TWI460419B - 檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法 - Google Patents

檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI460419B
TWI460419B TW100112796A TW100112796A TWI460419B TW I460419 B TWI460419 B TW I460419B TW 100112796 A TW100112796 A TW 100112796A TW 100112796 A TW100112796 A TW 100112796A TW I460419 B TWI460419 B TW I460419B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
illumination
intensity
detecting device
detection
establishing
Prior art date
Application number
TW100112796A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201144794A (en
Inventor
Hee Wook You
Original Assignee
Koh Young Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koh Young Tech Inc filed Critical Koh Young Tech Inc
Publication of TW201144794A publication Critical patent/TW201144794A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI460419B publication Critical patent/TWI460419B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G01B11/306Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces for measuring evenness
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01MTESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M11/00Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
    • G01M11/08Testing mechanical properties
    • G01M11/081Testing mechanical properties by using a contact-less detection method, i.e. with a camera
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806Specially adapted optical and illumination features
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Description

檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法 發明領域
本發明的示範性實施例係有關於一用於檢查一偵測裝置之方法及一用於建立偵測裝置的一測量變數之方法。更特別地,本發明的示範性實施例係有關於一具有一非接觸類型利用一光源及一攝影機檢查一偵測裝置的一現今條件、及建立對應於一偵測板的一特徵之一經最適化測量條件之方法。
背景討論
一其中使電子部件安裝在一印刷電路板(PCB)上之安裝板係使用於各種不同電子器件中。藉由一將銲料塗覆於一裸板的一墊區中然後將電子部件的終端耦合至一銲料塗覆區之方法來製造安裝板。
一般而言,為了驗證一其上安裝有電子部件之PCB的可靠度,需要偵測在電子部件安裝之前或之後PCB是否被良好地製造。譬如,需要偵測在電子部件安裝於PCB上之前銲料是否被良好地塗覆於PCB的墊區上,或者在電子部件安裝於PCB上之後電子部件是否被良好地安裝。
藉由一偵測裝置進行偵測製程,該偵測裝置係包括一偵測探針,其具有一光源用以提供偵測用的光,一攝影機,其用以擷取一影像,等。
然而,可能由於長期使用偵測裝置致使偵測探針的一硬體條件被改變,並降低偵測可靠度。此外,由於PCB根據製造廠而具有不同顏色及反射係數,當利用相同偵測條件來偵測具不同特徵的PCB時,可能致使偵測可靠度降低。
發明概要
本發明的示範性實施例係提供一用於檢查一偵測裝置之方法,其利用一自動式測試程式來檢查一偵測探針的一硬體條件並相較於當生產偵測裝置時的時間來判斷偵測裝置的現今工作條件是否妥當。
本發明的示範性實施例亦提供一用於建置一偵測裝置的一測量變數之方法,其能夠自動地重新建立對應於一偵測板的一特徵之一測量變數,以降低建置一工作檔案的一時間,並增進偵測精密度。
本發明的額外特徵構造將在下文描述中提供,且部份將從該描述得知,或可藉由實行本發明獲知。
本發明的一示範性實施例係揭露一用於建立一偵測裝置的一發光強烈度之方法。該方法包括安裝一偵測板於一偵測裝置中,調整經由偵測裝置的一攝影機所獲取之一經擷取影像的一直方圖之一寬度,以避免一暗區及一亮區,及藉由調整直方圖至接近於一圖形的一中間,來調整偵測裝置的一發光強烈度。
該方法可進一步包括調整直方圖的寬度至狹窄。
該方法可進一步包括利用一具有一對應於發光強烈度的一平均數之參數的有效指標資訊,來調整偵測裝置的發光強烈度。有效指標資訊可包括可見度資訊。利用具有對應於發光強烈度平均數的參數之有效指標資訊,來調整偵測裝置的發光強烈度係可包括:當改變偵測裝置的發光強烈度之同時測量可見度資訊,及以一發光的強烈度建立該偵測裝置的發光強烈度,該發光的強烈度容許一有效像素面積對於一偵測區的一面積之一比值超過經測量可見度資訊中之一經預先建立的有效數值。在改變偵測裝置的發光強烈度之同時測量可見度資訊之後,該方法可進一步包括利用經測量可見度資訊,經由偵測裝置的攝影機預先視覺式指示一對應於有效像素的區及一未對應於有效像素的區中之至少一者。
偵測裝置的發光係可對應於格柵圖案發光。
在調整經由偵測裝置的攝影機所獲取之經擷取影像的直方圖之寬度以避免暗區及亮區之前,該方法可進一步包括在具有小於或等於一選定暗數值的一數值之暗區處,標示一第一顏色,及在具有大於或等於選定亮數值的數值之亮區處,標示一第二顏色。
本發明的另一示範性實施例係揭露一用於建立一偵測裝置的一發光強烈度之方法。該方法包括安裝一偵測板於一偵測裝置中,當改變偵測裝置的一發光強烈度之同時提供光至偵測板,經由偵測裝置的一攝影機來獲取偵測板所反射的光,並獲取偵測板的影像資料,從偵測板的經獲取影像資料獲取用於建立發光強烈度之測量資料,以測量資料為基礎建立偵測裝置的發光強烈度。
用於建立發光強烈度之測量資料係可包括一可見度及一灰階中的至少一者。
在以測量資料為基礎來建立偵測裝置的發光強烈度中,可以一可見度及一灰階為基礎建立偵測裝置的發光強烈度。
在以測量資料為基礎來建立偵測裝置的發光強烈度中,可以一發光的強烈度建立該偵測裝置的發光強烈度,該發光的強烈度容許可使測量資料位於一預定範圍內之有效像素數大於或等於偵測板的影像資料中的一臨閾值。
在以測量資料為基礎來建立偵測裝置的發光強烈度中,可以一發光的一強烈度建立該偵測裝置的發光強烈度,該發光的強烈度容許可使可見度及灰階位於一預定範圍內之有效像素數大於或等於偵測板的影像資料中的一臨閾值。
本發明的又另一示範性實施例係揭露一用於檢查一偵測裝置之方法。該方法係包括安裝一設定目標於一偵測裝置中,藉由利用一測試程式相對於設定目標,檢查偵測裝置的一硬體條件,其包括一發光的一聚焦條件、一格柵移動器具的一移動條件、發光的一均勻度條件及發光的一照明強烈度條件中之至少一者,及對於一使用者指示偵測裝置之經檢查的硬體條件。
設定目標係可具有一用於檢查發光的聚焦條件之第一區、一用於檢查格柵移動器具的移動條件之第二區、一用於檢查發光的均勻度條件之第三區、及一用於檢查發光的照明強烈度條件之第四區中之至少一者。
在指示偵測裝置的經檢查硬體條件中,可指示經檢查硬體條件的數值化資訊、以及藉由比較經檢查硬體條件與當生產偵測裝置時的一初始硬體條件所獲得之等級資訊中之至少一者。
根據本發明,利用自動式測試程式來檢查偵測裝置100的現今硬體條件,並因此可與當生產偵測裝置時的初始硬體條件作比較來判斷現今工作條件是否妥當。此外,對應於具有不同特徵的偵測板150之諸如發光強烈度、參考可見度等測量變數係自動地被重新建立,藉此縮短一工作檔案中所儲存之一偵測條件的一設定時間以提高使用者便利性,並降低由於不良建立所導致的測量誤差以增進偵測精密度。
請瞭解上文一般描述及下文詳細描述皆為示範性與說明性,並預定提供如申請專利範圍所界定之本發明的進一步說明。
圖式簡單說明
附圖係被包括以供進一步瞭解本發明並被併入且構成此說明書的一部份,附圖係顯示本發明的實施例並與描述文字一起用來說明本發明的原理。
第1圖是根據本發明的一示範性實施例之一偵測裝置的示意圖;第2圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於檢查一偵測裝置的方法之流程圖;第3圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖;第4A及4B圖是顯示調整一直方圖之經擷取影像;第5A及5B圖是顯示建立一參考可見度之圖形;第6圖是顯示根據本發明的另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖;第7圖是顯示根據本發明的又另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖。
圖示實施例之詳細說明
下文參照用以顯示本發明的範例實施例之附圖更完整地描述本發明。然而,本發明可以許多不同形式實施並不應詮釋為侷限於本文提出的範例實施例。而是,提供這些範例實施例,藉以使本揭示徹底且完全,並將對於熟習該技術者完整地傳達本發明的範圍。圖中,為求清楚可誇大顯示層及區的尺寸與相對尺寸。
將瞭解當一元件或層被稱為“位於~上”、“連接至”或“耦合至”另一元件或層時,其可直接位於另一元件或層上、連接或耦合至另一元件或層,或者可出現中介元件或層。相反地,當一元件被稱為“直接位於~上”、“直接連接至”、或“直接耦合至”另一元件或層時,則未出現中介元件或層。類似的編號係指全文中類似的元件。此處所用的“及/或”用語係包括相關列舉物件的一或多者之任何及全部組合。
將瞭解雖然第一、第二、第三等用語可在本文用來描述不同元件、組件、區、層及/或段,這些元件、組件、區、層及/或段不應受限於這些物件。這些物件只用來區分一元件、組件、區、層或段與另一區、層或段。因此,下文所討論的一第一元件、組件、區、層或段可稱為一第二元件、組件、區、層或段而不脫離本發明的教導。
本文為求容易描述可使用諸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”及類似物等空間性相對用語來描述一元件或特徵構造如圖示般對於另一(多)元件或特徵構造之關係。將瞭解空間性相對用語係預定涵蓋除了圖示定向以外器件在使用或操作中的不同定向。譬如,若圖中的器件被翻轉,描述成位於其他元件或特徵構造“下方”或“之下”的元件則將被定向於其他元件或特徵構造“上方”。因此,示範性用語“下方”可涵蓋上方及下方的一定向兩者。器件可另被定向(旋轉90度或處於其他定向),且本文所用的空間性相對描述器依此作解讀。
本文術語僅用來描述特定範例實施例而無意限制本發明。除非上下文清楚另行指明,本文所用的單數形“一”及“該”預定亦包括複數形。將進一步瞭解“包含(comprises)”及/或“包含(comprising)”用語當使用於此說明書中時係指明出現有所陳述的特徵構造、整數、步驟、操作、元件及/或組件,但未排除出現或添加有一或多個其他特徵構造、整數、步驟、操作、元件、組件及/或其群組。
本文參照身為本發明的理想化範例實施例(及中間結構)示意圖之橫剖視圖來描述本發明的範例實施例。因此,譬如由於製造技術及/或公差導致相較於圖示形狀預期具有變異。因此,本發明的範例實施例不應被詮釋為侷限於本文所顯示的區之特定形狀,而是包括譬如製造所導致之形狀上的偏差。譬如,一顯示成矩形的經植入區一般係在其邊緣處具有圓滑狀或彎曲狀特徵構造及/或植入濃度的一梯度,而非從經植入至非植入區的一二元變化。同理,植入所形成的一經埋設區係可導致經埋設區與可經過其發生植入的表面之間的區中之部分植入。因此,圖示的區係為示意性質且其形狀無意顯示一器件的一區之實際形狀並無意限制本發明的範圍。
除非另外界定,本文所有用語(包括技術及科學用語)係具有與一般熟習本發明所屬技術人士通常瞭解者相同之意義。將進一步瞭解:諸如常用字典中所界定者等用語應被解讀成具有與其在相關技藝脈絡中的意義一致之意義,且除非本文如此明顯界定,否則不以理想化或過度正式含義作解讀。
下文中,將參照附圖詳細地描述本發明的示範性實施例。
第1圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一偵測裝置的示意圖。第1圖中,可將一偵測目標、一設定目標或一偵測板命名為編號150。
參照第1圖,根據本發明的一示範性實施例之一偵測裝置100係包括一階台140,其用於支撐及移動一偵測目標150,至少一第一發光段110,其提供圖案光至偵測目標150,一第二發光段120,其提供用於獲取二維(2D)資訊的光至偵測目標150,及至少一攝影機130,其接收從光偵測目標150所反射的光並形成一圖案影像及一平面影像。
第一發光段110提供圖案光至偵測目標150,以獲取偵測目標150的三維(3D)資訊,諸如高度資訊,可見度資訊等。譬如,第一發光段110可包括一光源112,其產生光,一格柵元件114,其將來自光源112的光轉換成圖案光,一格柵移動器具116,其俯仰式移動格柵元件114,及一投射透鏡118,其用於將格柵元件114所轉換的圖案光投射至偵測目標150上。格柵元件114可利用一諸如一壓電(PZT)致動器等格柵移動器具116每次被移動達2π/n且總共n-1次,用以產生圖案光的相變化。“n”是大於或等於2的一自然數。具有上述結構的複數個第一發光段110可相對於攝影機130中心沿著一圓周方向彼此分開達一實質恆定角度作配置,藉以增高偵測精確度。
第二發光段120可具有一圓環形,且安裝為相鄰於階台140。第二發光段120將用於獲取2D資訊的光提供至偵測目標150,以建置偵測目標150的一初始對準、一偵測區等。譬如,第二發光段120係可包括一產生白光的螢光燈,或一發光二極體(LED),其包括分別產生紅光、綠光及藍光的一紅LED、一綠LED及一藍LED之至少一者。
攝影機130藉由來自第一發光段110的圖案光擷取偵測目標150的一圖案光,並藉由來自第二發光段120之用於獲取2D資訊的光擷取偵測目標150的一平面影像。譬如,攝影機130安裝於偵測目標150上方。
具有上述結構的偵測裝置100係利用第一發光段110及第二發光段120提供光至偵測目標150,並利用攝影機130藉由該光來擷取偵測目標150的一反射影像,以藉此獲取偵測目標150的一3D影像及一2D影像。第1圖所示的偵測裝置100只是一範例,且可被修改而具有不同結構,其各包括至少一發光段及一攝影機。
下文中,將詳細地描述一用於檢查具有上述結構的偵測裝置100之方法,及一用於建立偵測裝置100的一測量變數之方法。
第2圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於檢查一偵測裝置的方法之流程圖。
參照第1及2圖,為了檢查偵測裝置100的一現今條件,步驟S100中,一被獨立製造用以檢查偵測裝置100之設定目標150係安裝在偵測裝置100中的階台140上。
然後,步驟S110中,利用一自動式測試程式相對於設定目標150檢查偵測裝置100的一硬體條件。特別地,偵測裝置100經由第一發光段110或第二發光段120將光提供至階台140上所安裝的設定目標150。之後,偵測裝置100經由攝影機130擷取一影像,並分析經擷取的影像,以檢查偵測裝置100中之一偵測探針的一硬體條件。譬如,偵測裝置100自動地檢查一現今硬體條件,諸如包括第一發光段110或第二發光段120之發光的一聚焦條件,格柵移動器具116的一移動條件,發光的一均勻度條件及發光的一照明強烈度條件,等等。發光的聚焦條件係對應於經由第一發光段110或第二發光段120從被投射至設定目標150上之一圖案的一調變轉移函數(MTF)所計算之一數值。格柵移動器具116的移動條件係對應於藉由將在攝影機130觀視時PZT致動器的移動是否具有一相等間隔予以數值化所獲得之一數值。發光的均勻度條件係對應於藉由將攝影機130的一視場(FOV)中之發光的最大值數值與最小值數值之間的差異予以數值化所獲得之一數值。發光的照明強烈度條件係對應於一用於檢查現今時間的最亮照明強烈度相較於預定最小值照明強烈度為如何以滿足測量之測量變數。
設定目標150可被分成不同區以檢查不同種類的硬體條件。譬如,設定目標150可具有一用於檢查發光的聚焦條件之第一區,一用於檢查格柵移動器具116的移動條件之第二區,一用於檢查發光的均勻度條件之第三區,及一用於檢查發光的照明強烈度條件之第四區。一妥當圖案可形成於各區中以檢查相關聯的硬體。此外,可在一區中檢查至少二硬體條件。
檢查偵測裝置100的硬體條件之後,步驟S120中,對於一使用者指示現今硬體條件。譬如,檢查偵測裝置100的硬體條件之後,指示諸如發光的聚焦條件、格柵移動器具116的移動條件、發光的均勻度條件及發光的照明強烈度條件等經檢查的現今硬體條件的經數值化資訊之至少一者,並藉由比較經檢查的現今硬體條件及當生產偵測裝置時的一初始硬體條件所獲得之現今硬體條件的等級資訊。使用者可檢查經指示硬體條件的一等級並判斷是否需要相關聯硬體的維護。
如上述,偵測裝置100的現今硬體條件係利用自動式測試程式與當生產偵測裝置時的初始硬體條件作比較並指示予使用者,且可藉此判斷現今工作條件是否妥當。
在利用偵測裝置100檢查偵測板150中,由於諸如顏色、反射係數等特徵根據偵測板150的製造廠而為不同,測量變數可對應於偵測板150的特徵予以最適化。測量變數可譬如包括一發光強烈度,一可見度等。
第3圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖。
參照第1及3圖,為了建立對應於偵測板150的一特徵之偵測裝置100的一測量變數,步驟S200中,偵測板150係安裝在偵測裝置100中之階台140上。
然後,步驟S210中,偵測裝置100的一發光強烈度係對應於偵測板150的特徵而被自動地建立。特別地,偵測裝置100經由第一發光段110或第二發光段120將光提供至階台140上所安裝的偵測板150,並經由攝影機130獲取一經擷取影像。在獲取經擷取影像中,一偵測探針、包括第一及第二發光段110及120、及攝影機130被移動至一可使偵測板150上具有盡量小的空部分之位置後,經擷取影像可較佳受到獲取。之後,經由調整經擷取影像的一直方圖來建立偵測裝置100的發光強烈度。
第4A及4B圖是顯示調整一直方圖之經擷取影像。第4A圖顯示一經擷取影像的一直方圖,而第4B圖顯示調整後的一直方圖。第4A及4B圖的直方圖中,x軸代表影像亮度,而y軸代表對應於影像亮度的像素數。
參照第4A及4B圖,可藉由將直方圖的一平均數“A”調整至接近於一圖形的一中間、調整直方圖的一寬度“B”以避免一暗區“C”及亮區“D”、將直方圖的寬度“B”調整至狹窄等,藉以進行調整直方圖。經由直方圖調整來建立發光強烈度以具有一盡量窄的範圍,並因此可建立對應於偵測板150的特徵之發光強烈度的最適化範圍。
一可測量灰階係在一攝影機中位於0至255的一範圍中。若是直方圖接近於一圖形的一中間,經測量的發光強烈度係變成位於一攝影機中可測量灰階的範圍中。因此,為了增加可容許發光強烈度成為可測量之像素數,直方圖可被調整至接近於一圖形的一中間。
在建立發光強烈度中,可利用一視覺標示方法來建立發光強烈度的一較佳範圍,其中在一具有大於或等於與一經選擇亮數值呈現對應之一第一點的一數值之部分處標示紅色,並在一具有小於或等於與一經選擇暗數值呈現對應之一第二點的一數值之部分處標示藍色。
建立發光強烈度之後,在步驟S220中,偵測裝置100的一參考可見度對應於偵測板150的特徵而被建立。參考可見度係對應於一用於判斷偵測是否有效之測量變數,並可由使用者被建立於0至1的一範圍中。
第5A及5B圖是顯示建立一參考可見度之圖形。第5A及5B圖顯示根據發光強烈度的變化具有大於參考可見度之一可見度的有效像素之一比值。
參照第5A及5B圖,為了建立參考可見度,在建立發光強烈度的步驟S210中所建立之發光強烈度的一範圍中改變發光的一強烈度之同時,測量可見度資訊。由於測量可見度資訊之緣故,如第5A圖所示,一有效像素面積對於一偵測區(或相關區,ROI)的一面積之一比值可能不大於使用者所想要的一有效數值。有效數值係對應於使用者所預先建立之一數值,並可被譬如建立約95%。易言之,若是參考可見度根據偵測板150的諸如顏色、反射係數等特徵被建立過高,有效像素面積的比值係不超過有效數值。因此,由於難以進行一有效偵測,參考可見度可較佳根據偵測板150的特徵被重新建立。因此,參考可見度被建立使得有效像素面積對於偵測區的面積、譬如偵測區的一總面積之比值係超過經測量的可見度資訊中之經先前建立的有效數值。譬如,當隨著參考可見度改變來測量有效像素面積的比值變化之同時,可獲得一可使有效像素面積的比值超過有效數值之可見度,如第5B圖所示,且經獲得的可見度係被建立成為參考可見度。
一對應於有效像素的區及一未對應於有效像素的區之至少一者係可利用經測量的可見度資訊經由偵測裝置的攝影機提前被視覺式指示。
之後,在步驟S230中係儲存用以建立發光強烈度的步驟S210中所建立之發光及用以建立參考可見度的步驟S220中所建立之參考可見度。
如上述,由於經最適化的發光強烈度及經最適化的參考可見度係對應於具有不同特徵的偵測板150而被自動地重新建立,可對於不同偵測板150進行有效偵測,並可增進偵測可靠度。
當建立發光強烈度或參考可見度時,可獲取一其中形成有孔、絲等之特定區─但排除一其中將在偵測區中真正形成銲料之墊區─的資訊,且該資訊可使用於一稍後進行的實際偵測製程中,以藉此增進偵測可靠度。
第6圖是顯示根據本發明的另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖。
參照第1及6圖,為了建立對應於偵測板150的特徵之偵測裝置100的測量變數,在步驟S300中,偵測板150係安裝在偵測裝置100中的階台140上。
然後,在步驟S310中,偵測裝置100的一第一範圍的發光強烈度係對應於偵測板150的特徵被自動地建立。可藉由調整從偵測裝置100的攝影機130所獲取之經擷取影像的直方圖來進行建立第一範圍的發光強烈度。可藉由調整直方圖的一平均數“A”至接近於一圖形的一中間、調整直方圖的一寬度“B”以避免一暗區“C”及亮區“D”、調整直方圖的寬度“B”至狹窄等,藉以進行直方圖的調整。對應於直方圖的寬度“B”之一範圍的發光強烈度係為第一範圍R1的發光強烈度。第一範圍R1的發光強烈度可首先經由直方圖調整根據偵測板150的特徵而被建立。在建立第一範圍R1的發光強烈度中,第一範圍R1的發光強烈度可利用一視覺標示方法被建立,其中在一具有大於或等於與一經選擇亮數值呈現對應之一第一點的一數值之部分處係標示紅色,而在一具有小於或等於與一經選擇暗數值呈現對應之一第二點的一數值之部分處標示藍色。
之後,在步驟S320中,偵測裝置100之一第二範圍R2的發光強烈度係利用第一範圍R1的發光強烈度中之有效指標資訊而被自動地建立。有效指標資訊可譬如包括可見度資訊。
為了建立第二範圍R2的發光強烈度,當改變在建立第一範圍R1的發光強烈度之步驟S310中所建立的第一範圍R1的發光強烈度中之發光的一強烈度之同時,測量可見度資訊。然後,如第5B圖所示,由於測量可見度資訊之緣故,其中使一有效像素面積對於一偵測區的一面積─譬如一偵測區的一總面積─之一比值超過一經預先建立的有效數值之一範圍的經測量可見度資訊係被建立成為第二範圍R2的發光強烈度。
一對應於有效像素的區及一未對應於有效像素的區之至少一者係可利用經測量的可見度資訊經由偵測裝置的攝影機提前被視覺式指示。
之後,在步驟S330中係儲存經建立的第二範圍R2之發光強烈度。
如上述,藉由對於偵測裝置100的發光強烈度分析直方圖來建立第一範圍R1,然後利用可見度資訊在第一範圍R1中建立第二範圍R2,故可根據偵測板150的特徵仔細地建立發光強烈度。可在經建立的第二範圍R2之發光強烈度中進行偵測,以藉此增高偵測精密度。在建立發光強烈度中,可獲取一其中形成有孔、絲等之特定區─但排除一其中將在偵測區中真正形成銲料之墊區─的資訊,且該資訊可使用於一稍後進行的實際偵測製程中,以藉此增進偵測可靠度。
第7圖是顯示根據本發明的又另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖。
參照第1及7圖,為了根據偵測板150的特徵建立偵測裝置100的一測量變數,步驟S400中,偵測板150係安裝在偵測裝置100中的階台140上。
然後,步驟S410中在改變偵測裝置100的第一發光段110的發光強烈度之同時將光提供至偵測板150之後,步驟S420中,經由偵測裝置100的攝影機130獲取偵測板150所反射之光並獲取根據發光強烈度之偵測板150的影像資料。
之後,步驟S430中,從偵測板150之經獲取影像資訊獲取對於各像素的一可見度及一灰階。亦即,對於發光強烈度所擷取之各影像資料來測量對於各像素的可見度及灰階。
然後,步驟S440中,以可見度及灰階為基礎建立第一發光段110的發光強烈度。譬如,計數出偵測板150的影像資料中之有效像素數(可見度及灰階係位於有效像素處的一預定有效範圍內),然後以容許有效像素數大於或等於一臨閾值之發光的一強烈度來建立第一發光段110的發光強烈度。或者,以容許偵測板150的影像資料中之有效像素的可見度的一總和(可見度及灰階係位於有效像素處的一預定有效範圍內)大於或等於一臨閾值之發光的一強烈度來建立第一發光段110的發光強烈度。易言之,以對於各發光強烈度所獲取之各影像資料的灰階及可見度為基礎產生有效像素,然後與容許有效像素數、有效像素的可見度的一總和等為最大之影像資料呈現對應之發光的一強烈度係可被建立成為第一發光段110的發光強烈度。
一對應於有效像素的區及一未對應於有效像素的區之至少一者係可利用經測量可見度資訊經由偵測裝置的攝影機提前被視覺式指示。
一可測量灰階係在一攝影機中位於0至255的一範圍中。因此,為了利用一相位移雲紋測量型的圖案光來測量一三維形狀,當一正弦波形的一發光強烈度由於光的干涉效應而位於0至255的一改變範圍中時,一正弦波形可作測量而無諸如低於0或高於255的扭曲,留下一正弦波形於一偵測區中。因此,建置出0與255之間的一臨閾值,譬如10及230,以建立一發光強烈度故一正弦波形不可被扭曲。亦即,可使用一灰階作為用於建立一發光強烈度之一變數。
利用一可見度來測量用於經測量資料之一正弦波形的品質,並判斷經測量資料是否具有高的可靠度。為了獲取具有高可靠度之經測量資料,可建立一發光強烈度以獲得一正弦波形,其中確保一可見度高於一臨閾值。亦即,可使用一可見度作為一用於建立一發光強烈度之變數。
當諸如顏色、反射係數等板特徵係由一使用者或利用一用於建立一發光強烈度的方法所輸入,一發光強烈度及一可見度係在先前建立的範圍中被自動地建立以產生一經最適化的參數。因此,可縮短一工作檔案的一設定時間,並可增進精密度。亦即,一工作檔案的一偵測條件被自動地重新建立以對應於一測量目標,藉此降低測量誤差。
如上述,利用自動式測試程式來檢查偵測裝置100的現今硬體條件,且因此可與當生產偵測裝置時的初始硬體條件比較以判斷現今工作條件是否妥當。此外,對應於具有不同特徵的偵測板150之諸如發光強烈度、參考可見度等測量變數係被自動地重新建立,藉此縮短一工作檔案中所儲存之一偵測條件的一設定時間以提高使用者便利性並降低由於不良建立所導致的測量誤差以增進偵測精密度。
熟習該技術者將瞭解:本發明中可作出不同修改及變異而不脫離本發明的精神或範圍。因此,本發明係預定涵蓋位於申請專利範圍及其均等物的範圍內之本發明的所有修改及變異。
100...偵測裝置
110...第一發光段
112...光源
114...格柵元件
116...格柵移動器具
118...投射透鏡
120...第二發光段
130...攝影機
140...階台
150...偵測目標,偵測板
A...直方圖的平均數
B...直方圖的寬度
C...暗區
D...亮區
R1...第一範圍
R2...第二範圍
S100,S110,S120,S200,S210,S220,S230,S300,S310,S320,S330,S400,S410,S420,S430...步驟
第1圖是根據本發明的一示範性實施例之一偵測裝置的示意圖;
第2圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於檢查一偵測裝置的方法之流程圖;
第3圖是顯示根據本發明的一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖;
第4A及4B圖是顯示調整一直方圖之經擷取影像;
第5A及5B圖是顯示建立一參考可見度之圖形;
第6圖是顯示根據本發明的另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖;
第7圖是顯示根據本發明的又另一示範性實施例之一用於建立一偵測裝置的一測量變數之方法的流程圖。
100...偵測裝置
110...第一發光段
112...光源
114...格柵元件
116...格柵移動器具
118...投射透鏡
120...第二發光段
130...攝影機
140...階台
150...偵測目標,偵測板

Claims (12)

  1. 一種用於建立偵測裝置的發光強烈度之方法,包含下列步驟:安裝一印刷電路板於一偵測裝置中;經由該偵測裝置的一攝影機獲取該印刷電路板的一影像,以獲得表示出該影像的一亮度分布之一直方圖整體性調整該直方圖之一寬度,以避免一暗區及一亮區;及調整該偵測裝置的一發光強烈度,使得該直方圖的一平均值係落在於靠近該直方圖的一中間。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,進一步包含調整該直方圖的寬度至狹窄。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法,進一步包含利用一具有一對應於該發光強烈度的一平均數之參數的有效指標資訊,來調整該偵測裝置的該發光強烈度。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該有效指標資訊包括可見度資訊。
  5. 如申請專利範圍第4項之方法,其中調整該偵測裝置的該發光強烈度之步驟包括:當改變該偵測裝置的該發光強烈度之同時,測量可見度資訊;及以一發光的強烈度建立該偵測裝置的該發光強烈度,該發光的強烈度容許一有效像素面積對於一偵測區的一面積之一比值超過該經測量可見度資訊中之一經 預先建立的有效數值。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法,在與改變該偵測裝置的發光強烈度一起測量該可見度資訊的步驟之後,進一步包含藉由利用該經測量可見度資訊,經由該偵測裝置的攝影機,預先視覺式地指示出一對應於有效像素的區及一未對應於有效像素的區中之至少一者。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該偵測裝置的發光係對應於格柵圖案發光。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法,其中在調整該直方圖之該寬度的步驟之前,進一步包含在具有小於或等於一選定暗數值的一數值之該暗區處,標示一第一顏色,及在具有大於或等於一選定亮數值的一數值之該亮區處,標示一第二顏色。
  9. 一種用於建立偵測裝置的發光強烈度之方法,包含下列步驟:安裝一印刷電路板於一偵測裝置中;當改變該偵測裝置的一發光強烈度之同時,為該印刷電路板提供格柵圖案的光;經由該偵測裝置的一攝影機來獲取由該印刷電路板所反射的光,及獲取該印刷電路板的影像資料;從該印刷電路板的經獲取影像資料獲取用於建立該發光強烈度之測量資料;及以該測量資料為基礎,建立該偵測裝置的發光強烈度。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該用於建立發光強烈度之測量資料係包括一可見度及一灰階中的至少一者。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法,其中在以該測量資料為基礎建立該偵測裝置的發光強烈度中,以一發光的強烈度建立該偵測裝置的發光強烈度,該發光的強烈度容許可使該測量資料位於一預定範圍內之有效像素數大於或等於該偵測板的影像資料中的一臨閾值。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法,其中在以該測量資料為基礎建立該偵測裝置的發光強烈度中,以一發光的一強烈度建立該偵測裝置的發光強烈度,該發光的強烈度容許可使該可見度及該灰階位於一預定範圍內之有效像素數大於或等於該偵測板的影像資料中的一臨閾值。
TW100112796A 2010-04-14 2011-04-13 檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法 TWI460419B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100034056 2010-04-14
KR1020110023171A KR101343375B1 (ko) 2010-04-14 2011-03-16 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법
KR1020110032487A KR101227110B1 (ko) 2010-04-14 2011-04-08 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201144794A TW201144794A (en) 2011-12-16
TWI460419B true TWI460419B (zh) 2014-11-11

Family

ID=45029849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW100112796A TWI460419B (zh) 2010-04-14 2011-04-13 檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP2011227077A (zh)
KR (2) KR101343375B1 (zh)
TW (1) TWI460419B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI794953B (zh) * 2020-09-11 2023-03-01 美商美超微電腦股份有限公司 檢查電路板之未經授權修改

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI468640B (zh) * 2012-09-25 2015-01-11 Machvision Inc Socket connector detection system and detection method
KR101810991B1 (ko) * 2016-02-04 2018-01-25 주식회사 고영테크놀러지 검사대, 검사 시스템 및 검사 방법
CN107024339B (zh) * 2017-04-21 2023-10-20 小艾帮帮(杭州)科技有限公司 一种头戴显示设备的测试装置及方法
KR102344054B1 (ko) * 2021-09-07 2021-12-28 주식회사 시스템알앤디 레퍼런스 타겟을 이용한 다중 광학계 비전 시스템의 진단 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02145904A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Hitachi Ltd パターン検査方法およびそれに用いるパターン検査装置
US20020081025A1 (en) * 1998-12-18 2002-06-27 Wagman Adam H. System and method for in-line inspection of stencil aperture blockage
US20070291152A1 (en) * 2002-05-08 2007-12-20 Olympus Corporation Image pickup apparatus with brightness distribution chart display capability
US20080278729A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Min Young Kim Multi-directional projection type moire interferometer and inspection method of using the same
TWI319167B (en) * 2005-08-04 2010-01-01 Intel Corp Method of adjusting initial luma values, and method, computer system and computer readable storage medium of adjusting initial values

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0719825A (ja) * 1993-06-23 1995-01-20 Sharp Corp 基板検査装置
JPH07181671A (ja) * 1993-12-22 1995-07-21 Toshiba Corp マスク位置合わせ検査方法および検査装置
US6545275B1 (en) 1999-09-03 2003-04-08 Applied Materials, Inc. Beam evaluation
JP2003139718A (ja) * 2001-10-30 2003-05-14 Nikon Corp 表面検査装置および表面検査方法
WO2003081715A2 (en) 2002-03-05 2003-10-02 Arizona Board Of Regents Wave interrogated near field array system and method for detection of subwavelength scale anomalies
KR20070001360A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 삼성전자주식회사 반도체 기판의 결함 검출 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02145904A (ja) * 1988-11-28 1990-06-05 Hitachi Ltd パターン検査方法およびそれに用いるパターン検査装置
US20020081025A1 (en) * 1998-12-18 2002-06-27 Wagman Adam H. System and method for in-line inspection of stencil aperture blockage
US20070291152A1 (en) * 2002-05-08 2007-12-20 Olympus Corporation Image pickup apparatus with brightness distribution chart display capability
TWI319167B (en) * 2005-08-04 2010-01-01 Intel Corp Method of adjusting initial luma values, and method, computer system and computer readable storage medium of adjusting initial values
US20080278729A1 (en) * 2007-05-08 2008-11-13 Min Young Kim Multi-directional projection type moire interferometer and inspection method of using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI794953B (zh) * 2020-09-11 2023-03-01 美商美超微電腦股份有限公司 檢查電路板之未經授權修改

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014197034A (ja) 2014-10-16
JP2011227077A (ja) 2011-11-10
KR20110115083A (ko) 2011-10-20
TW201144794A (en) 2011-12-16
KR101343375B1 (ko) 2013-12-20
KR101227110B1 (ko) 2013-01-29
KR20110115078A (ko) 2011-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9124810B2 (en) Method of checking an inspection apparatus and method of establishing a measurement variable of the inspection apparatus
JP5202575B2 (ja) 形状測定装置および形状測定方法
TWI422800B (zh) 板檢驗裝置及方法
TWI451079B (zh) 量測測量目標之方法
TWI460419B (zh) 檢查偵測裝置之方法以及建立偵測裝置的測量變數之方法
JP5411914B2 (ja) 基板検査方法
CN106556603A (zh) 检查装置和物品制造方法
KR20130110308A (ko) 조인트 검사 장치
JP2014197023A (ja) オブジェクト領域とグラウンド領域とを区別する方法及び3次元形状測定方法。
US10533952B2 (en) Method of inspecting a terminal of a component mounted on a substrate and substrate inspection apparatus
KR101311215B1 (ko) 기판 검사방법
KR101757240B1 (ko) 3차원 형상 측정 장치에서의 기준 패턴 생성 방법
JP2011179974A (ja) 接触角計用画像処理装置および液滴の平面視輪郭形状導出方法
US20120127486A1 (en) Method of inspecting a substrate
KR101684244B1 (ko) 기판 검사방법
JP2011179973A (ja) 接触角計
KR101227116B1 (ko) 검사 장치의 진단 및 측정변수 설정 방법
CN105387808A (zh) 边缘位置检测装置及边缘位置检测方法
JP7459525B2 (ja) 三次元形状計測装置、三次元形状計測方法及びプログラム
KR20160080730A (ko) Led 휘도 교정 장치 및 그 제어 방법
KR101311255B1 (ko) 측정대상물 검사방법
KR20120000610A (ko) 측정대상물 검사방법