TWI458107B - 製造無機奈米複合材的方法 - Google Patents

製造無機奈米複合材的方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI458107B
TWI458107B TW096100162A TW96100162A TWI458107B TW I458107 B TWI458107 B TW I458107B TW 096100162 A TW096100162 A TW 096100162A TW 96100162 A TW96100162 A TW 96100162A TW I458107 B TWI458107 B TW I458107B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
metal chalcogenide
precursor
nano
cdse
Prior art date
Application number
TW096100162A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200746446A (en
Inventor
David B Mitzi
Christopher B Murray
Dmitri V Talapin
Original Assignee
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibm filed Critical Ibm
Publication of TW200746446A publication Critical patent/TW200746446A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI458107B publication Critical patent/TWI458107B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/03529—Shape of the potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Description

製造無機奈米複合材的方法
本發明係關於製造一種無機奈米複合材，其包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體(如，奈米粒子、奈米棒、奈米四足管、奈米線、及其類似物)。本發明亦與製備場效電晶體、資料儲存媒體及光伏裝置(photovoltaic devices)的方法有關，此等裝置包含根據本發明所製備之無機奈米複合材。
奈米級複合材提供機會以在單一複合材內結合二或多個材料的有用特性，或提供機會以因混合兩個成分而產生全新的性質。例如，可在大自然中找到許多有用的生物複合材料，其中包括軟體動物甲殼、牙齒及骨頭。例如，請見J.d.Currey，J.Mater.Educ. ，9，120(1987)及H.a.Lowenstam與S.Weiner，On Biomineralization ，Oxford University Press(牛津大學出版社)，New York，1989年。
軟體動物甲殼係由霰石CaCO3 晶體(其厚度達250 nm)之高度組織的層壓微結構所組成，其層間以蛋白質有機物質之薄層(30－50 nm)隔開。此塊狀物及黏合結構的強度及韌度等級乃高於其構成部分中單獨任一項的等級。這種生物複合材的有用性質來自於在這兩個成分之間的強烈界面以高度的組織及適當結合比例接合硬質脆性無機相與軟質塑膠有機相。
第二範例(此次為合成奈米複合材的範例)見於聚醯亞胺的化學。聚醯亞胺由於其耐熱性、化學穩定性、及優異的電性，而用於微電子的應用中。為了減少熱膨脹係數及吸濕量，在聚合物中分散少量的分子級黏土(高嶺土)。僅加入約2個重量百分比的高嶺土，即可降低各種氣體的滲透係數，使其低於純聚醯亞胺之滲透係數的一半，同時減少熱膨脹係數。例如，請見K.Yano、A.Usuki、A.Okada、T.Kurauchi、O.Kamigaito，J.Polym.Sci.：PartA：Polym.Chem. ，31，2493(1993)。
這些及其他有關分子分散聚合物/層狀矽酸鹽奈米複合材已證明可達到比較高的硬度、強度、熱度、及耐火性、及阻障性質，其無機含量遠遠低於可相比擬之玻璃(或礦物)，其係以「填充」聚合物來補強以形成兩種成分之間分子級交互作用。
奈米級複合材的另一範例是奈米粒子的奈米複合材及共軛聚合物，其係設計來達成可調式組合物光學常數以用於半導體光子結構中。例如，使用此方法可製造聚(p－苯基乙烯)－氧化矽複合材，使其550－nm波長面內折射率超越1.6至2.7的範圍，從而允許製造有效的分散式布拉格反射器及波導。請見，例如，P.K.H.Ho、D.S.Thomas、R.H.Friend、N.Tessler，Science ，285，233(1999)。
分散於導電聚合物中的無機奈米粒子亦可形成奈米複合材，其可能具有好用的膠狀穩定性、光學、介電、磁化率、電致變色、及催化劑性質。例如，請見R.Gangopadhyay、A.De，Chem.Mater. ，12，608(2000)。H.J.Snaith、G.L.Whiting、B.Sun、N.C.Greenham、W.T.S.Huck、R.H.Friend，NanoLett. ，5，1653(2005)。
雖然上述範例主要為有機－無機奈米複合材，單純之(strictly)無機奈米複合材也被預期具有極高的可用性。有機－無機合成物因其奈米級的整合性而被期待具有有用的性質。相較於有機－無機合成物相比，單純的無機奈米複合材更被期待，因為這種複合材有較好的熱穩定性及機械穩定性，且其電傳輸特性(如，載子遷移率)也可能較好。
除了取得具有用性質的無機奈米複合材，還需要能夠使用相對低成本及高生產量製造技術，將奈米複合材處理成可使用的形式。對於電子應用，目標形式常是薄膜，及以溶液為主的技術，如旋塗、衝壓、墜落式鑄造(drop casting)、刮刀成型、或印刷，均為潛在低成本高生產量製程的理想範例。不幸的是，大部分有關的塊狀無機半導體在一般的溶劑為不可溶。然而，近來，本申請案發明人已證明使用聯胺或聯胺/水混合物作為溶劑，沉積高遷移率金屬硫族化合物薄膜的溶液處理技術。例如，請見Mitzi等人的美國專利6,875,661，Nature ，428，299(2004)及Mitzi，J.Mater.Chem. ，14，2355(2004)。
此製程涉及形成目標金屬硫族化合物半導體(通常為SnS2－x Sex )的可溶性聯胺基(hydrazine－based)前驅體、前驅體的旋塗薄膜、及低溫熱分解前驅體薄膜以形成所要的連續金屬硫族化合物薄膜。另外，也使用相關的聯胺根前驅體並混合乙醇胺/DMSO等溶劑來旋塗n型硒化銦(III)薄膜。請見Mitzi等人，Adv.Mater. ，17，1285(2005)。
已經有藉由溶液法沉積半導體硫族化合物來建構薄膜場效電晶體(TFT)，以生產電子遷移率超過10 cm2 /V－s的n型通道，其約在優於先前旋塗半導體之結果的等級。
奈米粒子及其他奈米體亦提供優異的電子及結構彈性，其主要呈現於連續性訂作粒子尺寸的能力，及透過量子侷限效應而因此顯現的粒子電子性質。粒子的電子及邊界性質亦可藉由採用製造奈米粒子的核殼型方法來控制，其中奈米粒子的內核的材料與外殼不同。請見Cao等人，J.Am.Chem.Soc.，122，9692(2000)。另外，可製造不同形狀的奈米體，其形狀範圍從球形至長條形、線狀及四足管形。請見Manna等人，J.Am.Chem.Soc. ，122，12700(2000)。典型的四足管狀奈米晶體含有至少四個支臂。其形狀包括核心具有自四個(111)等面之各面生長的支臂。在某些組態中，四足管的支臂具有在其末端附近生長的分支。奈米粒子的不同功能化影響奈米粒子在溶劑中的分散並提供另一種彈性等級。
本發明說明在薄膜的溶液處理期間，於聯胺基前驅體溶液中分散奈米體(奈米棒、奈米線、奈米粒子、奈米四足管)的製程。
尤其，本發明製程包含：取得一可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液；分散一奈米體於金屬硫族化合物前驅體溶液中；施加含有奈米體之前驅體的一溶液(奈米體為無機化學物體，其具有尺寸至少介於約0.5－100 nm之間)於一基板上，以產生含有奈米體之前驅體的一薄膜；及退火含有奈米體之前驅體的薄膜，以產生金屬硫族化合物奈米複合材薄膜於基板上，金屬硫族化合物奈米複合材薄膜包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米級混合的奈米體。
本發明亦有關利用上述製程產生的薄膜。
本發明還進一步提供製備金屬硫族化合物及奈米體之溶液處理之半導體複合材薄膜的方法，其具有低成本的優點。
由於無機成分的奈米級整合性，可預期有用的性質。無機奈米複合材的若干有用範例包括：1)n型及p型半導體具有慎選帶隙及偏移的密切網狀。所形成的分散式p－n接面陣列可用於太陽能電池及光偵測器技術。在此範例中，在材料中有n型及p型成分形成連續網狀的奈米複合材是最有用的。2)包含離散半導體島的奈米複合材可用於記憶體裝置的電荷儲存陣列。3)理想的聲子散射(源自適當訂作之無機奈米複合材的週期性晶粒)可提供顯著的熱電特性。在這些範例的每一個範例中，和有機－無機合成物相比，單純的無機奈米複合材比較理想，因為這種複合材有改良的熱穩定性及機械穩定性，且其有可能具有比較優異之電傳輸特性(如，載子遷移率)。本發明的金屬硫族化合物及奈米體複合材可在各種應用中使用，包括光伏裝置及太陽能電池、平板顯示器、非線性光學/光導裝置、化學感測器、發光二極體的發光及電荷傳輸層、薄膜電晶體、場效電晶體的通道層、光學及電子資料儲存裝置的光偵測器及媒體(包括光學及電子資料儲存裝置的相變媒體)。
因此，本發明亦有關一種製備一場效電晶體的方法，場效電晶體具有：一源極區域及一汲極區域、一包括一半導體材料的通道層、設置與通道區域間隔鄰接的一閘極區域、在閘極區域及源極區域、汲極區域及通道層之間的一電絕緣層，其中通道包含一金屬硫族化合物及奈米體複合材的一半導體薄膜；及其方法包含：藉由取得一可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液，沉積金屬硫族化合物及奈米體複合材的薄膜；分散一奈米體於金屬硫族化合物前驅體溶液中；施加含有奈米體之前驅體溶液於一基板上，以產生含有奈米體之前驅體的薄膜；及退火含有奈米體之前驅體的薄膜，以在基板上產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一分子混合(molecularly－intermixed)奈米體的金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
本發明亦有關利用上述方法取得的場效電晶體。
熟習本技術者參考以下詳細說明(其中僅利用最佳模式的解說來顯示及說明較佳具體實施例)，將瞭解本發明其他目的及優點。正如所瞭解的，本揭露內容能夠進行其他及不同的具體實施例，且在不脫離本揭露內容的情況下，其若干細節能夠進行各種明顯方面的修改。因此，應將本說明視為解說性質而非限制性質。
本發明有關一種製造無機奈米複合材的方法。
本方法包含取得一可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液。藉由在溶劑中溶解可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體，並視情況使用過量的硫族元素，可製備可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液，以提供金屬硫族化合物前驅體溶液。當然，應明白，在形成金屬硫族化合物前驅體溶液時，可視需要使用金屬硫族化合物前驅體的混合物。另外，可藉由在聯胺中(即，並不先分離聯胺基金屬硫族化合物前驅體)直接溶解金屬硫族化合物，視情況使用過量的硫族元素，來形成金屬硫族化合物前驅體的溶液。
可利用以下所述的任何技術分離聯胺基前驅體：美國專利6,875,661；美國專利申請案10/801,766(申請於2004年3月16日)及11/055,976(申請於2005年2月14日)；或Mitzi等人，Nature ，428，299(2004)；及Mitzi等人，Adv.Mater. 17，1285(2005)。例如，在美國專利6,875,661及美國專利申請案10/801,766其說明一種製程如下：較佳在過量硫族元素(如，S或Se)的存在下，在聯胺或含有聯胺之溶劑的混合物中溶解目標金屬硫族化合物半導體(較佳為主族(main group)金屬硫族化合物)，以改良溶解度。可蒸發所形成的溶液以產生以聯胺根為主的前驅體，其可溶於各種溶劑，包括聯胺複合物或含有其他溶劑之聯胺複合物的混合物。另外，在某些情況中，前驅體可溶於選擇之胺基的溶劑(如乙醇胺及DMSO的混合物)。合適的溶劑範例包括(但不限於)：聯胺、乙醇胺、n－丁胺、n－丙胺、二乙醇胺、醇、水、DMF、DMSO及其混合物。
聯胺基前驅體可以是包含金屬硫族化合物陰離子及聯胺根陽離子的離子固體或包含共價鍵結之聯胺分子之延伸金屬硫族化合物架構的共價複合物。離子前驅體的範例包括：(N2 H5 )4 Sn2 S6 、(N2 H4 )3 (N2 H5 )4 Sn2 Se6 、及(N2 H5 )4 Ge2 Se6 ，其各由共用邊之MX4 4－ (M＝Sn或Ge；X＝S或Se)四面體的二聚物組成，並為聯胺根陽離子所隔開。共價前驅體的一個範例是(N2 H4 )2 ZnTe。藉由在上述合適溶劑中溶解前驅體，即可形成前驅體溶液。
聯胺複合物的範例可以分子式表示：R1 R2 N－NR3 R4
其中R1 、R2 、R3 、及R4 之每一者分別為氫、芳香族羥基(如苯基)、具有1－6個碳原子的線性或分枝烷基(如3－6碳原子的甲基、乙基、或環烷基；較常見的情況是，在此方法中，R1 、R2 、R3 、及R4 之每一者分別是氫、芳香族羥基、甲基或乙基。更常見的情況是，聯胺複合物為聯胺，即，其中R1 、R2 、R3 、及R4 均為氫。
除了金屬硫族化合物前驅體，還必須取得或製造奈米體。例如，可利用各種方法製備具有所要尺寸及視情況核殼型組態的奈米體，如奈米粒子、奈米棒及奈米線。例如，一般利用以下方法合成奈米粒子：如膠狀合成、蒸氣－液體－固體及相關生長技術、聲化學合成、在反微胞中合成、雷射熱解、及電弧放電。今日，膠狀合成可取得不同材料的奈米粒子，其對粒子大小、形狀、及單分散性能夠進行最精確的控制。藉由選擇界面活性劑(安定配位子)、前驅體、及反應條件(溶劑、前驅體濃度、及安定劑、溫度等)，可控制粒子大小。藉由訂作(tailoring)晶形奈米粒子之不同面的生長動力學，可控制粒子形狀。這可藉由以下方式來達成：選擇性黏著有機分子於特定的晶面，或利用排除高能量面的生長[如，Y.Yin、A.P.Alivisatos，Nature 2005，437，664－670]。經由在含有內核材料之奈米粒子的膠狀溶液中添加外殼材料之試劑(前驅體)的連續生長，可形成核殼型組態。不同表面功能化提供所要極性或無極性溶劑的奈米粒子可溶性，並對特定類型的表面或有機及生物分子產生特定親和力。
然後在聯胺基前驅體溶液中分散奈米體。這可藉由以下方式來完成：只要在前驅體溶液中添加奈米體，並攪拌到足以使奈米體溶入溶液的時間。通常在室溫下執行此攪拌製程。
將含有奈米體的聯胺基前驅體溶液施加於基板上。
通常，以具有至少一選自以下項目之性質的材料製造基板：熱穩定，即穩定達約至少300℃；對於金屬硫族化合物的化學安定性；剛性或可撓性。合適範例包括：聚亞醯胺膜(Kapton)、矽、非晶性氫化矽、碳化矽(SiC)、二氧化矽(SiO2 )、石英、藍寶石、玻璃、金屬、類鑽碳、氫化類鑽碳、氮化鎵、砷化鎵、鍺、矽－鍺、氧化銦鍚、碳化硼、氮化硼、氮化矽(Si3 N4 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鈰(IV)(CeO2 )、氧化鍚(SnO2 )、二氧化鈦(TiO2 )、Ta2 O5 、ZrO2 、HfO2 、鈦酸鋅(ZnTiO2 )、鋯鈦酸鉛(PZT)、塑膠材料、或其組合。通常，金屬基板為金屬箔，如鋁箔、鍚箔、不鏽鋼箔及金箔，及塑膠材料通常為聚碳酸酯、聚酯樹脂(Mylar)、或克維拉纖維(Kevlar)。
使用高生產量技術，如旋塗、衝壓、墜落式鑄造、或印刷，將溶液施加於基板，並將溶液轉變成含有奈米體之前驅體的薄膜。可將基板放在熱板上、或放在箱形爐或管形爐中，在合適的惰性氛圍(如氮、組成氣體、或氬)下，來加熱基板。或者，可以雷射退火進行加熱。使用足以使聯胺基前驅體完全分解的足夠高溫與夠長時間，及不致於使成分顯著擴散的足夠低溫與夠短時間來執行加熱。通常加熱係執行於約100至約350℃的溫度及持續約1至約60分鐘的時間。
本發明製程提供許多優點。例如，分散奈米體於無機基質提供基質相對於可相比之有機基質(如導電聚合物)之更佳電特性的潛力。尤其，與有機基質相比，晶形無機基質之載子(電子及/或電洞)的電遷移率較高。此外，有機－無機奈米複合材之複合材的熱穩定性較佳，因無機基質的熱穩定性較佳。
無機奈米複合材具有優異的可調性。可從硫族化合物金屬、半導體、及絕緣體的陣列中選擇源自於聯胺基前驅體的無機基質。合適範例包括(但不限於)：GeS、GeSe2 、SnS2 、SnSe2 、Sb2 S3 、Sb2 Se3 、Sb2 Te3 、In2 Se3 、In2 Te3 、Cu2 S、HgSe、ZnTe、及其混合物。硫族化合物基質可呈現n型或p型電性。有關奈米體成分，奈米體可具有各種大小(以影響量子侷限效應的能階)、形狀(如，球形、長條形、線狀、四足管形)、表面功能化(以影響奈米體溶入溶液的容易度)、材料(例如，CdS、CdSe、CdTe、PbS、PbSe、PbTe、ZnS、ZnSe、Bi2 S3 、Bi2 Se3 、Bi2 Te3 、HgS、HgSe、HgTe、InP、InAs、Co、Fe、FePt、及核/殼CdSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/CdSe、InP/ZnS、InP/ZnSe、InAs/CdSe、InAs/ZnSe、及其各種組合)。藉由選擇奈米粒子(球形)或奈米棒對照奈米線，及藉由選擇奈米體在無機基質材料中的濃度，即可影響奈米體是否在最終奈米複合材中形成延伸網狀或隔離奈米體的陣列。
此製程允許可能地低成本、極高生產量的無機奈米複合材沉積，而不需要真空條件或特製的CVD反應器。溶液處理技術亦是相對低溫製程，並與選擇之較高溫度可撓性塑膠基板材料相容，如聚亞醯胺膜及其他基於聚醯亞胺的塑膠。
本文所述製程可用於形成包括以下應用的半導體薄膜，例如：薄膜電晶體(TFT)、發光裝置(LED)、資料儲存媒體、光伏裝置、及太陽能電池裝置。
本發明提供一種具有奈米複合材料之薄膜的薄膜場效電晶體(FET)，其基於含有奈米體的溶液處理金屬硫族化合物材料，如主動半導體層。本發明提供一種製備具有源極區域及汲極區域之類型之改良場效電晶體的方法，通道層包括：半導體材料；佈置與通道層間隔鄰接的閘極區域；閘極區域及源極區域、汲極區域及通道層之間的電絕緣層，其中方法包括：利用上述方法製備一通道層，其包括含有奈米體之溶液處理金屬硫族化合物半導體材料的薄膜。
在一具體實施例中，源極區域、通道層、及汲極區域通常佈置於基板的表面上，電絕緣層佈置於通道層之上並自源極區域延伸至汲極區域，及閘極區域佈置於電絕緣層之上，例如，如美國專利第6,180,956號的圖4示，專利揭露內容在此以引用方式併入。
在另一具體實施例中，在基板的表面上佈置閘極區域作為閘極層，在閘極層上佈置電絕緣層，及在電絕緣層上佈置源極區域、通道層、及汲極區域，例如，如先前併入之美國專利第6,180,956號的圖3所示。
含有奈米體的金屬硫族化合物半導體材料可以是薄膜的形式，其中金屬硫族化合物半導體材料為多晶材料，可能具有粒度等於或大於半導體裝置之接點間的尺寸。因此，本發明提供以上述方法製備之改良的場效電晶體。
可結合本發明各種方法，藉由疊層基於金屬硫族化合物的奈米複合材與其他材料以形成兩個端子的夾層結構裝置，來建構光伏電池。例如，可形成包含以n型奈米線散置之p型金屬硫族化合物基質的主動層，以便在整個層中形成分散式p－n接面。可將基於金屬硫族化合物的奈米複合材夾在金屬接點(如Mo或Al)及透明頂部接點(如摻雜的TiO2 、氧化銦鍚、摻雜氟的氧化鍚、或摻雜銻的氧化鍚)之間；其中以剛性或可撓性基板(如玻璃、金屬、塑膠)支撐金屬接點。
或者，可使用支撐透明導電接點(如摻雜的TiO2 、氧化銦鍚、摻雜氟的氧化鍚、或摻雜銻的氧化鍚)的透明基板(如玻璃或塑膠)，按相反順序建構電池。然後在此施加基板上沉積基於金屬硫族化合物的奈米複合材，並以後接點(如Al、Mg、Ca、Ag、Mo、或Au)覆蓋。無論情況為何，可以本發明說明的方法沉積基於金屬硫族化合物的奈米複合材(「吸收器」)層。
提供以下非限制範例以進一步解說本發明。
範例1
以CdSe奈米晶體、奈米棒或奈米線、及(N2 H4 )2 ZnTe可溶ZnTe前驅體製備的奈米複合材料：步驟1：根據文獻記載方法[D.B.Mitzi，Inorg.Chem. ，2005，44，7078]，合成聯胺可溶分子ZnTe前驅體(N2 H4 )2 ZnTe。
步驟2：根據文獻記載方法[D.V.Talapin、A.L.Rogach、A.Kornowski、M.Haase、H.Weller，Nano Letters 2001，1，207]，合成以正十六碳胺、氧化三辛基膦酸酯、及三辛基膦酸酯(HDA－ TOPO－ TOP)配位子覆蓋的Cdse奈米晶體。利用若干沉澱/再溶解步驟，自過量的安定配位子徹底地水洗奈米晶體，然後儲存為粉末或己烷溶液。CdSe奈米晶體的TEM影像如圖1A所示。
根據文獻記載方法[D.V.Talapin、E.V.Shevchenko、C.B Murray、A.Kornowski、S.Frster、及H.Weller，J.Am.Chem.Soc. 2004，126，12984]，合成以十八磷酸、氧化三辛基膦酸酯、及三辛基膦酸酯配位子覆蓋的CdSe奈米棒。CdSe奈米棒的TEM影像如圖1b所示。
使用Bi奈米晶體作為催化劑，利用溶液－液體－固體技術，合成以辛酸、氧化三辛基膦酸酯、及三辛基膦酸酯配位子覆蓋的CdSe奈米線。
在作為溫和還原劑之1,2－癸二醇的存在下，利用基於Bi[N(Si(CH3 )3 )2 ]3 之分解的新穎高溫法，合成以正十六碳胺(HDA)覆蓋的單分散Bi奈米晶體。在典型的配方中，3 g的HDA與0.2 g的1,2－癸二醇係在10 mL的二辛醚中溶解，並經真空加熱至100℃持續30分鐘，以使試劑除氣並進行乾燥。在氮氛圍下，將除氣的溶液加熱至210℃，並注入鉍儲備溶液加上用力攪拌。藉由在1 mL的己烷中溶解200 mg的Bi[N(Si(CH3 )3 )2 ]3 ，以製備鉍儲備溶液。在注入儲備溶液後，反應混合物的顏色由於Bi奈米晶體的晶核生成而變成黑色。使溶液保持190℃持續5分鐘，然後再快速冷卻至室溫。藉由添加乙醇：己烷混合物(容積比2：1)，自原液中沉澱Bi奈米晶體，利用離心作用隔離，及重新分散於三氯甲烷中。藉由添加甲醇，自三氯甲烷溶液沉澱Bi奈米晶體，及重新分散於所要溶劑(如，己烷或十八烯)中。HDA覆蓋之Bi奈米晶體的典型TEM影像如圖2a所示。
可將以HDA安定的Bi奈米晶體用作II－VI及III－V半導體奈米線之溶液－液體－固體合成的催化劑[(1)H.Yu、J.Li、R.A.Loomis、P.C.Gibbons、L.－W.Wang、W.E.Buhro，J.Am.Chem.Soc. ，2003，125，16168。(2)J.W.Grebinski、K.L.Hull、J.Zhang、T.H.Kosel、M.Kuno，Chem.Mater. ，2004，16，5260。(3)D.D.Fanfair、B.A.Korgel，Cryst.Growth Des. ，2005，5，1971]。至於CdSe奈米線的合成，使用Grebinski等人(2)的修改方法，其為Bi奈米晶體催化劑而最佳化。在典型的配方中，3 g的TOPO係與25 mg的CdO及0.23mL的辛酸混合，然後在100℃在真空中除氣30分鐘。將此混合物加熱至330℃，以溶解CdO。在330℃充份地攪拌下，注入在1 mL十八烯中含有約2 mg之Bi奈米晶體及25 μmol三辛基膦酸酯硒化物的儲備溶液。使溶液保持注入溫度3分鐘，再快速冷卻至室溫。如圖2b所示，液體Bi奈米滴液催化CdSe奈米線的生長。藉由添加n－丁醇自原液沉澱CdSe奈米線，並在如己烷或三氯甲烷的合適溶劑中重新分散。CdSe奈米線的典型TEM影像如圖2c及2d所示。
步驟3：CdSe奈米晶體、奈米棒、及奈米線在純聯胺中無法形成穩定的膠狀分散。然而，在25 mg/mL(N2 H4 )2 ZnTe的存在下，在氮氛圍中以室溫攪拌，很容易即可在聯胺中分散所有這些奈米材料。通常在第一個小時的攪拌期間，快速形成穩定膠狀分散。聯胺中25 mg/mL之(N2 H4 )2 ZnTe之約5 nm CdSe奈米晶體的吸收光譜如圖3所示。在(N2 H4 )2 ZnTe之存在下之CdSe奈米晶體的吸收光譜顯示與己烷中相同奈米晶體之吸收光譜的一些差異。這些差異可能是因為在奈米晶體表面上部分以溶液中的Te原子取代Se原子。此製程應產生型－II異質結構奈米晶體，其在吸收光譜中具有特有的長波長尾[S.Kim、B.Fisher、H.－J.Eisler、M.Bawendi，J.Am.Chem.Soc. ，2003，125，11466]。
步驟4：在具有一層熱生長之SiO2 的石英或矽晶圓上，以含有CdSe奈米晶體、奈米棒或奈米線、及(N2 H4 )2 ZnTe(如上述)的聯胺溶液旋塗奈米複合材薄膜。為改良聯胺的濕潤性，在H2 SO4 ：H2 O2 (4：1)溶液中處理基板20分鐘(接著是去離子水沖洗)。在惰性氛圍中執行旋塗。典型旋轉條件為1000或1500 rpm(30秒)，坡道為1000 rpm/s。
步驟5：加熱(N2 H4 )2 ZnTe至250℃可釋放聯胺並形成具有立方或六方晶格的ZnTe相位[D.B.Mitzi，Inorg.Chem. ，2005，44，7078]。如上述製備及在惰性氛圍中按250℃或300℃退火20分鐘的奈米複合材薄膜包含嵌入晶形ZnTe基質的奈米成分(奈米晶體、奈米棒、或奈米線)。圖4及5顯示嵌入晶形ZnTe基質之CdSe奈米棒及奈米線的典型TEM及HRSEM影像。
ZnTe基質中以300℃退火20分鐘之CdSe奈米棒的粉末X光繞射圖案如圖6所示。繞射圖案中的峰值對應於CdSe及ZnTe的六方體(纖鋅礦)相位。要使CdSe及ZnTe相位的反射分散很難，因為CdSe及ZnTe的晶格參數及奈米級微晶的擴大繞射反射特性有些微差異。
電特性化：圖7a顯示在氮中以250℃退火20分鐘之ZnTe基質(CdSe：ZnTe.~1：10重量比)中，CdSe奈米線之薄膜以不同閘極電壓測量的ID －VDS 掃描。圖7b顯示於固定源極－汲極偏壓下，汲極電流Id 對於閘極電壓VG 的相依性。所觀察的n型閘極效應顯示，CdSe奈米線/ZnTe奈米複合材的大多數電流係載送通過n型CdSe奈米線，而非p型ZnTe基質。
範例2
以CdSe奈米晶體及(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 可溶In2 Se3 前驅體製備複合材料。
步驟1：聯胺之(N2 H5 )2 (N2 Ha)2 In2 Se4 的0.25M溶液係藉由以下方式來製備：在室溫下，在1 mmol硒的存在下，在4 mL聯胺中溶解1 mmol的In2 Se3 [D.B Mitzi、M.Copel、S.J.Chey、Adv.Mater. ，17，1285(2005)]。以0.2 μm的PTFE濾器過濾無色溶液並儲存於氮中。
步驟2：根據文獻記載方法，合成以氧化三辛基膦酸酯及三辛基膦酸酯(TOPO－TOP)配位子覆蓋的CdSe奈米晶體[C.B.Murray、D.J.Norris、M.G.Bawendi，J.Am.Chem.Soc. ，1993，115，8706]。利用若干沉澱及再溶解步驟，自過量的安定配位子徹底清洗奈米晶體，然後儲存為粉末或己烷溶液。
步驟3：CdSe奈米晶體很容易分散於(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 的聯胺溶液，從而形成穩定的膠狀溶液。溶液顏色係由CdSe奈米晶體的吸收光譜決定，並可從達3 nm CdSe奈米晶體的黃色變化至較大之達5nm CdSe奈米晶體的深棕色(圖8)。
在圖9中比較分散於己烷及聯胺中(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 之溶液之CdSe奈米晶體的吸收光譜。聯胺溶液之吸收光譜的峰值與對應之量子侷限CdSe奈米晶體的激子吸收特徵一致。此證明CdSe奈米晶體分散於(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 的聯胺溶液中，且其大小、形狀及電子結構沒有任何改變。
步驟4：包含In2 Se3 基質中CdSe奈米晶體之奈米複合材薄膜的場效裝置製造法如下：以1000－1500 rpm，在具有100 nm厚之熱氧化矽閘極介電質的高度摻雜的矽晶圓上，旋塗含有0.05 M之(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 之聯胺之達5 nm之CdSe奈米晶體的溶液。利用微影，在氧化矽上圖案化底部Ti/Au電極。
步驟5：在氮氛圍中，以350℃使薄膜退火20分鐘。
In2 Se3 基質中CdSe奈米晶體的電子性質圖10顯示典型裝置之不同閘極電壓VG 的ID －VDS 掃描。閘極電壓以20 V的級距自0 V變化至60 V。
圖11顯示於固定源極－汲極偏壓下，汲極電流Id 對於閘極電壓VG 的相依性。閘極掃描與特性及可再現的切換效應中存有顯著的滯後現象(hysteresis)。在以聯胺處理之CdSe奈米晶體的密集陣列中，亦可觀察到相似的變化。
記憶體效應：可在新型的溶液處理記憶體裝置中利用閘極電壓掃描的磁滯現象。奈米複合材CdSe/In2 Se3 薄膜的傳導性取決於施加於閘極電極之電壓的記錄。圖12顯示在相同裝置之閘極電壓的正脈衝及負脈衝後記錄達2分鐘之ID －VDS 曲線的低偏壓部分。取決於先前施加之閘極電壓之脈衝的極性，CdSe奈米晶體/In2 Se3 薄膜的低場傳導性變化超過一個等級，因此允許基於奈米複合材之記憶體單元的「開啟」及「關閉」狀態。
光電效應：可以光調變通過In2 Se3 基質中CdSe奈米晶體之薄膜的電流(圖13)，因此證明溶液處理之無機奈米複合材在光偵測器及光伏電池中的適用性。
範例3
以PbSe奈米線及(N2 H4 )2 ZnTe可溶ZnTe前驅體製備複合材料。
步驟1：
根據文獻記載方法[D.B.Mitzi，Inorg.Chem. ，2005，44，7078]，合成聯胺可溶分子ZnTe前驅體(N2 H4 )2 ZnTe。
步驟2：
如YOR9-2004-0429US2中所說明，合成以n-十四烷基磷酸及油酸覆蓋的PbSe奈米線。典型TEM及HRTEM影像如圖14a、14b所示。
步驟3：
在25mg/mL(N2 H4 )2 ZnTe的存在下，可在聯胺中分散PbSe奈米線，從而在氮氛圍中以室溫攪拌數天後，即可形成穩定的膠狀溶液。
步驟4：
自含有PbSe奈米線及(N2 H4 )2 ZnTe的聯胺溶液旋塗奈米複合材前驅體薄膜(如範例1的說明)。圖15a顯示以嵌入(N2 H4 )2 ZnTe之基質之PbSe奈米線組成之薄膜的TEM影像。
步驟5：
以250℃退火20分鐘，將(N2 H4 )2 ZnTe轉換成ZnTe。退火的PbSe/ZnTe複合材料由晶形奈米線及奈米棒組成，其直徑大於初始PbSe奈米線的直徑許多(圖15b、15c)。
有關本發明之一些其他特定系統的範例如下：以(N2 H4 )2 ZnTe與下列項目的混合物製造的奈米複合材料：以十八磷酸、氧化三辛基膦酸酯、及三辛基膦酸酯覆蓋的CdTe奈米晶體以油酸及三辛基膦酸酯覆蓋的PbSe奈米晶體以油酸及三辛基膦酸酯覆蓋的PbTe奈米晶體以(N2 H4 )2 (N2 H5 )2 In2 Se4 與下列項目的混合物製造的奈米複合材料：以十八磷酸、氧化三辛基膦酸酯、及三辛基膦酸酯覆蓋的CdTe奈米晶體以油酸及三辛基膦酸酯覆蓋的PbTe奈米晶體以油酸及油酸胺覆蓋的FePt奈米晶體
上述說明解說及說明本揭露內容。另外，本揭露內容僅顯示及說明較佳具體實施例，但如上文曾經提及的，應明白，本揭露內容能夠使用於各種其他組合、修改、及環境中，並在如本文所述之本發明的範疇內，本揭露內容能夠進行變更或修改，其與上述說明內容及/或相關技藝的技術或知識一致。本文上述具體實施例係進一步用於解說申請人所知的最佳模式，及用於讓熟習本技術者能夠利用該等或其他具體實施例中的本揭露內容，且在特定應用或其使用的需要下，可進行各種修改。因此，本說明並非用來限制本發明於本文所揭露的形式。還有，本說明之目的在於將隨附申請專利範圍視為包括替代性具體實施例。
在本說明書中提及的所有公開案及專利申請案在此以引用方式併入，且為了任何及所有目的，如同明確及個別表示每一個別公開案或專利申請案係以引用方式併入。
圖1a及1b分別顯示CdSe奈米晶體及CdSe奈米棒的TEM影像。
圖2a顯示用作CdSe奈米線之溶液－液體－固體合成之催化劑的Bi奈米晶體之TEM影像。
圖2b、2c、及2d顯示CdSe奈米線的TEM影像。
圖3顯示在25 mg/mL(N2 H4 )2 ZnTe(曲線b)的存在下，分散於己烷(曲線a)及聯胺中之CdSe奈米晶體的吸收光譜。
圖4a顯示以CdSe奈米棒及(N2 H4 )2 ZnTe製備之奈米複合材在退火前的高解析度TEM影像。
圖4b顯示以CdSe奈米棒及(N2 H4 )2 ZnTe製備之奈米複合材在以250℃退火20分鐘後的TEM影像。
圖4c顯示ZnTe基質中CdSe奈米線之薄膜在氮中以300℃退火20分鐘後的TEM影像。
圖4d顯示HRTEM影像，其顯示CdSe奈米線及ZnTe基質之間的界面。
圖5a－5c顯示以下項目的SEM影像：(a)以在氮中以300℃退火20分鐘之CdSe奈米棒及ZnTe前驅體製備的奈米複合材；(b)以在氮中以250℃退火20分鐘之ZnTe前驅體的CdSe奈米線(CdSe：ZnTe重量比1：10)製備的奈米複合材；(c)以在氮中以250℃退火20分鐘之ZnTe基質之CdSe奈米線(CdSe：ZnTe重量比1：1)製備的奈米複合材。
圖5d顯示(c)中顯示之奈米複合材的高解析度影像。在一些奈米線末端處的亮點是Bi催化劑的奈米粒子。
圖6是以300℃退火20分鐘之CdSe奈米棒及ZnTe基質製備之奈米複合材的粉末X光繞射圖案(CoKα 輻射，1.789)。
圖7a是對於具有包含ZnTe基質之CdSe奈米線之通道的裝置(CdSe：ZnTe重量比1：10)，不同閘極電壓VG 之汲極電流Id 對源極－汲極電壓Vds 的曲線圖。
圖7b是對於具有包含ZnTe基質之CdSe奈米線之通道的裝置(CdSe：ZnTe重量比1：10)，顯示在VDS ＝10 V時，汲極電流Id 與閘極電壓VG 之相依性的曲線圖。
對於圖7a及7b，通道長度L＝4 μm，寬度W＝7400 μm。薄膜以100 nm厚的SiO2 閘極介電層按1000 rpm旋塗至Si基板，並以250℃退火20分鐘。採用底部源極及汲極電極Ti/Au。
圖8為在0.05 M之(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 的存在下，聯胺之CdSe奈米晶體之溶液的照片。CdSe奈米晶體的大小達3 nm(左邊光析管)及5.2 nm(右邊光析管)。
圖9顯示分散於己烷(曲線a)及在0.05 M之(N2 H5 )2 (N2 H4 )2 In2 Se4 之存在下之聯胺(曲線b)之CdSe奈米晶體的吸收光譜。
圖10對於具有在In2 Se3 基質(CdSe：In2 Se3 重量比1：5)中包含5nm CdSe奈米晶體之通道的裝置，顯示其電晶體特性(在不同閘極電壓VG 時，汲極電流Id 對源極－汲極電壓Vds )。通道長度及寬度分別為L＝10 μm及W＝1900 μm。薄膜以1000 rpm旋塗，並以350℃退火20分鐘。閘極介電質為100 nm厚的SiO2 。
圖11顯示對於具有在In2 Se3 基質中包含5 nm的CdSe奈米晶體(CdSe：In2 Se3 重量比1：5)之通道的裝置，在源極－汲極偏壓VDS ＝10 V時，汲極電流Id 對閘極電壓VG 的相依性。通道長度L＝10 μm，寬度W＝1900 μm。薄膜以1000 rpm旋塗，並以350℃退火20分鐘。閘極介電質為100 nm厚的SiO2 。
圖12顯示以In2 Se3 基質之5 nm CdSe奈米晶體(CdSe：In2 Se3 重量比1：5)製成之奈米複合材薄膜的記憶體效應。汲極電流Id 對源極－汲極電壓Vds 在施加＋50 V(空心圓)或－50 V(實心正方形)偏壓於後方閘極電極10秒後，在VG ＝20 V時測量2分鐘。L＝10 μm，W＝1900 μm。薄膜以1000 rpm旋塗，並以350℃退火20分鐘。閘極介電質為100 nm厚的SiO2 。
圖13顯示在以寬頻光源極照明下，在以In2 Se3 基質之5 nm CdSe奈米晶體(CdSe：In2 Se3 重量比1：5)製成之奈米複合材薄膜中產生的光電流。L＝10 μm，W＝1900 μm。此實驗採用具有浮動閘極的二端子裝置，Vds ＝30 V。薄膜以1000 rpm旋塗，並以350℃退火20分鐘。採用Ti/Au底部電極。
圖14a及14b顯示以n－十四烷基磷酸及油酸覆蓋之PbSe奈米線的典型TEM(a)及HRTEM(b)影像。
圖15a、b、及c顯示以PbSe奈米線及(N2 H4 )2 ZnTe形成之奈米複合材(a)在氮中以250℃退火20分鐘前，及(b)在氮中以250℃退火20分鐘後的TEM影像；及(c)PbSe奈米線－ZnTe奈米複合材料之片段的高解析度TEM影像。

Claims (17)

  1. 一種製造一無機奈米複合材的方法，包含：取得一可溶性聯胺基(hydrazine-based)金屬硫族化合物(chalcogenide)前驅體溶液；分散一奈米體於該金屬硫族化合物前驅體溶液中；施加含有該奈米體之該前驅體溶液於一基板上，以產生該前驅體及該奈米體的一薄膜；及退火該前驅體之該薄膜，以在該基板上產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體的該金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
  2. 如請求項1之方法，其中該奈米體係選自以下項目組成的群組：奈米粒子、奈米棒、奈米四足管、及奈米線。
  3. 如請求項1之方法，其中該金屬硫族化合物包含GeS、GeSe2 、SnS2 、SnSe2 、Sb2 S3 、Sb2 Se3 、Sb2 Te3 、In2 Se3 、In2 Te3 、Cu2 S、HgSe、ZnTe及其混合物。
  4. 如請求項1之方法，包含在聯胺中取得之可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液。
  5. 如請求項1之方法，其中該奈米體係選自以下項 目組成的群組：CdS、CdSe、PbSe、CdTe、PbS、PbSe、PbTe、ZnS、ZnSe、Bi2 S3 、Bi2 Se3 、Bi2 Te3 、HgS、HgSe、HgTe、InP、InAs、及Co、Fe、FePt、及核/殼CdSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/CdSe、InP/ZnS、InP/ZnSe、InAs/CdSe、InAs/ZnSe及其組合。
  6. 如請求項1之方法，其中該奈米體係選自以下項目組成的群組：CdSe、PbSe、CdTe、PbTe、及FePt。
  7. 如請求項1之方法，其中該退火係執行於約100℃至約350℃的一溫度約1至約60分鐘。
  8. 如請求項1之方法，其中施加該溶液係利用旋塗、墜落式鑄造、衝壓或印刷。
  9. 如請求項1之方法，其中該溶液係利用旋塗來施加。
  10. 如請求項1之方法，其中藉由將該薄膜置於一熱板上、一烘箱中或利用雷射退火來執行該退火。
  11. 如請求項1之方法，其中該基板係選自以下項目組成的群組：聚亞醯胺膜(Kapton)、矽、非晶性氫化矽、碳化矽 (SiC)、二氧化矽(SiO2 )、石英、藍寶石、玻璃、金屬、類鑽碳、氫化類鑽碳、氮化鎵、砷化鎵、鍺、矽-鍺、氧化銦鍚、碳化硼、氮化硼、氮化矽(Si3 N4 )、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鈰(IV)(CeO2 )、氧化鍚(SnO2 )、二氧化鈦(TiO2 )、Ta2 O5 、ZrO2 、HfO2 、鈦酸鋅(ZnTiO2 )、鋯鈦酸鉛(PZT)、塑膠材料、及其組合。
  12. 一種製備薄膜之方法，其利用製造一無機奈米複合材的方法，包含：取得一可溶性聯胺基(hydrazine-based)金屬硫族化合物(chalcogenide)前驅體溶液；分散一奈米體於該金屬硫族化合物前驅體溶液中；施加含有該奈米體之該前驅體溶液於一基板上，以產生該前驅體及該奈米體的一薄膜；及退火該前驅體之該薄膜，以在該基板上產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體的該金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
  13. 一種取得的多層薄膜之方法，其藉由重複使用製造一無機奈米複合材的方法，包含：取得一可溶性聯胺基(hydrazine-based)金屬硫族化合物(chalcogenide)前驅體溶液；分散一奈米體於該金屬硫族化合物前驅體溶液 中；施加含有該奈米體之該前驅體溶液於一基板上，以產生該前驅體及該奈米體的一薄膜；及退火該前驅體之該薄膜，以在該基板上產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體的該金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
  14. 一種製造一光伏電池(photovoltaic cell)的方法，包含：提供一金屬接點於一支撐基板上；利用如請求項1之方法，在該金屬接點上沉積一金屬硫族化合物及奈米體的一奈米複合材薄膜；及提供一透明頂部導電接點於該奈米複合材薄膜上。
  15. 一種製造一光伏電池的方法，包含：提供一透明導電接點於一支撐透明基板上；利用如請求項1之方法，在該透明導電接點上沉積一金屬硫族化合物及奈米體的一奈米複合材薄膜；及提供一後導電接點於該奈米複合材薄膜上。
  16. 一種製備一場效電晶體的方法，該場效電晶體具有一源極區域及一汲極區域；一延伸於該源極區域及該汲極區域之間的通道層，該通道層包括一半導體材料； 一閘極區域，其設置成與該通道層間隔鄰接；在該閘極區域與該源極區域之間、該汲極區域與該通道層之間的一電絕緣層，其中該方法包含：藉由取得一可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液，製備包含一金屬硫族化合物及奈米體複合材之一半導體薄膜的一通道層；分散一奈米體於該金屬硫族化合物前驅體溶液中；施加含有該奈米體之該前驅體溶液於一基板上，以產生該前驅體及該奈米體的一薄膜；及退火該前驅體的該薄膜，以產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體的該金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
  17. 一種場效電晶體，具有一源極區域及一汲極區域；一延伸於該源極區域及該汲極區域之間的通道層，該通道層包括一半導體材料；一閘極區域，其設置成與該通道層間隔鄰接；在該閘極區域與該源極區域之間、該汲極區域與該通道層之間的一電絕緣層，係由一方法取得包含：藉由取得一可溶性聯胺基金屬硫族化合物前驅體溶液，製備包含一金屬硫族化合物及奈米體複合材之一半導體薄膜的一通道層；分散一奈米體於該金屬硫族化合物前驅體溶液 中；施加含有該奈米體之該前驅體溶液於一基板上，以產生該前驅體及該奈米體的一薄膜；及退火該前驅體的該薄膜，以產生包含至少一金屬硫族化合物及至少一奈米體的該金屬硫族化合物奈米複合材薄膜。
TW096100162A 2006-01-12 2007-01-03 製造無機奈米複合材的方法 TWI458107B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/330,291 US7517718B2 (en) 2006-01-12 2006-01-12 Method for fabricating an inorganic nanocomposite

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200746446A TW200746446A (en) 2007-12-16
TWI458107B true TWI458107B (zh) 2014-10-21

Family

ID=38233018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096100162A TWI458107B (zh) 2006-01-12 2007-01-03 製造無機奈米複合材的方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7517718B2 (zh)
JP (1) JP5547362B2 (zh)
CN (1) CN100570821C (zh)
TW (1) TWI458107B (zh)

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010512013A (ja) * 2006-12-06 2010-04-15 サンフレーク エー／エス 光学デバイス
US7781317B2 (en) * 2007-01-03 2010-08-24 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Method of non-catalytic formation and growth of nanowires
US20080314738A1 (en) 2007-06-19 2008-12-25 International Business Machines Corporation Electrolytic Device Based on a Solution-Processed Electrolyte
KR101054747B1 (ko) * 2007-10-18 2011-08-05 주식회사 엘지화학 환원제를 이용한 ６ａ족 원소를 포함하는 화합물의제조방법
US8003021B2 (en) * 2007-11-08 2011-08-23 Toyota Motor Engineering And Manufacturing North America, Inc. Synthesis of Pb alloy and core/shell nanowires
GB2457872A (en) * 2008-02-13 2009-09-02 Univ Ind & Acad Collaboration Thin-film transistor using nano-crystalline thin-film as active layer, and method for fabricating the same
US20110146766A1 (en) * 2008-02-26 2011-06-23 Solar Cells Based On Quantum Dot Or Colloidal Nanocrystal Films Solar cells based on quantum dot or colloidal nanocrystal films
US9643252B2 (en) * 2008-12-02 2017-05-09 Massachusetts Institute Of Technology Electrically controlled catalytic nanowire growth based on surface charge density
KR101155340B1 (ko) * 2009-01-12 2012-06-19 연세대학교 산학협력단 상변화 물질의 나노와이어 제조 방법
US8759662B1 (en) * 2009-04-02 2014-06-24 University Of South Florida Bulk dimensional nanocomposites for thermoelectric applications
WO2010124212A2 (en) 2009-04-23 2010-10-28 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
US8067259B2 (en) * 2009-05-12 2011-11-29 Evident Technologies Method of producing high performance photovoltaic and thermoelectric nanostructured bulk and thin films
SG178228A1 (en) * 2009-08-04 2012-03-29 Precursor Energetics Inc Polymeric precursors for caigas aluminum-containing photovoltaics
US8067262B2 (en) * 2009-08-04 2011-11-29 Precursor Energetics, Inc. Polymeric precursors for CAIGS silver-containing photovoltaics
AU2010279659A1 (en) * 2009-08-04 2012-03-01 Precursor Energetics, Inc. Methods for photovoltaic absorbers with controlled stoichiometry
JP2013501128A (ja) * 2009-08-04 2013-01-10 プリカーサー エナジェティクス， インコーポレイテッド Ｃｉｓおよびｃｉｇｓ光起電性装置のためのポリマー前駆体
JP5469966B2 (ja) 2009-09-08 2014-04-16 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
JP5719546B2 (ja) * 2009-09-08 2015-05-20 東京応化工業株式会社 塗布装置及び塗布方法
US7838403B1 (en) 2009-09-14 2010-11-23 International Business Machines Corporation Spray pyrolysis for large-scale production of chalcopyrite absorber layer in photovoltaic devices
EP2488360A4 (en) 2009-10-14 2013-06-05 Univ California NANOCOMPOSITE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF
US10147604B2 (en) * 2009-10-27 2018-12-04 International Business Machines Corporation Aqueous-based method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film
US20110094557A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 International Business Machines Corporation Method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film
WO2011084171A1 (en) * 2009-12-17 2011-07-14 Precursor Energetics, Inc. Molecular precursors for optoelectronics
CN101866960B (zh) * 2010-02-10 2011-12-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 利用部分阳离子交换反应制备CdS-Bi2S3复合纳米晶方法
CN102024858B (zh) * 2010-04-19 2013-12-04 福建欧德生光电科技有限公司 油墨、薄膜太阳能电池及其制造方法
US11139410B1 (en) * 2010-07-06 2021-10-05 The Boeing Company Solar cell structure with back surface reflector
CN103210505A (zh) 2010-09-15 2013-07-17 普瑞凯瑟安质提克斯公司 用于光电应用的沉积方法和装置
CN102412345A (zh) * 2010-09-23 2012-04-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN101967681B (zh) * 2010-11-04 2014-10-22 新疆大学 一种生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法
WO2012119684A2 (de) * 2011-03-08 2012-09-13 Merck Patent Gmbh Aluminiumoxid basierte metallisierungsbarriere
US8771555B2 (en) 2011-05-06 2014-07-08 Neo Solar Power Corp. Ink composition
US9882001B2 (en) 2011-05-16 2018-01-30 The University Of Chicago Materials and methods for the preparation of nanocomposites
US20120313044A1 (en) 2011-06-10 2012-12-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Coating solution for forming light-absorbing layer, and method for producing coating solution for forming light-absorbing layer
TW201318967A (zh) 2011-06-10 2013-05-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 聯胺配位Ｃｕ硫屬化物錯合物及其製造方法，光吸收層形成用塗佈液，以及光吸收層形成用塗佈液之製造方法
US8685781B2 (en) 2011-07-20 2014-04-01 Alliance For Sustainable Energy, Llc Secondary treatment of films of colloidal quantum dots for optoelectronics and devices produced thereby
CN102605352B (zh) * 2011-09-29 2013-07-17 山东建筑大学 一种二硒化锡薄膜的制备方法
KR101874413B1 (ko) 2011-10-18 2018-07-05 삼성전자주식회사 무기 리간드를 갖는 양자점 및 그의 제조방법
WO2013057732A2 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Yeda Research And Development Co.Ltd. Ordered stacked sheets of layered inorganic compounds, nanostructures comprising them, processes for their preparation and uses thereof
CN102412394B (zh) * 2011-10-20 2013-10-09 浙江大学 锂电池用层状二硫化锡/二氧化硅核壳纳米棒的制备方法
CN102403231B (zh) * 2011-11-22 2014-09-03 复旦大学 使用纳米压印和接触式光刻制备硅纳米线晶体管的方法
KR20130067137A (ko) * 2011-12-13 2013-06-21 삼성전자주식회사 양자점-매트릭스 박막 및 그의 제조방법
US9768338B2 (en) 2012-01-23 2017-09-19 Stc.Unm Multi-source optimal reconfigurable energy harvester
CN102603202A (zh) * 2012-03-12 2012-07-25 山东建筑大学 一种制备硒化锡光电薄膜的方法
EP2651035B1 (en) * 2012-04-11 2017-05-03 Imec Low voltage drop unidirectional smart bypass elements
US8962378B2 (en) * 2012-07-16 2015-02-24 The Boeing Company Photodiode and method for making the same
US8992874B2 (en) 2012-09-12 2015-03-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of producing hydrazine-coordinated Cu chalcogenide complex
KR101941173B1 (ko) * 2012-12-04 2019-01-22 삼성전자주식회사 양이온성 금속 칼코게나이드 화합물로 표면안정화된 나노입자
CN103964430B (zh) * 2013-01-30 2016-01-13 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 金刚石-纳米线复合体及其制备方法
US8999746B2 (en) * 2013-08-08 2015-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of forming metal chalcogenide dispersion, metal chalcogenide dispersion, method of producing light absorbing layer of solar cell, method of producing solar cell
WO2016062768A2 (en) * 2014-10-21 2016-04-28 Dsm Ip Assets B.V. Method of coating substrate
KR101747540B1 (ko) 2014-11-13 2017-06-16 주식회사 엘지화학 금속 칼코게나이드 나노 입자의 제조방법 및 그에 기반한 광흡수층 박막의 제조방법
US10283357B2 (en) 2014-12-01 2019-05-07 The University Of Chicago Compositionally matched molecular solders for semiconductors
CN105175015A (zh) * 2015-09-21 2015-12-23 陕西科技大学 一种低角度依赖性紫色硫化锌结构色薄膜及其制备方法
CN106611800A (zh) * 2015-10-19 2017-05-03 陈柏颕 太阳能薄膜结构及制造该太阳能薄膜结构的方法与装置
CN105633220B (zh) * 2016-04-01 2017-10-24 西南大学 基于柔性基底的全印刷光电探测器及其制备方法
WO2017210266A1 (en) 2016-05-31 2017-12-07 Alliance For Sustainable Energy, Llc Nanoparticles for photovoltaic and led devices and methods of making the same
US10544168B2 (en) 2016-06-15 2020-01-28 Alliance For Sustainable Energy, Llc Ligand-exchangeable nanoparticles and methods of making the same
CN106784834A (zh) * 2017-02-03 2017-05-31 北京化工大学 一种硒化锡@碳纳米纤维复合材料及其制备方法和应用
CN107740150B (zh) * 2017-08-25 2019-11-08 洛阳师范学院 一种硒化锗薄膜及其制备方法
CN107620103B (zh) * 2017-09-11 2019-12-24 洛阳师范学院 一种一硫化锗薄膜的制备方法
EP3631867A1 (en) * 2017-09-22 2020-04-08 Nexdot Multicolor display apparatus
KR102031594B1 (ko) * 2018-04-12 2019-10-14 포항공과대학교 산학협력단 2d 물질기반 파장선택성 광센서 및 그의 제조방법
CN109706434B (zh) * 2019-01-23 2021-04-09 国家纳米科学中心 一种固溶体纳米线及其制备方法和用途
CN110261448B (zh) * 2019-06-21 2021-06-04 济南大学 一种基于锌钛复合材料的信号抑制型光电化学降钙素原传感器的制备方法及应用
CN111710754B (zh) * 2020-05-11 2023-01-06 桂林理工大学 一种两相一步溶剂热制备Bi2S3-石墨烯-ZnS光电复合材料的方法
CN115132879A (zh) * 2022-06-24 2022-09-30 中国科学院半导体研究所 单晶纳米线偏振光探测器的制备方法
CN115626658A (zh) * 2022-10-28 2023-01-20 山东海化集团有限公司 一种硫化铋-硫化锌异质结构双金属硫化物的制备方法及由其制备的钾离子电池负极材料

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379585B1 (en) * 1997-06-07 2002-04-30 Aron Vecht Preparation of sulphides and selenides
US20030106488A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 Wen-Chiang Huang Manufacturing method for semiconductor quantum particles
US20040067355A1 (en) * 1998-11-06 2004-04-08 Tapesh Yadav Nano-engineered phosphors and related nanotechnology
US20040103936A1 (en) * 2002-09-12 2004-06-03 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
US20040118698A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-24 Yunfeng Lu Process for the preparation of metal-containing nanostructured films
WO2004067624A2 (en) * 2003-01-24 2004-08-12 Board Of Trustees Operating Michigan State University Phase change materials for storage media
US20050009229A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 International Business Machines Corporation Solution deposition of chalcogenide films
US20050051769A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-10 Jang Eun Joo Luminescent efficiency of semiconductor nanocrystals by surface treatment

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5919587A (en) * 1996-05-22 1999-07-06 Moltech Corporation Composite cathodes, electrochemical cells comprising novel composite cathodes, and processes for fabricating same
JPH10106053A (ja) * 1996-10-02 1998-04-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法、およびそれを用いた情報記録方法および情報記録装置
JP3971333B2 (ja) * 2003-03-31 2007-09-05 Ｔｄｋ株式会社 光記録材料、光記録媒体及びその製造方法、光記録方法、並びに再生方法
US7846489B2 (en) * 2005-07-22 2010-12-07 State of Oregon acting by and though the State Board of Higher Education on behalf of Oregon State University Method and apparatus for chemical deposition

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6379585B1 (en) * 1997-06-07 2002-04-30 Aron Vecht Preparation of sulphides and selenides
US20040067355A1 (en) * 1998-11-06 2004-04-08 Tapesh Yadav Nano-engineered phosphors and related nanotechnology
US20030106488A1 (en) * 2001-12-10 2003-06-12 Wen-Chiang Huang Manufacturing method for semiconductor quantum particles
US20040103936A1 (en) * 2002-09-12 2004-06-03 Agfa-Gevaert Metal chalcogenide composite nano-particles and layers therewith
US20040118698A1 (en) * 2002-12-23 2004-06-24 Yunfeng Lu Process for the preparation of metal-containing nanostructured films
WO2004067624A2 (en) * 2003-01-24 2004-08-12 Board Of Trustees Operating Michigan State University Phase change materials for storage media
US20050009229A1 (en) * 2003-07-10 2005-01-13 International Business Machines Corporation Solution deposition of chalcogenide films
US6875661B2 (en) * 2003-07-10 2005-04-05 International Business Machines Corporation Solution deposition of chalcogenide films
US20050051769A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-10 Jang Eun Joo Luminescent efficiency of semiconductor nanocrystals by surface treatment

Also Published As

Publication number Publication date
CN101000865A (zh) 2007-07-18
US20090236594A1 (en) 2009-09-24
TW200746446A (en) 2007-12-16
US20070160747A1 (en) 2007-07-12
JP2007185764A (ja) 2007-07-26
US7964481B2 (en) 2011-06-21
JP5547362B2 (ja) 2014-07-09
US7517718B2 (en) 2009-04-14
CN100570821C (zh) 2009-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI458107B (zh) 製造無機奈米複合材的方法
US10644175B2 (en) Methods of increasing the thickness of colloidal nanosheets and materials consisting of said nanosheets
US10121952B2 (en) Materials and methods for the preparation of nanocomposites
Sashchiuk et al. PbSe nanocrystal assemblies: synthesis and structural, optical, and electrical characterization
Liu et al. Valence selectivity of cation incorporation into covellite CuS nanoplatelets
JP6057903B2 (ja) ナノ結晶の沿面成長によるコロイド状ナノシートを作製する工程
Kumar et al. Preparation of nanocrystalline Sb doped PbS thin films and their structural, optical, and electrical characterization
US8568871B2 (en) Mono-layer and multi-layer nanowire networks
US20070057255A1 (en) Nanomaterials with tetrazole-based removable stabilizing agents
US8093494B2 (en) Methods of making functionalized nanorods
TW201008868A (en) Nanoparticles and methods of making and using
Ye et al. Facile One-Step Synthesis and Transformation of Cu (I)-Doped Zinc Sulfide Nanocrystals to Cu1. 94S–ZnS Heterostructured Nanocrystals
Zhai et al. Manipulation of the morphology of ZnSe sub-micron structures using CdSe nanocrystals as the seeds
Khadher et al. Metal oxide thin films: a mini review
Maity et al. Synthesis and optical characterization of CdS nanowires by chemical process
Kassim et al. Effect of bath temperature on the chemical bath deposition of PbSe thin films
Krishnan et al. Group II–VI Semiconductors
KR101401924B1 (ko) 나노와이어/양자점 이종구조 및 이의 제조방법
Yousefi Metal‐Selenide Nanostructures: Growth and Properties
Aziz et al. Single step growth of vertically oriented zinc oxide nanowire using thermal evaporation
Bakshi et al. Nanostructured chalcogenides
Jokubauskaitė et al. Multiple GaAsBi quantum wells with parabolic AlGaAs barriers: growth and optical characterization
Butkutė et al. The influence of graded AlGaAs barriers on optical properties of GaAsBi single quantum wells
Dalui et al. Aspects of One‐Dimensional Nanostructures: Synthesis, Characterization, and Applications
Holman Germanium nanocrystal solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees