan Inc | 半導体製造装置及び半導体製造方法。 |
| KR20150139045A (ko) * | 2014-05-30 | 2015-12-11 | 제일모직주식회사 | 투명 도전체의 에칭 방법 및 이를 사용하여 제조된 패턴화된 투명 도전체 |
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